太陽電池的制造方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種能夠在硅基板表面均勻形成織構(gòu)的太陽電池的制造方法。其特征在于，具有：將上述硅基板（2）浸漬在含有氫氟酸的第1水溶液中，去除上述硅基板（2）表面的天然氧化膜的步驟；將去除上述天然氧化膜后的上述硅基板（2）浸漬在含有上述金屬離子的第2水溶液中，通過非電解鍍使上述金屬離子附著在上述硅基板（2）表面的步驟；以及將附著有上述金屬離子的上述硅基板（2）浸漬在含有氫氟酸和過氧化氫水的第3水溶液中，通過上述金屬離子的催化反應(yīng)，在上述硅基板（2）表面形成多孔質(zhì)層（3）的步驟。
【專利說明】太陽電池的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及太陽電池的制造方法，特別是涉及在硅基板的表面形成多孔質(zhì)層的方法。
【背景技術(shù)】
[0002]作為煤或石油等的替代能源，清潔而且用之不盡的能源太陽光受到關(guān)注，將太陽光的光能轉(zhuǎn)換為電能的太陽電池的普及更是備受期待。
[0003]在太陽電池的表面，形成具有可以有效收取太陽光作用的無數(shù)微細(xì)的凹凸(以下稱為織構(gòu))。在單晶硅的情況下，通過使用堿性溶液對(duì)Si (100)面進(jìn)行浸蝕，可以很容易地得到錐形構(gòu)造的織構(gòu)。而在多晶硅的情況下，由于硅基板表面出現(xiàn)各種結(jié)晶方位，所以很難在整個(gè)硅基板表面形成如同單晶硅那樣均勻的織構(gòu)。
[0004]作為在由多晶硅構(gòu)成的硅基板表面形成織構(gòu)的方法，已經(jīng)公開了通過將硅基板浸在含有金屬離子的氧化劑和氫氟酸的混合水溶液中，在娃基板的表面形成多孔質(zhì)層的方法(例如專利文獻(xiàn)I)。另外，還公開了具有以下兩個(gè)工序的方法，第一工序:將硅基板浸潰在含有金屬離子的氧化劑和氫氟酸的混合水溶液中，在該硅基板表面形成多孔質(zhì)層；以及第二工序:將經(jīng)過上述第一工序后的硅基板表面，浸潰在以氫氟酸和硝酸為主的混合酸中進(jìn)行浸蝕，形成織構(gòu)(例如專利文獻(xiàn)2)。
[0005]根據(jù)上述專利文獻(xiàn)2所述，利用上述專利文獻(xiàn)I的方法形成的具有織構(gòu)的硅基板反射率低，但硅基板表面變色，從結(jié)果來看，存在著太陽電池的特性大幅度劣化的問題。在上述專利文獻(xiàn)(2)中還有以下記載:與此相比，采用上述專利文獻(xiàn)2的方法，將經(jīng)過與上述專利文獻(xiàn)I同樣工序的硅基板表面，浸潰在以氫氟酸和硝酸為主的混合酸中進(jìn)行浸蝕形成織構(gòu)，可得到保留降低反射率效果而且清潔的硅面，同時(shí)還能去除孔底的金屬，因此得到能制造具有高性能太陽電池的效果。
[0006]專利文獻(xiàn)
[0007]專利文獻(xiàn)1:特許第3925867號(hào)
[0008]專利文獻(xiàn)2:特許第4610669號(hào)

【發(fā)明內(nèi)容】

[0009]發(fā)明解決的技術(shù)問題
