專利名稱：一種新型Chip LED器件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種半導(dǎo)體發(fā)光器件，尤其涉及一種新型Chip LED器件。
背景技術(shù)：
傳統(tǒng)的Chip LED器件結(jié)構(gòu)是以PCB電路板作為基板，金屬作為導(dǎo)線支架，如圖I所示，導(dǎo)線支架20從PCB基板10的側(cè)邊延伸至底部，分別形成側(cè)電極和底部電極。該傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)的LED器件的缺點(diǎn)較多，主要包括1、結(jié)構(gòu)復(fù)雜，制造過程復(fù)雜、成本高。2、LED器件的金屬支架和Pcb電路板由于結(jié)合力不足，容易導(dǎo)致金屬支架在PCB電路板上脫落或者產(chǎn)生間隙，使外部的水汽通過間隙滲入LED芯片，導(dǎo)致LED芯片受損，增加產(chǎn)品的不良率和降低器件的可靠性。3、傳統(tǒng)的ChipLED器件，由于PCB電路板的熱導(dǎo)性不是很好，并且LED芯片和LED器件的電極不是垂直結(jié)構(gòu)，不利于器件的散熱。鑒于傳統(tǒng)的Chip LED器件固有的缺陷，急需開發(fā)出一種結(jié)構(gòu)簡單，制作過程簡單，器件氣密性好，散熱性好的的Chip LED器件。
發(fā)明內(nèi)容本實(shí)用新型是采用如下技術(shù)方案來實(shí)現(xiàn)上述目的—種新型Chip LED器件,包括金屬基板,至少一個設(shè)置于金屬基板上表面的LED芯片以及將金屬基板、LED芯片一起包封的封裝膠體；所述的金屬基板包括至少一個芯片安放部以及至少兩個電極部，所述的電極部之間通過所述的封裝膠體實(shí)現(xiàn)電性絕緣，其特征在于，所述的金屬基板底部還包括至少一個從所述金屬基板底部表面向內(nèi)凹陷的加強(qiáng)部，所述封裝膠體填充加強(qiáng)部并與加強(qiáng)部外的封裝膠體成一體結(jié)構(gòu)。進(jìn)一步的，所述芯片安放部與電極部為一體結(jié)構(gòu)。進(jìn)一步的，所述加強(qiáng)部設(shè)置在金屬基板的側(cè)邊上。進(jìn)一步的，所述的加強(qiáng)部設(shè)置在電極部的側(cè)邊上，呈“7”或者“倒L”狀的臺階狀凹陷結(jié)構(gòu)，加強(qiáng)部的凹陷處填充有封裝膠體，并與加強(qiáng)部外的封裝膠體成一體結(jié)構(gòu)。進(jìn)一步的，所述金屬基板底部只有電極部的底部暴露于封裝膠體之外，形成底部電極結(jié)構(gòu)。進(jìn)一步的，在所述新型Chip LED器件的一對側(cè)面分別保留電極部的外側(cè)面露于封裝膠體之外，形成側(cè)電極。 進(jìn)一步的，所述側(cè)電極上分別設(shè)置一個缺口，所述的缺口呈半圓柱體結(jié)構(gòu)。所述加強(qiáng)部還可以設(shè)置在金屬基板的電極部底部，是自電極部的底部向內(nèi)凹陷形成的凹槽結(jié)構(gòu)，所述凹槽貫穿電極部的至少一個內(nèi)側(cè)面從而在該內(nèi)側(cè)面形成一個缺口，該缺口不跨到相鄰側(cè)面，缺口的寬度小于底部電極的內(nèi)側(cè)邊寬度；封裝膠體填充凹槽后，凹槽內(nèi)的封裝膠體通過缺口與電極部之外的封裝膠體成一體結(jié)構(gòu)。進(jìn)一步的，所述加強(qiáng)部的凹槽還貫穿電極部的至少一個外側(cè)面從而在該外側(cè)面形成一個缺口，該缺口不跨到相鄰側(cè)面，缺口的寬度小于底部電極的外側(cè)邊寬度。