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天線和無(wú)線標(biāo)簽的制作方法

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天線和無(wú)線標(biāo)簽的制作方法
【專(zhuān)利摘要】本發(fā)明提供一種天線和無(wú)線標(biāo)簽,本發(fā)明所涉及的天線(1)具備被配置在相同或者平行的平面內(nèi)的底板(11)和輻射元件(12),且適合安裝到無(wú)線標(biāo)簽(2)。此外,本發(fā)明所涉及的天線(1)具備縮短電容器(14),其介于輻射元件(12)的和供電側(cè)為相反側(cè)的端部(12B)與底板(11)之間。
【專(zhuān)利說(shuō)明】天線和無(wú)線標(biāo)簽
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及天線和安裝了天線的無(wú)線標(biāo)簽裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]近年來(lái),RFID (Radio Frequency Identification:射頻識(shí)別)系統(tǒng)被廣泛地用于各種目的。RFID系統(tǒng)包括無(wú)線標(biāo)簽和閱讀器,并根據(jù)它們之間的無(wú)線通信來(lái)實(shí)現(xiàn)各種功能。
[0003]在用于RFID系統(tǒng)的無(wú)線標(biāo)簽中,具有沒(méi)有內(nèi)置電池的無(wú)源標(biāo)簽和內(nèi)置了電池的有源標(biāo)簽。無(wú)源標(biāo)簽作為預(yù)付卡等用于與接近的閱讀器之間進(jìn)行無(wú)線通信的無(wú)線標(biāo)簽而使用。另一方面,有源標(biāo)簽作為在入室管理系統(tǒng)中使用者所攜帶的標(biāo)簽或在庫(kù)存管理系統(tǒng)中粘貼在商品上的標(biāo)簽等用于與沒(méi)有接近的閱讀器之間進(jìn)行無(wú)線通信的無(wú)線標(biāo)簽而使用。作為公開(kāi)了入室管理系統(tǒng)的文獻(xiàn),例如舉出專(zhuān)利文獻(xiàn)I。
[0004]在無(wú)線標(biāo)簽上,需要安裝用于與閱讀器進(jìn)行無(wú)線通信的天線。作為安裝在無(wú)線標(biāo)簽上的天線,無(wú)論是有源標(biāo)簽還是無(wú)源標(biāo)簽,常常使用小環(huán)天線。然而,在安裝了小環(huán)天線的有源標(biāo)簽中,由于輻射功率小,因此有時(shí)會(huì)給與沒(méi)有接近的閱讀器之間的無(wú)線通信造成障礙。
[0005]為了解決這種問(wèn)題,考慮代替小環(huán)天線,而使用小型偶極天線或者小型單極天線。這里,小型偶極天線和小型單極天線分別是指輻射元件的全長(zhǎng)ρ相比諧振波長(zhǎng)λ足夠小(P << λ )的偶極天線和單極天線。小環(huán)天線的輻射功率與(P / λ)4成正比,與此相對(duì),小型偶極天線和小型單極天線的輻射功率與(P / λ)2成正比。S卩,小型偶極天線和小型單極天線的輻射功率比小環(huán)天線的輻射功率大。但是,滿(mǎn)足條件P << λ的這些小型天線在獲得的輻射功率的大小方面均具有限度。
[0006]另一方面,公知有:采用P = λ / 2的半波長(zhǎng)偶極天線和采用ρ = λ / 4的I / 4波長(zhǎng)單極天線相比上述的小型天線,輻射效率較好。作為具備半波長(zhǎng)偶極天線的有源標(biāo)簽,有專(zhuān)利文獻(xiàn)2所記載的標(biāo)簽等。專(zhuān)利文獻(xiàn)2中記載的有源標(biāo)簽通過(guò)具有平面半波長(zhǎng)偶極天線,而得到足夠的輻射功率,并且抑制了其厚度。
