波長保持法布里-珀羅激光二極管以及包括該激光二極管的光發(fā)送器的制造方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種可保持波長的法布里-珀羅激光二極管(F-P LD)以及包括這種F-P LD的光發(fā)送器，可保持波長的F-P LD包括：增益部分，被構(gòu)造成使用注入的第一電流來提供并調(diào)制增益；以及相移/調(diào)制部分，被構(gòu)造成通過注入的第二電流或電壓相對于從所述增益部分進入的光的振蕩模式改變波長，并且調(diào)制相位。
【專利說明】波長保持法布里-珀羅激光二極管以及包括該激光二極管 的光發(fā)送器

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體激光二極管，更具體地講，涉及一種波長保持法布里-珀 羅（Fabry-Perot)激光二極管（F-P LD)，以及使用光通信系統(tǒng)的包括波長保持F-P LD的光 發(fā)送器。

【背景技術(shù)】
[0002] 一般而言，WDM網(wǎng)絡(luò)（波分復(fù)用光網(wǎng)絡(luò)，Wavelength Division Multiplexed-Optical Network)被認為是能提供滿足近來爆炸性增長的帶寬需求的帶寬 從而能應(yīng)對爆炸性的網(wǎng)絡(luò)流量增長的終極網(wǎng)絡(luò)。
[0003] 圖1是示出一般的WDM-PON系統(tǒng)的示意性框圖。
[0004] 從寬帶光源（Broadband Light Source, BLS) 100輸出的寬帶光通過穿過光環(huán)行 器 110 在穿過解復(fù)用（demultiplexing)陣列式波導(dǎo)光柵（Arrayed Waveguide Grating, AWG) 120之后被光譜分割（光譜過濾）。經(jīng)過光譜分割后的光被注入光發(fā)送器（Tx，130)中。 一般來講，WDM-PON系統(tǒng)的光發(fā)送器130包括F-P LD或反射式半導(dǎo)體光放大器（Reflective Semiconductor Optical Amplifier，RS0A)。F-P LD或RSOA放大注入的光并同時減小噪聲， 并且調(diào)制成發(fā)射信號。從各個通道輸出的波長互不相同的光被輸入到AWG 120中，AWG 120 使光多路復(fù)用。多路復(fù)用信號通過光纖傳播。
[0005] 圖2A至圖2E是示出根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的在WDM-PON系統(tǒng)中用于光發(fā)送器的器件特性 的示例性視圖。如圖2A所示，當(dāng)光被注入到F-P LD/RS0A 131中時，產(chǎn)生增益飽和現(xiàn)象，即 隨著光強度的增大，增益與增益成反比地減小。利用增益飽和現(xiàn)象可以抑制注入的光的噪 聲。
[0006] 圖2B示出了頻域中的RIN (相對強度噪聲），并且可以注意到當(dāng)注入RIN 為-llOdB/Hz并且功率為-IOdBm的光時，噪聲減小大約IOdB (A - B)。也就是說，可以確定 噪聲被抑制了大約1/10。
[0007] 圖2C示出了 F-P LD的光譜，并且圖2D示出了 RSOA的光譜。F-P LD是非常普 通的激光二極管（LD，Laser Diode)，這種激光二極管由腔體形成，該腔體由兩端的反射鏡 以及兩端的反射鏡之間的增益介質(zhì)形成，并且在整個表面上涂有防反射涂層（反射率小于 0.1%)，以便注入光。當(dāng)F-P LD用于光發(fā)送器130時，如圖2C所示，可以注意到多個模式 (mode)由腔體形成。因此，RSOA可以是具有非常低的總反射率（大約0.001% )的F-P LD。 因此，如圖2D所示，可以了解到，RSOA與F-P LD相比幾乎不具有模式特性。
[0008] 同時，光發(fā)送器130的物理性能根據(jù)從外部注入的光的波長（λΙΝΤ)與F-P LD的腔 體形成的模式的波長（λ F_P)之間的關(guān)系發(fā)生變化。圖2Ε圖示了通過解諧（λ IW-λ F_p)抑 制噪聲程度的結(jié)果。此外，F(xiàn)-P LD的輸出光穿過AWG 120,通過使AWG 120的通過特性來對 頻率成分進行過濾（過濾效應(yīng)）。此時，F(xiàn)-P LD的輸出光譜通過解諧而發(fā)生變化，由此AWG 120過濾的頻率成分最終變成對光發(fā)送器130的物理性能產(chǎn)生不利影響。
