將襯底接合到半導(dǎo)體發(fā)光器件的方法
【專利摘要】根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的方法包括在半導(dǎo)體發(fā)光器件的晶片上方定位柔性膜（48），每個(gè)半導(dǎo)體發(fā)光器件包括半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)（13），所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括夾在n型區(qū)和p型區(qū)之間的發(fā)光層。經(jīng)由柔性膜（48）將半導(dǎo)體發(fā)光器件的晶片接合到襯底（50）。在接合之后，柔性膜（48）與半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)（13）直接接觸。該方法還包括將所述晶片接合到所述襯底（50）之后，劃分所述晶片。
【專利說明】將襯底接合到半導(dǎo)體發(fā)光器件的方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及將半導(dǎo)體發(fā)光器件的晶片接合到襯底。
【背景技術(shù)】
[0002]包括發(fā)光二極管(LED)、諧振腔發(fā)光二極管(RCLED)、諸如面發(fā)射激光器的垂直腔激光二極管(VCSEL)和邊發(fā)射激光器的半導(dǎo)體發(fā)光器件是目前可獲得的最有效率的光源之一。在能夠在整個(gè)可見光譜中操作的高亮度發(fā)光器件的制造中目前感興趣的材料系統(tǒng)包括II1-V族半導(dǎo)體，尤其是鎵、鋁、銦和氮的二元、三元和四元合金，其也被稱為III族氮化物材料。通常，III族氮化物發(fā)光器件是通過金屬有機(jī)物化學(xué)氣相沉積(M0CVD)、分子束外延(MBE)或者其他外延技術(shù)在藍(lán)寶石、碳化硅、III族氮化物或者其他合適的襯底上外延生長(zhǎng)具有不同組成成分和摻雜濃度的半導(dǎo)體層的疊層來制造的。該疊層通常包括形成于襯底上的摻雜例如Si的一個(gè)或多個(gè)η型層、形成于一個(gè)或多個(gè)η型層上位于有源區(qū)中的一個(gè)或多個(gè)發(fā)光層以及形成于有源區(qū)上的摻雜例如Mg的一個(gè)或多個(gè)P型層。電接觸形成于η和P型區(qū)域上。
[0003]圖6示出了接合到透明透鏡2的LED管芯4，US 7，053, 419中對(duì)其進(jìn)行了更具體的描述。LED管芯4包括η型導(dǎo)電性的第一半導(dǎo)體層80和ρ型導(dǎo)電性的第二半導(dǎo)體層100。半導(dǎo)體層80和100被電耦合到有源區(qū)120。在倒裝芯片配置中η接觸140和ρ接觸160被設(shè)置在LED管芯4的同一側(cè)。透明襯頂(superstrate) 340是由諸如例如藍(lán)寶石、SiC、GaN或GaP的材料形成的。透鏡2通過接合層6接合到透明襯頂340。接合層6可以是硅樹脂。接合層6可以包括將有源區(qū)120發(fā)射的波長(zhǎng)的光轉(zhuǎn)換成其他波長(zhǎng)的發(fā)光材料。該發(fā)光材料可以是常規(guī)磷光體顆粒。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明的目的是提供一種通過柔性膜將半導(dǎo)體發(fā)光器件的晶片接合到襯底的方法。
[0005]根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的方法包括在半導(dǎo)體發(fā)光器件的晶片上方定位柔性膜，每個(gè)半導(dǎo)體發(fā)光器件包括半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括夾在η型區(qū)域和ρ型區(qū)域之間的發(fā)光層。經(jīng)由柔性膜將半導(dǎo)體發(fā)光器件的晶片接合到襯底。在接合之后，柔性膜與半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)直接接觸。該方法還包括將所述晶片接合到所述襯底之后，劃分所述晶片。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0006]圖1示出了包括生長(zhǎng)于生長(zhǎng)襯底上的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)、金屬η和ρ接觸以及接合焊盤的半導(dǎo)體發(fā)光器件。
[0007]圖2示出了接合到處置部(handle)的半導(dǎo)體發(fā)光器件的晶片。
[0008]圖3示出了去除生長(zhǎng)襯底并將半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)頂表面紋理化之后圖2的結(jié)構(gòu)。
