導電圖案形成方法以及通過光照射或微波加熱來形成導電圖案的導電圖案形成用組合物的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明提供能夠提高導電圖案的導電率的導電圖案形成方法、和能夠通過光照射或微波加熱形成導電圖案的導電圖案形成用組合物。調(diào)制含有在表面的全部或局部上形成了氧化銅的薄膜的銅粒子和氧化銅粒子和多元醇、和羧酸或聚烷撐二醇的還原劑、和粘合劑樹脂的導電圖案形成用組合物，利用該導電圖案形成用組合物在基板上形成任意形狀的印刷圖案，對該印刷圖案進行光照射或微波加熱而生成銅的燒結(jié)體，形成導電圖案。
【專利說明】導電圖案形成方法以及通過光照射或微波加熱來形成導電圖案的導電圖案形成用組合物
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及導電圖案形成方法以及通過光照射或微波加熱來形成導電圖案的導電圖案形成用組合物的改良。
【背景技術(shù)】
[0002]作為制作微細的布線圖案的技術(shù)，到目前為止一般使用將銅箔與光致抗蝕劑組合在一起，通過光刻法來形成布線圖案的方法，但該方法不僅工序數(shù)多，而且排水、廢液處理的負擔大，期望在環(huán)境方面進行改善。另外，還已知將通過加熱蒸鍍法、濺射法制作的金屬薄膜通過光刻法形成圖案的方法。但是，加熱蒸鍍法、濺射法不僅不可缺少真空環(huán)境，而且價格也非常昂貴，在應用于布線圖案的情況下，難以降低制造成本。
[0003]于是，提出了使用金屬墨(還包括能夠通過使用還原劑將氧化物還原而金屬化的墨)通過印刷來制作布線的技術(shù)。利用印刷的布線技術(shù)可以以低成本高速地制作大量制品，因而已經(jīng)研究了一部分實用的電子器件的制作。
[0004]但是，使用加熱爐將金屬墨進行加熱烘烤的方法，不僅加熱工序耗費時間，而且在塑料基材不能耐受金屬墨的燒成所需要的加熱溫度的情況，還存在不得不在塑料基材能夠耐受的溫度下進行燒成，因而，不能達到滿意的電導率這樣的問題。
[0005]于是，如專利文獻I?3所述，進行了使用包含納米粒子的組合物(墨)通過光照射使其轉(zhuǎn)化為金屬布線的嘗試。
[0006]使用光能、微波進行加熱的方法可以僅將墨的局部進行加熱，是非常好的方法，但在使用金屬粒子本身的情況下，存在所得的導電圖案的電導率不能充分提高這樣的問題，在使用氧化銅的情況下，存在所得的導電圖案的孔隙率大、氧化銅粒子一部分不被還原而殘留這樣的問題。
[0007]另外，它們的燒結(jié)需要使用至少直徑為Iym以下的金屬或金屬氧化物粒子，存在這些納米粒子的制備非?；ㄙM成本這樣的問題。
[0008]現(xiàn)有技術(shù)文獻
[0009]專利文獻
[0010]專利文獻1:日本特表2008-522369號公報
[0011]專利文獻2:W02010/110969號公報
[0012]專利文獻3:日本特表2010-528428號公報

【發(fā)明內(nèi)容】

[0013]發(fā)明要解決的課題
[0014]一般地，在基板上形成的導電圖案，可以說電導率越高(體積電阻率低)則性能越高。因此，通過上述現(xiàn)有技術(shù)而形成的導電圖案也期望進一步提高電導率。
[0015]本發(fā)明的目的是提供能夠提高導電圖案的電導率的導電圖案形成方法、以及能夠通過光照射或微波加熱來形成導電圖案的導電圖案形成用組合物。
[0016]用于解決課題的方法