[0009] 如上所述，由于接收的光信號的噪聲響應(yīng)于解諧而發(fā)生變化，所以即使在最佳條 件下進行操作，當(dāng)例如溫度的外部環(huán)境發(fā)生變化時，由于解諧變化，物理性能也會降低。因 此，為了無色工作并且防止物理性能降低，必須增加注入的光的功率。因此，必須使用高輸 出功率的BLS 100,這不利地增加了整個系統(tǒng)的功率消耗，從而使價格增高。
[0010] 同時，盡管在使用RSOA時解諧幾乎不受影響，RSOA在價格競爭力方面落后于F-P LD而不可避免地使用TEC，從而導(dǎo)致很大程度上增大功率消耗。韓國專利No. 680918 (2007 年2月2日）被公開，其提供一種解決解諧問題的方法。
[0011] 韓國專利No. 680918教導(dǎo)了使用三個電極在常規(guī)的F-P LD構(gòu)造中注入電流，被稱 為三觸點F-P LD。三觸點F-P LD可以改變注入每個電極的電流比以改變因恒定地維持輸 出功率而振蕩的多種模式的波長。
[0012] 圖3A是示出了根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的三觸點F-P LD的構(gòu)造的示意圖，并且圖3B是示出 了響應(yīng)于注入圖3A中三觸點F-P LD的每個電極的電流的振蕩模式的位置的示意圖，其中 I1是注入第一電極310的電流，I2表示注入第二電極320的電流，并且I3表示注入第三電 極330的電流。
[0013] 然而，根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的三觸點F-P LD在將響應(yīng)于溫度的變化率（0. lnm/°C )考慮 在內(nèi)時無法滿足保持能應(yīng)對實際現(xiàn)場（actual field)的寬泛的溫度變化的波長范圍。
[0014] 同時，當(dāng)從外部注入相干光和非相干光時，并且當(dāng)F-P LD的振蕩波和注入波匹配 時，已經(jīng)以多模式振蕩的F-P LD以注入光的波長以單模振蕩。此時，當(dāng)外部溫度發(fā)生變化 使激光的振蕩波長改變時，激光特性發(fā)生變化，并且F-P LD返回到多模式，并且變得難以用 于WDM。因此，僅當(dāng)振蕩波長發(fā)生變化從而以原始振蕩的波長保持振蕩并且能夠跟蹤該振蕩 波長時，激光可以跟蹤發(fā)送特性。當(dāng)F-P LD的振蕩波長間隔比注入的光的譜線寬度更寬時 這種要求特別重要。因此，通過將F-P LD應(yīng)用于超高速WDM系統(tǒng)，跟蹤波長對于實現(xiàn)無色 特性不可或缺。
[0015] 當(dāng)制造出調(diào)制器集成反射式半導(dǎo)體光放大器時，可以實現(xiàn)能進行高速調(diào)制而無需 波長保持的無色光源。然而，反射式半導(dǎo)體光放大器必須附接TEC，因為發(fā)射式半導(dǎo)體光放 大器的工作波長范圍很窄并且工作電流很高。盡管這可以看成是波長保持F-P LD的一個 子類，但是難以去掉TEC。
[0016] 同時，電流光通信系統(tǒng)使用能同時進行相位調(diào)制和強度調(diào)制的各種調(diào)制方法 {QPSK (正交相移鍵控）、DQPSK (差分正交相移鍵控）、QAM(正交振幅調(diào)制）}。然而，用于實 現(xiàn)此目的的外部調(diào)制器不利地很昂貴，并且就維護/維修而言競爭力很低。因此，必須開發(fā) 在能無色工作的同時能適應(yīng)各種調(diào)制方法的光源。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0017] 本公開旨在解決上述常規(guī)問題并且本發(fā)明提供了一種能進行無色工作同時能適 應(yīng)各種調(diào)制方法的波長保持法布里-珀羅激光二極管（F-P LD)。
[0018] 本發(fā)明還提供了一種光發(fā)送器，該光發(fā)送器包括可保持波長的F-P LD。波長保持 法布里-珀羅激光二極管（F-P LD)能進行無色工作同時能適應(yīng)各種調(diào)制方法。