[0013]進(jìn)一步的，所述加強(qiáng)部形成的凹槽只貫通底部電極的內(nèi)側(cè)邊從而在電極部的內(nèi)側(cè)面形成一個缺口，所述缺口的寬度小于底部電極側(cè)邊，所述缺口不跨到電極部的相鄰側(cè)面。進(jìn)一步的，所述每個加強(qiáng)部形成的凹槽貫穿底部電極的一對側(cè)邊，從而在每個電極部的一對側(cè)面分別形成一個缺口，所述缺口的寬度小于底部電極側(cè)邊，所述缺口不跨過電極部相鄰側(cè)面。進(jìn)一步的，所述加強(qiáng)部的凹槽同時貫通電極部的兩個對邊從而在電極部的兩對側(cè)面分別形成一個缺口，所述缺口的寬度小于 底部電極側(cè)邊，所述缺口不跨過電極部相鄰側(cè)面。本實(shí)用新型采用有以下優(yōu)點(diǎn)I、結(jié)構(gòu)簡單，制造成本低。2、金屬基板的底部具有若干個加強(qiáng)部，該結(jié)構(gòu)可以使封裝膠體和金屬基板緊密結(jié)合，提高了器件的氣密性和可靠性。3、采用腐蝕技術(shù)形成的加強(qiáng)部，加大了注塑封裝膠體時的封裝膠體流道面積，使LED器件更容易成型，有利于小尺寸器件的設(shè)計。4、采用金屬材料作為基板，LED芯片與器件電極為垂直結(jié)構(gòu)，加快了 LED器件的散熱，有利于提聞器件的壽命。5、同時具備底部電極和側(cè)電極，器件焊接面積大，易于焊接，且不容易出現(xiàn)因?yàn)殡姌O面積過小而造成斷路現(xiàn)象。

圖I為背景技術(shù)附圖；圖2為實(shí)施例--種新型Chip LED器件的主視圖示意圖；圖3為實(shí)施例種新型Chip LED器件的俯視圖不意圖；圖4為實(shí)施例--種新型Chip LED器件的仰視圖示意圖；圖5為實(shí)施例二一種新型Chip LED器件的主視圖示意圖；圖6為實(shí)施例二一種新型Chip LED器件的俯視圖示意圖；圖7為實(shí)施例二一種新型Chip LED器件的仰視圖示意圖；圖8為實(shí)施例二一種新型Chip LED器件的王視圖不意圖；圖9為實(shí)施例三一種新型Chip LED器件的俯視圖示意圖；圖10為實(shí)施例三一種新型Chip LED器件的仰視圖示意圖；圖11為實(shí)施例四一種新型Chip LED器件的俯視圖示意圖；圖12為實(shí)施例四一種新型Chip LED器件的主視圖示意圖；圖13為實(shí)施例五一種新型Chip LED器件的截面視圖示意圖；圖14為實(shí)施例五一種新型Chip LED器件的仰視圖示意圖；圖15為其他實(shí)施例五一種新型Chip LED器件的仰視圖示意圖；圖16為其他實(shí)施例五一種新型Chip LED器件的仰視圖示意圖；圖17為其他實(shí)施例五一種新型Chip LED器件的仰視圖示意圖；圖18為實(shí)施例六一種新型Chip LED器件的仰視圖示意圖；圖19為實(shí)施例六一種新型Chip LED器件的俯視圖示意圖。[0041]示圖標(biāo)記I金屬基板；10PCB基板；11芯片安裝部；12加強(qiáng)結(jié)構(gòu)；13電極部；131底部電極；132側(cè)電極；133缺口 ； 1311側(cè)邊；134側(cè)面；1341內(nèi)側(cè)面;2封裝膠體；20導(dǎo)線支架；3LED芯片；4金線山缺口寬度；H底部電極側(cè)邊寬。
具體實(shí)施方式
本實(shí)用新型提供了一種結(jié)構(gòu)簡單、制造成本低、適用于表面貼裝的一種新型Chi PLED器件，為了使本領(lǐng)域的技術(shù)人員更好地理解本發(fā)明的技術(shù)方案，