[0017]為了實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明的一種實施方式是用于通過光照射或微波加熱來形成導電圖案的導電圖案形成用組合物，其特征在于，含有:表面的全部或局部上形成了氧化銅薄膜的銅粒子，粒徑比所述銅粒子小的氧化銅粒子，還原劑，以及粘合劑樹脂。
[0018]此外,其特征在于,所述銅粒子的個數(shù)基準的平均粒徑D50為IOOnm?10 μ m,所述氧化銅粒子的個數(shù)基準的平均粒徑D50為5nm?lOOOnm。
[0019]此外，其特征在于，所述銅粒子和所述氧化銅粒子的質(zhì)量比例是，銅粒子:氧化銅粒子=98:2 ?50:50o
[0020]此外，其特征在于，所述氧化銅粒子是I價氧化銅粒子或2價氧化銅粒子中的任一者、或它們的混合粒子。
[0021]此外，其特征在于，所述還原劑是多元醇、羧酸或聚烷撐二醇。
[0022]此外，其特征在于，所述銅粒子的個數(shù)基準的平均粒徑D50是500nm?3 μ m。
[0023]此外，其特征在于，所述銅粒子中的氧化銅相對于金屬銅與氧化銅的總量的比例為20質(zhì)量％以下。
[0024]此外，本發(fā)明的一種實施方式是一種導電圖案形成方法，其特征在于，準備上述任一種導電圖案形成用組合物，對所述導電圖案形成用組合物進行光照射或微波加熱。
[0025]此外，其特征在于，對所述導電圖案形成用組合物照射的光是波長200?3000nm的脈沖光。
[0026]此外，其特征在于，對所述導電圖案形成用組合物加熱的微波波長為Im?1mm。
[0027]發(fā)明效果
[0028]根據(jù)本發(fā)明，可以得到能夠提高導電圖案的電導率的導電圖案形成方法和能夠通過光照射或微波加熱來形成導電圖案的導電圖案形成用組合物。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0029]圖1是用于說明脈沖光的定義的圖。
[0030]圖2是顯示實施例中制造的導電膜的表面SEM照片的圖。
【具體實施方式】
[0031]以下，對于用于實施本發(fā)明的方式(以下稱為實施方式)進行說明。
[0032]本實施方式的通過光照射或微波加熱來形成導電圖案的導電圖案形成用組合物的特征在于，含有:表面的全部或局部上形成了氧化銅薄膜的銅粒子，粒徑比所述銅粒子小的氧化銅粒子，還原劑，以及粘合劑樹脂。
[0033]另外，本實施方式的導電圖案形成方法的特征在于，準備上述導電圖案形成用組合物，對該導電圖案形成用組合物進行光照射或微波加熱。這里，準備是指，通過例如絲網(wǎng)印刷、凹版印刷等，或者使用噴墨打印機等印刷裝置，從而在適宜的基板上使用上述導電圖案形成用組合物形成任意形狀的組合物層，更具體地，是指通過上述導電圖案形成用組合物形成印刷圖案，或者在基板的全面上形成上述組合物層(形成整體圖案(beta圖案))等。此外，在本說明書中，導電圖案是指導電膜，該導電膜是使在粘合劑樹脂中分散著的銅粒子和氧化銅粒子的組合物形成印刷圖案并進行光照射，從而燒結(jié)銅粒子和氧化銅粒子，結(jié)果形成為圖案狀(包含整體圖案)的包含金屬的導電性的金屬薄膜。
[0034]上述銅粒子的粒徑優(yōu)選為IOOnm~10 μ m,進一步優(yōu)選為200nm~5 μ m的范圍，更進一步優(yōu)選為500nm~3 μ m的范圍。再者，在銅粒子的表面的全部或局部上存在的氧化銅的薄膜可以是I價氧化銅(即、氧化亞銅)或2價氧化銅(即氧化銅(II))中的任一種。作為氧化銅的比例，由XRD分析得到的這些氧化銅的比率(氧化銅/(金屬銅+氧化銅))為20質(zhì)量％以下、優(yōu)選為5質(zhì)量％以下、更優(yōu)選為3質(zhì)量％以下。如果大于20質(zhì)量％，則形成的導電膜的體積電阻率的降低比例降低。但是，為了確保通過光照射或微波加熱產(chǎn)生的銅粒子和氧化銅粒子的反應性，上述氧化銅的比例優(yōu)選為0.01質(zhì)量％以上。氧化銅在表面存在的極少量也具有效果，上述比例不過是優(yōu)選的存在量。另外，即使是最初用XRD幾乎檢測不到的量，也有時由于是在空氣中制備墨或在印刷工序中受到的表面氧化，而生成氧化銅，銅粒子如果被置于大氣中，表面就會形成氧化銅的薄膜。
