輻射線檢測器的制造方法以及輻射線檢測器的制造方法
【專利摘要】在腔室(31)內(nèi)收納石墨基板(11)并通過泵(P)進行真空抽吸。接著，通過在真空中加熱炭使炭中的雜質(zhì)蒸發(fā)從而將炭進行純化。通過將石墨基板(11)的炭進行純化，能夠?qū)⑹?11)的炭所含有的半導體層的施主/受主元素、以及金屬元素的雜質(zhì)抑制到0.1ppm以下。其結(jié)果，能夠抑制漏電流、異常漏點的產(chǎn)生、抑制半導體層中的晶體的異常生長。
【專利說明】輻射線檢測器的制造方法以及輻射線檢測器
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及醫(yī)療領(lǐng)域、工業(yè)領(lǐng)域、以及原子能領(lǐng)域等中使用的輻射線檢測器的制造方法以及輻射線檢測器。
【背景技術(shù)】
[0002]以往，研究和開發(fā)了各種半導體材料、特別是CdTe (碲化鎘)或CdZnTe (碲化鎘鋅)的晶體，作為高靈敏度的輻射線檢測器的材料，并且一部分制成了產(chǎn)品。在這種輻射線檢測器中，對以CdTe或CdZnTe形成的半導體層施加偏置電壓并取出信號，但是能夠通過在支承基板中采用具有導電性的石墨基板，來省略電壓施加電極用的共用電極(例如參照專利文獻 1、2)。
[0003]現(xiàn)有技術(shù)文獻
[0004]專利文獻
[0005]專利文獻1:日本特開2008-71961號公報
[0006]專利文獻2:日本特開2005-012049號公報

【發(fā)明內(nèi)容】

[0007]發(fā)明要解決的問題
[0008]然而，如果在上述的以CdTe或CdZnTe形成的半導體層中存在雜質(zhì)則電阻值會下降，導致漏電流的増加、異常漏點等的產(chǎn)生。另外，也會導致半導體層中的晶體的異常生長。
[0009]本發(fā)明鑒于上述情況而進行，其目的在于提供一種能夠抑制漏電流、異常漏點的產(chǎn)生并抑制半導體層中的晶體的異常生長的輻射線檢測器的制造方法以及輻射線檢測器。
[0010]用于解決問題的方案
[0011]發(fā)明人等為了解決上述問題而深入研究，結(jié)果獲得下述那樣的見解。
[0012]S卩，為了解決上述問題，為了抑制在半導體層中摻雜(添加)的半導體層的施主/受主元素的雜質(zhì)，以往抑制半導體層所含的雜質(zhì)。另一方面，獲得如下見解:在石墨基板的情況下，在由于基于人工或天然的石墨(graphite)而形成而未實施純化處理的情況下，含有可檢測程度的Al、B、Ca、Cr、Cu、Fe、K、Mg、Mn、Na、N1、S1、T1、V等雜質(zhì),但未對石墨基板實施任何處置。在石墨基板與半導體層之間隔著阻擋層或者在石墨基板上直接層疊半導體層，即使抑制了半導體層中所含的雜質(zhì)，也有可能雜質(zhì)從石墨基板側(cè)摻雜到半導體層中。
[0013]基于這樣的見解，本發(fā)明采用下述那樣的構(gòu)成。
[0014]S卩，本發(fā)明所涉及的輻射線檢測器的制造方法為制造具備半導體層和電壓施加電極用的石墨基板的輻射線檢測器的方法，其中，所述半導體層因輻射線的入射而將輻射線的信息轉(zhuǎn)換成為電荷信息，且以CdTe (碲化鎘)或CdZnTe (碲化鎘鋅)來形成，所述電壓施加電極用的石墨基板對該半導體層施加偏置電壓，且兼用作支承基板，該制造方法的特征在于，將作為前述石墨基板的主構(gòu)成元素的炭進行純化。
[0015][作用/效果]根據(jù)本發(fā)明所涉及的輻射線檢測器的制造方法，通過將石墨基板的炭進行純化，能夠抑制石墨基板的炭所含有的半導體層的施主/受主元素、以及金屬元素的雜質(zhì)。其結(jié)果，還能夠抑制從石墨基板側(cè)向半導體層擴散的雜質(zhì)(施主/受主元素、金屬元素)。因而，能夠抑制由半導體層中摻雜的施主/受主元素引起的漏電流、異常漏點的產(chǎn)生，抑制由半導體層中摻雜的金屬元素引起的半導體層中的晶體的異常生長。
