包含納米結構的發(fā)光裝置制造方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及發(fā)光裝置。所述發(fā)光裝置包含：布置于陽極(2)和陰極(4)之間的發(fā)光層(20)；包含第一電荷傳輸材料并且布置于發(fā)光層和陽極之間的第一電荷傳輸層(8)；布置于第一電荷傳輸層和發(fā)光層之間、或者與第一電荷傳輸層和發(fā)光層接觸的納米結構材料(6)。
【專利說明】包含納米結構的發(fā)光裝置
【背景技術】
[0001]有機發(fā)光裝置(OLED)在照明和顯示應用中正變得越來越重要。然而，為了鼓勵廣泛使用，對OLED技術仍然可以做出顯著的改進。例如，全內反射目前將從裝置所提取的光的量限制到由OLED所發(fā)射的光的大約20-35%。盡管外部散射膜或微鏡陣列(MLA)可以幫助提取一些發(fā)射光，但仍然需要其他方法來進一步提高裝置的效率。
[0002]發(fā)明概述
[0003]將納米結構材料摻入OLED裝置的有機層中可以幫助改善從裝置的有機模式(organic modes)的光提取
[0004]一些實施方式包括發(fā)光裝置，該發(fā)光裝置包含:布置于陽極和陰極之間的發(fā)光層；包含第一電荷傳輸材料并且布置于發(fā)光層和陽極或陰極之間的第一電荷傳輸層；布置于第一電荷傳輸層和發(fā)光層之間、或者與第一電荷傳輸層和發(fā)光層接觸的納米結構材料。在一些實施方式中，從裝置發(fā)射的基本上所有光都可穿過第一電荷傳輸層。
[0005]本文中更詳細地描述了這些實施方式和其他實施方式。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0006]圖1A是有機發(fā)光裝置的一個實施方式的不意圖。
[0007]圖1B是納米結構可以怎樣基本上滲入納米結構接觸的層的一個例子的示意圖。
[0008]圖1C是納米結構可以怎樣基本上使納米結構接觸的層變形的一個例子的示意圖。
[0009]圖2A是有機發(fā)光裝置的一個實施方式的示意圖。
[0010]圖2B是有機發(fā)光裝置的一個實施方式的不意圖。
[0011]圖3A是有機發(fā)光裝置的一個實施方式的不意圖。
[0012]圖3B是有機發(fā)光裝置的一個實施方式的不意圖。
[0013]圖4A是幫助說明可以如何量化納米結構的x、y和z維度的圖。
[0014]圖4B描繪了顆粒的理想化的例子，該顆粒可以被描述為在Xz面觀察時的基本上矩形的、準平面的和/或被描述為曲形或波形納米片。
[0015]圖4C描繪了曲形或波形納米片的一個例子。
[0016]圖5描繪了大致膠囊形顆粒的理想例子。
[0017]圖6A-6I描繪了各表面的掃描電子顯微圖像，這些表面包含以不同的沉積速率沉積的納米結構的一些實施方式。
[0018]圖7A-7B是各有機發(fā)光裝置的實施方式的示意圖。
[0019]圖8是裝置A (方形數據點)和對照裝置I (三角形數據點)的發(fā)光效率和功率效率與亮度的圖表。
[0020]圖9是對照裝置I (方形數據點)、對照裝置2 (三角形數據點)和裝置A的發(fā)光效率和功率效率的圖表。
[0021]圖10是對照裝置I (方形數據點)、裝置A(空心圓形數據點)和具有可選的光提取材料的裝置A (菱形數據點)的發(fā)光效率和功率效率的圖表。
[0022]圖11是描繪了本文中所述裝置的一些例子的發(fā)光效率和功率效率隨沉積速率增加而增加的圖。
[0023]圖12A-C是描繪了裝置B (具有各種摻雜物的Host-2)的發(fā)光效率、功率效率和外部量子效率的變化的圖表。
