自適應(yīng)配方選擇器相關(guān)申請的交叉引用本申請涉及于2010年2月11日公布的公開號(hào)為2010/0036514的、題為“CreatingMulti-Layer/Multi-Input/Multi-Output(MLMIMO)ModelsforMetal-GateStructure”的共同待審的美國專利申請序列第12/186,668號(hào)；以及于2009年10月1日公布的公開號(hào)為2009/0242513的、題為“Multi-Layer/Multi-Input/Multi-Output(MLMIMO)ModelsandMethodforUsing”的共同待審的美國專利申請序列第12/059,624號(hào)；以及與本申請同日提交的題為“IonEnergyAnalyzerandMethodsofManufacturingandOperating”的共同待審的美國臨時(shí)專利申請序列第61/468,187號(hào)（代理人案號(hào)TEA-051PROV）。通過引用將這些申請的每個(gè)的內(nèi)容的全部并入到本文。本申請還涉及Chen等人的于2010年8月17日頒發(fā)的題為“Two-GridIonEnergyAnalyzerandMethodsofManufacturingandOperating”的美國專利第7,777,179號(hào)，并且通過引用將該專利全部內(nèi)容并入本文。另外，該申請還涉及Chen等人于2011年1月25日頒發(fā)的題為“IonEnergyAnalyzerandMethodsofManufacturingandOperating”的美國專利第7,875,859號(hào)，并且通過引用將該專利全部內(nèi)容并入本文。另外，該申請還涉及Funk等人的于2011年1月25日頒發(fā)的、題為“UsingMulti-Layer/Multi-Input/Multi-Output(MLMIMO)ModelsforMetal-GateStructures”的美國專利第7,894,927號(hào)，并且通過引用將該專利全部內(nèi)容并入本文。技術(shù)領(lǐng)域本發(fā)明涉及晶圓處理，并且更具體地涉及使用離子能量控制（IEC）蝕刻工序以及相關(guān)聯(lián)的離子能量控制多輸入/多輸出（IEC-MIMO）模型來在晶圓上實(shí)時(shí)地形成金屬-柵結(jié)構(gòu)的設(shè)備和方法。

背景技術(shù)：
蝕刻處理行為為固有非線性的和相互作用的從步驟到步驟（層）或伴 隨著處理堆疊被編譯（蝕刻/CVD/注入）。借助基于TokyoElectronLimited（TEL）室和基本處理的物理建模與來自處理細(xì)化的英制數(shù)據(jù)和測量并調(diào)節(jié)臨界尺度（CD）的控制相互作用的知識(shí)，可以使用多輸入多輸出非線性模型、以遞歸的方式計(jì)算并優(yōu)化側(cè)壁角度（SWA）、深度、膜厚、過蝕刻、底切、表面清洗以及損傷控制。當(dāng)前的低成本產(chǎn)品使用體硅技術(shù)。隨著晶體管持續(xù)縮小，溝道深度的影響正變得越來越關(guān)鍵（超淺源/漏極延伸）。隨著絕緣體上硅（SOI）膜縮小，柵和/或間隔厚度以及SOI膜的厚度的較小變化可以影響晶體管的性能。當(dāng)蝕刻制程不受控制時(shí)，柵附近的材料的移除影響電性能。當(dāng)前的高性能微處理器使用PDSOI（部分耗盡的絕緣膜上硅膜）—給出0.2伏特的閾值電壓。PDSOI膜為約50nm，而柵和/或間隔的減少量可以為總的柵和/或間隔厚度的較大百分比（10%）。下一代SOI膜被稱為FDSOI（完全耗盡，給出0.08伏特的閾值電壓以及約25nm的厚度）。當(dāng)前這些膜由于厚度控制均一性和缺陷上的限制而未生產(chǎn)。溝道遷移率隨著SOI厚度的減小而降低。在較薄的膜的情況下，金屬-柵結(jié)構(gòu)的控制變得更關(guān)鍵。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：
本發(fā)明能夠提供一種設(shè)備和方法，其使用離子能量控制（IEC）蝕刻工序和相關(guān)聯(lián)的（IE）多輸入/多輸出（MIMO）模型，在圖案化晶圓上實(shí)時(shí)地形成柵結(jié)構(gòu)和目標(biāo)特征。根據(jù)以下的描述及其附圖，本發(fā)明的其他方面將變得明顯。附圖說明現(xiàn)在將參照所附示意圖僅通過實(shí)施例的方式來描述本發(fā)明的實(shí)施方式，在所附示意圖中，相應(yīng)附圖標(biāo)記表示相應(yīng)部分，并且其中：圖1示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的處理系統(tǒng)的示例性框圖；圖2A至圖2G示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的離子能量控制（IEC）蝕刻子系統(tǒng)的示例性框圖；圖3A至圖3G示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的、附加離子能量控制（IEC）蝕刻子系統(tǒng)的示例性框圖；圖4示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的示例性離子能量控制多輸入/多輸 出（IEC-MIMO）模型優(yōu)化及控制工藝條件（methodology）的簡化框圖；圖5A、圖5A’、圖5B以及圖5B’示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的、用于形成金屬柵結(jié)構(gòu)的第一離子能量（IE）相關(guān)處理工序的示例圖；圖6A、圖6A’、圖6B以及圖6B’示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的、用于在目標(biāo)層中形成特征的第二離子能量（IE）相關(guān)處理工序的示例圖；圖7示出用于根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的、兩部分離子能量控制多輸入/多輸出（IEC-MIMO）模型的示例性框圖；圖8示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的、用于開發(fā)離子能量控制多輸入/多輸出（IEC-MIMO）模型的制程的示例性流程圖；圖9示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的、用于使用IE相關(guān)處理工序處理晶圓的方法的簡化流程圖；圖10示出用于根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的離子能量（IE）傳感器晶圓的示例性框圖；圖11示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的使用IE傳感器晶圓的方法；以及圖12示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的第一組離子能量分布（IED）數(shù)據(jù)。具體實(shí)施方式基于應(yīng)用需要可以將（離子能量控制）IEC-MIMO模型細(xì)分為有限粒度的多層。每層可以為具有通過材料改變或空間層邊界所表示的層分隔的物理材料；層可以包括掩模層、金屬柵堆疊層、間隔沉積層以及蝕刻的金屬柵堆疊層。可以借助時(shí)間或用于分隔步驟的終點(diǎn)檢測（EPD）將層映射到（離子能量控制）IEC蝕刻工序或（離子能量優(yōu)化）IEO蝕刻制程。另外，連續(xù)的實(shí)時(shí)控制器可以與來自計(jì)量數(shù)據(jù)、傳感器以及蝕刻模型的組合的實(shí)時(shí)更新一起運(yùn)行。可以進(jìn)行實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì)（DOE）來對每個(gè)電勢控制旋鈕的處理增益、與每層相關(guān)聯(lián)的輸入和輸出的相互作用以及層到層的處理控制回路的相互作用和增益進(jìn)行建模。確定每個(gè)控制旋鈕和輸出之間的相互作用的方法可以用于評估并優(yōu)化模型的穩(wěn)定性，例如相對增益陣列（RGA）分析。該信息也可以驅(qū)使非相互作用的各個(gè)反饋回路的設(shè)立。IEC-MIMO模型可以用于計(jì)算用于一組目標(biāo)（或目標(biāo)輸出）的最優(yōu)輸入。約束可以為例如時(shí)間、氣體流量以及層溫度的處理參數(shù)的范圍。在IEC-MIMO模型開發(fā)期間，可以應(yīng)用一組加權(quán)來指導(dǎo)優(yōu)化器在給定時(shí)間下優(yōu)先考慮具有對當(dāng)前的處理計(jì)算有最大價(jià)值的輸出。目標(biāo)加權(quán)可以用在將方程應(yīng)用至給定目標(biāo)和增益常數(shù)的加權(quán)計(jì)算的情況下，該加權(quán)計(jì)算在當(dāng)優(yōu)化器以線性或非線性方式遠(yuǎn)離目標(biāo)時(shí)有效設(shè)障礙（penalizes）。目標(biāo)可以為中心目標(biāo)或限制目標(biāo)（在給定值之上—例如對于SWA）。反饋可以取多回路的形式，一個(gè)回路用于在基于實(shí)際較小的預(yù)測誤差來計(jì)算反饋誤差的情況下的每個(gè)目標(biāo)輸出。當(dāng)使用IEC-MIMO模型時(shí)，可以計(jì)算每個(gè)預(yù)測輸出誤差并且將其與反饋測量結(jié)果進(jìn)行匹配以確定真實(shí)誤差。反饋濾波方法（例如指數(shù)加權(quán)移動(dòng)平均（EWMA）濾波器或卡爾曼（Kalman）濾波器）可以用于過濾噪聲。來自與IEC蝕刻工序或IEO蝕刻制程相關(guān)的控制器的輸出可以包括適合度（GOF）值，并且該GOF值然后可以用作級聯(lián)控制器的輸入。MIMO控制器可以對當(dāng)執(zhí)行處理步驟時(shí)在不同時(shí)間下的更新進(jìn)行計(jì)算，使得控制器能夠基于過去的計(jì)算、計(jì)算的誤差、工具狀態(tài)或材料狀態(tài)的改變來作出新更新，然后將其合并至最近的更新中。在一些IEC蝕刻工序中，當(dāng)測得抗蝕參數(shù)時(shí)，它們可以用于前饋，并且可以基于之前的晶圓反饋和室狀態(tài)信息對它們進(jìn)行加權(quán)。在批次開始時(shí)，IEC-MIMO模型可以配置為使用用于圖案化軟掩模層的最佳已知值，并且可以將這些值加權(quán)至之前批次的分布的中心。在批次處理期間，可以使用加權(quán)方法例如EWMA使晶圓至晶圓（W2W）的變化平滑，來測量和過濾用于寬度控制層（WCL）或硬掩模層的參數(shù)，并且這些參數(shù)可以被反饋以更新當(dāng)前的前饋SWA值。SWA圖案分析函數(shù)可以對雙模圖案分組，因此可以管理兩個(gè)線程以反饋和/或前饋數(shù)據(jù)。在一個(gè)實(shí)例中，SWAW2W變化更通常地通過掃描臺(tái)驅(qū)動(dòng)，所以可以對兩個(gè)前饋/反饋線程進(jìn)行維持來優(yōu)化性能。在第二實(shí)例中，來自光刻工具的W2WCD變化可以通過熱板控制，所以可以觀察到兩個(gè)、三個(gè)、或四個(gè)變化圖案。當(dāng)在光刻工藝之后進(jìn)行IM測量時(shí)，在晶圓處理之前可以建立貫穿整個(gè)晶圓的圖案，并且在將晶圓發(fā)送到蝕刻器之前可以建立晶圓CD和SWA圖案。當(dāng)使用多于一個(gè)的處理線程時(shí)，可以將線程數(shù)量添加為用于晶圓的上下文項(xiàng)。另外，當(dāng)掃描和/或跟蹤單元數(shù)、掃描模塊數(shù)以及熱板數(shù)可獲得時(shí)，它們也可以用于對晶圓分組并且建立從光刻工具到蝕刻工具的前饋線程?？商娲? 地，也可以使用涂布機(jī)/顯影機(jī)的其他組合。當(dāng)基于上下文組對晶圓進(jìn)行分類時(shí)，可以基于它們的組或IEC蝕刻工序來處理晶圓。當(dāng)在蝕刻工具中的處理順序與在光刻工具中的處理順序相同時(shí)，可以對電流反饋（FB）控制器進(jìn)行編程以調(diào)節(jié)用于光刻工具內(nèi)部的引入漂移（incomingdrift）以及用于蝕刻工具內(nèi)部的引入漂移。本發(fā)明提供一種用于處理晶圓的設(shè)備及方法，其中在晶圓上具有大量的半導(dǎo)體器件并且甚至具有更大數(shù)量的晶體管柵和/或間隔結(jié)構(gòu)。在各種實(shí)施方式中，提供設(shè)備及方法用于創(chuàng)建和/或使用IEC-MIMO評估庫，用于執(zhí)行IE相關(guān)處理工序，該處理工序可以包括一個(gè)或更多個(gè)IEC金屬柵蝕刻工序、一個(gè)或更多個(gè)IEC目標(biāo)層蝕刻工序、一個(gè)或更多個(gè)測量制程、一個(gè)或更多個(gè)清洗制程，和/或一個(gè)或更多個(gè)驗(yàn)證制程。一個(gè)或更多個(gè)周期性結(jié)構(gòu)可以設(shè)置在晶圓上的不同位置處并且可以用于評估和/或驗(yàn)證IEC-MIMO模型以及相關(guān)聯(lián)的IE相關(guān)處理工序。晶圓可以具有與其相關(guān)聯(lián)的晶圓數(shù)據(jù)，并且晶圓數(shù)據(jù)可以包括實(shí)時(shí)的以及歷史的IE相關(guān)數(shù)據(jù)。另外，晶圓可以具有與其相關(guān)聯(lián)的其他數(shù)據(jù)，并且其他數(shù)據(jù)可以包括柵結(jié)構(gòu)數(shù)據(jù)、所需位點(diǎn)的數(shù)量，訪問位點(diǎn)的數(shù)量，用于位點(diǎn)中的一個(gè)或更多個(gè)位點(diǎn)的置信數(shù)據(jù)和/或風(fēng)險(xiǎn)數(shù)據(jù)、位點(diǎn)排序數(shù)據(jù)、傳送工序數(shù)據(jù)、或處理相關(guān)數(shù)據(jù)、或評估/驗(yàn)證相關(guān)數(shù)據(jù)、或者其任意組合。與IE相關(guān)處理工序相關(guān)聯(lián)的數(shù)據(jù)可以包括可以用于建立傳送晶圓的地點(diǎn)和時(shí)間的傳送工序數(shù)據(jù)，并且可以使用操作狀態(tài)數(shù)據(jù)來改變IE相關(guān)處理工序。基于應(yīng)用需要可以將IEC-MIMO模型細(xì)分為有限粒度的多層。每層可以為具有通過材料改變或空間層邊界所表示的層分隔的物理材料。層可以包括掩模層、金屬柵堆疊層、間隔沉積層以及蝕刻的金屬柵堆疊層?？梢越柚鷷r(shí)間或用于分隔步驟的終點(diǎn)檢測（EPD）將層映射至蝕刻步驟。另外，連續(xù)的實(shí)時(shí)控制器可以與來自計(jì)量數(shù)據(jù)、傳感器以及蝕刻模型的組合的實(shí)時(shí)更新一起運(yùn)行。用在處理中的分析器件基于單回路控制與多變量控制的對比來控制多變量應(yīng)用；在多變量控制的某種理想化下表達(dá)為輸入輸出變量對之間的單回路行為的測量與相同輸入輸出對的行為的相關(guān)測量的比率的陣列（對于所有可能的輸入輸出對）。MIMO建模用于計(jì)算一組目標(biāo)（或目標(biāo)輸出）的最優(yōu)輸入。約束可 以為例如時(shí)間、氣體流量以及層溫度的處理參數(shù)的范圍。借助MIMO，可以應(yīng)用一組加權(quán)來指導(dǎo)優(yōu)化器在給定時(shí)間下優(yōu)先考慮具有對當(dāng)前的處理計(jì)算有最大價(jià)值的輸出。目標(biāo)加權(quán)可以用在將方程應(yīng)用至給定目標(biāo)和增益常數(shù)的加權(quán)計(jì)算的情況下，該加權(quán)計(jì)算在當(dāng)優(yōu)化器以線性或非線性方式遠(yuǎn)離目標(biāo)時(shí)有效設(shè)障礙（penalizes）。目標(biāo)可以為中心目標(biāo)或限制目標(biāo)（在給定值之上—例如對于SWA）。反饋可以取多個(gè)回路的形式，一個(gè)回路用于在基于實(shí)際較小的預(yù)測誤差來計(jì)算反饋誤差的情況下的每個(gè)目標(biāo)輸出。借助MIMO，需要計(jì)算每個(gè)預(yù)測輸出誤差并且將其與反饋測量結(jié)果匹配以確定真實(shí)誤差。反饋濾波方法（例如EWMA或卡爾曼濾波器）可以用于過濾噪聲。層控制器的輸出可以包括適合度，并且該GOF值然后可以用作級聯(lián)層控制器的輸入?？梢詫⒕A劃分為一個(gè)或更多個(gè)上邊緣區(qū)，一個(gè)或更多個(gè)中心區(qū)以及一個(gè)或更多個(gè)下邊緣區(qū)。層控制器可以包含當(dāng)執(zhí)行處理步驟時(shí)、在不同時(shí)間下的更新，使得控制器能夠基于過去的計(jì)算、計(jì)算的誤差、工具狀態(tài)或材料狀態(tài)的改變來作出新更新，然后將其合并至更新中。當(dāng)特征尺寸下降至65nm節(jié)點(diǎn)之下時(shí)，精確處理和/或測量數(shù)據(jù)變得更重要且更難獲得。IEC-MIMO模型以及相關(guān)聯(lián)的IE相關(guān)處理工序可以用于更精確地處理和/或測量這些超小器件和特征。來自IEO蝕刻制程的數(shù)據(jù)可以與警告和/或控制限制進(jìn)行比較，當(dāng)違反了運(yùn)行規(guī)則時(shí)，可以生成指出處理問題的警報(bào)，并且可以實(shí)時(shí)地執(zhí)行校正制程。圖1示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的處理系統(tǒng)的示例性框圖。在示出的實(shí)施方式中，處理系統(tǒng)100包括光刻子系統(tǒng)110、掃描子系統(tǒng)120、蝕刻子系統(tǒng)130、沉積子系統(tǒng)140、檢查子系統(tǒng)150、計(jì)量子系統(tǒng)160、傳送子系統(tǒng)170、制造執(zhí)行系統(tǒng)（MES）180、系統(tǒng)控制器190以及存儲(chǔ)器/數(shù)據(jù)庫195。在示出的實(shí)施方式中示出了單個(gè)的子系統(tǒng)（110、120、130、140、150、160以及170），但這不是本發(fā)明所必需的。在一些實(shí)施方式中，多個(gè)子系統(tǒng)（110、120、130、140、150、160以及170）可以用在處理系統(tǒng)100中。另外，子系統(tǒng)（110、120、130、140、150、160以及170）中的一個(gè)或更多個(gè)子系統(tǒng)可以包括可以用在IEC-MIMO模型以及相關(guān)聯(lián)的IE相關(guān)處理工序中的一個(gè)或更多個(gè)處理元件。可以使用數(shù)據(jù)傳送子系統(tǒng)191將系統(tǒng)控制器190耦接到光刻子系統(tǒng) 110、掃描子系統(tǒng)120、蝕刻子系統(tǒng)130、沉積子系統(tǒng)140、檢查子系統(tǒng)150、計(jì)量子系統(tǒng)160以及傳送子系統(tǒng)170?？梢允褂脭?shù)據(jù)傳送子系統(tǒng)181將系統(tǒng)控制器190耦接到MES180?？商娲?，可以使用其他構(gòu)造。例如，蝕刻子系統(tǒng)130、沉積子系統(tǒng)140、計(jì)量子系統(tǒng)160以及一部分傳送子系統(tǒng)170可以為從TokyoElectronLimited可獲得的TactrasTM系統(tǒng)的一部分。光刻子系統(tǒng)110可以包括一個(gè)或更多個(gè)傳送/存儲(chǔ)元件112、一個(gè)或更多個(gè)處理元件113、一個(gè)或更多個(gè)控制器114以及一個(gè)或更多個(gè)評估元件115?？梢詫魉?存儲(chǔ)元件112中的一個(gè)或更多個(gè)耦接到處理元件113中的一個(gè)或更多個(gè)和/或評估元件115中的一個(gè)或更多個(gè)，并且可以耦接111至傳送子系統(tǒng)170?？梢詫魉妥酉到y(tǒng)170耦接111至光刻子系統(tǒng)110，并且一個(gè)或更多個(gè)晶圓105可以在傳送子系統(tǒng)170與光刻子系統(tǒng)110之間實(shí)時(shí)地進(jìn)行傳送111。例如，可以將傳送子系統(tǒng)170耦接到傳送/存儲(chǔ)元件112中的一個(gè)或更多個(gè)、耦接到處理元件113中的一個(gè)或更多個(gè)和/或耦接到評估元件115中的一個(gè)或更多個(gè)?？梢詫⒖刂破?14中的一個(gè)或更多個(gè)耦接到傳送/存儲(chǔ)元件112中的一個(gè)或更多個(gè)、耦接到處理元件113中的一個(gè)或更多個(gè)和/或耦接到評估元件115中的一個(gè)或更多個(gè)。在一些實(shí)施方式中，光刻子系統(tǒng)110可以使用制程和/或制程在一個(gè)或更多個(gè)晶圓上執(zhí)行涂覆制程、熱制程、測量制程、檢查制程和/或存儲(chǔ)制程。例如，一個(gè)或更多個(gè)光刻相關(guān)處理可以用于沉積可包括光刻膠材料和/或抗反射涂層（ARC）材料的一個(gè)或更多個(gè)掩模層，并且可以用于對掩模層中的一個(gè)或更多個(gè)進(jìn)行熱處理（烘烤）。另外，光刻子系統(tǒng)110可以用于對一個(gè)或更多個(gè)上晶圓上的圖案化的掩模層中的一個(gè)或更多個(gè)圖案化的掩模層進(jìn)行顯影、測量和/或檢查。掃描子系統(tǒng)120可以包括一個(gè)或更多個(gè)傳送/存儲(chǔ)元件122、一個(gè)或更多個(gè)處理元件123、一個(gè)或更多個(gè)控制器124以及一個(gè)或更多個(gè)評估元件125?？梢詫魉?存儲(chǔ)元件122中的一個(gè)或更多個(gè)耦接到處理元件123中的一個(gè)或更多個(gè)和/或耦接到評估元件125中的一個(gè)或更多個(gè)，并且可以使用連結(jié)物121耦接到傳送子系統(tǒng)170。可以使用連結(jié)物121將傳送子系統(tǒng)170耦接到掃描子系統(tǒng)120，并且一個(gè)或更多個(gè)晶圓105可以在傳送子系統(tǒng)170與光刻子系統(tǒng)120之間實(shí)時(shí)地進(jìn)行傳送121。例如，可以將傳送子系統(tǒng)170耦接到傳送/存儲(chǔ)元件122中的一個(gè)或更多個(gè)、耦接到處理元件123中的一個(gè)或更多個(gè)、和/或耦接到評估元件125中的一個(gè)或更多個(gè)。 可以將控制器124中的一個(gè)或更多個(gè)控制器耦接到傳送/存儲(chǔ)元件122中的一個(gè)或更多個(gè)、耦接到處理元件123中的一個(gè)或更多個(gè)、和/或耦接到評估元件125中的一個(gè)或更多個(gè)。在一些實(shí)施方式中，掃描子系統(tǒng)120可以用于執(zhí)行濕法曝光制程和/或干法曝光制程，并且在其他情況下，掃描子系統(tǒng)120可以用于執(zhí)行遠(yuǎn)紫外（EUV）曝光制程。蝕刻子系統(tǒng)130可以包括一個(gè)或更多個(gè)傳送/存儲(chǔ)元件132、一個(gè)或更多個(gè)處理元件133、一個(gè)或更多個(gè)控制器134以及一個(gè)或更多個(gè)評估元件135?？梢詫魉?存儲(chǔ)元件132中的一個(gè)或更多個(gè)耦接到處理元件133中的一個(gè)或更多個(gè)和/或耦接到評估元件135中的一個(gè)或更多個(gè)，并且可以使用連結(jié)物131耦接到傳送子系統(tǒng)170?？梢允褂眠B結(jié)物131將傳送子系統(tǒng)170耦接到蝕刻子系統(tǒng)130，并且一個(gè)或更多個(gè)晶圓105可以在傳送子系統(tǒng)170與蝕刻子系統(tǒng)130之間實(shí)時(shí)地進(jìn)行傳送131。例如，可以將傳送子系統(tǒng)170耦接到傳送/存儲(chǔ)元件132中的一個(gè)或更多個(gè)、耦接到處理元件133中的一個(gè)或更多個(gè)、和/或耦接到評估元件135中的一個(gè)或更多個(gè)。可以將控制器134中的一個(gè)或更多個(gè)耦接到傳送/存儲(chǔ)元件132中的一個(gè)或更多個(gè)、耦接到處理元件133中的一個(gè)或更多個(gè)、和/或耦接到評估元件135中的一個(gè)或更多個(gè)。例如，處理元件133中的一個(gè)或更多個(gè)可以用于執(zhí)行等離子體或非等離子體蝕刻、灰化、修整以及清洗制程。評估制程和/或檢查制程可以用于對晶圓的一個(gè)或更多個(gè)表面和/或?qū)舆M(jìn)行測量和/或檢查。蝕刻子系統(tǒng)130可以配置為如圖2A至圖2G以及圖3A至圖3G所示。沉積子系統(tǒng)140可以包括一個(gè)或更多個(gè)傳送/存儲(chǔ)元件142、一個(gè)或更多個(gè)處理元件143、一個(gè)或更多個(gè)控制器144以及一個(gè)或更多個(gè)評估元件145?？梢詫魉?存儲(chǔ)元件142中的一個(gè)或更多個(gè)耦接到處理元件143中的一個(gè)或更多個(gè)和/或評估元件145中的一個(gè)或更多個(gè)，并且可以使用連結(jié)物141耦接到傳送子系統(tǒng)170?？梢允褂眠B結(jié)物141將傳送子系統(tǒng)170耦接到沉積子系統(tǒng)140，并且一個(gè)或更多個(gè)晶圓105可以在傳送子系統(tǒng)170與沉積子系統(tǒng)140之間實(shí)時(shí)地進(jìn)行傳送141。例如，可以將傳送子系統(tǒng)170耦接到傳送/存儲(chǔ)元件142中的一個(gè)或更多個(gè)、耦接到處理元件143中的一個(gè)或更多個(gè)、和/或耦接到評估元件145中的一個(gè)或更多個(gè)?？梢詫⒖刂破?44中的一個(gè)或更多個(gè)控制器耦接到傳送/存儲(chǔ)元件142中的一個(gè)或更多個(gè)、耦接到處理元件143中的一個(gè)或更多個(gè)、和/或耦接到評估元件 145中的一個(gè)或更多個(gè)元件。例如，處理元件143中的一個(gè)或更多個(gè)可以用于執(zhí)行物理氣相沉積（PVD）制程、化學(xué)氣相沉積（CVD）制程、離子化物理氣相沉積（iPVD）制程、原子層沉積（ALD）制程、等離子體增強(qiáng)原子層沉積（PEALD）制程、和/或等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積（PECVD）制程。評估制程和/或檢查制程可以用于對晶圓的一個(gè)或更多個(gè)表面進(jìn)行測量和/或檢查。檢查子系統(tǒng)150可以包括一個(gè)或更多個(gè)傳送/存儲(chǔ)元件152、一個(gè)或更多個(gè)處理元件153、一個(gè)或更多個(gè)控制器154以及一個(gè)或更多個(gè)評估元件155?？梢詫魉?存儲(chǔ)元件152中的一個(gè)或更多個(gè)耦接到處理元件153中的一個(gè)或更多個(gè)和/或耦接到評估元件155中的一個(gè)或更多個(gè)，并且可以使用連結(jié)物151耦接到傳送子系統(tǒng)170?？梢允褂眠B結(jié)物151將傳送子系統(tǒng)170耦接到檢查子系統(tǒng)150，并且一個(gè)或更多個(gè)晶圓105可以在傳送子系統(tǒng)170與檢查子系統(tǒng)150之間實(shí)時(shí)地進(jìn)行傳送151。例如，可以將傳送子系統(tǒng)170耦接到傳送/存儲(chǔ)元件152中的一個(gè)或更多個(gè)、耦接到處理元件153中的一個(gè)或更多個(gè)、和/或耦接到評估元件155中的一個(gè)或更多個(gè)?？梢詫⒖刂破?54中的一個(gè)或更多個(gè)控制器耦接到傳送/存儲(chǔ)元件152中的一個(gè)或更多個(gè)、耦接到處理元件153中的一個(gè)或更多個(gè)、和/或耦接到評估元件155中的一個(gè)或更多個(gè)。計(jì)量子系統(tǒng)160可以包括一個(gè)或更多個(gè)傳送/存儲(chǔ)元件162、一個(gè)或更多個(gè)處理元件163、一個(gè)或更多個(gè)控制器164以及一個(gè)或更多個(gè)評估元件165?？梢詫魉?存儲(chǔ)元件162中的一個(gè)或更多個(gè)耦接到處理元件163中的一個(gè)或更多個(gè)和/或耦接到評估元件165中的一個(gè)或更多個(gè)，并且可以使用連結(jié)物161耦接到傳送子系統(tǒng)170?？梢允褂眠B結(jié)物161將傳送子系統(tǒng)170耦接到計(jì)量子系統(tǒng)160，并且一個(gè)或更多個(gè)晶圓105可以在傳送子系統(tǒng)170與計(jì)量子系統(tǒng)160之間實(shí)時(shí)地進(jìn)行傳送161。例如，可以將傳送子系統(tǒng)170耦接到傳送/存儲(chǔ)元件162中的一個(gè)或更多個(gè)、耦接到處理元件163中的一個(gè)或更多個(gè)、和/或耦接到評估元件165中的一個(gè)或更多個(gè)。