專利名稱：一種woled及顯示設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其是涉及一種白光有機(jī)發(fā)光二極管(W0LED，White Organic Light Emitting Diode)以及一種顯不設(shè)備。
背景技術(shù)：
隨著平面顯示器技術(shù)的蓬勃發(fā)展，有機(jī)發(fā)光二極管(OLED，Organic LightEmitting Diode)與傳統(tǒng)的液晶顯示器(IXD,Liquid Crystal Display)相比，除了更輕薄夕卜，更具有自發(fā)光、低功率消耗、不需背光源、無視角限制及高反應(yīng)速率等優(yōu)良特性，已成為下一代平面顯示器技術(shù)的主流。為實(shí)現(xiàn)OLED顯示器的全彩化，一種方式是通過白色有機(jī)發(fā)光二極管(W0LED，White Organic Light Emitting Diode)和彩色濾光層(CF, Color Filter)疊加來實(shí)現(xiàn)。其中，WOLED和CF層疊加過程不需要精準(zhǔn)的掩膜工藝，就可以實(shí)現(xiàn)OLED顯示器的高分辨率。如圖1所示，現(xiàn)有技術(shù)中在分別形成包含薄膜晶體管(TFT,Thin Film Transistor)陣列基板的WOLED發(fā)光層和包含有邊緣保護(hù)層PDL的彩色濾光層之后，將形成的TFT陣列基板和CF層進(jìn)行對(duì)準(zhǔn)，壓合，從而形成WOLED顯示裝置?，F(xiàn)有技術(shù)中，在進(jìn)行TFT陣列基板和CF層貼合處理時(shí)，CF層和WOLED發(fā)光層之間會(huì)存在一定數(shù)值的縫隙，并且由于WOLED發(fā)光層具有自發(fā)光的光源特性，如圖1所示，有機(jī)發(fā)光單元發(fā)出的光，在側(cè)向到達(dá)彩膜基板的過程中，該縫隙會(huì)使得制作的WOLED顯示器側(cè)向漏光，從而造成產(chǎn)品混色，進(jìn)而影響顯示裝置的質(zhì)量。

實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型實(shí)施例提供了 WOLED及顯示設(shè)備，能夠較好地避免現(xiàn)有技術(shù)中存在的WOLED漏光現(xiàn)象，提聞顯不設(shè)備的圖像顯不質(zhì)量。一種有白光有機(jī)發(fā)光二極管W0LED，包括相對(duì)設(shè)置的陣列基板和彩色濾光基板，包括:所述陣列基板包括陽極陣列以及定義像素區(qū)域的像素定義層；覆蓋所述像素定義層和陽極電極的有機(jī)發(fā)光層；覆蓋所述有機(jī)發(fā)光層的陰極層；所述有機(jī)發(fā)光層與所述像素定義層之間設(shè)置有金屬反射層?！N顯不設(shè)備,包含上述白光有機(jī)發(fā)光二極管WOLED。采用上述技術(shù)方案，包括相對(duì)設(shè)置的陣列基板和彩色濾光基板，包括:所述陣列基板包括陽極陣列以及定義像素區(qū)域的像素定義層；覆蓋所述像素定義層和陽極電極的有機(jī)發(fā)光層；覆蓋所述有機(jī)發(fā)光層的陰極層；所述有機(jī)發(fā)光層與所述像素定義層之間設(shè)置有金屬反射層，形成的陣列基板和彩色濾光基板進(jìn)行貼合，形成W0LED，由于在陣列基板上增加了反射金屬薄膜，在 進(jìn)行貼合時(shí)，陣列基板和彩膜基板之間雖然仍舊存在空隙，但是WOLED發(fā)光層自身發(fā)射出的光源，會(huì)被金屬反射層反射回來，因此能夠較好地避免現(xiàn)有技術(shù)中存在的WOLED顯示器漏光現(xiàn)象，提高顯示裝置的圖像顯示質(zhì)量。