[0019] 在本發(fā)明的一個一般方面，提供了一種波長保持法布里-珀羅激光二極管（F-P LD),所述可保持波長的F-P LD包括：
[0020] 增益部分，所述增益部分被構(gòu)造成使用注入的第一電流來提供并調(diào)制增益；以及 相移/調(diào)制部分，所述相移/調(diào)制部分被構(gòu)造成通過注入的第二電流或電壓相對于從所述 增益部分進入的光的振蕩模式改變波長，并且調(diào)制相位，其中所述增益部分和所述相移/ 調(diào)制部分中的每一個包括具有互不相同的折射率的活性層，并且所述增益部分和所述相移 /調(diào)制部分的所述活性層是由不吸收從所述增益部分進入的光的材料形成的。
[0021] 優(yōu)選地，但未必地，所述增益部分可以包括：第一電極、P型或N型第一半導(dǎo)體層、 第一活性層、極性與所述第一半導(dǎo)體層相反的第二半導(dǎo)體層和第二電極依次堆疊的堆疊結(jié) 構(gòu)，其中注入的光的強度通過注入所述第一電極的第一電流進行調(diào)制。
[0022] 優(yōu)選地，但未必地，所述增益部分可以進一步包括所述第一半導(dǎo)體層與所述第一 活性層之間以及所述第一活性層與所述第二半導(dǎo)體層之間的第一中間層和第二中間層，以 便增大發(fā)光效率。
[0023] 優(yōu)選地，但未必地，所述相移/調(diào)制部分可以包括：第三電極、P型或N型第三半導(dǎo) 體層、第二活性層、極性與所述第三半導(dǎo)體層相反的第四半導(dǎo)體層和第四電極依次堆疊的 堆疊結(jié)構(gòu)，其中所述第三電極和所述第一電極因彼此分立而互相絕緣。優(yōu)選地，但未必地， 所述第三和第四電極可以是由一種導(dǎo)電材料形成的。
[0024] 優(yōu)選地，但未必地，所述相移/調(diào)制部分可以進一步包括所述第三半導(dǎo)體層與所 述第二活性層之間以及所述第二活性層與所述第四半導(dǎo)體層之間的第三和第四中間層，以 便增大發(fā)光效率。
[0025] 優(yōu)選地，但未必地，通過改變從所述第三電極注入的第二電流或電壓可以改變從 所述增益部分進入的光的關(guān)于振蕩模式的波長。
[0026] 優(yōu)選地，但未必地，通過改變從所述第三電極注入的第二電流或電壓可以改變從 所述增益部分進入的光的相位。
[0027] 優(yōu)選地，但未必地，所述第二活性層的高度可以與所述第一活性層的高度大致相 同。
[0028] 優(yōu)選地，但未必地，所述相移/調(diào)制部分可以是由聚合物或硅樹脂（silicone)形 成的。
[0029] 在本發(fā)明的另一個一般方面，提供了一種可保持波長的法布里-珀羅激光二極管 (F-P LD)，所述可保持波長的F-P LD包括：
[0030] 增益部分，所述增益部分被構(gòu)造成使用注入的第一電流來提供并調(diào)制增益；
[0031] 相移部分，所述相移部分被構(gòu)造成使用注入的第二電流保持關(guān)于光的振蕩模式的 波長；
[0032] 相位調(diào)制部分，所述相位調(diào)制部分被構(gòu)造成使用注入的第三電流調(diào)制輸出光的相 位；以及
[0033] 其中，所述增益部分和所述相移及調(diào)制部分中的每一個包括具有互不相同的折射 率的活性層，并且所述相移調(diào)制部分的所述活性層是由不吸收從所述增益部分進入的光的 材料形成的。
[0034] 優(yōu)選地，但未必地，所述相移部分和所述相位調(diào)制部分可以被連續(xù)地（serially) 層壓。
[0035] 優(yōu)選地，但未必地，所述增益部分可以與所述相移部分在空間上分立。
[0036] 優(yōu)選地，但未必地，所述增益部分可以包括：第一電極、P型或N型第一半導(dǎo)體層、 第一活性層、極性與所述第一半導(dǎo)體層相反的第二半導(dǎo)體層和第二電極依次堆疊的堆疊結(jié) 構(gòu)，其中注入的光的強度通過注入所述第一電極中的第一電流進行調(diào)制。
[0037] 優(yōu)選地，但未必地，所述相移部分可以包括：第三電極、第一聚合物層、第二活性 層、第二聚合物層和第四電極依次堆疊的堆疊結(jié)構(gòu)，其中所述第三電極和所述第一電極因 彼此分立而互相絕緣。
[0038] 優(yōu)選地，但未必地，所述相位調(diào)制部分可以包括：第五電極、第三聚合物層、第三活 性層和第六電極依次堆疊的堆疊結(jié)構(gòu)，其中所述第二和第三活性層是由相同材料形成的活 性層。