可以將控制器164中的一個(gè)或更多個(gè)控制器耦接到傳送/存儲(chǔ)元件162中的一個(gè)或更多個(gè)、耦接到處理元件163中的一個(gè)或更多個(gè)、和/或耦接到評估元件165中的一個(gè)或更多個(gè)。計(jì)量子系統(tǒng)160可以包括可以用于執(zhí)行實(shí)時(shí)光學(xué)計(jì)量制程的一個(gè)或更多個(gè)處理元件163，其可以用于使用基于庫或基于回歸的技術(shù)測量在晶圓上一個(gè)或更多個(gè)位點(diǎn)處的目標(biāo)結(jié)構(gòu)。例如，晶圓上的位點(diǎn)可以包括MIMO位點(diǎn)、目標(biāo)位點(diǎn)、重疊位點(diǎn)、對準(zhǔn)位點(diǎn)、測量位點(diǎn)、驗(yàn)證位點(diǎn)、檢查位點(diǎn)、或損傷評估位點(diǎn)、或者其任意組合。例 如可以周期性地存儲(chǔ)和使用一個(gè)或更多個(gè)“黃金晶圓”或參考芯片來驗(yàn)證處理元件163中的一個(gè)或更多個(gè)和/或評估元件165中的一個(gè)或更多個(gè)的性能。在一些實(shí)施方式中，計(jì)量子系統(tǒng)160可以包括集成光學(xué)數(shù)字輪廓儀（iODP）元件（未示出），并且iODP可從TimbreTechnologiesInc.(TEL公司)獲得?？商娲兀梢允褂闷渌?jì)量系統(tǒng)。例如，iODP技術(shù)可以用于獲得可以包括臨界尺寸（CD）數(shù)據(jù)、柵結(jié)構(gòu)數(shù)據(jù)以及厚度數(shù)據(jù)的實(shí)時(shí)數(shù)據(jù)，并且iODP數(shù)據(jù)的波長范圍可以在從小于約200nm至大于約900nm的范圍內(nèi)。示例性iODP元件可以包括ODP輪廓庫元件、輪廓應(yīng)用服務(wù)器（PAS）元件以及ODP輪廓軟件元件。ODP輪廓庫元件可以包括光學(xué)光譜及其相應(yīng)的半導(dǎo)體輪廓、CD以及膜厚的專用數(shù)據(jù)庫元件。PAS元件可以包括與光學(xué)硬件和計(jì)算網(wǎng)絡(luò)連接的至少一個(gè)計(jì)算機(jī)。PAS元件可以配置為提供數(shù)據(jù)通信、ODP庫操作、測量處理、結(jié)果生成、結(jié)果分析以及結(jié)果輸出。ODP輪廓軟件元件可以包括安裝在PAS元件上以管理測量配方的軟件、ODP輪廓庫元件、ODP輪廓數(shù)據(jù)、ODP輪廓搜索/匹配結(jié)果、ODP輪廓計(jì)算/分析結(jié)果、數(shù)據(jù)通信以及至各種計(jì)量元件和計(jì)算機(jī)網(wǎng)絡(luò)的PAS接口。計(jì)量子系統(tǒng)160可以使用偏振反射計(jì)、分光橢圓偏光計(jì)、反射計(jì)或其他光學(xué)測量技術(shù)來測量晶圓的精確器件輪廓、精確的CD以及多層膜厚度。集成計(jì)量處理（iODP）可以實(shí)施為在子系統(tǒng)的集成組中的集成處理。另外，集成處理消除了破壞晶圓以執(zhí)行分析或者長時(shí)間等待來自外部系統(tǒng)的數(shù)據(jù)的需要。IODP技術(shù)可以與現(xiàn)有的薄膜計(jì)量系統(tǒng)一起用于成線輪廓（inlineprofile）和CD測量，并且可以與TEL處理系統(tǒng)和/或光刻系統(tǒng)集成以提供實(shí)時(shí)的過程監(jiān)測和控制?？梢酝ㄟ^應(yīng)用麥克斯維爾方程并且使用數(shù)值分析技術(shù)來解麥克斯維爾方程而生成模擬計(jì)量數(shù)據(jù)?？商娲?，訓(xùn)練的工具學(xué)習(xí)系統(tǒng)可以用于生成模擬計(jì)量數(shù)據(jù)。傳送子系統(tǒng)170可以包括耦接到傳送軌道（175、176以及177）的傳送元件174，傳送軌道（175、176以及177）可以用于接收晶圓、傳送晶圓、對準(zhǔn)晶圓、存儲(chǔ)晶圓和/或延緩晶圓。例如，傳送元件174可以支撐兩個(gè)或更多個(gè)晶圓?？商娲?，可以使用其他傳送裝置。傳送子系統(tǒng)170可以基于IEC-MIMO模型、IE相關(guān)處理工序、傳送工序、操作狀態(tài)、晶圓和/或處理狀態(tài)、處理時(shí)間、當(dāng)前時(shí)間、晶圓數(shù)據(jù)、晶圓上位點(diǎn)的數(shù)量、晶圓上位點(diǎn)的類型、所需位點(diǎn)的數(shù)量、完成位點(diǎn)的數(shù)量、剩余位點(diǎn)的數(shù)量 或置信數(shù)據(jù)，或者其任意組合，加載、傳送、存儲(chǔ)和/或卸載晶圓。。在一些實(shí)施例中，傳送子系統(tǒng)170可以使用加載數(shù)據(jù)來確定傳送晶圓的地點(diǎn)和時(shí)間。在其他實(shí)施例中，傳送系統(tǒng)可以使用MIMO建模數(shù)據(jù)來確定傳送晶圓的地點(diǎn)和時(shí)間?？梢蕴娲兀梢允褂闷渌瞥?。例如，當(dāng)晶圓的第一數(shù)量小于或等于可獲得的處理元件的第一數(shù)量時(shí)，可以使用傳送子系統(tǒng)170將第一數(shù)量的晶圓傳送至在子系統(tǒng)中的一個(gè)或更多個(gè)中的可獲得的第一數(shù)量的處理元件。當(dāng)晶圓的第一數(shù)量大于可獲得的處理元件的第一數(shù)量時(shí)，可以使用傳送/存儲(chǔ)元件（112、122、132、142、152以及162）中的一個(gè)或更多個(gè)和/或傳送子系統(tǒng)170存儲(chǔ)和/或延緩晶圓。另外，當(dāng)執(zhí)行以下制程時(shí)可以使用一個(gè)或更多個(gè)子系統(tǒng)（110、120、130、140、150、160以及170）：光刻相關(guān)制程、掃描相關(guān)制程、檢查相關(guān)制程、測量相關(guān)制程、評估相關(guān)制程、蝕刻相關(guān)制程、沉積相關(guān)制程、熱處理相關(guān)制程、涂覆相關(guān)制程、對準(zhǔn)相關(guān)制程、研磨相關(guān)制程、存儲(chǔ)相關(guān)制程、傳送制程、清洗相關(guān)制程、再加工相關(guān)制程、氧化相關(guān)制程、氮化相關(guān)制程、或外部處理元件，或者其任意組合?？梢越⒂糜谧酉到y(tǒng)（110、120、130、140、150、160以及170）的操作狀態(tài)數(shù)據(jù)，并且可以由IE相關(guān)工序使用和/或更新操作狀態(tài)數(shù)據(jù)。另外，可以建立用于傳送/存儲(chǔ)元件（112、122、132、142、152以及162）、處理元件（113、123、133、143、153以及163）以及評估元件（115、125、135、145、155以及165）的操作狀態(tài)數(shù)據(jù)，并且可以由IE相關(guān)工序?qū)ζ溥M(jìn)行更新。例如，用于處理元件的操作狀態(tài)數(shù)據(jù)可以包括可用性數(shù)據(jù)、用于處理元件的匹配數(shù)據(jù)、用于一些處理步驟和/或位點(diǎn)的預(yù)期處理次數(shù)，產(chǎn)量數(shù)據(jù)、用于處理元件的置信數(shù)據(jù)和/或風(fēng)險(xiǎn)數(shù)據(jù)、或者用于一個(gè)或更多個(gè)IE相關(guān)工序的置信數(shù)據(jù)和/或風(fēng)險(xiǎn)數(shù)據(jù)。更新操作狀態(tài)可以通過對一個(gè)或更多個(gè)處理元件和/或一個(gè)或更多個(gè)子系統(tǒng)進(jìn)行實(shí)時(shí)查詢來獲得。更新加載數(shù)據(jù)可以通過對一個(gè)或更多個(gè)傳送元件和/或一個(gè)或更多個(gè)傳送子系統(tǒng)進(jìn)行實(shí)時(shí)查詢來獲得?？梢允褂脭?shù)據(jù)傳送子系統(tǒng)191將控制器（114、124、134、144、154以及164）中的一個(gè)或更多個(gè)耦接到系統(tǒng)控制器190和/或?qū)⑵浔舜笋罱??？商娲兀梢允褂闷渌罱訕?gòu)造。控制器可以串聯(lián)和/或并聯(lián)耦接并且可以具有一個(gè)或更多個(gè)輸入端口和/或一個(gè)或更多個(gè)輸出端口。例如，控制器可以包括具有一個(gè)或更多個(gè)核處理元件的微處理器。另外，可以使用內(nèi)網(wǎng)、因特網(wǎng)、有線和/或無線連接將子系統(tǒng)（110、 120、130、140、150、160以及170）彼此耦接并且耦接到其他器件。根據(jù)需要，可以將控制器（114、124、134、144以及190）耦接到外部器件。在執(zhí)行實(shí)時(shí)的IE相關(guān)工序時(shí)，可以使用控制器（114、124、134、144、154、164以及190）中的一個(gè)或更多個(gè)?？刂破骺梢詮碾x子能量（IE）MIMO模型接收實(shí)時(shí)數(shù)據(jù)以更新子系統(tǒng)數(shù)據(jù)、處理元件數(shù)據(jù)、處理數(shù)據(jù)、配方數(shù)據(jù)、輪廓數(shù)據(jù)、圖像數(shù)據(jù)、圖案數(shù)據(jù)、模擬數(shù)據(jù)、工序數(shù)據(jù)和/或建模數(shù)據(jù)?？刂破鳎?14、124、134、144、154、164以及190）中的一個(gè)或更多個(gè)可以用于與制造執(zhí)行系統(tǒng)（MES）180或其他系統(tǒng)（未示出）交換一個(gè)或更多個(gè)半導(dǎo)體裝備通信標(biāo)準(zhǔn)（SECS）消息，讀取和/或移除信息、前饋和/或反饋信息、和/或發(fā)送作為SECS消息的信息。格式化的消息中的一個(gè)或更多個(gè)可以在控制器之間進(jìn)行交換，并且控制器可以實(shí)時(shí)地處理消息并提取新數(shù)據(jù)。當(dāng)新數(shù)據(jù)可獲得時(shí)，可以實(shí)時(shí)地使用新數(shù)據(jù)對當(dāng)前用于晶圓和/或批次的模型和/或制程進(jìn)行更新。例如，在檢測當(dāng)前布局之前，當(dāng)模型和/或制程可以更新時(shí)，可以使用更新模型和/或制程檢查當(dāng)前布局。在處理當(dāng)前布局之前，當(dāng)更新不能執(zhí)行時(shí)，可以使用未更新模型和/或制程來檢查當(dāng)前布局。另外，當(dāng)光刻膠改變時(shí)，當(dāng)光刻膠模型改變時(shí)，當(dāng)IE相關(guān)處理工序改變時(shí)，當(dāng)設(shè)計(jì)規(guī)則改變時(shí)或當(dāng)布置改變時(shí)，可以使用格式化消息。在一些實(shí)例中，MES180可以配置為實(shí)時(shí)地監(jiān)測一些子系統(tǒng)和/或系統(tǒng)處理，并且可以使用工廠級的干預(yù)和/或判斷規(guī)則來確定監(jiān)測哪個(gè)處理以及可以使用哪個(gè)數(shù)據(jù)。例如，可以使用工廠級的干預(yù)和/或判斷規(guī)則來確定在MIMO相關(guān)錯(cuò)誤條件發(fā)生時(shí)如何管理數(shù)據(jù)。MES180也可以提供建模數(shù)據(jù)、工序數(shù)據(jù)、處理數(shù)據(jù)和/或晶圓數(shù)據(jù)。另外，根據(jù)需要，控制器（114、124、134、144、154、164以及190）可以包括存儲(chǔ)器（未示出）。例如，存儲(chǔ)器（未示出）可以用于存儲(chǔ)待由控制器執(zhí)行的信息和指令，并且可以用于在由處理系統(tǒng)100中的各種計(jì)算機(jī)/處理器執(zhí)行指令期間存儲(chǔ)臨時(shí)變量或其他中間信息?？刂破鳎?14、124、134、144、154、164以及190）中的一個(gè)或更多個(gè)或其他系統(tǒng)構(gòu)件可以包括用于從計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)讀取數(shù)據(jù)和/或指令的裝置，并且可以包括用于將數(shù)據(jù)和/或指令寫入計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)的裝置。處理系統(tǒng)100可以響應(yīng)于執(zhí)行包含在存儲(chǔ)器中和/或在信息中接收的一個(gè)或更多個(gè)指令的一個(gè)或更多個(gè)工序的處理系統(tǒng)100中的計(jì)算機(jī)/處理器執(zhí)行本發(fā)明的處理步驟中的部分步驟或所有步驟?？梢詮牧硪粋€(gè)計(jì)算 機(jī)、計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)或網(wǎng)絡(luò)連接接收這樣的指令。在一些實(shí)施方式中，可以使用來自TokyoElectronLimited（TEL）的系統(tǒng)構(gòu)件來配置集成系統(tǒng)，并且可以包括外部子系統(tǒng)和/或工具。例如，測量元件可以設(shè)置為可以包括CD掃描電子顯微鏡（CDSEM）系統(tǒng)、透射電子顯微鏡（TEM）系統(tǒng)、聚焦離子束（FIB）系統(tǒng)、光學(xué)數(shù)字輪廓儀（ODP）系統(tǒng)、原子力顯微鏡（AFM）系統(tǒng)或另一光學(xué)計(jì)量系統(tǒng)。子系統(tǒng)和/或處理元件可以具有不同的接口要求，并且控制器可以配置為滿足這些不同接口要求。子系統(tǒng)（110、120、130、140、150、160以及170）中的一個(gè)或更多個(gè)可以執(zhí)行控制應(yīng)用、圖形用戶界面（GUI）應(yīng)用和/或數(shù)據(jù)庫應(yīng)用。另外，子系統(tǒng)（110、120、130、140、150、160以及170）和/或控制器（114、124、134、144、154、164以及190）中的一個(gè)或更多個(gè)可以包括實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì)（DOE）應(yīng)用、先進(jìn)過程控制（APC）應(yīng)用、故障檢測與分類（FDC）應(yīng)用和/或連續(xù)運(yùn)行（R2R）應(yīng)用。來自IE相關(guān)工序或建模制程的輸出數(shù)據(jù)和/或消息可以用在隨后的工序和/或制程，以優(yōu)化處理精確度和準(zhǔn)確性。可以實(shí)時(shí)地將數(shù)據(jù)作為實(shí)時(shí)變量參數(shù)傳遞至IEC蝕刻工序或IEO蝕刻制程，覆蓋當(dāng)前模型值以及簡化DOE表格。實(shí)時(shí)數(shù)據(jù)可以與基于庫的系統(tǒng)、或基于回歸的系統(tǒng)、或者其任意組合一起使用來優(yōu)化IEC蝕刻工序或IEO蝕刻制程。當(dāng)使用基于回歸的庫創(chuàng)建制程時(shí)，測量的IEC-MIMO模型數(shù)據(jù)可以與模擬的IEC-MIMO模型數(shù)據(jù)進(jìn)行對比。基于各組IEO處理參數(shù)，可以迭代地生成模擬IEC-MIMO模型數(shù)據(jù)，以獲得對于一組IEO處理參數(shù)的收斂值，該值生成與測量的IEC-MIMO模型數(shù)據(jù)相比最接近匹配的模擬IEC-MIMO模型數(shù)據(jù)。當(dāng)使用基于庫的處理時(shí)，可以使用IEC-MIMO模型制程、配方、輪廓和/或模型生成和/或增強(qiáng)IEC-MIMO模型庫。例如，IEC-MIMO模型庫可以包括模擬和/或測量的IEC-MIMO數(shù)據(jù)以及對應(yīng)組的IEC蝕刻工序數(shù)據(jù)?？梢詫?shí)時(shí)地執(zhí)行基于回歸和/或基于庫的處理。生成用于IEC-MIMO庫的數(shù)據(jù)的可替代的制程包括使用機(jī)器學(xué)習(xí)系統(tǒng)（MLS）。例如，在生成IEC-MIMO庫數(shù)據(jù)以前，可以使用已知的輸入和輸出數(shù)據(jù)訓(xùn)練MLS，并且可以用IEC-MIMO庫數(shù)據(jù)的子集訓(xùn)練MLS。IEC-MIMO模型可以包括干預(yù)和/或判斷規(guī)則，其可以在遇到匹配的情形時(shí)執(zhí)行。干預(yù)和/或判斷規(guī)則和/或限制可以基于歷史制程、基于客戶的經(jīng)驗(yàn)或處理知識(shí)建立，或者從主計(jì)算機(jī)獲得。規(guī)則可以用在故障檢測與 分類（FDC）制程，以確定如何響應(yīng)于警報(bào)條件、錯(cuò)誤條件、故障條件和或警告條件。基于FDC制程的規(guī)則可以對故障進(jìn)行優(yōu)選考慮和/或分類、預(yù)測系統(tǒng)性能、預(yù)測預(yù)防維護(hù)計(jì)劃、降低維護(hù)停工期，以及延長系統(tǒng)中消耗部件的工作壽命。響應(yīng)于警報(bào)/故障可以發(fā)生各種動(dòng)作，并且呈現(xiàn)警報(bào)/故障的動(dòng)作可以基于情形，并且情形數(shù)據(jù)可以通過以下來指定：規(guī)則、系統(tǒng)/處理配方、室類型、識(shí)別號(hào)、負(fù)載端口號(hào)、盒子號(hào)、批次號(hào)、控制任務(wù)ID、處理任務(wù)ID、槽號(hào)和/或數(shù)據(jù)的類型。當(dāng)超出限制時(shí)，不成功的IEO蝕刻制程或IEC蝕刻工序可以報(bào)告失敗，并且當(dāng)正接近限制時(shí)，成功的IEO蝕刻制程或IEC蝕刻工序可以創(chuàng)建警告信息。對于已知錯(cuò)誤的預(yù)先指明的失敗動(dòng)作可以存儲(chǔ)在數(shù)據(jù)庫中，并且當(dāng)錯(cuò)誤發(fā)生時(shí)可以從數(shù)據(jù)庫重新獲得。例如，當(dāng)IE數(shù)據(jù)收集或確認(rèn)制程（validationprocedure）失敗時(shí)，IEO蝕刻制程或IEC蝕刻工序可以在處理次數(shù)中的一次或更多次處拒絕IE相關(guān)數(shù)據(jù)。另外，當(dāng)測量制程失敗時(shí)，IEO蝕刻制程或IEC蝕刻工序可以在用于晶圓的位點(diǎn)中的一個(gè)或更多個(gè)位點(diǎn)處拒絕數(shù)據(jù)。IEO蝕刻制程、IEC蝕刻工序和/或IEC-MIMO模型可以用于在不同時(shí)間和/或位點(diǎn)形成、修正和/或評估孤立的和/或嵌套的結(jié)構(gòu)。例如，柵堆疊空間和晶圓厚度數(shù)據(jù)在孤立的和/或嵌套的結(jié)構(gòu)附近可以是不同的，并且柵堆疊尺寸和晶圓厚度數(shù)據(jù)在開口區(qū)域和/或溝槽陣列區(qū)域附近可以是不同的。IEC-MIMO模型可以形成用于孤立的和/或嵌套的結(jié)構(gòu)的優(yōu)化的數(shù)據(jù)來更新和/或優(yōu)化處理配方和/或處理時(shí)間。IEO蝕刻制程、IEC蝕刻工序和/或IEC-MIMO模型可以使用終點(diǎn)檢測（EPD）數(shù)據(jù)以及處理時(shí)間數(shù)據(jù)來提高精確度。當(dāng)EPD數(shù)據(jù)用于停止蝕刻制程時(shí)，EPD時(shí)間數(shù)據(jù)和處理速率數(shù)據(jù)可以用于估計(jì)蝕刻的量和/或用于估計(jì)厚度。在各種實(shí)例中，IE相關(guān)數(shù)據(jù)限制可以通過使用IE傳感器晶圓在測試處理室中執(zhí)行IEO蝕刻制程來獲得，可以為存儲(chǔ)在庫中的歷史數(shù)據(jù)，可以通過執(zhí)行經(jīng)驗(yàn)證的IEC蝕刻工序來獲得，可以從MES180獲得，可以為模擬數(shù)據(jù)，以及可以為預(yù)測數(shù)據(jù)。另外，IE相關(guān)制程限制可以通過在“參考/黃金”處理室中執(zhí)行IE相關(guān)蝕刻制程來獲得。圖2A至圖2G示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的離子能量控制（IEC）蝕刻子系統(tǒng)的示例性框圖。第一示例性IEC蝕刻子系統(tǒng)200A示出在圖2A中，并且所示的IEC蝕刻子系統(tǒng)200A包括離子能量控制（IEC）處理室210；晶圓保持器220，其上附有待處理的晶圓205；氣體供應(yīng)系統(tǒng)240；以及真空泵系統(tǒng)257。例如，可以將晶圓保持器220耦接到IEC處理室210并且使用基座225與IEC處理室210絕緣。晶圓205可以為，例如，半導(dǎo)體晶圓、工件或液晶顯示器（LCD）。例如，IEC處理室210可以配置為有利于在與晶圓205的表面相鄰的處理區(qū)249中生成離子能量優(yōu)化（IEO）等離子體，并且IEO等離子體經(jīng)由熱電子與能夠電離的氣體之間的碰撞來形成?？梢詮臍怏w供應(yīng)系統(tǒng)240將能夠電離的氣體或氣體混合物引入，并且使用真空泵系統(tǒng)257對處理壓力進(jìn)行調(diào)節(jié)。期望地，IEO等離子體可以用于形成針對預(yù)定材料處理的材料，以及用于對沉積材料至晶圓205或從晶圓205的露出的表面移除材料進(jìn)行輔助。例如，控制器295可以用于控制真空泵系統(tǒng)257和氣體供應(yīng)系統(tǒng)240。例如，可以經(jīng)由機(jī)器人傳輸系統(tǒng)穿過槽閥（未示出）和室饋通（chamberfeed-through）（未示出）將晶圓205傳送進(jìn)出IEC處理室210，在機(jī)器人傳送系統(tǒng)中，晶圓205被容納在晶圓保持器220內(nèi)的晶圓頂桿（未示出）接收，并且通過容納在其中的裝置機(jī)械地平移。在從傳送系統(tǒng)接收晶圓205之后，將其下降至晶圓保持器220的上表面。例如，可以經(jīng)由靜電夾鉗系統(tǒng)（未示出）將晶圓205固定于晶圓保持器220。晶圓保持器220可以包括可以耦接到溫度控制系統(tǒng)228的溫度控制元件229。例如，溫度控制元件229可以包括電阻加熱元件、或熱電加熱器/冷卻器?？梢越?jīng)由雙（中心/邊緣）背面氣體傳輸系統(tǒng)（226和227）將背面氣體傳輸至晶圓的背面以提升晶圓205與晶圓保持器220之間的氣體間距熱導(dǎo)率。當(dāng)在提高或減低溫度的情況下需要附加的晶圓的溫度控制時(shí)，可以利用雙（中心/邊緣）背面氣體傳輸系統(tǒng)（226和227）。例如，晶圓的溫度控制可以在超過穩(wěn)定狀態(tài)溫度的溫度下是有用的，該穩(wěn)定狀態(tài)溫度由于從等離子體傳遞至晶圓205的熱流與通過向晶圓保持器220的傳導(dǎo)而從晶圓205移除的熱流的平衡而實(shí)現(xiàn)。如圖2A所示，晶圓保持器220包括下電極232，通過下電極232可以將射頻（RF）功率耦合到處理區(qū)249中的等離子體。例如，可以通過經(jīng)由阻抗匹配網(wǎng)絡(luò)231將RE功率從RF生成器230傳送至下電極232來以RF電壓對下電極232進(jìn)行電偏置。RF偏置可以用于加熱電子以形成并維持IEO等離子體。用于RF偏置的典型的頻率可以在從1MHz至100 MHz的范圍內(nèi)并且優(yōu)選地為13.56MHz?？商娲?，可以以多個(gè)頻率將RF功率施加到下電極232。此外，阻抗匹配網(wǎng)絡(luò)231用于通過使反射功率最小化，使IEC處理室210中RF功率向IEO等離子體的傳遞最大化?？梢岳酶鞣N匹配網(wǎng)絡(luò)拓?fù)浜妥詣?dòng)控制方法。繼續(xù)參照圖2A，可以使用接口元件241將氣體供應(yīng)系統(tǒng)240耦接到氣體壓力室242，并且可以將氣體壓力室242耦接到氣體分配元件（245a和245b）。氣體分配元件（245a和245b）可以將不同流量（247a和247b）的處理氣體提供到處理區(qū)249中的一個(gè)或更多個(gè)區(qū)域。例如，處理氣體可以包括用于氧化蝕刻應(yīng)用的氣體的混合物（例如氬、四氟化碳（CF4）和氧氣（O2）、或者氬（Ar）、C4F8和O2），或者其他化學(xué)物（例如O2/CO/Ar/C4F8、O2/CO/Ar/C5F8、O2/CO/Ar/C4F6、O2/Ar/C4F6、N2/H2、溴化氫（HBr））。氣體分配元件（245a和245b）可以配置為使引入至晶圓205的污染物降低或最小化，并且可以包括多孔氣體注入噴嘴。例如，處理氣體可以從氣體供應(yīng)系統(tǒng)240供應(yīng)。氣體分配元件（245a和245b）可以向處理區(qū)249的不同區(qū)域提供不同的流量（247a和247b）。另外，氣體分配元件（245a和245b）可以向處理區(qū)249的不同區(qū)域提供不同的處理氣體。真空泵系統(tǒng)257可以包括能夠使泵速高達(dá)5000升每秒（以及更大）的渦輪分子真空泵（TMP）258以及用于控制室壓力的閘門閥259。在用于干法等離子體蝕刻處理的常規(guī)等離子體處理裝置中，通常使用1000升每秒至3000升每秒的TMP。TMP對于低壓處理（通常小于50毫托）是有用的。在高壓處理（例如，大于100毫托）時(shí)，可以使用機(jī)械增壓泵和干式粗抽泵。此外，可以將用于監(jiān)測室壓力的裝置（未示出）耦接到IEC處理室210。壓力測量裝置可以為，例如，萬機(jī)儀器有限公司（MKSInstruments,Inc.）（安杜佛，馬薩諸塞州—Andover，MA）市售的628B型Baratron絕對電容壓力計(jì)。如圖2A所示，IEC蝕刻子系統(tǒng)200A可以包括一個(gè)或更多個(gè)耦接到IEC處理室210以獲得處理數(shù)據(jù)的處理傳感器236，以及可以耦接到處理傳感器236以接收處理數(shù)據(jù)的控制器295。處理傳感器236可以包括內(nèi)置于IEC處理室210的傳感器以及外置于IEC處理室210的傳感器兩者。內(nèi)置傳感器可以包括那些關(guān)于IEC處理室210的功能性的傳感器，例如對以下的測量：氦背面氣體壓力、氦背面流量、靜電夾鉗（ESC）電壓、 ESC電流、晶圓保持器溫度（或下電極（LEL）溫度）、冷卻劑溫度、上電極（UEL）溫度、正向RF功率、反射RF功率、RF自致DC偏置、RF峰至峰電壓、室壁溫度、處理氣體流量、處理氣體分壓、室壓力、匹配網(wǎng)絡(luò)設(shè)置、聚焦環(huán)厚度、RF小時(shí)、聚焦環(huán)RF小時(shí)以及其任意統(tǒng)計(jì)量。另外，外置傳感器可以包括用于監(jiān)測如圖2A所示的從處理區(qū)249中的等離子體發(fā)射的光的一個(gè)或更多個(gè)光學(xué)裝置。光學(xué)裝置可以包括可以用作終點(diǎn)檢測（EPD）并且可以提供EPD數(shù)據(jù)的光學(xué)傳感器。例如，可以使用光學(xué)發(fā)射光譜方法（OES）傳感器。處理傳感器236可以包括電流和/或電壓探針、功率計(jì)、或光譜分析器。例如，處理傳感器236可以包括RF阻抗分析器。在一些實(shí)施方式中，IEC蝕刻子系統(tǒng)200A可以包括耦接到IEC處理室210以獲得第一IE相關(guān)性能數(shù)據(jù)的一個(gè)或更多個(gè)第一離子能量（IE）傳感器234，以及耦接到IE傳感器234以接收第一IE相關(guān)性能數(shù)據(jù)的控制器295。另外，IEC蝕刻子系統(tǒng)200A可以包括耦接到晶圓保持器220以獲得第二IE相關(guān)性能數(shù)據(jù)的一個(gè)或更多個(gè)第二離子能量（IE）傳感器223、以及耦接到IE傳感器223以處理IE相關(guān)性能數(shù)據(jù)的IE控制單元222。例如，IE信號(hào)的測量（例如電壓或電流的時(shí)間跟蹤）允許使用離散傅里葉級數(shù)表達(dá)式將IE信號(hào)轉(zhuǎn)換到頻域中（假設(shè)為周期性信號(hào)）。此后，可以對傅里葉譜（或?qū)τ跁r(shí)間變化的信號(hào)，頻率譜）進(jìn)行監(jiān)測和分析以表征IEO等離子體的狀態(tài)?？刂破?95包括微處理器、存儲(chǔ)器以及數(shù)字輸入/輸出（I/O）端口（潛在地包括數(shù)模（D/A）和/或模數(shù)（A/D）轉(zhuǎn)換器），其能夠生成控制電壓，足以用于連通并且激活蝕刻子系統(tǒng)200的輸入以及監(jiān)測蝕刻子系統(tǒng)200的輸出。如圖2A所示，可以使用一個(gè)或更多個(gè)接口296，將控制器295與以下構(gòu)件進(jìn)行耦接并交換信息：IEC處理室210、IE控制單元222、背面氣體傳輸系統(tǒng)（226和227）、溫度控制系統(tǒng)228、第一RF生成器230、阻抗匹配網(wǎng)絡(luò)231、IE傳感器234、處理傳感器236、氣體供應(yīng)系統(tǒng)240、氣體壓力室242以及真空泵系統(tǒng)257?？