專利名稱：柔性顯示裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型涉及顯示領(lǐng)域，尤其涉及一種柔性顯示裝置。
背景技術(shù)：
柔性顯示器，指可變型可彎曲的顯示裝置，一般使用有源有機發(fā)光二極管(ActiveMatrix Organic Light Emitting Diode, AMOLED)或高分子發(fā)光二極管(PolymerLight-emitting Diode,PLED)技術(shù),具有低功耗,直接可視,可變型可彎曲，且輕薄、耐沖擊不易損壞，可以安裝在彎曲的表面，制作成可穿戴的顯示器等優(yōu)點，預(yù)計今后幾年將成為顯示領(lǐng)域的主流。AMOLED顯示器通常是由低溫多晶娃(Low Temperature Poly-Silicon,LTPS)驅(qū)動背板和電激發(fā)光(Electro-Luminescence，EL)層組成自發(fā)光組件。傳統(tǒng)的LTPS型AMOLED顯示器的結(jié)構(gòu)如圖1所示，其制備過程如下:在玻璃基板101上沉積一層緩沖層102，在緩沖層102上面沉積非晶硅(a-Si)層，然后進行高溫脫氫制程去除a-Si層中的氫(H)含量，再通過低溫多晶硅工藝將a-Si層轉(zhuǎn)化為多晶硅(Poly-Si)層，用掩膜版進行曝光，再經(jīng)顯影、刻蝕工藝制作多晶硅圖案層103 ;在Poly-Si圖案層103上方沉積柵極絕緣層106，在柵極絕緣層106上方沉積 柵極金屬層，用數(shù)次掩膜工藝進行曝光，再經(jīng)顯影、刻蝕工藝，及摻雜工藝制作柵電極107，同時在Poly-Si圖案層103形成薄膜晶體管電路的輕摻雜漏極(LDD)部分104和重摻雜部分105 (對應(yīng)薄膜晶體管的源/漏極)；然后依次制作層間絕緣層108，進行摻雜后的活化和注氫工藝，制作源/漏電極109、有機層110和陽極111 ;再制作有機發(fā)光層112及陰極，最后覆蓋上保護蓋層113。在上述過程中，發(fā)明人發(fā)現(xiàn)現(xiàn)有技術(shù)至少存在如下問題:低溫多晶娃LTPS工藝是通過準分子激光退火(Excimer Laser Anneal,ELA)技術(shù)將非晶硅轉(zhuǎn)化為多晶 硅的技術(shù)，其工藝的最高溫度達到了 600°C以上，且ELA退火生成的多晶硅顆粒均一性較差，因此使用LTPS技術(shù)制作的AMOLED驅(qū)動背板存在以下缺點:制作溫度高，對基底的要求較高，不能使用塑料基底，難以實現(xiàn)柔性顯示；另外，ELA技術(shù)制作的多晶硅顆粒均一性較差，因此薄膜晶體管閥值電壓均一性較差，導致AMOLED畫面亮度顯示不均一，有源驅(qū)動電路需要包含閥值電壓補償電路進行補償。

實用新型內(nèi)容本實用新型所要解決的技術(shù)問題在于提供一種柔性顯示裝置，制作方法簡單，且能實現(xiàn)柔性顯示，另外，無需設(shè)置閥值電壓補償電路即可獲得高品質(zhì)的顯示畫面。為達到上述目的，本實用新型的實施例采用如下技術(shù)方案:本實用新型提供一種柔性顯示裝置，包括:柔性膜片；設(shè)置在所述柔性膜片上的驅(qū)動電路和電激發(fā)光器件，其中，所述驅(qū)動電路中的薄膜晶體管的有源層由同一單晶硅膜片形成，所述薄膜晶體管包括位于所述柔性顯示裝置顯示區(qū)域的第一薄膜晶體管；透明柔性蓋板，封裝在所述電激發(fā)光器件之上。可選地，所述單晶硅膜片由單晶硅晶圓片根據(jù)需要制作的顯示屏的大小切割而成。