發(fā)光二極管封裝件的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及發(fā)光二極管封裝件。根據(jù)本發(fā)明提供發(fā)光二極管封裝件，包括：生長基板；鈍化層，設(shè)置于所述生長基板的一側(cè)表面上；以及封裝件基板，具備主體部和壁部，所述壁部設(shè)置于所述主體部上，其中，至少所述主體部、壁部以及鈍化層之間的空間與外部形成封閉。
【專利說明】發(fā)光二極管封裝件
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001 ] 本發(fā)明涉及發(fā)光二極管封裝件。
【背景技術(shù)】
[0002]發(fā)光二極管基本上是作為P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體的接合的PN結(jié)二極管。
[0003]在所述發(fā)光二極管中，在使P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體接合之后，若對所述P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體施加電壓以使電流流過，則所述P型半導(dǎo)體的空穴朝所述N型半導(dǎo)體側(cè)移動(dòng)，與此相反，所述N型半導(dǎo)體的電子朝所述P型半導(dǎo)體側(cè)移動(dòng)，由此所述電子和空穴將朝所述PN結(jié)部移送。
[0004]移動(dòng)到所述PN結(jié)部的電子在從導(dǎo)帶(conduction band)跌落至價(jià)帶(valenceband)的同時(shí)與空穴結(jié)合。此時(shí)，將會(huì)產(chǎn)生與所述導(dǎo)帶和價(jià)帶的高度差(即，能量差)相當(dāng)?shù)哪芰?，所述能量以光的形態(tài)釋放。
[0005]這種發(fā)光二極管是用于發(fā)出光的半導(dǎo)體元件，具有環(huán)保、低電壓、長壽命以及低成本等特征，以往大多應(yīng)用在諸如顯示用燈或數(shù)字等簡單的信息顯示中，然而，最近隨著產(chǎn)業(yè)技術(shù)的發(fā)展，尤其信息顯示技術(shù)和半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展，甚至使用在顯示領(lǐng)域、汽車頭燈、投影儀等多個(gè)方面。
[0006]圖1為示出以往的發(fā)光二極管封裝件的剖面圖。
[0007]若參照圖1進(jìn)行說明，則以往的發(fā)光二極管封裝件100可包括發(fā)光二極管芯片110、封裝件基板120、隔壁130以及玻璃140。
[0008]此時(shí)，所述發(fā)光二極管芯片110包括生長基板(未圖示)和在所述生長基板(未圖示)的一側(cè)表面上具有所述發(fā)光二極管(未圖示)的發(fā)光二極管元件112，且所述發(fā)光二極管芯片110可以是以通過凸點(diǎn)114倒裝鍵合于基臺(tái)(sub mount) 160的形態(tài)具備所述二極管元件112的倒裝芯片。
[0009]所述發(fā)光二極管芯片110可貼裝于所述封裝件基板120的一側(cè)表面上而配備。所述封裝件基板120可具備電極墊122，該電極墊122貫穿所述封裝件基板120而從所述封裝件基板120的一側(cè)表面延伸至另一側(cè)表面。此時(shí)，所述發(fā)光二極管芯片110可通過引線118連接于電極墊122。
[0010]另一方面，以往的發(fā)光二極管封裝件100沿著所述封裝件基板120的邊緣位置具備隔壁130，在所述隔壁130上利用粘接劑150等來粘接玻璃140，由此封閉了所述發(fā)光二極管芯片110。
[0011]因此，在對以往的發(fā)光二極管封裝件100，尤其倒裝芯片形態(tài)的發(fā)光二極管芯片進(jìn)行封裝時(shí)，由于其結(jié)構(gòu)復(fù)雜，所以不僅生產(chǎn)成本高，而且還存在工藝復(fù)雜的問題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0012]技術(shù)問題
[0013]本發(fā)明的目的在于提供一種在對倒裝芯片形態(tài)的發(fā)光二極管芯片進(jìn)行封裝時(shí)，通過在芯片級進(jìn)行封裝而使其結(jié)構(gòu)得以簡單化的發(fā)光二極管封裝件。