[0007]專(zhuān)利文獻(xiàn)1:日本公開(kāi)專(zhuān)利公報(bào)“日本特開(kāi)2011-70642 (2011年4月7日公開(kāi))”
[0008]專(zhuān)利文獻(xiàn)2:日本公開(kāi)專(zhuān)利公報(bào)“日本特開(kāi)平2-125797 (1990年5月14日公開(kāi))”
[0009]為了使無(wú)線標(biāo)簽適合電波法等法令,常常需要使安裝的天線的工作范圍(諧振頻率)低頻化。然而,在具備平面的半波長(zhǎng)偶極天線或者I / 4波長(zhǎng)單極天線的卡型的無(wú)線標(biāo)簽中,如果使天線的工作范圍低頻化,則導(dǎo)致該天線尺寸的大型化。因此,對(duì)于具備平面的半波長(zhǎng)偶極天線或者I / 4波長(zhǎng)單極天線的卡型的無(wú)線標(biāo)簽,存在無(wú)法滿(mǎn)足將無(wú)線標(biāo)簽的尺寸小型化的要求這樣的問(wèn)題。
[0010]例如,在日本,如圖13所示那樣確定了無(wú)線標(biāo)簽等微弱無(wú)線電臺(tái)被允許的最大電場(chǎng)強(qiáng)度(參照電波法第4條和電波法實(shí)施規(guī)則第6條)。S卩,在322MHz以下的范圍,如果電場(chǎng)強(qiáng)度(準(zhǔn)確地說(shuō)是在從微弱無(wú)線電臺(tái)起離開(kāi)了 3m的地點(diǎn)的電場(chǎng)強(qiáng)度)在500μν / m以下,則允許對(duì)該微弱無(wú)線電臺(tái)的未經(jīng)許可使用,相對(duì)于此,在322MHz以上IOGHz以下的范圍,如果電場(chǎng)強(qiáng)度比35μν / m大,則不允許對(duì)該微弱無(wú)線電臺(tái)的未經(jīng)許可使用。如果將電場(chǎng)強(qiáng)度設(shè)在35μν / m以下,貝U在最壞的情況下,有時(shí)連在從微弱無(wú)線電臺(tái)起離開(kāi)了 Im的地點(diǎn),足夠強(qiáng)度的電磁波也無(wú)法到達(dá),從而是不具有實(shí)用性的。此外,在超過(guò)了 IOGHz的帶,被允許的電場(chǎng)強(qiáng)度相比35 μ V / m變大。然而,頻率越來(lái)越高,難以制造構(gòu)成微弱無(wú)線電臺(tái)的部件。尤其是,構(gòu)成在60GHz以上的范圍進(jìn)行工作的微弱無(wú)線電臺(tái)的部件目前還沒(méi)有被實(shí)用化。因此,為了實(shí)現(xiàn)不論誰(shuí)都能夠輕易使用的無(wú)線標(biāo)簽,優(yōu)選將安裝的天線的工作范圍設(shè)在322MHz 以下。
[0011]但是,為了將半波長(zhǎng)偶極天線的工作范圍設(shè)在322MHz以下,需要將其輻射元件的全長(zhǎng)設(shè)在λ / 2 N 46.6cm以上。因此,只使用平面半波長(zhǎng)偶極天線,難以實(shí)現(xiàn)例如將無(wú)線標(biāo)簽的尺寸縮小到85.6mmX54.0mm這樣的要求。此外,為了將I / 4波長(zhǎng)單極天線的工作范圍設(shè)在322MHz以下,需要將其輻射元件的全長(zhǎng)設(shè)在λ / 4 N 23.3cm以上。因此,即使使用了平面I / 4波長(zhǎng)單極天線,也難以實(shí)現(xiàn)上述那樣的要求。這種問(wèn)題是不論是否將輻射元件和底板配置于相同的平面內(nèi)都產(chǎn)生的問(wèn)題。