優(yōu)選地，所述驅(qū)動電路還包括:用于產(chǎn)生掃描信號的柵極驅(qū)動電路和用于產(chǎn)生數(shù)據(jù)信號的源極驅(qū)動電路，均設(shè)置在所述柔性顯示裝置邊框的對應(yīng)區(qū)域；所述驅(qū)動電路中的薄膜晶體管還包括:所述柵極驅(qū)動電路中的第二薄膜晶體管，以及所述源極驅(qū)動電路中的第三薄膜晶體管?？蛇x地，所述薄膜晶體管，包括:單晶硅膜片形成的有源層；柵極絕緣層，設(shè)置在所述有源層上；柵電極，設(shè)置在所述柵極絕緣層上；層間絕緣層，設(shè)置在所述柵電極上；源電極和漏電極，設(shè)置在所述層間絕緣層上，經(jīng)所述層間絕緣層及所述柵極絕緣層上的過孔與所述有源層相連接。進一步地，柔性顯示裝置還包括:設(shè)置有過孔的絕緣隔墊層，覆蓋在所述薄膜晶體管源、漏電極的上方，且位于所述電激發(fā)光器件的下方?？蛇x地，所述電激發(fā)光器件，包括:陽極層，設(shè)置在所述絕緣隔墊層的上方，并通過所述絕緣隔墊層上的過孔與所述第一薄膜晶體管的漏電極相連；電激發(fā)光層，形成于所述陽極層上；陰極，形成于所述電激發(fā)光層上?？蛇x地，所述電激發(fā)光器件為有機發(fā)光二極管?？蛇x地，所述單晶硅膜片形成的有源層，包括:溝道區(qū)域，設(shè)置于有源層上與所述柵電極對應(yīng)的區(qū)域；輕摻雜(LDD)區(qū)域，設(shè)置于所述溝道區(qū)域的兩側(cè)；重摻雜區(qū)域，設(shè)置于所述輕摻雜區(qū)域的外側(cè)且遠離溝道區(qū)域。本實用新型實施例提供的柔性顯示裝置，先將單晶硅膜片粘結(jié)在基板(例如玻璃)上，進行形成驅(qū)動電路和電激發(fā)光器件的制程；然后將基板進行翻轉(zhuǎn)，去除底層的基板以露出所述單晶硅膜片，再去除所述單晶硅膜片上除驅(qū)動電路以外區(qū)域的單晶硅，最后用柔性膜片進行封裝。相比現(xiàn)有的ELA型AMOLED多晶硅顯示裝置，本實用新型中的柔性顯示裝置及其制作方法，具有如下優(yōu)點:1、通過先在基板上形成驅(qū)動電路和電激發(fā)光器件，待完成上蓋板封裝后再去除所述基板改為封裝柔性膜片的方式，本實用新型實施例提供的柔性顯示裝置實現(xiàn)了柔性可彎曲顯示。2、顯示裝置中位于顯示區(qū)域的各薄膜晶體管(即用于驅(qū)動的TFT)的有源層直接使用同一單晶硅膜片形成，所以最終制成的顯示裝置的各個像素(例如0LED)驅(qū)動電流穩(wěn)定，不存在不均一的缺陷，因此不需要閥值電壓補償電路，即可獲得較高的畫面顯示品質(zhì)。另外，相對現(xiàn)有多晶硅形成的發(fā)光顯示裝置，因單晶硅的電子遷移率更高，薄膜晶體管溝道的寬長比可以更小，因此作為驅(qū)動開關(guān)的薄膜晶體管可以制作的非常小，從而使顯示裝置的分辨率得以提高。

圖1為現(xiàn)有AMOLED顯示器的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為本實用新型實施例一中柔性顯示裝置的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；圖3為本實用新型實施例二中柔性顯示裝置的制作方法流程圖一；圖4為本實用新型實施例二中單晶硅膜片粘結(jié)在基板上的正視圖；圖5為圖4沿A-A方向的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