專利名稱：一種前電極主柵線與硅襯底隔離的選擇性發(fā)射極太陽電池及其制備方法
一種前電極主柵線與硅襯底隔離的選擇性發(fā)射極太陽電池及其制備方法技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明屬于太陽電池技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及到一種前電極主柵線與硅襯底隔離的選擇性發(fā)射極太陽電池及其制備方法。
背景技術(shù)：
隨著太陽電池技術(shù)的革新，太陽電池轉(zhuǎn)換效率的不斷提升，太陽電池及組件生產(chǎn)成本大幅降低，光伏產(chǎn)業(yè)在各國政府的政策支持下得到了快速發(fā)展。為了實(shí)現(xiàn)更高的轉(zhuǎn)化效率和更低的生產(chǎn)成本，研究人員通過理論與實(shí)踐提出了很多的新工藝、新方法及新結(jié)構(gòu)。 選擇性發(fā)射極電池結(jié)構(gòu)作為高效電池結(jié)構(gòu)中的一種，已經(jīng)被大部分太陽電池公司應(yīng)用實(shí)際生產(chǎn)中。選擇性發(fā)射極電池采用前電極底部重?fù)?、非電極底部區(qū)域輕摻技術(shù)，不僅能實(shí)現(xiàn)很好的藍(lán)光響應(yīng)，也能保證前表面銀柵線與硅襯底形成良好的歐姆接觸，使得電池的短路電流和效率得到很大提升。目前實(shí)現(xiàn)選擇性發(fā)射極電池產(chǎn)業(yè)化生產(chǎn)的方法主要有二次擴(kuò)散法、返刻法、激光重?fù)椒?、硅墨水重?fù)椒ǖ取?br>
常規(guī)選擇性發(fā)射極電池使用前電極柵線底部局域重?fù)浇Y(jié)構(gòu)能夠得到良好的光學(xué)、 電學(xué)性能太陽電池，但是局域重?fù)絽^(qū)域占硅片前表面面積的6% 10%左右，主柵線局域重?fù)絽^(qū)域占重?fù)絽^(qū)域的50%以上，這些重?fù)絽^(qū)域的電子-空穴復(fù)合速度很大。同時(shí)，主柵線的銀漿與硅襯底形成的金屬-半導(dǎo)體接觸復(fù)合很大，而且主柵線底部區(qū)域被柵線遮擋，產(chǎn)生很少的電子-空穴對(duì)，其對(duì)收集有效電子能力有限。減少主柵線區(qū)域的重?fù)綇?fù)合及金屬-半導(dǎo)體復(fù)合可以有效提高短路電流及電池效率。發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的就是為解決以上問題，提供一種前電極主柵線與硅襯底隔離的選擇性發(fā)射極太陽電池及其制備方法，該太陽電池可有減少主柵線底部區(qū)域復(fù)合，有效提高短路電流、開路電壓及光電轉(zhuǎn)化效率。
為實(shí)現(xiàn)以上目的，本發(fā)明采取了以下的技術(shù)方案
一種前電極主柵線與硅襯底隔離的選擇性發(fā)射極太陽電池及其制備方法，包括以下結(jié)構(gòu)硅片采用P型片為襯底，其前表面有擴(kuò)磷的η+層；
硅片前表面細(xì)柵線圖案底部有局域重?fù)搅椎摩?+層，主柵線圖案底部仍為輕摻的 η+層；
硅片前表面有氮化硅減反膜；
硅片前表面有銀前電極，其中銀前電極的細(xì)柵線與其底部的η++層形成良好的歐姆接觸，而主柵線因其底部較厚的氮化硅阻擋，無法與硅片襯底直接接觸；
硅片背面有鋁背場和鋁電極。
上述前電極主柵線與硅襯 底隔離的選擇性發(fā)射極太陽電池及其制備方法，包括以下步驟；
