透明導電體及其制備方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種透明導電體及其制備方法。該透明導電體包括透明基板、透明膠層、導電層及透明絕緣層,所述透明膠層層疊于所述透明基板上,并覆蓋所述透明基板表面的部分區(qū)域,所述導電層層疊于所述透明膠層上,所述透明絕緣層覆蓋所述導電層的表面及所述透明基板表面未被所述透明膠層覆蓋的區(qū)域,所述導電層為由厚度為0.5微米~5微米的金屬箔導線形成的導電網(wǎng)。這種導電網(wǎng)不僅能夠導電且透明度較高,透明基板、透明膠層、導電層及透明絕緣層依次層疊形成能夠導電且透明度高的導電體,因而能夠取代氧化銦錫導電體應用于觸摸屏中。并且,該透明導電體的制備方法工藝簡單,易于大規(guī)模制備。
【專利說明】透明導電體及其制備方法
【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉及電容觸摸屏【技術領域】,特別是涉及一種透明導電體及其制備方法。
【背景技術】
[0002]觸控面板也稱作觸摸屏,已被廣泛應用于各式各樣的電子產(chǎn)品中,比如全球定位系統(tǒng)(GPS)、移動電話(cellular phone)和多種信息處理終端(ATM、移動通信終端)等,以取代傳統(tǒng)的輸入裝置,如鍵盤及鼠標。
[0003]目前,通常采用真空蒸鍍或者磁控濺射方式將透明導電材料氧化銦錫(ITO)鍍制在聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)或者玻璃基板上形成透明導電體以應用于電容觸摸屏。
[0004]但是,由于銦是一種貴金屬,近來國家對其進行管制導致銦元素材料的成本急劇上升。ITO薄膜主要采用真空蒸鍍或者磁控濺射生產(chǎn),生產(chǎn)設備昂貴,這也導致ITO薄膜價格一直居高不下。
【發(fā)明內容】
[0005]基于此,有必要提供一種能夠取代氧化銦錫導電體的透明導電體。
[0006]進一步,還提供一種透明導電體的制備方法。
[0007]—種透明導電體,包括透明基板、透明膠層、導電層及透明絕緣層,所述透明膠層層疊于所述透明基板上,并覆蓋所述透明基板表面的部分區(qū)域,所述導電層層疊于所述透明膠層上,所述透明絕緣層覆蓋所述導電層的表面及所述透明基板表面未被所述透明膠層覆蓋的區(qū)域,所述導電層為由厚度為0.5微米飛微米的金屬箔導線形成的導電網(wǎng)。
[0008]在其中一個實施例中,所述金屬箔導線的材質選自金、銀、銅及鋁中的一種。
[0009]在其中一個實施例中,所述導電層為由多條金屬箔導線排布形成的導電網(wǎng),每一條金屬箔導線的寬度為0.2微米?5微米,相鄰且平行的兩條金屬箔導線之間的距離為50微米?800微米。
[0010]在其中一個實施例中,所述透明絕緣層由環(huán)氧樹脂或亞克力樹脂形成。
[0011]在其中一個實施例中,所述透明絕緣層的表面至所述導電層的遠離所述透明基板的表面的距離小于10微米。
[0012]在其中一個實施例中,所述透明絕緣層的遠離所述透明基板的表面的平面度為
0.1 μ m/mm2?2 μ m/mm2。
[0013]在其中一個實施例中,所述透明基板由玻璃、亞克力樹脂、聚對苯二甲酸乙二醇酯或聚碳酸酯形成。
[0014]一種透明導電體的制備方法,包括如下步驟:
[0015]提供包括層疊的金屬箔片和透明膠片的燙印箔,將所述燙印箔具有所述透明膠片的一面壓合在透明基板上,得到壓合體;
