共模噪聲濾波器以及其制造方法
【專利摘要】共模噪聲濾波器具備：第一絕緣層；配置于第一絕緣層的上表面的第一線圈導體；配置于第一絕緣層的下表面的第二線圈導體；覆蓋第一線圈導體地配置于第一絕緣層的上表面、含有玻璃和無機填料并具有在內部分散的多個氣孔的第二絕緣層；和覆蓋第二線圈導體地配置在第二絕緣層的下表面的第三絕緣層。第一絕緣層含有玻璃和無機填料，具有在內部分散的多個氣孔。第二絕緣層覆蓋第一線圈導體，含有玻璃和無機填料，具有在內部分散的多個氣孔。第三絕緣層覆蓋第二線圈導體，含有玻璃和無機填料，具有在內部分散的多個氣孔。該共模噪聲濾波器能以高成品率得到極其優(yōu)秀的高頻特性。
【專利說明】共模噪聲濾波器以及其制造方法
【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉及具備配置在磁性體基板間的一對線圈導體的共模噪聲濾波器以及其制造方法。
【背景技術】
[0002]近年來，伴隨著例如USB (Universal Serial Bus,通用串行總線)和HDMI (High-Definition Multimedia Interface,高清晰多媒體接口)等的高速接 口的進一步的高速化，輻射噪聲對策成為問題。為此，為了除去被稱作成為該輻射噪聲的原因的共模噪聲，期望能有應對高頻的共模噪聲濾波器。
[0003]該共模噪聲濾波器具備同向卷繞的2根線圈。通常若使電流流過線圈就會產(chǎn)生磁場，通過自感效應而出現(xiàn)制動效果。
[0004]共模噪聲濾波器的2根線圈利用兩者的相互作用來阻止共模噪聲的電流的通過。具體地，在2根線圈流過差動模式的電流時，由于這些電流反向地流動，因此從該電流產(chǎn)生磁通相抵，從而電流順暢地流動。另一方面，由于共模噪聲的電流同方向地流過，因此在線圈產(chǎn)生的磁通合成從而相互增強。其結果，通過自感效應引起電動勢而使得更強的制動效應發(fā)揮作用，能阻止共模噪聲電流的通過。
[0005]專利文獻I公開了具備層疊在一對氧化物磁性體層間的多個線圈用導體圖案和絕緣層的共模噪聲濾波器。上述一對氧化物磁性體層由N1-Zn-Cu系鐵氧體構成，絕緣層由Cu-Zn系鐵氧體或Zn系鐵氧體構成。
[0006]在該共模噪聲濾波器中，通過使2根線圈靠近來合成在線圈產(chǎn)生的磁通，并使其相互增強，來使更強的制動效應發(fā)揮作用，期望使作為共模噪聲濾波器的功能更好地發(fā)揮。但是，由于若使2根線圈接近就會使線圈間的寄生電容變高，因此產(chǎn)生諧振現(xiàn)象，阻礙高頻信號電流的通過。
[0007]伴隨近年來的高頻化，作為絕緣層使用玻璃系材料。一般而言，鐵氧體材料的介電常數(shù)為10?15程度，與此相對，添加了低介電常數(shù)的二氧化硅系填料的玻璃系材料的介電常數(shù)為4?6程度。在專利文獻2記載的噪聲濾波器中，通過用玻璃系材料形成絕緣層能適當?shù)亟档途€圈間的寄生電容，結果，比起現(xiàn)有的將非磁性鐵氧體材料用在絕緣層的構成，能得到特性良好的噪聲濾波器。
[0008]專利文獻3記載了為了得到高頻特性良好的電子部件而使用介電常數(shù)低的有氣孔的材料的陶瓷電子部件和其制造方法。在對置的一對線圈導體間層疊由玻璃系材料且在內部設有多個氣孔的絕緣層而得到的層疊體中，能顯著降低線圈間的寄生電容，其結果，能得到高頻特性極其優(yōu)秀的共模噪聲濾波器。
[0009]但是，在由N1-Zn-Cu系鐵氧體形成上述層疊體的氧化物磁性體層的情況下，氧化物磁性體層、絕緣層以及線圈導體各自由完全不同的材料構成。因此，要想在這些層間不發(fā)生裂紋和脫層這樣的構造缺陷地一體同時燒成層疊體，非常困難。進而，即使能通過適當?shù)卦O定燒成條件來實現(xiàn)基于層疊體的各層的同時燒成的一體化，之后在層疊體印刷形成的外部端子電極的燒固等燒成后熱處理工序中，也有在線圈導體間的絕緣層產(chǎn)生裂紋的情況。
[0010]先行技術文獻
[0011]專利文獻
[0012]專利文獻I JP特開2003-124028號公報
[0013]專利文獻2 JP特開2004-235494號公報
[0014]專利文獻3 JP特開平11-067575號公報

【發(fā)明內容】

[0015]共模噪聲濾波器具有:第一絕緣層；第一線圈導體，其配置在第一絕緣層的上表面；第二線圈導體，其配置在第一絕緣層的下表面；第二絕緣層，其覆蓋第一線圈導體地配置在第一絕緣層的上表面，含有玻璃和無機填料，具有在內部分散的多個氣孔；和第三絕緣層，其覆蓋第二線圈導體地配置在第二絕緣層的下表面。第一絕緣層含有玻璃和無機填料，具有在內部分散的多個氣孔。第二絕緣層覆蓋第一線圈導體，含有玻璃和無機填料，有在內部分散的多個氣孔。第三絕緣層覆蓋第二線圈導體，含有玻璃和無機填料，具有在內部分散的多個氣孔。
[0016]該共模噪聲濾波器能以高成品率得到極其優(yōu)秀的高頻特性。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0017]圖1是本發(fā)明的實施方式I中的共模噪聲濾波器的立體圖。
[0018]圖2是實施方式I中的共模噪聲濾波器的分解立體圖。
[0019]圖3是圖1所示的共模噪聲濾波器的線3-3的截面圖。
[0020]圖4是圖1所示的共模噪聲濾波器的放大截面圖。
[0021]圖5是實施方式I中的其它共模噪聲濾波器的放大截面圖。
[0022]圖6是表示實施方式I中的共模噪聲濾波器的制造工序的圖。
[0023]圖7是表示實施方式I中的共模噪聲濾波器的評價結果的圖。
[0024]圖8是本發(fā)明的實施方式2中的共模噪聲濾波器的立體圖。
[0025]圖9是實施方式2中的共模噪聲濾波器的分解立體圖。
[0026]圖10是圖8所示的共模噪聲濾波器的線10-10中的截面圖。
[0027]圖11是圖8所示的共模噪聲濾波器的放大截面圖。
[0028]圖12是表示實施方式2中的共模噪聲濾波器的評價結果的圖。
[0029]圖13是表示實施方式2中的共模噪聲濾波器的制造工序的圖。
【具體實施方式】
[0030](實施方式I)
[0031]圖1和圖2分別是本發(fā)明的實施方式I中的共模噪聲濾波器1001的立體圖和分解立體圖。圖3是圖1所示的共模噪聲濾波器1001的線3-3的截面圖。
