用于控制在處理腔室中的多區(qū)域加熱器的溫度的方法及裝置制造方法
【專利摘要】本發(fā)明提供用于控制在處理腔室內(nèi)的多區(qū)域加熱器的溫度的方法與裝置。在一些實施方式中，提供控制多區(qū)域加熱器的方法，所述多區(qū)域加熱器被配置在基板支撐件上，其中所述多區(qū)域加熱器具有第一區(qū)域與第二區(qū)域。在一些實施方式中，所述方法可包括以下步驟：測量在第一時間內(nèi)被第一區(qū)域獲取的電流；測量在第一時間內(nèi)被第一區(qū)域獲取的電壓；根據(jù)在第一時間內(nèi)測量到的被第一區(qū)域獲取的電流與電壓計算出第一區(qū)域的電阻；根據(jù)在第一區(qū)域的電阻與溫度之間的預(yù)定關(guān)系來確定第一區(qū)域的溫度；和調(diào)整第一區(qū)域的溫度以響應(yīng)溫度確定。
【專利說明】用于控制在處理腔室中的多區(qū)域加熱器的溫度的方法及裝
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明的實施方式大體涉及半導(dǎo)體處理以及，更特定而言，涉及用于控制在處理腔室內(nèi)的多區(qū)域加熱器的溫度的方法與裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]在半導(dǎo)體處理系統(tǒng)的處理腔室內(nèi)，基板在被處理時通常由基板支撐件支撐。在許多這些系統(tǒng)中，在一或更多處理步驟期間，基板支撐件會被加熱以提升基板溫度。加熱器通常為電阻絲(resistive wire)線圈或金屬化層(metalized layer)。當(dāng)電流被施加至該絲或該層時加熱器產(chǎn)生熱，產(chǎn)生的熱以傳導(dǎo)方式通過基板支撐件被傳遞至基板。
[0003]在一些情形中，單區(qū)域加熱器被用來加熱基板。使用單區(qū)域加熱器的缺點在于單區(qū)域加熱器的中心通常比單區(qū)域加熱器的外部邊緣溫度更高，這種情況會導(dǎo)致在基板上不均勻的材料沉積。多區(qū)域加熱器能將更均勻的熱提供至基板。然而，多區(qū)域加熱器的缺點在于多區(qū)域加熱器的溫度難以測量與控制，且因此傳遞至基板的熱量便難以測量與控制。例如，一個用以確定多區(qū)域加熱器的外區(qū)域溫度的方法是監(jiān)控傳送至加熱器內(nèi)區(qū)域的功率量，將此功率乘以實驗上計算的功率比，然后將此功率施加在外區(qū)域。然而，此方法的準(zhǔn)確度會受到在半導(dǎo)體處理系統(tǒng)的處理腔室內(nèi)的處理條件改變的影響。
[0004]因此發(fā)明人提供用于控制在處理腔室內(nèi)的多區(qū)域加熱器的溫度的改進(jìn)的方法與
>J-U ρ?α裝直。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]在此提供用于控制在處理腔室內(nèi)的多區(qū)域加熱器的溫度的方法與裝置。在一些實施方式中，提供控制配置于基板支撐件中的多區(qū)域加熱器的方法，其中該多區(qū)域加熱器具有第一區(qū)域與第二區(qū)域。在一些實施方式中，該方法可包括:測量在第一時間被第一區(qū)域獲取的電流；測量在第一時間被第一區(qū)域獲取的電壓；基于在該第一時間測量的被該第一區(qū)域獲取的電流與電壓，計算該第一區(qū)域的電阻；基于該第一區(qū)域的溫度與電阻之間的預(yù)定關(guān)系，確定該第一區(qū)域的溫度；和調(diào)整該第一區(qū)域的溫度以響應(yīng)所作的溫度確定。
