專利名稱：一種緊湊型智能功率驅(qū)動(dòng)模塊的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型屬于封裝技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種緊湊型智能功率驅(qū)動(dòng)模塊。
背景技術(shù)：
為了提高能源效率，促進(jìn)節(jié)能減排，在消費(fèi)電子和一般エ業(yè)應(yīng)用的電機(jī)中推廣高效電機(jī)意義非常重大。高效電機(jī)的驅(qū)動(dòng)電路的核心主要是智能功率驅(qū)動(dòng)模塊，而在智能功率驅(qū)動(dòng)模塊的封裝結(jié)構(gòu)研發(fā)過(guò)程中，設(shè)計(jì)人員需要面臨如何實(shí)施穩(wěn)健設(shè)計(jì)、優(yōu)化工藝流程、提高良率、降低成本、擴(kuò)大產(chǎn)能等很多實(shí)際問(wèn)題。解決這些問(wèn)題的首要突破口是智能功率驅(qū)動(dòng)模塊的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)本身，其中模塊結(jié)構(gòu)和互連方式設(shè)計(jì)對(duì)產(chǎn)品開發(fā)人員的想象力提出極大地挑戰(zhàn)，而器件應(yīng)用、可靠性及市場(chǎng)等因素又極大地制約了開發(fā)人員創(chuàng)造性的發(fā)揮。如圖1所示的現(xiàn)有的功率驅(qū)動(dòng)模塊框架結(jié)構(gòu)中，包含高壓控制芯片(HVIC) 10、MOSFET芯片20、自舉ニ極管30，每個(gè)高壓控制芯片10和一個(gè)自舉ニ極管30共享ー個(gè)載片臺(tái)，共6個(gè)載片臺(tái)(圖中未示)。在一定的封裝尺寸內(nèi)，一旦所述載片臺(tái)大小被設(shè)定，所述高壓控制芯片10和MOSFET芯片20的尺寸均會(huì)受到載片臺(tái)大小的制約，不能實(shí)現(xiàn)更大功率驅(qū)動(dòng)的封裝要求。如果要實(shí)現(xiàn)功率驅(qū)動(dòng)模塊更大功率的輸出要求，則所述高壓控制芯片10和MOSFET芯片20的尺寸及載片臺(tái)尺寸會(huì)隨著增加。在布線密度及引線間距都達(dá)到エ藝極限的情況下，這樣必須增加封裝體體積。從而不能適應(yīng)緊湊安裝的場(chǎng)合。

實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型的目的是提供一種緊湊型智能功率驅(qū)動(dòng)模塊，使基于一定的封裝尺寸內(nèi)，通過(guò)框架結(jié)構(gòu)及芯片安裝方法的設(shè)計(jì)，實(shí)現(xiàn)多個(gè)高壓控制芯片在不同功率場(chǎng)合實(shí)現(xiàn)封裝需求，以形成可以在更廣泛的電流、電壓及緊湊場(chǎng)合領(lǐng)域得到應(yīng)用的単相智能功率驅(qū)動(dòng)模塊和三相智能功率驅(qū)動(dòng)模塊。為了解決上述問(wèn)題，本實(shí)用新型提供一種緊湊型智能功率驅(qū)動(dòng)模塊，包括 框架；多組驅(qū)動(dòng)信號(hào)引線模塊，形成在所述框架的ー內(nèi)側(cè)；多個(gè)載片臺(tái)，形成在所述框架的另ー內(nèi)側(cè)，與所述多組驅(qū)動(dòng)信號(hào)引線模塊相對(duì)設(shè)置；多組功能信號(hào)引線模塊，分別由相鄰的兩個(gè)所述載片臺(tái)為ー組彎曲后形成在所述框架上；絕緣層，設(shè)置在每組驅(qū)動(dòng)信號(hào)引線模塊上；高壓控制芯片，設(shè)置在每個(gè)所述絕緣層上，每個(gè)所述高壓控制芯片分別相應(yīng)地靠近一組所述載片臺(tái)；MOSFET管，設(shè)置在每個(gè)所述載片臺(tái)上；以及金屬線，將所述高壓控制芯片、MOSFET管與框架電連接。