[0010]但是，在上述專利文獻(xiàn)I和專利文獻(xiàn)2中，都是通過將硅基板浸在含有金屬離子的氧化劑和氫氟酸的混合水溶液中，在該硅基板表面同時(shí)進(jìn)行金屬離子的附著和浸蝕，因此難以對(duì)金屬離子的附著量和浸蝕量進(jìn)行管理。金屬離子附著量的偏差是造成浸蝕形成的孔的密度不均勻的原因。此外，浸蝕量的偏差則是造成浸蝕形成的孔大小不均勻的原因。金屬離子的附著量和浸蝕量的偏差不僅發(fā)生在硅基板的全體表面，由于混合水溶液的劣化，也會(huì)發(fā)生在使用同樣混合水溶液的多個(gè)硅基板之間。因此，由于產(chǎn)生金屬離子附著量和浸蝕量的偏差，上述專利文獻(xiàn)I和2存在著以下問題:難以在硅基板表面形成大小或密度都均勻的織構(gòu)。
[0011]本發(fā)明的目的在于，提供一種能夠在硅基板表面更均勻地形成織構(gòu)的太陽電池的制造方法。
[0012]解決技術(shù)問題的手段
[0013]本發(fā)明的第一技術(shù)方案，是一種太陽電池的制造方法，通過使用金屬離子進(jìn)行浸蝕，在娃基板的表面形成多孔質(zhì)層，其特征在于，具有:將上述娃基板浸潰在含有氫氟酸的第I水溶液中，去除上述硅基板表面的天然氧化膜的步驟；將去除上述天然氧化膜后的上述硅基板浸潰在含有上述金屬離子的第2水溶液中，通過非電解鍍使上述金屬離子附著在上述硅基板表面的步驟；以及，將表面附著有上述金屬離子的上述硅基板浸潰在含有氫氟酸和過氧化氫水的第3水溶液中，通過上述金屬離子的催化反應(yīng)，在上述硅基板表面形成上述多孔質(zhì)層的步驟。
[0014]發(fā)明效果
[0015]按照本發(fā)明的上述第一技術(shù)方案，在通過浸蝕形成多孔質(zhì)層之前，先在硅基板表面附著金屬離子。因此與同時(shí)進(jìn)行金屬離子的附著和浸蝕的現(xiàn)有技術(shù)相比，可以使金屬離子更均勻地附著于硅基板表面。然后通過上述金屬離子的催化反應(yīng)在上述硅基板表面形成多孔質(zhì)層。這樣，利用控制硅基板的浸潰時(shí)間以及氫氟酸和過氧化氫水的比例，就能控制通過催化反應(yīng)所形成的孔的大小。而且可以在硅基板表面形成大小或密度更均勻的織構(gòu)。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0016]圖1示出本發(fā)明【具體實(shí)施方式】的太陽電池的整體構(gòu)成的立體圖。
[0017]圖2示出本發(fā)明【具體實(shí)施方式】的太陽電池的制造方法的流程框圖。
[0018]圖3是附著有金屬離子的硅基板表面的SEM圖像。
[0019]圖4示出在本發(fā)明【具體實(shí)施方式】的制造方法中，形成多孔質(zhì)層的實(shí)施例的硅基板表面的SEM (掃描式電子顯微鏡)圖像。
[0020]圖5是在本發(fā)明【具體實(shí)施方式】的制造方法中，使用以氟硝酸為主的混和酸對(duì)多孔質(zhì)層進(jìn)行進(jìn)行浸蝕，在硅基板表面形成的織構(gòu)的SEM圖像。
[0021]圖6表示使用現(xiàn)有技術(shù)制造方法的比較例的硅基板表面的SEM圖像。
[0022]圖7是改變過氧化氫水相對(duì)氫氟酸的添加量進(jìn)行浸蝕的硅基板表面的照片。圖7A是表示Oml的結(jié)果照片，圖7B是表示IOOml的結(jié)果照片，圖7C是表示200ml的結(jié)果照片，圖7D是表示300ml的結(jié)果照片。
[0023]圖8表不測定圖7所不娃基板的反射率結(jié)果的曲線圖。
[0024]符號(hào)說明
[0025]I 太陽電池
[0026]2 硅基板
[0027]3 多孔質(zhì)層
【具體實(shí)施方式】