[0016]用具有導電圖案的轉印模板向所述壓合體施加壓力并傳遞熱量,使所述金屬箔片的與所述轉印模板上的導電圖案對應的部分粘接在所述透明基板上;[0017]剝離未粘接到所述透明基板上的部分金屬箔片,在所述透明基板上形成透明膠層及層疊于所述透明膠層上的導電層,所述透明膠層覆蓋所述透明基板表面的部分區(qū)域,所述導電層為由厚度為0.5微米?5微米的金屬箔導線形成的透明導電網(wǎng) '及
[0018]在所述透明基板及所述導電層上涂覆透明絕緣材料形成透明絕緣層,得到透明導電體。
[0019]在其中一個實施例中,所述用轉印模板向所述壓合體施加壓力,使所述金屬箔片的與所述轉印模板上的導電圖案對應的部分粘接在所述透明基板上的步驟中,所述轉印模板的溫度為100°c ?220°c,所述壓力為4kg/CnTl0kg/Cm2,所述壓力的作用時間為I秒?25秒。
[0020]在其中一個實施例中,所述燙印箔還包括離型層和基膜層,所述透明膠片、金屬箔片、離型層和基膜層依次層疊,所述離型層由有機硅樹脂或石蠟形成,所述基膜層由聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚碳酸酯或聚亞酰胺樹脂形成。
[0021]上述透明導電體的導電層為由厚度為0.5微米飛微米的金屬箔形成的導電網(wǎng),不僅能夠導電且透明度較高,透明基板、透明膠層、導電層及透明絕緣層依次層疊形成能夠導電且透明度高的導電體,因而能夠取代氧化銦錫導電體應用于觸摸屏中。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0022]圖1為一實施方式的透明導電體的結構示意圖;
[0023]圖2為圖1所示的透明導電體的分解示意圖;
[0024]圖3為一實施方式的透明導電體的制備方法流程圖;
[0025]圖4為一實施方式的透明導電體的制備方法的步驟一至步驟三的示意圖;
[0026]圖5為另一實施方式的透明導電體的制備方法的步驟一至步驟三的示意圖;
[0027]圖6為又一實施方式的透明導電體的制備方法的步驟一至步驟三的示意圖。
【具體實施方式】
[0028]為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點能夠更加明顯易懂,下面結合附圖對本發(fā)明的【具體實施方式】做詳細的說明。在下面的描述中闡述了很多具體細節(jié)以便于充分理解本發(fā)明。但是本發(fā)明能夠以很多不同于在此描述的其它方式來實施,本領域技術人員可以在不違背本發(fā)明內涵的情況下做類似改進,因此本發(fā)明不受下面公開的具體實施的限制。
[0029]請參閱圖1,一實施方式的透明導電體100,包括透明基板10、透明膠層20、導電層30和透明絕緣層40。
[0030]透明基板10由玻璃、亞克力樹脂(PMMA)、聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)或聚碳酸酯(PC)形成,由這幾種材料形成的透明基板10的透明度較高。
[0031]透明基板10的厚度不僅對其透明度產(chǎn)生影響,還會對透明導電體100的制備產(chǎn)生影響,不同的厚度會產(chǎn)生不同的感應電容,影響產(chǎn)品的電學性能及透光性能。優(yōu)選地,透明基板10的厚度為50微米?1200微米,以保證透明導電體100具有較好的電學性能和透光性能。
[0032]更優(yōu)選地,透明基板10的厚度為50微米?700微米。
[0033]透明膠層20為由熱固型環(huán)氧樹脂形成的呈網(wǎng)絡狀的薄膜。透明膠層20層疊于透明基板10上,并覆蓋透明基板10表面的部分區(qū)域。透明膠層20的厚度優(yōu)選為2微米飛微米。
