不具有燒透能力或具有較差燒透能力的鋁漿及其用于鈍化發(fā)射極和背面觸點(diǎn)硅太陽能電 ...的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及不具有燒透能力或僅具有較差燒透能力的鋁漿，所述鋁漿包含鋁顆粒、至少一種包含以下物質(zhì)的玻璃料：0.5至15重量%SiO2、0.3至10重量%Al2O3、以及67至75重量%Bi2O3（重量百分比以玻璃料的總重量計(jì)）、以及有機(jī)載體。鋁漿用于PERC（鈍化發(fā)射極和背面觸點(diǎn)）硅太陽能電池的鋁背面電極的制造中，其中所述漿料施加在硅片背面上的穿孔的介電鈍化層上，并且隨后干燥并焙燒，或者作為另外一種選擇，其中所述漿料施加在硅片背面上的未穿孔的鈍化層上，干燥并焙燒，并且隨后激光干燥鋁層和鈍化層，以在鈍化層中產(chǎn)生穿孔并形成局部BSF（背表面場）觸點(diǎn)。
【專利說明】不具有燒透能力或具有較差燒透能力的鋁漿及其用于鈍化發(fā)射極和背面觸點(diǎn)硅太陽能電池的背面電極的用途
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及鋁漿及其在PERC (鈍化發(fā)射極以及背面觸點(diǎn))硅太陽能電池生產(chǎn)中的用途，即在PERC電池型硅太陽能電池的鋁背面電極以及相應(yīng)的硅太陽能電池生產(chǎn)中的用途。
【背景技術(shù)】
[0002]通常，硅太陽能電池具有正面和背面金屬噴鍍兩者(正面電極和背面電極)。常規(guī)的具有P型基板的硅太陽能電池結(jié)構(gòu)使用負(fù)極以接觸電池的正面或光照面以及背面上的正極。眾所周知，在半導(dǎo)體主體的p-n結(jié)上入射的適當(dāng)波長的輻射用作在該主體中生成電子-空穴對的外部能量源。存在于P-n結(jié)處的電勢差導(dǎo)致空穴和電子以相反的方向橫跨該結(jié)移動，從而生成能夠向外部電路遞送電力的電流。大部分太陽能電池為已被金屬化的硅片形式，即，設(shè)置有導(dǎo)電的金屬觸點(diǎn)。
[0003]當(dāng)前生產(chǎn)的大多數(shù)太陽能電池均基于結(jié)晶硅。一種流行的用于沉積電極的方法為金屬漿料的絲網(wǎng)印刷。
[0004]US2011/120535A1公開了不具有燒透能力或僅具有較差燒透能力的鋁厚膜組合物。所述鋁厚膜組合物包含粒狀鋁、有機(jī)載體和至少一種玻璃料，所述玻璃料選自(i)無鉛玻璃料，所述無鉛玻璃料具有550至61 TC范圍內(nèi)的軟化點(diǎn)溫度，并且包含11至33重量％(重量％)的Si02、>0至7重量％的Al2O3和2至10重量％的B2O3,和(ii )含鉛玻璃料，所述含鉛玻璃料具有571至636°C范圍內(nèi)的軟化點(diǎn)溫度，并且包含53至57重量％的Pb0、25至29重量％的Si02、2至6重量％的Al2O3和6至9重量％的B203。鋁厚膜組合物可用于形成PERC硅太陽能電池的鋁背面電極。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明涉及可用于形成PERC硅太陽能電池的鋁背面電極的鋁漿(鋁厚膜組合物)。還涉及形成鋁漿的方法和鋁漿在PERC硅太陽能電池生產(chǎn)中的用途以及PERC硅太陽能電池本身。
[0006]本發(fā)明涉及一種鋁漿，所述鋁漿不具有燒透能力或僅具有較差的燒透能力，并且包含粒狀鋁、有機(jī)載體和至少一種無鉛玻璃料，所述無鉛玻璃料選自包含以下物質(zhì)的玻璃料:0.5至15重量％Si02、0.3至10重量％A1203、以及67至75重量％Bi203，其中所述重量百分比以所述玻璃料的總重量計(jì)。