[0024]發(fā)明詳述
[0025]圖1是本文中所描述的裝置的一些實施方式的示意圖。發(fā)光層20被布置于第一電極2和第二電極4之間。納米結構材料6被布置在發(fā)光層20上,并且第一電荷傳輸層8被布置在納米結構材料6和第一電極2之間?？蛇x的第二電荷傳輸層9可以被布置于第二電極4和發(fā)光層20之間。裝置中也可以存在其他層，例如電荷注入層(諸如電子注入層或空穴注入層)、電荷阻擋層(諸如電子阻擋層或空穴阻擋層)、空穴阻擋層等。
[0026]電極和電荷傳輸層的特征可取決于具體的裝置結構。例如，如果第一電極2是陽極，那么第一電荷傳輸層8是空穴傳輸層，第二電極4是陰極，并且如果存在的話，第二電荷傳輸層9是電子傳輸層。相反，如果第一電極2是陰極,那么第一電荷傳輸層8是電子傳輸層，第二電極4是陽極，并且如果存在的話第二電荷傳輸層9是空穴傳輸層。因此，如果存在的話，空穴傳輸層可被布置于發(fā)光層和陽極之間，并且如果存在的話，電子傳輸層可被布置于發(fā)光層和陰極之間。
[0027]此外，光的方向可以取決于具體裝置結構，例如頂部發(fā)射或底部發(fā)射。在一些實施方式中，納米結構材料可以在從裝置發(fā)射的光的路徑中。在一些實施方式中，納米結構材料可以不在從裝置發(fā)射的光的路徑中。在一些實施方式中，光可以從發(fā)光層20經由納米結構材料6、第一電荷傳輸層8和第一電極2的方向發(fā)射。在一些實施方式中，由裝置所發(fā)射的光的路徑可以在遠離納米材料6的方向上。
[0028]納米結構材料包括能夠形成納米結構的任意材料，無論其是否存在納米結構。納米結構材料諸如納米結構材料6可以是以下形式的:布置于發(fā)光層和第一電荷傳輸層之間的表面上、或者與發(fā)光層和第一電荷傳輸層接觸的表面上的多個納米結構；和/或在過渡層中，該過渡層包含第一電荷傳輸材料和納米結構材料的混合物并且被布置于發(fā)光層和第一電荷傳輸層之間。
[0029]在本發(fā)明所描繪或描述的一些圖中，納米結構材料被描繪為發(fā)光裝置中的一個層。然而，納米結構材料可以不是以傳統(tǒng)意義上的層的形式。例如，納米結構諸如納米結構50可以基本上滲入納米結構接觸的層，例如電荷傳輸層8，如圖1B中所示。納米結構諸如納米結構50也可以基本上使納米結構接觸的層變形，例如電荷傳輸層8，如圖1C中所示。在一些實施方式中，納米結構可以滲入層或使層變形該層厚度的至少約5%、至少約10%、至少約30%、至少約50%、至少約90%或至少約100%的，或者至少約lnm、至少約3nm、至少約5nm、至少約IOnm或至少約20nm,其中滲入的方向垂直于基本上由接觸該納米結構的層的表面所形成的平面。
[0030]在一些實施方式中，納米結構可以基本上滲入發(fā)光層、電子傳輸層、空穴傳輸層、過渡層、空穴阻擋層、電子阻擋層或激子阻擋層或者使這些層變形。在一些實施方式中，納米結構可以基本上滲入電子傳輸層或者使電子傳輸層變形。在一些實施方式中，納米結構可以基本上滲入空穴傳輸層或者使空穴傳輸層變形。在一些實施方式中，納米結構可以基本上滲入發(fā)光層或者使發(fā)光層變形。在一些實施方式中，納米結構可以基本上滲入過渡層或者使過渡層變形。
[0031]與無納米結構材料的類似裝置相比(例如表1-5中所示)，包含納米結構材料可以使OLED的光輸出、發(fā)光效率或功率效率增長約2%至約60%、約5%至約60%、約10%至約 60%、約 10%至約 50% ;約 2%，諸如 2.22%或 2.28% ;約 4%，諸如 4.17%,3.51%或