以下結(jié)合附圖和優(yōu)選實(shí)施例對本發(fā)明作進(jìn)一步的詳細(xì)說明。實(shí)施例一如圖2所示，本實(shí)施例提供了一種新型Chip LED器件，包括一金屬基板1，至少
一個設(shè)置于金屬基板I上表面的LED芯片3，連接LED芯片電極和器件電極的金線4以及將金屬基板I、LED芯片3和金線4 一起包封的封裝膠體2。在其他實(shí)施例中，所述的LED芯片3是倒裝芯片時，不需要金線。所述金屬基板I包括至少一個芯片安放部11、用以卡扣封裝膠體的加強(qiáng)部12以及至少兩個電極部13 ;其中，所述加強(qiáng)部12是自金屬基板底部向內(nèi)凹陷形成的結(jié)構(gòu)，所述凹陷填充封裝膠體2 ;所述電極部13是露于封裝膠體2之外的金屬基板底部，與電極部13位置相應(yīng)的金屬基板I上表面用以連接金線4或者與LED芯片3電極電性連接，以實(shí)現(xiàn)LED芯片3與電極部13的電性連接，電極部13之間是通過封裝膠體2實(shí)現(xiàn)電性絕緣；所述芯片安放部11與至少一個電極部13是通過封裝膠體2電性絕緣；所述芯片安放部11的底部可以是露出在封裝膠體2之外，或者被封裝膠體2全包封。在本實(shí)施例中，如圖3和圖4所示，所述的LED芯片為三個，分別為紅、綠、藍(lán)芯片；所述芯片安放部11共有三個、電極部13共有四個，所述三個LED芯片安放部11分別與三個電極部成一體結(jié)構(gòu)，其余一電極部均通過封裝膠體2實(shí)現(xiàn)與芯片安放部11的電性絕緣并作為三個LED芯片的共電極；所述三個LED芯片3分別安放于三個芯片安放部11上；與芯片安放部11電性絕緣的電極部13是通過金線4實(shí)現(xiàn)與LED芯片3電極的電性連接；所述新型Chip LED器件的底部只有電極部露在封裝膠體之外，形成底部電極結(jié)構(gòu)。所述的加強(qiáng)部12，是在所述金屬基板I的底部通過半腐蝕技術(shù)形成的，在本實(shí)施例中，參考圖2，所述的加強(qiáng)部12設(shè)置在金屬基板I的四個電極部13的側(cè)邊上，呈“7”或者“倒L”狀的臺階狀凹陷結(jié)構(gòu)；如圖4所示，加強(qiáng)部12的凹陷處填充有封裝膠體，使電極部13的四側(cè)被封裝膠體包圍。由于封裝膠體2填充了加強(qiáng)部12的凹陷結(jié)構(gòu)內(nèi)，讓封裝膠體2可以通過加強(qiáng)部12實(shí)現(xiàn)與金屬基板I類似卡扣方式連接，所以封裝膠體與金屬基板I更緊密與牢固地結(jié)合，不容易松動，提高了器件的可靠性。本實(shí)施例提供的一種新型Chip LED器件，與傳統(tǒng)的Chip LED器件相比較，其有益效果在于I、結(jié)構(gòu)簡單，制造成本低。2、金屬基板的底部具有若干個加強(qiáng)部，該結(jié)構(gòu)可以使封裝膠體和金屬基板緊密結(jié)合，提高了器件的氣密性和可靠性。[0053]3、采用腐蝕技術(shù)形成的加強(qiáng)部，加大了注塑封裝膠體時的封裝膠體流道面積，使LED器件更容易成型，有利于小尺寸器件的設(shè)計。4、采用金屬材料作為基板，LED芯片與器件電極為垂直結(jié)構(gòu)，加快了 LED器件的散熱，有利于提聞器件的壽命。實(shí)施例二本實(shí)施例提供了一種新型Chip LED器件，其結(jié)構(gòu)與實(shí)施例一的基本一致，其區(qū)別點(diǎn)在于所述電極部除了底部暴露于封裝膠體之外，其至少一個向外的側(cè)面暴露于封裝膠體之外，形成側(cè)電極。