梢岳么鎯?chǔ)在存儲(chǔ)器中的程序來根據(jù)所存儲(chǔ)的IE相關(guān)處理配方與IEC蝕刻子系統(tǒng)200A的上述構(gòu)件相互作用。在圖2B所示的示例性實(shí)施方式中，IEC蝕刻子系統(tǒng)200B可以與圖2A的實(shí)施方式類似，并且除參照圖2A所描述的那些構(gòu)件之外，還包括固定的或者機(jī)械地或電動(dòng)旋轉(zhuǎn)的磁場系統(tǒng)255，以便潛在地增加等離子體 密度和/或提升等離子體處理均一性。而且，可以將控制器295耦接到磁場系統(tǒng)255以便調(diào)節(jié)旋轉(zhuǎn)速度和場強(qiáng)。旋轉(zhuǎn)磁場的設(shè)計(jì)以及實(shí)施對于本領(lǐng)域技術(shù)人員是已知的。在圖2C所示的實(shí)施方式中，IEC蝕刻子系統(tǒng)200C可以與圖2A或圖2B的實(shí)施方式類似，并且還可以包括上電極274，通過可選的阻抗匹配網(wǎng)絡(luò)272可以從RF生成器270將RF功率耦合到上電極274上。用于施加RF功率到上電極的頻率可以在約0.1MHz至約200MHZ的范圍內(nèi)。另外，用于施加功率到下電極232的頻率可以在約0.1MHz至約100MHz的范圍內(nèi)。而且，可以將控制器295耦接到RF生成器270以及阻抗匹配網(wǎng)絡(luò)272以便控制將RF功率施加到上電極274。上電極的設(shè)計(jì)以及實(shí)施對于本領(lǐng)域技術(shù)人員是熟知的?？梢詫⑸想姌O274和氣體壓力室242如所示彼此耦接。在圖2D所示的實(shí)施方式中，IEC蝕刻子系統(tǒng)200D可以與圖2A和圖2B的實(shí)施方式類似，并且還可以包括電感線圈283，通過可選的阻抗匹配網(wǎng)絡(luò)282經(jīng)由RF生成器280將RF功率耦合到電感線圈283上?？梢詮拇┻^介電窗口（未示出）的電感線圈283將RF功率電感耦合到處理區(qū)249。施加RF功率到電感線圈283的頻率可以在約10MHz至約100MHz的范圍內(nèi)。類似地，施加功率到下電極232的頻率可以在約0.1MHz至約100MHz的范圍內(nèi)。另外，可以使用槽縫的法拉第屏蔽（未示出）來降低電感線圈283與IEO等離子體之間的電容耦合。而且，可以將控制器295耦接到RF生成器280以及阻抗匹配網(wǎng)絡(luò)282以便控制到電感線圈283的功率的施加。在可替代的實(shí)施方式中（未示出），可以用于電感線圈的為“螺旋”線圈或“扁平”線圈構(gòu)造。電感耦合等離子體（ICP）源或變壓器耦合等離子體（TCP）源的設(shè)計(jì)以及實(shí)施對于本領(lǐng)域技術(shù)人員是熟知的。在圖2E所示的實(shí)施方式中，IEC蝕刻子系統(tǒng)200E可以例如與圖2A、圖2B、圖2C以及圖2D的實(shí)施方式類似，并且還可以包括第二RF生成器250，第二RF生成器250配置為通過另一個(gè)可選的阻抗匹配網(wǎng)絡(luò)251將RF功率耦合到晶圓保持器220。對于第一RF生成器230或第二RF生成器250之一或者兩者，用于將RF功率施加到晶圓保持器220的典型的頻率可以在約0.1MHz至約200MHz的范圍內(nèi)。用于第二RF生成器250的RF頻率可以相對大于用于第一RF生成器230的RF頻率。此外，可以對來自第一RF生成器230的用于晶圓保持器220的RF功率進(jìn)行放 大調(diào)制，可以對來自第二RF生成器250的用于晶圓保持器220的RF功率進(jìn)行放大調(diào)制，或者對兩者RF功率進(jìn)行放大調(diào)制。期望地，對較高RF頻率下的RF功率進(jìn)行放大調(diào)制。而且，可以將控制器295耦接到第二RF生成器250以及阻抗匹配網(wǎng)絡(luò)251，以便控制到晶圓保持器220的RF功率的施加。用于晶圓保持器的RF系統(tǒng)的設(shè)計(jì)以及實(shí)施對于本領(lǐng)域技術(shù)人員是熟知的。在圖2F所示的實(shí)施方式中，IEC蝕刻子系統(tǒng)200F可以與圖2A和圖2E的實(shí)施方式類似，并且還可以包括表面波等離子體（SWP）源。SWP源可以包括槽縫天線287（例如徑向線槽縫天線（RLSA）），通過可選的阻抗匹配網(wǎng)絡(luò)286經(jīng)由微波生成器285將微波功率耦合到槽縫天線287上。在圖2G所示的實(shí)施方式中，IEC蝕刻子系統(tǒng)200G可以與圖2C的實(shí)施方式類似，并且還可以包括分割式上電極（277a、277b），將RF功率通過阻抗匹配網(wǎng)絡(luò)/功率分配器276從RF生成器275耦合到分割式上電極（277a、277b）上。施加RF功率到分割式電極（277a、277b）的頻率可以在約0.1MHz至約200MHz的范圍內(nèi)。另外，施加功率到下電極232的頻率可以在約0.1MHz至約100MHz的范圍內(nèi)。而且，可以將控制器295耦接到RF生成器275以及阻抗匹配網(wǎng)絡(luò)/功率分配器276以便控制RF功率施加到分割式上電極（277a、277b）。功率分配器以及分割式上電極可以設(shè)計(jì)并且配置為向處理區(qū)249的中心和邊緣提供不同RF功率水平，以有利于在與晶圓205的表面相鄰的處理區(qū)249中的IEO等離子體的生成和控制。可以將分割式上電極（270a、270b）以及氣體壓力室242如所示彼此耦接，或者可以使用其他構(gòu)造。圖3A至圖3G示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的用于離子能量控制（IEC）蝕刻子系統(tǒng)的附加的實(shí)施方式。圖3A至圖3G示出與如圖2A至圖2G所示的示例性蝕刻子系統(tǒng)200A至200G類似的示例性IEC蝕刻子系統(tǒng)300A至300G，但是IEC蝕刻子系統(tǒng)300A至300G包括至少一個(gè)DC電極392以及至少一個(gè)DC源390。在圖案化蝕刻期間，通常利用干法等離子體蝕刻工藝，并且通過將電磁（EM）能（例如射頻（RF）功率）耦合到處理氣體以便加熱電子并且引起隨后的處理氣體的原子和/或分子組分的電離和分解，來從處理氣體形成等離子體。另外，可以將負(fù)的、高電壓直流（DC）電功率耦合到等離子體處理系統(tǒng)以便形成在RF循環(huán)的一部分（即，耦合的RF功率的正 半循環(huán)）期間撞擊晶圓表面的高能（彈道）電子束。已經(jīng)觀察到彈道電子束可以通過以下作用增強(qiáng)干法等離子體蝕刻工藝的特性：例如，提升下面的薄膜（待蝕刻的）與掩模層之間的蝕刻選擇性，降低電荷損傷（例如電子遮掩損傷等）。關(guān)于彈道電子束的生成的附加細(xì)節(jié)公開在題為“Plasmaprocessingapparatusandmethod”并且公布為美國專利申請第2006/0037701A1號(hào)的待審美國專利申請序列第11/156,559號(hào)；通過引用將其內(nèi)容的全部并入到本文中。通常，彈道電子束可以在如圖3A至圖3G所示的各種類型的等離子體處理系統(tǒng)之內(nèi)實(shí)施。第一示例性IEC蝕刻子系統(tǒng)300A在圖3A中示出，并且所示的IEC蝕刻子系統(tǒng)300A包括IEC處理室310；晶圓保持器320，其上附有待處理的晶圓305；氣體供應(yīng)系統(tǒng)340；以及真空泵系統(tǒng)357。例如，可以將晶圓保持器320耦接到IEC處理室310并且使用基座325將其與IEC處理室310絕緣。晶圓305可以為，例如，半導(dǎo)體晶圓、工件或液晶顯示器（LCD）。例如，IEC處理室310可以配置為有利于在與晶圓305的表面相鄰的處理區(qū)349中生成IEO等離子體，并且IEO等離子體經(jīng)由熱電子與能夠電離的氣體之間的碰撞來形成?？梢詮臍怏w供應(yīng)系統(tǒng)340將能電離的氣體或氣體的混合物引入，并且使用真空泵系統(tǒng)357對處理壓力進(jìn)行調(diào)節(jié)。期望地，IEO等離子體可以用于形成針對預(yù)定材料處理的材料，以及用于對沉積材料至晶圓305或從晶圓305的露出的表面移除材料進(jìn)行輔助。例如，控制器395可以用于控制真空泵系統(tǒng)357和氣體供應(yīng)系統(tǒng)340。例如，可以經(jīng)由機(jī)器人傳送系統(tǒng)穿過槽閥（為示出）和室饋通（未示出）將晶圓305傳送進(jìn)出IEC處理室310，在機(jī)器人傳送系統(tǒng)中，晶圓305被容納在晶圓保持器320內(nèi)的晶圓頂桿（未示出）接收，并且通過容納在其中的裝置機(jī)械地平移。在從傳送系統(tǒng)接收晶圓305之后，將其下降至晶圓保持器320的上表面。例如，可以經(jīng)由靜電夾鉗系統(tǒng)（未示出）將晶圓305固定于晶圓保持器320。晶圓保持器320可以包括可以耦接到溫度控制系統(tǒng)328的溫度控制元件329。例如，溫度控制元件329可以包括電阻加熱元件、或熱電加熱器/冷卻器?？梢越柚p（中心/邊緣）背面氣體傳輸系統(tǒng)（326和327）將背面氣體傳輸至晶圓的背面以提升晶圓305與晶圓保持器320之間的氣體間距熱導(dǎo)率。當(dāng)在提高或減低溫度的情況下需要附加的晶圓的溫度控制時(shí)，可以利用雙（中心/邊緣）背面氣體傳輸系統(tǒng)（326和327）。例如，晶圓的溫度控制可以在超過穩(wěn)定狀態(tài)溫度的溫度下是有用的，該穩(wěn)定狀態(tài) 溫度由于從等離子體傳遞至晶圓305的熱流與通過向晶圓保持器320的傳導(dǎo)而從晶圓305移除的熱流的平衡而實(shí)現(xiàn)。如圖3A所示，晶圓保持器320包括下電極332，通過其可以將射頻（RF）功率耦合到處理區(qū)349中的等離子體。例如，可以通過經(jīng)由阻抗匹配網(wǎng)絡(luò)331將RE功率從RF生成器330傳送至下電極332來以RF電壓對下電極332進(jìn)行電偏置。RF偏置可以用于加熱電子以形成并維持IEO等離子體。用于RF偏置的典型的頻率可以在從1MHz至100MHz的范圍內(nèi)并且優(yōu)選地為13.56MHz?？商娲?，可以以多個(gè)頻率將RF功率施加到下電極332。此外，阻抗匹配網(wǎng)絡(luò)331用于通過使反射功率最小化，使IEC處理室310中RF功率向IEO等離子體的傳遞最大化?？梢岳酶鞣N匹配網(wǎng)絡(luò)拓?fù)浜妥詣?dòng)控制方法。繼續(xù)參照圖3A，可以使用接口元件341將氣體供應(yīng)系統(tǒng)340耦接到氣體壓力室342，并且可以將氣體壓力室342耦接到氣體分配元件（345a和345b）。氣體分配元件（345a和345b）可以將不同流量（347a和347b）的處理氣體提供到處理區(qū)349中的一個(gè)或更多個(gè)區(qū)域。例如，處理氣體可以包括用于氧化蝕刻應(yīng)用的氣體的混合物（例如氬、四氟化碳（CF4）和氧氣（O2）、或者氬（Ar）、C4F8和O2），或者其他化學(xué)物（例如O2/CO/Ar/C4F8、O2/CO/Ar/C5F8、O2/CO/Ar/C4F6、O2/Ar/C4F6、N2/H2、溴化氫（HBr））。氣體分配元件（345a和345b）可以配置為使引入至晶圓305的污染物降低或最小化，并且可以包括多孔氣體注入噴嘴。例如，處理氣體可以從氣體供應(yīng)系統(tǒng)340供應(yīng)。氣體分配元件（345a和345b）可以向處理區(qū)349的不同區(qū)域提供不同的流量（347a和347b）。另外，氣體分配元件（345a和345b）可以向處理區(qū)349的不同區(qū)域提供不同的處理氣體。真空泵系統(tǒng)357可以包括能夠使泵速高達(dá)5000升每秒（以及更大）的渦輪分子真空泵（TMP）358以及用于控制室壓力的閘門閥359。在用于干法等離子體蝕刻處理的常規(guī)等離子體處理裝置中，通常使用1000升每秒至3000升每秒的TMP。TMP對于低壓處理（通常小于50毫托）是有用的。對于高壓處理（例如，大于100毫托），可以使用機(jī)械增壓泵和干式粗抽泵。此外，可以將用于監(jiān)測室壓力的裝置（未示出）耦接到IEC處理室310。壓力測量裝置可以為，例如，MKSInstruments,Inc.（安杜氟，MA）市售的628B型Baratron絕對電容壓力計(jì)。如圖3A所示，IEC蝕刻子系統(tǒng)300A可以包括一個(gè)或更多個(gè)耦接到IEC處理室310以獲得性能數(shù)據(jù)的處理傳感器336，以及可以耦接到處理傳感器336以接收處理數(shù)據(jù)的控制器395。處理傳感器336可以包括對內(nèi)置于IEC處理室310的傳感器以及外置于IEC處理室310的傳感器兩者。內(nèi)置傳感器可以包括那些關(guān)于IEC處理室310的功能性的傳感器，例如對以下的測量：氦背面氣體壓力、氦背面流量、靜電夾鉗（ESC）電壓、ESC電流、晶圓保持器溫度（或下電極（LEL）溫度）、冷卻劑溫度、上電極（UEL）溫度、正向RF功率、反射RF功率、RF自致DC偏置、RF峰至峰電壓、室壁溫度、處理氣體流量、處理氣體分壓、室壓力、匹配網(wǎng)絡(luò)設(shè)置、聚焦環(huán)厚度、RF小時(shí)、聚焦環(huán)RF小時(shí)以及其任意統(tǒng)計(jì)量。另外，外置傳感器可以包括用于監(jiān)測如圖3A所示的從處理區(qū)349中的等離子體發(fā)射的光的一個(gè)或更多個(gè)光學(xué)裝置。光學(xué)裝置可以包括可以用作終點(diǎn)檢測（EPD）并且可以提供EPD數(shù)據(jù)的光學(xué)傳感器。例如，可以使用光學(xué)發(fā)射光譜方法（OES）傳感器。處理傳感器336可以包括電流和/或電壓探針、功率計(jì)、或光譜分析器。例如，處理傳感器336可以包括RF阻抗分析器。在一些實(shí)施方式中，IEC蝕刻子系統(tǒng)300A可以包括耦接到IEC處理室310以獲得IE相關(guān)性能數(shù)據(jù)的一個(gè)或更多個(gè)離子能量（IE）傳感器334、以及耦接到IE傳感器334以接收IE相關(guān)性能數(shù)據(jù)的控制器395。另外，IEC蝕刻子系統(tǒng)300A可以包括耦接到晶圓保持器320以獲得IE相關(guān)性能數(shù)據(jù)的一個(gè)或更多個(gè)離子能量（IE）傳感器323，以及耦接到IE傳感器323以處理IE相關(guān)性能數(shù)據(jù)的IE控制單元322。例如，IE信號(hào)的測量（例如電壓或電流的時(shí)間跟蹤）允許使用離散傅里葉級數(shù)表示將IE信號(hào)轉(zhuǎn)換到頻域中（假設(shè)為周期性信號(hào)）。此后，可以對傅里葉譜（或?qū)τ跁r(shí)間變化的信號(hào)，頻率譜）進(jìn)行監(jiān)測和分析以表征IEO等離子體的狀態(tài)?？刂破?95包括微處理器、存儲(chǔ)器以及數(shù)字I/O端口（潛在地包括D/A和/或模數(shù)A/D轉(zhuǎn)換器），其能夠生成控制電壓，足以用于連通并且激活蝕刻子系統(tǒng)（300A至300G）的輸入以及監(jiān)測蝕刻子系統(tǒng)（300A至300G）的輸出。如圖3A所示，可以使用一個(gè)或更多個(gè)接口396，將控制器395與以下構(gòu)件進(jìn)行耦接并交換信息：IEC處理室310、IE控制單元322、背面氣體傳輸系統(tǒng)（326和327）、溫度控制系統(tǒng)328、第一RF生成器330、阻抗匹配網(wǎng)絡(luò)331、IE傳感器334、處理傳感器336、氣體供應(yīng)系統(tǒng)340、氣體壓力室342以及真空泵系統(tǒng)357?？梢岳么鎯?chǔ)在存儲(chǔ)器中的程序來根據(jù)所存儲(chǔ)的IE相關(guān)處理配方與IEC蝕刻子系統(tǒng)300A的上述構(gòu)件相互 作用。在圖3B中所示的示例性實(shí)施方式中，IEC蝕刻子系統(tǒng)300B可以與圖3A的實(shí)施方式類似，并且除參照圖3A所描述的那些構(gòu)件之外，還包括固定的或者機(jī)械地或電動(dòng)旋轉(zhuǎn)的磁場系統(tǒng)355，以便潛在地增加等離子體密度和/或提升等離子體處理均一性。而且，可以將控制器395耦接到磁場系統(tǒng)355以便調(diào)節(jié)旋轉(zhuǎn)速度和場強(qiáng)。旋轉(zhuǎn)磁場的設(shè)計(jì)以及實(shí)施對于本領(lǐng)域技術(shù)人員是已知的。在圖3C中所示的實(shí)施方式中，IEC蝕刻子系統(tǒng)300C可以與圖3A或圖3B的實(shí)施方式類似，并且還可以包括上電極374，通過可選的阻抗匹配網(wǎng)絡(luò)372可以從RF生成器370將RF功率耦合到上電極374上。用于施加RF功率到上電極的頻率可以在約0.1MHz至約200MHZ的范圍內(nèi)。另外，用于施加功率到下電極332的頻率可以在約0.1MHz至約100MHz的范圍內(nèi)。而且，可以將控制器395耦接到RF生成器370以及阻抗匹配網(wǎng)絡(luò)372以便控制將RF功率施加到上電極374。上電極的設(shè)計(jì)以及實(shí)施對于本領(lǐng)域技術(shù)人員是熟知的?？梢詫⑸想姌O374和氣體壓力室342如所示彼此耦接。在圖3D所示的實(shí)施方式中，IEC蝕刻子系統(tǒng)300D可以與圖3A和圖3B的實(shí)施方式類似，并且還可以包括電感線圈383，通過可選的阻抗匹配網(wǎng)絡(luò)382經(jīng)由RF生成器380將RF功率耦合到電感線圈383上?？梢詮拇┻^介電窗口（未示出）的電感線圈383將RF功率電感耦合到處理區(qū)349。施加RF功率到電感線圈383的頻率可以在約10MHz至約100MHz的范圍內(nèi)。類似地，施加功率到下電極332的頻率可以在約0.1MHz至約100MHz的范圍內(nèi)。另外，可以使用槽縫的法拉第屏蔽（未示出）來降低電感線圈383與IEO等離子體之間的電容耦合。而且，可以將控制器395耦接到RF生成器380以及阻抗匹配網(wǎng)絡(luò)382以便控制到電感線圈383的功率的施加。在可替代的實(shí)施方式中（未示出），可以用于電感線圈的為“螺旋”線圈或“扁平”線圈構(gòu)造。電感耦合的等離子體（ICP）源或變壓器耦合等離子體（TCP）的設(shè)計(jì)以及實(shí)施對于本領(lǐng)域技術(shù)人員是熟知的。在圖3E所示的實(shí)施方式中，IEC蝕刻子系統(tǒng)300E可以，例如，與圖3A、圖3B、圖3C以及圖3D的實(shí)施方式類似，并且還可以包括第二RF生成器350，第二RF生成器350配置為通過另一個(gè)可選的阻抗匹配網(wǎng)絡(luò)351將RF功率耦合到晶圓保持器320。對于第一RF生成器330或 第二RF生成器350之一或者兩者，用于將RF功率施加到晶圓保持器320的典型的頻率可以在約0.1MHz至約200MHZ的范圍內(nèi)。用于第二RF生成器350的RF頻率可以相對大于用于第一RF生成器330的RF頻率。此外，可以對來自第一RF生成器330的用于晶圓保持器320的RF功率進(jìn)行放大調(diào)制，可以對來自第二RF生成器350的用于晶圓保持器320的RF功率進(jìn)行放大調(diào)制，或者對兩者RF功率進(jìn)行放大調(diào)制。期望地，對較高RF頻率下的RF功率進(jìn)行放大調(diào)制。而且，可以將控制器395耦接到第二RF生成器350以及阻抗匹配網(wǎng)絡(luò)351，以便控制到晶圓保持器320的RF功率的施加。用于晶圓保持器的RF系統(tǒng)的設(shè)計(jì)以及實(shí)施對于本領(lǐng)域技術(shù)人員是熟知的。在圖3F所示的實(shí)施方式中，IEC蝕刻子系統(tǒng)300F可以與圖3A和圖3E的實(shí)施方式類似，并且還可以包括表面波等離子體（SWP）源。SWP源可以包括槽縫天線387（例如徑向線槽縫天線（RLSA）），通過可選的阻抗匹配網(wǎng)絡(luò)386經(jīng)由微波生成器385將微波功率耦合到槽縫天線387上。在圖3G所示的實(shí)施方式中，IEC蝕刻子系統(tǒng)300G可以與圖3C的實(shí)施方式類似，并且可以還包括分割式上電極（377a、377b），將RF功率通過阻抗匹配網(wǎng)絡(luò)/功率分配器376從RF生成器375耦合到分割式上電極（377a、377b）上。施加RF功率到分割式上電極（377a、377b）的頻率可以在約0.1MHz至約200MHz的范圍內(nèi)。另外，施加功率到下電極332的頻率可以在約0.1MHz至約100MHz的范圍內(nèi)。而且，可以將控制器395耦接到RF生成器375以及阻抗匹配網(wǎng)絡(luò)/功率分配器376以便控制RF功率施加到分割式上電極（377a、377b）的。功率分路器以及分割式上電極可以設(shè)計(jì)并且配置為向處理區(qū)349的中心和邊緣提供不同RF功率水平，以有利于在與晶圓305的表面相鄰的處理區(qū)349中的IEO等離子體的生成和控制?？梢詫⒎指钍缴想姌O（370a、370b）以及氣體壓力室342如所示彼此耦接，或者可以使用其他構(gòu)造。在IEC蝕刻子系統(tǒng)（300A至300G）示出的DC電極392可以包括含硅材料和/或摻雜的含硅材料。DC源390可以包括可變的DC電源。另外，DC源390可以包括雙極性DC電源。DC源390還可以包括配置為執(zhí)行對DC源390的極性、電流、電壓和/或開/斷狀態(tài)進(jìn)行監(jiān)控、調(diào)整或控制中至少之一的系統(tǒng)。一旦形成等離子體，DC源390有利于彈道電子束的形成?？梢岳秒姙V波器來將RF功率從DC源390解耦。例如，由DC源390施加到DC電極392的DC電壓可以在約-2000伏特（V）至約1000V的范圍之內(nèi)。期望地，DC電壓的絕對值為等于或大于約100V的值，并且更期望地，DC電壓的絕對值為等于或大于約500V的值。另外，期望的是DC電壓具有負(fù)極性。此外，期望的是DC電壓為絕對值大于自偏電壓的負(fù)電壓。在可替代的實(shí)施方式中，化學(xué)氧化去除（COR）子系統(tǒng)（未示出）可以用于去除或修整氧化的多晶硅材料。另外，COR子系統(tǒng)可以用于去除或修整氧化掩模層。例如，COR子系統(tǒng)可以包括用于對晶圓上露出的表面層（例如氧化表面層）進(jìn)行化學(xué)處理的化學(xué)處理模型（未示出），由此露出的表面上的過程化學(xué)的吸收影響表面層的化學(xué)變化。另外，COR子系統(tǒng)可以包括用于對晶圓進(jìn)行熱處理的熱處理模型（未示出），由此提高晶圓溫度以便使得晶圓上的經(jīng)化學(xué)變化的露出的表面層脫附（desorb）（或蒸發(fā)）。圖4示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的示例性離子能量控制多輸入/多輸出（IEC-MIMO）模型優(yōu)化及控制工藝條件的簡化框圖。在所示的MIMO模型方法論中，示出了第一圖案化柵堆疊401以及后處理的柵堆疊405的一部分的示例性圖像。第一圖案化柵堆疊401的軟掩模層可以包括一個(gè)或更多個(gè)軟掩模特征CD402以及一個(gè)或更多個(gè)軟掩模特征側(cè)壁角度（SWA）403?？梢允褂每梢园ㄖ行?邊緣（C/E）層數(shù)據(jù)、EEDf（電子能量函數(shù)）C/E數(shù)據(jù)、IEC/E數(shù)據(jù)、CD數(shù)據(jù)C/E、IED數(shù)據(jù)以及SWA數(shù)據(jù)C/E的第一組IE相關(guān)參數(shù)對第一圖案化柵堆疊401進(jìn)行表征?？商娲兀梢允褂貌煌MIE相關(guān)參數(shù)。后處理柵堆疊405可以包括一個(gè)或更多個(gè)CD406以及一個(gè)或更多個(gè)SWA407?？梢允褂每梢园ㄖ行?邊緣（C/E）金屬柵和/或特征數(shù)據(jù)、C/E目標(biāo)層數(shù)據(jù)、CD數(shù)據(jù)C/E、SWA數(shù)據(jù)C/E、IE更新數(shù)據(jù)C/E以及EEDf更新數(shù)據(jù)的第二組參數(shù)408對后處理柵堆疊405進(jìn)行表征?？商娲?，可以使用不同組的IE相關(guān)后處理參數(shù)。在所示的工藝條件中，可以將前處理集成計(jì)量（IM）和/或檢查處理/工具（前IM/檢查）模型410耦接到一個(gè)或更多個(gè)IEC蝕刻工序模型415?？梢詫EC蝕刻工序模型415中的一個(gè)或更多個(gè)耦接到一個(gè)或更多個(gè)IEO蝕刻制程模型420?？梢詫EO蝕刻制程模型420中的一個(gè)或更多個(gè)耦接到一個(gè)或更多個(gè)IE數(shù)據(jù)更新模型425?？梢詫E數(shù)據(jù)更新模型425中的一個(gè)或更多個(gè)耦接到一個(gè)或更多個(gè)后處理集成計(jì)量（IM）和/或檢查 處理/工具（后IM/檢查）模型430。（前IM/檢查）模型410可以接收輸入數(shù)據(jù)409，可以向IEC蝕刻工序模型415提供第一輸出數(shù)據(jù)411，并且可以向IE相關(guān)前饋模型435提供第一前饋數(shù)據(jù)412。IEC蝕刻工序模型415可以接收數(shù)據(jù)411，可以向IEO蝕刻制程模型420提供第二輸出數(shù)據(jù)416，并且可以向IE相關(guān)前饋模型435提供第二前饋數(shù)據(jù)417。IEO蝕刻制程模型420可以接收第二輸出數(shù)據(jù)416，可以接收第三前饋數(shù)據(jù)436，可以接收反饋數(shù)據(jù)438，并且可以向IE數(shù)據(jù)更新模型425發(fā)送IE制程數(shù)據(jù)421。IE數(shù)據(jù)更新模型425可以接收IE制程數(shù)據(jù)421，可以向（后IM/檢查）模型430提供更新數(shù)據(jù)426，并且可以向IE相關(guān)反饋模型437提供第一反饋數(shù)據(jù)427。（后IM/檢查）模型430可以接收更新數(shù)據(jù)426，可以提供第三輸出數(shù)據(jù)431，并且可以向IE相關(guān)反饋模型437提供第二反饋數(shù)據(jù)432。IE相關(guān)前饋模型435可以接收第一前饋數(shù)據(jù)412，可以接收第二前饋數(shù)據(jù)417，并且可以提供第三前饋數(shù)據(jù)436，并且IE相關(guān)反饋模型437可以接收第一反饋數(shù)據(jù)427，可以接收第二反饋數(shù)據(jù)432，并且可以提供第三反饋數(shù)據(jù)438。在一些實(shí)例中，輸入數(shù)據(jù)409可以包括CD數(shù)據(jù)、SWA數(shù)據(jù)、厚度數(shù)據(jù)、IE數(shù)據(jù)、EEDf數(shù)據(jù)、IED數(shù)據(jù)或柵數(shù)據(jù)或者其任意組合，并且第一輸出數(shù)據(jù)411和第一前饋數(shù)據(jù)412可以包括CD數(shù)據(jù)、SWA數(shù)據(jù)、ODP數(shù)據(jù)、檢查數(shù)據(jù)、厚度數(shù)據(jù)、IE數(shù)據(jù)、EEDf數(shù)據(jù)、IED數(shù)據(jù)或柵數(shù)據(jù)、或者其任意組合。第二輸出數(shù)據(jù)416和第二前饋數(shù)據(jù)417可以包括配方數(shù)據(jù)、CD數(shù)據(jù)、SWA數(shù)據(jù)、ODP數(shù)據(jù)、檢查數(shù)據(jù)、厚度數(shù)據(jù)、IE數(shù)據(jù)、EEDf數(shù)據(jù)或柵數(shù)據(jù)、或者其任意組合，并且IE制程數(shù)據(jù)421可以包括結(jié)果數(shù)據(jù)、CD數(shù)據(jù)、SWA數(shù)據(jù)、ODP數(shù)據(jù)、檢查數(shù)據(jù)、厚度數(shù)據(jù)、IE數(shù)據(jù)、EEDf數(shù)據(jù)或柵數(shù)據(jù)、或者其任意組合。更新數(shù)據(jù)426和第一反饋數(shù)據(jù)427可以包括配方數(shù)據(jù)、IE數(shù)據(jù)、EEDf數(shù)據(jù)、ODP數(shù)據(jù)、檢查數(shù)據(jù)、厚度數(shù)據(jù)、IE數(shù)據(jù)、EEDf數(shù)據(jù)或柵數(shù)據(jù)、或者其任意組合，并且第三輸出數(shù)據(jù)431和第二反饋數(shù)據(jù)432可以包括結(jié)果數(shù)據(jù)、CD數(shù)據(jù)、SWA數(shù)據(jù)、ODP數(shù)據(jù)、檢查數(shù)據(jù)、厚度數(shù)據(jù)、IE數(shù)據(jù)、EEDf數(shù)據(jù)或柵數(shù)據(jù)、或者其任意組合。第三前饋數(shù)據(jù)436可以包括晶圓到晶圓前饋數(shù)據(jù)（W2WFF）以及晶圓內(nèi)部前饋數(shù)據(jù)（WiWFF），并且第三反饋數(shù)據(jù)438可以包括晶圓到晶圓反饋數(shù)據(jù)（W2WFB）以及晶圓內(nèi)部反饋數(shù)據(jù)（WiWFB）。