[0032]共模噪聲濾波器1001具有:絕緣層Ila ;配置在絕緣層Ila的上表面Illa的線圈導體12a ;與線圈導體12a抵接并覆蓋線圈導體12a地配置在絕緣層Ila的上表面Illa的絕緣層Ilb ;配置在絕緣層Ila的下表面211a的線圈導體12b ;與線圈導體12b抵接并覆蓋線圈導體12b地配置在絕緣層Ila的下表面211a的絕緣層Ilc ;配置在絕緣層Ilb的上表面Illb的氧化物磁性體層15a ;配置在絕緣層Ilc的下表面211c的氧化物磁性體層15b ;與線圈導體12a電連接的引出電極13a ;將線圈導體12a和引出電極13a相連的通孔電極14a ;與線圈導體12b電連接的引出電極13b ;將線圈導體12b和引出電極13b相連的通孔電極14b ;和外部端子電極17。外部端子電極17與線圈導體12a、12b、引出電極13a、13b連接。共模噪聲濾波器1001還具有:由與氧化物磁性體層15a相同的材料構成的一個以上的氧化物磁性體層15c ;由與氧化物磁性體層15b相同的材料構成的一個以上的氧化物磁性體層15d ;—個以上的絕緣層16a ;和一個以上的絕緣層16b。絕緣層16a與氧化物磁性體層15a、15c交替層疊。絕緣層16b與氧化物磁性體層15b、15d交替層疊。引出電極13a設于絕緣層Ilb的上表面111b。通孔電極14a從上表面Illb到下表面211b地貫通絕緣層lib。氧化物磁性體層15a與引出電極13a抵接而覆蓋引出電極13a地配置在絕緣層Ilb的上表面111b。引出電極13b設于絕緣層Ilc的下表面211c。通孔電極14b從上表面Illc到下表面211c地貫通絕緣層11c。氧化物磁性體層15b與引出電極13b抵接并覆蓋引出電極13b地配置在絕緣層Ilc的下表面211c。
[0033]絕緣層Ila由硼硅酸玻璃和無機填料構成。氧化物磁性體層15a、15b在其間夾持絕緣層11a、lib、11c。絕緣層16a、16b含有玻璃成分，沒有在內部分散的氣孔。絕緣層11a、llb、llc與氧化物磁性體層15a、15b、15c、15d不同,是實質沒有磁性的非磁性的層。
[0034]氧化物磁性體層15a、15b、15c、15d由以Fe2O3為基體的鐵氧體等的磁性材料構成。在實施方式I中，氧化物磁性體層15a、15c的數(shù)量總計為3，絕緣層16a的數(shù)量為2，氧化物磁性體層15b、15d的數(shù)量總計為3，絕緣層16b的數(shù)量為2。通過與氧化物磁性體層15a、15c交替地配置絕緣層16a，與氧化物磁性體層15b、15d交替地配置絕緣層16b，能提高與外部端子電極17的粘接強度。另外，能使有與絕緣層Ila不同的材料構成的氧化物磁性體層15a、15b、15c、15d的燒成收縮情況更接近絕緣層11a，防止一體同時燒成中的層間的裂紋或剝落。氧化物磁性體層15a、15c的數(shù)量總計和氧化物磁性體層15b、15d的數(shù)量總計也可以是2。另外，共模噪聲濾波器1001也可以不具有含有玻璃成分的絕緣層16a、16b。
[0035]線圈導體12a、12b通過將Ag等導電材料成型為漩渦狀來進行鍍而形成，分別介由通孔電極14a、14b而與引出電極13a、13b電連接。
[0036]線圈導體12a、12b的形狀并不限于漩渦狀，也可以是螺旋狀、蛇行狀等等其它形狀。線圈導體12a、12b的形成方法并不限定于鍍，還能用其它的印刷或蒸鍍等的方法形成。
[0037]圖4是共模噪聲濾波器1001的放大截面圖。在絕緣層Ila的內部分散多個氣孔911a，在絕緣層Ilb的內部分散多個氣孔911b，在絕緣層Ilc的內部分散多個氣孔911c。由此，能使絕緣層Ila的有效介電常數(shù)較低，并能在燒成后的熱處理工序中緩和向絕緣層Ila的應力集中，抑制在線圈導體12a、12b近旁發(fā)生裂紋。
[0038]優(yōu)選地，通過將作為氣孔911a的合計的體積相對于絕緣層Ila的體積的比率的氣孔率、作為氣孔911b的合計的體積相對于絕緣層Ilb的體積的比率的氣孔率、和作為氣孔911c的合計的體積相對于絕緣層Ilc的體積的比率的氣孔率設為5?40vol%，能在保持材料強度的同時適當?shù)刂\求絕緣層Ila的低介電常數(shù)化。
[0039]作為在絕緣層Ila?Ilc形成氣孔911a?911c的方法，期望在絕緣層Ila?Ilc的原材料的原料粉末的玻璃粉末以及無機填料粉末中混合在燒成溫度和包含其近旁的燒成溫度域熱分解而產(chǎn)生氣體的無機發(fā)泡劑。
[0040]為了在玻璃和陶瓷內部形成氣孔，也可以向原料粉末添加燒成時消失的消失粒子或中空粒子。作為消失粒子能使用聚乙烯等的樹脂粒子。
[0041]但是，在使用樹脂粒子作為消失粒子的氣孔形成手法中，樹脂粒子直到大約500°C為止才消失。因此，若要確保氣孔率的上述的范圍，則易于生成在絕緣層Ila?Ilc所面對的表面開口且相互相連的開氣孔構成的連通開氣孔，易于因吸濕等而使可靠性變差。要是按照不生產(chǎn)連通開氣孔地實施燒結，則氣孔率會變低。
[0042]另外，在利用中空粒子的氣孔形成手法中，原理上不會形成開氣孔。因此，電極材料并不進入或侵蝕絕緣層的氣孔內部，難以使與線圈導體12a、12b的接合強度較大。進而，一般由于中空粒子高價，因此制造成本變高。
[0043]在添加上述的無機發(fā)泡劑的手法中，在燒成溫度域，絕緣層Ila?Ilc的燒成收縮某種程度發(fā)生，在玻璃融液潤濕填料以及無機發(fā)泡劑后，發(fā)泡劑熱分解而產(chǎn)生氣體。由此，將產(chǎn)生的氣體適當?shù)亟亓粼诓Ａ炔?。因此能夠使獨立閉氣孔高密度地生成，由于不僅易于得到高的氣孔率還形成獨立開氣孔，因此易于確保與線圈導體12a、12b的接合強度。
[0044]所謂開氣孔，是指其一部分與構成絕緣層的玻璃系材料的外部相通的氣孔，所謂閉氣孔，是指在該玻璃系材料內部、不與該玻璃系材料外部相通的氣孔。另外，連通氣孔是指具有多個氣孔相連的形態(tài)的氣孔，獨立氣孔是指單獨存在于該玻璃系材料內部的氣孔。作為無機發(fā)泡劑特別適于使用CaCO3或SrC03。
[0045]作為該無機發(fā)泡劑而期望使用CaCO3或SrCO3,但也可以混合CaCO3和SrCO3來使用。另外，只要是在600°C到1000°C分解的材料即可，能將各種碳酸鹽、硝酸鹽、硫酸鹽等用作無機發(fā)泡劑，例如能使用BaC03、Al2 (S04) 3、Ce2 (SO4) 3。然后，該無機發(fā)泡劑的分解完成的分解完成溫度為600°C到1000°C，更優(yōu)選為700°C到1000°C。只要分解完成溫度在該范圍內，就能將在升溫過程中產(chǎn)生的氣體合適地截留在絕緣層lla、llb、llc內部。