優(yōu)選的，每組所述驅(qū)動(dòng)信號(hào)引線模塊具有的引線腳的數(shù)目為五至八個(gè)。[0015]優(yōu)選的，至少在每組所述驅(qū)動(dòng)信號(hào)弓I線模塊中的兩個(gè)弓I線腳上設(shè)有絕緣層。優(yōu)選的，所述緊湊型智能功率驅(qū)動(dòng)模塊中，包括設(shè)置在每組所述驅(qū)動(dòng)信號(hào)引線模塊中的每個(gè)引線腳上的一加強(qiáng)孔。進(jìn)ー步的，所述緊湊型智能功率驅(qū)動(dòng)模塊中，包括每組所述驅(qū)動(dòng)信號(hào)引線模塊中的一個(gè)引線腳的寬度比每組所述驅(qū)動(dòng)信號(hào)引線模塊中的其余的引線腳的寬度要寬。進(jìn)ー步的，所述緊湊型智能功率驅(qū)動(dòng)模塊中，包括設(shè)置在每組所述驅(qū)動(dòng)信號(hào)引線模塊中寬度較寬的引線腳上的ー自舉ニ極管。優(yōu)選的，所述絕緣層采用的材料為環(huán)氧樹脂薄膜。優(yōu)選的，所述金屬線采用的材料為金或銅線。進(jìn)ー步的，每個(gè)所述高壓控制芯片分別驅(qū)動(dòng)與其鄰近的兩個(gè)所述MOSFET管。進(jìn)ー步的，所述緊湊型智能功率驅(qū)動(dòng)模塊為單相智能功率驅(qū)動(dòng)模塊和三相智能功率驅(qū)動(dòng)模塊。由上述技術(shù)方案可見，本實(shí)用新型公開的緊湊型智能功率驅(qū)動(dòng)模塊具有以下優(yōu)勢(shì)1.所述緊湊型智能功率驅(qū)動(dòng)模塊包括ー框架，并在所述框架上設(shè)有多組驅(qū)動(dòng)信號(hào)引線模塊和多組功能信號(hào)引線模塊，并且每個(gè)高壓控制芯片分別通過(guò)絕緣層粘合和隔離在每組所述驅(qū)動(dòng)信號(hào)弓I線模塊上，而不是安裝在專門的載片臺(tái)，因此省卻了安裝每個(gè)所述高壓控制芯片的載片臺(tái)，而使封裝體積減小，因此，可以實(shí)現(xiàn)內(nèi)置電機(jī)安裝。2.所述緊湊型 智能功率驅(qū)動(dòng)模塊可以根據(jù)功率輸出要求，通過(guò)調(diào)整每個(gè)所述絕緣層的大小而相應(yīng)地調(diào)節(jié)每個(gè)所述高壓控制芯片的大小，并且根據(jù)每個(gè)所述絕緣層大小，在每組所述驅(qū)動(dòng)信號(hào)引線模塊中選擇一定數(shù)目的引線腳與相應(yīng)的每個(gè)所述絕緣層固定連接。因此，本實(shí)用新型可以適用不同芯片尺寸、芯片功率及功能可以多元化。3.在每組所述驅(qū)動(dòng)信號(hào)引線模塊的每個(gè)引腳上均設(shè)有加強(qiáng)孔，可以增強(qiáng)所述框架與塑封料的結(jié)合力。4.在每組所述驅(qū)動(dòng)信號(hào)引線模塊中寬度設(shè)置的較寬的一引線腳上可以設(shè)置ー自舉ニ極管，由于所述自舉ニ極管與所述高壓控制芯片集成在同一框架上，因此，各芯片之間的可靠性提高，也降低了額外的貼裝成本。同時(shí)，所述框架在空余之處，還可以安裝具有一定靈活性的周邊元件，例如増加阻容元件，以實(shí)現(xiàn)自動(dòng)溫度控制等?？梢姡緦?shí)用新型基于一定的封裝尺寸內(nèi)，通過(guò)框架結(jié)構(gòu)及芯片安裝方法的設(shè)計(jì)，實(shí)現(xiàn)多個(gè)高壓控制芯片在不同功率場(chǎng)合實(shí)現(xiàn)封裝需求，以形成可以在更廣泛的電流、電壓及緊湊場(chǎng)合領(lǐng)域得到應(yīng)用的単相智能功率驅(qū)動(dòng)模塊和三相智能功率驅(qū)動(dòng)模塊。