另外，模型（410、415、420、425以及430）中的一個(gè)或更多個(gè)可以用于在晶圓到晶圓（W2W）基礎(chǔ)上控制IE相關(guān)后處理柵堆疊405和/或在晶圓內(nèi)（WiW）基礎(chǔ)上控制IE相關(guān)后處理柵堆疊405?？梢詫?shù)據(jù)項(xiàng)413發(fā)送至第一計(jì)算元件440，第一計(jì)算元件440可以用于計(jì)算在晶圓的中心處以及在晶圓的邊緣處的IE數(shù)據(jù)、EEDf數(shù)據(jù)、蝕刻數(shù)據(jù)、CD數(shù)據(jù)、SWA數(shù)據(jù)和/或其他柵堆疊數(shù)據(jù)中的一些。例如，第一計(jì)算元件440可以用于計(jì)算在晶圓的中心處以及在晶圓的邊緣處的IE相關(guān)偏置?？梢詫⒌谝唤M目標(biāo)參數(shù)441提供到第一計(jì)算元件440，并且可以將第一組濾波輸出471提供到第一計(jì)算元件440?？梢詫碜缘谝挥?jì)算元件440的輸出數(shù)據(jù)項(xiàng)442提供到一個(gè)或更多個(gè)MIMO模型優(yōu)化器450。MIMO模型優(yōu)化器450中的一個(gè)或更多個(gè)可以設(shè)置有可以包括IE相關(guān)工具限制、配方限制和/或時(shí)間限制的一個(gè)或更多個(gè)IE相關(guān)約束參數(shù)451。例如，IE相關(guān)約束參數(shù)451可以包括在IE蝕刻制程期間的基于步驟的晶圓溫度限制或處理氣體限制。MIMO模型優(yōu)化器450中的一個(gè)或更多個(gè)可以確定可以發(fā)送至工具控制器/模型（410、415、420、425以及430）中的一個(gè)或更多個(gè)的一組或更多組配方/腔參數(shù)456。工具控制器/模型（410、415、420、425以及430）中的一個(gè)或更多個(gè)可以用于計(jì)算預(yù)測的IE值457，該值可以包括一個(gè)或更多個(gè)預(yù)測蝕刻偏置、一個(gè)或更多個(gè)預(yù)測SWA偏置、用于一個(gè)或更多個(gè)蝕刻配方的一個(gè)或更多個(gè)預(yù)測步驟時(shí)間、以及用于一個(gè)或更多個(gè)蝕刻配方的一個(gè)或更多個(gè)預(yù)測處理氣體流量。（后IM/檢查）模型430中的一個(gè)或更多個(gè)可以向一個(gè)或更多個(gè)比較元件460提供一個(gè)或更多個(gè)實(shí)際輸出433，并且實(shí)際輸出433中的一個(gè)或更多個(gè)可以與預(yù)測數(shù)據(jù)項(xiàng)457中的一個(gè)或更多個(gè)進(jìn)行比較?？梢詫碜员容^元件460中的一個(gè)或更多個(gè)的誤差值465中的一個(gè)或更多個(gè)提供到EWMA濾波器470中的一個(gè)或更多個(gè)。EWMA濾波器470中的一個(gè)或更多個(gè)可以向第一計(jì)算元件440提供一個(gè)或更多個(gè)第一濾波輸出471，并且EWMA濾波器470中的一個(gè)或更多個(gè)可以向加權(quán)控制器/模型480中的一個(gè)或更多個(gè)提供一個(gè)或更多個(gè)第二濾波輸出472。每個(gè)EWMA濾波器470可以濾波并且提供用于單個(gè)參數(shù)或誤差值的反饋數(shù)據(jù)。可替代地，每個(gè)EWMA濾波器470可以濾波并且提供用于多個(gè)參數(shù)或誤差值的反饋數(shù)據(jù)。加權(quán)控制器/模型480中的一個(gè)或更多個(gè)可以從MIMO模型優(yōu)化器450中的一個(gè)或更多個(gè)接收一個(gè)或更多個(gè)目標(biāo)數(shù)據(jù)項(xiàng)445以及一個(gè)或更多個(gè)反饋數(shù)據(jù)項(xiàng)455。另外，加權(quán)控制器/模型480中的一個(gè)或更多個(gè)可以向MIMO模型優(yōu)化器450中的一個(gè) 或更多個(gè)提供一個(gè)或更多個(gè)動(dòng)態(tài)變化的加權(quán)輸入481。使用基于反饋誤差的動(dòng)態(tài)加權(quán)的概念為驅(qū)使優(yōu)化器在以更好控制最重要的CV下優(yōu)先考慮加權(quán)（再平衡）—在運(yùn)行中控制系統(tǒng)的手動(dòng)調(diào)節(jié)的自動(dòng)化。在一些實(shí)施方式中，用于控制的操縱變量和/或干擾變量可以包括計(jì)算的值，可以在運(yùn)行處理期間通過以下方法對該值進(jìn)行動(dòng)態(tài)建模以及更新：1）建模制程可以開始于將IE傳感器數(shù)據(jù)與控制變量（CV）進(jìn)行“配對”的基本模型關(guān)系。例如原子O或F的量可以通過使用來自IE傳感器或處理傳感器的處理氣體數(shù)據(jù)來計(jì)算，并且消耗的原子O或F的量可以用于預(yù)測CD或SWA。這可以為反饋更新回路，或在蝕刻步驟期間的實(shí)時(shí)調(diào)整。2）在執(zhí)行濕法清洗之后，在調(diào)試或生產(chǎn)期間所處理的第一圖案化柵堆疊將用于對該跟蹤氣體模型進(jìn)行計(jì)算和更新。3）相對增益矩陣（RGA）方法可以在運(yùn)行時(shí)與生產(chǎn)圖案化晶圓一起使用以評估何時(shí)使用對CV反饋的IE傳感器數(shù)據(jù)代替僅計(jì)算值。將對用于給定CV值的RGA矩陣進(jìn)行重新評估以確定基于MV的傳感器的值是否強(qiáng)于用于用作實(shí)時(shí)CV值的光刻引入CV。4）另外，使用OES信號(hào)的中心到邊緣傳感器檢測，改變的速率也可以用作通常理解的實(shí)例以通過調(diào)整過蝕刻步驟中心到邊緣旋鈕（例如O2流量、溫度、上功率、壓力）來調(diào)整過蝕刻配方設(shè)置以提升均一性（校正之前步驟蝕刻的非均一性）。IMCV應(yīng)該為用于分別引入的引入晶圓的膜厚—例如根據(jù)當(dāng)前室中心到邊緣的蝕刻速率的BARC厚度。在一些實(shí)施方式中，與由第一、第二和/或第三IEC蝕刻工序形成的各種圖案化晶圓相關(guān)聯(lián)的控制變量可以為中心CD及SWA值、中間CD及SWA值、邊緣CD及SWA值、以及極邊緣CD及SWA值，并且這可能需要對晶圓上的四個(gè)或更多個(gè)位點(diǎn)進(jìn)行的共八個(gè)IM測量?？梢允褂脛?dòng)態(tài)采樣執(zhí)行前IM測量和后IM測量。在其他實(shí)施方式中，操縱變量可以包括用于晶圓保持器中的一個(gè)或更多個(gè)區(qū)域的背面氣體流量，并且可以在處理期間動(dòng)態(tài)地控制該背面氣體流量，以通過基于引入的CV要求對本質(zhì)上為非徑向的晶圓區(qū)域進(jìn)行調(diào)整來提供動(dòng)態(tài)背面氣體溫度控制用于提升的晶圓內(nèi)處理均一性。在又一實(shí)施方式中，操縱變量可以包括用于邊緣氣體注入流率的流率。該方法也可以用于降低晶圓邊緣的缺乏問題，并且基于引入的信號(hào)和室狀態(tài)使邊緣缺乏成為可控變量。在一些IE相關(guān)MIMO模型中，可以在離線觸發(fā)計(jì)算更新制程期間， 對批次之間的相互作用項(xiàng)進(jìn)行更新。例如，可以通過檢查當(dāng)前系統(tǒng)對交叉項(xiàng)變化的敏感度、以及通過運(yùn)行一組預(yù)定義的增量（delta）來察看調(diào)整交叉項(xiàng)是否將提升平均控制，來觸發(fā)交叉項(xiàng)計(jì)算更新。RGA可以用在該計(jì)算中，并且觸發(fā)事件可以用于執(zhí)行用于IE相關(guān)MIMO模型的自適應(yīng)反饋更新。例如，當(dāng)將IE相關(guān)MIMO模型從室復(fù)制到室時(shí)使用自適應(yīng)反饋并且使得IE相關(guān)MIMO模型能夠適應(yīng)新室的行為。另一用途在當(dāng)釋放新產(chǎn)品時(shí)出現(xiàn)，并且舊產(chǎn)品方程可以用于啟動(dòng)模型，然后在許多晶圓之后模型更新被觸發(fā)并且對新模型進(jìn)行調(diào)整，然后可以使用得到的模型并且用于性能的監(jiān)控。圖5A和圖5A’示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的用于形成第一雙圖案化特征的第一IE相關(guān)處理工序的示例圖。在示出的實(shí)施方式中，示出了其上具有示例性特征堆疊（505a至507a）的三個(gè)示例性圖案化晶圓（501a至503a），但這不是本發(fā)明所必需的?？商娲兀梢允褂貌煌瑪?shù)量的具有不同構(gòu)造的圖案化晶圓。在一些實(shí)施方式中，可以使用第一組IEC蝕刻制程來形成三個(gè)示例性圖案化晶圓（501a、502a以及503a）以及相關(guān)聯(lián)的多層特征堆疊（505a、506a以及507a），第一組IEC蝕刻制程可以使用本文中在圖2A至圖2G以及圖3A至圖3G所描述的蝕刻子系統(tǒng)中的一個(gè)或更多個(gè)來執(zhí)行?？商娲?，可以使用其他蝕刻子系統(tǒng)和/或蝕刻制程。在圖5A中，示出了第一輸入數(shù)據(jù)模型580a，并且當(dāng)執(zhí)行第一輸入數(shù)據(jù)模型580a時(shí)，可以得到第一組輸入數(shù)據(jù)。第一輸入數(shù)據(jù)可以包括實(shí)時(shí)和/或歷史IE-相關(guān)數(shù)據(jù)。在圖5A中，示出了第一IE選擇MIMO模型581a，并且可以使用第一IE選擇MIMO模型581a選擇第一IEC蝕刻工序，并且第一IE選擇MIMO模型581a可以使用傳送裝置590交換測量變量（MV）數(shù)據(jù)，可以使用傳送裝置591交換干擾變量（DV）數(shù)據(jù)，并且可以使用傳送裝置592交換控制變量（CV）數(shù)據(jù)。例如，第一IE選擇MIMO模型581a可以創(chuàng)建和/或使用與第一IEC蝕刻工序相關(guān)聯(lián)的第一IE相關(guān)數(shù)據(jù)，并且可以使用傳送裝置（590、591和/或592）對第一IE相關(guān)數(shù)據(jù)進(jìn)行前饋和/或反饋。當(dāng)執(zhí)行第一IE選擇MIMO模型581a時(shí)，可以使用控制器（圖2A至圖2G所示的295）和/或控制器（圖3A至圖3G所示的395）選擇第一IEC蝕刻工序。在一些實(shí)例中，控制器（295和/或395）可以使用用于第 一圖案化晶圓501a和/或第二圖案化晶圓502a的第一IE相關(guān)庫數(shù)據(jù)。當(dāng)在第一圖案化晶圓501a上正在形成第一特征堆疊505a時(shí)，用于第一圖案化晶圓501a的第一IE相關(guān)庫數(shù)據(jù)可以包括使用一個(gè)或更多個(gè)IE傳感器（圖2A至圖2G所示的223和/或234）和/或IE傳感器（圖3A至圖3G所示的323和/或334）收集的歷史IEC蝕刻工序數(shù)據(jù)。當(dāng)?shù)诙卣鞫询B506a在預(yù)先形成的第二圖案化晶圓502a上預(yù)先形成時(shí)，用于第二圖案化晶圓502a的第一IE相關(guān)庫數(shù)據(jù)可以包括使用一個(gè)或更多個(gè)IE傳感器（圖2A至圖2G所示的223和/或234）和/或IE傳感器（圖3A至圖3G所示的323和/或334）收集的第二歷史IEC蝕刻工序數(shù)據(jù)。在圖5A’中，包括第一特征堆疊505a的第一圖案化晶圓501a示出為包括襯底層510a、目標(biāo)層520a、第三硬掩模層530a、第二硬掩模層540a、特征寬度控制（FWC）層550a、第一硬掩模層560a以及圖案化軟掩模層570a。例如，襯底層510a可以包括半導(dǎo)體材料；目標(biāo)層520a可以包括介電或金屬材料；第三硬掩模層530a可以包括TiN；第二硬掩模層540a可以包括正硅酸乙酯（TEOS）[Si(OC2H5)4]；FWC層550a可以包括寬度控制材料；第一硬掩模層560a可以包括Si-ARC材料，并且軟掩模層570a可以包括輻射敏感材料，例如光刻膠。軟掩模層570a可以包括多個(gè)軟掩模特征575a，并且軟掩模特征575a可以具有特征寬度576a、特征厚度577a以及側(cè)壁角度（SWA）578a。例如，特征寬度576a可以從約10nm至約200nm變化，特征厚度577a可以從約20nm至約4000nm變化，并且SWA578a可以從約87度至約95度變化。在圖5A中，示出了第一IEC-MIMO模型582a，并且當(dāng)執(zhí)行第一IEC-MIMO模型582a時(shí)，可以使用IEO蝕刻制程中的一個(gè)或更多個(gè)來執(zhí)行選擇的第一IEC蝕刻工序。當(dāng)執(zhí)行IEO蝕刻制程時(shí)，可以使用第一IEC蝕刻工序來確定一組或更多組處理參數(shù)。例如，第一IEC-MIMO模型582a與其他MIMO模型（581a、583a、584a以及585a）之間可以使用傳送裝置590創(chuàng)建并交換第一IEC蝕刻MV數(shù)據(jù)，可以使用傳送裝置591創(chuàng)建并交換第一IEC蝕刻DV數(shù)據(jù)，并且可以使用傳送裝置592創(chuàng)建并交換第一IEC蝕刻CV數(shù)據(jù)。另外，第一IEC-MIMO模型582a可以包括與第一IEC蝕刻工序、第一圖案化晶圓501a和/或第二圖案化晶圓502a相關(guān)聯(lián)的第一MV處理數(shù)據(jù)、第一DV處理數(shù)據(jù)以及第一CV處理數(shù)據(jù)。當(dāng)選擇的第一IEC蝕刻工序包括一個(gè)或更多個(gè)IEO蝕刻制程時(shí)，可以使用本文中圖2A至圖2G和圖3A至圖3G中所述的蝕刻子系統(tǒng)中的一個(gè)或更多個(gè)來執(zhí)行該IEO蝕刻制程。在一些實(shí)例中，可以使用第一IEC蝕刻工序?qū)ζ渖暇哂卸鄠€(gè)第一特征堆疊505a的第一圖案化晶圓501a進(jìn)行蝕刻，以形成其上具有多個(gè)第二特征堆疊506a的第二圖案化晶圓502a。可替代地，可以形成其他圖案化晶圓。在一些實(shí)施方式中，當(dāng)執(zhí)行第一IEO蝕刻制程時(shí)，第一圖案化晶圓501a可以位于晶圓保持器（圖2A至圖2G中所示的220）和/或晶圓保持器（圖3A至圖3G中所示的320）上，并且可以在IEC處理室（圖2A至圖2G中所示的210）和/或IEC處理室（圖3A至圖3G中所示的310）中形成第一IEO等離子體，并且可以執(zhí)行第一IEO蝕刻制程。在第一IEO蝕刻制程期間，可以使用一個(gè)或更多個(gè)IE傳感器（圖2A至圖2G中所示的223和/或234）和/或IE傳感器（圖3A至圖3G中所示的323和/或334）來收集第一IEO蝕刻傳感器數(shù)據(jù)，并且控制器（圖2A至圖2G中所示的295）和/或控制器（圖3A至圖3G中所示的395）可以將第一IEO蝕刻傳感器數(shù)據(jù)與歷史IE傳感器數(shù)據(jù)進(jìn)行比較，可以存儲(chǔ)第一IEO蝕刻傳感器數(shù)據(jù)。例如，可以在第一IEO蝕刻制程期間使用處理傳感器（圖2A至圖2G中所示的236）和/或處理傳感器（圖3A至圖3G中所示的336）來收集第一處理數(shù)據(jù)。另外，用于第一IEO蝕刻制程的配方可以依賴于用于軟掩模特征551的輪廓數(shù)據(jù)和SWA數(shù)據(jù)和/或用于蝕刻的GWC特征541的輪廓數(shù)據(jù)。當(dāng)選擇的第一IEC蝕刻工序包括附加的第一IE相關(guān)制程時(shí)，可以使用圖1所示的子系統(tǒng)（110、120、130、140、150、160以及170）中的一個(gè)或更多個(gè)來執(zhí)行附加的第一IE相關(guān)制程。在一些實(shí)施方式中，第一IEC蝕刻工序可以包括用于第一硬掩模層的第一IEO蝕刻制程、用于FWC層的第二IEO蝕刻制程以及用于第二硬掩模層的第三IEO蝕刻制程。例如，第一IEO蝕刻制程可以包括Si-ARC層蝕刻制程，第二IEO蝕刻制程可以包括寬度層蝕刻制程，并且第三IEO蝕刻制程可以包括TEOS層蝕刻制程。在一些實(shí)例中，第一IEC蝕刻工序也可以包括灰化制程、清洗制程和/或CMP制程。在其他實(shí)施例中，第一IEC蝕刻制程可以包括IE相關(guān)計(jì)量制程、IE傳感器晶圓測量制程和/或IE相關(guān)檢查制程。在圖5A’中，包括第二特征堆疊506a的第二圖案化晶圓502a示出為 包括襯底層510a、目標(biāo)層520a、第三硬掩模層530a以及蝕刻的第二硬掩模層540aa。例如，襯底層510a可以包括半導(dǎo)體材料；目標(biāo)層520a可以包括介電或金屬材料；第三硬掩模層530a可以包括TiN；蝕刻的第二硬掩模層540aa可以包括蝕刻的TEOS材料。蝕刻的第二硬掩模層540aa可以包括多個(gè)蝕刻的第二硬掩模特征545a，并且蝕刻的第二硬掩模特征545a可以具有特征寬度546a、特征厚度547a以及SWA548a。例如，特征寬度546a可以從約10nm至約200nm變化，特征厚度547a可以從約20nm至約4000nm變化，并且SWA548a可以從約87度至約95度變化。在第一IEO蝕刻制程期間，第一圖案化晶圓501a上的軟掩模特征575a的圖案可以用于在第二圖案化晶圓502a上形成蝕刻的第二硬掩模特征545a的圖案。在圖5A中，示出了第二IE選擇MIMO模型583a，并且可以使用第二IE選擇MIMO模型583a來選擇第二IEC蝕刻工序，以及第二IE選擇MIMO模型583a可以使用傳送裝置590創(chuàng)建并交換第二選擇MV數(shù)據(jù)，可以使用傳送裝置591創(chuàng)建并交換第二選擇DV數(shù)據(jù)，并且可以使用傳送裝置592創(chuàng)建并交換第二選擇CV數(shù)據(jù)。例如，第二IE選擇MIMO模型583a可以創(chuàng)建和/或使用與第一和/或第二IEC蝕刻工序相關(guān)聯(lián)的第二IE相關(guān)數(shù)據(jù)，并且可以使用傳送裝置（590、591和/或592）對第二IE相關(guān)數(shù)據(jù)進(jìn)行前饋和/或反饋。當(dāng)執(zhí)行第二IE選擇MIMO模型583a時(shí)，可以使用控制器（圖2A至圖2G中所示的295）和/或控制器（圖3A至圖3G中所示的395）來選擇第二IEC蝕刻工序。在一些實(shí)例中，控制器（295和/或395）可以使用用于第一圖案化晶圓501a、第二圖案化晶圓502a和/或第三圖案化晶圓503a的第二IE相關(guān)庫數(shù)據(jù)。當(dāng)在第一圖案化晶圓501a上形成第一特征堆疊505a時(shí)，用于第一圖案化晶圓501a的第二IE相關(guān)庫數(shù)據(jù)可以包括使用一個(gè)或更多個(gè)IE傳感器（圖2A至圖2G中所示的223和/或234）和/或IE傳感器（圖3A至圖3G中所示的323和/或334）收集的歷史IE相關(guān)蝕刻工序數(shù)據(jù)。當(dāng)在預(yù)先形成的第二圖案化晶圓502a上預(yù)先形成第二特征堆疊506a時(shí)，用于第二圖案化晶圓502a的第二IE相關(guān)庫數(shù)據(jù)可以包括使用一個(gè)或更多個(gè)IE傳感器（圖2A至圖2G中所示的223和/或234）和/或IE傳感器（圖3A至圖3G中所示的323和/或334）收集的第二歷史IE相關(guān)蝕刻工序數(shù)據(jù)。當(dāng)在預(yù)先形成的第三圖案化晶圓503a上預(yù)先形 成第三特征堆疊507a時(shí)，用于第三圖案化晶圓503a的第二IE相關(guān)庫數(shù)據(jù)可以包括使用一個(gè)或更多個(gè)IE傳感器（圖2A至圖2G中所示的223和/或234）和/或IE傳感器（圖3A至圖3G中所示的323和/或334）收集的第三歷史IE相關(guān)蝕刻工序數(shù)據(jù)。在圖5A中，示出了第二IEC-MIMO模型584a，并且當(dāng)執(zhí)行第二IEC-MIMO模型584a時(shí)，可以使用一個(gè)或更多個(gè)第二IEO蝕刻制程執(zhí)行選擇的第二IEC蝕刻工序。當(dāng)執(zhí)行第二IEO蝕刻工序時(shí)，可以使用第二IEC蝕刻工序確定中一組或更多組第二處理參數(shù)。例如，第二IEC-MIMO模型584a與其他MIMO模型（581a、582a、583a以及585a）之間可以使用傳送裝置590創(chuàng)建并交換第二IEC蝕刻MV數(shù)據(jù)，可以使用傳送裝置591創(chuàng)建并交換第二IEC蝕刻DV數(shù)據(jù)，并且可以使用傳送裝置592創(chuàng)建并交換第二IEC蝕刻CV數(shù)據(jù)。另外，第二IEC-MIMO模型584a可以創(chuàng)建和/或使用與第一和/或第二IEC蝕刻工序相關(guān)聯(lián)的IE傳感器數(shù)據(jù)和/或第二處理數(shù)據(jù)，并且可以使用傳送裝置（590、591和/或592）對第二處理數(shù)據(jù)和/或IE傳感器數(shù)據(jù)進(jìn)行前饋和/或反饋。當(dāng)選擇的第二IEC蝕刻工序包括一個(gè)或更多個(gè)第二IEO蝕刻制程時(shí)，第二IEO蝕刻制程可以使用本文中圖2A至圖2G和圖3A至圖3G中所述的蝕刻子系統(tǒng)中的一個(gè)或更多個(gè)來執(zhí)行。在一些實(shí)例中，可以使用第二IEC蝕刻工序?qū)ζ渖暇哂卸鄠€(gè)第二特征堆疊506a的第二圖案化晶圓502a進(jìn)行蝕刻，以形成其上具有多個(gè)第三特征堆疊507a的第三圖案化晶圓503a?？商娲兀梢孕纬善渌麍D案化晶圓。在圖5A’中，包括第三特征堆疊507a的第三圖案化晶圓503a示出為包括襯底層510a、目標(biāo)層520a以及具有多個(gè)蝕刻的第三硬掩模特征535a的蝕刻的第三硬掩模層530aa。例如，襯底層510a可以包括半導(dǎo)體材料；目標(biāo)層520a可以包括HfO2；蝕刻的第三硬掩模層530aa可以包括TiN材料。在第二IEC蝕刻工序期間，第二圖案化晶圓502a上的蝕刻的第二硬掩模特征545a的圖案可以用于在第三圖案化晶圓503a上形成蝕刻的第三硬掩模特征535a的圖案。蝕刻的第三硬掩模層530aa可以包括多個(gè)蝕刻的第三硬掩模特征535a，并且蝕刻的第三硬掩模特征535a可以具有特征寬度536a，特征厚度537a以及SWA538a。例如，蝕刻的第二硬掩模特征寬度536a可以從約10nm至約200nm變化，特征厚度537a可以從約20nm至約400nm變化，并且SWA538a可以從約87度至約95度變化。在一些實(shí)施方式中，當(dāng)執(zhí)行第二IEO蝕刻制程時(shí)，第二圖案化晶圓502a可以位于晶圓保持器（圖2A至圖2G中所示的220）和/或晶圓保持器（圖3A至圖3G中所示的320）上，并且可以在IEC處理室（圖2A至圖2G中所示的210）和/或IEC處理室（圖3A至圖3G中所示的310）中形成第二IEO等離子體，并且可以執(zhí)行第二IEO蝕刻制程。在第二IEO蝕刻制程期間，可以使用一個(gè)或更多個(gè)IE傳感器（圖2A至圖2G中所示的223和/或234）和/或IE傳感器（圖3A至圖3G中所示的323和/或334）來收集第二IE蝕刻傳感器數(shù)據(jù)，并且控制器（圖2A至圖2G中所示的295）和/或控制器（圖3A至圖3G中所示的395）可以將第二IE蝕刻傳感器數(shù)據(jù)與歷史IE傳感器數(shù)據(jù)進(jìn)行比較，可以存儲(chǔ)第二IE蝕刻傳感器數(shù)據(jù)。例如，可以在第二IE相關(guān)蝕刻制程期間使用處理傳感器（圖2A至圖2G中所示的236）和/或處理傳感器（圖3A至圖3G中所示的336）來收集第二處理數(shù)據(jù)。另外，用于第二IEO蝕刻制程的配方可以依賴于用于軟掩模特征575a的處理參數(shù)和/或輪廓數(shù)據(jù)。當(dāng)選擇的第二IEC蝕刻工序包括附加的第二IE相關(guān)制程時(shí)，可以使用圖1中所示的子系統(tǒng)（110、120、130、140、150、160以及170）中的一個(gè)或更多個(gè)來執(zhí)行附加的第二IE相關(guān)制程。在一些實(shí)施方式中，第二IEC蝕刻工序可以包括第三硬掩模層蝕刻制程。例如，第二IEC蝕刻工序可以包括TiN層蝕刻制程。在一些實(shí)施例中，第二IEC蝕刻工序也可以包括灰化制程、清洗制程和/或CMP制程。在其他實(shí)例中，第二IEC蝕刻工序可以包括IE相關(guān)計(jì)量制程和/或IE相關(guān)檢查制程。在圖5A中，示出了第一輸出數(shù)據(jù)模型585a，并且當(dāng)執(zhí)行第一輸出數(shù)據(jù)模型585a時(shí)，可以對第一組輸出數(shù)據(jù)進(jìn)行分析。第一輸出數(shù)據(jù)可以包括實(shí)時(shí)和/或歷史IE相關(guān)數(shù)據(jù)。例如，第一輸出數(shù)據(jù)模型585a與其他MIMO模型（580a、581a、582a、583a以及584a）之間可以使用傳送裝置590創(chuàng)建并交換第三IEC蝕刻MV數(shù)據(jù)，可以使用傳送裝置591創(chuàng)建并交換第三IEC蝕刻DV數(shù)據(jù)，并且可以使用傳送裝置592創(chuàng)建并交換第三IEC蝕刻CV數(shù)據(jù)。另外，第一輸出數(shù)據(jù)模型585a可以分析與第一和/或第二IEC蝕刻工序相關(guān)聯(lián)的IE傳感器數(shù)據(jù)和/或處理數(shù)據(jù)，并且可以使用傳送裝置（590、591和/或592）對所分析的處理數(shù)據(jù)和/或所分析的IE傳感器數(shù)據(jù)進(jìn)行前饋和/或反饋。當(dāng)執(zhí)行第一輸出數(shù)據(jù)模型585a時(shí)，可以執(zhí)行更新制程用于第一和/ 或第二IEC蝕刻工序。例如，可以執(zhí)行更新制程來更新第一和/或第二處理參數(shù)、IE數(shù)據(jù)以及處理數(shù)據(jù)。另外，可以執(zhí)行更新制程來更新第一和/或第二IE相關(guān)庫數(shù)據(jù)。第一輸出數(shù)據(jù)模型585a與其他MIMO模型（580a、581a、582a、583a以及584a）之間可以使用傳送裝置590交換更新IE蝕刻MV數(shù)據(jù)，可以使用傳送裝置591交換更新IE蝕刻DV數(shù)據(jù)，并且可以使用傳送裝置592交換更新IE蝕刻CV數(shù)據(jù)。在工藝開發(fā)期間，DOE技術(shù)可以用于檢查基本組模型（580a至585a）并且用于開發(fā)簡化組MIMO模型。在一些實(shí)施方式中，第二IE蝕刻工序可以包括一個(gè)或更多個(gè)IEO蝕刻制程，IEO蝕刻制程可以包括“穿透（breakthrough）（BT）”蝕刻制程、主蝕刻（ME）蝕刻制程、過蝕刻（OE）蝕刻制程以及氮化鈦（TiN）蝕刻制程?？商娲兀梢允褂闷渌g刻、灰化或清潔制程。圖5B和圖5B’示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的用于形成第一雙圖案化特征的第二IE相關(guān)處理工序的示例圖。在示出的實(shí)施方式中，三個(gè)示例性圖案化晶圓（501b至503b）被示出為其上具有示例性特征堆疊（505b至507b），但這不是本發(fā)明所必需的?？商娲?，可以使用不同數(shù)量的具有不同構(gòu)造的圖案化晶圓。在一些實(shí)施方式中，可以使用第一組IEC蝕刻制程來形成三個(gè)示例性圖案化晶圓（501b、502b以及503b）以及相關(guān)聯(lián)的多層特征堆疊（505b、506b以及507b），第一組IEC蝕刻制程可以使用本文中在圖2A至圖2G以及圖3A至圖3G所描述的蝕刻子系統(tǒng)中的一個(gè)或更多個(gè)來執(zhí)行。可替代地，可以使用其他蝕刻子系統(tǒng)和/或蝕刻制程。在圖5B中，示出了第一輸入數(shù)據(jù)模型580b，并且當(dāng)執(zhí)行第一輸入數(shù)據(jù)模型580b時(shí)，可以得到第一組輸入數(shù)據(jù)。第一輸入數(shù)據(jù)可以包括實(shí)時(shí)和/或歷史IE相關(guān)數(shù)據(jù)。在圖5B中，示出了第一IE選擇MIMO模型581b，并且可以使用第一IE選擇MIMO模型581b選擇第一IEC蝕刻工序，并且第一IE選擇MIMO模型581b可以使用傳送裝置590交換測量變量（MV）數(shù)據(jù)，可以使用傳送裝置591交換干擾變量（DV）數(shù)據(jù)，并且可以使用傳送裝置592交換控制變量（CV）數(shù)據(jù)。例如，第一IE選擇MIMO模型581b可以創(chuàng)建和/或使用與第一IEC蝕刻工序相關(guān)聯(lián)的第一IE相關(guān)數(shù)據(jù)，并且可以使用傳送裝置（590、591和/或592）對第一IE相關(guān)數(shù)據(jù)進(jìn)行前饋和/或反饋。