[0009]圖4示出了接合到第二襯底之后圖3的結(jié)構(gòu)。[0010]圖5示出了去除處置部并且劃分晶片之后圖4的結(jié)構(gòu)。
[0011]圖6示出了接合到透明透鏡的現(xiàn)有技術(shù)LED管芯。
【具體實(shí)施方式】
[0012]在圖6中不出的器件中，在將LED芯片4從LED芯片晶片單一化之后，將透鏡2附著到LED芯片4。
[0013]在本發(fā)明的實(shí)施例中，通過預(yù)先形成的硅樹脂層壓膜將包括設(shè)置于η型區(qū)和ρ型區(qū)之間的發(fā)光區(qū)的半導(dǎo)體發(fā)光器件的晶片接合到襯底。正如本文中使用的，“晶片”指的是其在被分成更小的結(jié)構(gòu)之前的結(jié)構(gòu)，例如上面已經(jīng)生長(zhǎng)有許多發(fā)光器件的半導(dǎo)體材料的生長(zhǎng)襯底。盡管在下文的范例中半導(dǎo)體發(fā)光器件是發(fā)射藍(lán)光或者UV光的III族氮化物L(fēng)ED，但是也可以使用除LED之外的半導(dǎo)體發(fā)光器件(比如激光二極管)以及由諸如其他II1-V族材料、III族磷化物、III族砷化物、I1-VI族材料、ZnO或者硅基材料的其他材料系統(tǒng)制作的半導(dǎo)體發(fā)光器件。
[0014]圖1示出了半導(dǎo)體發(fā)光器件。為了形成圖1中示出的器件，在生長(zhǎng)襯底11上生長(zhǎng)半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)13。襯底11可以是任意合適的襯底，諸如例如藍(lán)寶石、SiC、S1、GaN或者復(fù)合襯底。該半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)13包括夾在η型和ρ型區(qū)12和16之間的發(fā)光區(qū)或者有源區(qū)14。η型區(qū)12可以首先生長(zhǎng)并且可以包括具有不同的組成成分和摻雜濃度的多個(gè)層，例如包括諸如緩沖層或者成核層的準(zhǔn)備層，和/或被設(shè)計(jì)成有助于移除生長(zhǎng)襯底的層(其可以是η型或者是未被有意摻雜的)以及為了使發(fā)光區(qū)有效地發(fā)光所希望的特定光學(xué)、材料或者電氣屬性設(shè)計(jì)的η型或者甚至ρ型器件層。光發(fā)射區(qū)或者有源區(qū)14生長(zhǎng)在η型區(qū)12上。合適的光發(fā)射區(qū)的范例包括單個(gè)厚的或薄的發(fā)光層，或者多量子阱光發(fā)射區(qū)，其包括由勢(shì)壘層分開的多個(gè)薄的或者厚的發(fā)光層。然后可以在光發(fā)射區(qū)14上生長(zhǎng)ρ型區(qū)16。與η型區(qū)12類似，P型區(qū)16可以包括具有不同組成成分、厚度和摻雜濃度的多個(gè)層，其包括未被有意摻雜的層或者η型層。該器件中所有半導(dǎo)體材料的總厚度在一些實(shí)施例中小于10 μ?，在一些實(shí)施例中小于6 Mm。在一些實(shí)施例中，在半導(dǎo)體材料生長(zhǎng)之后可以可選地在200°C和800°C之間對(duì)其進(jìn)行退火。
[0015]P接觸33形成于ρ型區(qū)16上。P接觸33可以是多層金屬接觸?？梢酝ㄟ^，例如，蒸鍍或者濺射沉積與P型區(qū)16直接接觸的第一金屬層，然后通過包括例如蝕刻或者剝離的標(biāo)準(zhǔn)光刻操作對(duì)其構(gòu)圖。第一金屬層可以是與P型III族氮化物材料進(jìn)行歐姆接觸的反射金屬，例如，諸如銀。第一金屬層還可以是過渡金屬和銀的多層疊層。過渡金屬可以是，例如，鎳。第一金屬層在一些實(shí)施例中厚度是100 A和2000 A之間，在一些實(shí)施例中厚度是500 A和1700 A之間，而在一些實(shí)施例中厚度是1000 A和1600 A之間。在沉積第一金屬層之后可以可選地對(duì)該結(jié)構(gòu)退火?？蛇x的第二金屬層可以例如通過蒸鍍或者濺射沉積在第一金屬層上，然后通過諸如例如蝕刻或者剝離的標(biāo)準(zhǔn)光刻操作對(duì)其構(gòu)圖。第二金屬層可以是與銀反應(yīng)最小的任意導(dǎo)電材料，諸如例如鈦鎢合金?？梢圆糠?、全部或者一點(diǎn)也不將這種合金氮化。替代地，第二金屬層可以是鉻、鉬或硅，或者可以是為粘附到周圍層以及為阻擋第一金屬層擴(kuò)散而優(yōu)化的任意上述材料的多層疊層。第二金屬層在一些實(shí)施例中厚度是ioooA和10000 A之間，在一些實(shí)施例中厚度是2000 A和8000 A之間，而在一些實(shí)施例中厚度是2000 A和7000 A之間。[0016]然后通過標(biāo)準(zhǔn)光刻操作對(duì)該結(jié)構(gòu)構(gòu)圖，并且通過例如，反應(yīng)離子蝕刻(RIE)(其中化學(xué)意義上的反應(yīng)等離子體被用于去除半導(dǎo)體材料)或者電感耦合等離子體(ICP)蝕刻(一種RIE過程，其中通過RF動(dòng)力電磁場(chǎng)產(chǎn)生等離子體)將其蝕刻。在一些實(shí)施例中，圖案由用于對(duì)P接觸金屬層中的一個(gè)或多個(gè)進(jìn)行構(gòu)圖的光刻掩模確定。在這些實(shí)施例中，在單次操作中，可以在P接觸金屬蝕刻之后進(jìn)行蝕刻。在一個(gè)或多個(gè)區(qū)域中，去除了整個(gè)厚度的P型區(qū)16和整個(gè)厚度的發(fā)光區(qū)14，顯露出η型區(qū)12的表面(圖1中示出了三個(gè)這種區(qū)域)。