[0046]在此，所謂分解完成溫度，是進行作為發(fā)泡劑使用的原料粉末的TG-DTA測定(用(株)RIGAKU制的TG8120進行測定)，在其TG圖譜上完成減少的溫度。
[0047]另外，無機發(fā)泡劑的添加量期望lwt%?4wt%，由于只要為5wt%以下就幾乎不會生成由相互相連的多個氣孔構成的連通開氣孔，因此能使絕緣層lla、llb、llc的吸水率為0.5%以下。由此，即使不施予樹脂浸滲等特殊的處理也能確保足夠的絕緣可靠性。
[0048]在絕緣層11a、lib、Ilc中使用的硼硅酸玻璃的玻璃組成期望由除了 Si02、B2O3以外還含有從Al2O3、堿金屬氧化物選出的任意I個種類以上的材料構成。另外，考慮對環(huán)境的不良影響，該玻璃組成期望實質不含有PbO。
[0049]在絕緣層11a、lib、Ilc中使用的硼硅酸玻璃的玻璃屈服點期望550°C以上、750°C以下。這是因為，在玻璃屈服點不足550°C的情況下，燒成時的變形顯著，另外由于化學耐性變差，因此在鍍等的過程中也有出現(xiàn)問題的情況。另外，若玻璃屈服點超過750°C，則有在能與線圈導體12a、12b同時燒成可能的溫度域的致密化不足夠的情況。
[0050]在此，所謂玻璃屈服點，是使用玻璃的棒狀樣品進行TMA測定(用(株)RIGAKU制的TMA8310進行測定)時從膨脹轉向收縮的溫度。
[0051]作為在絕緣層11a、lib、Ilc中使用的無機填料，只要在燒成時難以與硼硅酸玻璃起反應即可，能使用氧化鋁、透輝石、多鋁紅柱石、堇青石、二氧化硅等各種材料。特別由于通過將介電常數(shù)低的堇青石或二氧化硅作為無機填料使用能有效果地降低配置于線圈導體12a、12b間的絕緣層Ila的介電常數(shù)、配置于線圈導體12a與引出電極13a間的絕緣層Ilb的介電常數(shù)、以及配置于線圈導體12b與引出電極13b間的絕緣層Ilc的介電常數(shù)，因此期望。
[0052]圖5是實施方式I中的其它共模噪聲濾波器1002的放大截面圖。在圖5中，對與圖3、圖4所示的共模噪聲濾波器1001相同的部分賦予相同的參考編號。在共模噪聲濾波器1002中，與引出電極13a抵接并覆蓋引出電極13a地在絕緣層Ilb的上表面Illb配置含有玻璃成分的絕緣層16c,在絕緣層16c的上表面116c配置氧化物磁性體層15a。另外，與引出電極13b抵接并覆蓋引出電極13b地在絕緣層Ilc的下表面211c配置含有玻璃成分的絕緣層16d，在絕緣層16d的下表面216d配置氧化物磁性體層15b。如此，氧化物磁性體層15a、15b分別不與引出電極13a、13b抵接。氧化物磁性體層15a、15b由于在能與Ag同時燒成的溫度域難以燒結，通過不與引出電極13a、13b抵接能進一步提高針對吸濕的可靠性。絕緣層16c、16d沒有在內部分散的氣孔。
[0053]通過將共模噪聲濾波器1001(1002)的上述的構成部品一體化來構成層疊體IOOlA0在層疊體1001A的兩側部設置由Ag構成的4個外部端子電極17。外部端子電極17分別與線圈導體12a、12b和引出電極13a、13b連接。另外，為了抑制電極的腐蝕，期望在外部端子電極17的表面施予鎳鍍層、錫鍍層。
[0054]接下來說明共模噪聲濾波器1001的制造方法。圖6是表示共模噪聲濾波器1001的制造工序的圖。
[0055]首先，制作并準備構成絕緣層Ila的絕緣薄片。將硼硅酸玻璃粉末63wt%、SrCO3粉末4wt%和無機填料33wt%配合、混合來得到混合粉末(步驟S101)。之后作為有機粘合劑混合PVB ( 丁醛樹脂)以及丙烯酸樹脂、增塑劑BBP (鄰苯二甲酸丁芐酯)，使上述的混合粉末分散來制作漿料(步驟S102)。
[0056]接下來，用刮刀法將該漿料涂布在PET (聚對苯二甲酸乙二醇酯)薄膜上來使?jié){料成形，從而得到生片的絕緣薄片(步驟S103)。
[0057]制作并準備構成絕緣層lib、Ilc的絕緣薄片。將硼硅酸玻璃粉末63wt%、SrC03粉末4wt%和無機填料33wt%配合、混合來得到混合粉末。之后，與構成絕緣層Ila的絕緣薄片同樣地從該混合粉末制作衆(zhòng)料，使該衆(zhòng)料成形來得到絕緣薄片。
[0058]制作并準備構成氧化物磁性體層15a~15d的氧化物磁性體薄片。準備鐵氧體材料IOOwt %的粉末。之后，與構成絕緣層Ila的絕緣薄片同樣地從該粉末制作漿料，將該漿料成形來得到氧化物磁性體薄片。
[0059]制作并準備構成絕緣層16a、16b的絕緣薄片。將硼硅酸玻璃粉末69?丨％和無機填料31wt%配合、混合來得到混合粉末。之后，與構成絕緣層Ila的絕緣薄片同樣地從該混合粉末制作漿料，將該漿料成形來得到絕緣薄片。
[0060]在實施方式I中，如上述那樣，絕緣層Ila由與絕緣層IlbUlc相同的材料構成。即使是不同的材料，只要與絕緣層Ila同樣，絕緣層IlbUlc也有在內部分散的多個氣孔，就有同樣的效果。
[0061]接下來，在構成絕緣層IlbUlc的絕緣薄片的給定位置形成通過孔，填充由Ag粉末和玻璃料構成的導電膏。將該導電膏燒成來構成通孔電極14a、14b (步驟S104)。[0062]接下來，形成線圈導體12a、12b和引出電極13a、13b。用鍍來以給定圖案形狀在基體板形成由Ag構成的成為線圈導體12a、12b和作為引出電極13a、13b的導體圖案。之后，從基體板將這些導體圖案轉印到構成絕緣層lla、llb、llc的絕緣薄片。
[0063]另外，這些薄片的制作方法并不限于上述方法，也可通過膏印刷來構成各層，另外線圈導體12a、12b和引出電極13a、13b以及通孔電極14a、14b的形成方法并不特別限定于上述。
[0064]之后，依次層疊包括轉印了導體圖案的絕緣薄片在內的各薄片來制作薄片層疊體，將該薄片層疊體切斷成所希望的尺寸來獲得單片的層疊體1001A (步驟S105)。通常，共模噪聲濾波器1001這樣的芯片部件將50mm見方以上的薄片層疊體切斷成約I?2mm見方程度來得到層疊體1001A。
[0065]接下來，以給定的溫度、時間燒成層疊體1001A來繼續(xù)燒結，并且從無機發(fā)泡劑產(chǎn)生氣體，從而得到燒成體1001B (步驟S106)。此時，混合在絕緣層Ila?Ilc的原材料中的作為無機發(fā)泡劑的SrCO3粉末熱分解、在層疊體1001A內部產(chǎn)生二氧化碳。由此，在絕緣層Ila?Ilc形成多個氣孔911a?911c，并在絕緣層Ila?Ilc殘留Sr元素。另外，在作為無機發(fā)泡劑而使用CaCO3的情況下，在絕緣層Ila?Ilc內部形成多個氣孔911a?911c并殘留Ca元素。
