用于處理晶片狀物品的表面的裝置制造方法
【專利摘要】用于處理晶片狀物品的裝置包括封閉的處理室。所述封閉的處理室包括殼體，其提供氣密包圍，旋轉(zhuǎn)卡盤，其定位在所述封閉的處理室內(nèi)并適于在其上容納晶片狀物品，以及內(nèi)蓋，其布置在所述封閉的處理室內(nèi)。所述內(nèi)蓋在第一位置和第二位置之間能移動，在該第一位置所述旋轉(zhuǎn)卡盤與所述封閉的處理室的外壁連通，在該第二位置所述內(nèi)蓋密封住相鄰于所述旋轉(zhuǎn)卡盤的所述封閉的處理室的內(nèi)表面以限定氣密內(nèi)處理室。
【專利說明】用于處理晶片狀物品的表面的裝置
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明總體涉及一種用于處理晶片狀物品的表面的裝置，如半導體晶片的表面， 其中一種或多種處理流體可以從封閉的處理室回收。
【背景技術(shù)】
[0002] 半導體晶片經(jīng)受各種表面處理工藝，例如蝕刻、清洗、拋光和材料沉積。為了適應(yīng) 這些工藝，相對于一個或更多個處理流體噴嘴，單個晶片可以通過與能旋轉(zhuǎn)的承載架相關(guān) 聯(lián)的卡盤支撐，如在美國專利第4, 903, 717號和第5, 513, 668號中所描述的。
[0003] 替代地，適于支撐晶片的環(huán)形轉(zhuǎn)子形式的卡盤可以位于封閉的處理室內(nèi)，并在沒 有物理接觸的情況下通過主動磁軸承來驅(qū)動，如在國際公布第W02007/101764號和美國專 利第6, 485, 531號中所描述的。由于離心力的作用，從旋轉(zhuǎn)的晶片的邊緣向外驅(qū)動的處理 流體被輸送到公共排放管用于廢棄處置。
[0004] 雖然當所述室封閉時，傳統(tǒng)的封閉的處理室充分地包含用于晶片處理的有害物 質(zhì)，但它們必須被打開用于晶片的裝載和卸載。這將導致處理氣體、化學煙霧、如氣化異丙 醇等熱蒸氣、臭氧等可能被釋放到工具環(huán)境中，這可導致顯著安全風險并損傷周圍的組件 和工具。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0005] 本發(fā)明人已經(jīng)開發(fā)了一種用于處理晶片狀物品的改進的封閉的處理室，其中內(nèi)室 位于外室內(nèi)，內(nèi)室和外室中的每一個被配置成提供氣密包圍（enclosure)。
[0006] 因此，本發(fā)明的一個方面涉及一種用于處理晶片狀物品的裝置，該裝置包括封閉 的處理室。所述封閉的處理室包括：殼體，其提供氣密包圍；旋轉(zhuǎn)卡盤，其定位在所述封閉 的處理室內(nèi)并適于在其上容納晶片狀物品；以及內(nèi)蓋，其布置在所述封閉的處理室內(nèi)。所述 內(nèi)蓋在第一位置和第二位置之間能移動，在該第一位置所述旋轉(zhuǎn)卡盤與所述封閉的處理室 的外壁連通，在該第二位置所述內(nèi)蓋密封住所述封閉的處理室的相鄰于所述旋轉(zhuǎn)卡盤的內(nèi) 表面，以限定氣密內(nèi)處理室。優(yōu)選在所述第一位置和所述第二位置之間的所述運動是沿著 旋轉(zhuǎn)卡盤的旋轉(zhuǎn)軸的軸向運動。
[0007] 在根據(jù)本發(fā)明的裝置的優(yōu)選實施方式中，所述內(nèi)蓋在所述第二位置時形成所述內(nèi) 處理室的下部。
[0008] 在根據(jù)本發(fā)明的裝置的優(yōu)選實施方式中，所述內(nèi)蓋包括基部和至少一個直立壁， 所述基部經(jīng)由密封件連接到穿透所述封閉的處理室的軸，該密封件允許所述軸與所述封閉 的處理室之間的相對運動，同時保持外處理室的氣密性。優(yōu)選所述相對運動是沿著旋轉(zhuǎn)卡 盤的旋轉(zhuǎn)軸的軸向運動。