；圖6為形成柵絕緣層后A-A方向的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；圖7形成柵電極和形成薄膜晶體管的有源層后A-A方向的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；圖8為完成透明柔性蓋板封裝后A-A方向的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；圖9為去除基板后A-A方向的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；圖10為去除單晶硅膜片上薄膜晶體管之外區(qū)域的單晶硅后A-A方向的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；圖11為封裝柔性膜片后沿A-A方向的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；圖12為一個柔性顯示裝置的平面示意圖；圖13為本實用新型實施例二中柔性顯示裝置的制作方法流程圖。附圖標記說明101-玻璃基板，102-緩沖層，103-多晶硅圖案層，106-柵極絕緣層，107-柵電極，104-輕摻雜漏極(LDD)部分，105-重摻雜部分，108-層間絕緣層，109-源/漏電極，110-有機層，111-陽極，112-電激發(fā)光層及陰極，113-保護蓋層；200-單晶硅膜片，201-基板，202-粘結(jié)層，203-溝道區(qū)域，204-輕摻雜漏極(LDD)部分區(qū)域，205-重摻雜部分區(qū)域，206-柵極絕緣層，207-柵電極，208-層間絕緣層，209-源/漏電極，210-隔墊層，211-陽極，212-電激發(fā)光層，213-透明柔性蓋板，214-柔性膜片，215-有源層，216-像素顯示區(qū)域，217柵極驅(qū)動電路，218-源極驅(qū)動電路。
具體實施方式
本實用新型實施例提供一種柔性顯示裝置，可實現(xiàn)柔性顯示，同時不需要閥值電壓補償電路即可獲得亮度較均一的顯示畫面，結(jié)構(gòu)簡單，顯示品質(zhì)高。
以下結(jié)合附圖對本實用新型實施例進行詳細描述。此處所描述的具體實施方式
僅僅用以解釋本實用新型，并不用于限定本實用新型。實施例一本實用新型還提供一種柔性顯示裝置，所述顯示裝置可用于:電子紙、手機、平板電腦、電視機、顯示器、筆記本電腦、數(shù)碼相框、導航儀等任何具有顯示功能的產(chǎn)品或部件，如圖2所示，該裝置包括:柔性膜片214 ；設(shè)置在柔性膜片214上的驅(qū)動電路和電激發(fā)光器件，其中，所述驅(qū)動電路中的薄膜晶體管的有源層由同一單晶硅膜片形成，所述薄膜晶體管包括位于所述柔性顯示裝置顯示區(qū)域的第一薄膜晶體管；透明柔性蓋板213，封裝在電激發(fā)光器件之上。本實用新型實施例提供的柔性顯示裝置，相對現(xiàn)有多技術(shù)，具有可彎曲、分辨率更高以及亮度更均一的優(yōu)點，并且不需要閥值電壓補償電路。可選地，所述單晶硅膜片由單晶硅晶圓片根據(jù)需要制作的顯示屏的大小切割而成，以保證最終形成的柔性顯示裝置的薄膜晶體管均由同一單晶硅膜片形成，電學特性均一，驅(qū)動電流一致，不需另設(shè)閥值電壓補償電路進行補償。