[0007]本發(fā)明還涉及形成PERC硅太陽能電池的方法和PERC硅太陽能電池本身，所述PERC硅太陽能電池利用具有P型和η型區(qū)域、p-n結(jié)的硅片、正面ARC (抗反射涂層)層和背面穿孔的介電鈍化層，所述方法包括在背面穿孔的介電鈍化層上施加(例如印刷，具體地為絲網(wǎng)印刷)本發(fā)明的鋁漿，并且焙燒如此施加的鋁漿，從而使晶片達(dá)到700至900°C范圍內(nèi)的峰值溫度。[0008]本發(fā)明還涉及形成LFC-PERC (激光焙燒接觸PERC)硅太陽能電池的方法和LFC-PERC硅太陽能電池本身，所述LFC-PERC硅太陽能電池利用具有P型和η型區(qū)域、p-n結(jié)的硅片、正面ARC層和背面未穿孔的介電鈍化層，所述方法包括在背面介電鈍化層上施加(例如印刷，具體地為絲網(wǎng)印刷)本發(fā)明的鋁漿，焙燒如此施加的鋁漿，從而使晶片達(dá)到700至900°C范圍內(nèi)的峰值溫度，并且然后將經(jīng)焙燒的鋁層激光焙燒以在介電鈍化層中產(chǎn)生穿孔并形成局部BSF觸點(diǎn)。
【具體實(shí)施方式】
[0009]在本說明書和權(quán)利要求書中使用了術(shù)語“燒透能力”。其應(yīng)指金屬漿料在焙燒期間蝕刻并穿透(燒透)鈍化層或ARC層的能力。換句話講，具有燒透能力的金屬漿料為以下金屬漿料，其燒透鈍化層或ARC層，從而與硅基板下方的表面進(jìn)行電接觸。相應(yīng)地，具有較差燒透能力或甚至沒有燒透能力的金屬漿料在焙燒時與硅基板不進(jìn)行電接觸。為了避免誤解，在該背景下，術(shù)語“無電接觸”不應(yīng)被理解為絕對的；而是應(yīng)指焙燒金屬漿料和硅表面之間的接觸電阻率超過I Ω 而就電接觸而言，焙燒金屬漿料和硅表面之間的接觸電阻率在I至IOm Ω.cm2的范圍內(nèi)。
[0010]接觸電阻率可通過TLM(傳送長度方法)來測量。為此，可使用以下樣本制備和測量的程序:將具有未穿孔的背面鈍化層的硅片絲網(wǎng)印刷在鈍化層上，其中鋁漿待以ΙΟΟμπι寬和20厚的平行線圖案測試，其中線之間的間距為2.05mm,并且然后焙燒使晶片達(dá)到730°C的峰值溫度。對于樣本制備，優(yōu)選使用與本發(fā)明方法中(即，使用本發(fā)明的鋁漿形成PERC硅太陽能電池的方法中)所用的具有相同類型背面鈍化層的硅片。將焙燒的晶片激光切割成8mm乘42mm的長條，其中平行線彼此不接觸，并且包括至少6條線。然后使條在20°C下在暗處經(jīng)受常規(guī)TLM測量。所述TLM測量可使用得自GP Solar的裝置GP4-Test Pro來進(jìn)行。
[0011]PERC硅太陽能電池對技術(shù)人員而言是熟知的；參見例如:P.Choulat等人，“Abovel7%industrial type PERC Solar Cell on thin Mult1-Crystalline SiliconSubstrate，，，European Photovoltaic Solar22nd Energy Conference(第 22 屆歐洲太陽能光伏展覽會)，2007年9月3日-7日(Milan，Italy)。PERC硅太陽能電池代表常規(guī)硅太陽能電池的一種特殊類型；它們以在它們的正面和它們的背面上具有介電鈍化層為特征。正面上的鈍化層用作ARC (減反射涂層)層，如硅太陽能電池的常規(guī)情況那樣。背面上的介電鈍化層為穿孔的；其用于延長電荷載體的壽命并因此改善光的轉(zhuǎn)換效率。期望盡可能多地避免損害穿孔的介電背面鈍化層。