[0006]根據(jù)本發(fā)明的至少一些實施方式的裝置可包括:配置于基板支撐件中的多區(qū)域加熱器；電源，該電源提供第一功率饋送至該多區(qū)域加熱器的第一區(qū)域，且提供第二功率饋送至該多區(qū)域加熱器的第二區(qū)域；電阻測量器件，該電阻測量器件耦合至該第一功率饋送以同步測量被該第一區(qū)域獲取的電流與電壓；和控制器，該控制器耦合至該電源和該電阻測量器件以響應(yīng)從該電阻測量器件接收的數(shù)據(jù)來控制該電源。
[0007]其他實施方式與其他實施方式的變化將在下面討論。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0008]為了能詳細(xì)地理解本發(fā)明的上述特征，通過參考實施方式(其中一些圖示在附圖中)，可以得到上文所簡要概括的本發(fā)明的更為具體的描述。然而，應(yīng)注意的是附圖僅圖示本發(fā)明的典型實施方式且因此附圖不應(yīng)被視為對本發(fā)明范圍的限制，因為本發(fā)明可允許其他等效的實施方式。
[0009]圖1描述一種根據(jù)本發(fā)明的一些實施方式的控制在處理腔室內(nèi)的多區(qū)域加熱器的溫度的方法。
[0010]圖2A描述根據(jù)本發(fā)明的一些實施方式的多區(qū)域加熱器的截面平面圖。
[0011]圖2B描述根據(jù)本發(fā)明的一些實施方式的在基板支撐件內(nèi)的多區(qū)域加熱器的側(cè)視示意圖。
[0012]圖3描述根據(jù)本發(fā)明的一些實施方式的可用于實施圖1所述方法的各部分的示例性化學(xué)氣相沉積(“CVD”)反應(yīng)器的示意圖。
[0013]為了幫助理解，盡可能使用相同的標(biāo)記數(shù)字來表示在各圖中共用的相同元件。圖未按比例繪制且可為了清楚而簡化。需了解的是，一些實施方式的元件與特征可有益地合并到其他實施方式中而無須進(jìn)一步詳述。
【具體實施方式】
[0014]本發(fā)明的實施方式提供用于控制在處理腔室內(nèi)的多區(qū)域加熱器的溫度的方法與裝置。本發(fā)明的至少一些實施方式可有利地提供一種靈活性，以在處理期間在基板上具有中心低溫分布(profile)或中心高溫分布。
[0015]圖1為方法100的一個實施方式的流程圖，方法100用于控制在處理腔室內(nèi)的多區(qū)域加熱器的溫度。圖2A描述根據(jù)本發(fā)明的一些實施方式的多區(qū)域加熱器的截面頂視圖。圖2B描述根據(jù)本發(fā)明的一些實施方式的在基板支撐件內(nèi)的多區(qū)域加熱器的側(cè)視示意圖。圖3描述根據(jù)本發(fā)明的一些實施方式的可用于實施圖1所述方法的各部分的示例性化學(xué)氣相沉積(“CVD”)反應(yīng)器的示意圖。
[0016]方法100從步驟102開始，步驟102即測量在第一時間內(nèi)多區(qū)域加熱器的第一區(qū)域所獲取的電流。此外，如步驟104所示，多區(qū)域加熱器的第一區(qū)域所獲取的電壓亦在第一時間內(nèi)被測量。
[0017]在一些實施方式中，如圖2A所示，多區(qū)域加熱器200具有加熱器元件，這些加熱器元件被布置在至少第一區(qū)域202與第二區(qū)域204中。在一些實施方式中，如圖2B所示，第一區(qū)域202與第二區(qū)域204被配置在基板支撐件206內(nèi)，且第一區(qū)域202與第二區(qū)域204被連接至電源208。在一些實施方式中，如圖2A、2B所示，第一區(qū)域202為外區(qū)域而第二區(qū)域204為被配置在所述外區(qū)域內(nèi)的內(nèi)區(qū)域。