[0066]接下來，對燒成體施予滾筒研磨(步驟S107)。具體地，將約I萬個燒成體與直徑2mm的媒介、SiC研磨劑和純水投入到行星研磨機內，以150rpm旋轉10分鐘。由此,除去燒成體的表面的凹凸并進行角部的倒角，外部端子電極17良好地涂布在燒成體。
[0067]在滾筒研磨后，在燒成體的兩側面，與線圈導體12a、12b和引出電極13a、13b電連接地涂布含有Ag粉末和玻璃料的導電膏，之后在700°C下對導電膏進行燒固熱處理來形成外部端子電極17(步驟S108)。
[0068]在實施方式I中的共模噪聲濾波器1001中，由于絕緣層Ila?Ilc在內部僅包含獨立閉氣孔，幾乎不生成連通開氣孔，因此即使不施予樹脂浸滲等的后處理也能確保足夠的絕緣可靠性。其中，為了確保更高的可靠性，也可以在形成外部端子電極17后將燒成體浸潰在氟系硅烷偶聯(lián)劑等中，使樹脂浸滲到表面的開氣孔內。
[0069]最后通過鍍法在外部端子電極17的表面形成鎳鍍層、錫鍍層來形成共模噪聲濾波器1001(步驟S109)。
[0070]以下使用附圖來說明抑制在實施方式I中的共模噪聲濾波器1001、1002的配置于線圈導體12a、12b間的絕緣層Ila產(chǎn)生的裂紋的效果。
[0071]作為在絕緣層Ila中使用的玻璃，例如能使用熱膨脹係數(shù)3?6ppm/K程度的硼硅酸玻璃。進而，作為形成線圈導體12a、12b的金屬能使用Ag或Cu。Ag和Cu的熱膨脹係數(shù)分別為19ppm/K程度、17ppm/K程度，與硼硅酸玻璃的3?6ppm/K有較大的不同。另外，絕緣層Ila由于具有在內部分散的多個氣孔911a而強度低，因此在配置于絕緣層Ila的上表面Illa的線圈導體12a的上表面、或配置于絕緣層Ila的下表面211a的線圈導體12b的下表面，配置例如鐵氧體這樣的實質不含氣孔的牢固的層的情況下，熱應力集中在強度低于牢固的層的絕緣層11a，產(chǎn)生裂紋。
[0072]在實施方式I中的共模噪聲濾波器1001、1002中，將具有在內部分散的多個氣孔911a的絕緣層Ilb配置在線圈導體12a的上表面，將具有在內部分散的多個氣孔911c的絕緣層Ilc配置在線圈導體12b的下表面。由此，通過熱應力分散分布在隔著線圈導體12a而相鄰的絕緣層lla、llb，同樣地，熱應力分散分布在隔著線圈導體12b而相鄰的絕緣層11a、11c，緩和了向絕緣層Ila的應力集中，能抑制裂紋的發(fā)生。
[0073]圖7表示對圖5所示的實施方式I中的共模噪聲濾波器1002的裂紋的發(fā)生的評價結果。改變絕緣層lib、11c、16c、16d的厚度來制作樣本編號I?6的樣本，確認有沒有在這些樣本的絕緣層Ila產(chǎn)生的裂紋。在這些樣本中，絕緣層Ilb與絕緣層16c的厚度合計和絕緣層Ilc與絕緣層16d的厚度合計都恒定為25 μ m，將絕緣層Ila的厚度設為25 μ m。對各樣本編號，從形成外部端子電極17后的約I萬個燒成體隨機提取50個樣本，用掃描型電子顯微鏡(SEM)觀察各樣本的四側面部，將在當中至少一個側面確認到裂紋樣本判定為不合格品。圖7對于各樣本編號將不合格品的數(shù)量相對于樣本的數(shù)量50之比表示為裂紋的發(fā)生率。
[0074]另外，由于在燒成后絕緣層lla、llb、llc、16c、16d分別被燒結而一體化，因此在SEM的觀察時有難以確認各個層的邊界的情況。在實施方式I中，如以下那樣來定義各層的邊界。絕緣層Ila與絕緣層Ilb的邊界定義為穿過在層疊方向上將線圈導體12a 二等分的點、與燒成體的上表面或下表面大致平行的線段。同樣地，絕緣層Ila與絕緣層Ilc的邊界定義為穿過在層疊方向上將線圈導體12b 二等分的點、與燒成體的上表面或下表面大致平行的線段。同樣地，絕緣層Ilb與絕緣層16c的邊界定義為穿過在層疊方向上將引出電極13a 二等分的點、與燒結體的上表面或下表面大致平行的線段。同樣地，絕緣層Ilc與絕緣層16d的邊界定義為在層疊方向上將引出電極13b 二等分的點、與燒結體的上表面或下表面大致平行的線段。另外，在沒有絕緣層IlbUlc的樣本編號I的樣本中，通過在絕緣層16c與氧化物磁性體層15a間設置引出電極13a，在絕緣層16d與氧化物磁性體層15b間設置引出電極13b來定義各層的邊界。在沒有絕緣層16c、16d的樣本編號6的樣本中，通過在絕緣層Ilb與氧化物磁性體層15a間設置引出電極13a來定義各層的邊界。
[0075]另外，樣本中的絕緣層Ila?Ilc的氣孔率都是12%。
[0076]如圖7所示，沒有絕緣層I lb、I lc、將絕緣層16c、16d的厚度設為25 μ m的樣本編號I的裂紋的發(fā)生率為41/50，為80%以上。與此相對，絕緣層IlbUlc的厚度為3μπι的樣本編號2的裂紋的發(fā)生率為5/50，為10%，極大地抑制了裂紋發(fā)生。如樣本編號3?6那樣，通過將絕緣層IlbUlc的厚度設為5μπι以上，裂紋的發(fā)生率為0/50，顯著降低。
[0077]還研究了沒有絕緣層lib、11c、將絕緣層16c、16d的厚度設為25 μ m、使引出電極13a、13b分別從絕緣層Ila離開3 μ m、5 μ m、10 μ m、15 μ m、25 μ m的距離的樣本的裂紋的發(fā)生率。但是，裂紋的發(fā)生率并不因引出電極13a、13b距絕緣層Ila的距離而變化，不能得到抑制裂紋的效果。
[0078]因此，通過設置絕緣層llb、llc，能極大地抑制用于形成外部端子電極17的導電膏的燒固熱處理后的裂紋的發(fā)生率。進而，通過將絕緣層IlbUlc的厚度設為5μπι以上能顯著發(fā)揮該抑制的效果。
[0079]如以上述那樣，在實施方式I中的共模噪聲濾波器1001、1002中，通過用具有在內部分散的多個氣孔911a的玻璃系材料來構成線圈導體12a、12b間的絕緣層11a，能將在線圈導體12a、12b間發(fā)生的寄生電容抑制到極低。進而，通過絕緣層llb、llc，能不產(chǎn)生外部端子電極17的燒固熱處理后的裂紋等的構造缺陷地以高成品率得到高頻特性極其優(yōu)秀的共模噪聲濾波器1001、1002。
[0080](實施方式2)