4.08%;約 5%，諸如 4.54%;約 6%，諸如 5.88%;約 7%，諸如 6.67%;約 8%，諸如 7.84%或 7.94% ;約9%，諸如 9.46%或 9.52% ;約 10%，諸如 9.68% ;約 16%，諸如 16.13% ;約18%，諸如 18.31% ;約 21%，諸如 20.6% ;約 22%，諸如 22.65% ;約 25%，諸如 24.2% ;約28%，諸如 28.2%或 27.5% ;約 50%，諸如 51.9%或 53.9% ;約 60%，諸如 60.6%，或者任意這些值所界定的范圍內或任意這些值之間的任意增量。
[0032]—些實施方式可以具有圖2A和2B所表不的結構。發(fā)光層20被布置于陽極10和陰極35之間。可選的多個納米結構50可以被布置于發(fā)光層20的表面21上。可選的過渡層60可以被布置于發(fā)光層20的表面21和空穴傳輸層15之間?？蛇x的電子傳輸層30可以被布置于發(fā)光層20和陰極35之間。可選的光提取層200可以被布置于陽極10上。在一些實施方式中，陽極10可以被布置于透明基材上(未顯示)。也可以存在其他層。
[0033]在一些實施方式中，光7可以從發(fā)光層20經由多個納米結構50 (如果存在)、過渡層60(如果存在)、空穴傳輸層15、陽極10和光提取材料200(如果存在)的方向發(fā)射(圖2A)。在一些實施方式中，光7可以從發(fā)光層20以遠離多個納米結構50 (如果存在)、經由電子傳輸層30(如果存在)并經由陰極35的方向發(fā)射(圖2B)。
[0034]一些實施方式可以具有圖3A-B所表示的結構。發(fā)光層20被布置于陽極10和陰極35之間。電子傳輸層30被布置于發(fā)光層20和陰極35之間。可選的多個納米結構50可以被布置于發(fā)光層20的表面21上?？蛇x的過渡層60可以被布置于發(fā)光層20的表面21和電子傳輸層30之間?？蛇x的空穴傳輸層15可以被布置于陽極10和發(fā)光層20之間。陰極35可以被布置于可選的光提取層200上。光7可以從發(fā)光層20經由多個納米結構50 (如果存在)、過渡層60 (如果存在)、電子傳輸層30、陰極35和光提取材料200 (如果存在)的方向發(fā)射(圖3A)。也可以存在其他層。在一些實施方式中，光7可以在遠離多個納米結構
50、經由空穴傳輸層15 (如果存在)并且經由陽極10的方向上發(fā)射(圖3B)。
[0035]納米結構材料(諸如納米結構材料6)或者多個納米結構(諸如納米結構50)可以基本上滲入下一層(例如過渡層或電荷傳輸層)或使下一層變形、或者可以與下一層形成粗糙界面。在一些實施方式中，納米結構材料在所布置的表面內部或者表面上的周期(間隔)可以變化。在一些實施方式中，納米結構在基體材料內可以具有不規(guī)則的周期。在一些實施方式中，在納米結構層的界面或表面中，納米結構的周期在約0.0OOOlym至約50 μ m、約0.001 μ m至約20 μ m、約0.050 μ m至約5 μ m、約0.0001 μ m至約Iym或約0.1 μ m至約10 μ m之間。在一些實施方式中，例如5，5"-雙(苯并惡唑-2-基)-3，3':5'，3"-三聯(lián)吡啶(10C-2)，周期可以在約0.0001 μ m和約1.0 μ m之間。在一些實施方式中，例如3，
5-二 [3-(苯并惡唑-2-基)苯基]吡啶(10C-1)，周期可以在約0.Ιμπι和約10.Ομπι之間。
[0036]在一些實施方式中，當投射在X，y平面內或者透射在與其上布置有納米結構的表面平行的平面(例如21)內時，單個納米結構的最大面積可以是約0.ΟΟΟΙμL?2至約L O μ m2、約 0.0Ol μ m2 至約 0.5 μ m2、約 I μ m2 至約 3 μ m2 或約 0.04 μ m2 至約 0.150 μ m2。