內(nèi)區(qū)域與外區(qū)域?qū)嵸|(zhì)上可對應(yīng)于將被基板支撐件206支撐在上面的基板的內(nèi)部與外部。在一些實施方式中，電源208為約190V至約240V的交流(AC)電源，或約208V的交流電源。其他尺寸的電源亦可根據(jù)裝置的應(yīng)用與設(shè)計而使用。在一些實施方式中，交流電源208在60赫茲周期下運轉(zhuǎn)。在一些實施方式中，如圖2B所示，電源208將第一功率饋送216供應(yīng)至第一區(qū)域202，且電源208將第二功率饋送218供應(yīng)至第二區(qū)域204。在一些實施方式中，使用熱電耦212測量第二區(qū)域204的溫度。熱電耦212被連接到控制器210 (將在以下對應(yīng)圖3更詳細(xì)地描述)，控制器210被進(jìn)一步連接到電源208。
[0018]可使用電阻測量器件214測量由第一區(qū)域202所獲取的電流與電壓，該電阻測量器件214能同時測量電流與電壓，例如在第一時間。在此所使用的“同時”或“在第一時間”包括在彼此間隔至多約110毫秒的時間范圍內(nèi)完成的測量。在一些實施方式中，電阻測量器件214可為高頻霍爾效應(yīng)(Hall effect)電流傳感器(例如具有約200kHz或更高采樣速率)以捕捉被傳送至第一區(qū)域202的瞬時電流，和施加至第一區(qū)域202的電壓。例如，
在一些實施方式中，電阻測量器件214可為PQiibe?電能在線監(jiān)測儀(PQube?line of
power monitors)之一,該監(jiān)測儀可向位于加州阿拉米達(dá)市的電力標(biāo)準(zhǔn)實驗室(PSL) (PowerStandardsLab (PSL), of Alameda, California)購買。
[0019]在一些實施方式中，電阻測量器件214耦合至第一功率饋送216以測量被第一區(qū)域202獲取的電流與電壓。在一些實施方式中，取得被第一區(qū)域202獲取的電流與電壓的多組測量值。例如對于電源208的每個周期，可取得第一區(qū)域202獲取的電流與電壓的多組測量值，其中每一組測量值包括同時取得的電壓測量值與電流測量值(例如在彼此間隔約110毫秒之內(nèi))。在一些實施方式中，對電源208的每個周期取得256個被第一區(qū)域202獲取的電流與電壓的測量值。
[0020]電阻測量器件214亦可耦合至控制器210。在一些實施方式中，控制器210可檢測第一區(qū)域202的16毫歐姆的電阻變化，該16毫歐姆的電阻變化相當(dāng)于第一區(qū)域202的I攝氏度的溫度變化。在一些實施方式中，電阻測量器件214與控制器210可整合在一起(例如，可將兩者提供在同一殼體或器件中)。
[0021]在步驟106，可計算第一區(qū)域202的電阻。該電阻可利用歐姆定律計算出來，歐姆定律提出電阻等于電壓除以電流(R=V/I)。在一些實施方式中，可每100至110毫秒計算電阻值。在一些實施方式中，在各個電阻值的再計算之間可設(shè)定更長的一段時間，然而，提供更快的再計算有利于促進(jìn)更快地確定溫度，而這對在較短的處理期間準(zhǔn)確地確定溫度可能是關(guān)鍵的，該較短的處理可具有短到約5秒的持續(xù)時間。在一些實施方式中，可在第一時間的約100毫秒之內(nèi)計算電阻值(例如在測量電流與電壓的約100毫秒之內(nèi))。發(fā)明人已發(fā)現(xiàn)在確定計算電阻所需的電壓的rms值(均方根)上，來自設(shè)施的供電電壓為主要因素。在一些設(shè)施中，供電電壓可為208V交流電壓,但不同的設(shè)施(例如在不同國家)可具有不同的供電電壓。因此，發(fā)明人已提供了在監(jiān)控電流時同時監(jiān)控供電電壓的技術(shù)，以更準(zhǔn)確地計算加熱器區(qū)域的電阻。