[0081]圖8和圖9分別是本發(fā)明的實施方式2中的共模噪聲濾波器2001的立體圖和分解立體圖。圖10是圖8所示的共模噪聲濾波器2001的線10-10的截面圖。在圖8到圖10中，對與圖1到圖3所示的實施方式I中的共模噪聲濾波器100相同的部分賦予相同的參
考編號。
[0082]在實施方式2的共模噪聲濾波器2001中，按照不在絕緣層Ila的上表面Illa和下表面211a露出的方式，將線圈導體12a、12b埋設于絕緣層Ila的內部。共模噪聲濾波器2001取代圖1到圖3所示的實施方式I中的共模噪聲濾波器1001的絕緣層llb、llc，而具備配置于絕緣層Ila的上表面Illa的絕緣層IIcU和配置于絕緣層Ila的下表面211a的絕緣層He。
[0083]共模噪聲濾波器2001具有:絕緣層Ila ;設于絕緣層Ila的上表面Illa的上方的氧化物磁性體層15a ;設于絕緣層Ila的下表面211a的下方的氧化物磁性體層15b ;埋設于絕緣層Ila并相互對置的線圈導體12a、12b ;配置于絕緣層Ila的上表面Illa與氧化物磁性體層15a間的絕緣層Ild ;和配置于絕緣層Ila的下表面211a與氧化物磁性體層15b間的絕緣層lie。氧化物磁性體層15a配置在絕緣層Ild的上表面llld。氧化物磁性體層15b配置在絕緣層Ile的下表面211e。共模噪聲濾波器2001還具有:分別與線圈導體12a、12b電連接的引出電極13a、13b ;分別將線圈導體12a、12b與引出電極13a、13b相連的通孔電極14a、14b ;和分別與線圈導體12a、12b以及引出電極13a、13b連接的外部端子電極17。絕緣層Ila由硼硅酸玻璃和無機填料構成。絕緣層11a、lid、Ile與氧化物磁性體層15a、15b不同，是實質沒有磁性的非磁性的層。絕緣薄片層51a、61a、71a層疊而構成絕緣層11a。
[0084]共模噪聲濾波器2001還具有:由與氧化物磁性體層15a相同的材料構成的一個以上的氧化物磁性體層15c ;由與氧化物磁性體層15b相同的材料構成的一個以上的氧化物磁性體層15d ;—個以上的絕緣層16a ;和一個以上的絕緣層16b。絕緣層16a與氧化物磁性體層15a、15c交替層疊。絕緣層16b與氧化物磁性體層15b、15d交替層疊。引出電極13a設于絕緣層Ila的上表面111a。通孔電極14a貫通絕緣層Ila的絕緣薄片層51a。絕緣層Ild與引出電極13a抵接并覆蓋引出電極13a地配置在絕緣層Ila的上表面111a。引出電極13b設于絕緣層Ila的下表面211a。通孔電極14b貫通絕緣層Ila的絕緣薄片層71a。絕緣層Ile與引出電極13b抵接并覆蓋引出電極13b地配置在絕緣層Ila的下表面211a。
[0085]線圈導體12a、12b通過將Ag等的導電材料漩渦狀地進行鍍而形成，埋設于絕緣層Ila內。引出電極13a設于絕緣層11a、Ild間，引出電極13b設于絕緣層11a、Ile間。線圈導體12a、12b分別介由通孔電極14a、14b與引出電極13a、13b電連接。
[0086]絕緣層11a、lid、Ile由硼硅酸玻璃和無機填料所構成的玻璃系非磁性材料構成，具有絕緣性。
[0087]氧化物磁性體層15a、15b由以Fe2O3為基體的鐵氧體等的磁性材料構成。
[0088]圖11是共模噪聲濾波器2001的放大截面圖。在絕緣層Ila的內部分散多個氣孔911a0
[0089]絕緣層IlcUlle實質不含氣孔。所謂實質不含氣孔，是指使未添加用于形成氣孔的添加物的玻璃系材料充分燒結的狀態(tài)，特別地，更期望其氣孔率為2%以下。[0090]在絕緣層11a、lid、lie中使用的硼硅酸玻璃的玻璃組成期望，由含有除了 Si02、B2O3以外還從Al2O3、堿金屬氧化物選出的任意I個種類以上的添加物的材料構成。另外，考慮到對環(huán)境的不良影響，期望該玻璃組成是指不含PbO。
[0091]在絕緣層11a、lid、lie中使用的硼硅酸玻璃的玻璃屈服點期望550°C以上、750°C以下。在玻璃屈服點不足550°C的情況下，燒成時的變形顯著，另外，由于化學耐性變差，因此有在鍍等的過程中發(fā)生問題的情況。另外，在玻璃屈服點超過750°C的情況下，有時在能與線圈導體12a、12b同時燒成的溫度域下的致密化不足夠。
[0092]作為在絕緣層11a、lid、Ile中使用的無機填料，只要是在燒成時難以與硼硅酸玻璃發(fā)生反應的材料即可，能用氧化鋁、透輝石、多鋁紅柱石、堇青石、二氧化硅等各種材料。作為無機填料，特別地，由于通過使用介電常數(shù)低的堇青石或二氧化硅能有效果地降低絕緣層Ila的介電常數(shù)，因此優(yōu)選。
[0093]接下來，說明實施方式2中的共模噪聲濾波器2001的制造方法。圖13是表示共模噪聲濾波器2001的制造工序的圖。
[0094]首先，制作并準備構成絕緣層Ila的絕緣薄片層5la、6la、7Ia的絕緣薄片。將硼娃酸玻璃粉末63wt%、SrCO3粉末4wt%和無機填料33wt%配合、混合來得到混合粉末(步驟S201)。之后，作為有機粘合劑將PVB ( 丁醛樹脂)以及丙烯酸樹脂、增塑劑BBP (鄰苯二甲酸丁芐酯)混合，使上述混合粉末分散來制作漿料(步驟S202)。
[0095]接下來，通過用刮刀法將該漿料涂布在PET (聚對苯二甲酸乙二醇酯)薄膜上來使?jié){料成形，從而得到作為生片的絕緣薄片(步驟S203)。
[0096]制作并準備構成絕緣層IldUle的絕緣薄片。將硼硅酸玻璃粉末66?丨％和無機填料34wt%配合、混合來得到混合粉末。之后,與構成絕緣薄片層51a、61a、71a的絕緣薄片同樣地從該混合粉末制作衆(zhòng)料，使該衆(zhòng)料成形來得到絕緣薄片。
[0097]制作并準備構成氧化物磁`性體層15a~15d的氧化物磁性體薄片。準備鐵氧體材料10(^丨％的粉末。之后，與構成絕緣薄片層51a、61a、71a的絕緣薄片同樣地從該粉末制作漿料，使該漿料成形來獲得氧化物磁性體薄片。
[0098]制作并準備構成絕緣層16a、16b的絕緣薄片。將硼硅酸玻璃粉末69?丨％和無機填料31wt%配合、混合來得到混合粉末。之后，與構成絕緣薄片層51a、61a、71a的絕緣薄片同樣地從該混合粉末制作衆(zhòng)料，使該衆(zhòng)料成形來得到絕緣薄片。
[0099]另外，在實施方式2中，如上述那樣，分別使構成絕緣層Ila即絕緣薄片層51a、61a、71a以及絕緣層IlcUlle的玻璃以及無機填料為相同的材料。由于若使用玻璃系的材料，則能提高絕緣層IlcUlle與氧化物磁性體層15a、15b的接合強度，并在絕緣層Ila與絕緣層IldUle間形成玻璃彼此的結合層，因此還能提高這些層的接合強度。