當(dāng)執(zhí)行第一IE選擇MIMO模型581b時(shí)，可以使用控制器（圖2A至圖2G所示的295）和/或控制器（圖3A至圖3G所示的395）選擇第一IEC蝕刻工序。在一些實(shí)例中，控制器（295和/或395）可以使用第一IE相關(guān)庫數(shù)據(jù)用于第一圖案化晶圓501b和/或第二圖案化晶圓502b。當(dāng)在第一圖案化晶圓501b上形成第一特征堆疊505b時(shí)，用于第一圖案化晶圓501b的第一IE相關(guān)庫數(shù)據(jù)可以包括使用一個(gè)或更多個(gè)IE傳感器（圖2A至圖2G所示的223和/或234）和/或IE傳感器（圖3A至圖3G所示的323和/或334）收集的歷史IEC蝕刻工序數(shù)據(jù)。當(dāng)在先前形成的第二圖案化晶圓502b上預(yù)先形成第二特征堆疊506b時(shí)，用于第二圖案化晶圓502b的第一IE相關(guān)庫數(shù)據(jù)可以包括使用一個(gè)或更多個(gè)IE傳感器（圖2A至圖2G所示的223和/或234）和/或IE傳感器（圖3A至圖3G所示的323和/或334）收集的第二歷史IEC蝕刻工序數(shù)據(jù)。在圖5B’中，包括第一特征堆疊505b的第一圖案化晶圓501b示出為包括襯底層510b、目標(biāo)層520b、第三硬掩模層530b、第二硬掩模層540b、特征寬度控制（FWC）層550b、第一硬掩模層560b以及圖案化軟掩模層570b。例如，襯底層510b可以包括半導(dǎo)體材料；目標(biāo)層520b可以包括介電或金屬材料；第三硬掩模層530b可以包括TiN；第二硬掩模層540b可以包括正硅酸乙酯（TEOS）[Si(OC2H5)4]；FWC層550b可以包括寬度控制材料；第一硬掩模層560b可以包括Si-ARC材料，并且軟掩模層570b可以包括輻射敏感材料，例如光刻膠。軟掩模層570b可以包括多個(gè)軟掩模特征575b，并且軟掩模特征575b可以具有特征寬度576b，特征厚度577b以及側(cè)壁角度（SWA）578b。例如，特征寬度576b可以從約10nm至約200nm變化，特征厚度577b可以從約20nm至約4000nm變化，并且SWA578b可以從約87度至約95度變化。在圖5B中，示出了第一IEC-MIMO模型582b，并且當(dāng)執(zhí)行第一IEC-MIMO模型582b時(shí)，可以使用IEO蝕刻制程中的一個(gè)或更多個(gè)來執(zhí)行選擇的第一IEC蝕刻工序。當(dāng)執(zhí)行IEO蝕刻制程時(shí)，可以使用第一IEC蝕刻工序來確定一組或更多組處理參數(shù)。例如，第一IEC-MIMO模型582b與其他MIMO模型（580b、581b、583b、584b以及585b）之間可以使用傳送裝置590創(chuàng)建并交換第一IEC蝕刻MV數(shù)據(jù)，可以使用傳送裝置591創(chuàng)建并交換第一IEC蝕刻DV數(shù)據(jù)，并且可以使用傳送裝置592創(chuàng)建并交換第一IEC蝕刻CV數(shù)據(jù)。另外，第一IEC-MIMO模型582b 可以包括與第一IEC蝕刻工序、第一圖案化晶圓501b和/或第二圖案化晶圓502b相關(guān)聯(lián)的第一MV處理數(shù)據(jù)、第一DV處理數(shù)據(jù)以及第一CV處理數(shù)據(jù)。當(dāng)選擇的第一IEC蝕刻工序包括一個(gè)或更多個(gè)IEO蝕刻制程時(shí)，可以使用本文中圖2A至圖2G和圖3A至圖3G中所述的蝕刻子系統(tǒng)中的一個(gè)或更多個(gè)來執(zhí)行該IEO蝕刻制程。在一些實(shí)例中，可以使用第一IEC蝕刻工序?qū)ζ渖暇哂卸鄠€(gè)第一特征堆疊505b的第一圖案化晶圓501b進(jìn)行蝕刻，以形成其上具有多個(gè)第二特征堆疊506b的第二圖案化晶圓502b。可替代地，可以形成其他圖案化晶圓。在一些實(shí)施方式中，當(dāng)執(zhí)行第一IEO蝕刻制程時(shí)，第一圖案化晶圓501b可以位于晶圓保持器（圖2A至圖2G中所示的220）和/或晶圓保持器（圖3A至圖3G中所示的320）上，并且可以在IEC處理室（圖2A至圖2G中所示的210）和/或IEC處理室（圖3A至圖3G中所示的310）中形成第一IEO等離子體，并且可以執(zhí)行第一IEO蝕刻制程。在第一IEO蝕刻制程期間，可以使用一個(gè)或更多個(gè)IE傳感器（圖2A至圖2G中所示的223和/或234）和/或IE傳感器（圖3A至圖3G中所示的323和/或334）來收集第一IEO蝕刻傳感器數(shù)據(jù)，并且控制器（圖2A至圖2G中所示的295）和/或控制器（圖3A至圖3G中所示的395）可以將第一IEO蝕刻傳感器數(shù)據(jù)與歷史IE傳感器數(shù)據(jù)進(jìn)行比較，可以存儲(chǔ)第一IEO蝕刻傳感器數(shù)據(jù)。例如，可以在第一IEO蝕刻制程期間使用處理傳感器（圖2A至圖2G中所示的236）和/或處理傳感器（圖3A至圖3G中所示的336）來收集第一處理數(shù)據(jù)。另外，用于第一IEO蝕刻制程的配方可以依賴于用于軟掩模特征551的輪廓數(shù)據(jù)以及SWA數(shù)據(jù)和/或用于蝕刻的GWC特征541的輪廓數(shù)據(jù)。當(dāng)選擇的第一IEC蝕刻工序包括附加的第一IE相關(guān)制程時(shí)，可以使用圖1中所示的子系統(tǒng)（110、120、130、140、150、160以及170）中的一個(gè)或更多個(gè)來執(zhí)行附加的第一IE相關(guān)制程。在一些實(shí)施方式中，第一IEC蝕刻工序可以包括用于第一硬掩模層的第一IEO蝕刻制程、用于FWC層的第二IEO蝕刻制程以及用于第二硬掩模層的第三IEO蝕刻制程。例如，第一IEO蝕刻制程可以包括Si-ARC層蝕刻制程，第二IEO蝕刻制程可以包括寬度層蝕刻制程，并且第三IEO蝕刻制程可以包括TEOS層蝕刻制程。在一些實(shí)施例中，第一IEC蝕刻工序也可以包括灰化制程、清洗制程和/或CMP制程。在其他實(shí)施例中， 第一IEC蝕刻工序可以包括IE相關(guān)計(jì)量制程、IE傳感器晶圓測量制程和/或IE相關(guān)檢查制程。在圖5B’中，包括第二特征堆疊506b的第二圖案化晶圓502b示出為包括襯底層510b、目標(biāo)層520b、第三硬掩模層530b以及蝕刻的第二硬掩模層540ba。例如，襯底層510b可以包括半導(dǎo)體材料；目標(biāo)層520b可以包括介電或金屬材料；第三硬掩模層530b可以包括TiN；蝕刻的第二硬掩模層540ba可以包括蝕刻的TEOS材料。蝕刻的第二硬掩模層540ba可以包括多個(gè)蝕刻的第二硬掩模特征545b，并且蝕刻的第二硬掩模特征545b可以具有特征寬度546b，特征厚度547b以及SWA548b。例如，特征寬度546b可以從約10nm至約200nm變化，特征厚度547b可以從約20nm至約4000nm變化，并且SWA548b可以從約87度至約95度變化。在第一IEO蝕刻制程期間，第一圖案化晶圓501b上的軟掩模特征575b的圖案可以用于在第二圖案化晶圓502b上形成蝕刻的第二硬掩模特征545b的圖案。在圖5B中，示出了第二IE選擇MIMO模型583b，可以使用第二IE選擇MIMO模型583b來選擇第二IEC蝕刻工序，并且第二IE選擇MIMO模型583b可以使用傳送裝置590創(chuàng)建并交換第二選擇MV數(shù)據(jù)，可以使用傳送裝置591創(chuàng)建并交換第二選擇DV數(shù)據(jù)，并且可以使用傳送裝置592創(chuàng)建并交換第二選擇CV數(shù)據(jù)。例如，第二IE選擇MIMO模型583b可以創(chuàng)建和/或使用與第一和/或第二IEC蝕刻工序相關(guān)聯(lián)的第二IE相關(guān)數(shù)據(jù)，并且可以使用傳送裝置（590、591和/或592）對第二IE相關(guān)數(shù)據(jù)進(jìn)行前饋和/或反饋。當(dāng)執(zhí)行第二IE選擇MIMO模型583b時(shí)，可以使用控制器（圖2A至圖2G中所示的295）和/或控制器（圖3A至圖3G中所示的395）來選擇第二IEC蝕刻工序。在一些實(shí)例中，控制器（295和/或395）可以使用第二IE相關(guān)庫數(shù)據(jù)，用于第一圖案化晶圓501b、第二圖案化晶圓502b和/或第三圖案化晶圓503a。當(dāng)在第一圖案化晶圓501b上形成第一特征堆疊505b時(shí)，用于第一圖案化晶圓501b的第二IE相關(guān)庫數(shù)據(jù)可以包括使用一個(gè)或更多個(gè)IE傳感器（圖2A至圖2G中所示的223和/或234）和/或IE傳感器（圖3A至圖3G中所示的323和/或334）收集的歷史IE相關(guān)蝕刻工序數(shù)據(jù)。當(dāng)在預(yù)先形成的第二圖案化晶圓502b上預(yù)先形成第二特征堆疊506b時(shí)，用于第二圖案化晶圓502b的第二IE相關(guān)庫數(shù)據(jù)可以 包括使用一個(gè)或更多個(gè)IE傳感器（圖2A至圖2G中所示的223和/或234）和/或IE傳感器（圖3A至圖3G中所示的323和/或334）收集的第二歷史IE相關(guān)蝕刻工序數(shù)據(jù)。當(dāng)在預(yù)先形成的第三圖案化晶圓503a上預(yù)先形成第三特征堆疊507b時(shí)，用于第三圖案化晶圓503a的第二IE相關(guān)庫數(shù)據(jù)可以包括使用一個(gè)或更多個(gè)IE傳感器（圖2A至圖2G中所示的223和/或234）和/或IE傳感器（圖3A至圖3G中所示的323和/或334）收集的第三歷史IE相關(guān)蝕刻工序數(shù)據(jù)。在圖5B中，示出了第二IEC-MIMO模型584b，并且當(dāng)執(zhí)行第二IEC-MIMO模型584b時(shí)，可以使用一個(gè)或更多個(gè)第二IEO蝕刻制程執(zhí)行選擇的第二IEC蝕刻工序。當(dāng)執(zhí)行第二IEO蝕刻工序時(shí)，可以使用第二IEC蝕刻工序確定一組或更多組第二處理參數(shù)。例如，第二IEC-MIMO模型584b與其他MIMO模型（581b、582b、583b以及585b）之間可以使用傳送裝置590創(chuàng)建并交換第二IEC蝕刻MV數(shù)據(jù)，可以使用傳送裝置591創(chuàng)建并交換第二IEC蝕刻DV數(shù)據(jù)，并且可以使用傳送裝置592創(chuàng)建并交換第二IEC蝕刻CV數(shù)據(jù)。另外，第二IEC-MIMO模型584b可以創(chuàng)建和/或使用與第一和/或第二IEC蝕刻工序相關(guān)聯(lián)的IE傳感器數(shù)據(jù)和/或第二處理數(shù)據(jù)，并且可以使用傳送裝置（590、591和/或592）對第二處理數(shù)據(jù)和/或IE傳感器數(shù)據(jù)進(jìn)行前饋和/或反饋。當(dāng)選擇的第二IEC蝕刻工序包括一個(gè)或更多個(gè)第二IEO蝕刻制程時(shí)，可以使用本文中圖2A至圖2G和圖3A至圖3G中所述的蝕刻子系統(tǒng)中的一個(gè)或更多個(gè)來執(zhí)行該第二IEO蝕刻制程。在一些實(shí)例中，可以使用第二IEC蝕刻工序?qū)ζ渖暇哂卸鄠€(gè)第二特征堆疊506b的第二圖案化晶圓502b進(jìn)行蝕刻，以形成其上具有多個(gè)第三特征堆疊507b的第三圖案化晶圓503a。可替代地，可以形成其他圖案化晶圓。在圖5B’中，包括第三特征堆疊507b的第三圖案化晶圓503a示出為包括襯底層510b、目標(biāo)層520b以及具有多個(gè)蝕刻的第三硬掩模特征535b的蝕刻的第三硬掩模層530ba。例如，襯底層510b可以包括半導(dǎo)體材料；目標(biāo)層520b可以包括HfO2；蝕刻的第三硬掩模層530ba可以包括蝕刻的TiN材料。在第二IEC蝕刻工序期間，第二圖案化晶圓502b上的蝕刻的第二硬掩模特征545b的圖案可以用于在第三圖案化晶圓503a上形成蝕刻的第三硬掩模特征535b的圖案。蝕刻的第三硬掩模層530ba可以包括多個(gè)蝕刻的第三硬掩模特征535b，并且蝕刻的第三硬掩模特征535b可以具有特征寬度536b，特征厚 度537b以及SWA538b。例如，蝕刻的第二硬掩模特征寬度536b可以從約10nm至約200nm變化，特征厚度537b可以從約20nm至約400nm變化，并且SWA538b可以從約87度至約95度變化。蝕刻的第三硬掩模層530ba可以包括多個(gè)先前蝕刻的第三硬掩模特征535a，并且先前蝕刻的第三硬掩模特征535a可以具有特征寬度536a，特征厚度537a以及特征SWA538a。例如，先前蝕刻的第三硬掩模特征寬度536a可以從約10nm至約200nm變化，特征厚度537a可以從約20nm至約400nm變化，并且特征SWA538a可以從約87度至約95度變化。此外，可以在先前蝕刻的第三硬掩模特征535a與蝕刻的第三硬掩模特征535b之間建立第一間隔距離539b，并且第一間隔距離539b可以從約10nm至200nm變化。在一些實(shí)施方式中，當(dāng)執(zhí)行第二IEO蝕刻制程時(shí)，第二圖案化晶圓502b可以位于晶圓保持器（圖2A至圖2G中所示的220）和/或晶圓保持器（圖3A至圖3G中所示的320）上，并且可以在IEC處理室（圖2A至圖2G中所示的210）和/或IEC處理室（圖3A至圖3G中所示的310）中形成第二IEO等離子體，并且可以執(zhí)行第二IEO蝕刻制程。在第二IEO蝕刻制程期間，可以使用一個(gè)或更多個(gè)IE傳感器（圖2A至圖2G中所示的223和/或234）和/或IE傳感器（圖3A至圖3G中所示的323和/或334）來收集第二IE蝕刻傳感器數(shù)據(jù)，并且控制器（圖2A至圖2G中所示的295）和/或控制器（圖3A至圖3G中所示的395）可以將第二IE蝕刻傳感器數(shù)據(jù)與歷史IE傳感器數(shù)據(jù)進(jìn)行比較，可以存儲(chǔ)第二IE蝕刻傳感器數(shù)據(jù)。例如，可以在第二IE相關(guān)蝕刻制程期間，使用處理傳感器（圖2A至圖2G中所示的236）和/或處理傳感器（圖3A至圖3G中所示的336）來收集第二處理數(shù)據(jù)。另外，用于第二IEO蝕刻制程的配方可以依賴于用于軟掩模特征575b的處理參數(shù)和/或輪廓數(shù)據(jù)。當(dāng)選擇的第二IEC蝕刻工序包括附加的第二IE相關(guān)制程時(shí)，可以使用圖1中所示的子系統(tǒng)（110、120、130、140、150、160以及170）中的一個(gè)或更多個(gè)來執(zhí)行附加的第二IE相關(guān)制程。在一些實(shí)施方式中，第二IEC蝕刻工序可以包括第三硬掩模層蝕刻制程。例如，第二IEC蝕刻工序可以包括TiN層蝕刻制程。在一些實(shí)施例中，第二IEC蝕刻工序也可以包括灰化制程、清洗制程和/或CMP制程。在其他實(shí)施例中，第二IEC蝕刻工序可以包括IE相關(guān)計(jì)量制程和/或IE相關(guān)檢查制程。在圖5B中，示出了第一輸出數(shù)據(jù)模型585b，并且當(dāng)執(zhí)行第一輸出數(shù)據(jù)模型585b時(shí)，可以對第一組輸出數(shù)據(jù)進(jìn)行分析。第一輸出數(shù)據(jù)可以包括實(shí)時(shí)和/或歷史IE相關(guān)數(shù)據(jù)。例如，第一輸出數(shù)據(jù)模型585b與其他MIMO模型（580b、581b、582b、583b以及584b）之間可以使用傳送裝置590創(chuàng)建并交換第三IEC蝕刻MV數(shù)據(jù)，可以使用傳送裝置591創(chuàng)建并交換第三IEC蝕刻DV數(shù)據(jù)，并且可以使用傳送裝置592創(chuàng)建并交換第三IEC蝕刻CV數(shù)據(jù)。另外，第一輸出數(shù)據(jù)模型585b可以分析與第一和/或第二IEC蝕刻工序相關(guān)聯(lián)的IE傳感器數(shù)據(jù)和/或處理數(shù)據(jù)，并且可以使用傳送裝置（590、591和/或592）對所分析的處理數(shù)據(jù)和/或所分析的IE傳感器數(shù)據(jù)進(jìn)行前饋和/或反饋。當(dāng)執(zhí)行第一輸出數(shù)據(jù)模型585b時(shí)，可以執(zhí)行更新制程用于第一和/或第二IEC蝕刻工序。例如，可以執(zhí)行更新制程來更新第一和/或第二處理參數(shù)、IE數(shù)據(jù)以及處理數(shù)據(jù)。另外，可以執(zhí)行更新制程來更新第一和/或第二IE相關(guān)庫數(shù)據(jù)。第一輸出數(shù)據(jù)模型585b與其他MIMO模型（580b、581b、582b、583b以及584b）之間可以使用傳送裝置590交換更新的IE蝕刻MV數(shù)據(jù)，可以使用傳送裝置591交換更新的IE蝕刻DV數(shù)據(jù)，并且可以使用傳送裝置592交換更新的IE蝕刻CV數(shù)據(jù)。在工藝開發(fā)期間，DOE技術(shù)可以用于檢查基本組模型（580b至585b）并且開發(fā)簡化組MIMO模型。在一些實(shí)施方式中，第二IE蝕刻工序可以包括一個(gè)或更多個(gè)IEO蝕刻制程，IEO蝕刻制程可以包括“穿透（BT）”蝕刻制程、主蝕刻（ME）蝕刻制程、過蝕刻（OE）蝕刻制程以及氮化鈦（TiN）蝕刻制程?？商娲兀梢允褂闷渌g刻、灰化或清洗制程。圖6A和圖6A’示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的、用于形成第一雙圖案化柵結(jié)構(gòu)的第一IE相關(guān)處理工序的示例圖。在示出的實(shí)施方式中，三個(gè)示例性圖案化晶圓（501b至503b）被示出為其上具有示例性柵堆疊（605a至607a），但這不是本發(fā)明所必需的?？商娲?，可以使用不同數(shù)量的具有不同構(gòu)造的圖案化晶圓。在一些實(shí)施方式中，可以使用包括IEO蝕刻制程的第一組IEC蝕刻工序來形成三個(gè)示例性圖案化晶圓（601a、602a以及603a）以及相關(guān)聯(lián)的多層?xùn)哦询B（605a、606a以及607a），IEO蝕刻制程可以使用本文中在圖2B至圖2G以及圖3B至圖3G所描述的蝕刻子系統(tǒng)中的一個(gè)或更多個(gè)來執(zhí)行?？商娲兀梢允褂闷渌g刻子系統(tǒng)和/或蝕刻制程。在圖6A中，示出了第一輸入數(shù)據(jù)模型680a，并且當(dāng)執(zhí)行第一輸入數(shù)據(jù)模型680a時(shí)，可以得到第一組輸入數(shù)據(jù)。第一輸入數(shù)據(jù)可以包括實(shí)時(shí)和/或歷史IE相關(guān)數(shù)據(jù)。在圖6A中，示出了第一IE選擇MIMO模型681a，并且可以使用第一IE選擇MIMO模型681a選擇第一IEC蝕刻工序，并且第一IE選擇MIMO模型681a可以使用傳送裝置690交換測量變量（MV）數(shù)據(jù)，可以使用傳送裝置691交換干擾變量（DV）數(shù)據(jù)，并且可以使用傳送裝置692交換控制變量（CV）數(shù)據(jù)。例如，第一IE選擇MIMO模型681a可以創(chuàng)建和/或使用與第一IEC蝕刻工序相關(guān)聯(lián)的第一IE相關(guān)數(shù)據(jù)，并且可以使用傳送裝置（690、691和/或692）對第一IE相關(guān)數(shù)據(jù)進(jìn)行前饋和/或反饋。當(dāng)執(zhí)行第一IE選擇MIMO模型681a時(shí)，可以使用控制器（圖2A至圖2G所示的296）和/或控制器（圖3A至圖3G所示的395）選擇第一IEC蝕刻工序。在一些實(shí)例中，控制器（295和/或395）可以使用第一IE相關(guān)庫數(shù)據(jù)，用于第一圖案化晶圓601a和/或第二圖案化晶圓602a。當(dāng)在第一圖案化晶圓601a上形成第一柵堆疊605a時(shí)，用于第一圖案化晶圓601a的第一IE相關(guān)庫數(shù)據(jù)可以包括使用一個(gè)或更多個(gè)IE傳感器（圖2A至圖2G所示的223和/或234）和/或IE傳感器（圖3A至圖3G所示的323和/或334）收集的歷史IEC蝕刻工序數(shù)據(jù)。當(dāng)在預(yù)先形成的第二圖案化晶圓602a上預(yù)先形成第二柵堆疊606a時(shí)，用于第二圖案化晶圓602a的第一IE相關(guān)庫數(shù)據(jù)可以包括使用一個(gè)或更多個(gè)IE傳感器（圖2A至圖2G所示的223和/或234）和/或IE傳感器（圖3A至圖3G所示的323和/或334）收集的第二歷史IEC蝕刻工序數(shù)據(jù)。在圖6A’中，包括第一柵堆疊605a的第一圖案化晶圓601a示出為包括襯底層610a、目標(biāo)層620a、第三硬掩模層630a、第二硬掩模層640a、柵寬度控制（GWC）層650a、第一硬掩模層660a以及圖案化軟掩模層670a。例如，襯底層610a可以包括半導(dǎo)體材料；目標(biāo)層620a可以包括介電或金屬材料；第三硬掩模層630a可以包括TiN；第二硬掩模層640a可以包括正硅酸乙酯（TEOS）[Si(OC2H5)4]；GWC層650a可以包括寬度控制材料；第一硬掩模層660a可以包括Si-ARC材料，并且軟掩模層670a可以包括輻射敏感材料例如光刻膠。軟掩模層670a可以包括多個(gè)軟掩模特征675a，并且軟掩模特征675a可以具有特征寬度676a、特征厚度677a以及側(cè)壁角度（SWA）678a。例 如，特征寬度676a可以從約10nm至約200nm變化，特征厚度677a可以從約20nm至約4000nm變化，并且SWA678a可以從約87度至約95度變化。在圖6A中，示出了第一IEC-MIMO模型682a，并且當(dāng)執(zhí)行第一IEC-MIMO模型682a時(shí)，可以使用IEO蝕刻制程中的一個(gè)或更多個(gè)來執(zhí)行選擇的第一IEC蝕刻工序。當(dāng)執(zhí)行IEO蝕刻制程時(shí)，可以使用第一IEC蝕刻工序來確定一組或更多組處理參數(shù)。例如，第一IEC-MIMO模型682a與其他MIMO模型（681a、683a、684a以及685a）之間可以使用傳送裝置690創(chuàng)建并交換第一IEC蝕刻MV數(shù)據(jù)，可以使用傳送裝置691創(chuàng)建并交換第一IEC蝕刻DV數(shù)據(jù)，并且可以使用傳送裝置692創(chuàng)建并交換第一IEC蝕刻CV數(shù)據(jù)。另外，第一IEC-MIMO模型682a可以包括與第一IEC蝕刻工序、第一圖案化晶圓601a和/或第二圖案化晶圓602a相關(guān)聯(lián)的第一MV處理數(shù)據(jù)、第一DV處理數(shù)據(jù)以及第一CV處理數(shù)據(jù)。當(dāng)選擇的第一IEC蝕刻工序包括一個(gè)或更多個(gè)IEO蝕刻制程時(shí)，可以使用本文中圖2A至圖2G和圖3A至圖3G中所述的蝕刻子系統(tǒng)中的一個(gè)或更多個(gè)來執(zhí)行IEO蝕刻制程。在一些實(shí)例中，可以使用第一IEC蝕刻工序?qū)ζ渖暇哂卸鄠€(gè)第一柵堆疊605a的第一圖案化晶圓601a進(jìn)行蝕刻，以形成其上具有多個(gè)第二柵堆疊606a的第二圖案化晶圓602a?？商娲?，可以形成其他圖案化晶圓。在一些實(shí)施方式中，當(dāng)執(zhí)行第一IEO蝕刻制程時(shí)，第一圖案化晶圓601a可以位于晶圓保持器（圖2A至圖2G中所示的220）和/或晶圓保持器（圖3A至圖3G中所示的320）上，并且可以在IEC處理室（圖2A至圖2G中所示的210）和/或IEC處理室（圖3A至圖3G中所示的310）中形成第一IEO等離子體，并且可以執(zhí)行第一IEO蝕刻制程。在第一IEO蝕刻制程期間，可以使用一個(gè)或更多個(gè)IE傳感器（圖2A至圖2G中所示的223和/或234）和/或IE傳感器（圖3A至圖3G中所示的323和/或334）來收集第一IEO蝕刻傳感器數(shù)據(jù)，并且控制器（圖2A至圖2G中所示的295）和/或控制器（圖3A至圖3G中所示的395）可以將第一IEO蝕刻傳感器數(shù)據(jù)與歷史IE傳感器數(shù)據(jù)進(jìn)行比較，可以存儲(chǔ)第一IEO蝕刻傳感器數(shù)據(jù)。例如，可以在第一IEO蝕刻制程期間使用處理傳感器（圖2A至圖2G中所示的236）和/或處理傳感器（圖3A至圖3G中所示的336）來收集第一處理數(shù)據(jù)。另外，用于第一IEO蝕刻制 程的配方可以依賴于用于軟掩模特征651的輪廓數(shù)據(jù)以及SWA數(shù)據(jù)和/或用于蝕刻的GWC特征641的輪廓數(shù)據(jù)。當(dāng)選擇的第一IEC蝕刻工序包括附加的第一IE相關(guān)制程時(shí)，可以使用圖1中所示的子系統(tǒng)（110、120、130、140、150、160以及170）中的一個(gè)或更多個(gè)來執(zhí)行附加的第一IE相關(guān)制程。在一些實(shí)施方式中，第一IEC蝕刻工序可以包括用于第一硬掩模層的第一IEO蝕刻制程、用于GWC層的第二IEO蝕刻制程以及用于第二硬掩模層的第三IEO蝕刻制程。例如，第一IEO蝕刻制程可以包括SiARC層蝕刻制程，第二IEO蝕刻制程可以包括寬度層蝕刻制程，并且第三IEO蝕刻制程可以包括TEOS層蝕刻制程。在一些實(shí)例中，第一IEC蝕刻工序也可以包括灰化制程、清洗制程和/或CMP制程。在其他實(shí)施例中，第一IEC蝕刻工序可以包括IE相關(guān)計(jì)量制程、IE傳感器晶圓測量制程和/或IE相關(guān)檢查制程。在圖6A’中，包括第二柵堆疊606a的第二圖案化晶圓602a示出為包括襯底層610a、目標(biāo)層620a、第三硬掩模層630a以及蝕刻的第二硬掩模層640aa。例如，襯底層610a可以包括半導(dǎo)體材料；目標(biāo)層620a可以包括介電或金屬材料；第三硬掩模層630a可以包括TiN；蝕刻的第二硬掩模層640aa可以包括蝕刻的TEOS材料。蝕刻的第二硬掩模層640aa可以包括多個(gè)蝕刻的第二硬掩模特征645a，并且蝕刻的第二硬掩模特征645a可以具有特征寬度646a、特征厚度647a以及SWA648a。例如，特征寬度646a可以從約10nm至約200nm變化，特征厚度647a可以從約20nm至約4000nm變化，并且SWA648a可以從約87度至約95度變化。在第一IEO蝕刻制程期間，第一圖案化晶圓601a上的軟掩模特征675a的圖案可以用于在第二圖案化晶圓602a上形成蝕刻的第二硬掩模特征645a的圖案。在圖6A中，示出了第二IE選擇MIMO模型683a，可以使用第二IE選擇MIMO模型683a來選擇第二IEC蝕刻工序，并且第二IEC-MIMO模型683a可以使用傳送裝置690創(chuàng)建并交換第二選擇MV數(shù)據(jù)，可以使用傳送裝置691創(chuàng)建并交換第二選擇DV數(shù)據(jù)，并且可以使用傳送裝置692創(chuàng)建并交換第二選擇CV數(shù)據(jù)。例如，第二IE選擇MIMO模型683a可以創(chuàng)建和/或使用與第一和/或第二IEC蝕刻工序相關(guān)聯(lián)的第二IE相關(guān) 數(shù)據(jù)，并且可以使用傳送裝置（690、691和/或692）對第二IE相關(guān)數(shù)據(jù)進(jìn)行前饋和/或反饋。當(dāng)執(zhí)行第二IE選擇MIMO模型683a時(shí)，可以使用控制器（圖2A至圖2G中所示的295）和/或控制器（圖3A至圖3G中所示的395）來選擇第二IEC蝕刻工序。在一些實(shí)例中，控制器（295和/或395）可以使用第二IE相關(guān)庫數(shù)據(jù)，用于第一圖案化晶圓601a、第二圖案化晶圓602a和/或第三圖案化晶圓603a。當(dāng)在第一圖案化晶圓601a上形成第一柵堆疊605a時(shí)，用于第一圖案化晶圓601a的第二IE相關(guān)庫數(shù)據(jù)可以包括使用一個(gè)或更多個(gè)IE傳感器（圖2A至圖2G中所示的223和/或234）和/或IE傳感器（圖3A至圖3G中所示的323和/或334）所集的歷史IE相關(guān)蝕刻工序數(shù)據(jù)。當(dāng)在預(yù)先形成的第二圖案化晶圓602a上預(yù)先形成第二柵堆疊606a時(shí)，用于第二圖案化晶圓602a的第二IE相關(guān)庫數(shù)據(jù)可以包括使用一個(gè)或更多個(gè)IE傳感器（圖2A至圖2G中所示的223和/或234）和/或IE傳感器（圖3A至圖3G中所示的323和/或334）收集的第二歷史IE相關(guān)蝕刻工序數(shù)據(jù)。當(dāng)在預(yù)先形成的第三圖案化晶圓603a上預(yù)先形成第三柵堆疊607a時(shí)，用于第三圖案化晶圓603a的第二IE相關(guān)庫數(shù)據(jù)可以包括使用一個(gè)或更多個(gè)IE傳感器（圖2A至圖2G中所示的223和/或234）和/或IE傳感器（圖3A至圖3G中所示的323和/或334）收集的第三歷史IE相關(guān)蝕刻工序數(shù)據(jù)。在圖6A中，示出了第二IEC-MIMO模型684a，并且當(dāng)執(zhí)行第二IEC-MIMO模型684a時(shí)，可以使用一個(gè)或更多個(gè)第二IEO蝕刻工序執(zhí)行選擇的第二IEC蝕刻工序。