圖1為現(xiàn)有技術(shù)中框架結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為本實(shí)用新型實(shí)施例中的緊湊型智能功率驅(qū)動(dòng)模塊的封裝方法的流程圖；圖3為本實(shí)用新型實(shí)施例中的緊湊型智能功率驅(qū)動(dòng)模塊中框架結(jié)構(gòu)示意圖；圖4為本實(shí)用新型實(shí)施例中的緊湊型智能功率驅(qū)動(dòng)模塊中高壓控制芯片與引線腳連接的側(cè)視示意圖；圖5為本實(shí)用新型實(shí)施例中的緊湊型智能功率驅(qū)動(dòng)模塊中安裝芯片后的框架示意圖；圖6為本實(shí)用新型實(shí)施例中的緊湊型智能功率驅(qū)動(dòng)模塊中芯片與框架鍵合后具有自舉ニ極管的結(jié)構(gòu)示意圖；圖7為本實(shí)用新型實(shí)施例中的緊湊型智能功率驅(qū)動(dòng)模塊中芯片與框架鍵合后具有自舉ニ極管和阻容元件的結(jié)構(gòu)示意圖；圖8為本實(shí)用新型實(shí)施例中的緊湊型智能功率驅(qū)動(dòng)模塊中芯片與框架鍵合后不具有自舉ニ極管的結(jié)構(gòu)示意圖；圖9為本實(shí)用新型實(shí)施例ニ的緊湊型智能功率驅(qū)動(dòng)模塊中芯片與框架鍵合后的結(jié)構(gòu)示意圖。其中，附圖標(biāo)記說(shuō)明如下
100框架；110驅(qū)動(dòng)信號(hào)引線模塊；120載片臺(tái)；130功能信號(hào)引線模塊；140加強(qiáng)孔；210高壓控制芯片；220M0SFET管；230自舉ニ極管；R阻容元件；300絕緣材料；310電連接。
具體實(shí)施方式
為使本實(shí)用新型的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更加明顯易懂，
以下結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型的具體實(shí)施方式
做詳細(xì)的說(shuō)明。在下面的描述中闡述了很多具體細(xì)節(jié)以便于充分理解本實(shí)用新型。但是本實(shí)用新型能夠以很多不同于在此描述的其它方式來(lái)實(shí)施，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以在不違背本實(shí)用新型內(nèi)涵的情況下做類似推廣，因此本實(shí)用新型不受下面公開的具體實(shí)施的限制。以圖2所示的流程圖為例，結(jié)合圖3至圖6，對(duì)本實(shí)用新型提供的一種緊湊型智能功率驅(qū)動(dòng)模塊的封裝方法進(jìn)行詳細(xì)描述。所述封裝方法包括S1:參見圖3，提供ー框架100。S2 :參見圖3、圖6至圖8，在所述框架100的一內(nèi)側(cè)設(shè)有多組驅(qū)動(dòng)信號(hào)引線模塊110。在每組所述驅(qū)動(dòng)信號(hào)引線模塊110中可以設(shè)置的引線腳的數(shù)目為五至八個(gè)。在本實(shí)施例中，參見圖6，如每組所述驅(qū)動(dòng)信號(hào)引線模塊110設(shè)置的引線腳的數(shù)目為六個(gè)，分別為第一引線腳(111)、第二引線腳(112)、第三引線腳(113)、第四引線腳(114)、第五引線腳(115)和第六引線腳(116);參見圖7，如每組所述驅(qū)動(dòng)信號(hào)引線模塊110設(shè)置的引線腳的數(shù)目為七個(gè)，分別為第一引線腳(111)、第二引線腳(112)、第三引線腳(113)、第四引線腳