[0014]本發(fā)明的另一目的在于提供一種光提取效率高的發(fā)光二極管封裝件。
[0015]技術(shù)方案
[0016]為了實(shí)現(xiàn)上述目的，根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面提供發(fā)光二極管封裝件:包括:生長基板；鈍化層，設(shè)置于所述生長基板的一側(cè)表面上；以及封裝件基板，具備主體部和壁部，所述壁部設(shè)置于所述主體部上，其中，至少所述主體部、壁部以及鈍化層之間的空間與外部形成封閉。
[0017]所述發(fā)光二極管封裝件還包括半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)體層，該半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)體層設(shè)置于所述生長基板與鈍化層之間，且包括第一型半導(dǎo)體層、活性層以及第二型半導(dǎo)體層，而且所述鈍化層可具備使所述第一型半導(dǎo)體層及第二型半導(dǎo)體層的一部分暴露的開口部。
[0018]所述發(fā)光二極管封裝件還可包括第一凸點(diǎn)及第二凸點(diǎn)，該第一凸點(diǎn)及第二凸點(diǎn)設(shè)置于所述鈍化層上，且通過所述鈍化層的開口部分別與所述第一型半導(dǎo)體層和第二型半導(dǎo)體層電連接。
[0019]所述第一凸點(diǎn)及第二凸點(diǎn)可以與分別設(shè)置于所述主體部的預(yù)定區(qū)域，且貫穿所述主體部而設(shè)置的第一電極墊及第二電極墊接觸。
[0020]所述凸點(diǎn)和所述電極墊的接觸可通過導(dǎo)電性物質(zhì)而形成。
[0021]所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)體層可被設(shè)置成表面和側(cè)面被所述鈍化層覆蓋的形態(tài)或者其中的側(cè)面沒有被覆蓋的形態(tài)。
[0022]所述活性層可被設(shè)置成在所述活性層的側(cè)面方向上具有所述封裝件基板的壁部。
[0023]所述鈍化層和壁部可通過密封部件而連接。
[0024]所述密封部件可以是導(dǎo)電性物質(zhì)。
[0025]所述鈍化層與密封部件之間或所述密封部件與壁部之間可設(shè)有密封墊。
[0026]所述生長基板在其另一側(cè)表面上可形成凹凸。
[0027]所述封裝件基板的主體部和壁部可以是一體型。
[0028]所述封裝件基板的主體部和壁部可由互不相同的物質(zhì)構(gòu)成。
[0029]發(fā)明效果
[0030]根據(jù)本發(fā)明，具有如下效果:提供一種在對倒裝芯片形態(tài)的發(fā)光二極管芯片進(jìn)行封裝時(shí)，通過在芯片級進(jìn)行封裝而使其結(jié)構(gòu)得以簡單化的發(fā)光二極管封裝件。
[0031]另外，根據(jù)本發(fā)明，具有如下效果:提供一種光提取效率高的發(fā)光二極管封裝件。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0032]圖1為示出現(xiàn)有的發(fā)光二極管封裝件的剖面圖。
[0033]圖2為示出根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的發(fā)光二極管封裝件的剖面圖。
[0034]圖3為示出根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例的發(fā)光二極管封裝件的剖面圖。
[0035]圖4為示出根據(jù)本發(fā)明的又一實(shí)施例的發(fā)光二極管封裝件的剖面圖。
【具體實(shí)施方式】
[0036]以下，參照附圖對根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)說明。
[0037]圖2為示出根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的發(fā)光二極管封裝件的剖面圖。[0038]若參照圖2進(jìn)行說明，根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的發(fā)光二極管封裝件1000可包括發(fā)光二極管芯片200及與所述發(fā)光二極管芯片200對應(yīng)的封裝件基板300。