當(dāng)執(zhí)行第二IEO蝕刻工序時(shí)，可以使用第二IEC蝕刻工序確定一組或更多組第二處理參數(shù)。例如，第二IEC-MIMO模型684a與其他MIMO模型（681a、682a、683a以及685a）之間可以使用傳送裝置690創(chuàng)建并交換第二IEC蝕刻MV數(shù)據(jù)，可以使用傳送裝置691創(chuàng)建并交換第二IEC蝕刻DV數(shù)據(jù)，并且可以使用傳送裝置692創(chuàng)建并交換第一IEC蝕刻CV數(shù)據(jù)。另外，第二IEC-MIMO模型684a可以創(chuàng)建和/或使用與第一和/或第二IEC蝕刻工序相關(guān)聯(lián)的IE傳感器數(shù)據(jù)和/或第二處理數(shù)據(jù)，并且可以使用傳送裝置（690、691和/或692）對第二處理數(shù)據(jù)和/或IE傳感器數(shù)據(jù)進(jìn)行前饋和/或反饋。當(dāng)選擇的第二IEC蝕刻工序包括一個(gè)或更多個(gè)第二IEO蝕刻制程時(shí)，第二IEO蝕刻制程可以使用本文中圖2A至圖2G和圖3A至圖3G中所述的蝕刻子系統(tǒng)中的一個(gè)或更多個(gè)來執(zhí)行。在一些實(shí)例中，可以使用 第二IEC蝕刻工序?qū)ζ渖暇哂卸鄠€(gè)第二柵堆疊606a的第二圖案化晶圓602a進(jìn)行蝕刻，以形成其上具有多個(gè)第三柵堆疊607a的第三圖案化晶圓603a?？商娲?，可以形成其他圖案化晶圓。在圖6A’中，包括第三柵堆疊607a的第三圖案化晶圓603a示出為包括：襯底層610a、蝕刻的目標(biāo)層620aa以及具有多個(gè)蝕刻的第三硬掩模結(jié)構(gòu)635a的蝕刻的第三硬掩模層630aa。例如，襯底層610a可以包括半導(dǎo)體材料；蝕刻的目標(biāo)層620aa可以包括蝕刻的HfO2材料；蝕刻的第三硬掩模層630aa可以包括蝕刻的TiN材料。在第二IEC蝕刻工序期間，第二圖案化晶圓602a上的蝕刻的第二硬掩模特征645a的圖案可以用于在第三圖案化晶圓603a上形成蝕刻的第三硬掩模結(jié)構(gòu)635a的圖案以及蝕刻的目標(biāo)層結(jié)構(gòu)625a的圖案。蝕刻的第三硬掩模層630aa可以包括多個(gè)蝕刻的第三硬掩模結(jié)構(gòu)635a，并且蝕刻的第三硬掩模結(jié)構(gòu)635a可以具有結(jié)構(gòu)寬度636a、結(jié)構(gòu)厚度637a以及結(jié)構(gòu)SWA638a。例如，蝕刻的第二硬掩模結(jié)構(gòu)寬度636a可以從約10nm至約200nm變化，并且結(jié)構(gòu)厚度637a可以從約20nm至約400nm變化，并且SWA638a可以從約87度至約95度變化。另外，蝕刻的目標(biāo)層620aa可以包括多個(gè)蝕刻的目標(biāo)層結(jié)構(gòu)625a，并且蝕刻的目標(biāo)層結(jié)構(gòu)625a可以具有目標(biāo)結(jié)構(gòu)寬度626a、目標(biāo)結(jié)構(gòu)厚度627a以及目標(biāo)結(jié)構(gòu)SWA628a。例如蝕刻的目標(biāo)結(jié)構(gòu)寬度可以從約10nm至約200nm變化，并且目標(biāo)結(jié)構(gòu)厚度627a可以從約20nm至約400nm變化，并且目標(biāo)結(jié)構(gòu)SWA628a可以從約87度至約95度變化。在一些實(shí)施方式中，當(dāng)執(zhí)行第二IEO蝕刻制程時(shí)，第二圖案化晶圓602a可以位于晶圓保持器（圖2A至圖2G中所示的220）和/或晶圓保持器（圖3A至圖3G中所示的320）上，并且可以在IEC處理室（圖2A至圖2G中所示的210）和/或IEC處理室（圖3A至圖3G中所示的310）中形成第二IEO等離子體，并且可以執(zhí)行第二IEO蝕刻制程。在第二IEO蝕刻制程期間，可以使用一個(gè)或更多個(gè)IE傳感器（圖2A至圖2G中所示的223和/或234）和/或IE傳感器（圖3A至圖3G中所示的323和/或334）來收集第二IE蝕刻傳感器數(shù)據(jù)，并且控制器（圖2A至圖2G中所示的295）和/或控制器（圖3A至圖3G中所示的395）可以將第二IE蝕刻傳感器數(shù)據(jù)與歷史IE傳感器數(shù)據(jù)進(jìn)行比較，可以存儲(chǔ)第二IE蝕刻傳感器數(shù)據(jù)。例如，可以在第二IE相關(guān)蝕刻制程期間使用處理傳感器（圖2A至圖2G中所示的236）和/或處理傳感器（圖3A至圖 3G中所示的336）來收集第二處理數(shù)據(jù)。另外，用于第二IEO蝕刻制程的配方可以依賴于用于軟掩模特征675a的處理參數(shù)和/或輪廓數(shù)據(jù)。當(dāng)選擇的第二IEC蝕刻工序包括附加的第二IE相關(guān)制程時(shí)，可以使用圖1所示的子系統(tǒng)（110、120、130、140、150、160以及170）中的一個(gè)或更多個(gè)來執(zhí)行附加的第二IE相關(guān)制程。在一些實(shí)施方式中，第二IEC蝕刻工序可以包括第三硬掩模層蝕刻制程。例如，第二IEC蝕刻工序可以包括TiN層蝕刻制程。在一些實(shí)例中，第二IEC蝕刻工序也可以包括灰化制程、清洗制程和/或CMP制程。在其他實(shí)施例中，第二IEC蝕刻工序可以包括IE相關(guān)計(jì)量制程和/或IE相關(guān)檢查制程。在圖6A中，示出了第一輸出數(shù)據(jù)模型685a，并且當(dāng)執(zhí)行第一輸出數(shù)據(jù)模型685a時(shí)，可以對第一組輸出數(shù)據(jù)進(jìn)行分析。第一輸出數(shù)據(jù)可以包括實(shí)時(shí)和/或歷史IE相關(guān)數(shù)據(jù)。例如，第一輸出數(shù)據(jù)模型685a與其他MIMO模型（680a、681a、682a、683a以及684a）之間可以使用傳送裝置690創(chuàng)建并交換第三IEC蝕刻MV數(shù)據(jù)，可以使用傳送裝置691創(chuàng)建并交換第三IEC蝕刻DV數(shù)據(jù)，并且可以使用傳送裝置692創(chuàng)建并交換第三IEC蝕刻CV數(shù)據(jù)。另外，第一輸出數(shù)據(jù)模型685a可以分析與第一和/或第二IEC蝕刻工序相關(guān)聯(lián)的處理數(shù)據(jù)和/或IE傳感器數(shù)據(jù)，并且可以使用傳送裝置（690、691和/或692）對所分析的處理數(shù)據(jù)和/或所分析的IE傳感器數(shù)據(jù)進(jìn)行前饋和/或反饋。當(dāng)執(zhí)行第一輸出數(shù)據(jù)模型685a時(shí)，可以執(zhí)行更新制程用于第一和/或第二IEC蝕刻工序。例如，可以執(zhí)行更新制程來更新第一和/或第二處理參數(shù)、IE數(shù)據(jù)以及處理數(shù)據(jù)。另外，可以執(zhí)行更新制程來更新第一和/或第二IE相關(guān)庫數(shù)據(jù)。第一輸出數(shù)據(jù)模型685a與其他MIMO模型（680a、681a、682a、683a以及684a）之間可以使用傳送裝置690交換更新IE蝕刻MV數(shù)據(jù)，可以使用傳送裝置691交換更新IE蝕刻DV數(shù)據(jù)，并且可以使用傳送裝置692交換更新IE蝕刻CV數(shù)據(jù)。在工藝開發(fā)期間，DOE技術(shù)可以用于檢查基本組模型（680a至685a）并且開發(fā)簡化組MIMO模型。在一些實(shí)施方式中，第二IE蝕刻工序可以包括一個(gè)或更多個(gè)IEO蝕刻制程，IEO蝕刻制程可以包括“穿透（BT）蝕刻制程、主蝕刻（ME）蝕刻制程、過蝕刻（OE）蝕刻制程以及氮化鈦（TiN）蝕刻制程?？商娲兀梢允褂闷渌g刻、灰化或清潔制程。圖6B和圖6B’示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的、用于形成第一雙圖案化結(jié)構(gòu)的第二IE相關(guān)處理工序的示例圖。在示出的實(shí)施方式中，三個(gè)示例性圖案化晶圓（501b至503b）被示出為其上具有示例性柵堆疊（605b至607b），但這不是本發(fā)明所必需的。可替代地，可以使用不同數(shù)量的具有不同構(gòu)造的圖案化晶圓。在一些實(shí)施方式中，可以使用第一組IEC蝕刻制程來形成三個(gè)示例性圖案化晶圓（601b、602b以及603b）以及相關(guān)聯(lián)的多層?xùn)哦询B（605b、606b以及607b），第一組IEC蝕刻制程可以使用本文中在圖2A至圖2G以及圖3A至圖3G所描述的蝕刻子系統(tǒng)中的一個(gè)或更多個(gè)來執(zhí)行?？商娲?，可以使用其他蝕刻子系統(tǒng)和/或蝕刻制程。在圖6B中，示出了第一輸入數(shù)據(jù)模型680b，并且當(dāng)執(zhí)行第一輸入數(shù)據(jù)模型680b時(shí)，可以得到第一組輸入數(shù)據(jù)。第一輸入數(shù)據(jù)可以包括實(shí)時(shí)和/或歷史IE相關(guān)數(shù)據(jù)。在圖6B中，示出了第一IE選擇MIMO模型681b，并且可以使用第一IE選擇MIMO模型681b選擇第一IEC蝕刻工序，并且第一IE選擇MIMO模型681b可以使用傳送裝置690交換測量變量（MV）數(shù)據(jù)，可以使用傳送裝置691交換干擾變量（DV）數(shù)據(jù)，并且可以使用傳送裝置692交換控制變量（CV）數(shù)據(jù)。例如，第一IE選擇MIMO模型681b可以創(chuàng)建和/或使用與第一IEC蝕刻工序相關(guān)聯(lián)的第一IE相關(guān)數(shù)據(jù)，并且可以使用傳送裝置（690、691和/或692）對第一IE相關(guān)數(shù)據(jù)進(jìn)行前饋和/或反饋。當(dāng)實(shí)行第一IE選擇MIMO模型681b時(shí)，可以使用控制器（圖2A至圖2G所示的295）和/或控制器（圖3A至圖3G所示的395）選擇第一IEC蝕刻工序。在一些實(shí)例中，控制器（295和/或395）可以使用第一IE相關(guān)庫數(shù)據(jù)，用于第一圖案化晶圓601b和/或第二圖案化晶圓602b。當(dāng)在第一圖案化晶圓601b上形成第一柵堆疊605b時(shí)，用于第一圖案化晶圓601b的第一IE相關(guān)庫數(shù)據(jù)可以包括使用一個(gè)或更多個(gè)IE傳感器（圖2A至圖2G所示的223和/或234）和/或IE傳感器（圖3A至圖3G所示的323和/或334）收集的歷史IEC蝕刻工序數(shù)據(jù)。當(dāng)在預(yù)先形成的第二圖案化晶圓602b上預(yù)先形成第二柵堆疊606b時(shí)，用于第二圖案化晶圓602b的第一IE相關(guān)庫數(shù)據(jù)可以包括使用一個(gè)或更多個(gè)IE傳感器（圖2A至圖2G所示的223和/或234）和/或IE傳感器（圖3A至圖3G所示的323和/或334）收集的第二歷史IEC蝕刻工序數(shù)據(jù)。在圖6B’中，包括第一柵堆疊605b的第一圖案化晶圓601b示出為包 括襯底層610b、目標(biāo)層620b、第三硬掩模層630b、第二硬掩模層640b、柵寬度控制（GWC）層650b、第一硬掩模層660b以及圖案化軟掩模層670b。例如，襯底層610b可以包括半導(dǎo)體材料；目標(biāo)層620b可以包括介電或金屬材料；第三硬掩模層630b可以包括TiN；第二硬掩模層640b可以包括TEOS材料；GWC層650b可以包括寬度控制材料；第一硬掩模層660b可以包括Si-ARC材料，并且軟掩模層670b可以包括輻射敏感材料，例如光刻膠。軟掩模層670b可以包括多個(gè)軟掩模特征675b，并且軟掩模特征675b可以具有特征寬度676b、特征厚度677b以及側(cè)壁角度（SWA）678b。例如，特征寬度676b可以從約10nm至約200nm變化，特征厚度677b可以從約20nm至約4000nm變化，并且SWA678b可以從約87度至約95度變化。在圖6B中，示出了第一IEC-MIMO模型682b，并且當(dāng)執(zhí)行第一IEC-MIMO模型682b時(shí)，可以使用IEO蝕刻制程中的一個(gè)或更多個(gè)來執(zhí)行選擇的第一IEC蝕刻工序。當(dāng)執(zhí)行IEO蝕刻制程時(shí)，可以使用第一IEC蝕刻工序來確定一組或更多組處理參數(shù)。例如，第一IEC-MIMO模型682b與其他MIMO模型（680b、681b、683b、684b以及685b）之間可以使用傳送裝置690創(chuàng)建并交換第一IEC蝕刻MV數(shù)據(jù)，可以使用傳送裝置691創(chuàng)建并交換第一IEC蝕刻DV數(shù)據(jù)，并且可以使用傳送裝置692創(chuàng)建并交換第一IEC蝕刻CV數(shù)據(jù)。另外，第一IEC-MIMO模型682b可以包括與第一IEC蝕刻工序、第一圖案化晶圓601b和/或第二圖案化晶圓602b相關(guān)聯(lián)的第一MV處理數(shù)據(jù)、第一DV處理數(shù)據(jù)以及第一CV處理數(shù)據(jù)。當(dāng)選擇的第一IEC蝕刻工序包括一個(gè)或更多個(gè)IEO蝕刻制程時(shí)，IEO蝕刻制程可以使用本文中圖2A至圖2G和圖3A至圖3G中所述的蝕刻子系統(tǒng)中的一個(gè)或更多個(gè)來執(zhí)行。在一些實(shí)施例中，可以使用第一IEC蝕刻工序?qū)ζ渖暇哂卸鄠€(gè)第一柵堆疊605b的第一圖案化晶圓601b進(jìn)行蝕刻，以形成其上具有多個(gè)第二柵堆疊606b的第二圖案化晶圓602b?？商娲?，可以形成其他圖案化晶圓。在一些實(shí)施方式中，當(dāng)執(zhí)行第一IEO蝕刻制程時(shí)，第一圖案化晶圓601b可以位于晶圓保持器（圖2A至圖2G中所示的220）和/或晶圓保持器（圖3A至圖3G中所示的320）上，并且可以在IEC處理室（圖2A至圖2G中所示的210）和/或IEC處理室（圖3A至圖3G中所示的310） 中形成第一IEO等離子體，并且可以執(zhí)行第一IEO蝕刻制程。在第一IEO蝕刻制程期間，可以使用一個(gè)或更多個(gè)IE傳感器（圖2A至圖2G中所示的223和/或234）和/或IE傳感器（圖3A至圖3G中所示的323和/或334）來收集第一IEO蝕刻傳感器數(shù)據(jù)，并且控制器（圖2A至圖2G中所示的295）和/或控制器（圖3A至圖3G中所示的395）可以將第一IEO蝕刻傳感器數(shù)據(jù)與歷史IE傳感器數(shù)據(jù)進(jìn)行比較，可以存儲(chǔ)第一IEO蝕刻傳感器數(shù)據(jù)。例如，可以在第一IEO蝕刻制程期間使用處理傳感器（圖2A至圖2G中所示的236）和/或處理傳感器（圖3A至圖3G中所示的336）來收集第一處理數(shù)據(jù)。另外，用于第一IEO蝕刻制程的配方可以依賴于用于軟掩模特征651的輪廓數(shù)據(jù)以及SWA數(shù)據(jù)和/或用于蝕刻的GWC特征641的輪廓數(shù)據(jù)。當(dāng)選擇的第一IEC蝕刻工序包括附加的第一IE相關(guān)制程時(shí)，可以使用圖1中所示的子系統(tǒng)（110、120、130、140、150、160以及170）中的一個(gè)或更多個(gè)來執(zhí)行附加的第一IE相關(guān)制程。在一些實(shí)施方式中，第一IEC蝕刻工序可以包括用于第一硬掩模層的第一IEO蝕刻制程、用于FWC層的第二IEO蝕刻制程以及用于第二硬掩模層的第三IEO蝕刻制程。例如，第一IEO蝕刻制程可以包括Si-ARC層蝕刻制程，第二IEO蝕刻制程可以包括寬度層蝕刻制程，并且第三IEO蝕刻制程可以包括TEOS層蝕刻制程。在一些實(shí)施例中，第一IEC蝕刻工序也可以包括灰化制程、清洗制程和/或CMP制程。在其他實(shí)施例中，第一IEC蝕刻制程可以包括IE相關(guān)計(jì)量制程、IE傳感器晶圓測量制程和/或IE相關(guān)檢查制程。在圖6B’中，包括第二柵堆疊606b的第二圖案化晶圓602b示出為包括襯底層610b、目標(biāo)層620b、第三硬掩模層630b以及蝕刻的第二硬掩模層640ba。例如，襯底層610b可以包括半導(dǎo)體材料；目標(biāo)層620b可以包括介電或金屬材料；第三硬掩模層630b可以包括TiN；蝕刻的第二硬掩模層640ba可以包括蝕刻的TEOS材料。蝕刻的第二硬掩模層640ba可以包括多個(gè)蝕刻的第二硬掩模特征645b，并且蝕刻的第二硬掩模特征645b可以具有特征寬度646b、特征厚度547b以及SWA648b。例如，特征寬度646b可以從約10nm至約200nm變化，特征厚度647b可以從約20nm至約4000nm變化，并且SWA648b可以從約87度至約95度變化。在第一IEO蝕刻制程期間，第一圖案化晶圓601b上的軟掩模特征675b的圖案可以用于在第二圖案化晶圓602b上形成蝕刻的第二硬掩模特征645b的圖案。在圖6B中，示出了第二IE選擇MIMO模型683b，可以使用第二IE選擇MIMO模型683b來選擇第二IEC蝕刻工序，并且第二IE選擇MIMO模型683b可以使用傳送裝置690創(chuàng)建并交換第二選擇MV數(shù)據(jù)，可以使用傳送裝置691創(chuàng)建并交換第二選擇DV數(shù)據(jù)，并且可以使用傳送裝置692創(chuàng)建并交換第二選擇CV數(shù)據(jù)。例如，第二IE選擇MIMO模型683b可以創(chuàng)建和/或使用與第一和/或第二IEC蝕刻工序相關(guān)聯(lián)的第二IE相關(guān)數(shù)據(jù)，并且可以使用傳送裝置（690、691和/或692）對第二IE相關(guān)數(shù)據(jù)進(jìn)行前饋和/或反饋。當(dāng)執(zhí)行第二IE選擇MIMO模型683b時(shí)，可以使用控制器（圖2A至圖2G中所示的295）和/或控制器（圖3A至圖3G中所示的395）來選擇第二IEC蝕刻工序。在一些實(shí)施例中，控制器（295和/或395）可以使用第二IE相關(guān)庫數(shù)據(jù)，用于第一圖案化晶圓601b、第二圖案化晶圓602b和/或第三圖案化晶圓603a。當(dāng)在第一圖案化晶圓601b上形成第一柵堆疊605b時(shí)，用于第一圖案化晶圓601b的第二IE相關(guān)庫數(shù)據(jù)可以包括使用一個(gè)或更多個(gè)IE傳感器（圖2A至圖2G中所示的223和/或234）和/或IE傳感器（圖3A至圖3G中所示的323和/或334）收集的歷史IE相關(guān)蝕刻工序數(shù)據(jù)。當(dāng)在預(yù)先形成的第二圖案化晶圓602b上預(yù)先形成第二柵堆疊606b時(shí)，用于第二圖案化晶圓602b的第二IE相關(guān)庫數(shù)據(jù)可以包括使用一個(gè)或更多個(gè)IE傳感器（圖2A至圖2G中所示的223和/或234）和/或IE傳感器（圖3A至圖3G中所示的323和/或334）收集的第二歷史IE相關(guān)蝕刻工序數(shù)據(jù)。當(dāng)在預(yù)先形成的第三圖案化晶圓603上預(yù)先形成第三柵堆疊607b時(shí)，用于第三圖案化晶圓603a的第二IE相關(guān)庫數(shù)據(jù)可以包括使用一個(gè)或更多個(gè)IE傳感器（圖2A至圖2G中所示的223和/或234）和/或IE傳感器（圖3A至圖3G中所示的323和/或334）收集的第三歷史IE相關(guān)蝕刻工序數(shù)據(jù)。在圖6B中，示出了第二IEC-MIMO模型684b，并且當(dāng)執(zhí)行第二IEC-MIMO模型684b時(shí)，可以使用一個(gè)或更多個(gè)第二IEO蝕刻制程執(zhí)行選擇的第二IEC蝕刻工序。當(dāng)執(zhí)行第二IEO蝕刻工序時(shí)，可以使用第二IEC蝕刻工序確定一組或更多組第二處理參數(shù)。例如，第二IEC-MIMO模型684b與其他MIMO模型（681b、682b、683b以及685b）之間可以 使用傳送裝置690創(chuàng)建并交換第二IEC蝕刻MV數(shù)據(jù)，可以使用傳送裝置691創(chuàng)建并交換第二IEC蝕刻DV數(shù)據(jù)，并且可以使用傳送裝置692創(chuàng)建并交換第一IEC蝕刻CV數(shù)據(jù)。另外，第二IEC-MIMO模型684b可以創(chuàng)建和/或使用與第一和/或第二IEC蝕刻工序相關(guān)聯(lián)的IE傳感器數(shù)據(jù)和/或第二處理數(shù)據(jù)，并且可以使用傳送裝置（690、691和/或692）對IE傳感器數(shù)據(jù)和/或第二處理數(shù)據(jù)進(jìn)行前饋和/或反饋。當(dāng)選擇的第二IEC蝕刻工序包括一個(gè)或更多個(gè)第二IEO蝕刻制程時(shí)，可以使用本文中圖2A至圖2G和圖3A至圖3G中所述的蝕刻子系統(tǒng)中的一個(gè)或更多個(gè)來執(zhí)行第二IEO蝕刻制程。在一些實(shí)例中，可以使用第二IEC蝕刻工序?qū)ζ渖暇哂卸鄠€(gè)第二柵堆疊606b的第二圖案化晶圓602b進(jìn)行蝕刻，以形成其上具有多個(gè)第三柵堆疊607b的第三圖案化晶圓603a?？商娲?，可以形成其他圖案化晶圓。在圖6A中，包括第三柵堆疊607b的第三圖案化晶圓603b示出為包括：襯底層610b；其中具有多個(gè)蝕刻的目標(biāo)結(jié)構(gòu)625b的蝕刻的目標(biāo)層620ba；以及其中具有多個(gè)蝕刻的第三硬掩模結(jié)構(gòu)635b的蝕刻的第三硬掩模層630ba。另外，第三圖案化晶圓603b可以包括預(yù)先在其上形成的多個(gè)蝕刻的目標(biāo)結(jié)構(gòu)625a以及預(yù)先在其上形成的多個(gè)蝕刻的第三硬掩模結(jié)構(gòu)635a。例如，襯底層610b可以包括半導(dǎo)體材料；蝕刻的目標(biāo)層620ba可以包括蝕刻的HfO2材料；蝕刻的第三硬掩模層630ba可以包括TiN材料。在第二IEC蝕刻工序期間，第二圖案化晶圓602b上的蝕刻的第二硬掩模特征645b的圖案可以用于在第三圖案化晶圓603a上形成蝕刻的第三硬掩模結(jié)構(gòu)635b的圖案以及蝕刻的目標(biāo)結(jié)構(gòu)625b的圖案。蝕刻的第三硬掩模層630ba可以包括多個(gè)蝕刻的第三硬掩模結(jié)構(gòu)635b，并且蝕刻的第三硬掩模結(jié)構(gòu)635b可以具有結(jié)構(gòu)寬度636b、結(jié)構(gòu)厚度637b以及結(jié)構(gòu)SWA638b。例如，蝕刻的第三硬掩模結(jié)構(gòu)寬度636b可以從約10nm至約200nm變化，并且結(jié)構(gòu)厚度637b可以從約20nm至約400nm變化，并且SWA638b可以從約87度至約95度變化。另外，蝕刻的目標(biāo)層620ba可以包括多個(gè)蝕刻的目標(biāo)層結(jié)構(gòu)625b，并且蝕刻的目標(biāo)層結(jié)構(gòu)625b可以具有目標(biāo)結(jié)構(gòu)寬度626b、目標(biāo)結(jié)構(gòu)厚度627b以及目標(biāo)結(jié)構(gòu)SWA628b。例如，蝕刻的目標(biāo)結(jié)構(gòu)寬度626b可以從約10nm至約200nm變化，并且目標(biāo)結(jié)構(gòu)厚度627b可以從約20nm至約400nm變化并且目標(biāo)結(jié)構(gòu)SWA628b可以從約87度至約95度變化。蝕刻的第三硬掩模層630ba可以包括多個(gè)預(yù)先蝕刻的第三硬掩模結(jié) 構(gòu)635a，并且預(yù)先蝕刻的第三硬掩模結(jié)構(gòu)635a可以具有結(jié)構(gòu)寬度636a、結(jié)構(gòu)厚度637a以及結(jié)構(gòu)SWA638a。例如，預(yù)先蝕刻的第三硬掩模結(jié)構(gòu)寬度636a可以從約10nm至約200nm變化，結(jié)構(gòu)厚度637a可以從約20nm至約400nm變化，并且SWA638a可以從約87度至約95度變化。另外，蝕刻的目標(biāo)層620aa可以包括多個(gè)預(yù)先蝕刻的目標(biāo)層結(jié)構(gòu)625a，并且預(yù)先蝕刻的目標(biāo)層結(jié)構(gòu)625a可以具有預(yù)先蝕刻的目標(biāo)結(jié)構(gòu)寬度626a、目標(biāo)結(jié)構(gòu)厚度627a以及目標(biāo)結(jié)構(gòu)SWA628a。例如，預(yù)先蝕刻的目標(biāo)結(jié)構(gòu)寬度626a可以從約10nm至約200nm變化，目標(biāo)結(jié)構(gòu)厚度627a可以從約20nm至約400nm變化，并且目標(biāo)結(jié)構(gòu)SWA638a可以從約87度至約95度變化。此外，可以在預(yù)先蝕刻的目標(biāo)層結(jié)構(gòu)625a與蝕刻的目標(biāo)結(jié)構(gòu)625b之間建立第一間隔距離629b，并且第一間隔距離629b可以從約10nm至約200nm變化?？梢栽陬A(yù)先蝕刻的第三硬掩模結(jié)構(gòu)635a與蝕刻的第三硬掩模結(jié)構(gòu)寬度636b之間建立第二間隔距離639b，并且第二間隔距離639b可以從約10nm至200nm變化。在一些實(shí)施方式中，當(dāng)執(zhí)行第二IEO蝕刻制程時(shí)，第二圖案化晶圓602b可以位于晶圓保持器（圖2A至圖2G中所示的220）和/或晶圓保持器（圖3A至圖3G中所示的320）上，并且可以在IEC處理室（圖2A至圖2G中所示的210）和/或IEC處理室（圖3A至圖3G中所示的310）中形成第二IEO等離子體，并且可以執(zhí)行第二IEO蝕刻制程。在第二IEO蝕刻制程期間，可以使用一個(gè)或更多個(gè)IE傳感器（圖2A至圖2G中所示的223和/或234）和/或IE傳感器（圖3A至圖3G中所示的323和/或334）來收集第二IE蝕刻傳感器數(shù)據(jù)，并且控制器（圖2A至圖2G中所示的295）和/或控制器（圖3A至圖3G中所示的395）可以將第二IE蝕刻傳感器數(shù)據(jù)與歷史IE傳感器數(shù)據(jù)進(jìn)行比較，可以存儲(chǔ)第二IE蝕刻傳感器數(shù)據(jù)。例如，可以在第二IE相關(guān)蝕刻制程期間，使用處理傳感器（圖2A至圖2G中所示的236）和/或處理傳感器（圖3A至圖3G中所示的336）來收集第二處理數(shù)據(jù)。另外，用于第二IEO蝕刻制程的配方可以依賴于用于軟掩模特征675b的處理參數(shù)和/或輪廓數(shù)據(jù)。當(dāng)選擇的第二IEC蝕刻工序包括附加的第二IE相關(guān)制程時(shí)，可以使用圖1中所示的子系統(tǒng)（110、120、130、140、150、160以及170）中的一個(gè)或更多個(gè)來執(zhí)行附加的第二IE相關(guān)制程。在一些實(shí)施方式中，第二IEC蝕刻工序可以包括第三硬掩模層蝕刻 制程。例如，第二IEC蝕刻工序可以包括TiN層蝕刻制程。在一些實(shí)施例中，第二IEC蝕刻工序也可以包括灰化制程、清洗制程和/或CMP制程。在其他實(shí)施例中，第二IEC蝕刻工序可以包括IE相關(guān)計(jì)量制程和/或IE相關(guān)檢查制程。在圖6B中，示出了第一輸出數(shù)據(jù)模型685b，并且當(dāng)執(zhí)行第一輸出數(shù)據(jù)模型685b時(shí)，可以對第一組輸出數(shù)據(jù)進(jìn)行分析。第一輸出數(shù)據(jù)可以包括實(shí)時(shí)和/或歷史IE相關(guān)數(shù)據(jù)。例如，第一輸出數(shù)據(jù)模型685b與其他MIMO模型（680b、681b、682b、683b以及684b）之間可以使用傳送裝置690創(chuàng)建并交換第三IEC蝕刻MV數(shù)據(jù)，可以使用傳送裝置691創(chuàng)建并交換第三IEC蝕刻DV數(shù)據(jù)，并且可以使用傳送裝置692創(chuàng)建并交換第三IEC蝕刻CV數(shù)據(jù)。另外，第一輸出數(shù)據(jù)模型685b可以分析與第一和/或第二IEC蝕刻工序相關(guān)聯(lián)的IE傳感器數(shù)據(jù)和/或處理數(shù)據(jù)，并且可以使用傳送裝置（690、691和/或692）對所分析的處理數(shù)據(jù)和/或所分析的IE傳感器數(shù)據(jù)進(jìn)行前饋和/或反饋。當(dāng)執(zhí)行第一輸出數(shù)據(jù)模型685b時(shí)，可以執(zhí)行更新制程用于第一和/或第二IEC蝕刻工序。例如，可以執(zhí)行更新制程來更新第一和/或第二處理參數(shù)、IE數(shù)據(jù)以及處理數(shù)據(jù)。另外，可以執(zhí)行更新制程來更新第一和/或第二IE相關(guān)庫數(shù)據(jù)。