專利名稱：Led外延片的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及發(fā)光二級管(LED)制造領(lǐng)域，特別是涉及一種LED外延片。
背景技術(shù)：
無機(jī)半導(dǎo)體材料，如氮化鎵基材料、磷化鎵基材料和鎵氮磷基材料等無機(jī)材料，可以通過摻入其它元素(銦或者鋁)來實(shí)現(xiàn)藍(lán)光、綠光或紫外光的發(fā)光二極管(lightemitting diode，簡稱LED)，因此在顯示、照明和存儲(chǔ)等領(lǐng)域有非常廣泛的應(yīng)用。從上世紀(jì)30年代開始，人們就開始了對無機(jī)半導(dǎo)體材料的廣泛研究，尤其是在90年代初，人們發(fā)現(xiàn)了利用低溫生長的無機(jī)半導(dǎo)體材料成核層可以很大程度提高無機(jī)半導(dǎo)體材料外延層的晶格質(zhì)量，而由此制作出了高亮度的LED器件。 目前雖然無機(jī)半導(dǎo)體材料的LED產(chǎn)品取得了很大的進(jìn)展，但仍有一些關(guān)鍵問題有待解決首先是無法為外延層提供合適的襯底，這樣在外延層異質(zhì)外延生長的過程中會(huì)導(dǎo)致晶格不匹配，熱不匹配等問題，并且伴隨著較大的位錯(cuò)缺陷密度，針對這個(gè)問題，有人采用橫向外延生長技術(shù)(Lateral Epitaxial Over grown,簡稱ELOG技術(shù))來生長高質(zhì)量的氮化物外延膜；另外一個(gè)問題就是LED發(fā)光提取效率。由于無機(jī)半導(dǎo)體材料和空氣的折射率相差較大，導(dǎo)致二者界面的全反射臨界只有23°左右，因此，由有源層發(fā)出的光被大部分被全反射回外延層，這樣經(jīng)過多次的內(nèi)部反射和有源層對反射光的再吸收過程，出光效率大大降低，目前，為了提高發(fā)光效率，一些人對LED的發(fā)光面進(jìn)行粗糙化，即利用激光輻照，腐蝕或刻蝕的辦法使得表面形成粗糙層，從而提高出光效率。另外，在目前的LED市場上，由于傳統(tǒng)的平面電極結(jié)構(gòu)的LED芯片中存著電流擁擠效應(yīng)和發(fā)光面積小的問題，垂直電極結(jié)構(gòu)的LED芯片成為主流解決方案之一。為了實(shí)現(xiàn)這種垂直結(jié)構(gòu)，需要復(fù)雜且昂貴的紫外激光剝離設(shè)備來實(shí)現(xiàn)襯底與外延片的分離。但是由于在襯底上生長的無機(jī)半導(dǎo)體材料外延層存在較大的晶格常數(shù)和熱膨脹系數(shù)不匹配，因此，在激光剝離過程當(dāng)中會(huì)產(chǎn)生局部的巨大的機(jī)械應(yīng)力，導(dǎo)致激光剝離面凹凸不平，并伴隨著裂紋的出現(xiàn)。并且由于激光脈沖引起的次聲波效應(yīng)使得大量應(yīng)力集中在芯片內(nèi)部，從而會(huì)導(dǎo)致制作LED芯片有較大的漏電流。綜上所述，在目前的LED產(chǎn)品中仍然存在著外延層晶格質(zhì)量低，出光效率弱，以及在垂直結(jié)構(gòu)的LED產(chǎn)品中，激光剝離設(shè)備價(jià)格昂貴和剝離面的質(zhì)量差等問題，雖然有一些方法可以單一解決上述問題，但不能同時(shí)改善上述三個(gè)問題。