[0039]所述發(fā)光二極管芯片200可包括生長基板210、半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)體層220、鈍化層230以及凸點(diǎn)240。
[0040]所述封裝件基板300可包括主體部310和壁部320。
[0041]所述主體部310可包括電極墊330。
[0042]所述生長基板210可以是能夠形成以后將說明的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)體層220的任意的基板(即，監(jiān)寶石基板、碳化娃基板或娃基板等)，優(yōu)選地，所述生長基板210可以是監(jiān)寶石基板。
[0043]所述生長基板210可被設(shè)置成120 μ m以上的厚度，優(yōu)選為120 μ m至300 μ m范圍的厚度。此時(shí)，優(yōu)選地，所述生長基板210中厚度與橫向長度和縱向長度中的較長的長度之比為0.26以上。例如，當(dāng)所述生長基板210的一個(gè)邊的長度為IOOOym的正方形時(shí)，所述生長基板210的厚度優(yōu)選為設(shè)置成260 μ m以上，這是因?yàn)?，所述生長基板210的厚度越厚，光提取效率越高。
[0044]所述生長基板210在其一側(cè)表面上具備所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)體層220，所述生長基板210的一側(cè)表面或另一側(cè)表面可具備PPS圖案(圖形藍(lán)寶石襯底(Patterned SapphireSubstrate))(未圖不)。
[0045]所述PPS圖案(未圖示)在所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)體層220中產(chǎn)生的光通過所述生長基板210的另一側(cè)表面向外部發(fā)出時(shí)，起到減少在所述生長基板210中朝內(nèi)部全反射而導(dǎo)致的光的損失的作用。即，從光的特性上來講，光在經(jīng)過具有互不相同的折射率的兩個(gè)介質(zhì)之間時(shí)(即，光從所述生長基板210朝外部(B卩，大氣中)行進(jìn)時(shí))，在其邊界面(即，所述生長基板210與外部的邊界面)上產(chǎn)生反射和透射，而所述PSS圖案(未圖示)起到使所述反射最小化以增加通過所述生長基板210朝外部發(fā)出的光量，從而提高發(fā)光效率的作用。
[0046]所述PSS圖案(未圖示)在所述生長基板210的另一側(cè)表面上可由半球形的多個(gè)突出部形成，但其形態(tài)并不局限于此，可形成為多種形態(tài)，例如形成為圓錐形態(tài)或包括金字塔形態(tài)在內(nèi)的多棱錐形態(tài)的凹凸等。
[0047]所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)體層220可包括第一型半導(dǎo)體層222、活性層224以及第二型半導(dǎo)體層226。并且，所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)體層220還可包括緩沖層(未圖示)、超晶格層(未圖示)或者電子阻擋層(未圖示)。此時(shí)，所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)體層220中，除了所述活性層224之外的其他層可被省略。并且，所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)體層220可被設(shè)置成所述第二半導(dǎo)體層226及活性層224的一部分被臺(tái)面蝕刻而使所述第一型半導(dǎo)體層222的一部分暴露的形態(tài)。
[0048]所述第一型半導(dǎo)體層222可以是摻雜有第一型雜質(zhì)(例如，N型雜質(zhì))的II1-N系列的化合物半導(dǎo)體層(例如，(Al、Ga、In)N系列的m族氮化物半導(dǎo)體層)。所述第一型半導(dǎo)體層222可以是摻雜有N型雜質(zhì)的GaN層(即，N-GaN層)，而在所述活性層224發(fā)出紫外光的情況下，可以是摻雜有鋁的N-GaN層(B卩，N-AlGaN層)。并且，在所述第一型半導(dǎo)體層222由單一層或多重層構(gòu)成(例如，所述第一型半導(dǎo)體層222由多重層構(gòu)成)的情況下，可以由超晶格結(jié)構(gòu)構(gòu)成。