(I)在硅片襯底的兩面經(jīng)過高溫?cái)U(kuò)散磷源形成η+層；
(2)在硅片前表面細(xì)柵線圖案底部局域重?fù)搅自葱纬搔?+層或無局域重?fù)搅自葱纬搔?+層，主柵線圖案底部為η+層；
(3)采用化學(xué)腐蝕溶液去除硅片襯底背面的η+層；
(4)在硅片前表面鍍上氮化硅減反膜；
(5)在硅片前表面主柵線圖案底部鍍一層氮化硅隔離層；
(6)在硅片背面絲網(wǎng)印刷有鋁漿料層并烘干；
(7)在硅片前表面印刷銀漿料圖案并烘干；
(8)通過高溫?zé)Y(jié)后形成銀前電極、鋁背場與鋁背電極。
作為上述技術(shù)的進(jìn)一步改進(jìn)，
在上述步驟(I)之前對(duì)硅片襯底進(jìn)行標(biāo)準(zhǔn)工藝清洗及制絨，在上述步驟(3)之前對(duì)娃片襯底用氫氟酸清洗表面磷娃玻璃。
作為上述技術(shù)的更進(jìn)一步改進(jìn)，上述步驟(2)中的硅片前表面細(xì)柵線圖案底部局域η++層可采用二次擴(kuò)散、返刻法、激光局域重?fù)椒?、硅墨水重?fù)椒ǖ确椒▽?shí)現(xiàn)。
上述步驟(3)中的化學(xué)腐蝕溶液為HF/HN03的混合液，或者為NaOH或KOH溶液。
上述步驟(I)與步驟(3)之間的步驟(2)可以省去，直接制備出前電極主柵線與硅襯底隔離的常規(guī)發(fā)射極太陽電池。
進(jìn)一步，上述步驟(4)氮化硅減反膜層為厚度為60 200nm的單層、雙層或多層氮化硅減反膜。
進(jìn)一步，上述步驟(5)中主柵線圖案底部氮化硅隔離層的厚度為100 lOOOnm， 該氮化硅隔離層還可選擇非晶硅、氮化硅、二氧化硅、氧化鋁或碳化硅介質(zhì)材料，也可以選擇非晶硅、氮化硅、二氧化硅、氧化鋁、碳化硅中的兩種或多種介質(zhì)材料的組合；主柵線圖案底部氮化硅隔離層制備方法采用主柵線鏤空?qǐng)D案的掩膜板做掩膜，直接在PECVD上鍍氮化硅形成局域氮化硅隔離層，掩膜板材料可以選擇石墨、硅片，也可以為鋁板、銅板等金屬板材，或者選擇玻璃等非金屬或金屬氧化物板材；隔離層制備工藝可以選擇等離子氣相沉積 (PECVD )、電子束蒸發(fā)、快速化學(xué)氣相沉積和磁控濺射等技術(shù)。
進(jìn)一步，上述 步驟(6)所述鋁漿料層的厚度為5 30 μ m。
進(jìn)一步，上述步驟(7)中銀漿料柵線圖案的厚度為5 30 μ m。
進(jìn)一步，所述基于一種前電極主柵線與硅襯底隔離的選擇性發(fā)射極太陽電池及其制備方法，步驟(8)中通過高溫?zé)Y(jié)使硅片前表面的細(xì)柵線銀漿將其底部的氮化硅減反膜燒穿，細(xì)柵線與硅片襯底的η++層形成良好歐姆接觸，而前表面的主柵線銀漿因較厚的氮化硅隔離層阻擋不能將氮化硅減反膜燒穿，無法與硅襯底直接接觸；燒結(jié)后前表面銀漿料層形成銀電極，背表面鋁漿料層與硅片襯底作用形成鋁背場和鋁背電極。
與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的有益效果是
(I)通過主柵線圖案底部較厚氮化硅隔離層的隔離作用，可以避免主柵線金屬銀與硅襯底的歐姆接觸造成的很大復(fù)合，有效減少銀前電極底部區(qū)域的復(fù)合。
(2)主柵線圖案底部得到氮化硅的介質(zhì)膜鈍化，可以降低硅片前表面的復(fù)合速度。
(3)本發(fā)明采用前電極主柵線圖案底部輕摻雜結(jié)構(gòu)，可以有效減少前表面重?fù)絽^(qū)域比例，降低柵線底部區(qū)域的缺陷復(fù)合，提高開路電壓。
(4)采用簡單的掩膜技術(shù)鍍主柵線圖案底部氮化硅隔離層，其技術(shù)簡單，制造成本較低，適合規(guī)?；a(chǎn)。