(114)、第五引線腳(115)、第六引線腳(116)和第七引線腳(117);參見圖8，如每組所述驅(qū)動(dòng)信號(hào)引線模塊110設(shè)置的引線腳的數(shù)目為五個(gè)，則分別為第一引線腳(111)、第二引線腳(112)、第三引線腳(113)、第四引線腳(114)、第五引線腳(115)，依此類推，不再一一贅述。優(yōu)選的，在每組所述驅(qū)動(dòng)信號(hào)引線模塊110中的每個(gè)引腳上均設(shè)ー加強(qiáng)孔140，可以增強(qiáng)所述框架100與后續(xù)安裝在上述引線腳上的芯片及塑封體間的結(jié)合力。參見圖6，如需要在每組所述驅(qū)動(dòng)信號(hào)引線模塊110中的一個(gè)引線腳上安裝ー自舉ニ極管，優(yōu)選的，將每組所述驅(qū)動(dòng)信號(hào)引線模塊110中的一個(gè)引線腳的寬度設(shè)置的比每組所述驅(qū)動(dòng)信號(hào)引線模塊110中的其余的引線腳的寬度要寬，以便后續(xù)可以在所述寬度較寬的所述引線腳上安裝所述自舉ニ極管。在本實(shí)施例中，如將每組所述驅(qū)動(dòng)信號(hào)引線模塊110中的第一引線腳(111)的寬度設(shè)置的較寬，以便后續(xù)可以在所述第一引線腳(111)上安裝所述自舉ニ極管。參見圖8，如不需要在每組所述驅(qū)動(dòng)信號(hào)引線模塊110中的一個(gè)引線腳上安裝ー自舉ニ極管，則無(wú)需將每組所述驅(qū)動(dòng)信號(hào)引線模塊110中的一個(gè)引線腳的寬度設(shè)置的比其余的引線腳的寬度要寬，此時(shí)，每組所述驅(qū)動(dòng)信號(hào)引線模塊110中設(shè)置的引線腳為五個(gè)。進(jìn)ー步的，參見圖6，在每組所述驅(qū)動(dòng)信號(hào)引線模塊110中的第一引線腳(111)上設(shè)有所述自舉ニ極管230。由于所述自舉ニ極管230與所述高壓控制芯片210集成在同一框架上，因此，各芯片之間的可靠性提高，也降低了額外的貼裝成本。同吋，參見圖7，所述框架100在空余之處，還可以安裝具有一定靈活性的周邊元件，例如增加阻容元件R，以實(shí)現(xiàn)自動(dòng)溫度控制等。此外，本實(shí)施例中，所述第一引線腳(111)、第二引線腳(112)、第三引線腳(113)、第四引線腳(114)、第五引線腳(115)、第六引線腳(116)和第七引線腳的位置設(shè)定雖如圖7所示，但不局限于圖7所示的位置關(guān)系。S3 :參見圖3，在與所述框架一內(nèi)側(cè)相對(duì)的另ー內(nèi)側(cè)設(shè)多個(gè)載片臺(tái)120。所述驅(qū)動(dòng)信號(hào)引線模塊的多組數(shù)目根據(jù)功率輸出要求來(lái)確定，則多個(gè)所述載片臺(tái)120的數(shù)目為所述驅(qū)動(dòng)信號(hào)引線模塊的多組數(shù)目的兩倍，也就是說(shuō)，可以將相鄰的兩個(gè)所述載片臺(tái)120為ー組對(duì)多個(gè)所述載片臺(tái)120分組。S4 :參見圖3，分別由每組所述載片臺(tái)彎曲后遠(yuǎn)離所述功能信號(hào)引線模塊110的方向形成一組功能信號(hào)引線模塊130。其中，在每組所述功能信號(hào)引線模塊130中設(shè)置的引線腳的數(shù)目為三個(gè)。