[0049]所述活性層224可以由II1-N系列的化合物半導(dǎo)體層(例如，(Al、Ga、In) N半導(dǎo)體層)構(gòu)成，所述活性層224可以由單一層或多個(gè)層構(gòu)成，且至少可發(fā)出預(yù)定波長的光。并且，所述活性層224可以是包括一個(gè)阱層(未圖示)的單一量子阱結(jié)構(gòu)，也可以是阱層(未圖示)和壘層(未圖示)交替反復(fù)層疊的結(jié)構(gòu)的多重量子阱結(jié)構(gòu)。此時(shí)，所述阱層(未圖示)或壘層(未圖示)可分別或兩者均由超晶格結(jié)構(gòu)構(gòu)成。所述活性層224在發(fā)出紫外光的情況下，可包括包含Al的氮化物半導(dǎo)體層(例如，InAlGaN)而構(gòu)成。
[0050]所述第二型半導(dǎo)體層226可以是摻雜有第二型雜質(zhì)(例如，P型雜質(zhì))的II1-N系列的化合物半導(dǎo)體(例如，(Al、Ga、In) N系列的III族氮化物半導(dǎo)體)。所述第二型半導(dǎo)體層226可以是摻雜有P型雜質(zhì)的GaN層(S卩，P-GaN層)，在所述活性層224發(fā)出紫外光的情況下，可以是摻雜有鋁的P-GaN層(B卩，P-AlGaN層)。并且，所述第二型半導(dǎo)體層226可以由單一層或多重層構(gòu)成。例如，所述第一型半導(dǎo)體層222可以由超晶格結(jié)構(gòu)構(gòu)成。
[0051]所述緩沖層(未圖示)是為了緩和所述基板210與所述第一型半導(dǎo)體層222之間的晶格失配而設(shè)置的。并且，所述緩沖層(未圖示)可由單一層或多個(gè)層構(gòu)成，在由多個(gè)層構(gòu)成的情況下，可由低溫緩沖層和高溫緩沖層構(gòu)成。所述緩沖層(未圖示)可由AlN構(gòu)成。
[0052]所述超晶格層(未圖示)可設(shè)置于所述第一型半導(dǎo)體層222和活性層224之間，可以是II1-N系列的化合物半導(dǎo)體層(例如(Al、Ga、In) N半導(dǎo)體層)被層疊為多個(gè)層的層(例如，InN層和InGaN層反復(fù)層疊的結(jié)構(gòu))，由于所述超晶格層(未圖示)設(shè)置于形成所述活性層224之前的位置，因而可防止傳遞位錯(cuò)(dislocation)或缺陷(defect)等傳遞到所述活性層224，從而起到緩解所述活性層224形成位錯(cuò)或缺陷等的作用以及使所述活性層224的結(jié)晶性變得優(yōu)異的作用。
[0053]所述電子阻擋層(未圖示)可設(shè)置于所述活性層224與第二型半導(dǎo)體層226之間，其可為了提高電子及空穴的再結(jié)合效率而設(shè)置，且可由具有相對較寬的能帶隙的物質(zhì)形成。所述電子阻擋層(未圖示)可由(Al、Ga、In) N系列的III族氮化物半導(dǎo)體形成，且可由摻雜有Mg的P-AlGaN層構(gòu)成。
[0054]所述鈍化層230可設(shè)置于具有所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)體層220的生長基板210的一側(cè)表面上。此時(shí)，所述鈍化層230不僅覆蓋所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)體層220的表面，連側(cè)面也覆蓋，從而避免所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)體層220暴露于外部，可起到保護(hù)所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)體層220的作用。所述鈍化層230可由諸如硅氧化膜或硅氮化膜等的絕緣膜構(gòu)成。另一方面，所述鈍化層230可具備使所述第一型半導(dǎo)體層222的部分區(qū)域暴露的開口部232和使所述第二型半導(dǎo)體層226的部分區(qū)域暴露的開口部234。
[0055]所述凸點(diǎn)240可包含第一凸點(diǎn)242和第二凸點(diǎn)244。所述第一凸點(diǎn)242可接觸于通過所述鈍化層230的開口部232暴露的所述第一型半導(dǎo)體層222，所述第二凸點(diǎn)244可接觸于通過所述鈍化層230的開口部234暴露的所述第二型半導(dǎo)體層226。所述凸點(diǎn)240被設(shè)置成從所述鈍化層230的表面突出預(yù)定高度的形態(tài)。
[0056]所述凸點(diǎn)240可由單一層或多個(gè)層構(gòu)成，所述單一層或多個(gè)層可包含N1、Cr、T1、Al、Ag、Au或其化合物而構(gòu)成。