[0037]多個納米結構在它們被布置的表面上可以是任意種類的納米結構，該表面例如發(fā)射層的表面諸如表面21。在任意給定裝置中，納米結構可以彼此類似，或者可以在尺寸、形狀和排布方面改變。納米結構可以包含具有一個或多個在納米至微米范圍內尺寸的任意結構。例如，納米突起物或納米顆粒可以具有:約50nm至約5μηι、約IOOnm至約Ιμπκ約50nm、約lOOnm、約200nm、約300nm、約500nm、約I μ m、約2 μ m、約5 μ m或任意這些長度所界定的范圍內或任意這些長度之間的任意值的平均X尺寸；約50nm至約5μηι、約IOOnm至約 I μ m、約 50nm、約 lOOnm、約 200nm、約 300nm、約 500nm、約 I μ m、約 2 μ m、約 5 μ m 或任意這些長度所界定的范圍內或任意這些長度之間的任意值的平均I尺寸；和/或約0.5nm至約 500nm、約 Inm 至約 lOOnm、約 0.lnm、約 0.5nm、約 lnm、約 2nm、約 5nm、約 10nm、約 50nm、約lOOnm、約200nm、約300nm、約500nm或任意這些長度所界定的范圍內或任意這些長度之間的任意值的平均z尺寸。
[0038]盡管納米結構可以是不規(guī)則形狀的，但三個尺寸X、y和z，可以如圖4A中所描繪量化。若在納米結構Iio周圍形成矩形棱柱形箱體120，使得該箱體具有盡可能地小的體積同時仍將顆粒包含于其中，那么X尺寸是該箱體的最長尺寸，y尺寸為該箱體的第二長尺寸，且z尺寸為該箱體的第三長尺寸。
[0039]可通過描述以特定平面觀察時納米結構的形狀，來表征納米結構的三維形狀。例如，當以二維的xy、χζ或yz平面觀察時，納米結構可是基本上矩形的、基本上正方形的、基本上橢圓形的、基本上圓形的、基本上弓形的、基本上三角形的、基本上平行四邊形的等。具體形狀不需要在幾何上是完美的，僅需可被普通觀察者辨識為合理地相似于已知形狀即可。也可使用其他術語來表征或描述納米結構的三維形狀。
[0040]圖4B描繪了當以χζ平面觀察時基本上是矩形的納米結構210的理想化的例子。如該圖所示，納米結構看起來是完美的矩形，但當以XZ平面或任何其他平面觀察時，此形狀僅需要可被辨識為與矩形相似，從而基本上為矩形的即可。
[0041]對于圖4B，當以χζ平面觀察時，因為X尺寸遠大于z尺寸，所以也可將納米結構210描述為基本上線形的。如該圖所示，納米結構在X尺寸上看起來是完美直線的，但當以χζ平面或任何其他平面觀察時，該形狀僅需要可被辨識為與線相似，從而基本為線形的即可。
[0042]也可將納米結構210描述為納米片(nanoflake)。術語“納米片”為廣義的術語，其包括形狀像片狀且具有在納米至微米范圍內的任何尺寸的納米結構。這可包括在一維度(例如z)中相對薄且在另外兩個維度(例如xy)中具有相對大的面積的納米結構。
[0043]較大面積的表面僅需為可辨認的，但不需是平面的。例如,具有較大面積的表面可基本處于xy平面(諸如納米結構210)，但也可為曲形或波形的，使得大部分表面不在該平面中。
[0044]也可將納米結構210描述為準平面(pseudoplanar)。術語“準平面”為廣義的術語，其包括本質上為平面的納米結構。例如，與基本在xy平面中的納米結構的xy面積相比，準平面納米結構可具有相對不明顯的z尺寸。
[0045]在圖4C中，納米結構250為曲形或波形納米片的實例。如果大部分表面不在平面中，則納米片可包括具有大的曲形或波形表面260以及小的垂直于該表面上給定點280的厚度270的納米結構。