[0034]導電層30粘附于透明膠層20上并與透明膠層20形成一體而層疊于透明基板10的上方。
[0035]導電層30為由厚度為0.5微米飛微米的金屬箔導線形成的導電網(wǎng)。該導電網(wǎng)的形狀與透明膠層20的形狀相同。厚度為0.5微米?5微米的金屬箔導線兼具有較好的電學特性和透光性,以使導電層30的導電性能較好,透明度較高。
[0036]所述金屬箔導線的材質選自金、銀、銅及鋁中的一種。
[0037]請同時參閱圖2,導電層30為由多條金屬箔導線32排布形成的導電網(wǎng)。每一條金屬箔導線32的寬度為0.2微米?5微米,相鄰且平行的兩條金屬箔導線32之間的距離為50微米?800微米。
[0038]導電層30的厚度、每一條金屬箔導線32的寬度及相鄰且平行的兩條金屬箔導線32之間的距離可根據(jù)金屬箔材料的透過率和方塊電阻值進行設計。金屬箔導線32越細,相鄰且不相連的兩條金屬箔導線32之間的距離越大,最終得到透明導電體100的透光性越好。然而金屬箔導線32越細,其電阻越大,制作越困難。優(yōu)選地,導電層30的厚度即每一條金屬箔導線32的厚度為2微米?5微米,每一條金屬箔導線32寬度為0.5微米?2微米。
[0039]透明絕緣層40覆蓋導電層30的表面及透明基板10表面的未被透明膠層20覆蓋的區(qū)域。
[0040]透明絕緣層40由具有熱固性能的環(huán)氧樹脂或亞克力樹脂形成。這兩種樹脂具有較好的透光性。優(yōu)選地,為了不影響導電層30的導電性能,透明絕緣層40的表面至導電層30的遠離透明基板10的表面的距離小于10微米,優(yōu)選小于5微米。
[0041]優(yōu)選地,透明絕緣層40的遠離透明基板10的表面的表面平面度為0.Ιμπι/mnT2 μ m/mm2, 一方面能夠避免表面產(chǎn)生“彩虹紋”等光學異常現(xiàn)象,另一方面能夠保證透明導電體100的美觀性。
[0042]更優(yōu)選地,透明絕緣層40的遠離透明基板10的表面的表面平面度為0.2μπι/mm2?0.5 μ m/mm2。
[0043]上述透明導電體100的導電層30為由厚度為0.5微米飛微米的金屬箔導線形成的導電網(wǎng),不僅能夠導電且透明度較高,透明基板10、透明膠層20、導電層30及透明絕緣層40依次層疊形成能夠導電且透明度較高的透明導電體100,因而能夠取代氧化銦錫導電體應用于觸摸屏中。
[0044]相對于昂貴的氧化銦錫(ITO)薄膜導電體,上述透明導電體100的價格較為低廉,能夠廣泛應用于觸摸屏中而降低使用該觸摸屏的電子產(chǎn)品的價格。
[0045]請參閱圖3,一實施方式的透明導電體的制備方法流程圖,包括如下步驟:
[0046]步驟SllO:提供包括層疊的金屬箔片和透明膠片的燙印箔,將燙印箔具有透明膠片的一面壓合在透明基板上,得到壓合體。
[0047]請參閱圖4,透明基板10由玻璃、亞克力樹脂(PMMA)、聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)或聚碳酸酯(PC)形成。
[0048]透明基板10的厚度優(yōu)選為50微米?1200微米,更優(yōu)選為50微米?700微米。
[0049]燙印箔50包括依次層疊的基膜層51、離型層52、金屬箔片53和透明膠片54。[0050]基膜層51由聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚碳酸酯(PC)、聚亞酰胺樹脂(PI)等耐高溫、耐拉伸材料形成。基膜層51起支撐作用,由上述幾種耐高溫、耐拉伸材料形成的基膜層51能夠在壓合步驟及后續(xù)的轉印步驟中保持穩(wěn)定。