第一輸出數(shù)據(jù)模型685b與其他MIMO模型（680b、681b、682b、683b以及684b）之間可以使用傳送裝置690交換更新IE蝕刻MV數(shù)據(jù)，可以使用傳送裝置691交換更新IE蝕刻DV數(shù)據(jù)，并且可以使用傳送裝置692交換更新IE蝕刻CV數(shù)據(jù)。在工藝開發(fā)期間，DOE技術(shù)可以用于檢查基本組模型（680b至685b）并且開發(fā)簡化組MIMO模型。在一些實(shí)施方式中，第二IE蝕刻工序可以包括一個(gè)或更多個(gè)IEO蝕刻制程，IEO蝕刻制程可以包括“穿透（BT）”蝕刻制程、主蝕刻（ME）蝕刻制程、過蝕刻（OE）蝕刻制程以及氮化鈦（TiN）蝕刻制程?？商娲?，可以使用其他蝕刻、灰化或清潔制程。在IEO硬掩模（SiARC）蝕刻制程期間，室壓力可以在約12mT至約18mT的范圍內(nèi)；上功率可以從約450瓦特至約550瓦特變化；下功率可以從約90瓦特至約110瓦特變化；ESC電壓可以設(shè)置為約2500V；四氟化碳（CF4）流率可以在約60sccm至約100sccm之間變化；三氟甲烷（CHF3）流率可以在約40sccm至約60sccm之間變化；上部室溫度可以從約70攝氏度至約90攝氏度變化；室壁溫度可以從約50攝氏度至約 70攝氏度變化；底部室溫度可以從約10攝氏度至約30攝氏度變化；晶圓保持器的中心的溫度可以從約12攝氏度至約20攝氏度變化；晶圓保持器的邊緣的溫度可以從約8攝氏度至約12攝氏度變化；用于晶圓保持器的中心背面壓力可以從約15托至約25托變化；用于晶圓保持器的邊緣背面壓力可以從約27托至約33托變化；并且處理時(shí)間可以從約60秒至約90秒變化。在IEO寬度控制（GWL或FWL）蝕刻制程中，室壓力可以在約15mT至約25mT的范圍內(nèi)；上功率可以從約450瓦特至約550瓦特變化；下功率可以從約90瓦特至約110瓦特變化；ESC電壓可以設(shè)置為約2500V；O2流率可以在約30sccm至約50sccm之間變化；CO2流率可以在約70sccm至約90sccm之間變化；HBr流率可以在約25sccm至約35sccm之間變化；上部室溫度可以從約70攝氏度至約90攝氏度變化；室壁溫度可以從約50攝氏度至約70攝氏度變化；底部室溫度可以從約10攝氏度至約30攝氏度變化；晶圓保持器的中心的溫度可以從約12攝氏度至約20攝氏度變化；晶圓保持器的邊緣的溫度可以從約8攝氏度至約12攝氏度變化；用于晶圓保持器的中心背面壓力可以從約15托至約25托變化；用于晶圓保持器的邊緣背面壓力可以從約27托至約33托變化；并且處理時(shí)間可以從約90秒至約130秒變化。在IEOTEOS層蝕刻制程期間，室壓力可以在約35mT至約45mT的范圍內(nèi)；上功率可以從約550瓦特至約650瓦特變化；下功率可以從約90瓦特至約110瓦特變化；ESC電壓可以設(shè)置為約2500V；CF4流率可以在約40sccm至約60sccm之間變化；CHF3流率可以在約40sccm至約60sccm之間變化；O2流率可以在約3sccm至約7sccm之間變化；上部室溫度可以從約30攝氏度至約90攝氏度變化；室壁溫度可以從約50攝氏度至約70攝氏度變化；底部室溫度可以從約30攝氏度至約50攝氏度變化；晶圓保持器的中心的溫度可以從約25攝氏度至約35攝氏度變化；晶圓保持器的邊緣的溫度可以從約8攝氏度至約12攝氏度變化；用于晶圓保持器的中心背面壓力可以從約15托至約25托變化；用于晶圓保持器的邊緣背面壓力可以從約27托至約33托變化；并且處理時(shí)間可以從約50秒至約90秒變化。在IEOTEOSOE蝕刻制程期間，室壓力可以在約35mT至約45mT的范圍內(nèi)；上功率可以從約550瓦特至約650瓦特變化；下功率可以從約90瓦特至約110瓦特變化；ESC電壓可以設(shè)置為約2500V；CF4流率可 以在約40sccm至約60sccm之間變化；CHF3流率可以在約40sccm至約60sccm之間變化；O2流率可以在約3sccm至約7sccm之間變化；上部室溫度可以從約30攝氏度至約90攝氏度變化；室壁溫度可以從約50攝氏度至約70攝氏度變化；底部室溫度可以從約30攝氏度至約50攝氏度變化；晶圓保持器的中心的溫度可以從約25攝氏度至約35攝氏度變化；晶圓保持器的邊緣的溫度可以從約8攝氏度至約12攝氏度變化；用于晶圓保持器的中心背面壓力可以從約15托至約25托變化；用于晶圓保持器的邊緣背面壓力可以從約27托至約33托變化；并且處理時(shí)間可以從約5秒至約10秒變化。在IEOBT蝕刻制程期間，室壓力可以在約8mT至約12mT的范圍內(nèi)；上功率可以從約600瓦特至約700瓦特變化；下功率可以從約175瓦特至約200瓦特變化；ESC電壓可以設(shè)置為約2500V；CF4流率可以在約120sccm至約150sccm之間變化；上部室溫度可以從約70攝氏度至約90攝氏度變化；室壁溫度可以從約50攝氏度至約70攝氏度變化；底部室溫度可以從約10攝氏度至約30攝氏度變化；晶圓保持器的溫度可以從約60攝氏度至約70攝氏度變化；用于晶圓保持器的中心背面壓力可以從約8托至約12托變化；用于晶圓保持器的邊緣背面壓力可以從約8托至約12托變化；并且處理時(shí)間可以從約5秒至約15秒變化。在IEOME蝕刻制程期間，室壓力可以在約8mT至約12mT的范圍內(nèi)；上功率可以從約120瓦特至約150瓦特變化；ESC電壓可以設(shè)置為約2500V；O2流率可以在約2sccm至約6sccm之間變化；HBr流率可以在約220sccm至約280sccm之間變化；上部室溫度可以從約70攝氏度至約90攝氏度變化；室壁溫度可以從約50攝氏度至約70攝氏度變化；底部室溫度可以從約10攝氏度至約30攝氏度變化；晶圓保持器溫度可以從約60攝氏度至約70攝氏度變化；用于晶圓保持器的中心背面壓力可以從約8托至約12托變化；用于晶圓保持器的邊緣背面壓力可以從約8托至約12托變化；并且處理時(shí)間可以從約50秒至約70秒變化。在IEOOE蝕刻制程期間，室壓力可以在約8mT至約12mT的范圍內(nèi)；上功率可以從約120瓦特至約150瓦特變化；下功率可以從約20瓦特至約40瓦特變化；ESC電壓可以設(shè)置為約2500V；O2流率可以在約2sccm至約6sccm之間變化；HBr流率可以在約220sccm至約280sccm之間變化；上部室溫度可以從約70攝氏度至約90攝氏度變化；室壁溫度可以從約50攝氏度至約70攝氏度變化；底部室溫度可以從約60攝氏度 至約80攝氏度變化；晶圓保持器溫度可以從約60攝氏度至約70攝氏度變化；用于晶圓保持器的中心背面壓力可以從約8托至約12托變化；用于晶圓保持器的邊緣背面壓力可以從約8托至約12托變化；并且處理時(shí)間可以從約20秒至約30秒變化。在IEOTiN蝕刻制程期間，室壓力可以在約8mT至約12mT的范圍內(nèi)；上功率可以從約180瓦特至約220瓦特變化；下功率可以從約40瓦特至約60瓦特變化；ESC電壓可以設(shè)置為約2500V；氯氣（Cl2）流率可以在約12sccm至約18sccm之間變化；Ar流率可以在約180sccm至約220sccm之間變化；上部室溫度可以從約70攝氏度至約90攝氏度變化；室壁溫度可以從約50攝氏度至約70攝氏度變化；底部室溫度可以從約60攝氏度至約80攝氏度變化；晶圓保持器溫度可以從約60攝氏度至約70攝氏度變化；用于晶圓保持器的中心背面壓力可以從約8托至約12托變化；用于晶圓保持器的邊緣背面壓力可以從約8托至約12托變化；并且處理時(shí)間可以從約50秒至約80秒變化。在IEOHK蝕刻制程期間，HK室壓力可以在約8mT至約12mT的范圍內(nèi)；上功率可以從約550瓦特至約650瓦特變化；ESC電壓可以設(shè)置為約500V；三氯化硼（BCl3）流率可以在約120sccm至約180sccm之間變化；上部室溫度可以從約70攝氏度至約90攝氏度變化；室壁溫度可以從約40攝氏度至約60攝氏度變化；底部室溫度可以從約60攝氏度至約80攝氏度變化；并且處理時(shí)間可以從約30秒至約40秒變化。在IEO灰化制程期間，室壓力可以在約125mT至約175mT的范圍內(nèi)；上功率可以從約350瓦特至約450瓦特變化；下功率可以從約20瓦特至約30瓦特變化；ESC電壓可以設(shè)置為約2500V；O2流率可以在約430sccm至約470sccm之間變化；上部室溫度可以從約30攝氏度至約90攝氏度變化；室壁溫度可以從約50攝氏度至約70攝氏度變化；底部室溫度可以從約70攝氏度至約80攝氏度變化；晶圓保持器的中心的溫度可以從約70攝氏度至約80攝氏度變化；晶圓保持器的邊緣的溫度可以從約8攝氏度至約12攝氏度變化；用于晶圓保持器的中心背面壓力可以從約15托至約25托變化；用于晶圓保持器的邊緣背面壓力可以從約27托至約33托變化；并且處理時(shí)間可以從約150秒至約210秒變化。在IE蝕刻MIMO模型開發(fā)期間，可以對IE蝕刻MIMO中實(shí)際使用的前饋和反饋路徑（675、680以及685）的數(shù)量進(jìn)行優(yōu)化。DOE技術(shù)可以用于創(chuàng)建和/或檢查IE蝕刻MIMO模型（660至666）并且開發(fā)簡化 的一組前饋和反饋路徑/變量。在模型開發(fā)以及DOE制程期間，可以使用四個(gè)示例性圖案化晶圓（601至604）中的一個(gè)或更多個(gè)以及IE蝕刻MIMO模型（660-666）中的一個(gè)或更多個(gè)?？梢詫⒂糜谒膫€(gè)示例性圖案化晶圓（601至604）中的一個(gè)或更多個(gè)的配方數(shù)據(jù)和/或處理數(shù)據(jù)以及用于IE蝕刻MIMO模型（660-666）中的一個(gè)或更多個(gè)的建模數(shù)據(jù)存儲(chǔ)在庫中并且在IE蝕刻MIMO建模制程期間使用。圖7示出用于根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的兩部分離子能量控制多輸入/多輸出（IEC-MIMO）模型的示例性框圖。第一一般IEC-MIMO模型710示出為可以與第一IE蝕刻（IE1）工序相關(guān)聯(lián)并且包括第一組操縱變量MV（1a至na）、第一組干擾變量DV（1a至na）以及第一組控制變量CV（1a至na）。第一組示例性MV711示出為包括可以與第一IEC-MIMO模型710相關(guān)聯(lián)的八個(gè)操縱變量{(MV1a)--(MV8a)}。可替代地，不同數(shù)量的不同操縱變量可以與第一IEC-MIMO模型710相關(guān)聯(lián)。第一組示例性DV712示出為包括可以與第一IEC-MIMO模型710相關(guān)聯(lián)的六個(gè)干擾變量{(DV1a)--(DV6a)}?？商娲兀煌瑪?shù)量的不同干擾變量可以與第一IEC-MIMO模型710相關(guān)聯(lián)。第一組示例性CV713示出為包括可以與第一IEC-MIMO模型710相關(guān)聯(lián)的六個(gè)控制變量{(CV1a)--(CV6a)}?？商娲兀煌瑪?shù)量的不同控制變量可以與第一IEC-MIMO模型710相關(guān)聯(lián)。另外，第一組示例性方程715示出為可以與第一IEC-MIMO模型710相關(guān)聯(lián)?？商娲?，其他方程可以與第一IEC-MIMO模型710相關(guān)聯(lián)。第二一般IEC-MIMO模型720示出為可以與第二IE蝕刻（IE2）工序相關(guān)聯(lián)并且包括第二組操縱變量MV（1b至nb）、第二組干擾變量DV（1b至nb）以及第二組控制變量CV（1b至nb）。第二組示例性MV721示出為包括可以與第二IEC-MIMO模型720相關(guān)聯(lián)的八個(gè)操縱變量{(MV1b)--(MV8b)}。可替代地，不同數(shù)量的不同操縱變量可以與第二IEC-MIMO模型720相關(guān)聯(lián)。第二組示例性DV722示出為包括可以與第二IEC-MIMO模型720相關(guān)聯(lián)的六個(gè)干擾變量{(DV1b)--(DV6b)}?？商娲兀煌瑪?shù)量的不同干擾變量可以與第二IEC-MIMO模型720相關(guān)聯(lián)。第二組示例性CV723示出為包括可以與第二IEC-MIMO模型720相關(guān)聯(lián)的六個(gè)控制變量{(CV1b)--(CV6b)}?？商娲?，不同數(shù)量的不同控制變量可以與第二IEC-MIMO模型720相關(guān)聯(lián)。另外，第二組示例性方程725示出為可以與第二IEC-MIMO模型720相關(guān)聯(lián)?？商娲兀渌匠炭? 以與第二IEC-MIMO模型720相關(guān)聯(lián)?？梢詫⑴c第一IEC-MIMO模型710相關(guān)聯(lián)的變量（711、712或713）中的一個(gè)或更多個(gè)前饋730至第二IEC-MIMO模型720，并且可以將與第二IEC-MIMO模型720相關(guān)聯(lián)的變量（721、722或723）中的一個(gè)或更多個(gè)反饋735至第一IEC-MIMO模型710。圖8示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的、用于開發(fā)用于離子能量控制（IEC）蝕刻工序的多輸入/多輸出（IEC-MIMO）模型的制程的示例性流程圖。在示出的實(shí)施方式中，制程800示為具有多個(gè)步驟?？商娲?，可以使用不同數(shù)量的替代步驟。在810中，一個(gè)或更多個(gè)離子能量控制（IEC）蝕刻工序可以視為用于IEC-MIMO建模分析制程的備選。在一些實(shí)例中，可以建立一個(gè)或更多個(gè)IEC蝕刻工序以及相關(guān)聯(lián)的IEC-MIMO模型以形成一個(gè)或更多個(gè)圖案化晶圓（501a、502a以及503a，圖5A’）或（501b、502b以及503b，圖5B’）或（601a、602a以及603a，圖6A’）或（601b、602b以及603b，圖6B’）。在815中，可以確定第一組控制輸出變量（CV）以及與CV相關(guān)聯(lián)的范圍。CV中的一個(gè)或更多個(gè)可以由最終用戶或客戶指定。CV可以包括與以下堆疊相關(guān)聯(lián)的一個(gè)或更多個(gè)臨界尺寸（CD）和/或一個(gè)或更多個(gè)側(cè)壁角度：圖5A’所示的特征堆疊（505a、506a以及507a）或者圖5B’所示的特征堆疊（505b、506b以及507b）中的一個(gè)或更多個(gè)、或者圖6A’所示的柵堆疊（605a、606a以及607a）中的一個(gè)或更多個(gè)、或者圖6B’所示的柵堆疊（605b、606b以及607b）中的一個(gè)或更多個(gè)。在一些實(shí)例中，可以執(zhí)行第一和第二IEC蝕刻工序來形成pFET器件、nFET器件、三柵器件以及FinFET器件。在820中，可以使用一個(gè)或更多個(gè)備選離子能量優(yōu)化（IEO）蝕刻制程/配方，來對于與IEC-MIMO相關(guān)聯(lián)的操縱變量（MV）確定第一組備選。MV可以包括WiW操縱變量（WiW-MV），并且當(dāng)正在對晶圓進(jìn)行處理的同時(shí)，WiW-MV可以包括可以被控制的“快”MV。MV可以包括W2W操縱變量（W2W-MV），并且當(dāng)正在對晶圓批次進(jìn)行處理時(shí)，W2W-MV可以包括可以被控制的“慢”MV?？梢葬槍溥x配方中的每個(gè)步驟檢查MV的范圍。當(dāng)使用具有快速響應(yīng)時(shí)間的兩區(qū)域晶圓保持器時(shí)，晶圓保持器的中心 溫度和邊緣溫度可以用作（WiW-MV）并且可以逐步地改變。當(dāng)具有快速響應(yīng)時(shí)間的RF源與分割式上電極和功率分配器一起使用時(shí)，用于等離子體的中心RF功率和邊緣RF功率可以用作（WiW-MV）并且可以逐步地改變。當(dāng)使用低溫冷卻器（-10攝氏度）時(shí)，從中心到邊緣存在較大的溫度差。另外，壓力、時(shí)間、以及氣體流量可以用作MV。干擾變量（DV）可以包括中心及邊緣處、用于第一輸入特征（IF1）的CD及SWA值、中心及邊緣處的控制層CD及SWA、中心及邊緣處的特征厚度、不同層的化學(xué)特性及蝕刻速率特性、對于室的維護(hù)事件、室到室數(shù)據(jù)、輸入IE值以及其他堆疊數(shù)據(jù)。在825中，可以執(zhí)行實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì)（DOE）制程來分析IEC蝕刻工序和/或IEC-MIMO模型。使用根據(jù)DOE晶圓的IE傳感器晶圓和/或IE傳感器數(shù)據(jù)，可以執(zhí)行與IEC和/或IEO相關(guān)的實(shí)驗(yàn)來建立可以將MV與每個(gè)CV聯(lián)系的統(tǒng)計(jì)模型。當(dāng)實(shí)驗(yàn)的數(shù)量增加時(shí)，可以獲得更精確的模型，但是以附加的材料和時(shí)間為代價(jià)。因此，成本和實(shí)用性可以限制使用IE傳感器晶圓執(zhí)行的工序的數(shù)量和/或在IEC處理室中處理的DOE晶圓的數(shù)量。DOE制程的關(guān)鍵因素為預(yù)測模型的格式?？梢赃x擇一個(gè)或更多個(gè)模型種類，可以為CV和/或MV設(shè)置范圍，以及可以將統(tǒng)計(jì)軟件例如（來自SAS研究所的統(tǒng)計(jì)軟件）用于建立一個(gè)或更多個(gè)DOE表格中。DOE數(shù)據(jù)用于建立可以與第一、第二、和/或第三IEC蝕刻工序相關(guān)聯(lián)的備選MV、CV以及DV。在其他分析制程中，可以使用其他MV、DV以及CV。在一些實(shí)施方式中，用于蝕刻室和IM室的室狀態(tài)數(shù)據(jù)可以用作操縱變量。可替代地，處理建?？梢约僭O(shè)室狀態(tài)在晶圓之間和/或在批次之間是穩(wěn)定的。在一些實(shí)例中，IEC蝕刻工序可以包括一個(gè)或更多個(gè)IEO蝕刻制程，IEO蝕刻制程可以包括Si-ARC層蝕刻制程、GWC層蝕刻制程、TEOS層蝕刻制程、TEOS過蝕刻（OE）蝕刻制程以及灰化制程。在其他實(shí)施例中，IEC蝕刻工序可以包括“穿透”（BT）蝕刻制程、主蝕刻（ME）制程、過蝕刻（OE）蝕刻制程、氮化鈦（TiN）蝕刻制程以及HK蝕刻制程。對于IEC蝕刻工序獲得的DOE數(shù)據(jù)可以包括IE傳感器數(shù)據(jù)、處理傳感器數(shù)據(jù)以及IE傳感器晶圓數(shù)據(jù)。在830中，在執(zhí)行填充一個(gè)或更多個(gè)DOE表格所需要的第一IEC蝕刻工序和/或第二IEC蝕刻工序之后，可以通過使用最小二乘法以及統(tǒng)計(jì)軟件創(chuàng)建具有二次項(xiàng)和相互作用項(xiàng)的非線性模型。在一些模型中，可以刪 除具有與其相關(guān)聯(lián)的極小系數(shù)的多個(gè)項(xiàng)。在835中，可以使用DOE數(shù)據(jù)創(chuàng)建一個(gè)或更多個(gè)線性增益矩陣（G）。例如，可以使用以下方程創(chuàng)建相對增益陣列（RGA）矩陣：其中，i=1,2,……,n并且j=1,2,……,n。符號(hào)表示用除保持為常數(shù)的MVj之外的所有操縱變量中來評估的偏微分，并且該項(xiàng)為CVi與MVj之間的開環(huán)增益。另外，符號(hào)可以理解為指出所有控制環(huán)閉合時(shí)MVj與CVi的作用的閉環(huán)增益。當(dāng)獲得非方矩陣時(shí)，可以消除MV或CV中的一些來創(chuàng)建方矩陣。另外，當(dāng)存在有比CV更多的MV時(shí)，可以使用非方RGA（NRGA）來分析非方矩陣。例如并且使用偽逆G+代替正逆G-1。NRGA提供用于正方系統(tǒng)的選擇的若干標(biāo)準(zhǔn)，但是其標(biāo)準(zhǔn)在一些非正方系統(tǒng)中不是一直有效，所以應(yīng)該需要考慮子系統(tǒng)的正方配對的所有組合。為了將一個(gè)子系統(tǒng)與其他進(jìn)行比較，可以將RGA配對規(guī)則用作度量。這創(chuàng)建了然后可以對其進(jìn)行比較以獲得最好方矩陣的子組合。在840中，可以使用線性增益矩陣（G）中的一個(gè)或更多個(gè)計(jì)算一個(gè)或更多個(gè)RGA。例如，當(dāng)使用方矩陣時(shí)，其中G為增益矩陣并且G-1為逆增益矩陣。在845中，RGA中的配對規(guī)則可以用于研究MV和CV的最佳好組合。RGA分析可以用于測量的模型參數(shù)的選擇，并且可以選擇CV-MV對使得它們的和最接近于一。另外，可以避免對負(fù)要素的配對。另外，RGA分析可以用于確定多個(gè)備選模型并且識(shí)別最佳的問題解決方案。當(dāng)CV比MV多時(shí)，RGA分析可以用于選擇最可控的CV（CV至MV的敏 感性分析）。在850中，可以確定系統(tǒng)穩(wěn)定性和調(diào)試。例如，Niederlinski穩(wěn)定性理論闡明由對角配對形成的閉路系統(tǒng)是不穩(wěn)定的，如果：其中，NST為Niederlinski指數(shù)，G為增益矩陣，det(G)為增益矩陣（G）的行列式，并且gii為增益矩陣的對角要素，另外，可以使用最大與最小奇異值之比率來確定條件數(shù)（CN）。關(guān)于RGA分析的附加的信息可以在SigurdSkogestad和IanPostlethwaite所著的名稱為“MultivariableFeedbackControl：AnalysisandDesigh”的書（ISBN978047001168-3）第75至86頁以及第431至449頁中找到，將其全部內(nèi)容并入到本文。例如，當(dāng)CN大于五十，系統(tǒng)幾乎異常并且具有差的控制性能。在855中，可以使用實(shí)際的裝備和/或性能約束對IEC-MIMO模型進(jìn)行優(yōu)化。在一些實(shí)施例中，可以檢查并選擇測量位置以優(yōu)化性能，可以建立前測量制程和/或后測量制程的數(shù)量以優(yōu)化性能，并且可以檢查多室工序以優(yōu)化吞吐量。可以通過調(diào)諧EWMA濾波器來優(yōu)化反饋?？梢源_定用于MV的時(shí)間常數(shù)，并且它們的更新頻率可以基于批到批（L2L）、W2W、WiW以及處理步驟值。另外，可以檢查處理中心點(diǎn)、CV中心點(diǎn)以及MV中心點(diǎn)以優(yōu)化性能。歷史數(shù)據(jù)可以用于執(zhí)行模擬。晶圓可以包括一個(gè)或更多個(gè)層，一個(gè)或更多個(gè)層可以包括半導(dǎo)體材料、碳材料、介電材料、玻璃材料、陶瓷材料、金屬材料、氧化材料、掩模材料或平坦化材料、或者其組合。在其他實(shí)施方式中，可以對一個(gè)或更多個(gè)IE傳感器晶圓進(jìn)行處理以驗(yàn)證IEC-MIMO模型和/或驗(yàn)證IEC蝕刻工序。當(dāng)對IEC蝕刻工序或IEC-MIMO模型進(jìn)行驗(yàn)證時(shí)，可以在測試晶圓上形成一個(gè)或更多個(gè)經(jīng)驗(yàn)證的金屬-柵結(jié)構(gòu)，并且當(dāng)對測試晶圓進(jìn)行檢查時(shí)，可以使用測試參考周期結(jié)構(gòu)。在檢查期間，可以從測試參考周期結(jié)構(gòu)獲得檢查數(shù)據(jù)?？梢詮陌ń?jīng)驗(yàn)證的柵結(jié)構(gòu)、目標(biāo)特征以及相關(guān)聯(lián)數(shù)據(jù)的IEC-MIMO庫中選擇最佳估計(jì)結(jié)構(gòu)以及相關(guān)聯(lián)的最佳估計(jì)數(shù)據(jù)?？梢栽趤碜詭斓臏y試參考周期結(jié)構(gòu)與最佳估計(jì)結(jié)構(gòu)之間計(jì)算一個(gè)或更多個(gè)差，可以將差與匹配標(biāo)準(zhǔn)、創(chuàng)建標(biāo)準(zhǔn)、或產(chǎn)品要求、或者其任意組合進(jìn)行比較。當(dāng)使用匹配標(biāo)準(zhǔn)時(shí)，測試 參考周期結(jié)構(gòu)可以視為IEC-MIMO庫的成分，并且當(dāng)符合或超出匹配標(biāo)準(zhǔn)時(shí)，則測試晶圓可以視為參考“黃金”晶圓。當(dāng)使用創(chuàng)建標(biāo)準(zhǔn)時(shí)，測試參考周期結(jié)構(gòu)可以視為IEC-MIMO庫的新成分，并且如果符合創(chuàng)建標(biāo)準(zhǔn)，則測試晶圓可以視為經(jīng)驗(yàn)證的參考晶圓。當(dāng)使用產(chǎn)品要求數(shù)據(jù)時(shí)，測試參考周期結(jié)構(gòu)可以視為經(jīng)驗(yàn)證的結(jié)構(gòu)，并且如果符合一個(gè)或更多個(gè)產(chǎn)品要求，則測試晶圓可以視為經(jīng)驗(yàn)證的產(chǎn)品晶圓。如果未符合標(biāo)準(zhǔn)或產(chǎn)品要求中的一個(gè)或更多個(gè)，則可以實(shí)施校正動(dòng)作?？梢允褂脺y試參考結(jié)構(gòu)數(shù)據(jù)以及最佳估計(jì)結(jié)構(gòu)數(shù)據(jù)來建立IEC-MIMO置信數(shù)據(jù)和/或風(fēng)險(xiǎn)數(shù)據(jù)，用于測試參考結(jié)構(gòu)。例如，IEC-MIMO評估庫數(shù)據(jù)可以包括適合度（GOF）數(shù)據(jù)，創(chuàng)建規(guī)則數(shù)據(jù)、測量數(shù)據(jù)、檢查數(shù)據(jù)、驗(yàn)證數(shù)據(jù)、圖數(shù)據(jù)、置信數(shù)據(jù)、精確度數(shù)據(jù)、處理數(shù)據(jù)或均一性數(shù)據(jù)、或者其任意組合。當(dāng)制造和/或檢查柵相關(guān)結(jié)構(gòu)和/或目標(biāo)特征結(jié)構(gòu)時(shí)，可以使用精確度和/或公差限制。當(dāng)這些限制不正確時(shí)，可以執(zhí)行改進(jìn)制程?？商娲?，可以執(zhí)行其他制程，可以使用其他位點(diǎn)、或者可以使用其他晶圓。當(dāng)使用改進(jìn)制程時(shí)，改進(jìn)制程可以利用雙線性改進(jìn)算法、拉格朗日改進(jìn)算法、三次樣條改進(jìn)算法、Aitken改進(jìn)算法、加權(quán)平均改進(jìn)算法、多次二次改進(jìn)算法、雙三次改進(jìn)算法、Turran改進(jìn)算法、小波改進(jìn)算法、貝塞爾改進(jìn)算法、Everett改進(jìn)算法、有限差改進(jìn)算法、高斯改進(jìn)算法、厄密（Hermite）改進(jìn)算法、牛頓均差改進(jìn)算法、密切改進(jìn)算法、或Thiele改進(jìn)算法，或其組合。圖9示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的、用于使用IE相關(guān)處理工序處理晶圓的方法的簡化流程圖。在910中，可以通過處理系統(tǒng)接收第一組圖案化晶圓（501a或601a）以及相關(guān)聯(lián)的離子能量（IE）數(shù)據(jù)，并且每個(gè)圖案化晶圓（501a或601a）可以包括第一圖案化軟掩模層（570a或670a）以及多個(gè)附加層。第一圖案化軟掩模層（570a或670a）可以包括多個(gè)柵相關(guān)軟掩模特征以及至少一個(gè)第一周期評估結(jié)構(gòu)（未示出）。晶圓數(shù)據(jù)可以包括用于第一圖案化軟掩模層中的至少一個(gè)周期結(jié)構(gòu)的實(shí)時(shí)集成計(jì)量（IM）數(shù)據(jù)。在915中，可以從第一組圖案化晶圓中選擇圖案化晶圓。在920中，可以使用IE數(shù)據(jù)建立用于所選擇的圖案化晶圓的第一離子能量（IE）相關(guān)處理工序。在925中，可以執(zhí)行第一查詢以確定第一IE相關(guān)處理工序是否包括 第一離子能量控制（IEC）蝕刻工序。當(dāng)?shù)谝籌E相關(guān)處理工序包括第一IEC蝕刻工序時(shí)，制程900可以如圖9所示分支到930并且繼續(xù)。當(dāng)?shù)谝籌E相關(guān)處理工序不包括第一IEC蝕刻工序時(shí)，制程900可以如圖9所示分支到935并且繼續(xù)。在930中，當(dāng)?shù)谝籌E相關(guān)處理工序包括第一IEC蝕刻工序時(shí)，可以執(zhí)行第一IEC蝕刻工序，并且當(dāng)使用第一組圖案化晶圓執(zhí)行第一IEC蝕刻工序時(shí)，可以形成第二組圖案化晶圓。在935中，當(dāng)?shù)谝籌E相關(guān)處理工序不包括第一IEC蝕刻工序時(shí)，可以執(zhí)行至少一個(gè)第一校正動(dòng)作。在一些實(shí)施方式中，制程900可以終止于940。在其他實(shí)施方式中，可以執(zhí)行另一查詢以確定第一IEC蝕刻工序是否包括第一IEO蝕刻制程，并且當(dāng)?shù)谝籌EC蝕刻工序包括第一IEO蝕刻制程時(shí)，可以執(zhí)行第一IEO蝕刻制程。例如，第一IEO蝕刻制程可以使用第一蝕刻子系統(tǒng)，第一蝕刻子系統(tǒng)具有配置于其中的第一IEC處理室以及耦接至其的第一MIMO控制器。另外，當(dāng)?shù)谝籌EC蝕刻工序不包括第一IEO蝕刻制程時(shí)，可以執(zhí)行第一校正動(dòng)作。