[0022]在步驟108，可基于第一區(qū)域202的溫度與電阻的預(yù)定關(guān)系確定第一區(qū)域202的溫度。電流與電壓必須都在第一時間測量以保證計算的電阻值的準(zhǔn)確度。因加熱器的電阻與加熱器的溫度以線性關(guān)系直接相關(guān)，故電阻計算的準(zhǔn)確度亦與溫度確定的準(zhǔn)確度直接相關(guān)。在一些實施方式中，第一區(qū)域202的電阻能用來將第一區(qū)域202的溫度關(guān)聯(lián)到在約
0.5°C之內(nèi)的準(zhǔn)確度。在一些實施方式中，可憑經(jīng)驗或通過建模確定第一區(qū)域202的電阻與溫度之間的預(yù)定關(guān)系。在一些實施方式中，通過將第一區(qū)域202達(dá)到所期望的溫度且測量第一區(qū)域202的電阻而憑經(jīng)驗確定第一區(qū)域202的電阻與溫度之間的預(yù)定關(guān)系。亦可記錄一段溫度范圍內(nèi)的電阻測量值。在一些實施方式中，可使第一區(qū)域202達(dá)到所期望的溫度而使第二區(qū)域204亦達(dá)到所期望的溫度(與第一區(qū)域202的所期望的溫度相同或不同)。
[0023]例如，在一些實施方式中，方法100可在如圖3所示的化學(xué)氣相沉積腔室中進(jìn)行，具有諸如壓力與氣體流量的變化的處理參數(shù)，這些變化的處理參數(shù)可引起第一區(qū)域202的溫度的震蕩。在這些實施方式中，電阻能用來將第一區(qū)域202的溫度關(guān)聯(lián)到在2.5°C之內(nèi)的準(zhǔn)確度。對多區(qū)域加熱器的控制水平允許產(chǎn)生與傳統(tǒng)方法相比更恒定的遍及基板的溫度分布。此外，在因為熱膨脹與收縮而使這些區(qū)域?qū)嶓w上改變位置的實施方式中，利用電阻計算來確定區(qū)域的溫度可有利地使能夠或促進(jìn)更準(zhǔn)確的區(qū)域溫度測量與操作。例如，在傳統(tǒng)的裝置中，可使用熱電耦測量加熱器的溫度。然而，具有內(nèi)區(qū)域與外區(qū)域的傳統(tǒng)的雙區(qū)域加熱器結(jié)構(gòu)的缺點在于，由于在操作期間外區(qū)域的熱位移而使熱電耦不能被置于外區(qū)域。
[0024]在步驟110，可調(diào)整第一區(qū)域202的溫度以響應(yīng)溫度確定，該溫度確定基于第一區(qū)域202的電阻與溫度之間的預(yù)定關(guān)系。在一些實施方式中，可將第一區(qū)域202的溫度降低至比第二區(qū)域204的溫度更低，例如，以模仿單區(qū)域加熱器?；蛘?，可將第一區(qū)域202的溫度升至比第二區(qū)域204的溫度更高。在一些實施方式中，可調(diào)整第一區(qū)域202的溫度以維持第一區(qū)域202與第二區(qū)域204之間的溫度差。例如，在一些實施方式中，可將第二區(qū)域204維持在比第一區(qū)域202更高的溫度，例如，溫差最多可達(dá)約40度(溫度高40度)。在一些實施方式中，可將第二區(qū)域204維持在比第一區(qū)域202更低的溫度，例如，溫差最多可達(dá)約15度(溫度低15度)。在一些實施方式中，可將第一區(qū)域202加熱至第一溫度，例如約200°C，且一旦達(dá)到第一溫度，可將第二區(qū)域204加熱至所期望的第二溫度。在一些實施方式中，一旦將第二區(qū)域204加熱至所期望的第二溫度，可將第一與第二區(qū)域202、204 —同傾斜升溫(ramp up)至所期望的第三溫度。