[0016]作為將炭進行純化的一例，通過加熱炭來進行純化。在該例的情況下，能夠?qū)⑹逯械碾s質(zhì)通過加熱除去。作為加熱的一例，通過在真空中加熱炭使炭中的雜質(zhì)蒸發(fā)從而將炭進行純化。作為加熱的另一例，通過在供給氣體的狀態(tài)下加熱炭來將炭進行純化。
[0017]另外，作為將炭進行純化的另一例，通過洗滌炭來進行純化。在該例的情況下，能夠?qū)⑹宓谋砻娴碾s質(zhì)通過洗滌除去。此外，可以將加熱炭的一例與洗滌炭的一例兩者組合。
[0018]另外，本發(fā)明所涉及的輻射線檢測器具備半導體層和電壓施加電極用的石墨基板，其中，所述半導體層因輻射線的入射而將輻射線的信息轉(zhuǎn)換成為電荷信息，且以CdTe(碲化鎘)或CdZnTe (碲化鎘鋅)來形成，所述電壓施加電極用的石墨基板對該半導體層施加偏置電壓，且兼用作支承基板，該輻射線檢測器的特征在于，前述石墨基板的炭所含有的前述半導體層的施主/受主元素的雜質(zhì)為0.1ppm以下。
[0019][作用/效果]根據(jù)上述的本發(fā)明所涉及的輻射線檢測器的制造方法，通過將石墨基板的炭進行純化，能夠?qū)崿F(xiàn)使石墨基板的炭所含有的半導體層的施主/受主元素的雜質(zhì)為0.1ppm以下的輻射線檢測器。其結(jié)果，能夠抑制漏電流、異常漏點的產(chǎn)生。
[0020]在本發(fā)明所涉及的輻射線檢測器中，炭所含有的金屬元素的雜質(zhì)優(yōu)選為0.1ppm以下。當半導體層中摻雜有金屬元素時有可能形成晶核，從而引起半導體層中的晶體的異常生長。因此，通過將石墨基板的炭進行純化，能夠?qū)崿F(xiàn)使石墨基板的炭所含有的金屬元素的雜質(zhì)也為0.1ppm以下的輻射線檢測器。其結(jié)果，能夠抑制半導體層中的晶體的異常生長。
[0021]發(fā)明的效果
[0022]根據(jù)本發(fā)明所涉及的輻射線檢測器的制造方法，通過將石墨基板的炭進行純化，能夠抑制漏電流、異常漏點的產(chǎn)生，抑制半導體層中的晶體的異常生長。
[0023]另外，根據(jù)本發(fā)明中的輻射線檢測器的制造方法，通過將石墨基板的炭進行純化，能夠?qū)崿F(xiàn)使石墨基板的炭所含有的半導體層的施主/受主元素的雜質(zhì)為0.1ppm以下的輻射線檢測器。此外，能夠?qū)崿F(xiàn)使石墨基板的炭所含有的金屬元素的雜質(zhì)也為0.1ppm以下的輻射線檢測器。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0024]圖1為示出實施例所涉及的輻射線檢測器的石墨基板側(cè)的構(gòu)成的縱截面圖。
[0025]圖2為示出實施例所涉及的輻射線檢測器的讀取基板側(cè)的構(gòu)成的縱截面圖。
[0026]圖3為示出讀取基板以及外圍電路的構(gòu)成的電路圖。
[0027]圖4為將實施例所涉及的石墨基板側(cè)的構(gòu)成與讀取基板側(cè)的構(gòu)成貼合時的縱截面圖。
[0028]圖5為在真空中加熱由炭形成的石墨基板時的不意圖。
[0029]圖6為在供給氣體的狀態(tài)下加熱由炭形成的石墨基板時的示意圖。實施例
[0030]以下，參照附圖對本發(fā)明的實施例進行說明。
[0031]圖1為示出實施例所涉及的輻射線檢測器的石墨基板側(cè)的構(gòu)成的縱截面圖，圖2為示出實施例所涉及的輻射線檢測器的讀取基板側(cè)的構(gòu)成的縱截面圖，圖3為示出讀取基板以及外圍電路的構(gòu)成的電路圖，圖4為將實施例所涉及的石墨基板側(cè)的構(gòu)成與讀取基板側(cè)的構(gòu)成貼合時的縱截面圖。
[0032]輻射線檢測器如圖1?圖4所示那樣大致分為石墨基板11和讀取基板21。如圖1、圖4所示那樣在石墨基板11上按電子阻擋層12、半導體層13、空穴阻擋層14的順序?qū)盈B形成。如圖2、圖4所示那樣在讀取基板21上具有后述的像素電極22，并圖案形成有電容器23、薄I旲晶體管24等(在圖2中僅圖不讀取基板21、像素電極22)。石墨基板11相當于本發(fā)明中的石墨基板，半導體層13相當于本發(fā)明中的半導體層。