[0012]另外,上述的85.6mmX 54.0mm (更嚴(yán)格地說(shuō)是85.60mmX 53.98mm)這樣的尺寸是在ISO / IEC7810中被確定為ID-1的卡尺寸,是在電子貨幣卡等無(wú)源標(biāo)簽中常采用的尺寸。該ID-1卡尺寸的縱橫比為黃金比,看起來(lái)很美觀,并且在國(guó)際上是被確認(rèn)為人們易于使用的卡尺寸。如果能夠?qū)崿F(xiàn)ID-1卡尺寸的有源標(biāo)簽,則是理想的,但是如上述那樣,使用已有的半波長(zhǎng)偶極天線或者I / 4波長(zhǎng)單極天線,難以實(shí)現(xiàn)ID-1卡尺寸的有源標(biāo)簽。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0013]本發(fā)明正是鑒于上述問(wèn)題而完成的。其目的在于,在具有與I / 4波長(zhǎng)單極天線匹敵的輻射效率的天線中,實(shí)現(xiàn)不將尺寸大型化而使工作范圍低頻化的天線,尤其是實(shí)現(xiàn)適合安裝到薄型且小型無(wú)線標(biāo)簽的天線。
[0014]為了解決上述課題,本發(fā)明所涉及的天線的特征在于,是具備配置在第I平面內(nèi)的底板和至少一部分配置在第2平面內(nèi)的輻射元件的天線,所述天線具備電容器,其介于上述輻射元件的和供電側(cè)為相反側(cè)的端部與上述底板之間。這里,該第2平面是與第I平面相同的平面,或者是與第I平面平行的平面。
[0015]根據(jù)上述的構(gòu)成,由于輻射元件被配置在與底板相同的平面或者與底板平行的平面內(nèi),因此能夠?qū)崿F(xiàn)可安裝到無(wú)線標(biāo)簽的薄型的天線。而且,根據(jù)上述電容器的作用,不增加上述輻射元件的全長(zhǎng),就能夠使上述天線的工作范圍(諧振頻率)低頻化。因此,能夠?qū)崿F(xiàn)不將尺寸大型化就使工作范圍低頻化的天線。另外,上述的天線是具備了底板和輻射元件的單極型的天線。因此,與輻射元件的長(zhǎng)度相同的環(huán)形天線相比輻射功率較大,也適合安裝到有源標(biāo)簽。
[0016]另外,在輻射元件的一部分被配置在第2平面內(nèi)的情況下,即,在輻射元件的某些部分被配置在第2平面內(nèi)且輻射元件的其他部分被配置在第2平面外的情況下,也可以將該其他部分配置在第I平面內(nèi),還可以配置在與第I平面和第2平面的雙方平行的第3平面內(nèi)。
[0017]如以上那樣,本發(fā)明所涉及的天線是具備被配置在第I平面內(nèi)的底板、以及至少一部分被配置在第2平面內(nèi)的輻射元件的天線,該第2平面是與上述第I平面相同的平面或者與上述第I平面平行的平面,該天線具備電容器,其介于上述輻射元件的和供電側(cè)為相反側(cè)的端部與上述底板之間。因此,根據(jù)本發(fā)明,能夠?qū)崿F(xiàn)不將尺寸大型化就使工作范圍低頻化的天線。此外,由本發(fā)明實(shí)現(xiàn)的天線也適合安裝到無(wú)線標(biāo)簽。
【專(zhuān)利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0018]圖1是表示本發(fā)明的第I實(shí)施方式所涉及的天線的構(gòu)成的俯視圖。
[0019]圖2是用于說(shuō)明圖1所示的天線所具備的縮短電容器的效果的圖。(a)表示天線的等價(jià)電路,(b)表示單極天線Al、在單極天線Al上安裝了縮短電容器而成的天線A2、以及具有與天線A2相同的諧振頻率的單極天線A3。
[0020]圖3是用于說(shuō)明圖1所示的天線所具備的縮短電容器的電容的圖。表示具有全長(zhǎng)為λ / 4的輻射元件的單極天線B1、和安裝了電容為C的縮短電容器且具有全長(zhǎng)為h的輻射元件的單極天線B2。
[0021]圖4 Ca)是表示圖1所示的天線的饋電點(diǎn)周?chē)慕Y(jié)構(gòu)的俯視圖,(b)是表示其變形例的俯視圖。
[0022]圖5 (a)是表示圖1所示的天線的輻射元件周?chē)慕Y(jié)構(gòu)的俯視圖,(b)和(C)是表示其變形例的俯視圖。