[0028]以下參照附圖對(duì)本發(fā)明的【具體實(shí)施方式】進(jìn)行詳細(xì)說明。圖1所示的太陽電池I具有進(jìn)行光電轉(zhuǎn)換的硅基板2和將該硅基板2表面加工成織構(gòu)形狀的多孔質(zhì)層3，從該多孔質(zhì)層3形成的受光面入射的光，在硅基板2被轉(zhuǎn)換為電能。多孔質(zhì)層3反復(fù)地透過/反射入射到娃基板2表面的光,結(jié)果與平坦的娃基板表面相比,能將更多的光導(dǎo)入娃基板2內(nèi)。眾所周知，形成多孔質(zhì)層3的微細(xì)的織構(gòu)，在高度及密度均勻的情況下一般比不均勻的情況下能夠更加有效地儲(chǔ)存入射的光。另外，織構(gòu)的高度是指凹凸的高低差，密度是指每單位面積的凹部或凸部的數(shù)量。本實(shí)施方式的太陽電池I的特征在于，與現(xiàn)有技術(shù)相比，多孔質(zhì)層3上所形成的微細(xì)織構(gòu)更加均勻，其他則與現(xiàn)有技術(shù)的構(gòu)造相同。
[0029]實(shí)際上，在太陽電池I中，對(duì)于P型硅基板，形成多孔質(zhì)層3的受光面一側(cè)按順序形成有擴(kuò)散層、防反射膜、柵極，其背面?zhèn)劝错樞蛐纬捎斜趁骐娊鐚?、背面電極。在多孔質(zhì)層3的表面形成防反射膜，用以抑制光的反射。防反射膜例如由化學(xué)汽相淀積(CVD: ChemicalVapor Deposition)法等形成的氧化鈦(TiO2)膜,或氮化娃(SiN)膜的單層構(gòu)造膜構(gòu)成。
[0030]下面參照?qǐng)D2對(duì)多孔質(zhì)層3的形成方法進(jìn)行說明。在以下記載中，濃度為質(zhì)量％。
[0031]首先，在步驟SPl中，將上述硅基板2浸潰在含有氫氟酸的第I水溶液中，去除上述硅基板2表面的天然氧化膜。此時(shí)的第I水溶液的容量比可以為HF (濃度50%):H20=400ml?5000ml: 1200ml?1500ml，浸潰時(shí)間可以為60秒?360秒。另外，由于第I水溶液的目的僅在于除去硅基板2表面的天然氧化膜，所以不含金屬離子。
[0032]在此后的步驟SP2中，將上述硅基板2浸潰在含有金屬離子的第2水溶液中，通過非電解鍍使金屬離子附著在上述硅基板2表面。金屬離子可以使用例如Ag離子。使用Ag離子作為金屬離子的情況下，可以用AgNO3作為金屬離子含有劑生成第2水溶液。此時(shí)的第2水溶液的容量比為:金屬離子含有劑(濃度1E-4M?8E-4M):H20=5.0ml?15ml:5000ml?15000ml。非電解鍍的條件例如可以設(shè)為:浸潰時(shí)間為300秒，第2水溶液的溫度為26度。在非電解鍍進(jìn)行中，對(duì)第2水溶液中所含的金屬離子濃度進(jìn)行測定，并將該金屬離子的濃度控制在規(guī)定值。金屬離子的濃度，例如可以使用電阻法進(jìn)行測定。另外，由于第2水溶液的目的僅在于使金屬離子附著于硅基板2表面，而不是在硅基板2表面形成多孔質(zhì)層3，所以不含有氧化劑和氫氟酸。
[0033]在本實(shí)施方式的情況下，由于第2水溶液含有金屬離子，但不含有氧化劑和氫氟酸，所以可以測定出金屬離子單體的濃度。因此，本實(shí)施方式的制造方法與使用金屬離子中加入含氧化劑和氫氟酸的水溶液的現(xiàn)有技術(shù)相比，能夠更容易測定金屬離子的濃度。這樣通過控制第2水溶液中所含的金屬離子的濃度，可以更加有效地控制硅基板2表面所附著的金屬尚子量。