[0035]在銅粒子的粒徑小于IOOnm的情況下，比表面積變大而非常容易被氧化，因而難以以金屬銅粒子的形式使用，雖然可以以粒徑IOOnm~500nm的范圍使用金屬銅,但通過在空氣中放置，金屬銅會慢慢被氧化，所以墨的歷時性變化大，存在不耐用的問題。此外、在粒徑大于10 μ m的情況下，有不能進行精密圖案印刷這樣的問題。在大于3μπι的情況，要與粒徑小的氧化銅彼此均勻分散就非常困難，存在需要使分散劑、配合比最優(yōu)化的問題。
[0036]此外、上述氧化銅粒子的粒徑要比上述銅粒子的粒徑小。上述氧化銅粒子的粒徑優(yōu)選為5nm~1000nm,進而優(yōu)選是IOnm~500nm的范圍。再者，氧化銅粒子可以是I價氧化銅粒子或2價氧化銅粒子中的任一者或它們的混合粒子。
[0037]當氧化銅粒子的粒徑大于1000nm時,難以使還原進行徹底。此外、在粒徑為5nm以下時，存在難以制備的問題。
[0038]此外，上述銅粒子以及氧化銅粒子的粒徑，在粒徑為500nm以上的情況下，是指通過激光衍射?散射法測定的粒徑，在粒徑小于500nm的情況下，是指通過動態(tài)散射法測定的個數(shù)基準的平均粒徑D50 (中值直徑)的粒徑。
[0039]此外、上述導電圖案形成用組合物中的銅粒子和氧化銅粒子的混合比(質(zhì)量比)優(yōu)選為銅粒子:氧化銅粒子=98:2~50:50，進而優(yōu)選為95:5~70:30的范圍。
[0040]作為對導電圖案形成用組合物照射的光，優(yōu)選為波長200nm~3000nm的脈沖光。在本說明書中，“脈沖光”是指光照射期間(照射時間)為數(shù)微秒至數(shù)十毫秒的短時間的光，在多次反復進行光照射的情況，如圖1所示，是指在第一光照射期間(開)和第二光照射期間(開)之間具有不照射光的期間(照射間隔(關(guān)))的光照射。在圖1中，顯示出脈沖光的光強度為固定的，但也可以在第1次光照射期間(開)內(nèi)光強度有變化。上述脈沖光可以從具備氙閃光燈等閃光燈的光源照射出來。使用這樣的光源，對上述組合物的層照射脈沖光。在η次反復照射的情況下，將圖1中的I個周期(開+關(guān))反復η次。此外，在反復照射的情況下，在進行接下來的脈沖光照射時，為了能夠?qū)⒒睦鋮s到室溫附近，優(yōu)選從基材側(cè)開始冷卻。
[0041]作為脈沖光的I次的照射時間(開)，優(yōu)選為約20微秒~約10毫秒的范圍。如果短于20微秒則燒結(jié)不進行，導電膜的性能提高的效果降低。另外，如果長于10毫秒，則基板受光劣化、熱劣化的壞影響變大。脈沖光的照射單發(fā)實施也有效果，但也可以如上所述地反復實施。在反復實施的情況下，照射間隔(關(guān))優(yōu)選為20微秒?30秒、更優(yōu)選為2000微秒?5秒的范圍。如果短于20微秒，則接近連續(xù)光，由于在一次照射后連放冷的期間也沒有地就被再照射，因而基材被加熱而溫度變高，可能會劣化。另外，如果長于30秒，則由于放冷進行而雖然不是完全沒有效果，但反復實施的效果降低。