[0009] 在根據(jù)本發(fā)明的裝置的優(yōu)選實施方式中，至少一個處理流體收集器形成在所述內(nèi) 蓋的下部中，所述處理流體收集器與排放管連通，排放管從所述內(nèi)蓋懸垂，經(jīng)由密封件穿透 所述封閉的處理室，該密封件允許所述排放管與所述封閉的處理室之間的相對運動，同時 保持外處理室的氣密性。
[0010] 在根據(jù)本發(fā)明的裝置的優(yōu)選實施方式中，所述封閉的處理室包括獨立受控的排放 口，第一排放口，其在所述內(nèi)蓋處于所述第二位置時通向所述封閉的處理室在內(nèi)室內(nèi)的區(qū) 域，以及第二排放口，其當所述內(nèi)蓋處于所述第二位置時通向所述封閉的處理室在所述內(nèi) 室外的區(qū)域。
[0011] 在根據(jù)本發(fā)明的裝置的優(yōu)選實施方式中，所述內(nèi)蓋包括相對于所述內(nèi)蓋獨立地軸 向能位移的多個防濺罩，所述防濺罩和所述內(nèi)蓋適于在所述內(nèi)蓋處于所述第二位置時限定 在所述內(nèi)室中的多個不同的處理區(qū)域。
[0012] 在根據(jù)本發(fā)明的裝置的優(yōu)選實施方式中，所述不同的處理區(qū)域中的每個包括與其 流體連通的相應(yīng)的液體排放管。
[0013] 在根據(jù)本發(fā)明的裝置的優(yōu)選實施方式中，每個軸向能位移的防濺罩選擇性地從所 述封閉的處理室的外部被驅(qū)動到預(yù)定的垂直位置。
[0014] 在根據(jù)本發(fā)明的裝置的優(yōu)選實施方式中，每個軸向能位移的防濺罩能選擇性地定 位以便捕獲從由所述旋轉(zhuǎn)卡盤攜帶的旋轉(zhuǎn)的晶片流出的預(yù)選的處理流體。
[0015] 在根據(jù)本發(fā)明的裝置的優(yōu)選實施方式中，所述旋轉(zhuǎn)卡盤適于在無物理接觸的情況 下通過磁軸承來驅(qū)動，并且所述旋轉(zhuǎn)卡盤和所述內(nèi)蓋在垂直方向上彼此能相對移動。
[0016] 在根據(jù)本發(fā)明的裝置的優(yōu)選實施方式中，所述磁軸承包括位于所述封閉處理室外 的定子。
[0017] 在根據(jù)本發(fā)明的裝置的優(yōu)選實施方式中，所述磁軸承是選擇性地能定位的，使得 從由所述旋轉(zhuǎn)卡盤攜帶的旋轉(zhuǎn)的晶片流出的預(yù)選的處理流體被導入到預(yù)選的流體收集器。
[0018] 在根據(jù)本發(fā)明的裝置的優(yōu)選實施方式中，磁軸承是主動磁軸承。
[0019] 在根據(jù)本發(fā)明的裝置的優(yōu)選實施方式中，所述封閉的處理室是在用于半導體晶片 的單晶片濕式處理的配置中的組件。
[0020] 在根據(jù)本發(fā)明的裝置的優(yōu)選實施方式中，所述封閉的處理室是由涂有全氟烷氧基 樹脂的鋁制成的。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0021] 閱讀以下參照附圖給出的本發(fā)明的優(yōu)選實施方式的詳細描述之后，本發(fā)明的其他 的目的、特征和優(yōu)點將變得更加明顯，其中：
[0022] 圖1是根據(jù)本發(fā)明的第一實施方式的處理室的說明性側(cè)剖視圖，其中示出內(nèi)蓋在 其第一位置；
[0023] 圖2是根據(jù)本發(fā)明的第一實施方式的處理室的說明性側(cè)剖視圖，其中示出內(nèi)蓋在 其第二位置；