進一步優(yōu)選地，所述驅(qū)動電路還包括:用于產(chǎn)生掃描信號的柵極驅(qū)動電路和用于產(chǎn)生數(shù)據(jù)信號的源極驅(qū)動電路，均設(shè)置在所述柔性顯示裝置邊框的對應(yīng)區(qū)域；所述薄膜晶體管還包括:所述柵極驅(qū)動電路中的第二薄膜晶體管，以及所述源極驅(qū)動電路中的第三薄膜晶體管。因單晶硅的電子遷移率更高，薄膜晶體管溝道的寬長比可以更小，薄膜晶體管可以制作的非常小，因此在制作背板(形成驅(qū)動TFT和電激發(fā)光器件)時，可將柵極驅(qū)動電路和源極驅(qū)動電路同步制作在背板上。所述的第一、第二和第三薄膜晶體管的有源層均由單晶硅膜片形成，具體形成過程見上述步驟121-125?？蛇x地，所述薄膜晶體管包括:單晶硅膜片形成的有源層215 ；柵極絕緣層206，設(shè)置在有源層215上；柵電極207，設(shè)置在柵極絕緣層206上；層間絕緣層208，設(shè)置在柵電極207上；源電極和漏電極(209)，設(shè)置在層間絕緣層208上，經(jīng)層間絕緣層208及柵極絕緣層206上的過孔與有源層215相連接。其中，可選地，有源層215包括:重摻雜區(qū)域205，分別位于柵電極207下方對應(yīng)區(qū)域的兩側(cè)；溝道區(qū)域203，位于源、漏區(qū)域之間，且分布在設(shè)置于有源層上且位于柵電極207下方的對應(yīng)區(qū)域；輕摻雜漏極(LDD)區(qū)域204，也位于設(shè)置于柵電極207正下方的溝道區(qū)域203的兩側(cè)，重摻雜區(qū)域205，設(shè)置于輕摻雜區(qū)域204的外側(cè)且遠離溝道區(qū)域203。具體分布在溝道區(qū)域203和源區(qū)域之間或者溝道區(qū)域203和漏區(qū)域之間。并且，在對應(yīng)于有源層215的源/漏區(qū)域205的上方，柵絕緣層206和層間絕緣層208均設(shè)置有過孔，源/漏電極209分別經(jīng)過孔連接至重摻雜區(qū)域205源區(qū)域和漏區(qū)域。進一步地，所述柔性顯示裝置還包括:設(shè)置有過孔的絕緣隔墊層210，覆蓋在薄膜晶體管的源、漏電極的上方，且位于所述電激發(fā)光器件的下方。所述絕緣隔墊層210在漏電極上方也設(shè)置有過孔，陽極211經(jīng)該過孔連接至第一薄膜晶體管的漏電極?？蛇x地，所述電激發(fā)光器件包括:陽極211，設(shè)置在絕緣隔墊層210的上方，并通過絕緣隔墊層210上的過孔與薄膜晶體管的漏電極相連；電激發(fā)光層212，形成于陽極211上；陰極，形成于電激發(fā)光層212上。[0080]可選地，所述電激發(fā)光器件為有機發(fā)光二極管(OLED)。電激發(fā)光層212的材質(zhì)為有機發(fā)光材料制成。本實用新型實施例提供的柔性顯示裝置，實現(xiàn)了柔性可彎曲顯示，并且不需要閥值電壓補償電路，無需外置驅(qū)動集成電路，更輕薄，分辨率更高以及亮度更均一。實施例二本實用新型實施例提供柔性顯示裝置的制作方法，如圖3所示，該方法包括:步驟11、將單晶硅膜片200粘結(jié)在基板201上，如圖4、5所示；相比多晶硅，單晶硅有更高的電子遷移率、非常均一的導電特性，可以制作優(yōu)異的P型硅半導體和η型硅半導體。單晶硅的制法通常是先制得多晶硅或無定形硅，然后用直拉法或懸浮區(qū)熔法從熔體中生長出棒狀單晶硅，單晶硅棒經(jīng)過拋光、切片之后，就成為了單晶硅晶圓片，本步驟中的單晶硅膜片可以由單晶硅晶圓片根據(jù)需要制作的顯示屏(或顯示模塊)的大小切割而成，并采用和設(shè)計版圖同樣的排列方式粘結(jié)在基板上，即圖4中每一單晶硅膜片200對應(yīng)形成一柔性顯示裝置的顯示屏，以保證最終形成的柔性顯示裝置的薄膜晶體管均由同一單晶硅膜片形成，則該顯示裝置的顯示屏范圍內(nèi)所有像素的電學特性較均一，驅(qū)動電流一致，不需另設(shè)閥值電壓補償電路進行補償。