[0042]另外，還可以將導電圖案形成用組合物通過微波進行加熱。將導電圖案形成用組合物進行微波加熱時使用的微波是波長范圍為Im?Imm (頻率為300MHz?300GHz)的電磁波。
[0043]此外，作為上述基板，不特別限定，可采用例如塑料基板、玻璃基板、陶瓷基板等。
[0044]另外，作為還原劑，也可以使用甲醇、乙醇、異丙醇、丁醇、環(huán)己醇、松油醇這樣的一元醇化合物、乙二醇、丙二醇、甘油等多元醇、甲酸、乙酸、草酸、琥珀酸這樣的羧酸、丙酮、丁酮、苯甲醛、辛醛這樣的羰基化合物、乙酸乙酯、乙酸丁酯、乙酸苯酯這樣的酯化合物、己烷、辛烷、甲苯、萘、十氫化萘、環(huán)己烷這樣的烴化合物。其中，如果考慮還原劑的效率，則乙二醇、丙二醇、甘油等多元醇、甲酸、乙酸、草酸這樣的羧酸是適合的。
[0045]為了印刷包含金屬銅和氧化銅粒子的導電圖案形成用組合物，粘合劑樹脂是必要的，但還可以使用兼為還原劑的粘合劑樹脂。作為還可以兼用作還原劑的高分子化合物，可以使用聚乙烯基吡咯烷酮、聚乙烯基己內(nèi)酯這樣的聚-N-乙烯基化合物、聚乙二醇、聚丙二醇、聚THF這樣的聚烷撐二醇化合物、聚氨酯、纖維素化合物及其衍生物、環(huán)氧化合物、聚酯化合物、氯化聚烯烴、聚丙烯酸化合物這樣的熱塑性樹脂、熱固性樹脂。其中，如果考慮粘合劑效果，則優(yōu)選聚乙烯基吡咯烷酮、常溫下為固體的苯氧基型的環(huán)氧樹脂、纖維素化合物，如果考慮還原效果，則優(yōu)選聚乙二醇、聚丙二醇、聚氨酯化合物。此外，聚乙二醇、聚丙二醇歸入多元醇的分類，作為還原劑具有特別適合的特性。
[0046]粘合劑樹脂的存在是必須的，但如果過多使用，則有難以表現(xiàn)導電性這樣的問題，另外如果過少，則將粒子彼此拴住的能力降低。因此，粘合劑樹脂的使用量相對于金屬銅以及氧化銅粒子的合計量100質(zhì)量份,優(yōu)選為I?50質(zhì)量％,更優(yōu)選為3?20質(zhì)量％。
[0047]作為使用的溶劑，根據(jù)所需的印刷方法不同而不同，但可以使用公知的有機溶劑、水溶劑等。
[0048]此外，本實施方式的導電圖案形成用組合物中還可以存在公知的墨的添加劑(消泡劑和/或表面調(diào)整劑、觸變劑等)。
[0049]在與本發(fā)明不同，在僅使用銅粒子(金屬銅的粒子)、通過光照射形成導電圖案的情況，由于在銅粒子的表面存在氧化銅的層，所以通過銅粒子與多元醇等還原劑混合、并進行光照射，存在于銅粒子的表面上的氧化銅會一邊被還原一邊被加熱燒結(jié)，而生成銅的燒結(jié)體。但是，由該方法形成的導電圖案不能充分降低體積電阻率。這是由于，銅粒子的內(nèi)部是金屬銅其本身，熔點為1084.6°C，直徑為幾百nm以上的粒子在通過光照射進行燒結(jié)時形狀不會改變，不會增大粒子彼此之間的接觸面積的緣故。
[0050]此外、在僅使用氧化銅粒子、通過光照射形成導電圖案的情況，通過使氧化銅粒子與多元醇等還原劑混合、并進行光照射，氧化銅一邊被還原一邊被加熱燒結(jié)，而生成銅的燒結(jié)體。特別是在使用粒徑小的氧化銅粒子的情況，通過化學還原燒結(jié)，會得到粒子連續(xù)連接而成的金屬圖案。但是，為了使連氧化銅粒子的中心部都被還原，就需要使所照射的光的能量變大，并且要使用小粒徑的氧化銅粒子。因此，存在光照射中氧化銅粒子的一部分被吹飛，難以使導電圖案的厚度變厚的問題。此外、由于燒結(jié)時氧缺失，以及氧化銅和金屬銅的比重差別(氧化銅d = 6.31、金屬銅d = 8.94)，所以存在燒結(jié)處理中的體積收縮大，雖然燒結(jié)體本身連續(xù)，但容易在其內(nèi)部生成空孔的問題。空孔的存在不僅會使體積電阻率變大，而且還會使強度降低，所以優(yōu)選。此外、由于照射的光的能量大，所以能量成本變高。