[0033]如圖1所示那樣石墨基板11兼用作支承基板和電壓施加電極。即，通過對半導體層13施加偏置電壓(在實施例中為-0.?ν/μπι--ν/μπι的負的偏置電壓)，以兼用作支承基板和電壓施加電極的石墨基板11構(gòu)筑了本實施例所涉及的福射線檢測器。石墨基板11由導電性碳石墨的板材形成，使用將燒成條件調(diào)整成與半導體層13的熱膨脹系數(shù)一致而得到的平坦的板材(厚度約2mm)。
[0034]半導體層13因輻射線(例如X射線)的入射而將輻射線的信息轉(zhuǎn)換成電荷信息(載流子)。關(guān)于半導體層13 ，使用以CdTe (碲化鎘)或CdZnTe (碲化鎘鋅)形成的多晶膜。此夕卜，關(guān)于這些半導體層13的熱膨脹系數(shù)，CdTe為約5ppm/deg，CdZnTe依據(jù)Zn濃度取它們的中間值。
[0035]關(guān)于電子阻擋層12，使用ZnTe、Sb2S3、Sb2Te3等的P型半導體，關(guān)于空穴阻擋層14，使用CdS、ZnS、ZnO、Sb2S3等的N型或者超高電阻半導體。此外，在圖1、圖4中連續(xù)地形成空穴阻擋層14，但在空穴阻擋層14的膜電阻低的情況下，可以與像素電極22對應地分開形成。此外，在與像素電極22對應地分開形成空穴阻擋層14的情況下，在將石墨基板11與讀取基板21貼合時，需要使空穴阻擋層14與像素電極22的位置對準。另外，如果輻射線檢測器在特性上沒有問題，則可以省略電子阻擋層12、空穴阻擋層14中的任一方或者兩者。
[0036]如圖2所示那樣讀取基板21在后述的電容器23的電容電極23a (參考圖4)的位置處(像素區(qū)域)，通過導電性材料(導電糊劑，各向異性導電性膜(ACF)，各向異性導電性糊劑等)在與石墨基板11貼合時進行凸點連接，由此在該位置處形成像素電極22。這樣按照每個像素形成像素電極22，讀取在半導體層13中轉(zhuǎn)換得到的載流子。關(guān)于讀取基板21，使用玻璃基板。
[0037]如圖3所示那樣讀取基板21按每個像素分開地圖案形成作為電荷蓄積電容的電容器23和作為開關(guān)元件的薄膜晶體管24。此外，在圖3中，僅示出了 3X3像素，實際上使用與二維輻射線檢測器的像素數(shù)相匹配的尺寸(例如1024X1024像素)的讀取基板21。
[0038]如圖4所示那樣在讀取基板21的表面層疊形成電容器23的電容電極23a和薄膜晶體管24的柵電極24a，并用絕緣層25覆蓋。在該絕緣層25上，以隔著絕緣層25與電容電極23a相對的方式層疊形成電容器23的基準電極23b，層疊形成薄膜晶體管24的源電極24b以及漏電極24c，除了像素電極22的連接部分之外的部分用絕緣層26覆蓋。此外，電容電極23a與源電極24b互相電連接。如圖4那樣將電容電極23a以及源電極24b—體地同時形成即可?；鶞孰姌O23b接地。關(guān)于絕緣層25、26，使用例如等離子體SiN。
[0039]如圖3所示那樣柵極線27與圖4中示出的薄膜晶體管24的柵電極24a電連接，數(shù)據(jù)線28與圖4中示出的薄膜晶體管24的漏電極24c電連接。柵極線27沿各個像素的行方向分別延伸，數(shù)據(jù)線28沿各個像素的列方向分別延伸。柵極線27與數(shù)據(jù)線28互相正交。使用半導體薄膜制造技術(shù)、微細加工技術(shù)在由玻璃基板形成的讀取基板21的表面，圖案形成包括這些柵極線27、數(shù)據(jù)線28在內(nèi)的電容器23、薄膜晶體管24、絕緣層25、26。