如果顯示屏的型號變更，則單晶硅膜片200的切割尺寸也相應(yīng)進行變化。當然，本步驟中的單晶硅膜片200也不限于單晶硅晶圓片切割而成，只要單晶硅膜片200能滿足上述設(shè)計要求，使顯示屏范圍內(nèi)像素的電學特性較均一即可。如圖5所示，本步驟中先在基板201上涂覆粘結(jié)層202，再將單晶硅膜片200按與設(shè)計版圖相同的排列方式粘結(jié)在基板201上，其中的基板201 —般為玻璃基板，但并不限于此。步驟12、在粘結(jié)有單晶硅膜片200的基板201上形成驅(qū)動電路和電激發(fā)光器件，并在電激發(fā)光器件上用透明柔性蓋板213進行封裝，其中，單晶硅膜片200形成驅(qū)動電路中薄膜晶體管的有源層，所述薄膜晶體管包括位于所述柔性顯示裝置顯示區(qū)域的第一薄膜晶體管，如圖6-8所示；其中，所述柔性顯示裝置的顯示屏包含像素顯示區(qū)域(顯示區(qū)域)，在像素顯示區(qū)域設(shè)置有作為像素的電激發(fā)光層器件和用于驅(qū)動的該器件的驅(qū)動電路。本實施例中的驅(qū)動電路包括位于柔性顯示裝置顯示區(qū)域的第一薄膜晶體管。本步驟中形成薄膜晶體管和電激發(fā)光器件，一種可選的具體實施方式
如下:121、如圖6所示，在單晶硅膜片200上形成柵極絕緣層206 ；可選地，利用等離子化學氣相沉積(PECVD)在單晶硅膜片200上沉積柵極絕緣層206，柵極絕緣層206可為硅氮化物SiNx膜層，或者硅氧化物SiOx膜層，或者兩者的復合膜層。122、如圖7所示，在柵極絕緣層206上形成柵電極層，采用構(gòu)圖工藝形成柵電極207 ；本步驟在柵極絕緣層206上沉積柵電極層，可經(jīng)涂膠、曝光、顯影、刻蝕工藝，形成柵電極207。123、進行摻雜，單晶硅膜片200形成薄膜晶體管的有源層；如圖7所示，本步驟通過摻雜工藝如離子注入等，在單晶硅膜片200上形成薄膜晶體管的有源層，一種可選的實施方式中:經(jīng)摻雜工藝在單晶硅膜片200上形成重摻雜區(qū)域205、溝道區(qū)域203和輕摻雜漏極(LDD)區(qū)域204。其中，重摻雜區(qū)域205分別位于柵電極207下方對應(yīng)區(qū)域的兩側(cè)；溝道區(qū)域203設(shè)置在柵電極207正下方的對應(yīng)區(qū)域；輕摻雜漏極(LDD)區(qū)域204也分布在柵電極207下方的溝道區(qū)域203的兩側(cè)，且位于重摻雜區(qū)域205與溝道區(qū)域203之間。摻雜后，單晶硅膜片200形成單晶硅圖案層，最終對應(yīng)形成柔性顯示裝置驅(qū)動電路中的薄膜晶體管的有源層。然后，如圖8所示，繼續(xù)以下制程:124、在柵電極207之上，形成層間絕緣層208 ；125、在層間絕緣層208之上，形成源漏電極層并采用構(gòu)圖(即曝光、顯影、刻蝕)工藝形成源/漏電極209;126、在源/漏電極209之上，形成絕緣隔墊層210 ；127、在絕緣隔墊層210之上，形成陽極層并采用構(gòu)圖工藝形成陽極211 ；128、在陽極211之上，形成電激發(fā)光層212，再在電激發(fā)光層212上形成陰極。