[0057]所述封裝件基板300可包括主體部310和壁部320，所述壁部320可被設(shè)置成沿著所述主體部310的邊緣位置設(shè)置于所述主體部310之上的形態(tài)，所述主體部310和壁部320可形成為一體。即，所述封裝件基板300的主體部310和壁部320可通過在PCB基板或陶瓷基板的預(yù)定區(qū)域上形成槽而形成。
[0058]所述封裝件基板300可具有根據(jù)所述主體部310的壁部320而形成的槽部340。[0059]所述電極墊330包括第一電極墊332和第二電極墊334，所述電極墊330位于所述封裝件基板300的主體部310的預(yù)定區(qū)域且可被設(shè)置成貫穿所述主體部310的形態(tài)，且可被設(shè)置成從所述主體部310的一側(cè)表面朝另一側(cè)表面延伸的形態(tài)。所述第一電極墊332與所述第一凸點(diǎn)232電連接，所述第二電極墊334與第二凸點(diǎn)234電連接。
[0060]此時(shí)，所述第一凸點(diǎn)232與第一電極墊332之間以及所述第二凸點(diǎn)234與第二電極墊334之間可通過粘接部件350而連接。所述粘接部件350可由導(dǎo)電性物質(zhì)構(gòu)成，且也可由如銀膏(silver paste)等的導(dǎo)電性粘接劑形成。
[0061]并且，所述粘接部件350可由與構(gòu)成所述凸點(diǎn)230或電極墊330的物質(zhì)(例如，Au或Al等)相同的物質(zhì)構(gòu)成。即，也可通過對所述凸點(diǎn)230或電極墊330的一部分施加熱、超聲波或壓力等，以使所述凸點(diǎn)230或電極墊330的狀態(tài)發(fā)生變化，由此將所述凸點(diǎn)230和所述電極墊330之間進(jìn)行連接。
[0062]根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例的發(fā)光二極管封裝件1000可通過將所述發(fā)光二極管芯片200和封裝件基板300相互結(jié)合，從而在芯片級實(shí)現(xiàn)封裝化。
[0063]S卩，如圖2所示，將所述發(fā)光二極管芯片200的鈍化層230與所述壁部320之間用密封部件360進(jìn)行連接，從而至少所述主體部310、壁部320及鈍化層230之間的空間(SP，槽部340)與外部形成封閉的同時(shí)，所述發(fā)光二極管芯片200和封裝件基板300可被封裝。
[0064]此時(shí)，所述密封部件360可以由與將所述凸點(diǎn)240和電極墊330之間進(jìn)行連接的連接部件350相同的物質(zhì)(例如，導(dǎo)電性物質(zhì))構(gòu)成。并且，所述密封部件360可以是由樹脂等構(gòu)成的粘接劑。
[0065]另一方面，所述密封部件360與所述鈍化層230之間或者所述密封部件360與壁部320之間可設(shè)置密封墊362。設(shè)置所述密封墊362的原因在于，所述密封部件360相對于密封如所述鈍化層230和壁部320那樣彼此不同的物質(zhì)，密封相同的物質(zhì)時(shí)密封效果更加優(yōu)異。所述密封墊362可由與所述凸點(diǎn)240或電極墊330相同的物質(zhì)形成。
[0066]因此,根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的發(fā)光二極管封裝件1000包括發(fā)光二極管芯片200及封裝件基板300，所述發(fā)光二極管芯片200可包括生長基板210、半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)體層220、鈍化層230以及凸點(diǎn)240，所述封裝件基板300可包括主體部310和壁部320，所述主體部310可具備電極墊330，所述發(fā)光二極管封裝件1000可通過使所述發(fā)光二極管芯片200的凸點(diǎn)240和封裝件基板300的電極墊330接觸，并利用密封部件360密封所述發(fā)光二極管芯片200的鈍化層230和壁部320之間，由此實(shí)現(xiàn)封裝。
[0067]此時(shí)，根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的發(fā)光二極管封裝件1000，直接將所述發(fā)光二極管芯片200和封裝件基板300進(jìn)行封裝，因此具有提供結(jié)構(gòu)簡單的發(fā)光二極管封裝件的效果，而且由于結(jié)構(gòu)簡單，因而具有制造工藝變得簡單且制造成本得到降低的效果。