[0012]類似于常規(guī)硅太陽能電池的生產(chǎn)，PERC硅太陽能電池的生產(chǎn)通常以硅片形式的P型硅基板開始，在所述硅片上通過磷(P)等的熱擴(kuò)散來形成反向傳導(dǎo)型的η型擴(kuò)散層(η型發(fā)射極)。通常將三氯氧磷(P0C13)用作氣態(tài)磷擴(kuò)散源，其它液體源為磷酸等。在不存在任何特定改性的情況下，在娃基板的整個表面之上形成η型擴(kuò)散層。p-n結(jié)在P型摻雜劑濃度等于η型摻雜劑濃度處形成。具有靠近光照面的p-n結(jié)的電池具有介于0.05 μ m和0.5 μ m之間的結(jié)深度。
[0013]在形成該擴(kuò)散層之后，通過用某種酸諸如氫氟酸蝕刻而將多余的表面玻璃從表面的其余部分除去。
[0014]接著,在正面η型擴(kuò)散層上形成例如Ti0x、SiNx、Ti0x/Si0x、SiNx的介電層,或具體地SiNx/SiOx的介電疊堆。作為PERC硅太陽能電池的特定部件，也將所述電介質(zhì)沉積在硅片的背面上至例如介于0.05 μ m和0.1 μ m之間的厚度。電介質(zhì)的沉積可在例如在氫或?yàn)R射的存在下使用諸如等離子CVD (化學(xué)氣相沉積)的方法來進(jìn)行。此類層用作PERC硅太陽能電池正面的ARC層和鈍化層以及用作其背面的介電鈍化層。然后將PERC硅太陽能電池背面上的鈍化層穿孔。穿孔通常通過酸蝕刻或激光鉆孔產(chǎn)生，并且如此產(chǎn)生的孔的直徑為例如50至300 μ m。它們的深度對應(yīng)于鈍化層的厚度或可甚至略微超過它。穿孔的數(shù)目處于例如100至500/平方厘米的范圍內(nèi)。
[0015]正如具有P型基板和正面η型發(fā)射極的常規(guī)太陽能電池結(jié)構(gòu)一樣，PERC硅太陽能電池通常具有在它們的正面上的負(fù)極和在它們的背面上的正極。通常通過在電池正面上的ARC層上絲網(wǎng)印刷正面銀漿(形成正面電極的銀漿)并干燥來施加作為柵極的負(fù)極。通常以所謂的H圖案對正面柵電極進(jìn)行絲網(wǎng)印刷，所述H圖案包括細(xì)平行指狀線(收集器線)和以直角與指狀線相交的兩條母線。此外，在P型硅基板背面上的穿孔的鈍化層上還施加(通常絲網(wǎng)印刷)背面銀或銀/鋁漿和鋁漿并依次干燥。通常，首先將背面銀或銀/鋁漿施加到背面穿孔的鈍化層上以形成陽極背面觸點(diǎn)，例如作為準(zhǔn)備好用于焊接互連線(預(yù)焊接的銅帶)的兩條平行母線或作為矩形或插片。然后將鋁漿施加到裸露區(qū)域中，所述鋁漿與背面銀或銀/鋁略微重疊。在一些情況下，在施加鋁漿之后施加銀或銀/鋁漿。然后通常在帶式爐中進(jìn)行焙燒I至5分鐘的時間，其中晶片達(dá)到700至900°C范圍內(nèi)的峰值溫度。正面電極和背面電極可依次焙燒或共同焙燒。
[0016]一般在硅片背面上的穿孔的介電鈍化層上絲網(wǎng)印刷并干燥鋁漿。在鋁熔點(diǎn)以上的溫度下焙燒晶片以在鋁和硅之間的局部觸點(diǎn)處形成鋁-硅熔體，即在硅片的背面未被介電鈍化層覆蓋的那些部分處，或換句話講，在穿孔的位置處。如此形成的局部P+觸點(diǎn)一般稱為局部BSF (背表面場)觸點(diǎn)。通過從干燥狀態(tài)焙燒成鋁背面電極來轉(zhuǎn)化鋁漿，而背面銀或銀/鋁漿則在焙燒時變成銀或銀/鋁背面電極。通常，對鋁漿和背面銀或銀/鋁漿共同焙燒，盡管也可能依次焙燒。在焙燒期間，背面鋁與背面銀或銀/鋁之間的邊界呈現(xiàn)合金狀態(tài)，并且也進(jìn)行電連接。鋁電極占據(jù)背面電極的大部分面積。在背面的部分之上形成銀或銀/鋁背面電極作為用于借助預(yù)焊接的銅帶等來互連太陽能電池的陽極。此外，在焙燒期間，作為正面陰極印刷的正面銀漿蝕刻并穿透ARC層，并且從而能夠電接觸η型層。該類型的方法一般稱為“燒透”。