圖1為現(xiàn)有技術(shù)中，提出的通過WOLED和CF壓合形成的WOLED顯示裝置剖面圖；圖2a為本實(shí)用新型實(shí)施例中，提出的WOLED顯示裝置結(jié)構(gòu)組成示意圖；圖2b 圖2d為本實(shí)用新型實(shí)施例中，提出的形成的包含陽極陣列的陣列基板的結(jié)構(gòu)組成示意圖；圖3a為本實(shí)用新型實(shí)施例中，提出的制造WOLED顯示裝置方法流程圖；圖3b為本實(shí)用新型實(shí)施例中，提出的陣列基板形成過程示意圖；圖3c為本實(shí)用新型實(shí)施例中，提出的沉積反射金屬薄膜的陣列基板結(jié)構(gòu)組成示意圖；圖3d為本實(shí)用新型實(shí)施例中，提出的形成反射金屬層的陣列基板結(jié)構(gòu)組成示意圖；圖3e為本實(shí)用新型實(shí)施例中，提出的像素定義層圖案組成示意圖；圖3f為本實(shí)用新型實(shí)施例中，提出的蒸鍍陰極后的陣列基板結(jié)構(gòu)組成示意圖；圖4為本實(shí)用新型實(shí)施例中，提出的WOLED顯示裝置結(jié)構(gòu)組成示意圖；圖5為本實(shí)用新型實(shí)施例中，提出的增加金屬反射層的WOLED顯示裝置工作原理示意圖。
具體實(shí)施方式
針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)中存在的WOLED顯示器存在漏光現(xiàn)象，使得顯示裝置的圖像顯示質(zhì)量較差的問題，本實(shí)用新型實(shí)施例這里提出的技術(shù)方案，通過在陣列基板上沉積反射金屬薄膜，使得陣列基板和彩膜基板貼合處理之后，即使存在空隙，沉積的反射金屬薄膜也能夠?qū)OLED發(fā)光層發(fā)射的光源反射回來，較好地避免了現(xiàn)有技術(shù)中存在的WOLED顯示器側(cè)向漏光現(xiàn)象引起的混色問題，較好地提高了 WOLED顯示器的顯示質(zhì)量。下面將結(jié)合各個(gè)附圖對(duì)本實(shí)用新型實(shí)施例技術(shù)方案的主要實(shí)現(xiàn)原理具體實(shí)施方式
及其對(duì)應(yīng)能夠達(dá)到的有益效果進(jìn)行詳細(xì)地闡述。本實(shí)用新型實(shí)施例這里提出一種WOLED顯示裝置，如圖2a所示，包括相對(duì)設(shè)置的陣列基板601和彩色濾光基板602，包括:所述陣列基板601包括陽極陣列以及定義像素區(qū)域的像素定義層304，覆蓋所述像素定義層304和陽極電極的有機(jī)發(fā)光層306，覆蓋所述有機(jī)發(fā)光層306的陰極層307，所述有機(jī)發(fā)光層306與所述像素定義層304之間設(shè)置有金屬反射層305。具體地，有機(jī)發(fā)光層306設(shè)置有有機(jī)發(fā)光單元(圖中并未示出)，所述有機(jī)發(fā)光單元可以是白光發(fā)光單元。具體地，所述像素定義層304可以但不限于是亞克力系材料或有機(jī)樹脂材料。具體地,所述金屬反射層305可以是光反射率大于80%、厚度為80nm-500nm的金屬膜層。較佳地，所述金屬反射層305為金屬鋁膜層或金屬銀膜層。具體實(shí)施中，包括陽極陣列的陣列基板還包括:在基板上301上沉積的TFT膜層302，以及TFT膜層302上沉積的像素電極層303。其中，TFT膜層302中，包含形成的TFT區(qū)域。在TFT區(qū)域，形成有源區(qū)、柵電極、源電極以及漏電極(圖2a中未示出)。具體地，在TFT膜層302中，TFT區(qū)域包含形成的柵極、有源區(qū)、源極區(qū)以及漏極區(qū)?？梢圆捎没瘜W(xué)汽相沉積法在有源區(qū)上沉積厚度為100nnTl50nm的柵絕緣層，柵絕緣層的材料可以但不限于是二氧化硅或者氮化硅等。在形成柵絕緣層之后，通過沉積工藝和構(gòu)圖工藝在形成柵絕緣層的基板上形成柵極。