當(dāng)?shù)谝籌EC蝕刻工序包括第二IEO蝕刻制程時(shí)，可以執(zhí)行第二IEO蝕刻制程。例如，第二IEO蝕刻制程可以使用第二蝕刻子系統(tǒng)，第二蝕刻子系統(tǒng)具有配置于其中的第二IEC處理室以及耦接至其的第二MIMO控制器。另外，當(dāng)IEC蝕刻工序不包括第二IEO蝕刻制程時(shí)，可以執(zhí)行第一確認(rèn)制程。在一些實(shí)例期間，執(zhí)行第二IEO蝕刻制程可以包括：從第一組蝕刻的圖案化晶圓中選擇蝕刻的圖案化晶圓；將所選擇的蝕刻的圖案化晶圓放置在第二IEC處理室中的第二晶圓保持器上；在第二IEC處理室中形成第二IEO等離子體；使用第二IEO等離子體處理所選擇的蝕刻的圖案化晶圓；以及在處理所選擇的蝕刻的圖案化晶圓的同時(shí)獲得第二IE傳感器數(shù)據(jù)，其中第二IE傳感器耦接到第二IEC處理室并且配置為獲得第二IE傳感器數(shù)據(jù)。在一些實(shí)施方式中，本發(fā)明的方法還可以包括：確定第一IE相關(guān)處理工序是否包括第二IEC蝕刻工序；當(dāng)?shù)谝籌E相關(guān)處理工序包括第二IEC蝕刻工序時(shí)，執(zhí)行第二IEC蝕刻工序；以及當(dāng)?shù)谝籌E相關(guān)處理工序不包括第二IEC蝕刻工序時(shí)，執(zhí)行確認(rèn)制程。例如，當(dāng)使用第一組圖案 化晶圓執(zhí)行第一IEC蝕刻工序以及第二IEC蝕刻工序時(shí)，可以形成第三組圖案化晶圓?？梢詧?zhí)行一個(gè)或更多個(gè)查詢以確定第一IEC蝕刻工序是否包括新第一IEO蝕刻制程。當(dāng)執(zhí)行新第一IEO蝕刻制程時(shí)，新第一IEO蝕刻制程可以使用新第一蝕刻子系統(tǒng)，新第一蝕刻子系統(tǒng)具有配置于其中的新第一IEC處理室以及耦接至其的新第一MIMO控制器。當(dāng)IEC蝕刻工序不包括新第一IEO蝕刻制程時(shí)，可以執(zhí)行新第一確認(rèn)制程。另外，執(zhí)行新第一IEO蝕刻制程可以包括：從一組圖案化晶圓中選擇新圖案化晶圓；將所選擇的新圖案化晶圓放置在新IEC處理室中的新晶圓保持器上；在新IEC處理室中形成新IEO等離子體；使用新IEO等離子體處理所選擇的新圖案化晶圓；以及在處理所選擇的新晶圓同時(shí)獲得新IE傳感器數(shù)據(jù)，其中新IE傳感器耦接到新IEC處理室并且配置為獲得新IE傳感器數(shù)據(jù)?？梢詧?zhí)行其他查詢以確定第二IEC蝕刻工序是否包括新第二IEO蝕刻制程。當(dāng)?shù)诙蘒EC蝕刻工序包括新第二IEO蝕刻制程時(shí)，可以執(zhí)行新第二IEO蝕刻制程。例如，新第二IEO蝕刻制程可以使用新第二蝕刻子系統(tǒng)，新第二蝕刻子系統(tǒng)具有配置于其中的新第二IEC處理室以及耦接至其的新第二MIMO控制器。當(dāng)?shù)诙蘒EC蝕刻工序不包括新第二IEO蝕刻制程時(shí)，可以執(zhí)行新第二確認(rèn)制程。當(dāng)執(zhí)行第二IEO蝕刻制程時(shí)，可以從第一組蝕刻的第二圖案化晶圓中選擇蝕刻的第二圖案化晶圓；所選擇的蝕刻的第二圖案化晶圓可以位于新第二IEC處理室中的新第二晶圓保持器上；可以在新第二IEC處理室中形成新第二IEO等離子體；可以使用新第二IEO等離子體處理所選擇的第二蝕刻的圖案化晶圓；并且在處理所選擇的第二蝕刻的圖案化晶圓的同時(shí)可以獲得新第二IE傳感器數(shù)據(jù)。例如，新第二IE傳感器可以耦接到新第二IEC處理室并且可以配置為獲得第二IE傳感器數(shù)據(jù)。在其他實(shí)施方式中，可以執(zhí)行至少一個(gè)附加的查詢以確定第一IE相關(guān)處理工序是否包括第二IEC蝕刻工序和第三IEC蝕刻工序。當(dāng)?shù)谝籌E相關(guān)處理工序包括第二IEC蝕刻工序和第三IEC蝕刻工序時(shí)，可以執(zhí)行第二IEC蝕刻工序和第三IEC蝕刻工序。例如，當(dāng)使用第一組圖案化晶圓執(zhí)行第一IEC蝕刻工序、第二IEC蝕刻工序以及第三IEC蝕刻工序時(shí)，可以形成第四組圖案化的晶圓。當(dāng)?shù)谝籌E相關(guān)處理工序不包括第二IEC蝕刻工序和第三IEC蝕刻工序時(shí)，可以執(zhí)行一個(gè)或更多個(gè)確認(rèn)制程。當(dāng)?shù)诙蘒EC蝕刻工序包括新第二IEO蝕刻制程時(shí)，可以使用新第二蝕刻子系統(tǒng)來執(zhí)行新第二IEO蝕刻制程，新第二蝕刻子系統(tǒng)具有配置于其中的新第二IEC處理室以及耦接至其的新第二MIMO控制器。當(dāng)?shù)诙蘒EC蝕刻工序不包括新第二IEO蝕刻制程時(shí)，可以執(zhí)行新第二確認(rèn)制程。當(dāng)?shù)谌齀EC蝕刻工序包括新第三IEO蝕刻制程時(shí)，新第三IEO蝕刻制程可以使用新第三蝕刻子系統(tǒng)，新第三蝕刻子系統(tǒng)具有配置于其中的新第三IEC處理室以及耦接至其的新第三MIMO控制器。當(dāng)?shù)谌齀EC蝕刻工序不包括新第三IEO蝕刻制程時(shí)，可以執(zhí)行新第三確認(rèn)制程。在又一實(shí)施方式中，本發(fā)明的方法還可以包括使用第一IEC-MIMO模型創(chuàng)建用于第一IEC蝕刻工序的第一模擬數(shù)據(jù)。例如，第一IEC-MIMO模型包括第一數(shù)量（Na）的第一控制變量（CV1a、CV2a、...CVNa）、第一數(shù)量（Ma）的第一操縱變量（MV1a、MV2a、...MVMa）以及第一數(shù)量（La）的第一干擾變量（DV1a、DV2a、...DVLa），其中（La、Ma和Na）為大于一的整數(shù)?？梢栽诘谝籌EC蝕刻工序期間獲得第一IE傳感器數(shù)據(jù)；可以通過將第一模擬數(shù)據(jù)與第一IE傳感器數(shù)據(jù)進(jìn)行比較來建立第一差異數(shù)據(jù)；當(dāng)?shù)谝徊町悢?shù)據(jù)小于或等于第一閾值數(shù)據(jù)時(shí)，可以驗(yàn)證第一IEC蝕刻工序；并且當(dāng)?shù)谝徊町悢?shù)據(jù)大于第一閾值數(shù)據(jù)時(shí)，可以存儲(chǔ)第一模擬數(shù)據(jù)和/或第一IE傳感器數(shù)據(jù)。另外，可以使用用于第二IEC蝕刻工序的第二IEC-MIMO模型創(chuàng)建對于第二IEC蝕刻工序的第二模擬數(shù)據(jù)。第二IEC-MIMO模型可以包括第二數(shù)量（Nb）的第二控制變量（CV1b、CV2b、...CVNb），第二數(shù)量（Mb）的第二操縱變量（MVVb、MV2b、...MVMb）以及第二數(shù)量（Lb）的第二干擾變量（DV1b、DV2b、...DVLb），其中（Lb，Mb和Nb）為大于一的整數(shù)。當(dāng)獲得對于多組圖案化晶圓（501a、502a以及503a，圖5A’）或（501b、502b以及503b，圖5B’）或（601a、602a以及603a，圖6A’）或（601b、602b以及603b，圖6B’）中的至少之一的評估數(shù)據(jù)時(shí)，可以執(zhí)行一個(gè)或更多個(gè)查詢以確定評估數(shù)據(jù)是否在一個(gè)或更多個(gè)限制之內(nèi)。當(dāng)評估數(shù)據(jù)在一個(gè)或更多個(gè)限制之內(nèi)時(shí)，該組圖案化晶圓可以視為經(jīng)驗(yàn)證的晶圓。當(dāng)評估數(shù)據(jù)不在限制中的一個(gè)或更多個(gè)之內(nèi)時(shí)，可以執(zhí)行一個(gè)或更多個(gè)校正動(dòng)作。此外，可以使用用于第三IEC蝕刻工序的第三IEC-MIMO模型創(chuàng)建對于第三IEC蝕刻工序的第三模擬數(shù)據(jù)。第三IEC-MIMO模型可以包括 第三數(shù)量（Nc）的第三控制變量（CV1c、CV2c、...CVNc），第三數(shù)量（Mc）的第三操縱變量（MV1c、MV2c、...MVMc）以及第三數(shù)量（Lc）的第三干擾變量（DV1c、DV2c、...DVLc），其中（Lc、Mc和Nc）為大于一的整數(shù)。當(dāng)收集IE相關(guān)數(shù)據(jù)時(shí)，可以使用多個(gè)驗(yàn)證晶圓和/或IE傳感器晶圓并且可以識(shí)別備選干擾變量。在數(shù)據(jù)收集期間，可以使與一個(gè)或更多個(gè)CV相關(guān)聯(lián)的變化最小化，并且收集的數(shù)據(jù)可以用于模擬。模擬可以實(shí)行與生產(chǎn)中使用的IEO蝕刻制程一樣的工序。例如，可以在集成計(jì)量室中對所處理的晶圓中的一個(gè)或更多個(gè)進(jìn)行測量并且IM數(shù)據(jù)可以包括來自每個(gè)引入晶圓上的圖案化掩模層中的多個(gè)位點(diǎn)的CD和SWA數(shù)據(jù)。另外，可以接收并分析IE傳感器數(shù)據(jù)、處理傳感器數(shù)據(jù)和/或其他傳感器數(shù)據(jù)。光柵密度和晶體管類型應(yīng)該選擇為與最關(guān)鍵芯片級性能度量（例如P或N溝道晶體管類型）相關(guān)，原因是每個(gè)晶體管結(jié)構(gòu)可以具有可以與蝕刻輪廓控制需求相關(guān)的一些變化。圖10示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的、用于離子能量（IE）傳感器晶圓的示例性框圖。在示出的實(shí)施方式中，示出了IE傳感器晶圓1000的簡化的俯視圖。IE傳感器晶圓1000可以具有約300毫米（mm）的第一直徑1001。可替代地，直徑1001可以更小或更大。IE傳感器晶圓1000可以包括配置在IE傳感器晶圓1000之內(nèi)的一個(gè)或更多個(gè)第一位置處的一個(gè)或更多個(gè)離子能量分析器1010。例如，IE傳感器晶圓1000及其使用方法可以為如在Chen等人于2010年8月17日頒發(fā)的題為“Two-GridIonEnergyAnalyzerandMethodsofManufacturingandOperating”的美國專利第7,777,179號(hào)中所描述，并且通過引用將其全部內(nèi)容并入本文。另外，IE傳感器晶圓以及其使用方法可以如在Chen等人于2011年1月25日頒發(fā)的題為“IonEnergyAnalyzerandMethodsofManufacturingandOperating”的美國專利第7,875,859號(hào)中所描述，并且通過引用其全部內(nèi)容并入本文。此外，題為“IonEnergyAnalyzerandMethodsofManufacturingandOperating”的共同待審的美國臨時(shí)專利申請序列第61/XXXXXX號(hào)（代理人案號(hào)TEA-051PROV）,提供附加的信息，并且通過引用將該臨時(shí)專利申請全部內(nèi)容并入本文。示出了離子能量分析器1010的俯視圖，并且離子能量分析器1010可以包括至少一個(gè)具有第二直徑1011的圓形開口。第二直徑1011可以從約10nm至約50nm變化?？刂破?050在圖10中示出，并且信號(hào)總線1055可以用于將控制器1050電耦接到IE傳感器晶圓1000。例如，控制器1050可以使用信號(hào)總線1055與離子能量分析器1010中的一個(gè)或更多個(gè)交換IE相關(guān)數(shù)據(jù)。在一些實(shí)施方式中，離子能量分析器1010可以用于確定入射在浸入等離子體中的射頻（RF）偏置的晶圓/襯底上的離子的離子能量分布（IED）。離子能量分析器1010可以包括暴露于等離子體的入口柵網(wǎng)（未示出）、布置成靠近入口柵網(wǎng)的電子排斥柵網(wǎng)（未示出）、以及布置成靠近電子排斥柵網(wǎng)的離子集電器（未示出）。可以將離子集電器耦接到配置在控制器1050中的離子選擇電壓源，并且配置為通過離子選擇電壓對離子集電器進(jìn)行正偏置；并且可以將電子排斥柵網(wǎng)耦接到配置在控制器1050中的電子排斥電壓源，并且配置為通過電子排斥電壓對電子排斥柵網(wǎng)進(jìn)行負(fù)偏置。另外，可以將配置在控制器1050中的離子電流表耦接到離子集電器來測量離子電流?？梢栽贗E傳感器晶圓1000的上表面上的一個(gè)或更多個(gè)第二位置處對多個(gè)測試芯片1020進(jìn)行可拆裝地耦接，第二位置可以靠近第一位置。例如，測試芯片1020可以包括特征堆疊（505a、506a、507a、505b、506b、507b）中的一個(gè)或更多個(gè)，或者柵堆疊（605a、606a、607a、605b、606b、607b）中的一個(gè)或更多個(gè)。圖11示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的、用于使用IE傳感器晶圓的方法。在1110中，IE傳感器晶圓1000可以位于配置在圖2A至圖2G或圖3A至圖3G所示的IEC蝕刻子系統(tǒng)中IEC處理室（210，圖2；或者310，圖3）中的晶圓保持器（220，圖2；或者320，圖3）上。在1115中，可以在IE傳感器晶圓1000的上表面上的一個(gè)或更多個(gè)第二位置處對一個(gè)或更多個(gè)測試芯片1020進(jìn)行可拆裝地耦接，并且第二位置可以靠近第一位置。例如，測試芯片1020可以包括特征堆疊（505a、506a、507a、505b、506b、507b）中的一個(gè)或更多個(gè)，或者柵堆疊（605a、606a、607a、605b、606b、607b）中的一個(gè)或更多個(gè)。在1120中，可以執(zhí)行（離子能量優(yōu)化）IEO蝕刻制程，其中在IEC處理室（210，圖2；或者310，圖3）中的至少之一中形成（離子能量優(yōu)化）IEO等離子體。在1125中，當(dāng)配置在IE傳感器晶圓1000中的離子能量分析器1010包括離子電流收集器時(shí)，由離子電流收集器接收的離子電流可以通過控制 器1050測量，并且可以將離子電流作為離子選擇柵網(wǎng)上的離子選擇電壓的函數(shù)進(jìn)行存儲(chǔ)。例如，離子電流收集器可以提供對用于測量的離子電流進(jìn)行接收以及對有助于所接收的離子電流的離子進(jìn)行選擇的雙重作用。當(dāng)離子能量分析器1010包括入口柵網(wǎng)時(shí)，可以將入口柵網(wǎng)暴露于浮動(dòng)DC電勢下的等離子體。當(dāng)離子能量分析器1010包括靠近入口柵網(wǎng)的電子排斥柵網(wǎng)時(shí)，可以用負(fù)DC電壓對電子排斥柵網(wǎng)進(jìn)行偏置以排斥來自等離子體的電子。當(dāng)離子能量分析器1010包括靠近電子排斥柵網(wǎng)的離子集電器時(shí)，可以用正DC電壓從控制器1050對離子集電器進(jìn)行偏置以對到達(dá)離子集電器的離子進(jìn)行區(qū)分。當(dāng)形成IEO等離子體時(shí)，可以通過控制器1050測量離子集電器處的一個(gè)或更多個(gè)所選擇的離子電流。例如，可以通過控制器1050將所選擇的離子電流存儲(chǔ)為離子集電器上的正DC電壓的函數(shù)，并且離子集電器上的正DC電壓可以變化。然后，可以通過控制器1050對作為離子選擇電壓的函數(shù)的存儲(chǔ)的離子電流數(shù)據(jù)進(jìn)行積分，以確定與測試電路相關(guān)聯(lián)的IED。在1130中，可以在IEO蝕刻制程期間對處理數(shù)據(jù)進(jìn)行測量和存儲(chǔ)。例如可以將一個(gè)或更多個(gè)處理傳感器（236，圖2）或（336，圖3）耦接到IEC處理室（210，圖2）或（310，圖3）以獲得性能數(shù)據(jù)，并且可以將控制器1050耦接到處理傳感器（236，圖2）或（336，圖3）以接收并分析性能數(shù)據(jù)。在1135中，在已經(jīng)執(zhí)行IEO蝕刻制程之后，可以將測試芯片1020中的一個(gè)或更多個(gè)從IE傳感器晶圓移除。在1140中，在測試芯片1020已經(jīng)從IE傳感器晶圓移除并且已經(jīng)執(zhí)行IEO蝕刻制程之后，可以獲得對于測試芯片1020中的一個(gè)或更多個(gè)的測量數(shù)據(jù)。例如，可以獲得臨界尺寸——掃描電子顯微鏡（CD-SEM）數(shù)據(jù)，可以獲得ODP數(shù)據(jù)，并且可以獲得透射電子顯微鏡（TEM）數(shù)據(jù)。在1145中，可以使用測量數(shù)據(jù)和IE相關(guān)參考數(shù)據(jù)來確定IE相關(guān)差異數(shù)據(jù)。例如，可以從IE相關(guān)數(shù)據(jù)庫獲得IE相關(guān)參考。在1150中，當(dāng)差異數(shù)據(jù)小于或等于與IEO相關(guān)閾值時(shí)，與IEO蝕刻制程相關(guān)聯(lián)的處理配方可以視為經(jīng)驗(yàn)證的IEO處理配方。在1155中，當(dāng)差異數(shù)據(jù)大于與IEO相關(guān)閾值時(shí)，與IEO蝕刻制程相關(guān)聯(lián)的處理配方可以視為未驗(yàn)證IEO處理配方。圖12示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的、第一組離子能量分布（IED） 數(shù)據(jù)。在示出的實(shí)施方式中，示出了第一離子能量分布（IED）數(shù)據(jù)1200，其中相對于用于第一IEO蝕刻制程的能量（eV）繪制測量的IED（A/eV）數(shù)據(jù)1201以及參考IED（A/eV）數(shù)據(jù)1202。對于第一測量的IED曲線1201示出了第一測量上數(shù)據(jù)點(diǎn)1202、第二測量上數(shù)據(jù)點(diǎn)1204以及第三測量上數(shù)據(jù)點(diǎn)1206，并且可以使用測量上數(shù)據(jù)點(diǎn)（1202、1204以及1206）中的一個(gè)或更多個(gè)來表征第一IEO蝕刻制程。例如，可以計(jì)算在測量IED曲線1201上的測量上數(shù)據(jù)點(diǎn)（1202、1204以及1206）與參考曲線1202上的對應(yīng)點(diǎn)之間的第一誤差值，并且第一誤差值中的一個(gè)或更多個(gè)可以用于優(yōu)化和/或表征第一IEO蝕刻制程。對于第一測量IED曲線1201示出了第一測量下數(shù)據(jù)點(diǎn)1212、第二測量下數(shù)據(jù)點(diǎn)1214以及第三測量下數(shù)據(jù)點(diǎn)1216，并且可以使用測量下數(shù)據(jù)點(diǎn)（1212、1214以及1216）中的一個(gè)或更多個(gè)來表征第一IEO蝕刻制程。另外，也可以計(jì)算在測量的IED曲線1201上的測量下數(shù)據(jù)點(diǎn)（1212、1214以及1201）與參考曲線1202上的對應(yīng)點(diǎn)之間的附加的第一誤差值，并且附加的第一誤差值中的一個(gè)或更多個(gè)可以用于優(yōu)化和/或表征第一IEO蝕刻制程。對于第一IED曲線1200示出了測量下差異值1222以及測量上差異值1255，并且可以使用測量差異值（1222和1225）中的一個(gè)或更多個(gè)來表征第一IEO蝕刻制程。例如，可以計(jì)算在測量的IED曲線1201上的測量差值（1222和1225）與參考曲線1202上的對應(yīng)的差值（未示出）之間的第二誤差值，并且第二誤差值中的一個(gè)或更多個(gè)可以用于優(yōu)化和/或表征第一IEO蝕刻制程。對于第一IED曲線1200示出了第一測量的峰數(shù)據(jù)點(diǎn)1231、第二測量的峰數(shù)據(jù)點(diǎn)1232以及測量的峰間隔值1235，并且測量的峰數(shù)據(jù)點(diǎn)（1232和1232）中的一個(gè)或更多個(gè)和/或測量的峰間隔值1235可以用于表征第一IEO蝕刻制程。例如，可以計(jì)算在測量的IED曲線1201上的測量的峰數(shù)據(jù)點(diǎn)（1231和1232）與參考曲線1202上的對應(yīng)點(diǎn)之間的第三誤差值，并且第三誤差值中的一個(gè)或更多個(gè)可以用于優(yōu)化和/或表征第一IEO蝕刻制程。也可以計(jì)算在測量的IED曲線1201上的測量的峰間隔值1235與參考曲線1202上的對應(yīng)峰間隔值之間的附加的第三誤差值，并且附加的第三誤差值中的一個(gè)或更多個(gè)可以用于優(yōu)化和/或表征第一IEO蝕刻制程。對于第一IED曲線1200示出了第一測量的谷數(shù)據(jù)點(diǎn)1250，并且測量的谷數(shù)據(jù)點(diǎn)1250中的一個(gè)或更多個(gè)可以用于表征第一IEO蝕刻制程。例如，可以計(jì)算在測量的IED曲線1201上的測量的谷數(shù)據(jù)點(diǎn)1250與參考 曲線1202上的對應(yīng)谷點(diǎn)之間的第四誤差值，并且第四誤差值中的一個(gè)或更多個(gè)可以用于優(yōu)化和/或表征第一IEO蝕刻制程。另外，對于數(shù)據(jù)點(diǎn)（1202、1204、1206、1212、1214以及1216）、差值（1222、1224以及1226）以及峰數(shù)據(jù)點(diǎn)（1232、1234以及1236）可以計(jì)算平均值，可以計(jì)算閾值，和/或者可以計(jì)算限制值。由于IEC蝕刻工序期間工作時(shí)的機(jī)制，CDDV可以為臨界DV并且可以具有修改測量的相關(guān)聯(lián)的DV。當(dāng)角度變得小于九十度時(shí)，SWA可以是增加敏感性的主要修改項(xiàng)。另外，如果中間CD給出了與最終CD的最精確的相關(guān)性，則可以使用它。中間CD在簡單項(xiàng)中執(zhí)行最佳，原因是其對上CD測量和下CD測量的變化進(jìn)行了平均。CD的第二修改項(xiàng)可以為貫穿整個(gè)晶圓的以及晶圓到晶圓的BARC厚度變化。如果厚度不均勻，則BARC厚度可以影響CD，原因是在BARC蝕刻期間，光刻膠持續(xù)被蝕刻。BARC越薄，可以給出的蝕刻時(shí)間越短，并且BARC越厚，可以給出蝕刻時(shí)間越長，蝕刻時(shí)間越長將導(dǎo)致CD越小。因此，BARC非均勻性可以直接導(dǎo)致中心到邊緣的CD變化的增加，在局部以及最終蝕刻期間，將需要為了控制而對該中心到邊緣的CD變化進(jìn)行建模。另外，可以使用處理傳感器和IE傳感器用于表示預(yù)測的等離子體室狀態(tài)的DV。例如，當(dāng)在不使用調(diào)節(jié)晶圓的情況下對批次（晶圓）進(jìn)行處理時(shí)，可以通過漂移影響室狀態(tài)。有助于室狀態(tài)前饋DV的變化可以包括事件例如：室清洗、部件更換、化學(xué)改變、停機(jī)時(shí)間、調(diào)節(jié)晶圓、室暫停、手動(dòng)調(diào)整、晶圓材料改變以及產(chǎn)品密度改變。可以對處理傳感器和IE傳感器數(shù)據(jù)進(jìn)行過濾和/或限定。例如，可以使用消除未統(tǒng)計(jì)地表現(xiàn)為同一數(shù)目的位點(diǎn)并且可以對剩余位點(diǎn)進(jìn)行平均以表示晶片的物理范圍的盒須算法來過濾測量的DV。可以使用在IEC-MIMO模型優(yōu)化期間建立的MV中的一個(gè)或更多個(gè)來定義IEO過程配方用于IEC蝕刻工序，并且可以使用用于MV的新值來調(diào)整電流處理配方。非線性優(yōu)化可以用于對與蝕刻處理相關(guān)聯(lián)的非線性關(guān)系和約束進(jìn)行處理以通過在每次運(yùn)行之后調(diào)整配方來使IEC蝕刻工序的性能最大化?？梢詫M數(shù)據(jù)前饋至一個(gè)或更多個(gè)優(yōu)化控制器以計(jì)算操縱變量（MV）的值。與每個(gè)控制變量（CV）相關(guān)聯(lián)的非線性模型公式可以與每 個(gè)CV目標(biāo)值一起使用。二次目標(biāo)函數(shù)可以利用加權(quán)因子來優(yōu)先考慮目標(biāo)函數(shù)中的每個(gè)CV項(xiàng)，并且IEC-MIMO中的優(yōu)化器可以用于通過使用非線性程序、用MV的約束使目標(biāo)函數(shù)最小化或最大化，來確定蝕刻配方。在一些實(shí)例中，可以使用調(diào)整的配方處理晶圓中的一個(gè)或更多個(gè)。例如，調(diào)整的配方可以包括來自用于IEC蝕刻工序的優(yōu)化器的優(yōu)化的MV。然后，可以獲得對于處理晶圓中的一個(gè)或更多個(gè)的測量數(shù)據(jù)。例如，可以在晶圓上的一個(gè)或更多個(gè)位點(diǎn)進(jìn)行測量。在執(zhí)行多晶蝕刻（poly-etch）工序之后和/或在執(zhí)行金屬柵蝕刻工序之后，可以使用IM工具測量輸出CV?？梢詫腎EC蝕刻工序獲得的數(shù)據(jù)進(jìn)行過濾和/或限定。另外，可以計(jì)算對于IEC蝕刻工序的處理誤差。例如，可以計(jì)算對于每個(gè)CV的誤差（實(shí)際輸出減去模型輸出）。接下來，可以計(jì)算反饋數(shù)據(jù)項(xiàng)用于IEC蝕刻工序，并且誤差可以用于使用指數(shù)加權(quán)移動(dòng)平均（EWMA）濾波器更新IEC-MIMO模型CV偏移量。然后，可以更新對于IEC蝕刻工序的新模型偏移量，并且可以將這些偏移量值提供到優(yōu)化的控制器以用于補(bǔ)償下一運(yùn)行的干擾。例如，可以使用該偏移量直到新更新被計(jì)算，并且可以執(zhí)行該制程直到處理最終圖案化晶圓為止。當(dāng)使用提前發(fā)送的晶圓時(shí)，可以在IEC蝕刻工序中的中間點(diǎn)獲得IM數(shù)據(jù)。當(dāng)需要新和/或附加的測量數(shù)據(jù)、檢查數(shù)據(jù)和/或評估數(shù)據(jù)時(shí)，可以從晶圓上的一個(gè)或更多個(gè)位點(diǎn)獲得附加的IM數(shù)據(jù)。例如可以在一個(gè)或更多個(gè)位點(diǎn)處測量晶圓上的測量結(jié)構(gòu)（例如周期性柵、周期性陣列和/或其他周期性結(jié)構(gòu)）。在一些實(shí)施方式中，歷史和/或?qū)崟r(shí)數(shù)據(jù)可以包括用于一個(gè)或更多個(gè)晶圓的IE圖、晶圓相關(guān)圖、處理相關(guān)圖、損傷評估圖、參考圖、測量圖、預(yù)測圖、風(fēng)險(xiǎn)圖、檢查圖、驗(yàn)證圖、評估圖、顆粒圖和/或一個(gè)或多個(gè)置信圖。另外，一些IEO蝕刻制程可以使用晶圓圖，晶圓圖可以包括一個(gè)或更多個(gè)適合度（GOF）圖、一個(gè)或更多個(gè)厚度圖、一個(gè)或更多個(gè)柵相關(guān)圖、一個(gè)或更多個(gè)臨界尺寸（CD）圖、一個(gè)或更多個(gè)CD輪廓圖、一個(gè)或更多個(gè)材料相關(guān)圖、一個(gè)或更多個(gè)結(jié)構(gòu)相關(guān)圖、一個(gè)或更多個(gè)側(cè)壁角度圖、一個(gè)或更多個(gè)差別寬度圖或者其組合。當(dāng)形成和/或修改晶圓圖時(shí)，對于整個(gè)晶圓該值可以不計(jì)算并且/或者不要求，并且晶圓圖可以包括用于一個(gè)或更多個(gè)位點(diǎn)、一個(gè)或更多個(gè)芯片/裸片、一個(gè)或更多個(gè)不同區(qū)域和/或一個(gè)或更多個(gè)不同成狀區(qū)域的數(shù)據(jù)。例如，處理室可以具有可以影響在晶圓的一定區(qū)域中的處理結(jié)果的質(zhì)量的 特定特征。另外，制造者可以允許對于在晶圓的一個(gè)或更多個(gè)區(qū)域中的芯片/裸片的次精確處理和/或評估數(shù)據(jù)來使產(chǎn)量最大化。當(dāng)圖中的值接近于限制時(shí)，置信值可以低于當(dāng)圖中的值未接近于限制時(shí)。另外，可以對精確值進(jìn)行加權(quán)用于不同芯片/裸片和/或晶圓的不同區(qū)域。例如，可以將較高的置信加權(quán)分配至與預(yù)先使用的評估位點(diǎn)中的一個(gè)或更多個(gè)相關(guān)聯(lián)的精確度計(jì)算和/或精確度數(shù)據(jù)。另外，可以使用與一個(gè)或更多個(gè)處理相關(guān)聯(lián)的處理結(jié)果圖、測量圖、檢查圖、驗(yàn)證圖、評估圖、和/或預(yù)測圖來計(jì)算用于晶圓的置信圖。例如，可以來自另一個(gè)圖的值作為加權(quán)因子。盡管以上已經(jīng)詳細(xì)地描述了本發(fā)明的僅僅某些實(shí)施方式，但是本領(lǐng)域技術(shù)人員將容易理解，在不實(shí)質(zhì)上脫離本發(fā)明的新穎性教導(dǎo)和優(yōu)點(diǎn)的情況下，本實(shí)施方式的許多修改是可行的。因此，所有這樣的修改意在包括在本發(fā)明的范圍之內(nèi)。因而，描述并非意在限制本發(fā)明，并且在給定此處的詳細(xì)水平理解到本實(shí)施方式的修改和變化是可行的情況下來描述本發(fā)明的構(gòu)造、操作以及特征。因此，前述的詳細(xì)描述不意味著或者并非意在以任意方式限制本發(fā)明，相反，本發(fā)明的范圍由所附權(quán)利要求限定。