[0017]還已知用于制造PERC硅太陽能電池的背面電極的略有不同的方法。在此，鋁電極占據(jù)背面電極的整個區(qū)域，并且銀或銀/鋁背面電極采用連接局部BSF觸點(diǎn)的銀背面電極圖案的形式。這是指，鋁漿完全平面地施加并焙燒以形成局部BSF觸點(diǎn)，并且銀或銀/鋁背面電極采用連接局部BSF觸點(diǎn)的銀或銀/鋁背面電極圖案的形式施加?！般y或銀/鋁背面電極圖案”應(yīng)指銀或銀/鋁背面陽極作為連接所有局部BSF觸點(diǎn)的細(xì)紋的圖案布置。例子包括連接所有局部BSF觸點(diǎn)的平行但連接的細(xì)紋布置，或連接所有局部BSF觸點(diǎn)的細(xì)紋的格柵。在此類格柵的情況下，其通常但不必需為方格格柵。要點(diǎn)為所述銀背面電極圖案為連接所有局部BSF觸點(diǎn)并因此還確保后者的電連接的圖案。所述銀背面電極圖案與一個或多個陽極背面觸點(diǎn)電接觸，所述陽極背面觸點(diǎn)準(zhǔn)備好焊接互連帶，例如預(yù)焊接的銅帶。所述一個或多個陽極背面觸點(diǎn)可采取例如一種或多種母線、矩形或插片的形式。一個或多個陽極背面觸點(diǎn)本身可形成銀背面圖案的一部分，并且可連同細(xì)紋同時施加。還可能單獨(dú)地，即在施加連接所有局部BSF觸點(diǎn)的細(xì)紋之前或之后施加陽極背面觸點(diǎn)。
[0018]還已知PERC硅太陽能電池的特定實(shí)施例。在此，局部BSF觸點(diǎn)通過激光焙燒制得；因此，我們將此類PERC硅太陽能電池稱為LFC-PERC (激光焙燒的接觸PERC)硅太陽能電池。在此，設(shè)置有正面ARC層和背面鈍化層的硅片不經(jīng)受前述酸蝕刻或激光鉆孔步驟。相反，將鋁漿施加在未穿孔的背面鈍化層上并焙燒而不與背面鈍化層下面的硅表面進(jìn)行接觸。其后，僅進(jìn)行激光焙燒步驟，在此期間不僅產(chǎn)生穿孔，而且產(chǎn)生局部BSF觸點(diǎn)。原理公開于例如 DE102006046726A1 和 US2004/097062A1 中。
[0019]本發(fā)明的鋁漿不具有燒透能力或僅具有較差的燒透能力。從而，其拓寬了關(guān)于不具有燒透能力或僅具有較差燒透能力的鋁漿的原料基礎(chǔ)。
[0020]已發(fā)現(xiàn)，本發(fā)明的鋁漿允許生產(chǎn)具有改善的電效率的PERC硅太陽能電池。所述焙燒的鋁漿很好地粘附到背面鈍化層，并且因此導(dǎo)致用所述鋁漿生產(chǎn)的PERC硅太陽能電池具有長的耐久性或使用壽命。
[0021]不受希望任何理論的約束，據(jù)信，本發(fā)明的鋁漿不損壞或不顯著損壞硅片背面上的介電鈍化層和/或不表現(xiàn)出或僅表現(xiàn)出少量的鋁-硅合金在焙燒或激光焙燒期間通過硅片背面鈍化層中的穿孔而逸出。
[0022]本發(fā)明的鋁漿包含粒狀鋁、有機(jī)載體和至少一種無鉛玻璃料，所述無鉛玻璃料選自包含以下物質(zhì)的玻璃料:0.5至15重量％Si02、0.3至10重量％A1203、以及67至75重
量 ％Bi203。
[0023]粒狀鋁可為鋁或鋁合金，所述鋁合金具有一種或多種其它金屬，例如鋅、錫、銀和鎂。在鋁合金的情況下，鋁含量為例如99.7重量％至低于100重量％。粒狀鋁可包括各種形狀的鋁顆粒，例如鋁薄片、球形鋁粉末、結(jié)節(jié)形(不規(guī)則形)鋁粉末、或它們的任何組合。在一個實(shí)施例中，粒狀鋁為鋁粉末。鋁粉末表現(xiàn)出例如4至12 μ m的平均粒度。粒狀鋁可以如下比例存在于鋁漿中:以總鋁漿組合物計(jì)，50至80重量％，或在一個實(shí)施例中，70至75重量％。
[0024]在本說明書和權(quán)利要求書中使用術(shù)語“平均粒度”。其應(yīng)指借助激光散射測定的平均粒度(平均粒徑，d50)。
