專利名稱：一種絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管領(lǐng)域，尤其涉及一種絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管的新結(jié)構(gòu)
背景技術(shù)：
目前，絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)晶體管經(jīng)常用于各類電子電路中，絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管的種類較多，有PM0S、NM0S和VMOS功率管等。MOS絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管也即金屬一氧化物一半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管，通常用MOS表示，稱作MOS管。但是此類通用的絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管內(nèi)有兩個(gè)PN結(jié)(兩種導(dǎo)電類型交界的一小塊區(qū)域，一般稱為PN結(jié))，其中一個(gè)PN結(jié)在絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管工作時(shí)不起作用，造成了材料以及加工工藝的浪費(fèi)，增加了成本，因此發(fā)明一種加工簡(jiǎn)單，成本便宜的絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管是本領(lǐng)域技術(shù)人員急需解決的問(wèn)題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供制造簡(jiǎn)單，降低成本的一種絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管，為了解決此技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明采用以 下技術(shù)方案:
一種絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管，包括第一導(dǎo)電類型P區(qū)(3)和第一導(dǎo)電類型相反的第二導(dǎo)電類型N區(qū)(4)，其特征在于:還包括絕緣層(2)和柵極(1)，所述P區(qū)(3)與所述N區(qū)(4)彼此相鄰，所述絕緣層(2)覆蓋在所述P區(qū)(3)和N區(qū)(4)上方，所述柵極(I)設(shè)置在所述絕緣層(2)上方。優(yōu)選的，所述柵極(I)位于所述P區(qū)(3 )上方或所述N區(qū)(4 )上方或所述P區(qū)(3 )和N區(qū)(4)結(jié)合部上方。本發(fā)明由于只存在一個(gè)PN結(jié)就可以實(shí)現(xiàn)絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管的相應(yīng)功能，從而制造簡(jiǎn)單，降低了成本。


圖1柵極位于P區(qū)上方 圖2柵極位于N區(qū)上方 圖3柵極位于結(jié)合部上方
具體實(shí)施例方式以下結(jié)合附圖1，2，3進(jìn)一步說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施例。見(jiàn)圖1，圖2，圖3，本發(fā)明涉及的一種絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管，包括第一導(dǎo)電類型的P區(qū)
(3)和與第一導(dǎo)電類型相反的第二導(dǎo)電類型的N區(qū)(4)，其特征在于:還包括一絕緣層(2)和柵極(I)，所述P區(qū)(3 )與所述N區(qū)(4 )彼此相鄰，所述絕緣層(2 )覆蓋在所述P區(qū)(3 )和N區(qū)(4 )上方，所述柵極(I)設(shè)置在所述絕緣層(2 )上方。優(yōu)選的，所述柵極(I)位于所述P區(qū)(3 )上方或所述N區(qū)(4 )上方或所述P區(qū)(3 )和N區(qū)(4)結(jié)合部上方。
本發(fā)明由于只存在一個(gè)PN結(jié)就可以實(shí)現(xiàn)絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管的相應(yīng)功能，從而制造簡(jiǎn)單，降低了成本。對(duì)所公開(kāi)的實(shí)施例的上述說(shuō)明，使本領(lǐng)域?qū)I(yè)技術(shù)人員能夠?qū)崿F(xiàn)或使用本發(fā)明。對(duì)這些實(shí)施例的多種修改對(duì)本領(lǐng)域的專業(yè)技術(shù)人員來(lái)說(shuō)將是顯而易見(jiàn)的，本文中所定義的一般原理可以在不脫離本發(fā)明的精神或范圍內(nèi)的情況下，在其他實(shí)施例中實(shí)現(xiàn)。因此，本發(fā)明將不會(huì)限制于本文所示的這些實(shí)施例，而是要符合于本文所公開(kāi)的原理和新穎特點(diǎn)相一致的最寬的范圍。同樣的，本文述及的上方等字眼是為了描述方便，依據(jù)附圖繪制的相對(duì)位置關(guān)系進(jìn)行描述，不應(yīng)理解為對(duì)實(shí)際產(chǎn)品的限制。
權(quán)利要求
1.一種絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管，包括第一導(dǎo)電類型P區(qū)(3)和第一導(dǎo)電類型相反的第二導(dǎo)電類型N區(qū)(4)，其特征在于:還包括絕緣層(2)和柵極(1)，所述P區(qū)(3)與所述N區(qū)(4)彼此相鄰，所述絕緣層(2)覆蓋在所述P區(qū)(3)和N區(qū)(4)上方，所述柵極(I)設(shè)置在所述絕緣層(2)上方。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管，其特征在于:所述柵極(I)位于所述P區(qū)(3)上方或所述N區(qū)(4)上方或所述P區(qū)(3)和N區(qū)(4)結(jié)合部上方。
全文摘要
一種絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管，包括第一導(dǎo)電類型P區(qū)(3)和第一導(dǎo)電類型相反的第二導(dǎo)電類型N區(qū)(4)，其特征在于還包括絕緣層(2)和柵極(1)，所述P區(qū)(3)與所述N區(qū)(4)彼此相鄰，所述絕緣層(2)覆蓋在所述P區(qū)(3)和N區(qū)(4)上方，所述柵極(1)設(shè)置在所述絕緣層(2)上方。本發(fā)明由于只存在一個(gè)PN結(jié)就可以實(shí)現(xiàn)絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管的相應(yīng)功能，從而制造簡(jiǎn)單，降低了成本。
文檔編號(hào)H01L29/78GK103077972SQ20131005333
公開(kāi)日2013年5月1日 申請(qǐng)日期2013年2月19日 優(yōu)先權(quán)日2013年2月19日
發(fā)明者張傳科 申請(qǐng)人:張傳科