[0040]此外，如圖3所示那樣在讀取基板21的周圍具備柵極驅(qū)動電路29和讀取電路30。柵極驅(qū)動電路29與沿各行延伸的柵極線27分別電連接，依次驅(qū)動各行的像素。讀取電路30與沿各列延伸的數(shù)據(jù)線28分別電連接，經(jīng)由數(shù)據(jù)線28讀取各像素的載流子。這些柵極驅(qū)動電路29以及讀取電路30用硅等的半導體集成電路構(gòu)成，經(jīng)由各向異性導電性膜(ACF)等分別與柵極線27、數(shù)據(jù)線28電連接。
[0041]接著，對上述的輻射線檢測器的具體的制造方法進行說明。圖5為在真空中加熱由炭形成的石墨基板時的示意圖，圖6為在供給氣體的狀態(tài)下加熱由炭形成的石墨基板時的示意圖。
[0042]作為石墨基板11，基于容易比較便宜地獲得的人工或天然的石墨(graphite)而形成，含有各種雜質(zhì)。當石墨基板11中的雜質(zhì)中的針對WTeXdZnTe的施主/受:主兀素在半導體層13的成膜過程中借助熱擴散混入CdTeXdZnTe膜時，對膜特性有較大影響。關(guān)于針對CdTe、CdZnTe的施主/受主元素，已知下述的元素。
[0043]Cd位點的施主:鋁(Al)、鎵(Ga)、銦(In)，Cd位點的受主:鋰(Li)、鈉(Na)、銅(Cu)、銀(Ag)、金(Au)，Te位點的施主:氟(F)、氯(Cl)、溴(Br)、碘(I)，Te位點的受主:氮(N)、磷(P)、砷(As)、鋪(Sb)(關(guān)于施主、受主的文獻:Acceptor states in CdTe andcomparison with ZnTe.E.molva et al.1984、Shallow donoes in CdTe.L.M.Francou etal.1990 等)o
[0044]這些元素由于使CdTe、CdZnTe的2族_6族半導體膜產(chǎn)生過量的電子、空穴，因此即使是微量的混入也會使膜低電阻化。另外，由于它們的混入會形成不想要的Pn結(jié)，在電流-電壓特性上產(chǎn)生異常。根據(jù)各種文獻等，在IO15CnT3以上的雜質(zhì)濃度下CdTeXdZnTe的P型化、η型化會顯著產(chǎn)生。
[0045]這些結(jié)果，導致漏電流整體増加、或形成漏電流局部極端多的異常漏點。其結(jié)果，導致作為輻射線檢測器的SN比降低，或在將輻射線檢測器適用于圖像的情況下產(chǎn)生圖像缺陷。
[0046]另外，在施主/受主以外的元素中，鎂(Mg)、鈣(Ca)、鐵(Fe)、Co (鈷)、鎳(Ni)、鈦(Ti)是比較常見的金屬兀素,也有可能混入到石墨基板11中。從石墨基板11混入到CdTe、CdZnTe膜的金屬元素在成膜中的晶體生長過程中形成晶核，引起晶體的異常生長，阻礙膜特性的均質(zhì)化。
[0047]因此，為了避開這些影響，將石墨基板11的炭進行純化，來將石墨基板11的表面以及內(nèi)部的上述各種雜質(zhì)控制在0.1ppm以下。為了將石墨基板11的炭進行純化，通過圖5或者圖6中示出的方法加熱炭。[0048]在圖5的情況下，在腔室31內(nèi)收納石墨基板11并通過泵P進行真空抽吸。接著，通過在真空中加熱炭使炭中的雜質(zhì)蒸發(fā)從而將炭進行純化。加熱溫度為1000°C左右。
[0049]在圖6的情況下，將石墨基板11收納在腔室32內(nèi)，向腔室32內(nèi)供給氣體G。作為氣體G，優(yōu)選不與石墨基板11反應的非活性氣體，使用稀有氣體(He、Ne、Ar)、氮(N2)等。接著，通過在供給氣體G的狀態(tài)下加熱炭來將炭進行純化。加熱溫度為2000°C以上。
[0050]借助圖5或者圖6中示出的方法加熱炭，由此將炭進行純化。通過該純化，將石墨基板11的表面和內(nèi)部的各種雜質(zhì)控制在0.1ppm以下。將閾值設(shè)為0.1ppm以下表示處于基于作為微量分析法的電感耦合等離子體原子發(fā)射光譜分析法、原子吸收光譜法、吸光光度法、二次離子質(zhì)量分析法的測量限界以下。能夠通過圖5或者圖6中示出的方法，來將雜質(zhì)抑制在測量限界以下的0.1ppm以下。