其中柵極位于有源區(qū)的柵絕緣層上。形成柵極之后，進(jìn)行摻雜工藝處理，以使有源區(qū)形成源極區(qū)、有源層、漏極區(qū)。在TFT膜層302上，通過沉積工藝形成像素電極膜層303，然后基于構(gòu)圖工藝，在像素電極膜層303上形成陽極，從而形成包含陽極陣列的陣列基板。較佳地，下面結(jié)合具體附圖來闡述本包含陽極陣列基板的結(jié)構(gòu)組成:如圖2b所示，TFT膜層302包括在基板301上沉積的多晶硅層(圖中未示出)，對(duì)所述多晶硅層根據(jù)所需圖形進(jìn)行光刻、刻蝕工藝處理，形成有源區(qū)3021和像素電極區(qū)3022。如圖2c所示，通過沉積工藝和構(gòu)圖工藝處理，在有源區(qū)3021上形成柵絕緣層3023。其中柵絕緣層可以是氮化硅或二氧化硅。如圖2d所示，基于構(gòu)圖工藝處理，在所述基板上形成柵極3024，形成的柵極位于所述有源區(qū)3021上的柵絕緣層3023上。對(duì)形成的有源區(qū)和像素電極區(qū)進(jìn)行摻雜工藝處理，以使有源區(qū)形成源極區(qū)、有源層、漏極區(qū)，所述像素電極區(qū)形成像素電極層。其中，所述柵極、有源層、源極區(qū)和漏極區(qū)構(gòu)成TFT區(qū)域，且有源層位于源漏極區(qū)之間。形成包含陽極陣列的陣列基板。相應(yīng)地，本實(shí)用新型實(shí)施這里還提出一種顯示設(shè)備，該顯示設(shè)備包括本實(shí)用新型實(shí)施例上述提出的WOLED。本實(shí)用新型實(shí)施例這里提出一種制造WOLED的方法，如圖3a所示，具體工藝流程如下述:步驟21，基于構(gòu)圖工藝在基板上形成包含陽極陣列的陣列基板，以及基于構(gòu)圖工藝形成彩色濾光基板。需要說明的是，本實(shí)用新型實(shí)施例這里提出的技術(shù)方案中，所述包含陽極陣列的陣列基板，以薄膜場(chǎng)效應(yīng)晶體管(TFT，Thin Film Transistor)陣列基板為例來進(jìn)行詳細(xì)闡述。并且，本實(shí)用新型實(shí)施例這里提出的技術(shù)方案中，僅給出針對(duì)包含陽極陣列的陣列基板的主要制作過程，具體實(shí)施中，可參照現(xiàn)有技術(shù)中TFT陣列基板的制造方法來制造本實(shí)用新型實(shí)施例這里提出的包含陽極陣列的陣列基板。其中，形成包含陽極陣列的陣列基板的具體工藝流程為:如圖3b所示，在基板301上形成TFT膜層302，其中，在形成的TFT膜層302中，包含形成的TFT區(qū)域。在TFT區(qū)域，形成有源區(qū)、柵電極、源電極以及漏電極(圖3a中未示出)。具體地，在TFT膜層302中，TFT區(qū)域包含形成的柵極、有源區(qū)、源極區(qū)以及漏極區(qū)?？梢圆捎没瘜W(xué)汽相沉積法在有源區(qū)上沉積厚度為100nnTl50nm的柵絕緣層，柵絕緣層的材料可以但不限于是二氧化硅或者氮化硅等。在形成柵絕緣層之后，通過沉積工藝和構(gòu)圖工藝在形成柵絕緣層的基板上形成柵極。其中柵極位于有源區(qū)的柵絕緣層上。形成柵極之后，進(jìn)行摻雜工藝處理，以使有源區(qū)形成源極區(qū)、有源層、漏極區(qū)。
在TFT膜層302上，通過沉積工藝形成像素電極膜層303，然后基于構(gòu)圖工藝，在像素電極膜層303上形成陽極，從而形成包含陽極陣列的陣列基板。[0042]具體地，所述基板可以但不限于是透明基板、陶瓷基板或者金屬基板等任一形式的基板，本實(shí)用新型實(shí)施例這里提出的技術(shù)方案中，對(duì)此不作限制。其中，彩色濾光基板的制作過程與現(xiàn)有技術(shù)中提出的彩色濾光基板的制作過程相同，本實(shí)用新型實(shí)施例這里不再贅述。步驟22，在形成的陣列基板上依次沉積透明有機(jī)薄膜和反射金屬薄膜。