[0046]對于任何納米片或準平面納米結構(包括納米結構210、納米結構250等),較大面積或表面的平方根與垂直于該大表面上的點的厚度之比(例如xy面積的平方根與z尺寸之比)可以是約I至約100000、約3、約5、約10、約20、約100、約1000、約10000、約100000或任意這些比例所界定的范圍內或任意這些比例之間的任意值
[0047]若納米結構的形狀可被普通觀察者合理地辨識為類似于針的形狀，則可以將該納米結構描述為針狀。
[0048]若納米結構的形狀可被普通觀察者合理地辨識為類似于纖維的形狀，則可以將該納米結構描述為纖維形。這可以包括沿著一個維度具有細長的表面且在另一維度具有圓柱形、圓形或弧形表面的納米結構。纖維形納米結構也可以是基本上線性的、扭曲的或彎曲的。
[0049]若納米結構的形狀可被普通觀察者合理地辨識為類似于帶的形狀，則可以將該納米結構描述為帶形。這可以包括沿著一個維度具有細長的平坦矩形表面且在另一維度是薄的的納米結構。帶形也可為彎曲或扭曲的，使得該納米結構不需要為基本共面成帶形。
[0050]圖5描繪了基本上膠囊形的納米結構1010的理想化實例。當以xy或χζ平面觀察時，納米結構1010也可被描述為基本上卵形的。當以yz平面觀察時，納米結構1010也可被描述為基本上圓形的。
[0051]若納米結構的形狀可被普通觀察者合理地辨識為類似于棒的形狀，則可以將納米結構描述為棒形的。這可以包括沿著一個維度是細長的納米結構。棒形納米結構可以是基本上直的，或可以具有一定的曲率或彎曲。
[0052]若x、y以及z尺寸相似，例如彼此在一個數量級內，則可以將納米結構描述為顆粒狀的。
[0053]若納米結構的形狀可被普通觀察者合理地辨識為類似于圓拱或半球的形狀，則可以將納米結構描述為圓拱形。這可以包括具有以下性質的納米結構，其在一個維度或平面(諸如xy平面)中基本上是圓形或卵形的并且在另一個維度(諸如XZ和/或yz平面)中是弧形或圓形的。從納米結構到納米結構或者在相同納米結構內，每個這樣的弧形、圓形或卵形的半徑可以改變或者可以是基本上均勻的。
[0054]圖6A-6F描繪了納米結構材料(10C-1)的一個實施方式的SEM圖像。以下的描述可適用于以xy平面觀察時該圖中的至少一個突起物或顆粒:圓形、卵形、帶形、纖維形和/或膠囊形的，但并未窮盡。以下的描述可適用于以yz平面觀察時該圖中的至少一個突起物或顆粒:基本上纖維形、線形、棒形的，但并未窮盡。以下的其他描述也可適用于該圖中的至少一個突起物或顆粒:纖維狀、帶狀，但并未窮盡。
[0055]圖6G-6I描繪了納米結構實施方式(6G:10C_2，6H和61:10C-3)的表面的SEM圖像。以下的描述可適用于以xy平面觀察時該圖中的至少一個突起物或顆粒:圓形、卵形、圓拱形或半球形，但并未窮盡。以下的描述可適用于以yz平面觀察時該圖中的至少一個突起物或顆粒:基本上弧形或半球形，但并未窮盡。以下的其他描述也可適用于該圖中的至少一個突起物或顆粒:纖維狀、帶狀，但并未窮盡。
[0056]在SEM(圖6A-6I)中標出了諸如500nm、20 μ m的比例尺，其可以提供膜中的納米顆粒、納米突起物或空隙的尺寸的指示。此圖表明:大量顆?；蚩障兜膞、y和/或z尺寸在約Iym至約5μηι的范圍內。
[0057]納米結構材料的折射率可以改變。例如折射率可以是約1.1、約1.5、約1.7、約1.8或任意這些值所界定的范圍內或任意這些值之間的任意折射率。在一些實施方式中，納米結構材料中材料的折射率可以大于或等于發(fā)射層的折射率。