[0024] 圖3是根據(jù)本發(fā)明的第二實施方式的處理室的說明性側(cè)剖視圖，其中示出內(nèi)蓋在 其第一位置；
[0025] 圖4是根據(jù)本發(fā)明的第二實施方式的處理室的說明性側(cè)剖視圖，其中示出內(nèi)蓋在 其第二位置，并且防濺罩在其第一配置；
[0026] 圖5是根據(jù)本發(fā)明的第二實施方式的處理室的說明性側(cè)剖視圖，其中示出內(nèi)蓋在 其第二位置，并且防濺罩在其第二配置；
[0027] 圖6是根據(jù)本發(fā)明的第二實施方式的處理室的說明性側(cè)剖視圖，其中示出內(nèi)蓋在 其第二位置，并且防濺罩在其第三配置；
[0028] 圖7是根據(jù)本發(fā)明的第三實施方式的處理室的說明性側(cè)剖視圖，其中示出內(nèi)蓋在 第一位置；
[0029] 圖8是根據(jù)本發(fā)明的第三實施方式的處理室的說明性側(cè)剖視圖，其中示出內(nèi)蓋在 其第二位置；
[0030] 圖9是根據(jù)本發(fā)明的第四實施方式的處理室的說明性側(cè)剖視圖，其中示出內(nèi)蓋在 其第一位置；以及
[0031] 圖10是根據(jù)本發(fā)明的第四實施方式的處理室的說明性側(cè)剖視圖，其中示出內(nèi)蓋 在其第二位置。
【具體實施方式】
[0032] 現(xiàn)在參看圖1，根據(jù)本發(fā)明的第一實施方式的用于處理晶片狀物品的表面的裝置 包括外處理室1，外處理室1優(yōu)選由涂覆有PFA (全氟烷氧基）樹脂的鋁制成。在本實施方 式中，該室具有主圓筒壁10、下部12和上部15。從上部15延伸的較窄的圓筒壁34由蓋36 封閉。
[0033] 旋轉(zhuǎn)卡盤30被布置在室1的上部，并由圓筒壁34包圍。在裝置的使用過程中旋 轉(zhuǎn)卡盤30能旋轉(zhuǎn)地支撐晶片W。旋轉(zhuǎn)卡盤30包括旋轉(zhuǎn)驅(qū)動器，旋轉(zhuǎn)驅(qū)動器包括環(huán)形齒輪 38,環(huán)形齒輪38嚙合并驅(qū)動多個用于選擇性地接觸和釋放晶片W的周緣的偏心地能移動的 夾持構(gòu)件。
[0034] 在本實施方式中，旋轉(zhuǎn)卡盤30是設(shè)置在鄰近圓筒壁34的內(nèi)表面的環(huán)形轉(zhuǎn)子。定 子32被設(shè)置在與相鄰于圓筒壁34的外表面的環(huán)轉(zhuǎn)子相對。轉(zhuǎn)子30和定子34充當為馬達， 環(huán)形轉(zhuǎn)子30 (從而支撐晶片W)通過該馬達能旋轉(zhuǎn)通過主動磁軸承。例如，定子34可以包 括多個永久磁鐵或繞組，其可被主動地控制以通過相應(yīng)的設(shè)置在轉(zhuǎn)子上的電磁線圈能旋轉(zhuǎn) 地驅(qū)動旋轉(zhuǎn)卡盤30。旋轉(zhuǎn)卡盤30的軸向和徑向軸承也可以通過定子的主動控制或通過永 久磁鐵完成。因此，旋轉(zhuǎn)卡盤30可以懸浮并無機械接觸地旋轉(zhuǎn)驅(qū)動。替代地，轉(zhuǎn)子可以由 被動軸承控制，其中所述轉(zhuǎn)子的磁體由沿周向布置在所述室外的外部轉(zhuǎn)子的相應(yīng)的高溫超 導磁體（HTS磁體）控制。使用這種替代實施方式，環(huán)形轉(zhuǎn)子的每個磁體被固定到其相應(yīng)的 外部轉(zhuǎn)子的超導磁鐵。因此，內(nèi)部轉(zhuǎn)子在沒有物理地連接的情況下做出與外部轉(zhuǎn)子相同的 運動。