如圖5所示，所述金屬基板的四個電極部向內(nèi)的側(cè)邊設(shè)置有加強(qiáng)部12，加強(qiáng)部12的凹陷內(nèi)填充封裝膠體2 ;如圖6和圖7所示，在所述新型Chip LED器件的一對側(cè)面分別保留四個電極部的外側(cè)面露于封裝膠體2之外，形成側(cè)電極132，其余側(cè)邊均被封裝膠體2包圍。本實(shí)施例中，結(jié)合圖5至圖7看，所述的電極部13由底部電極131和側(cè)電極132構(gòu)成。即本實(shí)施例的設(shè)計使所述的LED器件具有四個底部電極131和四個側(cè)電極132。設(shè)置了具有底部電極和側(cè)電極的Chip LED器件，可以滿足不同用戶的需求。實(shí)施例三本實(shí)施例提供了一種新型Chip LED器件，與實(shí)施例二區(qū)別點(diǎn)在于所述的底部電極和側(cè)電極分別為兩個，設(shè)于所述LED器件的對邊。如圖8至圖10所示，所述的LED芯片3的數(shù)量為一個，所述的金屬基板I由一個芯片安放部11和兩個電極部13組成，一個芯片安放部11與一個電極部13成一體結(jié)構(gòu)，另一電極部13與芯片安放部11通過封裝膠體2實(shí)現(xiàn)電性絕緣，并且通過金線4與LED芯片3電性連接。本實(shí)施例提供的一種新型單芯片Chip LED器件，結(jié)構(gòu)簡單，散熱性能強(qiáng)，加強(qiáng)部的設(shè)計使器件的氣密性更加好。實(shí)施例四本實(shí)施例提供了一種新型Chip LED器件，與實(shí)施例三結(jié)構(gòu)和有益效果基本一致，區(qū)別點(diǎn)在于如圖11和圖12所示，所述的芯片安放部11與兩個電極部13分別通過封裝膠體2實(shí)現(xiàn)電性絕緣，通過金線4與LED芯片3電性連接。實(shí)施例五本實(shí)施例提供了一種新型Chip LED器件，與實(shí)施例二的區(qū)別在于所述的加強(qiáng)部設(shè)置在金屬基板的四個電極部的底部，是自電極部的底部向內(nèi)凹陷形成的凹槽結(jié)構(gòu)，所述凹槽貫穿電極部的至少一個內(nèi)側(cè)面從而在該內(nèi)側(cè)面形成一個缺口，該缺口不跨到相鄰側(cè)面，缺口的寬度小于底部電極的內(nèi)側(cè)邊寬度。封裝膠體填充凹槽后，凹槽內(nèi)的封裝膠體通過缺口與電極部之外的封裝膠體成一體結(jié)構(gòu)。進(jìn)一步地，所述凹槽還貫穿電極部的至少一個外側(cè)面從而在該外側(cè)面形成一個缺口，該缺口不跨到相鄰側(cè)面，缺口的寬度小于底部電極的外側(cè)邊寬度。在本實(shí)施例中，如圖13和圖14所示，所述的加強(qiáng)部形成的凹槽只貫通底部電極的內(nèi)側(cè)邊1341，在每個電極部的一對側(cè)面分別形成一個缺口 133，缺口 133的寬度h小于底部電極側(cè)邊1341的寬度H，從而所述缺口 133邊緣不與底部電極相鄰側(cè)邊的交點(diǎn)重合且缺口133不跨過電極部相鄰側(cè)面134缺口 133設(shè)于電極部的內(nèi)側(cè)面1341，一個內(nèi)側(cè)面1341對應(yīng)一個缺口 133，所述缺口 133不跨到電極部的相鄰側(cè)面134，本實(shí)施例提供的LED器件，由于電極部的外側(cè)面無封裝膠體，故在器件焊接時，不會因?yàn)楹附訙囟冗^高而對封裝膠體造成損害，一定程度上保護(hù)了封裝膠體，提高器件的可靠性。在其他實(shí)施例中，如圖15所示，所述加強(qiáng)部形成的凹槽進(jìn)一步的，分別貫穿四個底部電極的一對側(cè)邊1311，從而在每個電極部的一對側(cè)面分別形成一個缺口 133 ;如圖16所示所述的加強(qiáng)部還可以貫通底部電極的相鄰內(nèi)側(cè)邊；另外，如圖17所示，所述的加強(qiáng)部甚至還可以同時貫通電極部的兩個對邊。