[0034]另外，在將硅基板浸潰在含有金屬離子的氧化劑和氫氟酸的混合水溶液的現(xiàn)有技術(shù)制造方法中，所測量的電阻值是金屬離子、氧化劑和氫氟酸各個(gè)電阻值之和。不能僅直接測量金屬離子的電阻值，因此很難測定金屬離子單體的濃度。
[0035]另外，在本實(shí)施方式的情況下，非電解鍍最好在第2水溶液流動(dòng)時(shí)進(jìn)行。例如，雖未圖示，但對(duì)于第2水溶液，可以用兩根管道將儲(chǔ)存第2水溶液的儲(chǔ)存容器與進(jìn)行非電解鍍的鍍槽相連通，利用泵使第2水溶液在儲(chǔ)存容器與電鍍槽之間進(jìn)行循環(huán)(以下稱為"泵循環(huán)器")。另外，雖未圖示，但也可以使用攪拌器在鍍槽中對(duì)第2水溶液進(jìn)行攪拌。這樣，在本實(shí)施方式中，通過在使第2水溶液流動(dòng)的情況下進(jìn)行非電解鍍，可以確保金屬離子以均勻的密度附著在硅基板2表面。
[0036]在接下來的步驟SP3中，將上述硅基板2浸潰在含有氫氟酸和過氧化氫水的第3水溶液中。在硅基板2上，進(jìn)行由附著在表面的上述金屬離子的催化作用造成的過氧化氫水的氫還原反應(yīng)。由此，為了補(bǔ)充電子消耗量的增加部分，電子從與金屬離子接觸的硅基板2表面被抽出。結(jié)果在硅基板2上生成空穴，引起硅基板的氧化溶解。這樣，在上述硅基板2表面形成無數(shù)個(gè)孔，孔(凹)和沒有形成孔的部分(凸)形成了多孔質(zhì)層3。此時(shí)第3水溶液的容量比為:HF (濃度 50%) =H2O2 (濃度 30%):H20=400ml ?4000ml: 400ml ?2000ml:10000ml?20000ml。通過對(duì)娃基板2的浸潰時(shí)間進(jìn)行控制,可以控制構(gòu)成多孔質(zhì)層3的孔的大小。例如，如果孔(凹)大，則與沒有形成孔的部分(凸)之間的高低差就變大，從而織構(gòu)的高度也變大。另外，第3水溶液的目的僅在于通過浸蝕在硅基板2表面形成多孔質(zhì)層3，而并非是使金屬離子附著于硅基板2表面，所以不含有金屬離子。
[0037]為了進(jìn)一步確保多孔質(zhì)層的形成，第3水溶液的過氧化氫水的濃度最好控制在不抑制金屬離子的浸蝕的程度。具體地說，過氧化氫水的濃度相對(duì)于氫氟酸的濃度優(yōu)選為25?50%。由于過氧化氫水從娃基板奪取電子的能力強(qiáng)于金屬離子,所以如果過氧化氫水的濃度高于50%，由過氧化氫水進(jìn)行浸蝕的速度則會(huì)快于由金屬離子的催化作用進(jìn)行浸蝕的速度，由此導(dǎo)致硅基板的全體表面被氧化成鏡面，而不能形成多孔質(zhì)層。另外，在過氧化氫水相對(duì)氫氟酸的濃度在上述范圍之外的情況下，即相對(duì)氫氟酸的濃度高于50%以上時(shí)，以及相對(duì)氫氟酸的濃度小于25%時(shí)，都不能使反射率降低。
[0038]如上所述，本實(shí)施方式的太陽電池I的制造方法，在通過浸蝕形成多孔質(zhì)層3之前，先將娃基板2浸潰在含有金屬離子的第2水溶液中，使金屬離子附著在該娃基板2表面。由此，與同時(shí)進(jìn)行金屬離子的附著和浸蝕的現(xiàn)有技術(shù)相比，可以使金屬離子均勻地附著于娃基板表面2。
[0039]而且，第2水溶液雖然含有金屬離子，但由于不像現(xiàn)有技術(shù)那樣含有氧化劑和氫氟酸，所以可以更容易地測定金屬離子的濃度。因此在本實(shí)施方式中，通過更有效地控制第2水溶液中所含有的金屬離子的濃度，不僅可以使金屬離子均勻地附著在一塊硅基板2表面內(nèi)，而且即使同樣將第2水溶液用于多塊硅基板2，也可以使金屬離子均勻地附著在多塊硅基板2的表面，因此可以整體控制金屬離子附著量的偏差。