[0017]金屬η接觸36形成于通過蝕刻掉ρ型區(qū)和發(fā)光區(qū)而暴露出的η型區(qū)12的一個(gè)部分或多個(gè)部分上。η接觸36可以是任意合適的金屬，包括鋁或者多層金屬疊層，其包括鋁、鈦鎢合金、銅和金。在η接觸36是多層疊層的實(shí)施例中，可以選擇第一金屬(即與η型區(qū)12相鄰的金屬)從而與GaN形成歐姆接觸，并且反射藍(lán)光和白光。這種第一層可以是，例如，鋁?？梢酝ㄟ^任意合適的工藝沉積η接觸36，其包括，例如濺射、蒸鍍、電鍍或者這些工藝的組合。
[0018]可以例如通過等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)、化學(xué)氣相沉積(CVD)或者蒸鍍將電介質(zhì)38沉積在該結(jié)構(gòu)上。電介質(zhì)38電隔離η接觸36和ρ接觸33。通過標(biāo)準(zhǔn)光刻操作對(duì)電介質(zhì)38構(gòu)圖，并且通過ICP蝕刻或者RIE將其蝕刻，以暴露出η接觸36和ρ接觸33。電介質(zhì)38可以是任意合適的電介質(zhì)，包括氮化硅、氧化硅和氮氧化硅。在一些實(shí)施例中，電介質(zhì)38是反射疊層。電介質(zhì)38可以在η接觸36之前或之后形成。
[0019]接合焊盤40a和40b形成于η和ρ接觸以及電介質(zhì)38上，其用于將η和ρ接觸重新分配到適于接合到諸如例如PC板的另一個(gè)結(jié)構(gòu)的大的導(dǎo)電焊盤。接合焊盤通常是金屬的，但是也可以是任意合適的導(dǎo)電材料。接合焊盤40a通過P接觸33電連接到P型區(qū)16。接合焊盤40b通過η接觸36電連接到η型區(qū)12。接合焊盤40可以是,例如，Cu或者例如包括T1、TiW、Cu、Ni和Au的多層金屬疊層，其通過濺射或者濺射和電鍍的組合而沉積。接合焊盤40a和40b可以被如圖1中所示的間隙或者被諸如上文參考電介質(zhì)38所述的材料的固體電介質(zhì)電隔離。
[0020]許多個(gè)圖1中示出的器件同時(shí)形成于單個(gè)晶片上。圖1中示出的發(fā)光器件的具體結(jié)構(gòu)與本發(fā)明的實(shí)施例不相關(guān)一可以使用任意合適的發(fā)光器件結(jié)構(gòu)。
[0021]在圖2中，諸如例如圖1中示出的器件的器件晶片附著到處置部44。半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)13通過金屬層31和接合層42附著到處置部44。圖2、3、4和5中的金屬層31包括上述的和圖1中詳細(xì)示出的η和ρ接觸36和33、電介質(zhì)38以及接合焊盤40。在去除生長(zhǎng)襯底11期間，處置部44機(jī)械地支撐著半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)13。處置部44可以是，例如，玻璃、藍(lán)寶石、硅或者任意其他合適的材料。接合層可以僅形成于處置部44上，僅形成于半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)13上或者形成于處置部44和半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)13 二者之上。一個(gè)或多個(gè)接合層可以是任意合適的材料，諸如，例如，由任意合適的技術(shù)(諸如例如旋涂)形成的諸如硅樹脂的有機(jī)材料。在形成一個(gè)或多個(gè)接合層后，處置部44和半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)13在高溫下被按壓在一起。因?yàn)橹筇幹貌?4被去除并且因此其不包含必須與晶片上各個(gè)發(fā)光器件對(duì)準(zhǔn)的特征，所以處置部44和半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)13之間的接合不需要任何對(duì)準(zhǔn)。
[0022]在圖3中，通過包括例如激光剝離、蝕刻或者機(jī)械技術(shù)的任意適合生長(zhǎng)襯底材料的技術(shù)將生長(zhǎng)襯底11從半導(dǎo)體器件的晶片上去除?？梢詫⑼ㄟ^去除生長(zhǎng)襯底11而暴露出的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)13的表面46 (與圖1中生長(zhǎng)襯底11的界面處的η型區(qū)12的表面)可選地變薄，然后可選地將其紋理化(例如通過粗糙化或者通過形成圖案)，以提高來自半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)13的光提取?？梢酝ㄟ^標(biāo)準(zhǔn)光刻和蝕刻對(duì)表面46構(gòu)圖，并且可以通過包括例如蝕刻(諸如KOH溶液中的光電化學(xué)蝕刻)、機(jī)械研磨或者燒蝕的任意合適的技術(shù)將其粗糙化。