[0051]接著，通過升華法、蒸鍍法、濺射法、化學析出法或者電析法等在純化后的石墨基板11上層疊形成電子阻擋層12。
[0052]通過升華法將作為轉(zhuǎn)換層的半導體層13層疊形成在電子阻擋層12上。在本實施例I中，為了作為幾十keV?幾百keV的能量的·X射線檢測器來使用，通過近空間升華法形成厚度約300 μ m的含有幾mol1?幾十mol %左右的鋅(Zn)的CdZnTe膜來作為半導體層13。毋庸置疑，可以形成不含Zn的CdTe膜作為半導體層13。另外，關(guān)于半導體層13的形成，不限定于升華法，可以為MOCVD法，或者涂布含有CdTe或CdZnTe的糊劑來形成以CdTe或CdZnTe形成的多晶膜的半導體層13。借助研磨或者通過吹送砂等研磨劑來進行噴射加工的噴砂加工等，進行半導體層13的平坦化處理。
[0053]接著，通過升華法、蒸鍍法、濺射法、化學析出法或者電析法等在平坦化了的半導體層13上層疊形成空穴阻擋層14。
[0054]接著，如圖4所示那樣以半導體層13和像素電極22在內(nèi)側(cè)貼合的方式將層疊形成有半導體層13的石墨基板11與讀取基板21貼合。如上所述，在未用絕緣層26覆蓋的位置處，通過導電性材料(導電糊劑、各向異性導電性膜(ACF)、各向異性導電性糊劑等)對電容電極23a的位置進行凸點連接，由此在該位置處形成像素電極22，將石墨基板11和讀取基板21貼合。
[0055]根據(jù)具備上述的構(gòu)成的本實施例所涉及的輻射線檢測器的制造方法，通過將石墨基板11的炭進行純化，能夠抑制石墨基板11的炭所含有的半導體層13的施主/受主元素、以及金屬元素的雜質(zhì)。其結(jié)果，還能夠抑制從石墨基板11側(cè)擴散至半導體層13的雜質(zhì)(施主/受主元素、金屬元素)。因而，能夠抑制由半導體層13中摻雜的施主/受主元素引起的漏電流、異常漏點的產(chǎn)生，抑制由半導體層13中摻雜的金屬元素引起的半導體層13中的晶體的異常生長。
[0056]在本實施例中，通過加熱炭來將炭進行純化。在本實施例的情況下，能夠?qū)⑹?1中的雜質(zhì)通過加熱除去。作為加熱的一例，如圖5所示那樣通過在真空中加熱炭使炭中的雜質(zhì)蒸發(fā)從而將炭進行純化?；蛘?，作為加熱的另一例，如圖6所示那樣通過在供給氣體G的狀態(tài)下加熱炭來將炭進行純化。
[0057]另外，根據(jù)本實施例所涉及的輻射線檢測器的制造方法，通過將石墨基板11的炭進行純化，能夠?qū)崿F(xiàn)使石墨基板11的炭所含有的半導體層13的施主/受主元素的雜質(zhì)為0.1ppm以下的輻射線檢測器。其結(jié)果，能夠抑制漏電流、異常漏點的產(chǎn)生。[0058]在本實施例中，炭所含有的金屬元素的雜質(zhì)優(yōu)選為0.1ppm以下。當半導體層13中摻雜有金屬元素時有可能形成晶核，從而引起半導體層13中的晶體的異常生長。而且，通過將石墨基板11的炭進行純化，能夠?qū)崿F(xiàn)使石墨基板11的炭所含有的金屬元素的雜質(zhì)也為0.1ppm以下的輻射線檢測器。其結(jié)果，能夠抑制半導體層13中的晶體的異常生長。
[0059]本發(fā)明不限于上述實施方式，可以如下述那樣變形實施。
[0060]( I)在上述的實施例中，舉例X射線作為輻射線進行了說明，但作為X射線以外的輻射線，可例示Y射線、光等，這樣沒有特別限定。
[0061](2)在上述的實施例中，通過加熱炭來將炭進行純化，但也可以將石墨基板的表面的雜質(zhì)通過洗滌除去。另外，也可以將加熱炭的實施例與洗滌炭的該變形例兩者組合。
[0062]附圖標記說明
[0063]11…石墨基板
[0064]13…半導體層
[0065]G…氣體`
【權(quán)利要求】