[0040]此外,在本實(shí)施方式中，在金屬離子附著在娃基板2表面之后,將上述娃基板2浸潰在含有氫氟酸和過氧化氫水的第3水溶液中，通過上述金屬離子的催化反應(yīng)，在上述硅基板2表面形成多孔質(zhì)層3。這樣,通過控制娃基板2的浸潰時(shí)間和氫氟酸與過氧化氫水的比例，可以控制由催化反應(yīng)所形成的孔的大小。因此，本實(shí)施方式可以在硅基板2表面形成高度更均勻的織構(gòu)。
[0041]使金屬離子附著在硅基板2表面以后，將上述硅基板2按照規(guī)定的時(shí)間浸潰在對(duì)氫氟酸與過氧化氫水的濃度進(jìn)行管理的第3水溶液中，在硅基板2表面形成多孔質(zhì)層3，因此可以在硅基板2表面更均勻地形成織構(gòu)。
[0042]形成多孔質(zhì)層3的第3水溶液，會(huì)與硅基板2的加工數(shù)量成比例地發(fā)生劣化，需要更換，但在本實(shí)施方式的情況下，由于第3水溶液與含有金屬離子的第2水溶液分別放置，所以無需如現(xiàn)有技術(shù)那樣廢棄金屬離子，由此可以簡化對(duì)水溶液的管理。
[0043]另外，在上述步驟SP3之后，也可以追加以下步驟。即，在步驟SP4中進(jìn)行水清洗，在步驟SP5中，將上述硅基板2浸潰在含有氫氟酸和硝酸的第4溶液中進(jìn)行浸蝕。由此，在本實(shí)施方式中可以得到去除金屬離子的效果。在此情況下，第4水溶液的容量比為:HF (濃度 50%) =HNO3 (濃度 69%) =H2O=IOOml ?500ml:600ml ?3000ml: 10000ml ?50000ml。浸潰時(shí)間可以為240秒?360秒。
[0044]在此后的步驟SP6中，進(jìn)行水清洗，接著將上述硅基板2浸潰在堿性藥液中去除銹膜(步驟SP7)。銹膜指的是:因浸蝕而在硅基板2表面所形成的黑褐色的膜。最后通過進(jìn)行水清洗，可以得到本實(shí)施方式的具有多孔質(zhì)層3的硅基板2 (步驟SP8)。
[0045]下面，對(duì)上述實(shí)施方式的太陽電池I的制造方法的實(shí)施例進(jìn)行說明。本實(shí)施例的硅基板2使用P型硅基板。將硅基板2浸潰在將容量比調(diào)整為HF (濃度50%):H20=1200ml:10000ml的第I溶液中300秒，去除天然氧化膜。然后將上述硅基板2以豎起狀態(tài)浸潰在將容量比調(diào)整為AgNO3 (濃度3E-4M):H20=3ml:1000ml的第2溶液中，通過非電解鍍使上述金屬離子附著在上述硅基板2表面。此時(shí)的鍍層條件為:浸潰時(shí)間300秒，第2水溶液的溫度26度。另外，用泵循環(huán)器使第2水溶液在硅基板2的周圍流動(dòng)。再使用測定溶液電阻的電阻測定裝置測定金屬離子的濃度。
[0046]由此，將金屬離子附著在娃基板表面2A的SEM (Scanning ElectronMicroscope)圖像示于圖3。由該圖可知，按照本實(shí)施方式的太陽電池I的制造方法，可以使金屬離子4更均勻地附著在硅基板表面2A。