加強(qiáng)部的設(shè)置是為了使所述加強(qiáng)部形成的凹槽填充封裝膠體后，通過缺口與電極部之外的封裝膠體成一體結(jié)構(gòu)，實(shí)現(xiàn)封裝膠體和所述金屬基板的緊密牢固結(jié)合，鑒于此，所述缺口的設(shè)計還可有其他若干改進(jìn)和修飾，不限于本實(shí)施例。本實(shí)施例提供的Chip LED器件包括了結(jié)構(gòu)簡單，可靠性高，散熱性好等有益效果，進(jìn)一步的，由于電極部的兩個外側(cè)面和底部均暴露在外，形成側(cè)面電極和底部電極，在器件焊接的過程，與焊料的接觸面積大，不容易出現(xiàn)因?yàn)殡姌O面積過小而造成斷路現(xiàn)象。實(shí)施例六本實(shí)施例提供的一種新型Chip LED器件，與實(shí)施例五的區(qū)別在于所述的底部電極和側(cè)電極分別為兩個，設(shè)于所述LED器件的對邊，如圖18至圖19所示所述的加強(qiáng)部12設(shè)置在金屬基板的兩個電極部13的底部，是自金屬基板底部向內(nèi)凹陷形成的凹槽結(jié)構(gòu)，凹槽內(nèi)填充封裝膠體2,使金屬基板與封裝膠體以類似卡扣方式連接，提高兩者結(jié)合的牢固性。相比傳統(tǒng)的PCB基板，金屬基板的散熱性能佳，且為LED芯片和電極為垂直結(jié)構(gòu)，散熱快，進(jìn)而提高所述器件的壽命。以上對本實(shí)用新型進(jìn)行了詳細(xì)介紹，文中應(yīng)用具體個例對本實(shí)用新型的原理及實(shí)施方式進(jìn)行了闡述，以上實(shí)施例的說明只是用于幫助理解本實(shí)用新型的方法及其核心思想。應(yīng)當(dāng)指出，對于本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本實(shí)用新型原理的前提下，還可以對本實(shí)用新型進(jìn)行若干改進(jìn)和修飾，這些改進(jìn)和修飾也落入本實(shí)用新型權(quán)利要求的保護(hù)范圍內(nèi)。
權(quán)利要求1.一種新型Chip LED器件,包括金屬基板,至少一個設(shè)置于金屬基板上表面的LED芯片以及將金屬基板、LED芯片一起包封的封裝膠體；所述的金屬基板包括至少一個芯片安放部以及至少兩個電極部，所述的電極部之間通過所述的封裝膠體實(shí)現(xiàn)電性絕緣，其特征在于，所述的金屬基板底部還包括至少一個從所述金屬基板底部表面向內(nèi)凹陷的加強(qiáng)部，所述封裝膠體填充加強(qiáng)部并與加強(qiáng)部外的封裝膠體成一體結(jié)構(gòu)。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的一種新型ChipLED器件，其特征在于，所述芯片安放部與電極部為一體結(jié)構(gòu)。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的一種新型ChipLED器件，其特征在于，所述加強(qiáng)部設(shè)置在金屬基板的側(cè)邊上。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種新型ChipLED器件，其特征在于，所述的加強(qiáng)部設(shè)置在電極部的側(cè)邊上，呈“7”或者“倒L”狀的臺階狀凹陷結(jié)構(gòu)，加強(qiáng)部的凹陷處填充有封裝膠體，并與加強(qiáng)部外的封裝膠體成一體結(jié)構(gòu)。