[0023]圖6是表示本發(fā)明的第I實(shí)施方式所涉及的天線的一個(gè)實(shí)施例的俯視圖。
[0024]圖7是標(biāo)繪了圖6所示的天線的S參數(shù)(Sll)的史密斯圓圖。(a)表示沒(méi)有安裝縮短電容器的情況,(b)表示安裝了 2pF的縮短電容器的情況,(c)表示安裝了 3pF的縮短電容器的情況,Cd)表示安裝了 4pF的縮短電容器的情況。
[0025]圖8是表示本發(fā)明的第2實(shí)施方式所涉及的天線的構(gòu)成的俯視圖。
[0026]圖9是用于說(shuō)圖8所示的天線具有與區(qū)域R1、R2的形狀對(duì)應(yīng)的諧振頻率的圖。(a)是表示圖8所示的天線具有與特定的偶極天線的諧振頻率相當(dāng)?shù)闹C振頻率的圖,(b)是表示圖8所示的天線具有與特定的單極天線的諧振頻率相當(dāng)?shù)闹C振頻率的圖。
[0027]圖10是表示本發(fā)明的第3實(shí)施方式所涉及的天線的構(gòu)成的立體圖。
[0028]圖11是表示圖10所示的天線的變形例的立體圖。
[0029]圖12是表示圖10所示的天線的其他變形例的立體圖。
[0030]圖13是表示由日本的法令(電波法第4條和電波法實(shí)施規(guī)則第6條)確定的微弱無(wú)線電臺(tái)被允許的最大電場(chǎng)強(qiáng)度的圖表。
【具體實(shí)施方式】
[0031]〔第I實(shí)施方式〕
[0032]根據(jù)附圖,按照以下對(duì)本發(fā)明的第I實(shí)施方式(以下,記載為“本實(shí)施方式”)進(jìn)行說(shuō)明。
[0033](天線的構(gòu)成)
[0034]參照?qǐng)D1,對(duì)本實(shí)施方式所涉及的天線I的構(gòu)成進(jìn)行說(shuō)明。圖1是表示本實(shí)施方式所涉及的天線I的構(gòu)成的俯視圖。
[0035]如圖1所示,天線I是具備底板11、輻射元件12、以及短路部13的倒F型天線。底板11、輻射元件12、以及短路部13彼此不重疊地被配置在相同的平面(以下也記載為“天線形成面”)內(nèi),構(gòu)成適合安裝到無(wú)線標(biāo)簽2 (在圖1中用虛線表示其外緣)的薄型的平面天線。
[0036]底板11是被配置在天線形成面內(nèi)的面狀(板狀)的導(dǎo)體,有時(shí)也稱(chēng)為“接地平面”。在天線I中,底板11承擔(dān)利用鏡面效應(yīng)來(lái)增強(qiáng)從輻射元件12輻射的電磁波這樣的功能。在本實(shí)施方式中,作為底板11,使用矩形形狀的導(dǎo)體箔。在底板11的外緣,設(shè)置有凹部Ila和凸部lib。更具體而言,凹部Ila形成于短邊IlA的從一端(在圖1中為右端)向中央靠近的位置,后述的輻射元件12的端部12A進(jìn)入到該凹部11a。另一方面,凸部Ilb形成于短邊IlA的一端(在圖1中為左端),后述的輻射元件12的端部12B與該凸部Ilb對(duì)置。
[0037]輻射元件12是被配置在天線形成面內(nèi)的線狀(絲狀)或者帶狀(條狀)的導(dǎo)體,有時(shí)也被稱(chēng)為“天線部件”。在本實(shí)施方式中,作為輻射元件12,使用有彎曲的帶狀的導(dǎo)體箔。更具體而言,使用有由以下部分構(gòu)成的帶狀的導(dǎo)體箔:(1)從端部12A向y軸正向延伸的第I直線部12a ; (2)從直線部12a的和端部12A為相反側(cè)的端部向x軸正向延伸的第2直線部12b ; (3)從第2直線部12b的和第I直線部12a側(cè)為相反側(cè)的端部向y軸正向延伸的第3直線部12c ; (4)從第3直線部12c的和第2直線部12b側(cè)為相反側(cè)的端部向x軸負(fù)向延伸的第4直線部12d ;以及(5)從第4直線部12d的和第3直線部12c側(cè)為相反側(cè)的端部向y軸負(fù)向延伸的第5直線部12e。這里,X軸和y軸分別是與底板11的短邊IlA和長(zhǎng)邊IlB平行的軸。