[0068]并且，根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的發(fā)光二極管封裝件1000，所述發(fā)光二極管芯片2000的凸點(diǎn)240被插入在所述封裝件基板300的槽部340內(nèi)，且密封所述發(fā)光二極管芯片200的鈍化層230和壁部320而實(shí)現(xiàn)封裝，因而可最小化所述槽部340的大小，且所述發(fā)光二極管芯片200的活性層224沒有位于所述封裝件基板300的槽部340內(nèi)，因而在所述活性層224的側(cè)面方向上，除了鈍化層230之外沒有配置其他構(gòu)成要素，因此容易提取光，從而具有提供光提取效率高的發(fā)光二極管封裝件的效果。
[0069]并且，根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的發(fā)光二極管封裝件1000，所述生長基板210具有適宜的厚度，以獲得較高的光提取效率，且所述生長基板210的另一側(cè)表面可具備PSS圖案(未圖示)，從而具有提供光提取效率高的發(fā)光二極管封裝件的效果。
[0070]并且，根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的發(fā)光二極管封裝件1000不具備如以往的玻璃，因而所發(fā)出的光不會(huì)經(jīng)過所述玻璃，所以具有提供光提取效率高的發(fā)光二極管封裝件的效
果O
[0071]圖3為示出根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例的發(fā)光二極管封裝件的剖面圖。
[0072]參照圖3進(jìn)行說明，根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例的發(fā)光二極管封裝件2000可包括發(fā)光二極管芯片200'及封裝件基板300'。
[0073]所述發(fā)光二極管芯片200'可包括生長基板210、半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)體層220'、鈍化層230'以及凸點(diǎn)240等。
[0074]所述封裝件基板300'可包括主體部310'和壁部320'。
[0075]所述主體部310'可包括電極墊330。
[0076]此時(shí)，根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例的發(fā)光二極管封裝件2000相比于參照圖2進(jìn)行說明的根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的發(fā)光二極管封裝件1000，僅有幾個(gè)區(qū)別點(diǎn)，除此之外均相同，因此僅對具有區(qū)別點(diǎn)的這一部分進(jìn)行重點(diǎn)說明。
[0077]根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例的發(fā)光二極管封裝件2000，所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)體層220'的一部分(例如，緩沖層(未圖示)或第一型半導(dǎo)體層222')的側(cè)面可與所述生長基板210的側(cè)面位于同一個(gè)線上且被設(shè)置成暴露的形態(tài)。因此，所述鈍化層230'可被設(shè)置成覆蓋所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)體層220'的表面，然而卻并沒覆蓋所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)體層220'的側(cè)面的形態(tài)。
[0078]并且，根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例的發(fā)光二極管封裝件2000可包括由互不相同的物質(zhì)構(gòu)成的主體部31(V和壁部32(V。即，所述壁部32(V可利用不同的物質(zhì)(例如，與所述電極墊330或所述鈍化層230'相同的物質(zhì))沿著所述主體部310'的邊緣位置形成于所述主體部310'上。所述密封部件362可均被省略。