[0025]本說明書和權(quán)利要求書中關(guān)于平均粒度所作的所有陳述均涉及如存在于鋁漿組合物中的相關(guān)材料的平均粒度。
[0026]存在于鋁漿中的粒狀鋁可伴隨有一種或多種其它粒狀金屬，例如銀或銀合金粉末。以粒狀鋁加上一種或多種其它粒狀金屬的總量計(jì)，此類一種或多種其它粒狀金屬的比例為例如O至10重量％。
[0027]鋁漿包括有機(jī)載體?？蓪⒑芏喾N惰性粘稠材料用作有機(jī)載體。有機(jī)載體可為粒狀成分(粒狀鋁、任選存在的其它粒狀金屬、玻璃料、進(jìn)一步任選存在的無機(jī)粒狀成分)能夠以充分的穩(wěn)定度分散于其中的有機(jī)載體。有機(jī)載體的性能，具體地為流變性，可使得它們賦予鋁漿組合物良好的施加性能，包括:不溶性固體的穩(wěn)定分散性、對于施加(具體地絲網(wǎng)印刷)的適當(dāng)粘度和觸變性、硅片背面鈍化層和漿料固體的適當(dāng)可潤濕性、良好的干燥速率、以及良好的焙燒性能。用于鋁漿中的有機(jī)載體可為非水惰性液體。有機(jī)載體可為有機(jī)溶劑或有機(jī)溶劑混合物；在一個實(shí)施例中，有機(jī)載體可為一種或多種有機(jī)溶劑中一種或多種有機(jī)聚合物的溶液。在一個實(shí)施例中，用于該目的的聚合物可為乙基纖維素?？蓡为?dú)使用或組合使用的聚合物的其它例子包括乙基羥乙基纖維素、木松香、酚醛樹脂和低級醇的聚(甲基)丙烯酸酯。合適的有機(jī)溶劑的例子包括酯醇和萜烯例如α-或β-萜品醇或它們與其它溶劑例如煤油、鄰苯二甲酸二丁酯、二甘醇丁基醚、二甘醇丁醚乙酸酯、己二醇和高沸點(diǎn)醇的混合物。此外，在有機(jī)載體中還可包含揮發(fā)性有機(jī)溶劑用于促進(jìn)在將鋁漿施加于背面鈍化層上后的快速硬化。可配制這些溶劑和其它溶劑的各種組合以獲得所期望的粘度和揮發(fā)性要求。[0028]鋁漿中的有機(jī)載體含量可取決于施加漿料的方法和所用的有機(jī)載體的種類，并且其可變化。在一個實(shí)施例中，其以總鋁漿組合物計(jì)可為20至45重量％，或者在一個實(shí)施例中，其可在22至35重量％的范圍內(nèi)。20至45重量％的數(shù)目包括一種或多種有機(jī)溶劑、一種或多種可能的有機(jī)聚合物和一種或多種可能的有機(jī)添加劑。
[0029]鋁漿中的有機(jī)溶劑含量以總鋁漿組合物計(jì)可在5至25重量％，或者在一個實(shí)施例中，10至20重量％的范圍內(nèi)。
[0030]一種或多種有機(jī)聚合物可以如下比例存在于有機(jī)載體中:以總鋁漿組合物計(jì)在O至20重量％,或者在一個實(shí)施例中，5至10重量％的范圍內(nèi)。
[0031]鋁漿包括作為無機(jī)粘結(jié)劑的至少一種無鉛玻璃料。所述至少一種無鉛玻璃料選自包含以下物質(zhì)的玻璃料:0.5至15重量％Si02、0.3至10重量％A1203以及67至75重量°/咖203。Si02、Al203和Bi2O3的重量百分比可為或可不為總計(jì)100%。在它們不為總計(jì)100%的情況下，遺漏的重量％可具體地由一種或多種其它成分構(gòu)成，例如B203、ZnO、BaO, ZrO2,P2O5> SnO2 和 / 或 BiF3O
[0032]在一個實(shí)施例中，所述至少一種無鉛玻璃料包含0.5至15重量％Si02、0.3至10重量°從1203、67至75重量％Bi203以及以下物質(zhì)中的至少一種:>0至12重量％B203、>0至16重量％ZnO、>0至6重量％BaO。所有重量百分比均以所述玻璃料的總重量計(jì)。
[0033]可用于本發(fā)明鋁漿中的無鉛玻璃料的具體組成示于表1中。所述表示出了以所述玻璃料的總重量計(jì)，所述玻璃料A-N中各種成分的重量％。