圖1是硅片襯底結(jié)構(gòu)示意圖2是在硅片襯底的兩面經(jīng)過高溫?cái)U(kuò)散磷源形成η+層的結(jié)構(gòu)示意圖3是實(shí)施例一所述的硅片前表面細(xì)柵線圖案底部局域重?fù)搅自葱纬搔?+層，主柵線圖案底部仍為η+層的結(jié)構(gòu)示意圖4是采用化學(xué)腐蝕溶液去除硅片襯底背面的η+層后的結(jié)構(gòu)示意圖5是在硅片前表面鍍上氮化硅減反膜后的結(jié)構(gòu)示意圖6是在硅片前表面主柵線圖案底部鍍一層氮化硅隔離層后的結(jié)構(gòu)示意圖7是在硅片背面絲網(wǎng)印刷有鋁漿料層并烘干后的結(jié)構(gòu)示意圖8是在硅片前表面印刷銀漿料圖案并烘干后的結(jié)構(gòu)示意圖9是硅片經(jīng)過高溫?zé)Y(jié)后的太陽電池結(jié)構(gòu)示意圖10是圖6中硅片前表面主柵線圖案底部氮化硅隔離層的制備工藝示意圖中1-娃片襯底；2_n+層；3_n++層；4_前表面氮化娃層；5_氮化娃隔離層； 6-鋁漿料層；7_銀漿料柵線圖案；8_鋁背場；9_銀前電極；10_鋁背電極；11_掩膜板; 12-與主柵線相一致的鏤空區(qū)域；13_氮化硅源。
具體實(shí)施方式
下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施方式
對(duì)本發(fā)明的內(nèi)容做進(jìn)一步詳細(xì)說明。
如圖1 9所示，本發(fā)明所述的一種前電極主柵線與硅襯底隔離的選擇性發(fā)射極太陽電池，該太陽電池包括P型片為襯底的硅片襯底1，所述硅片襯底I的前表面依次設(shè)有擴(kuò)磷的η+層2、氮化硅減反膜層4、氮化硅隔離層5以及銀前電極9，所述銀前電極9上設(shè)有置于底部的主柵線圖案和細(xì)柵線圖案，所述硅片襯底I的背面依次為鋁背場8及置于鋁背場8上的鋁背電極10，所述銀前電極9的細(xì)柵線圖案底部有局域重?fù)搅椎摩?+層3，主柵線圖案底部仍為輕摻的η+層。通過主柵線圖案底部較厚的氮化硅隔離層5的隔離作用，可以有效地避免主柵線金屬銀與硅襯底的歐姆接觸造成的很大復(fù)合，有效減少銀前電極底部區(qū)域的復(fù)合。
以下通過不同的實(shí)施例具體說明本發(fā)明所述的前電極主柵線與硅襯底隔離的選擇性發(fā)射極太陽電池的制備方法，其具體步驟如下
實(shí)施例一
⑴如圖1所示，將硅片襯底I放入高溫?cái)U(kuò)散爐中，以P0C13作為磷源，通過高溫?cái)U(kuò)散摻磷使硅片兩面均形成η+層2，η+層2的方塊電阻為90 100 Ω / 口。
⑵如圖2所示，在硅片前表面細(xì)柵線圖案底部局域重?fù)搅自葱纬搔?+層，主柵線圖案底部仍為η+層3，η++層3的方塊電阻為20 30 Ω / 口。
⑶如圖3所示，采用H`F/HN03混合溶液通過單面蝕刻設(shè)備去除硅片襯底I背面的 η+層2，其中HF溶液濃度為49%，ΗΝ03溶液濃度為69%，HF溶液與ΗΝ03溶液體積比為1:3。
⑷如圖4所示，通過PECVD設(shè)備在硅片襯底I前表面鍍上氮化硅減反膜層4，所述前表面氮化硅層4的厚度為60nm，折射率為2. O。
(5)如圖5所示，在硅片襯底I前表面蓋上一張與硅片襯底I主柵線圖案相一致的、 具有鏤空?qǐng)D案的硅片掩膜板，通過PECVD設(shè)備在硅片襯底I前表面氮化硅層4之上的主柵線圖案底部鍍一層氮化硅(SiNx = H)隔離層5，其厚度為200nm。
(6)如圖6所示，在硅片襯底I背面絲網(wǎng)印刷鋁漿料層6并烘干，鋁漿料層6厚度為 5 IOym0