[0100]接下來，在構成絕緣薄片層51a、71a的絕緣薄片的給定位置形成通過孔，填充由Ag粉末和玻璃料構成的導電膏。將該導電膏燒成來構成通孔電極14a、14b (步驟S204)。
[0101]形成線圈導體12a、12b和引出電極13a、13b。用鍍以給定圖案形狀在基體板形成成為由Ag構成的線圈導體12a、12b和引出電極13a、13b的導體圖案。之后，從基體板將這些導體圖案轉印到構成絕緣薄片層51a、61a、71a或絕緣層lld、lle的絕緣薄片。
[0102]另外，這些薄片的制作方法并不限于上述方法，也可以通過膏印刷來構成各層，線圈導體12a、12b、引出電極13a、13b以及通孔電極14a、14b的形成方法并不限定于上述。[0103]依次層疊包含轉印了導體圖案的絕緣薄片在內的各絕緣薄片來制作薄片層疊體，將該薄片層疊體切斷為所希望的尺寸來得到單片的層疊體2001A(步驟S205)。通常，共模噪聲濾波器2001這樣的芯片部件將50mm見方以上的薄片層疊體切斷為約I?2mm見方程度來得到層疊體2001A。
[0104]接下來，以給定的溫度、時間燒成層疊體2001A來繼續(xù)燒結，并從無機發(fā)泡劑發(fā)生氣體，從而得到燒成體2001B (步驟S206)。此時，混合在絕緣層Ila的絕緣薄片層51a、61a、71a的原材料中的作為無機發(fā)泡劑的SrCO3粉末熱分解，在層疊體2001A內部產(chǎn)生二氧化碳。由此，在絕緣薄片層51a、61a、71a即絕緣層Ila形成多個氣孔911a,并在絕緣層Ila殘留Sr元素。另外，在作為無機發(fā)泡劑使用CaCO3的情況下，在絕緣層Ila內部形成多個氣孔911a并殘留Ca元素。
[0105]接下來，對燒成體施予滾筒研磨(步驟S207)。具體地，將約I萬個燒成體與直徑2mm的媒介、SiC研磨劑和純水投入到行星研磨機內，以150rpm旋轉10分鐘。由此,去除燒成體的表面的凹凸并進行角部的倒角，外部端子電極17能良好地涂布于燒成體。
[0106]在滾筒研磨后，在燒成體的兩側面與線圈導體12a、12b或引出電極13a、13b電連接地涂布含有Ag粉末和玻璃料的導電膏，之后在700°C下對導電膏進行燒固熱處理來形成外部端子電極17(步驟S208)。
[0107]在實施方式2的共模噪聲濾波器2001中，由于絕緣層Ila在內部僅包含獨立閉氣孔，幾乎不生成連通開氣孔，因此即使不施予樹脂浸滲等的后處理也能確保足夠的絕緣可靠性。但是，為了確保更高的可靠性，也可以將形成外部端子電極17后的燒成體浸潰在氟系硅烷偶聯(lián)劑等中，使樹脂浸滲到表面的開氣孔內。
[0108]最后，通過鍍法在外部端子電極17的表面形成鎳鍍層、錫鍍層來形成共模噪聲濾波器2001(步驟S209)。
[0109]在實施方式2的共模噪聲濾波器2001中，能得到由鐵氧體等磁性體構成的氧化物磁性體層15a、15b與內含氣孔911a的絕緣層Ila的牢固的結合。因此，能通過滾筒研磨等、燒成后的后工序中的應力負荷來抑制在氧化物磁性體層15a、15b與絕緣層IldUle的界面近旁的脫層。
[0110]實施方式2的共模噪聲濾波器2001與實施方式I中的共模噪聲濾波器1001同樣，通過內含氣孔911a的玻璃系材料構成絕緣層Ila而在高頻特性極其優(yōu)秀。
[0111]在實施方式2的共模噪聲濾波器2001中，絕緣層Ila含有玻璃和無機填料，具有在內部分散的多個氣孔911a。不從絕緣層Ila的上表面Illa和下表面211a露出地使線圈導體12a、12b在絕緣層Ila中相互對置配置。在絕緣層Ila的上表面Illa的上方設置氧化物磁性體層15a，在絕緣層Ila的下表面211a的上方設置氧化物磁性體層15b。將含有玻璃和無機填料的絕緣層Ild設于絕緣層Ila的上表面Illa與氧化物磁性體層15a間。將含有玻璃和無機填料的絕緣層Ile設于絕緣層Ila的下表面211a與氧化物磁性體層15b間。占據(jù)在絕緣層Ild的每單位體積的絕緣層Ild的內部的氣孔的合計體積、占據(jù)在絕緣層Ile每單位體積的絕緣層Ile的內部的氣孔的合計體積，小于占據(jù)在絕緣層Ila的每單位體積的多個氣孔911a的合計體積。絕緣層IlcUlle也可以實質上沒有氣孔。
[0112]在實施方式2的共模噪聲濾波器2001中，因以下的理由而能在絕緣層IldUle與氧化物磁性體層15a、15b的界面得到牢固的接合。[0113]在作為絕緣層Ila使用Cu-Zn系等非磁性鐵氧體材料的情況下，即使絕緣層Ila與氧化物磁性體層15a、15b直接接合，在燒成時也會在與氧化物磁性體層15a、15b的鐵氧體材料間通過相互擴散而形成反應層，從而得到牢固的接合。但是，在作為實施方式2中的絕緣層Ila使用玻璃系材料的情況下，不形成反應層，僅以玻璃的融接力保持緊貼。進而，若將在內部設有多個氣孔911a的玻璃系材料用在絕緣層11a，通過在氧化物磁性體層15a、15b與絕緣層Ila的界面也存在氣孔911a，玻璃的實際融接面積變小，變得難以保持緊貼。
[0114]在實施方式2的共模噪聲濾波器2001中，在氧化物磁性體層15a與絕緣層Ila間設置絕緣層Ild，在氧化物磁性體層15b與絕緣層Ila間設置絕緣層lie。絕緣層IlcUlle的每單位體積的氣孔的合計體積小于絕緣層11a。由此，由于能使氧化物磁性體層15a與絕緣層Ild融接的面積、和氧化物磁性體層15b與絕緣層lie融接的面積較大，因此能牢固地接合氧化物磁性體層15a和絕緣層lld，牢固地接合氧化物磁性體層15b和絕緣層lie。與氧化物磁性體層15a、15b相接的絕緣層IldUle與絕緣層Ila相同，都是由玻璃系的材料構成。因此，在絕緣層Ild與絕緣層Ila的界面(絕緣層Ila的上表面111a)、和絕緣層Ile與絕緣層Ila的界面(絕緣層Ila的下表面211a)，雖然融接面積變小，但從微觀上來看，由于各個融接部無界面地一體化，因此絕緣層11a、lid、Ile相互牢固地接合。