[0023]在圖4中，接合層48形成于半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)13的紋理化的表面46上。在一些實(shí)施例中，接合層48是柔性膜，其可以是全部或者部分固化的透明材料，比如硅樹脂。接合膜48可以與半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)13和襯底50分開形成，這樣允許在附著到半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)13之前，對(duì)該膜的厚度以及該膜特征的測(cè)試和驗(yàn)證進(jìn)行嚴(yán)格控制。在一些實(shí)施例中，可以將諸如金剛石的散熱材料添加到接合膜48中。在一些實(shí)施例中，可以將諸如金剛石、硅石、TiO2和/或其他無機(jī)添加劑的材料添加到接合膜48中，從而如下文所述那樣，調(diào)整膜的折射率，改善光傳輸，造成光散射和/或改善沉積在膜中的波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換材料的轉(zhuǎn)換。
[0024]在一些實(shí)施例中，例如通過將硅樹脂的混合物散布在支撐膜上，然后全部或部分固化硅樹脂，使接合膜48形成于諸如乙烯-四氟乙烯共聚物膜的支撐膜上。完成的薄膜是固體。在一些實(shí)施例中，在形成接合膜48后，在接合膜48上形成保護(hù)膜，從而使接合膜48夾在支撐膜和保護(hù)膜之間。在與接合膜48進(jìn)行第一次接合(例如接合到半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)13)之前將支撐膜和保護(hù)膜之一去除，然后在與接合膜48進(jìn)行第二次接合(例如接合到襯底50)之前去除支撐膜和保護(hù)膜中的另一個(gè)。
[0025]如下將接合膜48附著到半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)13或者襯底50。將支撐膜和保護(hù)膜之一去除后，對(duì)接合膜48預(yù)固化。為了達(dá)到阻止硅樹脂在接合期間熔化，并且在半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)13或襯底50上可以維持目標(biāo)接合膜厚度的膜硬度，將接合膜48在100和150°C之間預(yù)固化1_10分鐘。在預(yù)固化接合膜48之后，在第一接合步驟中將其附著到半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)13。將包括接合膜48和半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)13的結(jié)構(gòu)載入真空層壓機(jī)中，以利用真空、高溫和高壓中的一種或多種將接合膜48附著到半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)13的表面46。溫度和壓力是平衡的，以便接合膜48為下文所述的第二接合步驟維持粘合強(qiáng)度。例如，在一些實(shí)施例中，在60和100°C之間的溫度下，在一些實(shí)施例中，在0.1和0.3 MPa之間的壓力下，在一些實(shí)施例中，在大約為10_3 Torr的真空下，接合膜48可以接合到半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)13。
[0026]然后經(jīng)由接合層48將半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)13接合到襯底50。襯底50可以是諸如玻璃的透明、高折射率材料，其在接合到半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)13之前預(yù)先形成于襯底晶片中。上文玻璃的折射率的范圍可以是1.5至2.2，或者在一些實(shí)施例中更高，與GaN的折射率(2.4)緊密匹配。用于襯底50的合適材料包括合適的高折射率玻璃，諸如氯化鉛、溴化鉛、氟化鉀、氟化鋅、鋁、銻、鉍、硼、鉛、鋰、磷、鉀、硅、鈉、碲、鉈、鎢或鋅的氧化物，或者其任意混合物。例如，高折射率玻璃還包括諸如 Schott 玻璃 LaSFN35、LaFlO、NZK7、NLAF21、LaSFNl8、SF59 或 LaSF3或者Ohara玻璃SLAH51或SLAM60或者其混合物的材料，諸如(Ge、As、Sb、Ga) (S、Se、Te、F、Cl、1、Br)硫?qū)倩锖土驅(qū)僭佧u化物玻璃的玻璃。在一些實(shí)施例中，襯底50可以包括諸如玻璃、氟化鎂和聚合物的較低折射率材料或者由諸如玻璃、氟化鎂和聚合物的較低折射率材料形成。