如在每組所述驅(qū)動(dòng)信號(hào)引線模塊110 中設(shè)置的引線腳的數(shù)目為五個(gè)，則每組所述功能信號(hào)引線模塊130中設(shè)置的引線腳的標(biāo)示可以為第六(130)、第七(131)和第八引線腳(132);如在每組所述驅(qū)動(dòng)信號(hào)引線模塊110中設(shè)置的引線腳的數(shù)目為六個(gè)，則每組所述功能信號(hào)引線模塊130中設(shè)置的引線腳的標(biāo)示可以為第七(131)、第八(132)和第九引線腳(133);如在每組所述驅(qū)動(dòng)信號(hào)引線模塊110中設(shè)置的引線腳的數(shù)目為七個(gè)，則每組所述功能信號(hào)引線模塊130中設(shè)置的引線腳的標(biāo)示可以為第八(132)、第九(133)和第十引線腳(134)。所述功能信號(hào)引線模塊110和驅(qū)動(dòng)信號(hào)引線模塊130分別設(shè)置在所述框架100的相對(duì)兩側(cè)。此外，本實(shí)施例中，每組所述功能信號(hào)引線模塊130中設(shè)置的三個(gè)引線腳的位置設(shè)定雖如圖7所示，但不局限于圖7所示的位置關(guān)系。S5 :參見圖4、圖6至圖8，在每組驅(qū)動(dòng)信號(hào)引線模塊110上設(shè)絕緣層300。在本實(shí)施例中，至少在每組所述驅(qū)動(dòng)信號(hào)引線模塊110中的兩個(gè)引線腳上設(shè)所述絕緣層300。除了安裝所述自舉ニ極管230的引線腳以及安裝阻容元件R的引線腳之外，在每組所述驅(qū)動(dòng)信號(hào)引線模塊110中的其余的兩個(gè)引線腳上設(shè)所述絕緣層300。也就是說(shuō)，與所述絕緣層300粘合的引線腳可以為兩個(gè)以上，因此，可以根據(jù)功率輸出要求，每個(gè)所述絕緣層300的大小可以調(diào)整，進(jìn)而可以調(diào)整與相應(yīng)的每個(gè)所述絕緣層固定連接的每組所述驅(qū)動(dòng)信號(hào)引線模塊110中的引線腳的數(shù)目。優(yōu)選的，所述絕緣層300采用的材料的可以為環(huán)氧樹脂薄膜。因此，所述絕緣層具有良好的粘合力，可用于粘合與其接觸的引線腳和芯片。S6 :參見圖4和圖5，在每個(gè)所述絕緣層300上安裝一高壓控制芯片210，將每個(gè)所述高壓控制芯片210分別相應(yīng)地靠近ー組所述載片臺(tái)。由于所述絕緣層300的大小可以調(diào)整，因此，安裝在每個(gè)所述絕緣層300上的高壓控制芯片210的大小也可以隨之調(diào)整，因此，本實(shí)用新型可以適用不同芯片尺寸、芯片功率及功能可以多元化。并且，每個(gè)所述高壓控制芯片210分別通過(guò)其下的所述絕緣層210固定和隔離在每組所述驅(qū)動(dòng)信號(hào)引線模塊110上，而不是安裝在專門的載片臺(tái)，因此省卻了安裝每個(gè)所述高壓控制芯片210的載片臺(tái)，而使封裝體積減小，因此，可以實(shí)現(xiàn)內(nèi)置電機(jī)安裝。S7 :參見圖5，在每個(gè)所述載片臺(tái)上設(shè)MOSFET管220。S8 :參見圖6至圖8，將所述高壓控制芯片210、MOSFET管220與框架100通過(guò)金屬線310進(jìn)行電連接。 因此，每個(gè)所述高壓控制芯片210分別驅(qū)動(dòng)與其鄰近的兩個(gè)所述MOSFET管220。優(yōu)選的，所述電連接310采用的金屬線310的材料為金或銅線。因此，本實(shí)用新型基于一定的封裝尺寸內(nèi)，經(jīng)過(guò)步驟SI至S8后，實(shí)現(xiàn)多個(gè)高壓控制芯片在不同功率場(chǎng)合實(shí)現(xiàn)封裝需求，以形成可以在更廣泛的電流、電壓及緊湊場(chǎng)合領(lǐng)域得到應(yīng)用的単相智能功率驅(qū)動(dòng)模塊和三相智能功率驅(qū)動(dòng)模塊，參見圖9。