[0051]離型層52由有機硅樹脂或石蠟形成。易于將金屬箔片從有機硅樹脂層或石蠟層上剝離,離型層52有利于后續(xù)進行剝離步驟。
[0052]金屬箔片53為金箔片、銀箔片、銅箔片或鋁箔片。金屬箔片53的厚度優(yōu)選為0.5微米飛微米,更優(yōu)選為2微米飛微米。
[0053]透明膠片54由熱固型樹脂形成。透明膠片54的厚度優(yōu)選為2微米飛微米。
[0054]在金屬箔片53的厚度為0.5微米?5微米,透明膠片54的厚度為2微米?5微米時,燙印箔50的總厚度優(yōu)選為12微米?16微米,以使燙印箔50具有足夠的強度,并保證在后續(xù)轉印步驟中較好的熱傳遞。
[0055]用滾輪60將燙印箔50具有透明膠片54的一面壓合在透明基板10上,使燙印箔50的透明膠片54層疊于透明基板10上,得到壓合體。滾輪60的滾動方向如滾輪60上的箭頭所示。
[0056]步驟S120:用具有導電圖案轉印模板向壓合體施加壓力并傳遞熱量,使金屬箔片的與轉印模板的導電圖案對應的部分粘接在透明基板上。
[0057]采用熱壓轉印的方式在透明基板上形成導電層。熱壓轉印的方式可以為卷對卷,也可以為卷對平,或平對平。如果透明基板為板材,如呈平板狀,則可以采用卷對平或平對平的方式進行熱壓轉印;如果透明基板為柔性卷材,則可采用卷對卷的方式進行熱壓轉印。
[0058]圖4為卷對卷熱壓轉印方式。轉印模板70上形成有所需的導電圖案。卷對卷熱壓轉印方式中,透明基板10為柔性卷材。
[0059]利用轉印模板70向壓合體施加壓力并且傳遞熱量,使透明膠片54與轉印模板70的導電圖案對應的部分粘附于透明基板10上,使得金屬箔片53與轉印模板70的導電圖案對應的部分粘接到透明基板10的表面而呈網(wǎng)狀地附著在透明基板10上。
[0060]卷對卷方式中,轉印模板70的轉動方向與滾輪60的轉動方向相反。
[0061]轉印模板70的溫度、所施加的壓力及壓力的作用時間根據(jù)金屬箔片53的厚度及透明膠片54的種類進行選擇。
[0062]優(yōu)選地,轉印模板的溫度為100°C?220°C,所述施加的壓力為4kg/cm2?10kg/cm2,壓力的作用時間為I秒?25秒,以保證透明膠片54與透明基板10充分接觸及由熱固型樹脂形成的透明膠片54熔化,而將金屬箔片54與轉印模板70上的導電圖案對應的部分粘接到透明基板10的表面上。
[0063]圖5為卷對平的熱壓轉印方式。這種方式中,透明基板10為平板,燙印箔50為包括依次層疊的基膜層51、離型層52、金屬箔片53和透明膠片54。滾輪60的滾動方向如滾輪60上的箭頭所示。轉印模板70的轉動方向與滾輪60的滾動方向相反。
[0064]圖6為平對平的熱壓轉印方式。這種方式中,透明基板10為平板,燙印箔50為包括依次層疊的基膜層51、離型層52、金屬箔片53和透明膠片54。平對平熱壓轉印方式不需要滾輪60,通過轉印模板70對壓合體加熱加壓即可。
[0065]步驟S130:剝離未粘接到透明基板上的部分金屬箔片,在透明基板上形成透明膠層及層疊于透明膠層上的導電層,透明膠層覆蓋透明基板表面的部分區(qū)域,導電層為由厚度為0.5微米飛微米的金屬箔導線形成的導電網(wǎng)。
[0066]金屬箔片53的未與轉印模板70的導電圖案對應的部分未粘接到透明基板10上,將該部分剝離下來下而在透明基板10上形成透明膠層20及層疊于透明膠層20上的導電層30,導電層30為由厚度為0.5微米~5微米的金屬箔導線形成的透明導電網(wǎng)。