[0047]接著，將上述硅基板2浸潰在將氫氟酸與過氧化氫水的容量比調(diào)整為HF (濃度50%) =H2O2 (濃度30%):H20=1200ml:600ml:10000ml的第3水溶液中，通過上述金屬離子的催化反應(yīng)，在上述硅基板2表面形成多孔質(zhì)層3。由此，將形成有多孔質(zhì)層3的硅基板2表面的SEM圖像示于圖4。由該圖可知，按照本實(shí)施例的太陽電池I的制造方法，可以在硅基板2表面更均勻地形成織構(gòu)3。
[0048]然后，將形成有多孔質(zhì)層的硅基板2浸潰在將氫氟酸與硝酸的容量比調(diào)整為HF(濃度50%) =HNO3 (濃度69%):H20=400ml:3000ml:6000ml的第4水溶液中，進(jìn)行浸蝕。由此，將浸蝕后的硅基板2表面的SEM圖像示于圖5。由該圖可知，按照本實(shí)施例的太陽電池I的制造方法，可以在硅基板2表面更均勻地形成織構(gòu)。
[0049]針對(duì)上述實(shí)施例，制作了同時(shí)進(jìn)行金屬離子的附著和浸蝕的比較例。本比較例準(zhǔn)備P型多晶硅板(硼摻雜，I?3 Ω Cm, 15 X 15cm角，厚度280 μ m)作為硅基板，使用堿去除硅基板表面的損傷層。然后，在裝入HF (濃度50%) =H2O2 (濃度30%):H20 =AgNO3 (0.1M)=400ml:200ml: 1600ml:4.4ml (〔Ag+〕=2E_4M)藥液的槽內(nèi)，將硅基板呈豎立狀態(tài)進(jìn)行3分鐘的浸蝕。此后，上述硅基板經(jīng)過水洗，干燥，用HF (濃度50%) =HNO3 (濃度69%):H20:=1:9:15的容量比的混合酸進(jìn)行3分鐘的浸蝕。將這樣制作的比較例的SEM圖像示于圖6。由該圖可知，按照本比較例，可以確認(rèn)形成了多個(gè)毫微尺寸的四邊形孔10，織構(gòu)的大小偏差很大。
[0050]然后，調(diào)查了第3水溶液中的過氧化氫水的濃度對(duì)形成多孔質(zhì)層的影響。對(duì)于容量比為HF (濃度50%):H20=400ml:8000ml的氫氟酸水溶液，分別添加0ml、100ml、200ml、300ml、400ml、500ml的過氧化氫水(濃度50%)，制成6種第3水溶液。在上述第3水溶液中，分別將表面附著有金屬離子的娃基板浸潰10分鐘進(jìn)行浸蝕。確認(rèn)浸蝕后的娃基板表面。其結(jié)果如圖7所示，可以看出過氧化氫水的添加量越多，硅基板表面越趨于鏡面。
[0051]過氧化氫水的氧化還原電位為1.78 (V，相對(duì)于標(biāo)準(zhǔn)氫電極電壓)，高于金屬離子(例如Ag離子的氧化還原電位為0.08 (V，相對(duì)于標(biāo)準(zhǔn)氫電極電壓))。即，可以說過氧化氫水從硅基板奪取電子的能力比金屬離子強(qiáng)。因此可以認(rèn)為:過氧化氫水的濃度高時(shí)，由過氧化氫水進(jìn)行浸蝕的速度快于由金屬離子催化作用進(jìn)行浸蝕的速度，硅基板的全體表面被氧化成鏡面。
[0052]從本實(shí)施例的結(jié)果可以確認(rèn):過氧化氫水的添加量在300ml以上時(shí)(圖7D)，硅基板表面20D呈鏡面。而過氧化氫水的添加量在IOOml (圖7B)，200ml (圖7C)時(shí)，硅基板表面20B、20C由于生銹呈茶褐色。這表示由金屬離子造成的浸蝕得到了促進(jìn)。另外，在不添加過氧化氫水的情況下(圖7A)，硅基板表面20A因薄銹而呈白濁色。
[0053]接著測定對(duì)浸蝕后的娃基板上照射800nm的光時(shí)的反射率。將結(jié)果不于圖8。從本圖可以確認(rèn):通過將過氧化氫水的添加量設(shè)為100ml、200ml,可以使反射率降低。因此，太陽電池使用將過氧化氫水的添加量設(shè)為100ml、200ml的第3水溶液進(jìn)行浸蝕的硅基板，可以降低由于光反射引起的損失，可望提高光的轉(zhuǎn)換效率。