[0035] 蓋36具有安裝在其外部的歧管42,歧管42提供穿過蓋36并通向在晶片W上方的 室的介質(zhì)入口 44。應(yīng)當注意的是，在本實施方式中，晶片W從旋轉(zhuǎn)卡盤30向下懸掛，由夾持 構(gòu)件40支承，使得通過入口 44供給的流體將沖擊晶片W的朝上的表面。
[0036] 如果晶片30是半導體晶片(例如具有300毫米或450毫米的直徑)，則晶片W的朝 上的側(cè)面可以是晶片W的器件面或正面，這是由該晶片是如何放置在旋轉(zhuǎn)卡盤30上來確定 的，而這又是通過在室1內(nèi)執(zhí)行的特定工藝所決定的。
[0037] 圖1的裝置還包括內(nèi)蓋2,內(nèi)蓋2相對于處理室1是能移動的。在圖1中所示的內(nèi) 蓋2在其第一或打開位置，其中，旋轉(zhuǎn)卡盤30與室1的外圓筒壁10連通。在本實施方式中 蓋2通常為杯形，包括由直立的圓筒壁21圍繞的基部20。蓋2還包括支承在基部20并穿 過室1的下壁14的中空軸22。
[0038] 中空軸22由在主室1中形成的凸臺12圍繞，并且這些元件經(jīng)由動態(tài)密封件連接， 動態(tài)密封件允許中空軸22相對于凸臺12位移，同時保持室1的氣密密封。
[0039] 在圓筒壁21的上方連接有環(huán)形導向構(gòu)件24,環(huán)形導向構(gòu)件24在其朝上的表面上 帶有墊圈26。蓋2優(yōu)選包括穿過基部20的流體介質(zhì)入口 28,從而使處理流體和沖洗液可 以被引入到所述室到晶片W的朝下的表面。
[0040] 蓋2還包括處理液排放口 23,排放口 23通到排放管25。而管25剛性地安裝到蓋 2的基部20,它經(jīng)由動態(tài)密封件17穿過室1的底壁14,以使管可相對于底壁14軸向滑動， 同時保持氣密密封。
[0041] 排放口 16穿過室1的壁10,而單獨的排放口 46穿過接近旋轉(zhuǎn)卡盤30的內(nèi)表面的 蓋36。每個排放口被連接到合適的排放管(未示出），它們優(yōu)選通過各自的閥和通風設(shè)備來 獨立地控制。
[0042] 圖1中所示的位置對應(yīng)于晶片W的裝載或卸載。特別地，晶片W可以通過蓋36,或 者更優(yōu)選地通過在室壁10的側(cè)門（未示出）裝載到旋轉(zhuǎn)卡盤30。但是，當蓋36就位以及當 任何側(cè)門已經(jīng)關(guān)閉時，室1是氣密的，并能保持所定義的內(nèi)部壓強。
[0043] 如圖2所示，內(nèi)蓋2響應(yīng)于晶片W的處理已經(jīng)移動到其第二或關(guān)閉位置。也就是 說，在晶片W被裝載到旋轉(zhuǎn)卡盤30上時，蓋2通過在中空軸22作用的合適的馬達(未示出） 相對于室1向上移動。內(nèi)蓋2的向上運動繼續(xù)進行，直到導向構(gòu)件24與室1的上部15的 內(nèi)表面接觸。特別地，由導向構(gòu)件24攜帶的墊圈26密封住上部15的下側(cè)，而由上部15攜 帶的墊圈18密封住導流板24的上表面。
[0044] 當內(nèi)蓋2到達其如圖2所示的第二位置時，由此在封閉的處理室1內(nèi)產(chǎn)生第二室 48。并且，內(nèi)室48以氣體密封方式相對于所述室1的其余部分被密封。此外，室48優(yōu)選相 對于所述室1的其余部分獨立排氣，在本實施方式中，這通過設(shè)置通向室48的排放口 46來 實現(xiàn)，排放口 46獨立于在通常情況下服務(wù)室1的排放口 16,并且獨立于在圖2的配置中室 1的其余部分。