[0067]優(yōu)選地,導電層30為由厚度為2微米飛微米的金屬箔導線形成的導電網(wǎng)。導電層30由多條寬度為0.5微米~2微米的金屬箔導線形成,相鄰且平行的兩條金屬箔導線之間的距離為50微米~800微米。
[0068]離型層52有利于剝離,提供剝離效率和良率,得到圖案完整的導電層30。
[0069]步驟S140:在透明基板及導電層上涂覆透明絕緣材料形成透明絕緣層,得到透明導電體。
[0070]利用濕法涂布工藝在透明基板10和導電層30的表面涂布絕緣材料,固化后形成覆蓋導電層30的表面及透明基板10未被透明膠層20所覆蓋的區(qū)域的透明絕緣層,得到透明導電體。
[0071]優(yōu)選地,上述絕緣材料的粘度為600cps,以利于涂覆形成表面平整的絕緣材料涂層,以固化后得到表面平整的透明絕緣層。
[0072]絕緣材料為透光性較好的環(huán)氧樹脂或亞克力樹脂。透明絕緣層的表面至導電層30的透明基板10的表面的距離小于10微米,優(yōu)選小于5微米,以使透明絕緣層的透光性能較好,且不影響導電 層30的導電性能。
[0073]絕緣材料為熱固型環(huán)氧樹脂時,加熱固化,固化溫度60-100?,固化時間5~20min。絕緣材料為UV固化型亞克力樹脂時,采用UV照射進行固化,UV光的波長為200~400納米,固化累計照射能量為20(T1000mj/cm2。
[0074]優(yōu)選地,透明絕緣層的遠離透明基板10的表面平面度為0.1μm/mm~2μM/mm2,更優(yōu)選為 0.2 μ m/mm2~0.5 μ m/mm2。
[0075]上述透明導電體的制備方法工藝簡單,制備成本低,并且所制備得到透明導電體不含有昂貴的氧化銦錫,價格較低。這種制備方法易于大規(guī)模制備,具有廣闊的工業(yè)應用前
[0076]以下為具體實施例。
[0077]實施例1
[0078](I)提供燙印箔,燙印箔包括依次層疊的基膜層、離型層、金屬箔片和透明膠片。其中,透明膠片為厚度為5微米的熱固性環(huán)氧樹脂,金屬箔片為厚度為2微米的銅箔片,離型層由有機硅樹脂形成,基膜層由聚對苯二甲酸乙二醇酯形成。該燙印箔的厚度為16微米;
[0079](2)提供透明基板,透明基板為厚度為100微米的聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)基板,用卷對卷的方式將燙印箔與聚對苯二甲酸乙二醇酯基板壓合,使燙印箔與聚對苯二甲酸乙二醇酯基板形成壓合體,其中,透明膠片層疊于聚對苯二甲酸乙二醇酯基板上;
[0080](3)用轉印模板向壓合體施加壓力并傳遞熱量,使透明膠片與轉印模板的導電圖案對應的部分粘附于聚對苯二甲酸乙二醇酯基板上,且銅箔片與轉印模板的導電圖案對應的部分粘接在聚對苯二甲酸乙二醇酯基板上。其中,轉印模板的溫度為140°C,所施加的壓力為4kg/cm2,作用時間為15秒;
[0081](4)剝離未粘接到聚對苯二甲酸乙二醇酯基板的部分銅箔片,在聚對苯二甲酸乙二醇酯基板上形成透明膠層及層疊于透明膠層上的導電層,透明膠層覆蓋透明基板表面的部分區(qū)域,導電層為厚度為2微米的銅箔形成的導電網(wǎng),該導電網(wǎng)由多條銅箔導線交聯(lián)形成,每條銅箔導線的寬度為3微米,相鄰且平行的兩條銅箔導線之間的距離為300微米;