[0039] 有益效果
[0040] 本發(fā)明的有益效果是：用于相移的部分插入普通的F-P LD結(jié)構(gòu)中以使得具有更 寬的波長保持范圍并且能進行強度和相位調(diào)制。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0041] 圖1是一般的WDM-PON系統(tǒng)的示意性框圖；
[0042] 圖2A至圖2E是示出用于常規(guī)的WDM-PON系統(tǒng)的光發(fā)送器的器件特性的示例性視 圖；
[0043] 圖3A是示出常規(guī)的三觸點F-P LD的示意性框圖，并且圖3B是示出響應(yīng)于注入三 觸點F-P LD的每個電極的電流的振蕩模式的位置的示意圖；
[0044] 圖4是示出根據(jù)本發(fā)明的第一示例性實施例的可保持波長的F-P LD的橫截面圖；
[0045] 圖5是示出圖4的F-P LD中的電場來回（round trip)的示例性視圖；
[0046] 圖6是示出根據(jù)本發(fā)明的第二示例性實施例的可保持波長的F-P LD的橫截面圖；
[0047] 圖7是示出根據(jù)本發(fā)明的第三示例性實施例的可保持波長的F-P LD的橫截面圖；
[0048] 圖8是示出根據(jù)本發(fā)明的第四示例性實施例的可保持波長的F-P LD的橫截面圖；
[0049] 圖9是不出使用根據(jù)本發(fā)明的不例性實施例的可保持波長的F-P LD的WDM系統(tǒng) 的框圖；
[0050] 圖10是示出使用根據(jù)本發(fā)明的示例性實施例的可保持波長的F-P LD的WDM-PON 系統(tǒng)的框圖。

【具體實施方式】
[0051] 以下將參照附圖更全面地描述各種示例性實施例，附圖圖示了一些示例性實施 例。
[0052] 本發(fā)明構(gòu)思能夠以許多不同的方式來實施并且不應(yīng)當(dāng)被理解為限于本文所述的 示例性實施例。相反，所述方面旨在囊括落入本發(fā)明的范圍和新設(shè)想內(nèi)的所有這些替代、修 改和變型。
[0053] 應(yīng)當(dāng)理解，雖然術(shù)語"第一"、"第二"等可以在本文中用于描述多種元件，但是這些 元件應(yīng)當(dāng)不受這些術(shù)語的限制。這些術(shù)語僅僅用于使一個元件與另一個元件區(qū)分開。例如， 在不脫離本發(fā)明的教導(dǎo)的情況下，第一區(qū)域/層可以叫作第二區(qū)域/層，并且類似地，第二 區(qū)域/層可以稱作第一區(qū)域/層。
[0054] 應(yīng)當(dāng)理解，當(dāng)元件被稱為與另一個元件"連接上"或"耦接上"時，它可以與另一個 元件直接連接上或耦接上，或者可以存在中間元件。相比之下，當(dāng)元件被稱為與另一個元件 上"直接連接上"、"直接耦接上"時，不存在中間元件。
[0055] 本文中使用的術(shù)語僅僅用于描述特定實施例的目的，并且并非旨在限制一般的發(fā) 明構(gòu)思。本文中單數(shù)形式"一個"、"一種"和"所述"旨在還包括復(fù)數(shù)形式，除非上下文另有 清晰的表示。
[0056] 應(yīng)當(dāng)理解，當(dāng)在本說明書中使用時，術(shù)語"包含"和/或"包括"指的是存在所述的 特征、區(qū)域、整數(shù)、步驟、操作、要素和/或元件，但是不排除存在或增加一個或多個其他的 特征、區(qū)域、整數(shù)、步驟、操作、要素、元件和/或它們的組合。也就是說，在【具體實施方式】和/ 或權(quán)利要求書中使用術(shù)語"包括"、"包含"、"具有"、"有"、"帶有"或它們的變型以類似于術(shù) 語"包括"的方式表示不完全包含。
[0057] 本發(fā)明提出一種可保持波長的F-P LD結(jié)構(gòu)，使得具有更寬的波長保持范圍并且能 夠進行強度和相位調(diào)制。
[0058] 以下將參照附圖詳細描述本發(fā)明的示例性實施例。
[0059] 圖4是示出了根據(jù)本發(fā)明的第一示例性實施例的保持波長的F-P LD的橫截面圖。