步驟124-128中，通過成膜工藝和曝光、顯影、刻蝕工藝依次形成層間絕緣層208和源/漏電極209、絕緣隔墊層210，然后在絕緣隔墊層210上形成陽極211、電激發(fā)光層212及陰極，最后封裝透明柔性蓋板213。其中，在對應(yīng)于單晶硅膜片200的重摻雜區(qū)域205的上方，柵絕緣層206和層間絕緣層208均設(shè)置有過孔，源/漏電極209分別經(jīng)過孔與有源層的重摻雜區(qū)域205連接；絕緣隔墊層210在漏電極209上方也設(shè)置有過孔，陽極211經(jīng)該過孔連接至漏電極。本步驟中形成電激發(fā)光器件和驅(qū)動所述電激發(fā)光器件的薄膜晶體管，具體實施方式
有多種，并不僅限于以上所述的方式，步驟13、去除基板201，露出單晶硅膜片200，如圖9所示；在完成薄膜晶體管和電激發(fā)光器件的制程并封裝上透明柔性蓋板213后，本步驟中將制作過程中的顯示面板翻轉(zhuǎn)，然后去除基板201以露出單晶硅膜片200，具體實現(xiàn)方式多樣，一種可選的實現(xiàn)方式為:采用氫氟酸或緩沖刻蝕液刻蝕基板201，直至暴露出單晶硅膜片200。步驟14、去除單晶硅膜片200上薄膜晶體管之外區(qū)域的單晶硅，并在單晶硅膜片200上用柔性膜片214進行封裝，參照圖9-11所示。單晶硅膜片200上最終只有形成薄膜晶體管有源層的區(qū)域A(即包括重摻雜區(qū)域205、溝道區(qū)域203和輕摻雜LDD區(qū)域204)是有用的，其余(除薄膜晶體管之外)區(qū)域的單晶硅必須去除，具體的去除方式本實施例不作限定，此處不再一一介紹，僅舉出一種優(yōu)選的采用構(gòu)圖(曝光、顯影、刻蝕)工藝去除單晶硅的實施方式作為示例，具體如下:步驟141、在單晶硅膜片200的表面涂覆光刻膠；步驟142、利用掩模板保護單晶硅膜片200上的薄膜晶體管區(qū)域(即圖9所示的A區(qū)域)，進行曝光并去除曝光區(qū)域的光刻膠，所述曝光區(qū)域即除薄膜晶體管(A區(qū)域)之外的未被掩模板保護的區(qū)域。驅(qū)動電路一般包括薄膜晶體管及電容、電線等器件，但只有薄膜晶體管位于單晶硅膜片200上，因此需要去除單晶硅膜片200上除薄膜晶體管之外區(qū)域的單晶硅。步驟143、刻蝕掉單晶硅膜片200上未被光刻膠保護的區(qū)域，再剝離剩余的光刻膠，最終單晶硅膜片200上只留下薄膜晶體管區(qū)域(A區(qū)域)，如圖10所示。圖中只示出一個薄膜晶體管區(qū)域(A區(qū)域)，實際上不止一個。最后，如圖11所示，再涂覆粘結(jié)層202，用柔性膜片214進行封裝完成顯示背板的制程，再貼附用于驅(qū)動的集成電路模塊，進行封裝即可形成柔性顯示裝置。本實用新型實施例提供的柔性顯示裝置的制作方法，實現(xiàn)了柔性可彎曲顯示，并且所述顯示裝置的各個像素(例如0LED)驅(qū)動電流穩(wěn)定，不存在不均一的缺陷，不需要閥值電壓補償電路即可獲得較高的顯示品質(zhì)；另外，相對現(xiàn)有多晶硅形成的發(fā)光顯示裝置，因單晶硅的電子遷移率更高，薄膜晶體管溝道的寬長比可以更小，因此作為驅(qū)動開關(guān)的薄膜晶體管可以制作的非常小，從而使顯示裝置的分辨率得以提高。另外，如圖12所示，進一步優(yōu)選地，所述驅(qū)動電路還包括:用于產(chǎn)生掃描信號的柵極驅(qū)動電路217和用于產(chǎn)生數(shù)據(jù)信號的源極驅(qū)動電路218，均設(shè)置在所述柔性顯示裝置邊框的對應(yīng)區(qū)域；所述驅(qū)動電路中，由單晶硅膜片200形成的薄膜晶體管還包括:柵極驅(qū)動電路217中的第二薄膜晶體管，以及源極驅(qū)動電路218中的第三薄膜晶體管。