[0045] 在晶片的處理過程中，處理流體可以通過介質(zhì)入口 44和/或28被引導到旋轉(zhuǎn)的 晶片W以執(zhí)行各種工藝，例如蝕刻、清洗、漂洗，以及進行處理的晶片的任何其他所期望的 表面處理。
[0046] 因此，通過允許用于晶片處理的氣體和液體與處理室的外部環(huán)境更好地隔離，提 供整個處理室1內(nèi)的內(nèi)室48提高了環(huán)境封閉的室的安全性，并降低了工藝氣體、化學煙霧、 如蒸發(fā)異丙醇，臭氧等熱蒸氣被釋放到工具環(huán)境的危險。
[0047] 圖3-6示出了根據(jù)本發(fā)明的第二實施方式，其中內(nèi)蓋2上設(shè)置有成組的分隔物，使 得獨立的處理區(qū)域可限定在內(nèi)室48內(nèi)。
[0048] 具體而言，在內(nèi)蓋2內(nèi)有一個或多個垂直能運動的防濺罩37、39。在圖3-6中示出 兩個圓形防濺罩37和39,但應(yīng)理解的是，可以設(shè)置任何期望數(shù)量的防濺罩，并且本公開設(shè) 想任何期望數(shù)量的防濺罩，防濺罩的實際數(shù)目部分取決于意圖單獨收集的不同處理流體的 數(shù)量。
[0049] 外防濺罩37圍繞內(nèi)防濺罩39同心布置。因此，內(nèi)防濺罩39限定在其內(nèi)部的內(nèi)處 理流體收集器中。中處理流體收集器通過內(nèi)防濺罩39的外表面和外防濺罩37的內(nèi)表面之 間形成的環(huán)形區(qū)域限定。外處理流體收集器通過外防濺罩37的外表面和圓筒壁21的內(nèi)表 面之間形成的環(huán)形區(qū)域限定。
[0050] 提供與每個這樣的流體收集器相關(guān)聯(lián)的排放管用于將所收集的處理介質(zhì)從相應(yīng) 的流體收集器傳送到密閉處理容器的外部。如圖3所示，排放管31、33和35每個延伸通過 內(nèi)蓋的基部20,并且還通過主室1的底壁14。排放管31、33和35的組件與底壁14通過如 上所述的動態(tài)密封件相關(guān)聯(lián)，以使排放管線與外室1能相對運動，同時室內(nèi)蓋2移動，同時 保持氣密密封。
[0051] 在本實施方式中導向構(gòu)件27有所拉長以容納防濺罩37和39的上部，但在其他方 面如上所述與第一實施方式有關(guān)。
[0052] 通過例如氣壓缸、氣動和液壓缸的組合、線型馬達、鮑登線或類似物之類合適的致 動器，防濺罩37和39相對于內(nèi)蓋2上下移動。雖然在附圖中未示出，防濺罩37和39的致 動器通過動態(tài)密封件類似地被安裝穿過底壁14。
[0053] 每個防濺罩在垂直方向上獨立地能移動。相應(yīng)地，相對于旋轉(zhuǎn)卡盤30,相對于任何 其他防濺罩，并相對于內(nèi)罩2,每個防濺罩可以選擇性地升高和/或降低，使得從旋轉(zhuǎn)卡盤 30的后緣所流出的多余的處理流體導向選定的流體收集器。
[0054] 在圖3和4中，防濺罩37和39兩者都顯示在升高的狀態(tài)，使得在圖4所示的工作 位置中，從旋轉(zhuǎn)卡盤30的后緣所流出的多余的處理流體靠著內(nèi)防濺罩39的內(nèi)表面導入內(nèi) 部流體收集器31。因此，來自正在經(jīng)受處理的晶片的表面的多余的流體可以選擇性地通過 排放管31回收和任選循環(huán)或重復(fù)使用。
[0055] 在圖5中，防濺罩37和39兩者相對于內(nèi)蓋2是在其上部較低處，內(nèi)蓋2在其第二 位置或關(guān)閉位置。在此配置中，從旋轉(zhuǎn)卡盤30的后緣流出的多余的處理流體靠著圓筒壁21 的內(nèi)表面導入外流體收集器35。因此，來自正在經(jīng)受處理的晶片的表面的多余的流體可以 選擇性地通過排放管35回收和任選循環(huán)或重復(fù)使用。