[0027]在將接合膜48接合到半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)13后，從接合膜48去除支撐膜和保護(hù)膜中的另一個(gè)，并且將襯底50定位在接合膜48的頂部。在一些實(shí)施例中，然后將該結(jié)構(gòu)放在第二真空層壓機(jī)中，第二真空層壓機(jī)在高于第一接合步驟中使用的溫度和壓力下將襯底50接合到接合膜48。例如，在一些實(shí)施例中，襯底50可以在110和120°C之間的溫度下接合到接合膜48。盡管在上文的范例中，在第一接合步驟中將接合膜48附著到半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)13，在第二接合步驟中將其附著到襯底50，但是在一些實(shí)施例中，在第一接合步驟中將接合膜48附著到襯底50，然后在第二接合步驟中將其附著到半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)13。
[0028]在一些實(shí)施例中，在接合膜48、襯底50或者這二者中包括將由發(fā)光區(qū)發(fā)出的波長(zhǎng)的光轉(zhuǎn)換成其他波長(zhǎng)的一種或多種發(fā)光材料。可以由波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換材料轉(zhuǎn)換由發(fā)光區(qū)發(fā)出的以及入射到波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換材料上的所有的光或者僅一部分光。由發(fā)光區(qū)發(fā)出的未經(jīng)轉(zhuǎn)換的光可以是最終的光的光譜的一部分，盡管其不必一定這樣。常見組合的范例包括與發(fā)出黃光的波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換材料組合的發(fā)出藍(lán)光的LED、與發(fā)出綠光和紅光的波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換材料組合的發(fā)出藍(lán)光的LED、與發(fā)出藍(lán)光和黃光的波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換材料組合的發(fā)出UV的LED、與發(fā)出藍(lán)光、綠光和紅光的波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換材料組合的發(fā)出UV的LED?？梢栽黾影l(fā)出其他顏色的光的波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換材料以調(diào)節(jié)從該器件發(fā)出的光的光譜。波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換材料可以是常規(guī)磷光體顆粒、有機(jī)半導(dǎo)體、H-VI或II1-V族半導(dǎo)體、I1-VI或II1-V族半導(dǎo)體量子點(diǎn)或納米晶體、染料、聚合物或者發(fā)冷光的諸如GaN的材料。如果襯底50和接合層48之一或二者都包括常規(guī)磷光體顆粒，那么在一些實(shí)施例中，包括磷光體的該結(jié)構(gòu)對(duì)于容納通常具有大約5微米至大約50微米尺寸的顆粒來說足夠厚。可以使用任意合適的磷光體，包括諸如Y3Al5O12 = Ce (YAG)、Lu3Al5O12 = Ce(LuAG)、Y3Al5_xGax012:Ce (YAlGaG)、(Ba1^xSrx)SiO3IEu (BOSE)的基于石榴石的磷光體以及諸如(Ca，Sr)AlSiN3:Eu和(Ca，Sr，Ba)2Si5N8:Eu的基于氮化鎵的磷光體?？梢詫⒉煌牟ㄩL(zhǎng)轉(zhuǎn)換材料混合在一起或者形成為分立的層。在制造這些結(jié)構(gòu)期間，可以將波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換材料并入接合膜48和/或襯底50。例如，在將硅樹脂混合物散布在支撐膜上以形成接合膜48之前，可以將波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換材料與硅樹脂混合。
[0029]如圖5所示，在接合到襯底50之后，例如通過蝕刻、機(jī)械分離、激光剝離或者任何其他合適的技術(shù)去除處置部44。例如通過蝕刻或者其他合適的技術(shù)去除在去除處置部44之后殘留的任何接合材料42。然后可以將晶片分成各個(gè)器件或者多組器件。圖5中示出了從晶片分離的三個(gè)結(jié)構(gòu)之間的邊界52。因?yàn)榘雽?dǎo)體結(jié)構(gòu)13和襯底50是在一起被劃開的，所以如圖5所示，襯底不比發(fā)光器件更寬。可以通過例如常規(guī)鋸切、通過利用193nm、248 nm或355 nm光的激光燒蝕或者通過水·射流切割進(jìn)行晶片分割，將其分成各個(gè)器件或者多組器件。還可以經(jīng)由劃片和機(jī)械斷裂的組合進(jìn)行分割，例如可以通過常規(guī)鋸切、通過利用193nm、248 nm或355 nm光的激光燒蝕或者通過水射流切割進(jìn)行劃片。