5.根據(jù)權(quán)利要求I所述的一種新型ChipLED器件，其特征在于，所述金屬基板底部只有電極部的底部暴露于封裝膠體之外，形成底部電極結(jié)構(gòu)。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種新型ChipLED器件，其特征在于，在所述新型Chip LED器件的一對側(cè)面分別保留電極部的外側(cè)面露于封裝膠體之外，形成側(cè)電極。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的一種新型ChipLED器件，其特征在于，所述側(cè)電極上分別設(shè)置一個缺口，所述的缺口呈半圓柱體結(jié)構(gòu)。
8.根據(jù)權(quán)利要求I所述的一種新型ChipLED器件，其特征在于，所述加強(qiáng)部設(shè)置在金屬基板的電極部底部，是自電極部的底部向內(nèi)凹陷形成的凹槽結(jié)構(gòu)，所述凹槽貫穿電極部的至少一個內(nèi)側(cè)面從而在該內(nèi)側(cè)面形成一個缺口，該缺口不跨到相鄰側(cè)面，缺口的寬度小于底部電極的內(nèi)側(cè)邊寬度；封裝膠體填充凹槽后，凹槽內(nèi)的封裝膠體通過缺口與電極部之外的封裝膠體成一體結(jié)構(gòu)。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的一種新型ChipLED器件，其特征在于，所述加強(qiáng)部的凹槽還貫穿電極部的至少一個外側(cè)面從而在該外側(cè)面形成一個缺口，該缺口不跨到相鄰側(cè)面，缺口的寬度小于底部電極的外側(cè)邊寬度。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的一種新型ChipLED器件，其特征在于，所述加強(qiáng)部形成的凹槽只貫通底部電極的內(nèi)側(cè)邊從而在電極部的內(nèi)側(cè)面形成一個缺口，所述缺口的寬度小于底部電極側(cè)邊，所述缺口不跨到電極部的相鄰側(cè)面。
11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的一種新型ChipLED器件，其特征在于，所述每個加強(qiáng)部形成的凹槽貫穿底部電極的一對側(cè)邊，從而在每個電極部的一對側(cè)面分別形成一個缺口，所述缺口的寬度小于底部電極側(cè)邊，所述缺口不跨過電極部相鄰側(cè)面。
12.根據(jù)權(quán)利要求8所述的一種新型ChipLED器件，其特征在于，所述加強(qiáng)部的凹槽同時貫通電極部的兩個對邊從而在電極部的兩對側(cè)面分別形成一個缺口，所述缺口的寬度小于底部電極側(cè)邊，所述缺口不跨過電極部相鄰側(cè)面。
專利摘要本實(shí)用新型公開了一種新型Chip LED器件，包括金屬基板，至少一個設(shè)置于金屬基板上表面的LED芯片，連接LED芯片電極和器件電極的金線以及將金屬基板、LED芯片和金線一起包封的封裝膠體；所述的金屬基板包括至少一個芯片安放部以及至少兩個電極部，其中，所述的電極之間通過所述的封裝膠體實(shí)現(xiàn)電性絕緣。另外，金屬基板底部的側(cè)邊還設(shè)置了至少一個從所述金屬基板底部向內(nèi)凹陷的加強(qiáng)部，使所述的封裝膠體和金屬基本能夠緊密結(jié)合。
文檔編號H01L33/64GK202797085SQ20122035253
公開日2013年3月13日 申請日期2012年7月17日 優(yōu)先權(quán)日2012年7月17日
發(fā)明者李程, 夏勛力, 吳廷, 麥家兒, 唐永成 申請人:佛山市國星光電股份有限公司