[0038]如上述那樣,輻射元件12的端部12A(在本實(shí)施方式中,與第I直線部12a的和第2直線部12b側(cè)為相反側(cè)的端部一致)進(jìn)入到底板11的凹部11a,與底板11的凹部Ila共同構(gòu)成供電部。在圖1中,分別用P和Q表示設(shè)置于輻射元件12和底板11的饋電點(diǎn)。以下,也將輻射元件12的端部12A稱(chēng)為“供電側(cè)的端部”。
[0039]如上述那樣,輻射元件12的端部12B(在本實(shí)施方式中,與第5直線部12e的和第4直線部12d側(cè)為相反側(cè)的端部一致)與底板11的凸部Ilb對(duì)置,并經(jīng)由電容器14與底板11的凸部Ilb連接。該電容器14如后述那樣承擔(dān)著保持輻射元件12的長(zhǎng)度不變地使天線I的工作范圍(諧振頻率)低頻化這樣的功能,換而言之,承擔(dān)著保持天線I的工作范圍不變地縮短輻射元件12的長(zhǎng)度這樣的功能。更具體而言,承擔(dān)著保持天線I的工作范圍不變地將輻射元件12的全長(zhǎng)P從λ / 4縮短至λ / 8以下的功能。以下,也將該電容器14稱(chēng)為“縮短電容器”。
[0040]短路部13是使輻射元件12的中間部12C和底板11的外緣短路且配置在天線形成面內(nèi)的線狀或者帶狀的導(dǎo)體,其承擔(dān)著使天線I的輸入阻抗與IC芯片21 (后述)的輸出阻抗匹配這樣的功能。在本實(shí)施方式中,將第2直線部12b與第3直線部12c之間用作中間部12C,將沿著從該中間部12C降至底板11的短邊IlA的垂線而配置的帶狀的導(dǎo)體箔用作短路部13。由此,輻射元件12的供電線部(從端部12A至中間部12C的部分)被配置在由底板11、短路部13、和輻射元件12的主要部(從中間部12C至端部12B的部分)圍成的區(qū)域。另外,中間部12C中的“中間”是指處于端部12A與端部12B之間,不要求是端部12A與端部12B的中點(diǎn)。
[0041]另外,底板11、輻射元件12、以及短路部13例如能夠通過(guò)使用了導(dǎo)電銀漿的印刷而一體形成在平板狀基板即PET (聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯)膜上。通過(guò)采用這種構(gòu)成,顯然能夠?qū)崿F(xiàn)適合安裝到無(wú)線標(biāo)簽2的極其薄型的天線I。作為平板狀基板的材料,除PET之外,還能夠使用環(huán)氧玻璃,聚酰亞胺等各種電介質(zhì)。
[0042]在將天線I安裝于無(wú)線標(biāo)簽2的情況下,如圖1所示,能夠?qū)⒌装?1的長(zhǎng)邊IlB與無(wú)線標(biāo)簽2的長(zhǎng)邊2B (例如,85.6mm)平行地配置,并且在底板11的短邊IlA與無(wú)線標(biāo)簽2的短邊2A (例如,54.0mm)之間的空間配置輻射元件12和短路部13。允許這種配置的理由不外乎是因?yàn)?在縮短電容器14的作用下,輻射元件12的全長(zhǎng)P被縮短至λ / 8以下。
[0043]實(shí)際上,在使天線I在315MHz工作的情況下,如果不設(shè)置縮短電容器14,則輻射元件12的全長(zhǎng)P大約為25cm(相當(dāng)于λ / 4)。因此,無(wú)論怎樣折彎輻射元件12,也難以將輻射元件12配置于上述空間。另一方面,如果設(shè)置縮短電容器14,則輻射元件12的全長(zhǎng)P大約為IOcm (相當(dāng)于λ / 10)。因此,如果如上述那樣折彎輻射元件12,則能夠容易地將輻射元件12配置于上述空間。