[0115]圖12表示對于實施方式2中的共模噪聲濾波器2001的脫層的產(chǎn)生的評價結果。改變絕緣層IlcUlle的厚度來制作樣本編號7?12的樣本，確認有無發(fā)生絕緣層Ild與氧化物磁性體層15a的界面和絕緣層Ile與氧化物磁性體層15b的界面的脫層。在這些樣本中，線圈導體12a、12b間的距離即絕緣層Ila的絕緣薄片層61a的厚度為25 μ m。線圈導體12a與絕緣層Ild間的距離即絕緣層Ila的絕緣薄片層51a的厚度為25 μ m。另外，線圈導體12b與絕緣層lie間的距離即絕緣層Ila的絕緣薄片層71a的厚度也為25 μ m。從燒成、滾筒研磨后的樣品約I萬個中在各樣本編號下隨機提取50個樣本，用掃描型電子顯微鏡(SEM)觀察各樣本的四側面部，將其中在至少一個側面確認到脫層的樣本判定為不合格品O
[0116]另外，由于絕緣層lla、lld、lle各自燒結而一體化，因此在這些層中使用同一材料的情況下，有時即使用SEM觀察也難以明確區(qū)別各層的邊界。但是，在上述的制造過程中，由于在絕緣層IlaUld間存在引出電極13a，在絕緣層IlaUle間存在引出電極13b，因此能將各層的邊界明確地定義為引出電極13a、13b。
[0117]接下來說明絕緣層lla、lld、lle中的每單位體積的氣孔的體積的測定方法。
[0118]首先，說明測定各個層的每單位體積的氣孔的體積的部位。絕緣層Ila的每單位體積的氣孔911a的體積在線圈導體12a、12b間測定氣孔911a的體積。絕緣層Ild內的氣孔的體積在氧化物磁性體層15a與線圈導體12a間測定。絕緣層Ile內的氣孔的體積在氧化物磁性體層15b與線圈導體12b間測定。使用通過SEM拍攝燒成體的任意5個截面而得到的照片，通過圖像處理來算出各個層中的氣孔的面積SP、和燒成體的截面整體的面積(SB)。每單位面積氣孔的體積的合計即氣孔率TV用以下的數(shù)式算出。
[0119]tv = sp3/2/sb3/2
[0120]圖12所示的樣本的絕緣層Ila的氣孔率為12%。
[0121]如圖12所示，沒有絕緣層llcUlle，使絕緣層Ila和氧化物磁性體層15a、15b直接相接的樣本編號7的樣本的脫層的發(fā)生率為37/50，為70%以上。有絕緣層IlcUlle的樣本編號8的樣本的脫層的發(fā)生率為7/50,為大致15%。與此相對,如樣本編號9?12的樣本所示，若使絕緣層IlcUlle較厚，則能得到脫層的發(fā)生率都為50分之O的優(yōu)秀的結果。
[0122]如此，通過在絕緣層Ila與氧化物磁性體層15a、15b間配置絕緣層I Id、lie，滾筒研磨后的脫層的發(fā)生率變低。
[0123]在實施方式2的共模噪聲濾波器2001中，在由玻璃系材料構成并具有在內部分散的多個氣孔911a的絕緣層Ila內設置線圈導體12a、12b。由此，由于能將在線圈導體12a、12b間產(chǎn)生的寄生電容抑制得極低，因此能得到高頻特性極其優(yōu)秀的共模噪聲濾波器2001。通過在絕緣層Ila與氧化物磁性體層15a間配置實質不含氣孔的絕緣層lld，在絕緣層Ila與氧化物磁性體層15b間配置實質不含氣孔的絕緣層He，能抑制氧化物磁性體層15a與絕緣層Ild間的脫層和氧化物磁性體層15b與絕緣層lie間的脫層的產(chǎn)生，能得到高成品率。
[0124]實施方式2的共模噪聲濾波器2001的絕緣層lld、Ile也可以在內部分散的氣孔。通過使絕緣層IlcUlle的每單位體積的氣孔的合計體積小于絕緣層Ila的每單位體積的氣孔911a的合計體積之比，能防止氧化物磁性體層15a、15b與絕緣層lld、lle間的脫層。這種情況下，在制作并準備構成絕緣層IlcUlle的絕緣薄片的工序中，在絕緣薄片的材料的混合粉末中與實施方式I同樣地還混合無機發(fā)泡劑。
[0125]另外，實施方式1、2的共模噪聲濾波器1001、1002、2001具備線圈導體12a、12b。線圈導體12a、12b的數(shù)量并不限于2個。實施方式1、2的共模噪聲濾波器1001、1002、2001，也可以是由相互對置的線圈導體12a、12b所分別構成的多個對的線圈導體構成的陣列型的濾波器。
[0126]在實施方式1、2中，“上表面”、“下表面”、“上方”、“下方”等表示方向的用語表示僅依賴于絕緣層或氧化物磁性體層等共模噪聲濾波器的構成部分的相對的位置關系的相對的方向，不表示鉛直方向等絕對的方向。
[0127]產(chǎn)業(yè)上的利用可能性
[0128]本發(fā)明中的共模噪聲濾波器由于能防止裂紋的發(fā)生，因此能在高頻帶下使用并能以高成品率獲得，特別特作為數(shù)字設備、AV設備、信息通信端末等各種電子設備的噪聲對策等的用途有用。
[0129]標號的說明
[0130]Ila絕緣層(第一絕緣層)
[0131]Ilb絕緣層(第二絕緣層)
[0132]Ilc絕緣層(第三絕緣層)
[0133]Ild絕緣層(第二絕緣層)
[0134]Ile絕緣層(第三絕緣層)
[0135]12a線圈導體(第一線圈導體)
[0136]12b線圈導體(第二線圈導體)
[0137]15a氧化物磁性體層(第一氧化物磁性體層)
[0138]15b氧化物磁性體層(第二氧化物磁性體層)
[0139]16c絕緣層(第四絕緣層)
[0140]16d絕緣層(第五絕緣層)[0141]17 外部端子電極
[0142]51a絕緣薄片層(第一絕緣薄片層)
[0143]61a絕緣薄片層(第二絕緣薄片層)
[0144]71a絕緣薄片層(第二絕緣薄片層)
[0145]911a氣孔(第一氣孔)
[0146]911b氣孔(第二氣孔)
[0147]911c氣孔(第三氣孔)
[0148]1001共模噪聲濾波器
[0149]1002共模噪聲濾波器
[0150]2001共模噪聲濾波器
【權利要求】
1.一種共模噪聲濾波器，具備: 第一絕緣層，其含有玻璃和無機填料，具有在內部分散的多個氣孔； 第一線圈導體，其配置在所述第一絕緣層的上表面； 第二線圈導體，其配置在所述第一絕緣層的下表面，并隔著所述第一絕緣層與所述第一線圈導體對置； 第二絕緣層，其覆蓋所述第一線圈導體地配置在所述第一絕緣層的所述上表面，含有玻璃和無機填料，具有在內部分散的多個氣孔； 第三絕緣層，其覆蓋所述第二線圈導體地配置在所述第二絕緣層的所述下表面，含有玻璃和無機填料，具有在內部分散的多個氣孔； 第一氧化物磁性體層，其配置在所述第二絕緣層的上表面的上方；和第二氧化物磁性體層，其將所述第一絕緣層、所述第二絕緣層和所述第三絕緣層夾在所述第二氧化物磁性體層與第一氧化物磁性體層間地配置在所述第三絕緣層的下表面的下方。
2.根據(jù)權利要求1所述的共模噪聲濾波器，其中， 所述第一氧化物磁性體層配置在所述第二絕緣層的所述上表面。
3.根據(jù)權利要求2所述的共模噪聲濾波器，其中， 所述第二氧化物磁性體層配置在所述第三絕緣層的所述下表面。