本實(shí)用新型還提供一種緊湊型智能功率驅(qū)動(dòng)模塊，所述緊湊型智能功率驅(qū)動(dòng)模塊由所述緊湊型智能功率驅(qū)動(dòng)模塊的封裝方法形成。所述緊湊型智能功率驅(qū)動(dòng)模塊包括框架100 ;多組驅(qū)動(dòng)信號(hào)引線模塊110，形成在所述框架100的ー內(nèi)側(cè)；多個(gè)載片臺(tái)120，形成在所述框架100的另ー內(nèi)側(cè)，與所述多組驅(qū)動(dòng)信號(hào)引線模塊110相對(duì)設(shè)置；多組功能信號(hào)引線模塊130，分別由相鄰的兩個(gè)所述載片臺(tái)120為ー組彎曲后形成在所述框架100上；絕緣層300，設(shè)置在每組驅(qū)動(dòng)信號(hào)引線模塊110上；高壓控制芯片210，設(shè)置在每個(gè)所述絕緣層300上，每個(gè)所述高壓控制芯片210分別相應(yīng)地靠近ー組所述載片臺(tái)120 ；MOSFET管220，設(shè)置在每個(gè)所述載片臺(tái)120上；以及金屬線310，將所述高壓控制芯片210、MOSFET管220與框架110電連接。優(yōu)選的，每組所述驅(qū)動(dòng)信號(hào)引線模塊110具有的引線腳的數(shù)目為五至八個(gè)。在本實(shí)施例中，參見圖6，如每組所述驅(qū)動(dòng)信號(hào)引線模塊110設(shè)置的引線腳的數(shù)目為六個(gè)，分別為第一引線腳(111)、第二引線腳(112)、第三引線腳(113)、第四引線腳(114)、第五引線腳
(115)和第六引線腳(116);參見圖7，如每組所述驅(qū)動(dòng)信號(hào)引線模塊110設(shè)置的引線腳的數(shù)目為七個(gè)，分別為第一引線腳(111)、第二引線腳(112)、第三引線腳(113)、第四引線腳(114)、第五引線腳(115)、第六引線腳(116)和第七引線腳(117);參見圖8，如每組所述驅(qū)動(dòng)信號(hào)引線模塊110設(shè)置的引線腳的數(shù)目為五個(gè)，則分別為第一引線腳(111)、第二引線腳(112)、第三引線腳(113)、第四引線腳(114)、第五引線腳(115)。優(yōu)選的，所述緊湊型智能功率驅(qū)動(dòng)模塊中，還包括設(shè)置在每組所述驅(qū)動(dòng)信號(hào)引線模塊110中的每個(gè)引線腳上的一加強(qiáng)孔140，可以增強(qiáng)所述框架100與后續(xù)安裝在上述引線腳上的芯片及塑封體間的結(jié)合力。在本實(shí)施例中，如不需要在每組所述驅(qū)動(dòng)信號(hào)引線模塊110中的一個(gè)引線腳上安裝ー自舉ニ極管，則無(wú)需將每組所述驅(qū)動(dòng)信號(hào)引線模塊HO中的一個(gè)引線腳的寬度設(shè)置的比其余的引線腳的寬度要寬，此時(shí)，每組所述驅(qū)動(dòng)信號(hào)引線模塊110中設(shè)置的引線腳為五個(gè)；如需要在每組所述驅(qū)動(dòng)信號(hào)引線模塊110中的一個(gè)引線腳上安裝所述自舉ニ極管，優(yōu)選的，所述緊湊型智能功率驅(qū)動(dòng)模塊中，還包括每組所述驅(qū)動(dòng)信號(hào)引線模塊中的一個(gè)引線腳的寬度比每組所述驅(qū)動(dòng)信號(hào)引線模塊中的其余的引線腳的寬度要寬，以便后續(xù)可以在所述寬度較寬的所述引線腳上安裝所述自舉ニ極管。在本實(shí)施例中，如將每組所述驅(qū)動(dòng)信號(hào)引線模塊110中的第一引線腳(111)的寬度設(shè)置的較寬，以便后續(xù)可以在所述第一引線腳(111)上安裝所述自舉ニ極管。