(7)如圖7所示，在硅片襯底I前表面印刷作為前電極的銀漿料柵線圖案7并烘干， 所述銀漿料柵線圖案7的厚度為5 10 μ m。
(8)如圖8 圖10所示，通過過高溫?zé)Y(jié)使硅片前表面的細(xì)柵線銀漿將其底部的薄氮化硅減反膜層4燒穿，燒結(jié)后可與硅片襯底I的η++層3形成良好歐姆接觸，而前表面的主柵線銀漿因較厚的氮化硅隔離層5阻擋不能將氮化硅減反膜層4燒穿，無法與硅襯底I 直接接觸；燒結(jié)后前表面銀漿料層形成銀電極9，背表面鋁漿料層6與硅片襯底I作用形成鋁背場8和鋁背電極10。
在該實(shí)施例中，所述硅片襯底I為P型單晶硅片襯底，硅片襯底I的電阻率為O.5 Ω . cm I Ω . cm，厚度為160 170 μ m。在擴(kuò)散之前，需要對(duì)硅片襯底進(jìn)行標(biāo)準(zhǔn)工藝預(yù)清洗及制絨。同時(shí)，擴(kuò)散后的硅片襯底需要用先氫氟酸清洗表面磷硅玻璃，方可進(jìn)行下一步驟。
實(shí)施例二
⑴如圖1所示，將硅片襯底I放入高溫?cái)U(kuò)散爐中，以P0C13作為磷源，通過高溫?cái)U(kuò)散摻磷使硅片兩面均形成η+層2，η+層2的方塊電阻為100 110 Ω / 口。
⑵如圖2所示，在硅片前表面細(xì)柵線圖案底部局域重?fù)搅自葱纬搔?+層3，主柵線圖案底部仍為η+層2，η++層3的方塊電阻為30 40 Ω / 口。
⑶如圖3所示采用HF/HN03混合溶液通過單面蝕刻設(shè)備去除硅片襯底I背面的η+ 層2，其中HF溶液濃度為49%，ΗΝ03溶液濃度為69%，HF溶液與ΗΝ03溶液體積比為1:3。
⑷如圖4所示，通過PECVD設(shè)備在硅片襯底I前表面鍍上氮化硅減反膜層4，所述前表面氮化硅層4的厚度為80nm，折射率為2. 08。
(5)如圖5所示，在硅片襯底I前表面蓋上一張與硅片襯底I主柵線圖案相一致的、 具有鏤空?qǐng)D案的鋁材掩膜板，通過PECVD設(shè)備在硅片襯底I前表面氮化硅層4之上的主柵線圖案底部鍍一層氮化硅(SiNx = H)隔離層5，其厚度為500nm。
(6)如圖6所示，在硅片襯底I背面絲網(wǎng)印刷鋁漿料層6并烘干，鋁漿料層6厚度為 15 20 μ m0
(7)如圖7所示，在硅片襯底I前表面印刷作為前電極的銀漿料柵線圖案7并烘干， 所述銀漿料柵線圖案7的厚度為15 20 μ m。
(8)如圖8 圖10所示，過高溫?zé)Y(jié)使硅片前表面的細(xì)柵線銀漿將其底部的薄氮化硅減反膜層4燒穿，燒結(jié)后可與硅片襯底I的η++層3形成良 好歐姆接觸，而前表面的主柵線銀漿因較厚的氮化硅隔離層5阻擋不能將氮化硅減反膜層4燒穿，無法與硅襯底I直接接觸；燒結(jié)后前表面銀漿料層形成銀電極9，背表面鋁漿料層6與硅片襯底I作用形成鋁背場8和鋁背電極10。
所述硅片襯底I為P型多晶硅片，硅片襯底I的電阻率為O. 5 Ω. cm I Ω. cm，厚度為130 140μπι。在擴(kuò)散之前，需要對(duì)硅片襯底進(jìn)行標(biāo)準(zhǔn)工藝預(yù)清洗及制絨。同時(shí)，擴(kuò)散后的硅片襯底需要用先氫氟酸清洗表面磷硅玻璃，方可進(jìn)行下一步驟。
實(shí)施例三
⑴如圖1所示，將硅片襯底I放入高溫?cái)U(kuò)散爐中，以P0C13作為磷源，通過高溫?cái)U(kuò)散摻磷使硅片兩面均形成η+層2，η+層2的方塊電阻為110 120 Ω / 口。
⑵如圖2所示，在硅片前表面細(xì)柵線圖案底部局域重?fù)搅自葱纬搔?+層，主柵線圖案底部仍為η+層2, η++層3的方塊電阻為40 50 Ω / □。