[0079]此時(shí)，雖然在圖中沒有示出，然而當(dāng)所述壁部320'由與所述電極墊330相同的物質(zhì)構(gòu)成時(shí)，所述壁部320'和鈍化層230'卻由互不相同的物質(zhì)構(gòu)成，因此為了提高所述密封部件360的密封效果，所述密封部件360與壁部320丨或者所述密封部件360與鈍化層230;之間可設(shè)置密封墊362。
[0080]另一方面，雖然在圖3中沒有示出，然而所述電極墊330可不被設(shè)置成貫穿所述封裝件基板300,的主體部310,的形態(tài)，而是被設(shè)置成經(jīng)過所述封裝件基板300,的主體部310'的壁部320'之間而朝封裝件基板300'的主體部310'的另一側(cè)表面延伸的形態(tài)，即，所述電極墊330可被設(shè)置成朝所述主體部310'的一側(cè)表面、所述主體部310'和壁部320'之間、所述主體部310'的側(cè)面及所述主體部310'的另一側(cè)表面延伸的形態(tài)(即，“匚”字形態(tài))。此時(shí)，所述“匚”字形態(tài)的所述電極墊330不僅適用于本實(shí)施例，還適用于參照圖2及圖4進(jìn)行說明的另一實(shí)施例。
[0081]并且，雖然在圖中示出并說明為所述電極墊330具有相比所述壁部320'的高度薄的厚度，然而所述電極墊330可具有與所述壁部320'相同的高度，即從所述主體部310'的表面的高度與所述壁部320'的高度相同。所述電極墊330的高度不僅適用于本實(shí)施例，還適用于參照圖2及圖4進(jìn)行說明的另一實(shí)施例。[0082]圖4為示出根據(jù)本發(fā)明的又一實(shí)施例的發(fā)光二極管封裝件的剖面圖。
[0083]參照圖4進(jìn)行說明，根據(jù)本發(fā)明的又一實(shí)施例的發(fā)光二極管封裝件3000可包括發(fā)光二極管芯片200',及封裝件基板300。
[0084]所述發(fā)光二極管芯片200''可包括生長基板210、半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)體層220''、鈍化層230''以及凸點(diǎn)240。
[0085]所述封裝件基板300可包括主體部310和壁部320。
[0086]所述主體部310可包括電極墊330。
[0087]此時(shí)，根據(jù)本發(fā)明的又一實(shí)施例的發(fā)光二極管封裝件3000相比于參照圖2進(jìn)行說明的根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的發(fā)光二極管封裝件1000，僅有幾個(gè)區(qū)別點(diǎn)，除此之外均相同，因此對具有區(qū)別點(diǎn)的這一部分進(jìn)行重點(diǎn)說明。
[0088]在根據(jù)本發(fā)明的又一實(shí)施例的發(fā)光二極管封裝件3000中，所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)體層220''的一部分，例如緩沖層(未圖示)或第一型半導(dǎo)體層222'，相比于根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的發(fā)光二極管封裝件1000的緩沖層(未圖示)或第一型半導(dǎo)體層222形成得更厚。
[0089]并且，所述鈍化層230'，覆蓋所述生長基板210的一側(cè)表面或包含所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)體層220'，的側(cè)面的表面，且覆蓋所述生長基板210的一側(cè)表面的所述鈍化層230'，的厚度形成為相比所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)體層220'，的厚度更薄。此時(shí)，對于所述鈍化層230'，，以覆蓋所述生長基板210的一側(cè)表面和包含所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)體層220'，的側(cè)面的表面的情形進(jìn)行了圖示并說明，然而，也可以設(shè)置成僅設(shè)置在所述生長基板210的一側(cè)表面上，然而對于包含所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)體層220'，的側(cè)面的表面則沒有進(jìn)行覆蓋的狀態(tài)。