進(jìn)ー步的， 參見圖6，所述緊湊型智能功率驅(qū)動(dòng)模塊中，還包括設(shè)置在每組所述驅(qū)動(dòng)信號(hào)引線模塊110中的第一引線腳(111)上的所述自舉ニ極管230。由于所述自舉ニ極管230與所述高壓控制芯片210集成在同一框架上，因此，各芯片之間的可靠性提高，也降低了額外的貼裝成本。同吋，參見圖7，所述框架100在空余之處，還可以安裝具有一定靈活性的周邊元件，例如増加阻容元件R，以實(shí)現(xiàn)自動(dòng)溫度控制等。優(yōu)選的，所述緊湊型智能功率驅(qū)動(dòng)模塊中，還包括至少設(shè)置在每組所述驅(qū)動(dòng)信號(hào)引線模塊110中除安裝所述自舉ニ極管或是安裝阻容元件的引線腳之外的其余的兩個(gè)引線腳上的絕緣層300。此外，與所述絕緣層300粘合的引線腳可以為兩個(gè)以上，因此，可以根據(jù)功率輸出要求，每個(gè)所述絕緣層300的大小可以調(diào)整，進(jìn)而可以調(diào)整與相應(yīng)的每個(gè)所述絕緣層固定連接的每組所述驅(qū)動(dòng)信號(hào)引線模塊110中的引線腳的數(shù)目。優(yōu)選的，所述絕緣層300采用的材料的可以為環(huán)氧樹脂薄膜。因此，所述絕緣層具有良好的粘合力，可用于粘合與其接觸的引線腳和芯片。由于所述絕緣層300的大小可以調(diào)整，因此，安裝在每個(gè)所述絕緣層300上的高壓控制芯片210的大小也可以隨之調(diào)整，因此，本實(shí)用新型可以適用不同芯片尺寸、芯片功率及功能可以多元化。并且，每個(gè)所述高壓控制芯片210分別通過(guò)其下的所述絕緣層300固定和隔離在每組所述驅(qū)動(dòng)信號(hào)引線模塊110上，而不是安裝在專門的載片臺(tái)，因此省卻了安裝每個(gè)所述高壓控制芯片210的載片臺(tái)，而使封裝體積減小，因此，可以實(shí)現(xiàn)內(nèi)置電機(jī)安裝。優(yōu)選的，所述電連接310采用的材料為金或銅線?？梢?，本實(shí)用新型提出的緊湊型智能功率驅(qū)動(dòng)模塊，基于一定的封裝尺寸內(nèi)，通過(guò)框架結(jié)構(gòu)及芯片安裝方法的設(shè)計(jì)，實(shí)現(xiàn)多個(gè)高壓控制芯片在不同功率場(chǎng)合實(shí)現(xiàn)封裝需求，以形成可以在更廣泛的電流、電壓及緊湊場(chǎng)合領(lǐng)域得到應(yīng)用的単相智能功率驅(qū)動(dòng)模塊和三相智能功率驅(qū)動(dòng)模塊。本實(shí)用新型雖然以較佳實(shí)施例公開如上，但其并不是用來(lái)限定權(quán)利要求，任何本領(lǐng)域技術(shù)人員在不脫離本實(shí)用新型的精神和范圍內(nèi)，都可以做出可能的變動(dòng)和修改，因此本實(shí)用新型的保護(hù)范圍應(yīng)當(dāng)以本實(shí)用新型權(quán)利要求所界定的范圍為準(zhǔn)。
權(quán)利要求1.一種緊湊型智能功率驅(qū)動(dòng)模塊，包括 框架； 多組驅(qū)動(dòng)信號(hào)引線模塊，形成在所述框架的一內(nèi)側(cè)； 多個(gè)載片臺(tái)，形成在所述框架的另一內(nèi)側(cè)，與所述多組驅(qū)動(dòng)信號(hào)引線模塊相對(duì)設(shè)置； 多組功能信號(hào)引線模塊，分別由相鄰的兩個(gè)所述載片臺(tái)為一組彎曲后形成在所述框架上; 絕緣層，設(shè)置在每組驅(qū)動(dòng)信號(hào)引線模塊上； 高壓控制芯片，設(shè)置在每個(gè)所述絕緣層上，每個(gè)所述高壓控制芯片分別相應(yīng)地靠近一組所述載片臺(tái)； MOSFET管，設(shè)置在每個(gè)所述載片臺(tái)上；以及 金屬線，將所述高壓控制芯片、MOSFET管與框架電連接。