[0051] 與此相對，本實施方案的特征在于，通過對由銅粒子與氧化銅粒子和還原劑和粘合劑樹脂混合而成的導電圖案形成用組合物進行光照射或微波加熱而生成銅的燒結(jié)體，形成導電圖案。在這種情況，若在還原劑的存在下進行光照射或微波加熱，則氧化銅粒子被還原成金屬銅。此外、在銅粒子的表面存在的氧化銅的層也同樣被還原成金屬銅。在該過程中，由氧化銅粒子還原所生成的金屬銅的粒子一邊將粒徑比氧化銅粒子大的銅粒子間的間隙填埋，一邊被燒結(jié)。這樣由氧化銅粒子還原生成的金屬銅就燒結(jié)在銅粒子的周圍，所以能夠充分降低電阻值。
[0052]此外、通過并用銅粒子和氧化銅粒子，能夠降低氧化銅的比例，所以能夠降低照射的光的能量，降低能量成本。此外、不僅照射的光的能量低，而且通過使比重大的銅粒子(d=8.94)的存在，能夠抑制比重小的氧化銅粒子(d = 6.31)在光照射中被吹飛。因此，能夠使導電膜的厚度變厚。此外、由于沒有必要使銅粒子的內(nèi)部被還原，所以能夠按照印刷圖案的線寬，使用適宜大粒徑的銅粒子，這對于增加導電圖案的厚度有利。
[0053]此外，本實施方式的導電圖案形成用組合物中還可以存在公知的墨的添加劑(消泡劑和/或表面調(diào)整劑、觸變劑等)。
[0054]實施例
[0055]以下，具體說明本發(fā)明的實施例。此外，以下的實施例是為了使本發(fā)明的理解更為容易，本發(fā)明不受這些實施例限制。
[0056]另外，在以下的實施例和比較例中，體積電阻率通過株式會社三菱7 t 'J r制口 > 7夕GP來測定，SEM是通過使用日立^ ^ r ^株式會社制FE-SEMS-5200拍照片，XRD(X射線衍射)是通過使用株式會社U力'々制UltimaIV進行測定的，粒徑通過日機裝株式會社制^ 4 ^ π卜5 ^粒度分布測定裝置MT3000II系列USVR(激光衍射.散射法)、或f 7卜5 々UPA-EX150(動態(tài)光散射法)來測定，通過球近似求出粒徑，將中值直徑作為 D50。
[0057]實施例1
[0058]在作為還原劑的乙二醇、甘油(關(guān)東化學株式會社制的試劑)的混合水溶液(質(zhì)量比乙二醇:甘油:水=70:15:15)中溶解作為粘合劑樹脂的聚乙烯基吡咯烷酮(日本觸媒株式會社制)，調(diào)制40質(zhì)量％的粘合劑樹脂溶液。將該溶液1.5g和上述混合水溶液0.5g混合，在三井金屬礦業(yè)株式會社制銅粉1020Y(球形、D50 = 380nm) 5.4g中混合作為氧化銅粒子的* 一 7 4化成株式會社制NanoTek CuO(球形、D50 = 270nm)0.6g(銅粒子:氧化銅粒子=90:10)，使用自轉(zhuǎn).公轉(zhuǎn)真空混合機A t i >9煉太郎ARV-310 (株式會社 > 今一制)將它們充分混合，從而制作印刷用糊(導電圖案形成用組合物)。
[0059]使用所得到糊通過絲網(wǎng)印刷在聚酰亞胺膜(厚度25 μ m)(力卜> 100N、東>.r工>株式會社制)上印刷出2cmX2cm見方的圖案。針對如此得到的樣品,使用Xenone社制Sinteron3300照射脈沖光，將上述印刷圖案轉(zhuǎn)化成導電圖案。照射條件為脈沖幅度2000微秒、電壓3000V，從照射距離20cm單發(fā)照射。此時的脈沖能量為2070J。以上那樣形成的導電圖案的厚度為25μπι。再者，上述一系列的作業(yè)是在空氣中實施的。
[0060]實施例2