1.一種輻射線檢測器的制造方法，其特征在于，其為制造具備半導體層和電壓施加電極用的石墨基板的輻射線檢測器的方法，其中，所述半導體層因輻射線的入射而將輻射線的信息轉(zhuǎn)換成為電荷信息，且由碲化鎘CdTe或碲化鎘鋅CdZnTe來形成；所述電壓施加電極用的石墨基板對該半導體層施加偏置電壓，且兼用作支承基板，將作為前述石墨基板的主構(gòu)成元素的炭進行純化。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的輻射線檢測器的制造方法，其特征在于，通過加熱前述炭來將前述炭進行純化。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的輻射線檢測器的制造方法，其特征在于，通過在真空中加熱前述炭使炭中的雜質(zhì)蒸發(fā)來將炭進行純化。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的輻射線檢測器的制造方法，其特征在于，通過在供給氣體的狀態(tài)下加熱前述炭來將前述炭進行純化。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的輻射線檢測器的制造方法，其特征在于，通過洗滌前述炭來將前述炭進行純化。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的輻射線檢測器的制造方法，其特征在于，通過加熱前述炭并洗滌該炭來將該炭進行純化。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的輻射線檢測器的制造方法，其特征在于，通過在真空中加熱前述炭使炭中的雜質(zhì)蒸發(fā)來將炭進行純化。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的輻射線檢測器的制造方法，其特征在于，通過在供給氣體的狀態(tài)下加熱前述炭來 將前述炭進行純化。
9.一種輻射線檢測器，其特征在于，其為具備半導體層和電壓施加電極用的石墨基板的輻射線檢測器，其中，所述半導體層因輻射線的入射而將輻射線的信息轉(zhuǎn)換成為電荷信息，且由碲化鎘CdTe或碲化鎘鋅CdZnTe來形成；所述電壓施加電極用的石墨基板對該半導體層施加偏置電壓，且兼用作支承基板，前述石墨基板的炭所含有的前述半導體層的施主/受主元素的雜質(zhì)為0.1ppm以下。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的輻射線檢測器，其特征在于，鎘Cd位點的施主為鋁Al、鎵Ga、銦In，鋁Al、鎵Ga、銦In為0.1ppm以下。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的輻射線檢測器，其特征在于，鎘Cd位點的受主為鋰L1、鈉Na、銅Cu、銀Ag、金Au，鋰L1、鈉Na、銅Cu、銀Ag、金Au為0.1ppm以下。
12.根據(jù)權(quán)利要求9所述的輻射線檢測器，其特征在于，碲Te位點的施主為氟F、氯Cl、溴Br、碘I，氟F、氯Cl、溴Br、碘I為0.1ppm以下。
13.根據(jù)權(quán)利要求9所述的輻射線檢測器，其特征在于，締Te位點的受主為氮N、磷P、砷As、鋪Sb,氮N、磷P、砷As、鋪Sb為0.1ppm以下。
14.根據(jù)權(quán)利要求9?13中的任一項所述的輻射線檢測器，其特征在于，前述炭所含有的金屬元素的雜質(zhì)為0.1ppm以下。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的輻射線檢測器，其特征在于，前述金屬元素為鎂Mg、鈣Ca、鐵Fe、鈷Co、鎳N1、鈦Ti，鎂Mg、鈣Ca、鐵Fe、鈷Co、.鎳N1、鈦Ti為0.1ppm以下。
【文檔編號】H01L27/146GK103443653SQ201280014189
【公開日】2013年12月11日 申請日期:2012年3月19日 優(yōu)先權(quán)日:2011年4月1日
【發(fā)明者】貝野正知, 徳田敏, 吉牟田利典, 岸原弘之, 吉松圣菜, 佐藤敏幸, 桑原章二 申請人:株式會社島津制作所