[0025]因此，使用上述方法的實施方式，本發(fā)明有利地提供靈活性以將多區(qū)域加熱的基板支撐件的溫度分布(并因此將配置在該基板支撐件上的基板的溫度分布)控制為均勻的，或為可控制的非均勻的。例如，在一些實施方式中，可提供均勻的熱分布?；蛘?，可提供中心低溫分布或中心高溫分布。
[0026]圖3描述一個示例性化學(xué)氣相沉積反應(yīng)器300的示意圖，該反應(yīng)器可被用來實施圖1的方法100的各部分。在圖3所示的實施方式中，反應(yīng)器300包括處理腔室301、泵送系統(tǒng)338、氣體控制板(gas panel) 336、電源208和控制器210。
[0027]處理腔室301通常包括上組件303、底組件308和基板支撐件升降組件。上組件303通常包括蓋310，該蓋310具有進(jìn)氣口 334和噴淋頭344。底組件308容納基板支撐件底座324且底組件308包括具有壁306的腔室主體302?；宄鋈肟?328形成于腔室主體302內(nèi)以使基板322容易進(jìn)出處理腔室301?；逯渭到M件被耦合至基板支撐件底座324且基板支撐件升降組件包括升降機構(gòu)330、升降板318和一組升降銷314。
[0028]基板支撐件底座324被配置于處理腔室301的內(nèi)部容積304內(nèi)，且基板支撐件底座324在處理期間支撐基板322?；逯渭鬃?24包括加熱器320，加熱器320被配置以調(diào)節(jié)基板322的溫度和/或內(nèi)部容積304內(nèi)的溫度。加熱器320被耦合至電源208。加熱器320具有第一區(qū)域202和第二區(qū)域204。電源208提供第一電力饋送216至第一區(qū)域202且提供第二功率饋送218至第二區(qū)域204。電阻測量器件214被耦合至第一功率饋送216以測量第一區(qū)域202獲取的電流與電壓。
[0029]噴淋頭344通過多個開孔354提供對從氣體控制板336輸送的氣體或蒸汽的分配。開孔354的尺寸、幾何形狀、數(shù)量和位置可選擇性選取以促進(jìn)流向基板322的氣體/蒸汽流的預(yù)先確定的模式。
[0030]氣體控制板336將液態(tài)和/或氣態(tài)形式的處理化學(xué)品提供至處理腔室301。使用多個氣體管線340將氣體控制板336耦合至蓋310。每一個氣體管線340可選擇性地適于將特定的化學(xué)品從氣體控制板336傳送至進(jìn)氣口 334，每一個氣體管道340也可為溫度可控的。
[0031]在操作中，基板支撐件升降組件330控制底座324在處理位置(如圖3所示)與較低位置之間的升降，基板322可從該較低位置通過基板出入口 328被傳送進(jìn)和傳送出處理腔室301。利用柔性波紋管(flexible bellow) 332密封地將基板支撐件升降組件耦合至腔室主體302，且基板支撐件升降組件被選擇性地配置成用以旋轉(zhuǎn)基板支撐件底座324。
[0032]壁306可為熱調(diào)節(jié)的。在一個實施方式中，多個導(dǎo)管312被配置于壁306中且多個導(dǎo)管312被配置成將調(diào)節(jié)壁溫度的熱傳遞流體加以循環(huán)。