[0044]此外,在將天線I安裝到無(wú)線標(biāo)簽2的情況下,如圖1所示,可以將隨天線I 一起安裝到無(wú)線標(biāo)簽2的IC芯片21和紙電池22分別與饋電點(diǎn)P、Q和底板11重疊地配置。通過(guò)將IC芯片21與饋電點(diǎn)P、Q重疊地配置,能夠不經(jīng)由同軸線纜等而使IC芯片21與饋電點(diǎn)P、Q直接連結(jié)。因此,能夠更有效地進(jìn)行天線-1C芯片間的高頻信號(hào)的傳輸。此外,通過(guò)將紙電池22與底板11重疊地配置,能夠避免紙電池22與配置在上述空間的輻射元件12重疊。因此,能夠防止由于紙電池22內(nèi)產(chǎn)生的感應(yīng)電流抵消了形成于輻射元件12周?chē)碾妶?chǎng)而使輻射強(qiáng)度降低,或者防止由于紙電池22使形成于輻射元件12周?chē)碾姶艌?chǎng)發(fā)生變形而導(dǎo)致輻射方向產(chǎn)生偏移。另外,安裝于無(wú)線標(biāo)簽2的電池并不局限于紙電池22,也可以是紐扣電池等其他電池。在該情況下,也將該電池與底板11重疊地配置即可。
[0045]另外,本實(shí)施方式所涉及的天線I是除底板11和輻射元件12外還具備短路部13的倒F型天線,但是并不局限于此。即,本實(shí)施方式所涉及的天線I能夠通過(guò)省略短路部13,而變形為具備了底板11和輻射元件12的倒L型天線。在該情況下,也并沒(méi)有對(duì)在縮短電容器14的作用下縮短輻射元件12的全長(zhǎng)P這一點(diǎn)作出改變。
[0046](縮短電容器)
[0047]本實(shí)施方式所涉及的天線I的最大特征是具備:介于輻射元件12的和供電側(cè)為相反側(cè)的端部12B與底板11之間的縮短電容器14這一點(diǎn)。由此,能夠保持天線I的工作范圍不變地縮短輻射元件12的全長(zhǎng)P。換而言之,能夠保持著輻射元件12的全長(zhǎng)P不變地使天線I的工作范圍向低頻側(cè)偏移。這里,在圖1所示的輻射元件12中,上述五個(gè)直線部12a~12e的長(zhǎng)度總和與福射兀件12的全長(zhǎng)P相當(dāng)。
[0048]參照?qǐng)D2,對(duì)縮短電容器14的效果稍加詳細(xì)地進(jìn)行說(shuō)明。以下,為了簡(jiǎn)便,以單極天線為例進(jìn)行說(shuō)明,但是對(duì)倒F型天線、倒L型天線等單極型天線(具備底板和輻射元件的天線且以與單極天線相同的工作原理工作的天線)而言,通常也可以說(shuō)相同。
[0049]如已知那樣,單極天線等價(jià)于圖2 Ca)所示的RLC串聯(lián)諧振電路。這里,R是輻射電阻,Le是有效電感,Ce是有效電容。有效電感Le和有效電容(;由輻射元件的材質(zhì)和形狀等來(lái)決定。阻抗Z由(I)式得到,諧振頻率f。由(2)式得到。
[0050]【數(shù)式I】
【權(quán)利要求】
1.一種天線,其特征在于,該天線具備: 底板,其被配置在第I平面內(nèi);以及 輻射元件,其至少一部分被配置在第2平面內(nèi),該第2平面是與所述第I平面相同的平面,或者是與所述第I平面平行的平面, 所述天線具備電容器,該電容器介于所述輻射元件的和供電側(cè)為相反側(cè)的端部與所述底板之間。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的天線,其特征在于, 若將該天線的諧振波長(zhǎng)設(shè)為λ,則所述電容器的電容被設(shè)定成所述輻射元件的全長(zhǎng)在λ / 8以下。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的天線,其特征在于, 所述底板和所述輻射元件分別被安裝于單一的平板狀基板。
4.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任意一項(xiàng)所述的天線,其特征在于, 所述第2平面是與所述第I平面相同的平面。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的天線,其特征在于, 所述底板和所述輻射元件被形成在85.6mmX54.0mm以下的矩形區(qū)域內(nèi),并且,諧振頻率在322MHz以下。