[0058]根據裝置的結構，納米結構材料的電荷傳輸性質可以改變。例如被布置于發(fā)光層和空穴傳輸層之間的納米結構材料可以具有空穴傳輸性質。類似地，被布置于發(fā)光層和電子傳輸層之間的納米結構材料可以具有電子傳輸性質。在一些實施方式中，納米結構材料的電荷傳輸性質是這樣的，包含納米結構材料對空穴或電子從電極到發(fā)射層的遷移影響最小或者基本上無影響。
[0059]在一些實施方式中，納米結構材料可以包含有機化合物，包括分子量在約60g/mol至約2000g/mol或者約120g/mol至約1000g/mol范圍內的非聚合的有機化合物。在一些實施方式中，納米結構材料可以具有穩(wěn)定的平面構象。
[0060]一些納米結構材料包括可選地被取代的芳族或雜芳族的環(huán)或環(huán)狀體系，例如可選地被取代的苯基、可選地被取代的吡啶基、可選地被取代的咔唑基、可選地被取代的苯并咪唑、可選地被取代的苯并惡唑、可選地被取代的苯并噻唑等。
[0061]在一些實施方式中，納米結構材料可以是線性的，例如其中非末端的環(huán)是可選地被取代的I，3-亞苯基、可選地被取代的I，4-亞苯基、可選地被取代的2，4-亞吡啶基、可選地被取代的2，5-亞吡啶基或以類似方式連接的單環(huán)亞芳基的材料。一些納米結構材料可以包含具有末端苯并噻唑或苯并惡唑的化合物。
[0062]一些納米結構材 料包含可選地被取代的4-(苯并惡唑-2-基)_4’ -(4- 二苯基氨基苯基)-3，3’ -聯(lián)吡啶；可選地被取代的4-(苯并惡唑-2-基)-4”_(咔唑-1-基)三聯(lián)苯；可選地被取代的2-(4" -(9H-咔唑-9-基)-[1，1':4f，1"-三聯(lián)苯]-4-基)苯并[d]噻唑；可選地被取代的4-(苯并惡唑-2-基)-4”_[二(4-甲基苯基)氨基]三聯(lián)苯；可選地被取代的4"-(苯并噻唑-2-基)-4”_[二(4-甲基苯基)氨基]三聯(lián)苯；可選地被取代的4"-(苯并[d]惡唑-2-基)4，^二苯基-[1，1':4f，1"-三聯(lián)苯]-4-胺；可選地被取代的5，5’ -雙(苯并惡唑-2-基)-3，3’ -聯(lián)吡啶；可選地被取代的5，5 ^ -雙(苯并噻唑-2-基)-3，3 ^ -聯(lián)吡啶；可選地被取代的3，3 ^ -雙(苯并惡唑-2-基)-2，2'-聯(lián)吡啶；可選地被取代的3乂 -雙(苯并[d]噻唑-2-基)-2義-聯(lián)吡啶；可選地被取代的5，5^ -雙(1-苯基-1H-苯并[d]咪唑-2-基)-3，3 ^ -聯(lián)吡啶；可選地被取代的3，5-二 [3-(苯并惡唑-2-基)苯基]吡啶(10C-1);可選地被取代的3，5-雙(3_(苯并[d]噻唑-2-基)苯基)吡啶；可選地被取代的3，5-二 [5-(苯并惡唑-2-基)吡啶-3-基]苯；可選地被取代的1，3_雙(5-(苯并[d]噻唑-2-基)吡啶-3-基)苯；可選地被取代的5，5"-雙(苯并惡唑-2-基)-3，3':5'，3"-三聯(lián)吡啶(10C-2);可選地被取代的5，5"-雙(苯并噻唑-2-基)-3，3^ ，3"-三聯(lián)吡啶；可選地被取代的4_(苯并惡唑-2-基)-4”_[二(4-甲基苯基)氨基]三聯(lián)苯；可選地被取代的4-(苯并惡唑-2-基)-4”-(二苯基氨基)三聯(lián)苯；可選地被取代的4-(苯并噻唑-2-基)-4”-( 二苯基氨基)三聯(lián)苯；可選地被取代的4-(苯并噻唑-2-基)-4’-(4_ 