⑶如圖3所示，采用NaOH溶液通過單面蝕刻設(shè)備去除硅片襯底I背面的η+層2， 其中NaOH溶液濃度為20%。
⑷如圖5所示，通過PECVD設(shè)備在硅片襯底I前表面鍍上氮化硅減反膜層4，所述前表面氮化硅層4的厚度為160nm，折射率為2. 08。
(5)如圖6、圖7所不,在娃片襯底I前表面蓋上一張與娃片襯底I主柵線圖案相一致的、具有鏤空?qǐng)D案的銅材掩膜板，通過PECVD設(shè)備在硅片襯底I前表面氮化硅層4之上的主柵線圖案底部鍍一層氮化硅(SiNx = H)隔離層5，其厚度為lOOOnm。
(6)如圖8所示，在硅片襯底I背面絲網(wǎng)印刷鋁漿料層6并烘干，鋁漿料層6厚度為 25 30 μ m0
(7)如圖9所示，在硅片襯底I前表面印刷作為前電極的銀漿料柵線圖案7并烘干， 所述銀漿料柵線圖案7的厚度為25 30 μ m。
(8)如圖10所示，通過高溫?zé)Y(jié)使硅片前表面的細(xì)柵線銀漿將其底部的薄氮化硅減反膜層4燒穿，燒結(jié)后可與硅片襯底I的η++層3形成良好歐姆接觸，而前表面的主柵線銀漿因較厚的氮化硅隔離層5阻擋不能將氮化硅減反膜層4燒穿，無法與硅襯底I直接接觸；燒結(jié) 后前表面銀漿料層形成銀電極9，背表面鋁漿料層6與硅片襯底I作用形成鋁背場 8和鋁背電極10。
在本實(shí)施例中，所述硅片襯底I為P型單晶硅片襯底或P型多晶硅片，硅片襯底I 的電阻率為I Ω . cm 2 Ω . cm，厚度為100 120 μ m。在擴(kuò)散之前，需要對(duì)硅片襯底進(jìn)行標(biāo)準(zhǔn)工藝預(yù)清洗及制絨。同時(shí)，擴(kuò)散后的硅片襯底I需要用先氫氟酸清洗表面磷硅玻璃，方可進(jìn)行下一步驟。
權(quán)利要求
1.一種前電極主柵線與硅襯底隔離的選擇性發(fā)射極太陽電池，包括P型片為襯底的硅片，其特征在于所述硅片的前表面依次設(shè)有擴(kuò)磷的η+層、細(xì)柵線圖案底部的η++層、氮化硅減反膜層、氮化硅隔離層以及銀前電極，所述銀前電極上設(shè)有置于底部的主柵線圖案和細(xì)柵線圖案，所述硅片的背面依次為鋁背場及置于鋁背場上的鋁背電極。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的前電極主柵線與硅襯底隔離的選擇性發(fā)射極太陽電池的制備方法，其特征在于其具體步驟是，(1)在硅片襯底的兩面經(jīng)過高溫?cái)U(kuò)散磷源形成η+層；(2)在硅片前表面細(xì)柵線圖案底部局域重?fù)搅自葱纬搔?+層，主柵線圖案底部仍為η+層；(3)采用化學(xué)腐蝕溶液去除硅片襯底背面的η+層；(4)在硅片前表面鍍上氮化硅減反膜以形成氮化硅減反膜層；(5)在硅片前表面主柵線圖案底部鍍一層氮化硅隔離層；(6)在硅片背面絲網(wǎng)印刷有鋁漿料層并烘干；(7)在硅片前表面印刷銀漿料圖案并烘干；(8)通過高溫?zé)Y(jié)后形成銀前電極、鋁背場與鋁背電極。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的前電極主柵線與硅襯底隔離的選擇性發(fā)射極太陽電池的制備方法，其特征在于上述硅片前表面細(xì)柵線圖案底部局域重?fù)搅爪?+層采用二次擴(kuò)散、返刻法、激光局域重?fù)椒?、硅墨水局域重?fù)椒▽?shí)現(xiàn)。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的前電極主柵線與硅襯底隔離的選擇性發(fā)射極太陽電池的制備方法，其特征在于細(xì)柵線圖案底部的η++層的方塊電阻為20 70ohm/sq，η+層的方塊電阻為90 150ohm/sq。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述所述的前電極主柵線與硅襯底隔離的選擇性發(fā)射極太陽電池的制備方法，其特征在于上述步驟(2)中的化學(xué)腐蝕溶液為HF/HN03的混合液，或者為 NaOH或KOH溶液。