[0054]由此確認(rèn):過氧化氫水的添加量大于100ml，小于200ml，即通過將過氧化氫水的濃度相對(duì)氫氟酸的濃度比設(shè)定為25%以上50%以下時(shí)，可以形成多孔質(zhì)層。
[0055]變型例
[0056]本發(fā)明不限定于上述實(shí)施方式，在本發(fā)明的宗旨范圍內(nèi)，可以進(jìn)行適宜的變化。
[0057]例如，雖然上述實(shí)施方式對(duì)使用Ag離子作為金屬離子的情況進(jìn)行了說明，但本發(fā)明不限于此，也可以使用Au離子，Cu離子，Pt離子，Pd離子等。
【權(quán)利要求】
1.太陽電池的制造方法，通過使用金屬離子進(jìn)行浸蝕，在硅基板的表面形成多孔質(zhì)層，其特征在于，具有: 將上述硅基板浸潰在含有氫氟酸的第I水溶液中，去除上述硅基板表面的天然氧化膜的步驟； 將去除上述天然氧化膜后的上述硅基板浸潰在含有上述金屬離子的第2水溶液中，通過非電解鍍使上述金屬離子附著在上述硅基板表面的步驟；以及， 將表面附著有上述金屬離子的上述娃基板浸潰在含有氫氟酸和過氧化氫水的第3水溶液中，通過上述金屬離子的催化反應(yīng)，在上述硅基板表面形成上述多孔質(zhì)層的步驟。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太陽電池的制造方法，其特征在于，在使上述金屬離子附著在上述硅基板表面的步驟中，測定上述金屬離子的濃度，并按規(guī)定控制該金屬離子的濃度。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太陽電池的制造方法，其特征在于，上述第3水溶液過氧化氫水的濃度相對(duì)于氫氟酸為25%?50%。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太陽電池的制造方法，其特征在于，還具有將形成有上述多孔質(zhì)層的上述硅基板，浸潰在含有氫氟酸和硝酸的第4水溶液中進(jìn)行浸蝕的步驟。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太陽電池的制造方法，其特征在于，還具有將上述硅基板浸潰在堿性藥液中進(jìn)行浸蝕的步驟。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太陽電池的制造方法，其特征在于，在上述硅基板表面形成上述多孔質(zhì)層的步驟中， 通過控制上述硅基板的浸潰時(shí)間和上述氫氟酸與上述過氧化氫水的比例，對(duì)構(gòu)成上述多孔質(zhì)層的孔的大小進(jìn)行控制。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太陽電池的制造方法，其特征在于，在將上述金屬離子附著在上述硅基板表面的步驟中，一邊使含有上述金屬離子的上述第2水溶液流動(dòng)，一邊進(jìn)行非電解鍍。
【文檔編號(hào)】H01L31/18GK103918090SQ201280048866
【公開日】2014年7月9日 申請(qǐng)日期:2012年7月31日 優(yōu)先權(quán)日:2011年10月7日
【發(fā)明者】熊谷晃 申請(qǐng)人:Jet股份有限公司