[0082](5)在聚對苯二甲酸乙二醇酯薄膜及導電層上涂覆聚甲基丙烯酸甲脂UV固化樹月旨,聚甲基丙烯酸甲脂UV固化樹脂的粘度為600CPS,然后進行UV光照射,UV光的波長為365納米,累計照射能量達到600mj/cm2固化形成透明絕緣層,得到透明導電體。透明絕緣層覆蓋導電層的表面及透明基板表面的未被透明膠層覆蓋的區(qū)域,透明絕緣層與導電層的遠離聚對苯二甲酸乙二醇酯基板的表面的距離為2微米,透明絕緣層表面的表面平面度為
0.2 μ m/mm2。
[0083]實施例2
[0084](I)提供燙印箔,燙印箔包括依次層疊的基膜層、離型層、金屬箔片和透明膠片。其中,透明膠片為厚度為5微米的熱固型環(huán)氧樹脂,金屬箔片為厚度為3微米的鋁箔片,離型層由石蠟形成,基膜層由聚碳酸酯形成。該燙印箔的厚度為12微米;
[0085](2)提供透明基板,透明基板為厚度為400微米的聚碳酸酯(PC)基板,用卷對平的方式將燙印箔與聚碳酸酯基板壓合,使燙印箔與聚碳酸酯基板形成壓合體,其中,透明膠片層疊于聚碳酸酯基板上;
[0086](3)用轉印模板向壓合體施加壓力并傳遞熱量,使鋁箔片與轉印模板上的導電圖案對應的部分粘接在聚碳酸酯基板上。其中,轉印模板的溫度為120°C,所施加的壓力為6kg/cm2,作用時間為12秒;
[0087](4)剝離未粘接到聚碳酸酯基板的部分金箔片,在聚碳酸酯基板上形成透明膠層及層疊于透明膠層上的導電層,透明膠層覆蓋透明基板表面的部分區(qū)域,導電層為厚度為3微米的鋁箔導線形成的導電網(wǎng),該導電網(wǎng)由多條鋁箔導線交聯(lián)形成,每條鋁箔導線的寬度為5微米,相鄰且平行的兩條鋁箔導線之間的距離為800微米;
[0088](5)在聚碳酸酯基板及導電層上涂覆熱固型環(huán)氧樹脂,熱固型環(huán)氧樹脂的粘度為600cps,加熱至80°C使熱固型環(huán)氧樹脂固化形成透明絕緣層,得到透明導電體。透明絕緣層覆蓋導電層的表面及透明基板表面的未被透明膠層覆蓋的區(qū)域,透明絕緣層與導電層的遠離聚碳酸酯基板的表面的距離為3微米,透明絕緣層表面的表面平面度為0.5 μ m/mm2。
[0089]實施例3
[0090](I)提供燙印箔,燙印箔包括依次層疊的基膜層、離型層、金屬箔片和透明膠片。其中,透明膠片為厚度為5微米的熱固型環(huán)氧樹脂,金屬箔片為厚度為I微米的銀箔片,離型層由石蠟形成,基膜層由聚亞酰胺樹脂形成。該燙印箔的厚度為12微米;
[0091](2)提供透明基板,透明基板為厚度為700微米的玻璃基板,用平對平的方式將燙印箔與玻璃基板壓合,使燙印箔與玻璃基板形成壓合體,其中,透明膠片層疊于玻璃基板上;
[0092](3)用轉印模板向壓合體施加壓力,使銀箔片與轉印模板上的導電圖案對應的部分粘接在玻璃基板上。其中,轉印模板的溫度為150°C,所施加的壓力為6kg/cm2,作用時間為12秒;
[0093](4)剝離未粘接到玻璃基板的部分銀箔片,在玻璃基板上形成透明膠層及層疊于透明膠層上的導電層,透明膠層覆蓋透明基板表面的部分區(qū)域,導電層為厚度為I微米的銀箔導線形成的導電網(wǎng),該導電網(wǎng)由多條銀箔導線交聯(lián)形成,每條銀箔導線的寬度為2微米,相鄰且平行的兩條銀箔導線之間的距離為200微米;
[0094](5)在玻璃基板及導電層上涂覆聚甲基丙烯酸甲脂UV固化樹脂,甲基丙烯酸甲脂UV固化樹脂的粘度為600cps,然后進行UV光照射,UV光的波長為365納米,累計照射能量達到600mj/cm2固化形成透明絕緣層,得到透明導電體。透明絕緣層覆蓋導電層的表面及透明基板表面的未被透明膠層覆蓋的區(qū)域,透明絕緣層與導電層的遠離聚碳酸酯基板的表面的距離為2微米,透明絕緣層表面的表面平面度為0.2 μ m/mm2。