6.根據(jù)權(quán)利要求4或5所述的天線,其特征在于, 所述輻射元件是帶狀的導(dǎo)體, 將該天線的諧振頻率設(shè)為f [Hz],將該天線的諧振波長(zhǎng)設(shè)為λ = c / f [m],將所述輻射元件的全長(zhǎng)設(shè)為h [m],將所述輻射元件的寬度的平均值設(shè)為W [m],將向下述(A)式代入d = W而得到的C設(shè)為Co [F],所述電容器的電容被設(shè)定在0.5 X Co以上且1.5 X Co以下,其中,c是光速, 【數(shù)式I】
7.根據(jù)權(quán)利要求4至6中任意一項(xiàng)所述的天線,其特征在于, 在所述底板的外緣形成有凹部, 所述輻射元件的所述供電側(cè)的端部進(jìn)入到所述凹部。
8.根據(jù)權(quán)利要求4至7中任意一項(xiàng)所述的天線,其特征在于, 還具備短路部,該短路部使所述輻射元件的中間點(diǎn)和所述底板的外緣短路, 所述輻射元件的從所述供電側(cè)的端部到所述中間點(diǎn)的供電線部被配置在由所述底板、所述短路部、以及所述輻射元件的從所述中間點(diǎn)到和所述供電側(cè)為相反側(cè)的端部的主要部圍成的區(qū)域內(nèi)。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的天線,其特征在于, 所述短路部的和所述中間點(diǎn)側(cè)為相反側(cè)的端部、以及所述輻射元件的和所述供電側(cè)為相反側(cè)的端部的至少一個(gè)與構(gòu)成所述底板的外緣的邊上從該邊一端向靠近該邊的中央的位置連接。
10.根據(jù)權(quán)利要求4至6中任意一項(xiàng)所述的天線,其特征在于, 還具備短路部,該短路部使所述輻射元件的所述供電側(cè)的端部與所述底板的外緣短路, 由所述底板的外緣、所述輻射元件以及所述短路部圍成的區(qū)域被連接饋電點(diǎn)彼此的直線分割成兩個(gè)區(qū)域。
11.根據(jù)權(quán)利要求3所述的天線,其特征在于, 所述第1平面和所述第2平面的一方是所述平板狀基板的背面,另一方是所述平板狀基板的正面。
12.根據(jù)權(quán)利要求3所述的天線,其特征在于, 所述平板狀基板是多層基板, 所述第I平面是作為所述平板狀基板的內(nèi)層或者外層的第I層所包含的平面, 所述第2平面是作為與所述第I層不同的所述平板狀基板的內(nèi)層或者外層的第2層所包含的平面。
13.根據(jù)權(quán)利要求11或12所述的天線,其特征在于, 所述平板狀基板的尺寸在85.6mmX 54.0mm以下,并且諧振頻率在322MHz以下。
14.一種無(wú)線標(biāo)簽,其特征在于, 在無(wú)線標(biāo)簽中,內(nèi)置有權(quán)利要求1至13中任意一項(xiàng)所述的天線。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的無(wú)線標(biāo)簽,其特征在于, 所述底板和電池以在85.6mmX54.0mm以下的矩形區(qū)域內(nèi)彼此不重疊的方式而配置。
16.根據(jù)權(quán)利要求14或15所述的無(wú)線標(biāo)簽,其特征在于, 該無(wú)線標(biāo)簽為卡型。
【文檔編號(hào)】H01Q9/36GK103688409SQ201280035649
【公開(kāi)日】2014年3月26日 申請(qǐng)日期:2012年7月20日 優(yōu)先權(quán)日:2011年7月20日
【發(fā)明者】瀧平將人 申請(qǐng)人:株式會(huì)社藤倉(cāng)
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