4.根據(jù)權利要求1所述的共模噪聲濾波器，其中， 所述共模噪聲濾波器還具備: 第一引出電極，其配置在所述第二絕緣層的所述上表面，并與所述第一線圈導體和所述第二線圈導體中的至少一者電連接；和 第四絕緣層，其覆蓋所述第一引出電極地配置在所述第二絕緣層的所述上表面，含有玻璃成分， 所述第一氧化物磁性體層配置在所述第四絕緣層的上表面。
5.根據(jù)權利要求4所述的共模噪聲濾波器，其中， 所述共模噪聲濾波器還具備: 第二引出電極，其配置在所述第三絕緣層的所述下表面，與所述第一線圈導體和所述第二線圈導體中的至少一者電連接；和 第五絕緣層，其覆蓋所述第二引出電極地配置在所述第三絕緣層的所述下表面，含有玻璃成分， 所述第二氧化物磁性體層配置在所述第五絕緣層的下表面。
6.一種共模噪聲濾波器，具備: 第一絕緣層，其含有玻璃和無機填料，具有在內部分散的多個第一氣孔； 第一線圈導體，其不從所述第一絕緣層的上表面和下表面露出地配置在所述第一絕緣層的內部; 第二線圈導體，其不從所述第一絕緣層的上表面和下表面露出地配置在所述第一絕緣層的內部，隔著所述第一絕緣層的一部分與所述第一線圈導體對置； 第二絕緣層，其設于所述第一絕緣層的所述上表面，含有玻璃和無機填料； 第三絕緣層，其將所述第一絕緣層夾在所述第三絕緣層與所述第二絕緣層間地設于所述第一絕緣層的所述下表面，含有玻璃和無機填料； 第一氧化物磁性體層，其配置在所述第二絕緣層的上表面的上方；和 第二氧化物磁性體層，其配置在所述第三絕緣層的下表面的下方， 所述第二絕緣層的每單位體積的所述多個第二絕緣層內的氣孔的合計體積、和所述第三絕緣層的每單位體積的所述第三絕緣層內的氣孔的合計體積，小于所述第一絕緣層的每單位體積的所述第一氣孔的合計體積之比。
7.根據(jù)權利要求6所述的共模噪聲濾波器，其中， 所述第二絕緣層實質沒有在內部分散的氣孔， 所述第三絕緣層實質沒有在內部分散的氣孔。
8.根據(jù)權利要求1或6所述的共模噪聲濾波器，其中， 所述第二絕緣層以及第三絕緣層的厚度為5μπι以上。
9.根據(jù)權利要求1或6所述的共模噪聲濾波器，其中， 在所述第一絕緣層、所述第二絕緣層以及所述第三絕緣層含有堿土類金屬元素。
10.根據(jù)權利要求1或6所述的共模噪聲濾波器，其中， 所述第一絕緣層的所述玻璃和所述第二絕緣層的所述玻璃由相同的材料構成， 所述第一絕緣層的所述玻璃和所述第三絕緣層的所述玻璃由相同的材料構成， 所述第一絕緣層的所述無機填料和所述第二絕緣層的所述無機填料由相同的材料構成， 所述第一絕緣層的所述無機填料和所述第三絕緣層的所述無機填料由相同的材料構成。
11.根據(jù)權利要求1或6所述的共模噪聲濾波器，其中， 所述第一絕緣層、所述第二絕緣層以及所述第三絕緣層由硼硅酸玻璃和二氧化硅填料構成。
12.—種共模噪聲濾波器的制造方法，包括: 準備含有玻璃、無機填料、無機發(fā)泡劑和有機粘合劑的第一絕緣薄片的步驟； 準備含有玻璃、無機填料、無機發(fā)泡劑和有機粘合劑的第二絕緣薄片的步驟； 準備含有玻璃、無機填料、無機發(fā)泡劑和有機粘合劑的第三絕緣薄片的步驟； 準備以磁性材料為主成分、含有有機粘合劑的第一氧化物磁性體薄片的步驟； 準備以磁性材料為主成分、含有有機粘合劑的第二氧化物磁性體薄片的步驟； 形成層疊體的步驟，其中，在所述第一絕緣薄片的上表面配置第一線圈導體，覆蓋所述第一線圈導體地在所述第一絕緣薄片的所述上表面配置所述第二絕緣薄片，在所述第一絕緣薄片的下表面配置第二線圈導體，覆蓋所述第二線圈導體地在第一絕緣薄片的所述下表面配置所述第三絕緣薄片，在所述第二絕緣薄片的上表面的上方配置所述第一氧化物磁性體薄片，在所述第三絕緣層的下表面的下方配置所述第二氧化物磁性體薄片，從而在所述第二氧化物磁性體薄片與所述第一氧化物磁性體薄片間夾著所述第一絕緣薄片、所述第二絕緣薄片和所述第三絕緣薄片，由此形成層疊體； 得到燒成體的步驟，其中 燒成所述層疊體來從所述第一絕緣薄片的所述無機發(fā)泡劑、所述第二絕緣薄片的所述無機發(fā)泡劑和所述第三絕緣薄片的所述無機發(fā)泡劑產(chǎn)生氣體，從而在所述第一絕緣薄片、所述第二絕緣薄片和所述第三絕緣薄片的內部形成多個氣孔，由此得到燒成體；和 在所述燒成體設置外部端子電極步驟。
13.—種共模噪聲濾波器的制造方法，包括: 準備含有玻璃、無機填料、無機發(fā)泡劑和有機粘合劑且層疊而成為第一絕緣薄片的第一絕緣薄片層、第二絕緣薄片層和第三絕緣薄片層的步驟； 準備含有玻璃、無機填料和有機粘合劑的第二絕緣薄片的步驟； 準備含有玻璃、無機填料和有機粘合劑的第三絕緣薄片的步驟； 準備以磁性材料為主成分、含有有機粘合劑的第一氧化物磁性體薄片的步驟； 準備以磁性材料為主成分、含有有機粘合劑的第二氧化物磁性體薄片的步驟； 形成層疊體的步驟，其中在所述第一絕緣薄片層的上表面配置第一線圈導體，覆蓋所述第一線圈導體地在所述第一絕緣薄片層的所述上表面配置所述第二絕緣薄片層，在所述第一絕緣薄片層的下表面配置第二線圈導體，覆蓋所述第二線圈導體地在所述第一絕緣薄片層的所述下表面配置所述第三絕緣薄片層，在所述第二絕緣薄片層的上表面配置所述第二絕緣薄片，在所述第三絕緣薄片層的下表面配置所述第二絕緣薄片，從而在所述第二絕緣薄片與所述第二絕緣薄片間夾著所述第一絕緣薄片層、所述第二絕緣薄片層和所述第三絕緣薄片層的方式，在所述第二絕緣薄片的上表面的上方配置所述第一氧化物磁性體薄片，在所述第三絕緣層的下表面的下方配置所述第二氧化物磁性體薄片，從而在所述第二氧化物磁性體薄片與所述第一氧化物磁性體薄片間夾著所述第一絕緣薄片層、所述第二絕緣薄片層、所述第三絕緣薄片層、所述第二絕緣薄片和所述第三絕緣薄片的方式，由此形成層置體； 得到燒成體的步驟，其中燒成所述層疊體來從所述第一絕緣薄片層、所述第二絕緣薄片層和所述第三絕緣薄片層的所述無機發(fā)泡劑產(chǎn)生氣體從而在所述第一絕緣薄片層、所述第二絕緣薄片層和所述第三絕緣薄片層的內部形成多個氣孔，由此得到燒成體； 在所述燒成體設置外部端子電極的步驟。
14.根據(jù)權利要求 12或13所述的共模噪聲濾波器，其中， 所述無機發(fā)泡劑含有堿土類碳酸鹽。
【文檔編號】H01F17/00GK103814419SQ201280044971
【公開日】2014年5月21日 申請日期:2012年9月13日 優(yōu)先權日:2011年9月15日
【發(fā)明者】吉田則隆 申請人:松下電器產(chǎn)業(yè)株式會社