[0060] 參見圖4,根據(jù)本發(fā)明的第一示例性實施例的可保持波長的F-P LD包括連續(xù)地層 壓的增益部分1和相移/調(diào)制部分2。本領(lǐng)域技術(shù)人應(yīng)當(dāng)明白，根據(jù)本發(fā)明的可保持波長的 F-P LD的橫截面是鏡像的（A，B)。
[0061] 對于一般的F-P LD而言，例如，增益部分1包括：第一電極11、P型或N型極性第 一半導(dǎo)體層12、活性層13、極性與第一半導(dǎo)體層12相反的第二半導(dǎo)體層14和第二電極15。 當(dāng)將電流注入增益部分1的第一電極11時，就給注入的光提供了增益。此外，增益部分1 可以同時執(zhí)行強度調(diào)制。
[0062] 盡管并未圖示，增益部分可以進一步包括分別在活性層13、第一半導(dǎo)體層12和第 二半導(dǎo)體層14之間形成的中間層，以便增大發(fā)光效率。活性層13是注入的光發(fā)生振蕩的 層，并且可以被構(gòu)造成多種形狀，例如，量子阱、量子線和量子點。
[0063] 相移/調(diào)制部分2可以包括：第一電極21、P型或N型極性第一半導(dǎo)體層22、活性 層23、極性與第一半導(dǎo)體層22相反的第二半導(dǎo)體層24和第二電極25。盡管圖4圖示了增 益部分1的第二電極15和相移/調(diào)制部分2的第二電極25分別形成在其中的構(gòu)造，但是 這是示例性的并且本發(fā)明可以通過使用同一個電極來實現(xiàn)。中間層分別可以插入到活性層 23、第一半導(dǎo)體層22和第二半導(dǎo)體層24之間。
[0064] 增益部分1、相移/調(diào)制部分2的第一半導(dǎo)體層（12, 22)、活性層（13, 23)和第二 半導(dǎo)體層14、24可以形成為具有相同的高度以便互相層壓。
[0065] 使用經(jīng)由第一電極21注入的電流或電壓，相移/調(diào)制部分2可以提供更寬的波長 保持范圍。例如，波長保持范圍可以大于12nm。此外,通過經(jīng)由第一電極21注入的電流,相 移/調(diào)制部分2可以提供相位調(diào)制。此時，第一電極（11，21)之間的空間必須電性絕緣以 便中斷由于增益部分1與相移/調(diào)制部分2的第一電極（11，21)之間的電壓差而產(chǎn)生的泄 漏電流。例如，可以通過蝕刻來實現(xiàn)絕緣，但是本發(fā)明不限于此。
[0066] 現(xiàn)在將詳細描述增益部分1的強度調(diào)制以及相移/調(diào)制部分2的相移調(diào)制。
[0067] 圖5是示出圖4的F-P LD中的電場來回的示例性視圖。
[0068] 參見圖5,假設(shè)輸入到增益部分1的第一電極11的電流是Ig，輸入到相移/調(diào)制 部分2的第一電極21的電流是Ip，每個截面的反射率是定義為Γι和r2的反射性。一般來 講，要使F-P LD達到閾值必須滿足以下方程。
[0069]【等式1】
[0070]

【權(quán)利要求】
1. 一種可保持波長的法布里-珀羅激光二極管（F-P LD)，所述可保持波長的F-P LD 包括： 增益部分，所述增益部分被構(gòu)造成使用注入的第一電流來提供并調(diào)制增益；以及 相移/調(diào)制部分，所述相移/調(diào)制部分被構(gòu)造成通過注入的第二電流或電壓關(guān)于從所 述增益部分進入的光的振蕩模式改變波長，并且用于調(diào)制相位，其中所述增益部分和所述 相移/調(diào)制部分中的每一個包括具有互不相同的折射率的活性層，并且所述增益部分和所 述相移/調(diào)制部分的所述活性層由不吸收從所述增益部分進入的光的材料形成。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的可保持波長的F-P LD，其中所述增益部分包括：第一電極、 P型或N型第一半導(dǎo)體層、第一活性層、極性與所述第一半導(dǎo)體層相反的第二半導(dǎo)體層和第 二電極依次堆疊的堆疊結(jié)構(gòu)，其中通過注入所述第一電極中的第一電流對注入的光的強度 進行調(diào)制。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的可保持波長的F-P LD，其中所述增益部分進一步包括位于所 述第一半導(dǎo)體層與所述第一活性層之間以及所述第一活性層與所述第二半導(dǎo)體層之間的 第一中間層和第二中間層，以增大發(fā)光效率。
4. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的可保持波長的F-P LD，其中所述相移/調(diào)制部分包括：第三 電極、P型或N型第三半導(dǎo)體層、第二活性層、極性與所述第三半導(dǎo)體層相反的第四半導(dǎo)體 層和第四電極依次堆疊的堆疊結(jié)構(gòu)，其中所述第三電極和所述第一電極因彼此分立而互相 絕緣。
5. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的可保持波長的F-P LD，其中所述第三電極和所述第四電極是 由一種導(dǎo)電材料形成的。
6. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的可保持波長的F-P LD，其中所述相移/調(diào)制部分進一步包括 位于所述第三半導(dǎo)體層與所述第二活性層之間以及所述第二活性層與所述第四半導(dǎo)體層 之間的第三中間層和第四中間層，以增大發(fā)光效率。
7. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的可保持波長的F-P LD，其中通過改變從所述第三電極注入的 第二電流或電壓來改變從所述增益部分進入的光的關(guān)于振蕩模式的波長。
8. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的可保持波長的F-P LD，其中通過改變從所述第三電極注入的 第二電流或電壓來改變從所述增益部分進入的光的相位。
9. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的可保持波長的F-P LD，其中所述第二活性層的高度與所述第 一活性層的高度大致相同。
10. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的可保持波長的F-P LD，其中所述相移/調(diào)制部分由聚合物 或硅樹脂形成。
11. 一種可保持波長的法布里-珀羅激光二極管（F-P LD)，所述可保持波長的F-P LD 包括： 增益部分，所述增益部分被構(gòu)造成使用注入的第一電流來提供并調(diào)制增益； 相移部分，所述相稱部分被構(gòu)造成使用注入的第二電流保持關(guān)于光的振蕩模式的波 長； 相位調(diào)制部分，所述相位調(diào)整部分被構(gòu)造成使用注入的第三電流調(diào)制輸出光的相位； 以及 其中所述增益部分和所述相移及調(diào)制部分中的每一個包括折射率互不相同的活性層， 并且所述相移部分的所述活性層由不吸收從所述增益部分進入的光的材料形成。
12. 根據(jù)權(quán)利要求11所述的可保持波長的F-P LD，其中所述增益部分、相移部分和所 述相位調(diào)制部分被連續(xù)地層壓。
13. 根據(jù)權(quán)利要求11所述的可保持波長的F-P LD，其中所述增益部分與所述相移部分 在空間上分立。
14. 根據(jù)權(quán)利要求11所述的可保持波長的F-P LD，其中所述增益部分包括：第一電極、 P型或N型第一半導(dǎo)體層、第一活性層、極性與所述第一半導(dǎo)體層相反的第二半導(dǎo)體層和第 二電極依次堆疊的堆疊結(jié)構(gòu)，其中通過注入所述第一電極中的第一電流對注入的光的強度 進行調(diào)制。
15. 根據(jù)權(quán)利要求14所述的可保持波長的F-P LD，其中所述相移部分包括：第三電極、 第一聚合物層、第二活性層、第二聚合物層和第四電極依次堆疊的堆疊結(jié)構(gòu)，其中所述第三 電極和所述第一電極因彼此分立而互相絕緣。
16. 根據(jù)權(quán)利要求15所述的可保持波長的F-P LD，其中所述相位調(diào)制部分包括：第五 電極、第三聚合物層、第三活性層和第六電極依次堆疊的堆疊結(jié)構(gòu)，其中所述第二活性層和 所述第三活性層由相同材料形成。
【文檔編號】H01S5/0625GK104412468SQ201280074301
【公開日】2015年3月11日 申請日期:2012年12月15日 優(yōu)先權(quán)日:2012年6月25日
【發(fā)明者】李昌熹, 金埈煐, 文常祿, 俞翔和, 徐炳一, 桂明均, 常堅 申請人:韓國科學(xué)技術(shù)院