二苯基氨基苯基)-3，3’_聯(lián)吡啶；可選地被取代的4-(苯并噻唑-2-基)-4’-[4-(咔唑-1-基)苯基]_3，3’-聯(lián)吡啶；可選地被取代的4-(苯并惡唑-2-基)-4’-[4-(咔唑-1-基)苯基]_3，3’-聯(lián)吡啶；可選地被取代的6W -雙(苯并[d]噻唑-2-基)-3，3,-聯(lián)吡啶；可選地被取代的6W -雙(苯并[d]惡唑-2-基)-3，3 ^ -聯(lián)吡啶；可選地被取代的3，5-二 [5-(苯并噻唑-2-基)吡啶-3-基]-1-甲苯；可選地被取代的3，5-二 [5-(苯并惡唑-2-基)吡啶-3-基]-1-甲苯；可選地被取代的3，3"-雙(苯并[d]惡唑-2-基)-1，1' ，1"-三聯(lián)苯；可選地被取代的2，2' -(5'-乙烯基_[1，廣:3'，1"-三聯(lián)苯]_3，3" - 二基)雙(苯并[d]惡唑)；可選地被取代的3，5_ 二([1，1' -聯(lián)苯]-3-基)吡啶；可選地被取代的1，1':3'，1":3" ,1" ':3" '，1""-五聯(lián)苯；可選地被取代的3，3'，5，5'-四(苯并[d]惡唑-2-基)-1，1' -聯(lián)苯(10C-3);或可選地被取代的3，3'，5，5'-四(苯并[d]噻唑-2-基)_1，1'-聯(lián)苯。
[0063]除非另有說明，當化合物或化學結構特征例如芳基被稱為“可選地被取代的”時，其包括無取代基的特征(即未取代的)或者“被取代的”特征，“被取代的”特征指該特征具有一個或多個取代基。術語“取代基”具有本領域普通技術人員已知的通常含義，包括替代連接到母化合物或結構特征上的一個或多個氫原子的片段。在一些實施方式中，取代基可以是本領域已知的普通有機片段，其可以具有15g/mol至50g/mol、15g/mol至100g/mol、15g/mol 至 150g/mol、15g/mol 至 200g/mol、15g/mol 至 300g/mol 或者 15g/mol 至 500g/mol的分子量(例如取代基的原子的原子質量的總和)。在一些實施方式中，取代基包含:0_30、0-20,0-10或0-5個碳原子；和0-30、0-20、0-10或0_5個雜原子，雜原子獨立地為N、O、S、
S1、F、Cl、Br或I ;前提是取代基包含至少一個C、N、O、S、S1、F、Cl、Br或I的原子。取代基的例子包括但不限于烷基、烯基、炔基、雜烷基、雜烯基、雜炔基、芳基、雜芳基、羥基、烷氧基、芳氧基、酸基、酸氧基、烷基竣酸酷、疏基、燒硫基、氛基、鹵素、硫代擬基、O-氣基甲酸基、N-氨基甲?；?、O-硫代氨基甲?；-硫代氨基甲?；?、C-酰胺基、N-酰氨基、S-亞磺酰氨基(S-sulfonamido)、N_ 亞磺酰氨基、異氰酸基(isocyanato)、硫氰酸基(thiocyanato)、異硫氰酸基(isothiocyanato)、硝基、甲娃烷基(silyl)、亞氧硫基(sulfenyl)、亞硫?；?sulfinyl)、磺酰基、鹵代烷基、鹵代烷氧基、三鹵代甲烷磺酰基、三鹵代甲烷磺酰氨基等。
[0064]為了方便起見，對于分子的片段或部分，使用術語“分子量”來指示分子的片段或部分中原子的原子質量的總和，即使它不是一個完整的分子。
[0065]下面描繪了與本文中涉及的一些化學名稱相關的結構。這些結構可以是未取代的，如下所示，或者取代基可以獨立地在當結構為未取代的時通常由氫原子占據的任意位
置。除非連接點用I表示，連接可以發(fā)生在通常由氫原子占據的任意位置。
[0066]
【權利要求】
1.發(fā)光裝置，其包含: 布置于陽極和陰極之間的發(fā)光層； 包含第一電荷傳輸材料并且布置于所述發(fā)光層和所述陽極或所述陰極之間的第一電荷傳輸層；和 布置于所述第一電荷傳輸層和所述發(fā)光層之間、或者與所述第一電荷傳輸層和所述發(fā)光層接觸的納米結構材料。