[0033]將泵送系統(tǒng)338耦合至形成于壁306中的泵口 326。泵送系統(tǒng)338通常包括節(jié)流閥與一個或更多個泵，這些泵被安置成控制內(nèi)部容積304內(nèi)的壓力。從處理腔室301流出的氣體被引導(dǎo)通過泵送環(huán)342以提高遍及基板322表面的氣流的均勻性。一種這樣的泵送環(huán)被描述在于2004年10月4日由Iyer等人申請的專利申請?zhí)枮?0/911208的美國專利中，該專利申請案的名稱為“在單晶片腔室中使用雙(叔丁基氨基)硅烷的氮化硅的熱化學(xué)氣相沉積(Thermal Chemical Vapor Deposition of Silicon Nitride Using BTBASBis (Tertiary-Butylamino Silane) in a Single wafer Chamber)，，。
[0034]在另一個可替代的實施方式中(未示)，反應(yīng)器300可包括光激發(fā)系統(tǒng)，該光激發(fā)系統(tǒng)通過蓋310中的窗將輻射能量傳送至基板322，反應(yīng)器300也可包括耦合至進(jìn)氣口 334的遠(yuǎn)程等離子體源。
[0035]控制器210通常包括中央處理單元(CPU) 350、存儲器343和支持電路352，且控制器210被耦合至反應(yīng)器300并且控制反應(yīng)器300的模塊與裝置。在操作中，控制器210直接控制反應(yīng)器300的模塊與裝置，或者，控制器210管理與這些模塊和裝置相關(guān)聯(lián)的計算機(和/或控制器)。在一些實施方式中，控制器210基于由電阻測量器件214測量的并且由第一區(qū)域202獲取的電壓與電流而計算出的電阻值，通過調(diào)整從電源208饋送至第一區(qū)域202的第一功率饋送216來調(diào)整第一區(qū)域202的溫度。
[0036]因此，在此已提供一種用于處理基板的方法與裝置，該方法與裝置提供在處理腔室內(nèi)的多區(qū)域加熱器的被改進(jìn)的溫度控制。被改進(jìn)的溫度控制可促進(jìn)對依賴溫度的基板處理的改進(jìn)的控制。例如，被改進(jìn)的溫度均勻性可促進(jìn)基板處理的改善，比如蝕刻、沉積或其他可受益于溫度均勻性的處理。此外，本發(fā)明的實施方式有利地提供靈活性，以具有非均勻的溫度分布，比如中心低溫分布或中心高溫分布。
[0037]即使前述內(nèi)容針對本發(fā)明的實施方式，但在不偏離本發(fā)明的基本保護范圍的情形下，可設(shè)計出本發(fā)明的其他和進(jìn)一步的實施方式。
【權(quán)利要求】
1.一種裝置，所述裝置包括: 多區(qū)域加熱器，所述多區(qū)域加熱器配置于基板支撐件中； 電源，所述電源提供第一功率饋送至所述多區(qū)域加熱器的第一區(qū)域，且所述電源提供第二功率饋送至所述多區(qū)域加熱器的第二區(qū)域； 電阻測量器件，所述電阻測量器件耦合至所述第一功率饋送以測量所述第一區(qū)域獲取的電流與電壓，所述測量彼此間隔至多約110毫秒內(nèi)；及 控制器，所述控制器耦合至所述電源和所述電阻測量器件以響應(yīng)從所述電阻測量器件接收的數(shù)據(jù)來控制所述電源。
2.如權(quán)利要求1所述的裝置，其中所述電源為約190V至約240V的交流電源。
3.如權(quán)利要求1所述的裝置，其中所述多區(qū)域加熱器包括內(nèi)區(qū)域與外區(qū)域，所述內(nèi)區(qū)域與所述外區(qū)域分別對應(yīng)于基板的中心部與外圍部，所述基板由基板支撐件支撐，且其中所述外區(qū)域為所述多區(qū)域加熱器的所述第一區(qū)域，且所述內(nèi)區(qū)域為所述多區(qū)域加熱器的所述第二區(qū)域。
4.如權(quán)利要求1至3中的任一項所述的裝置，其中所述電阻測量器件包括霍爾效應(yīng)電流傳感器，所述霍爾效應(yīng)電流傳感器具有約200千赫茲或更高的采樣速率。