因單晶硅的電子遷移率更高，薄膜晶體管溝道的寬長比可以更小，薄膜晶體管可以制作的非常小，因此在制作背板(形成驅(qū)動TFT和電激發(fā)光器件)時，可將柵極驅(qū)動電路217和源極驅(qū)動電路218同步制作在背板上。本實施例圖12所述柔性顯示裝置包括:像素顯示區(qū)域216，位于邊框?qū)?yīng)區(qū)域的柵極驅(qū)動電路217和源極驅(qū)動電路218。其中，像素顯示區(qū)域216包括作為像素的電激發(fā)光器件和用于驅(qū)動該電激發(fā)光器件的第一薄膜晶體管，且單晶硅膜片形成該些第一薄膜晶體管的有源層；另外，柵極驅(qū)動電路217和源極驅(qū)動電路218也由單晶硅作為有源層的薄膜晶體管電路構(gòu)成。步驟12中在粘結(jié)有單晶硅膜片200的基板201上形成驅(qū)動電路時，在像素顯示區(qū)域216形成第一薄膜晶體管，同步在邊框?qū)?yīng)區(qū)域形成柵極驅(qū)動電路217中的第二薄膜晶體管以及源極驅(qū)動電路218中的第三薄膜晶體管，且所述第一、第二和第三薄膜晶體管不止一個，如圖13所示，其具體形成過程見上述步驟121-125。相對現(xiàn)有多晶硅形成的發(fā)光顯示裝置，因單晶硅薄膜晶體管更小，因此柵極驅(qū)動電路和源極驅(qū)動電路均由單晶硅在基板上構(gòu)成的薄膜晶體管電路實現(xiàn)，無需外置驅(qū)動集成電路，省略了相關(guān)集成電路綁定/貼合工藝，簡化了工藝流程，提高了良品率。另外，如圖13所示，在本實施例所述的兩種可能的實施方式中，步驟21(圖3中的步驟11)將單晶硅膜片粘結(jié)在基板上之后，還可包括:步驟22、對單晶硅膜片200進行拋光、研磨處理，使單晶硅膜片200特性穩(wěn)定、優(yōu)化。另外，還可通過研磨處理使單晶娃膜片200的厚度減薄。當然也可在步驟25或26中，從背部對單晶硅膜片200進行減薄處理。本實用新型實施例提供的制作方法，實現(xiàn)了柔性可彎曲顯示，并且不需要閥值電壓補償電路，無需外置驅(qū)動集成電路即可獲得較高的顯示品質(zhì)；另外，相對現(xiàn)有多技術(shù)，該方法制備柔性顯示裝置具有更輕薄，分辨率更高以及亮度更均一的優(yōu)點。本實用新型實施例所述的技術(shù)特征，在不沖突的情況下，可任意相互組合使用。以上所述，僅為本實用新型的具體實施方式
，但本實用新型的保護范圍并不局限于此，任何熟悉本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員在本實用新型揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可輕易想到變化或替換，都應(yīng)涵蓋在本實用新型的保護范圍之內(nèi)。因此，本實用新型的保護范圍應(yīng)以權(quán)利要求的保護范圍為準。
權(quán)利要求1.一種柔性顯示裝置，其特征在于，包括: 柔性膜片； 設(shè)置在所述柔性膜片上的驅(qū)動電路和電激發(fā)光器件，其中，所述驅(qū)動電路中的薄膜晶體管的有源層由同一單晶硅膜片形成，所述薄膜晶體管包括位于所述柔性顯示裝置顯示區(qū)域的第一薄膜晶體管； 透明柔性蓋板，封裝在所述電激發(fā)光器件之上。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的柔性顯示裝置，其特征在于， 所述單晶硅膜片由單晶硅晶圓片切割而成； 由單晶硅晶圓片切割而成的單晶硅膜片與所述柔性顯示裝置顯示屏的大小一致。