[0090]這樣設(shè)置的目的在于，與根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的發(fā)光二極管封裝件1000不同，對于本發(fā)明的又一實(shí)施例的發(fā)光二極管封裝件3000，使設(shè)置于所述第一半導(dǎo)體層222'，上的活性層224位于所述封裝件基板300的槽部340，從而使得在所述活性層224的側(cè)面方向上不僅設(shè)有所述鈍化層230'，還設(shè)有壁部320。
[0091]以上，舉出所述實(shí)施例對本發(fā)明進(jìn)行了說明，然而本發(fā)明并不局限于此。本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)知曉，在不脫離本發(fā)明的主旨及范圍內(nèi)，可以實(shí)施修改及變更，且這樣的修改和變更也屬于本發(fā)明。
【權(quán)利要求】
1.一種發(fā)光二極管封裝件，包括: 生長基板； 鈍化層，設(shè)置于所述生長基板的一側(cè)表面上；以及 封裝件基板，具備主體部和壁部，所述壁部設(shè)置于所述主體部上， 其中，至少所述主體部、壁部以及鈍化層之間的空間與外部形成封閉。
2.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管封裝件，其中，所述發(fā)光二極管封裝件還包括半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)體層，該半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)體層設(shè)置于所述生長基板與鈍化層之間，且包括第一型半導(dǎo)體層、活性層以及第二型半導(dǎo)體層， 所述鈍化層具備使所述第一型半導(dǎo)體層及第二型半導(dǎo)體層的一部分暴露的開口部。
3.如權(quán)利要求2所述的發(fā)光二極管封裝件，其中，所述發(fā)光二極管封裝件還包括第一凸點(diǎn)及第二凸點(diǎn)，該第一凸點(diǎn)及第二凸點(diǎn)設(shè)置于所述鈍化層上，且通過所述鈍化層的開口部分別與所述第一型半導(dǎo)體層和第二型半導(dǎo)體層電連接。
4.如權(quán)利要求3所述的發(fā)光二極管封裝件，其中，所述第一凸點(diǎn)及第二凸點(diǎn)與分別設(shè)置于所述主體部的預(yù)定區(qū)域，且貫穿所述主體部而設(shè)置的第一電極墊及第二電極墊接觸。
5.如權(quán)利要求4所述的發(fā)光二極管封裝件，其中，所述凸點(diǎn)和所述電極墊的接觸通過導(dǎo)電性物質(zhì)而形成。
6.如權(quán)利要求2所述的發(fā)光二極管封裝件，其中，所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)體層被設(shè)置成表面和側(cè)面被所述鈍化層覆蓋的形態(tài)或者其中的側(cè)面沒有被覆蓋的形態(tài)。
7.如權(quán)利要求2所述的發(fā)光二極管封裝件，其中，所述活性層被設(shè)置成在其的側(cè)面方向上具有所述封裝件基板的壁部。
8.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管封裝件，其中，所述鈍化層和壁部通過密封部件而連接。
9.如權(quán)利要求8所述的發(fā)光二極管封裝件，其中，所述密封部件為導(dǎo)電性物質(zhì)。
10.如權(quán)利要求8所述的發(fā)光二極管封裝件，其中，所述鈍化層與密封部件之間或所述密封部件與壁部之間設(shè)有密封墊。
11.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管封裝件，其中，所述生長基板在其另一側(cè)表面上形成凹凸。
12.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管封裝件，其中，所述封裝件基板的主體部和壁部為一體型。
13.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管封裝件，其中，所述封裝件基板的主體部和壁部由互不相同的物質(zhì)構(gòu)成。
【文檔編號】H01L33/48GK103875085SQ201280049416
【公開日】2014年6月18日 申請日期:2012年10月8日 優(yōu)先權(quán)日:2011年10月7日
【發(fā)明者】樸浚镕, 徐大雄, 張寶欖羨, 丁熙哲, 李圭浩, 金昶勛 申請人:首爾偉傲世有限公司