其中，如圖3c所示，在形成的包含陽極陣列的陣列基板上，依次沉積透明有機(jī)薄膜層304和反射金屬薄膜305。透明有機(jī)膜層304的材質(zhì)可以但不限于是亞克力系材料或有機(jī)樹脂材料。沉積的透明有機(jī)膜層的厚度可以在lunT2.5um之間，較佳地，可以但不限于是1.5um或者2um。本實(shí)用新型實(shí)施例這里提出的技術(shù)方案中，對(duì)此不做限制，可以根據(jù)實(shí)際應(yīng)用需求進(jìn)行更改。具體地，沉積的反射金屬薄膜305的材質(zhì)可以是光反射率大于80%、厚度為80nnT500nm的金屬膜層。該金屬膜層可以但不限于是金屬鋁膜層或者是金屬銀膜層。較佳地，本實(shí)用新型實(shí)施例這里提出的技術(shù)方案中，沉積的反射金屬薄膜305的材質(zhì)是具有較高的光反射率的金屬銀膜層。步驟23，圖案化所述反射金屬薄膜，去除所述陽極電極上方的金屬薄膜。其中，如圖3d所示，可以對(duì)沉積的反射金屬薄膜305進(jìn)行掩膜、曝光、顯影、光刻、刻蝕等構(gòu)圖工藝，去掉位于陽極電極上方的反射金屬薄膜。步驟24，以所述圖案化后的金屬薄膜為掩膜刻蝕所述透明有機(jī)薄膜，暴露出所述陽極電極，形成像素定義圖案。其中，可以采用干法刻蝕去除所述陽極電極正上方的透明有機(jī)薄膜，露出所述陽極電極，形成像素定義圖案。 具體地，像素定義層304的剖面圖可以參照?qǐng)D3e所示，像素定義層304覆蓋到像素電極周邊。具體地，在步驟23 步驟24中，進(jìn)行圖案化處理時(shí)，可以采用具有同樣圖案的掩模板進(jìn)行相應(yīng)的處理。需要說明的是，在上述步驟23 步驟24中，是本實(shí)用新型實(shí)施例這里提出的一種較佳地實(shí)現(xiàn)方式。具體實(shí)施中，對(duì)依次沉積透明有機(jī)薄膜和反射金屬薄膜之后的陣列基板，還可以采用具有相同圖案的掩模板，對(duì)透明有機(jī)薄膜和反射金屬薄膜一起進(jìn)行圖案化，曝露出陽極電極，形成像素定義層圖案?；蛘呤菍?duì)依次沉積透明有機(jī)薄膜和反射金屬薄膜之后的陣列基板，采用同一個(gè)掩模板，分別對(duì)沉積的反射金屬薄膜和透明有機(jī)薄膜進(jìn)行圖案化處理，暴漏出陽極電極，形成像素定義圖案。較佳地，圖案化反射金屬薄膜使用的掩模板可以但不限于是圖案化像素定義層所使用的像素定義層掩模板，也可以是額外定制的具有像素定義層圖案的掩膜板。較佳地，本實(shí)用新型實(shí)施例這里提出的技術(shù)方案中，在對(duì)沉積的反射金屬薄膜進(jìn)行圖案化時(shí)，采用的是像素定義層掩模板，這樣可以較好地將少使用掩模板的數(shù)量，降低企業(yè)的生產(chǎn)成本。步驟25，在形成像素定義圖案的陣列基板上依次蒸鍍有機(jī)發(fā)光單元和陰極。其中，在形成像素定義圖案的陣列基板上形成OLED器件。具體地，可以采用薄膜沉積工藝在形成像素定義圖案的陣列基板上依次形成空穴傳輸層、有機(jī)發(fā)光層、電子傳輸層、OLED頂部電極，形成OLED器件。如圖3f所示，在形成像素定義圖案的陣列基板上，依次蒸鍍有機(jī)發(fā)光單元306和陰極307，從而形成陣列基板401。具體地，蒸鍍的有機(jī)發(fā)光單元306可以是白光發(fā)光單元。步驟26，將包含有機(jī)發(fā)光單元和陰極的陣列基板和彩色濾光基板進(jìn)行貼合，形成WOLED顯示裝置。其中，如圖4所示，將形成的陣列基板401和彩色濾光基板402進(jìn)行貼合處理，形成WOLED顯示裝置。具體地，彩色濾光基板的制作過程與現(xiàn)有技術(shù)中相同，本實(shí)用新型實(shí)施例這里不再進(jìn)行贅述。