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的柔性顯示裝置，其特征在于，所述驅(qū)動電路還包括:用于產(chǎn)生掃描信號的柵極驅(qū)動電路和用于產(chǎn)生數(shù)據(jù)信號的源極驅(qū)動電路，均設(shè)置在所述柔性顯示裝置邊框的對應(yīng)區(qū)域； 所述薄膜晶體管還包括:所述柵極驅(qū)動電路中的第二薄膜晶體管，以及所述源極驅(qū)動電路中的第三薄膜晶體管。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或3所述的柔性顯示裝置，其特征在于，所述薄膜晶體管，包括: 單晶硅膜片形成的有源層； 柵極絕緣層，設(shè)置在所述有源層上； 柵電極，設(shè)置在所述柵極絕緣層上； 設(shè)置有過孔的層間絕緣層，設(shè)置在所述柵電極上； 源電極和漏電極，設(shè)置在所述層間絕緣層上，經(jīng)所述層間絕緣層及所述柵極絕緣層上的過孔與所述有源層相連接。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的柔性顯示裝置，其特征在于，還包括: 設(shè)置有過孔的絕緣隔墊層，覆蓋在所述薄膜晶體管源、漏電極的上方，且位于所述電激發(fā)光器件的下方。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的柔性顯示裝置，其特征在于，所述電激發(fā)光器件，包括: 陽極，設(shè)置在所述絕緣隔墊層的上方，并通過所述絕緣隔墊層上的過孔與所述第一薄膜晶體管的漏電極相連； 電激發(fā)光層，形成于所述陽極上； 陰極，形成于所述電激發(fā)光層上。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的柔性顯示裝置，其特征在于， 所述電激發(fā)光器件為有機發(fā)光二極管。
8.根據(jù)權(quán)利要求1或3所述的柔性顯示裝置，其特征在于，所述薄膜晶體管的有源層，包括: 溝道區(qū)域，設(shè)置于有源層上與所述柵電極對應(yīng)的區(qū)域； 輕摻雜區(qū)域，設(shè)置于所述溝道區(qū)域的兩側(cè)； 重摻雜區(qū)域，設(shè)置于所述輕摻雜區(qū)域的外側(cè)且遠離溝道區(qū)域。
專利摘要本實用新型公開了一種柔性顯示裝置，涉及顯示領(lǐng)域，制作方法簡單，且能實現(xiàn)柔性顯示，另外，無需設(shè)置閥值電壓補償電路，無需外置驅(qū)動集成電路即可獲得高品質(zhì)的顯示畫面。所述柔性顯示裝置，包括柔性膜片；設(shè)置在所述柔性膜片上的驅(qū)動電路和電激發(fā)光器件，其中，所述驅(qū)動電路中的薄膜晶體管的有源層由同一單晶硅膜片形成，所述薄膜晶體管包括位于所述柔性顯示裝置顯示區(qū)域的第一薄膜晶體管；透明柔性蓋板，封裝在所述電激發(fā)光器件之上。與現(xiàn)有裝置相比，亮度均一，結(jié)構(gòu)簡單，分辨率更高。
文檔編號H01L29/786GK203026507SQ201220646648
公開日2013年6月26日 申請日期2012年11月29日 優(yōu)先權(quán)日2012年11月29日
發(fā)明者楊玉清, 李炳天, 樸承翊, 曹成熙 申請人:京東方科技集團股份有限公司, 成都京東方光電科技有限公司