[0056] 在圖6中，相對于內(nèi)蓋2,防濺罩39是在其下部位置，而防濺罩37是在其上部位 置，內(nèi)蓋2在其第二位置或關(guān)閉位置。在此配置中，從旋轉(zhuǎn)卡盤30的后緣流出的多余的處 理流體靠著防濺罩37的內(nèi)表面導入中部流體收集器33。因此，來自正在經(jīng)受處理的晶片的 表面的多余的流體可以選擇性地通過排放管33回收和任選循環(huán)或重復(fù)使用。
[0057] 圖7和8示出了本發(fā)明的第三實施方式，其中第一實施方式的室設(shè)計適于與旋轉(zhuǎn) 卡盤一起使用，其中晶片W被安裝在通過在中心軸上的馬達的作用而旋轉(zhuǎn)的卡盤的上側(cè)。
[0058] 特別地，當內(nèi)蓋2處于圖7所示的裝載/卸載位置，且晶片W通過夾持構(gòu)件40以 預(yù)定的方位被固定到卡盤50時，晶片W被裝載到旋轉(zhuǎn)卡盤50。然后，如結(jié)合第一實施方式 所描述的，內(nèi)蓋2移動到其第二位置，以限定內(nèi)室48。
[0059] 在本實施方式中，可以看出，旋轉(zhuǎn)卡盤50相對于所述內(nèi)蓋2也在垂直方向上能移 動，從而可以升高到室48內(nèi)的最佳處理位置。然后旋轉(zhuǎn)卡盤50通過作用在軸55上的馬達 (未示出）來旋轉(zhuǎn)。
[0060] 圖9和10示出了本發(fā)明的第四實施方式，其中上述實施方式的旋轉(zhuǎn)卡盤50相對 于內(nèi)蓋2旋轉(zhuǎn)，但相對于內(nèi)蓋2不沿軸向移動。
[0061] 由此，晶片W被裝載到旋轉(zhuǎn)卡盤50,內(nèi)蓋2處于在圖9所示的裝載/卸載位置，且 晶片W以相對夾持構(gòu)件40的預(yù)定的方位被固定到卡盤50。然后，如在圖10中所描述的并 如結(jié)合第一實施方式所描述的，內(nèi)蓋2移動到第二位置，以限定內(nèi)室48。
[0062] 由于本實施方式的旋轉(zhuǎn)卡盤50相對于內(nèi)殼2不垂直移動，內(nèi)蓋2的運動同時作用 以在處理室48內(nèi)的最終處理位置定位晶片W。然后，旋轉(zhuǎn)卡盤50通過作用在軸55上的馬 達(未示出）旋轉(zhuǎn)。
【權(quán)利要求】
1. 一種用于處理晶片狀物品的裝置，其包括封閉的處理室，所述封閉的處理室包括殼 體，其提供氣密包圍，旋轉(zhuǎn)卡盤，其位于在所述封閉的處理室內(nèi)，所述旋轉(zhuǎn)卡盤適于在其上 容納晶片狀物品，以及內(nèi)蓋，其布置在所述封閉的處理室內(nèi)，所述內(nèi)蓋在第一位置和第二位 置之間能移動，在該第一位置所述旋轉(zhuǎn)卡盤與所述封閉的處理室的外壁連通，在該第二位 置所述內(nèi)蓋密封住所述封閉的處理室的相鄰于所述旋轉(zhuǎn)卡盤的內(nèi)表面以限定氣密內(nèi)處理 室。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中，所述內(nèi)蓋在所述第二位置時形成所述內(nèi)處理室 的下部。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的裝置，其中，所述內(nèi)蓋包括基部和至少一個直立壁，所述基部 經(jīng)由密封件連接到穿透所述封閉的處理室的軸，該密封件允許所述軸與所述封閉的處理室 之間的相對運動，同時保持外處理室的氣密性。