[0095]以上所述實施例僅表達了本發(fā)明的幾種實施方式,其描述較為具體和詳細,但并不能因此而理解為對本發(fā)明專利范圍的限制。應當指出的是,對于本領域的普通技術人員來說,在不脫離本發(fā)明構思的前提下,還可以做出若干變形和改進,這些都屬于本發(fā)明的保護范圍。因此,本發(fā)明專利的保護范圍應以所附權利要求為準。
【權利要求】
1.一種透明導電體,其特征在于,包括透明基板、透明膠層、導電層及透明絕緣層,所述透明膠層層疊于所述透明基板上,并覆蓋所述透明基板表面的部分區(qū)域,所述導電層層疊于所述透明膠層上,所述透明絕緣層覆蓋所述導電層的表面及所述透明基板表面未被所述透明膠層覆蓋的區(qū)域,所述導電層為由厚度為0.5微米飛微米的金屬箔導線形成的導電網(wǎng)。
2.根據(jù)權利要求1所述的透明導電體,其特征在于,所述金屬箔導線的材質選自金、銀、銅及鋁中的一種。
3.根據(jù)權利要求1所述的透明導電體,其特征在于,所述導電層為由多條金屬箔導線排布形成的導電網(wǎng),每一條金屬箔導線的寬度為0.2微米?5微米,相鄰且平行的兩條金屬箔導線之間的距離為50微米100微米。
4.根據(jù)權利要求1所述的透明導電體,其特征在于,所述透明絕緣層由環(huán)氧樹脂或亞克力樹脂形成。
5.根據(jù)權利要求1所述的透明導電體,其特征在于,所述透明絕緣層的表面至所述導電層的遠離所述透明基板的表面的距離小于10微米。
6.根據(jù)權利要求1所述的透明導電體,其特征在于,所述透明絕緣層的遠離所述透明基板的表面的平面度為0.1 μ m/mm2?2 μ m/mm2。
7.根據(jù)權利要求1所述的透明導電體,其特征在于,所述透明基板由玻璃、亞克力樹月旨、聚對苯二甲酸乙二醇酯或聚碳酸酯形成。
8.—種透明導電體的制備方法,其特征在于,包括如下步驟: 提供包括層疊的金屬箔片和透明膠片的燙印箔,將所述燙印箔具有所述透明膠片的一面壓合在透明基板上,得到壓合體; 用具有導電圖案的轉印模板向所述壓合體施加壓力并傳遞熱量,使所述金屬箔片的與所述轉印模板上的導電圖案對應的部分粘接在所述透明基板上; 剝離未粘接到所述透明基板上的部分金屬箔片,在所述透明基板上形成透明膠層及層疊于所述透明膠層上的導電層,所述透明膠層覆蓋所述透明基板表面的部分區(qū)域,所述導電層為由厚度為0.5微米?5微米的金屬箔導線形成的導電網(wǎng) '及 在所述透明基板及所述導電層上涂覆透明絕緣材料形成透明絕緣層,得到透明導電體。
9.根據(jù)權利要求8所述的透明導電體的制備方法,其特征在于,所述用轉印模板向所述壓合體施加壓力,使所述金屬箔片的與所述轉印模板上的導電圖案對應的部分粘接在所述透明基板上的步驟中,所述轉印模板的溫度為100°c ?220°c,所述壓力為4kg/cnTl0kg/cm2,所述壓力的作用時間為I秒?25秒。
10.根據(jù)權利要求8所述的透明導電體的制備方法,其特征在于,所述燙印箔還包括離型層和基膜層,所述透明膠片、金屬箔片、離型層和基膜層依次層疊,所述離型層由有機硅樹脂或石蠟形成,所述基膜層由聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚碳酸酯或聚亞酰胺樹脂形成。
【文檔編號】H01B13/00GK103971787SQ201310043662
【公開日】2014年8月6日 申請日期:2013年2月4日 優(yōu)先權日:2013年2月4日
【發(fā)明者】劉偉, 唐根初, 唐彬 申請人:深圳歐菲光科技股份有限公司