[0061]使用三井金屬礦業(yè)株式會社制銅粉1050Υ(球形、D50 = 716nm)5.4g和作為氧化銅粒子的一 7 4化成株式會社制NanoTek CuO (球形、D50 = 270nm) 0.6g,與實施例1同樣地制作印刷用糊。使用所得到糊與實施例1同樣地印刷圖案、并照射光。所形成的導電圖案的厚度是17 μ m。
[0062]實施例3
[0063]使用三井金屬礦業(yè)株式會社制銅粉1050YP (扁平形狀、D50 = 1080nm) 5.4g和作為氧化銅粒子的一 7 4化成株式會社制NanoTekCuO (球形、D50 = 270nm) 0.6g,與實施例1同樣地制作印刷用糊。使用所得到糊與實施例1同樣地印刷圖案、并照射光。所形成的導電圖案的厚度是19 μ m。[0064]實施例4
[0065]使用三井金屬礦業(yè)株式會社制銅粉1100Y(球形、D50 = 11 IOnm) 5.4g和作為氧化銅粒子的；一化成株式會社制NanoTek CuO (球形、D50 = 270nm) 0.6g,與實施例1同樣地制作印刷用糊。使用所得到糊與實施例1同樣地印刷圖案、并照射光。形成的導電圖案的厚度為24 μ m。
[0066]實施例5
[0067]使用三井金屬礦業(yè)株式會社制銅粉1100YP (扁平形狀、D50 = 1200nm)5.4g和作為氧化銅粒子的一 7 4化成株式會社制NanoTekCuO (球形、D50 = 270nm) 0.6g,與實施例1同樣地制作印刷用糊。使用所得到糊與實施例1同樣地印刷圖案、并照射光。形成的導電圖案的厚度為20 μ m。
[0068]實施例6
[0069]使用三井金屬礦業(yè)株式會社制銅粉1400Y(球形、D50 = 5700nm) 5.4g和作為氧化銅粒子的；一化成株式會社制NanoTek CuO (球形、D50 = 270nm) 0.6g,與實施例1同樣地制作印刷用糊。使用所得到糊與實施例1同樣地印刷圖案、并照射光。形成的導電圖案的厚度為22 μ m。
[0070]實施例7
[0071]使用三井金屬礦業(yè)株式會社制銅粉MA-C04J (霧化粉、D50 = 4640nm) 5.4g和作為氧化銅粒子的一 7 4化成株式會社制NanoTekCuO (球形、D50 = 270nm) 0.6g,與實施例1同樣地制作印刷用糊。使用所得到糊與實施例1同樣地印刷圖案、并照射光。形成的導電圖案的厚度為26 μ m。
[0072]實施例8
[0073]使用三井金屬礦業(yè)株式會社制銅粉1030Y(球形、D50 = 500nm) 5.4g和作為氧化銅粒子的一 7 4化成株式會社制NanoTek CuO (球形、D50 = 270nm) 0.6g,與實施例1同樣地制作印刷用糊。使用所得到糊與實施例1同樣地印刷圖案、并照射光。形成的導電圖案的厚度為21 μ m。
[0074]比較例I
[0075]使用三井金屬礦業(yè)株式會社制銅粉1020Y(球形、D50 = 380nm) 5.4g和作為氧化銅粒子的古河 > 力 > < 株式會社制FC0-500(球形、D50 = 3850nm) 0.6g，與實施例1同樣地制作印刷用糊。使用所得到糊與實施例1同樣地印刷圖案、并照射光。形成的導電圖案的厚度為21 μ mo
[0076]比較例2
[0077]使用三井金屬礦業(yè)株式會社制銅粉1020Υ(球形、D50 = 380nm) 5.4g和作為氧化銅粒子的古河 > 力 > < 株式會社制1-550(球形、D50 = 720nm) 0.6g，與實施例1同樣地制作印刷用糊。使用所得到糊與實施例1同樣地印刷圖案、并照射光。形成的導電圖案的厚度為23 μ m。
[0078]比較例3