5.如權(quán)利要求1至3中的任一項所述的裝置，其中所述電源為交流電源，且其中所述電阻測量器件能對所述電源的每周期獲得多組被所述第一區(qū)域獲取的電壓與電流的測量值。
6.如權(quán)利要求1 至3中的任一項所述的裝置，其中所述電源為交流電源，其中所述電阻測量器件能對所述電源的每周期獲得至少256組被所述第一區(qū)域獲取的電壓與電流的測量值。
7.如權(quán)利要求1至3中的任一項所述的裝置，其中所述控制器能檢測所述第一區(qū)域中電阻的16毫歐姆(milliohm)的變化。
8.—種控制多區(qū)域加熱器的方法，所述多區(qū)域加熱器被配置在基板支撐件內(nèi)，所述多區(qū)域加熱器具有第一區(qū)域與第二區(qū)域，所述方法包括: 在第一時間測量電流，所述電流被所述第一區(qū)域獲取； 在所述第一時間測量電壓，所述電壓被所述第一區(qū)域獲取； 基于在所述第一時間測量的被所述第一區(qū)域獲取的電流與電壓，計算所述第一區(qū)域的電阻； 基于所述第一區(qū)域的溫度與所述電阻之間的預(yù)定關(guān)系，確定所述第一區(qū)域的溫度；及 調(diào)整所述第一區(qū)域的溫度以響應(yīng)溫度確定。
9.如權(quán)利要求8所述的方法，其中計算所述第一區(qū)域的電阻、確定所述第一區(qū)域的溫度和調(diào)整所述第一區(qū)域的溫度發(fā)生在第二時間，所述第二時間在間隔所述第一時間約100毫秒(ms)之內(nèi)。
10.如權(quán)利要求8所述的方法，進(jìn)一步包括: 測量所述第二區(qū)域的溫度；及 調(diào)整所述第二區(qū)域的溫度以響應(yīng)所述測量。
11.如權(quán)利要求8至10中的任一項所述的方法，其中所述多區(qū)域加熱器與交流電源相連接，且其中對所述電源的每周期獲得多組被所述第一區(qū)域獲取的電流與電壓的測量值，其中每一組測量值包括同時獲得的電壓的測量值與電流的測量值。
12.如權(quán)利要求8至10中的任一項所述的方法，其中所述第一區(qū)域為外區(qū)域而所述第二區(qū)域為配置在所述外區(qū)域內(nèi)的內(nèi)區(qū)域，且其中在所述第二區(qū)域被加熱前所述第一區(qū)域被加熱到所期望的溫度。
13.如權(quán)利要求8至10中的任一項所述的方法，其中所述第一區(qū)域為外區(qū)域而所述第二區(qū)域為配置在所述外區(qū)域內(nèi)的內(nèi)區(qū)域，且其中熱電偶被耦合至所述第二區(qū)域以測量所述第二區(qū)域的溫度。
14.如權(quán)利要求8至10中的任一項所述的方法，其中將所述第一區(qū)域的電阻與所述第一區(qū)域的溫度相關(guān)聯(lián)進(jìn)一步包括:將所述第一區(qū)域的電阻與所述第一區(qū)域的溫度相關(guān)聯(lián)而達(dá)到約0.5 °C之內(nèi)的準(zhǔn)確度。
15.如權(quán)利要求8至10中的任一項所述的方法，其中所述多區(qū)域加熱器的所述第一區(qū)域的溫度被調(diào)整成具有在約2.5 °`C之內(nèi)的準(zhǔn)確度。
【文檔編號】H01L21/683GK103563065SQ201280023374
【公開日】2014年2月5日 申請日期:2012年5月17日 優(yōu)先權(quán)日:2011年5月20日
【發(fā)明者】哈里·基肖爾·安巴拉, 尤緯·保羅·哈勒, 周建華 申請人:應(yīng)用材料公司