[0030]已經(jīng)詳細(xì)描述了本發(fā)明，本領(lǐng)域的技術(shù)人員將認(rèn)識(shí)到，在給出本公開內(nèi)容的前提下，可以對(duì)本發(fā)明做出修改而不脫離本文所述發(fā)明構(gòu)思的精神。因此，并非要將本發(fā)明的范圍限于所示和所述的具體實(shí)施例。
【權(quán)利要求】
1.一種方法，包括: 在半導(dǎo)體發(fā)光器件的晶片上方定位柔性膜，每個(gè)半導(dǎo)體發(fā)光器件包括半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括夾在η型區(qū)和P型區(qū)之間的發(fā)光層； 經(jīng)由所述柔性膜將襯底接合到所述半導(dǎo)體發(fā)光器件的晶片，其中在接合之后，所述柔性膜與所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)直接接觸；以及 將所述晶片接合到所述襯底之后，劃分所述晶片。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中: 每個(gè)半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)還包括設(shè)置于所述η型區(qū)上的第一金屬接觸和設(shè)置于所述P型區(qū)上的第二金屬接觸，其中所述第一和第二金屬接觸都形成于所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的第一表面上； 所述柔性膜與所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的與所述第一表面相反的第二表面直接接觸。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述柔性膜包括波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換材料。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述柔性膜包括硅樹脂。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述柔性膜是透明的。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中接合包括: 將所述柔性膜接合到所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)；以及 將所述柔性膜接合到所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)之后，將所述柔性膜接合到所述襯底。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述襯底為玻璃。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述晶片中每個(gè)半導(dǎo)體發(fā)光器件的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)生長(zhǎng)于單一生長(zhǎng)襯底上，所述方法還包括: 將半導(dǎo)體發(fā)光器件的晶片接合到處置部；以及 將半導(dǎo)體發(fā)光器件的晶片接合到處置部之后，去除所述生長(zhǎng)襯底。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，還包括對(duì)通過去除所述生長(zhǎng)襯底而暴露的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的表面進(jìn)行紋理化。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中所述柔性膜被定位于所述紋理化的表面上方。
11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，還包括在經(jīng)由所述柔性膜將襯底接合到半導(dǎo)體發(fā)光器件的晶片之后，去除所述處置部。
【文檔編號(hào)】H01L33/22GK103858243SQ201280042515
【公開日】2014年6月11日 申請(qǐng)日期:2012年7月30日 優(yōu)先權(quán)日:2011年8月30日
【發(fā)明者】G.巴辛, J.E.伊普勒, P.S.馬丁 申請(qǐng)人:皇家飛利浦有限公司