[0079]使用三井金屬礦業(yè)株式會社制銅粉1020Y(球形、D50 = 380nm) 6.0g(而不使用氧化銅)，與實施例1同樣地制作印刷用糊。使用所得到糊與實施例1同樣地印刷圖案、并照射光。形成的導電圖案的厚度為22 μ m。
[0080]比較例4
[0081]使用作為氧化銅粒子的* 一 7 4化成株式會社制NanoTek Cu0(球形、D50 =270nm)6.0g(而不使用銅粉)，與實施例1同樣地制作印刷用糊。使用所得到糊與實施例1同樣地印刷圖案、并照射光。形成的導電圖案的厚度為32 μ m。
[0082]比較例5
[0083]作為銅粒子，使用將三井金屬礦業(yè)株式會社制銅粉1020Y(球形、D50 = 380nm)在空氣中氧化、經(jīng)XRD分析、I價氧化銅為18.7質(zhì)量％、2價氧化銅為8.4質(zhì)量％、金屬銅為72.9質(zhì)量％的銅粒子5.4g，作為氧化銅粒子使用古河* ^力 > < 株式會社制FC0-500(球形、D50 = 3850nm)0.6g，與實施例1同樣地制作印刷用糊。使用所得到糊與實施例1同樣地印刷圖案、并照射光。形成的導電圖案的厚度為23 μ m。
[0084]針對經(jīng)以上工序制造出的導電圖案，使用株式會社三菱7 f U f 〃夕制a > 7夕GP測定體積電阻率(Ω.cm)。結(jié)果如表1所示。
[0085]表1
【權(quán)利要求】
1.一種導電圖案形成用組合物，是用于通過光照射或微波加熱來形成導電圖案的組合物，其特征在于，含有: 表面的全部或局部上形成有氧化銅薄膜的銅粒子， 粒徑比所述銅粒子小的氧化銅粒子， 還原劑，以及 粘合劑樹脂。
2.如權(quán)利要求1所述的導電圖案形成用組合物，其特征在于，所述銅粒子的個數(shù)基準的平均粒徑D50為IOOnm?10 μ m,所述氧化銅粒子的個數(shù)基準的平均粒徑D50為5nm?lOOOnm。
3.如權(quán)利要求1或2所述的導電圖案形成用組合物，其特征在于，所述銅粒子和所述氧化銅粒子的質(zhì)量比例是，銅粒子:氧化銅粒子=98:2?50:50o
4.如權(quán)利要求1?3的任一項所述的導電圖案形成用組合物，其特征在于，所述氧化銅粒子是I價氧化銅粒子或2價氧化銅粒子中的任一者、或它們的混合粒子。
5.如權(quán)利要求1?4的任一項所述的導電圖案形成用組合物，其特征在于，所述還原劑是多元醇、羧酸或聚烷撐二醇。
6.如權(quán)利要求1?5的任一項所述的導電圖案形成用組合物，其特征在于，所述銅粒子的個數(shù)基準的平均粒徑D50是500nm?3 μ m。
7.如權(quán)利要求1?6的任一項所述的導電圖案形成用組合物，其特征在于，所述銅粒子中的氧化銅相對于金屬銅與氧化銅的總量的比例為20質(zhì)量％以下。
8.一種導電圖案形成方法，其特征在于， 準備權(quán)利要求1?7的任一項所述的導電圖案形成用組合物， 對所述導電圖案形成用組合物進行光照射或微波加熱。
9.如權(quán)利要求8所述的導電圖案形成方法，其特征在于，對所述導電圖案形成用組合物照射的光是波長200?3000nm的脈沖光。
10.如權(quán)利要求8所述的導電圖案形成方法，其特征在于，對所述導電圖案形成用組合物加熱的微波波長為Im?1mm。
【文檔編號】H01B13/00GK103947305SQ201280057724
【公開日】2014年7月23日 申請日期:2012年11月26日 優(yōu)先權(quán)日:2011年11月24日
【發(fā)明者】內(nèi)田博 申請人:昭和電工株式會社