[0034]表1
[0035]
【權(quán)利要求】
1.鋁漿，所述鋁漿不具有燒透能力或僅具有較差的燒透能力，并且包含粒狀鋁、有機(jī)載體和至少一種無鉛玻璃料，所述無鉛玻璃料選自包含以下物質(zhì)的玻璃料:0.5至15重量％Si02、0.3至10重量％A1203、以及67至75重量％Bi203，其中所述重量百分比以所述玻璃料的總重量計(jì)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鋁漿，其中以總鋁漿組合物計(jì)，所述粒狀鋁以50至80重量％的比例存在。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的鋁漿，其中以總鋁漿組合物計(jì)，所述有機(jī)載體含量為20至45重量％。
4.根據(jù)權(quán)利要求1、2或3所述的鋁漿，其中所述至少一種無鉛玻璃料還包含以下物質(zhì)中的至少一種:>0至12重量％B203、>0至16重量％ZnO、>0至6重量％BaO。
5.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的鋁漿，其中在所述鋁漿中，至少一種無鉛玻璃料的總含量為0.25至8重量％。
6.用于生產(chǎn)PERC硅太陽能電池的方法，包括以下步驟: (1)提供硅片，所述硅片在其正面上具有ARC層并且在其背面上具有穿孔的介電鈍化層； (2)在所述硅片背面上的穿孔的介電鈍化層上施加前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)的鋁漿并干燥，以及 (3)焙燒所述干燥的鋁漿，從而使所述硅片達(dá)到700至900°C的峰值溫度。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的用于生產(chǎn)LFC-PERC硅太陽能電池的方法，其中使用未穿孔的介電鈍化層代替所述穿孔的介電鈍化層，并且其中所述方法包括以下附加步驟: (4)將所述經(jīng)焙燒的鋁層和所述經(jīng)焙燒的鋁層下方的介電鈍化層激光焙燒，以在所述鈍化層中產(chǎn)生穿孔并形成局部BSF觸點(diǎn)。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其中焙燒連同其它正面和/或背面金屬漿料一起共焙燒來進(jìn)行，所述正面和/或背面金屬漿料在焙燒期間已施加到所述硅片以在其上形成正面和/或背面電極。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中所述一種或多種其它背面金屬漿料選自不具有燒透能力或僅具有較差燒透能力的銀漿和不具有燒透能力或僅具有較差燒透能力的銀/鋁漿。
10.根據(jù)權(quán)利要求6至9中任一項(xiàng)所述的方法，其中所述鋁漿通過印刷施加。
11.PERC硅太陽能電池，所述PERC硅太陽能電池通過權(quán)利要求6至10中任一項(xiàng)的方法制成。
12.PERC硅太陽能電池，包含鋁背面電極，其中所述鋁背面電極利用權(quán)利要求1至5中任一項(xiàng)的鋁漿制成。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的PERC硅太陽能電池，還包括硅片。
【文檔編號】H01B1/22GK103733349SQ201280039124
【公開日】2014年4月16日 申請日期:2012年8月10日 優(yōu)先權(quán)日:2011年8月11日
【發(fā)明者】K·W·杭, G·勞迪辛奧, A·G·普林斯, Y·王, R·S·沃特 申請人:E.I.內(nèi)穆爾杜邦公司