采用本實(shí)用新型實(shí)施例提出的技術(shù)方案，形成的WOLED剖面圖如圖5所示，由于增加了具有反光性能的金屬反射層，從而使得發(fā)光單元發(fā)出的光，到達(dá)側(cè)向彩色濾光基板的過程中，遇到具有較高反射率的金屬反射層被反射回來如圖5所示，從而，即使在貼合后仍然存在縫隙，也能較好地降低側(cè)向漏光現(xiàn)象，實(shí)現(xiàn)了減小混色的目的，進(jìn)而提高了 WOLED的圖像顯示質(zhì)量。采用本實(shí)用新型實(shí)施例這里提出的技術(shù)方案，在制作陣列基板時(shí)，通過沉積一層金屬反射層，使得從有機(jī)發(fā)光單元發(fā)出的光，以一定角度達(dá)到彩膜基板的過程中，會(huì)被金屬反射層反射回來，從而降低了 WOLED側(cè)向漏光現(xiàn)象，實(shí)現(xiàn)減少混色的目的，較好地提高了顯
示質(zhì)量。盡管已描述了本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施例，但本領(lǐng)域內(nèi)的技術(shù)人員一旦得知了基本創(chuàng)造性概念，則可對(duì)這些實(shí)施例作出另外的變更和修改。所以，所附權(quán)利要求意欲解釋為包括優(yōu)選實(shí)施例以及落入本實(shí)用新型范圍的所有變更和修改。顯然，本 領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)行各種改動(dòng)和變型而不脫離本實(shí)用新型的精神和范圍。這樣，倘若本實(shí)用新型的這些修改和變型屬于本實(shí)用新型權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍之內(nèi)，則本實(shí)用新型也意圖包含這些改動(dòng)和變型在內(nèi)。
權(quán)利要求1.一種白光有機(jī)發(fā)光二極管WOLED，包括相對(duì)設(shè)置的陣列基板和彩色濾光基板，其特征在于，包括: 所述陣列基板包括陽極陣列以及定義像素區(qū)域的像素定義層； 覆蓋所述像素定義層和陽極電極的有機(jī)發(fā)光層； 覆蓋所述有機(jī)發(fā)光層的陰極層； 所述有機(jī)發(fā)光層與所述像素定義層之間設(shè)置有金屬反射層。
2.如權(quán)力要求I所述的WOLED，其特征在于，所述有機(jī)發(fā)光層設(shè)置有有機(jī)發(fā)光單元，所述有機(jī)發(fā)光單元為白光發(fā)光單元。
3.如權(quán)利要求1所述的WOLED，其特征在于，所述像素定義層為亞克力系材料或有機(jī)樹脂材料。
4.如權(quán)利要求1所述的WOLED，其特征在于，所述金屬反射層為光反射率大于80%、厚度為80nnT500nm的金屬膜層。
5.如權(quán)利要求4所述的WOLED，其特征在于，所述金屬反射層為金屬鋁膜層或金屬銀膜層。
6.—種顯不設(shè)備,其特征在于,包含如權(quán)利要求1、任一所述的白光有機(jī)發(fā)光二極管WOLED0
專利摘要本實(shí)用新型公開了一種白光有機(jī)發(fā)光二極管WOLED及顯示設(shè)備，包括相對(duì)設(shè)置的陣列基板和彩色濾光基板包括所述陣列基板包括陽極陣列以及定義像素區(qū)域的像素定義層；覆蓋所述像素定義層和陽極電極的有機(jī)發(fā)光層；覆蓋所述有機(jī)發(fā)光層的陰極層；所述有機(jī)發(fā)光層與所述像素定義層之間設(shè)置有金屬反射層。能夠較好地避免現(xiàn)有技術(shù)中存在的WOLED漏光現(xiàn)象，提高顯示設(shè)備的圖像顯示質(zhì)量。
文檔編號(hào)H01L27/32GK203085550SQ201220749730
公開日2013年7月24日 申請(qǐng)日期2012年12月31日 優(yōu)先權(quán)日2012年12月31日
發(fā)明者熊志勇, 趙本剛 申請(qǐng)人:上海天馬微電子有限公司