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其還包括形成在所述內(nèi)蓋的下部中的至少一個處理流 體收集器，所述處理流體收集器與排放管連通，所述排放管從所述內(nèi)蓋懸垂，經(jīng)由密封件穿 透所述封閉的處理室，該密封件允許所述排放管與所述封閉的處理室之間的相對運動，同 時保持外處理室的氣密性。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中，所述封閉的處理室包括獨立受控的排放口，第一 排放口，其在所述內(nèi)蓋處于所述第二位置時通向所述封閉的處理室在內(nèi)室內(nèi)的區(qū)域，以及 第二排放口，其在所述內(nèi)蓋處于所述第二位置時通向所述封閉的處理室在所述內(nèi)室外的區(qū) 域。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中，所述內(nèi)蓋包括相對于所述內(nèi)蓋獨立地軸向能位 移的多個防濺罩，所述防濺罩和所述內(nèi)蓋適于在所述內(nèi)蓋處于所述第二位置時限定在所述 內(nèi)室中的多個不同的處理區(qū)域。
7. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的裝置，其中，所述不同的處理區(qū)域中的每個包括與其流體連 通的相應(yīng)的液體排放管。
8. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的裝置，其中，每個軸向能位移的防濺罩選擇性地從所述封閉 的處理室外被驅(qū)動到預(yù)定的垂直位置。
9. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的裝置，其中，每個軸向能位移的防濺罩能選擇性地定位以便 捕獲從由所述旋轉(zhuǎn)卡盤攜帶的旋轉(zhuǎn)的晶片流出的預(yù)選的處理流體。
10. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中，所述旋轉(zhuǎn)卡盤適于在無物理接觸的情況下通過 磁軸承來驅(qū)動，并且其中所述旋轉(zhuǎn)卡盤和所述內(nèi)蓋在垂直方向上彼此能相對移動。
11. 根據(jù)權(quán)利要求10所述的裝置，其中，所述磁軸承包括位于所述封閉的處理室外的 定子。
12. 根據(jù)權(quán)利要求10所述的裝置，其中，所述磁軸承是能選擇性地定位的，使得從由所 述旋轉(zhuǎn)卡盤攜帶的旋轉(zhuǎn)的晶片流出的預(yù)選的處理流體被導入到預(yù)選的流體收集器。
13. 根據(jù)權(quán)利要求10所述的裝置，其中，所述磁軸承是主動磁軸承。
14. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的裝置，其進一步包括穿過所述內(nèi)蓋的所述基部的流體介質(zhì) 入口，從而使處理流體能被導入所述內(nèi)室到晶片的向下的表面。
15. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中，所述封閉的處理室是由涂有全氟烷氧基樹脂的 鋁制成的。
【文檔編號】H01L21/687GK104160496SQ201280043912
【公開日】2014年11月19日 申請日期:2012年8月29日 優(yōu)先權(quán)日:2011年9月9日
【發(fā)明者】烏爾里奇·塔辛德勒, 安德烈亞斯·格萊斯納, 托馬斯·維恩斯伯格, 賴納·奧博威格 申請人:朗姆研究公司