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的前電極主柵線與硅襯底隔離的選擇性發(fā)射極太陽電池的制備方法，其特征在于上述步驟(3)氮化硅減反膜層為厚度為60 200nm的單層、雙層或多層氮化硅減反膜。
7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的前電極主柵線與硅襯底隔離的選擇性發(fā)射極太陽電池的制備方法，其特征在于上述步驟(4)中主柵線圖案底部的氮化硅隔離層的厚度為60 lOOOnm，該氮化硅隔離層為非晶硅、氮化硅、二氧化硅、氧化鋁或碳化硅介質(zhì)材料，或者為非晶硅、氮化硅、二氧化硅、氧化鋁、碳化硅中的兩種或多種介質(zhì)材料的組合物。
8.根據(jù)權(quán)利要求2所述的前電極主柵線與硅襯底隔離的選擇性發(fā)射極太陽電池的制備方法，其特征在于上述步驟(5)中主柵線圖案底部的氮化硅隔離層制備方法采用主柵線相一致的鏤空?qǐng)D案的掩膜板做掩膜，直接鍍氮化硅形成局域氮化硅隔離層，掩膜板材料為石墨、硅片或者為鋁板、銅板等金屬板材，或者選擇非金屬或金屬氧化物板材；隔離層制備工藝為等離子氣相沉積(PECVD)、電子束蒸發(fā)、快速化學(xué)氣相沉積和磁控濺射。
9.根據(jù)權(quán)利要求2所述的前電極主柵線與硅襯底隔離的選擇性發(fā)射極太陽電池的制備方法，其特征在于上述步驟(5)中鋁漿料層的厚度為5 30 μ m，還可以通過真空蒸鍍的方法得到背鋁電極，厚度為I 5μπι。
10.根據(jù)權(quán)利要求2所述的前電極主柵線與硅襯底隔離的選擇性發(fā)射極太陽電池的制備方法，，其特征在于上述步驟(6)中銀漿料圖案的厚度為5 30 μ m。
全文摘要
本發(fā)明公開一種前電極主柵線與硅襯底隔離的選擇性發(fā)射極太陽電池及其制備方法，該選擇性發(fā)射極太陽電池，包括p型片為襯底的硅片，所述硅片的前表面依次設(shè)有擴(kuò)磷的n+層、細(xì)柵線圖案底部的n++層、氮化硅減反膜層、氮化硅隔離層以及銀前電極，所述銀前電極上設(shè)有置于底部的主柵線圖案和細(xì)柵線圖案，所述硅片的背面依次為鋁背場及鋁背電極。本發(fā)明采用前電極主柵線與硅襯底隔離技術(shù)，可以有效減少前表面重?fù)絽^(qū)域比例，降低柵線底部區(qū)域的缺陷復(fù)合，同時(shí)可增加硅片前表面氮化硅鈍化區(qū)域，避免主柵線金屬銀與硅襯底的歐姆接觸造成的復(fù)合，有效提高開路電壓、短路電流及電池轉(zhuǎn)化效率。該技術(shù)工藝簡單，制造成本較低，適合規(guī)?；a(chǎn)，具有很大的市場前景。
文檔編號(hào)H01L31/0216GK103066135SQ201310016810
公開日2013年4月24日 申請(qǐng)日期2013年1月17日 優(yōu)先權(quán)日2013年1月17日
發(fā)明者沈輝, 劉家敬, 劉斌輝, 李力, 李明華, 陳思銘 申請(qǐng)人:中山大學(xué)