2.如權利要求1所述的發(fā)光裝置，其中由所述裝置發(fā)射的光穿過所述第一電荷傳輸層。
3.如權利要求1所述的發(fā)光裝置，其中所述第一電荷傳輸層是布置于所述發(fā)光層和所述陰極之間的電子傳輸層。
4.如權利要求2所述的發(fā)光裝置，其還包含布置于所述發(fā)光層和所述陽極之間的空穴傳輸層。
5.如權利要求 1所述的發(fā)光裝置，其中所述第一電荷傳輸層是布置于所述發(fā)光層和所述陽極之間的空穴傳輸層。
6.如權利要求5所述的發(fā)光裝置，其還包含布置于所述發(fā)光層和所述陰極之間的電子傳輸層。
7.如前面權利要求中任意一項所述的發(fā)光裝置，其中所述納米結構材料是基本上滲入納米結構接觸的層或者使納米結構接觸的層變形的納米結構的形式。
8.如前面權利要求中任意一項所述的發(fā)光裝置，其中所述納米結構材料的至少一部分包含多個布置于最靠近所述第一電荷傳輸層的發(fā)光層的表面上的納米結構。
9.如前面權利要求中任意一項所述的發(fā)光裝置，其中所述納米結構材料的至少一部分在過渡層中，所述過渡層包含所述第一電荷傳輸材料和所述納米結構材料的混合物并且布置于所述發(fā)光層和所述第一電荷傳輸層之間。
10.如前面權利要求中任意一項所述的發(fā)光裝置，其中所述納米結構材料包含有機化合物。
11.如權利要求10所述的發(fā)光裝置，其中所述有機化合物具有穩(wěn)定的平面構象。
12.如權利要求10所述的發(fā)光裝置，其中所述有機化合物包含可選地被取代的芳族或雜芳族的環(huán)或環(huán)狀體系。
13.如權利要求10所述的發(fā)光裝置，其中所述有機化合物是:
14.如權利要求1所述的發(fā)光裝置，其還包含光提取材料。
15.如前面權利要求中任意一項所述的發(fā)光裝置，其中所述納米結構材料具有在每cm2所述發(fā)光層表面的面積上約Ing至約500ng的總質量。
16.如權利要求15所述的發(fā)光裝置，其中所述納米結構材料具有在每cm2所述發(fā)光層表面的面積上約IOng至約IOOng的總質量。
17.如權利要求9-14所述的發(fā)光裝置，其中所述過渡層具有約1:1至約1: 10的納米結構材料與電荷傳輸材料的重量比。
18.如前面權利要求中任意一項所述的發(fā)光裝置，其中與除缺乏所述納米結構材料外相同的裝置相比，所述納米結構材料使所述裝置的發(fā)光效率增加至少約5 %。
19.如前面權利要求中任意一項所述的發(fā)光裝置，其還包含光提取材料，所述光提取材料布置于以下物質之上:所述陽極、所述陰極、布置于所述陽極和所述光提取層之間的透明層、或布置于所述陰極和所述光提取層之間的透明層。
20.如權利要求19所述的發(fā)光裝置，其中與除缺乏所述光提取材料外相同的裝置相t匕，所述光提取材料使所述裝置的功率效率增加至少約10%。
21.如權利要求19所述的發(fā)光裝置，其中所述納米結構材料與所述光提取材料的組合協(xié)同地增加所述裝置的發(fā)光效率。
22.如權利要求21所述的發(fā)光裝置，其中所述納米結構材料與所述光提取材料的組合使所述裝置的發(fā)光效率協(xié)同地增加至少約15%。
【文檔編號】H01L51/52GK103975456SQ201280055344
【公開日】2014年8月6日 申請日期:2012年11月9日 優(yōu)先權日:2011年11月10日
【發(fā)明者】賴倩茜, 鄭世俊, 大衛(wèi)·T·西斯克, 望月周 申請人:日東電工株式會社