2.如權(quán)利要求1所述的緊湊型智能功率驅(qū)動(dòng)模塊，其特征在于，每組所述驅(qū)動(dòng)信號(hào)引線模塊具有的引線腳的數(shù)目為五至八個(gè)。
3.如權(quán)利要求2所述的緊湊型智能功率驅(qū)動(dòng)模塊，其特征在于，至少在每組所述驅(qū)動(dòng)信號(hào)弓I線模塊中的兩個(gè)弓I線腳上設(shè)有絕緣層。
4.如權(quán)利要求2所述的緊湊型智能功率驅(qū)動(dòng)模塊，其特征在于，包括設(shè)置在每組所述驅(qū)動(dòng)信號(hào)引線模塊中的每個(gè)引線腳上的一加強(qiáng)孔。
5.如權(quán)利要求2所述的緊湊型智能功率驅(qū)動(dòng)模塊，其特征在于，包括每組所述驅(qū)動(dòng)信號(hào)引線模塊中的一個(gè)引線腳的寬度比每組所述驅(qū)動(dòng)信號(hào)引線模塊中的其余的引線腳的寬度要寬。
6.如權(quán)利要求5所述的緊湊型智能功率驅(qū)動(dòng)模塊，其特征在于，包括設(shè)置在每組所述驅(qū)動(dòng)信號(hào)引線模塊中寬度較寬的引線腳上的一自舉二極管。
7.如權(quán)利要求1所述的緊湊型智能功率驅(qū)動(dòng)模塊，其特征在于，所述絕緣層采用的材料為環(huán)氧樹脂薄膜。
8.如權(quán)利要求1所述的緊湊型智能功率驅(qū)動(dòng)模塊，其特征在于，所述金屬線采用的材料為金或銅線。
9.如權(quán)利要求1所述的緊湊型智能功率驅(qū)動(dòng)模塊，其特征在于，每個(gè)所述高壓控制芯片分別驅(qū)動(dòng)與其鄰近的兩個(gè)所述MOSFET管。
10.如權(quán)利要求1所述的緊湊型智能功率驅(qū)動(dòng)模塊，其特征在于，所述緊湊型智能功率驅(qū)動(dòng)模塊為單相智能功率驅(qū)動(dòng)模塊和三相智能功率驅(qū)動(dòng)模塊。
專利摘要本實(shí)用新型提供一種緊湊型智能功率驅(qū)動(dòng)模塊，包括框架；多組驅(qū)動(dòng)信號(hào)引線模塊，形成在框架的一內(nèi)側(cè)；多個(gè)載片臺(tái)，形成在框架的另一內(nèi)側(cè)，與多組驅(qū)動(dòng)信號(hào)引線模塊相對(duì)設(shè)置；多組功能信號(hào)引線模塊，分別由相鄰的兩個(gè)載片臺(tái)為一組彎曲后形成在框架上；絕緣層，設(shè)置在每組驅(qū)動(dòng)信號(hào)引線模塊上；高壓控制芯片，設(shè)置在每個(gè)絕緣層上，每個(gè)高壓控制芯片分別相應(yīng)地靠近一組載片臺(tái)；MOSFET管，設(shè)置在每個(gè)載片臺(tái)上；以及金屬線，將高壓控制芯片、MOSFET管與框架電連接，通過(guò)框架結(jié)構(gòu)及芯片安裝方法的設(shè)計(jì)，實(shí)現(xiàn)多個(gè)高壓控制芯片在不同功率場(chǎng)合實(shí)現(xiàn)封裝需求，以形成可以在更廣泛的電流、電壓及緊湊場(chǎng)合領(lǐng)域得到應(yīng)用的單相智能功率驅(qū)動(dòng)模塊和三相智能功率驅(qū)動(dòng)模塊。
文檔編號(hào)H01L23/13GK202871770SQ20122059508
公開日2013年4月10日 申請(qǐng)日期2012年11月12日 優(yōu)先權(quán)日2012年11月12日
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