實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型的目的在于，提供一種LED外延片，可以同時(shí)解決上述三個(gè)問題，即能夠提高外延層晶格質(zhì)量，改善平面結(jié)構(gòu)的LED芯片出光效率，同時(shí)針對垂直結(jié)構(gòu)的LED芯片，避免了使用價(jià)格昂貴的激光剝離設(shè)備，并且使剝離面的質(zhì)量得到保證。為解決上述技術(shù)問題，本實(shí)用新型提供一種LED外延片，包括襯底；[0009]圖形層，所述圖形層具有納米凸起圖形，所述納米凸起圖形之間具有空隙間隔，所述圖形層設(shè)置于所述襯底上；外延層，所述外延層設(shè)置在所述圖形層上。進(jìn)一步的，所述納米凸起圖形的橫截面形狀為三角形、多邊形或圓形。進(jìn)一步的，所述納米凸起圖形的寬度為O. 05um-0. 8um,高度為Ium-IOum,所述納米凸起圖形之間的空隙間隔的寬度為O. 5um-5um。進(jìn)一步的，所述納米凸起圖形的頂部具有平臺(tái)。進(jìn)一步的，所述襯底為藍(lán)寶石襯底、碳化硅襯底、硅襯底、氮化鎵襯底或氧化鋅襯 。進(jìn)一步的,所述外延層的材料包括氮化鎵基材料、磷化鎵基材料、鎵氮磷基材料及氧化鋅基材料中的一種或幾種的組合。進(jìn)一步的，所述LED外延片設(shè)置于制備平面結(jié)構(gòu)LED芯片、不需要?jiǎng)冸x的垂直結(jié)構(gòu)LED芯片或需要?jiǎng)冸x的垂直結(jié)構(gòu)LED芯片中。進(jìn)一步的，所述LED外延片設(shè)置于制備平面結(jié)構(gòu)LED芯片或不需要?jiǎng)冸x的垂直結(jié)構(gòu)LED芯片中，所述圖形層的材料包含碳化硅、氮化鎵、氧化鋅、硫化鋅、氧化鎂、二氧化鈦及氧化鋁的一種或幾種的組合。進(jìn)一步的，所述LED外延片設(shè)置于制備需要?jiǎng)冸x的垂直結(jié)構(gòu)LED芯片中，所述圖形層的材料包含氧化鋅、硫化鋅及氧化鎂的一種或幾種的組合。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型提供的LED外延片具有以下優(yōu)點(diǎn)I.在本實(shí)用新型提供的LED外延片在襯底與外延層之間設(shè)置一層具有納米凸起圖形的圖形層，一方面，由于圖形層與外延層的晶格匹配優(yōu)于襯底與外延層的晶格匹配，因此，在圖形層上生長的外延層的晶格質(zhì)量要高于直接在襯底上生長外延層，使早期在圖形層上生長的外延層種子層的晶格質(zhì)量本身就得到極大的提高；另一方面，隨著外延層的不斷生長和厚度增加，通過生長條件的控制，由于晶體生長方向垂直于位錯(cuò)運(yùn)動(dòng)方向，因此大大降低外延層中的擴(kuò)展位錯(cuò)密度，使得在橫向外延生長過程中外延層逐漸合并，從而整個(gè)外延層連成一片，從而再次提高了外延層的晶格質(zhì)量。2.在本實(shí)用新型提供的LED外延片在襯底與外延層之間具有一層具有納米凸起圖形的圖形層，圖形層具有粗糙的表面，可以對外延層向下射出的光通過散射效應(yīng)反射到上表面，從而提高了光提取效率；另外，外延層覆蓋所述圖形層的納米凸起圖形的頂部，圖形層的納米凸起圖形之間是保留空隙間隔的，所以該空隙間隔形成空氣泡，由于空氣與圖形層的材料之間存在較大的折射率差，因此當(dāng)該LED外延片用于平面結(jié)構(gòu)LED芯片或不需要?jiǎng)冸x的垂直結(jié)構(gòu)LED芯片時(shí)，該空氣泡會(huì)對外延層向下出射的光有較強(qiáng)的散射和反射作用，從而可以大大提高LED的出光效率和外量子效率。3.在本實(shí)用新型提供的LED外延片在襯底與外延層之間具有一層具有納米凸起圖形的圖形層，當(dāng)將該LED外延片用于垂直結(jié)構(gòu)LED芯片時(shí)，需要把襯底和外延層分離，利用圖形層材料的化學(xué)易腐蝕特性，避免復(fù)雜并且昂貴的紫外激光剝離工藝，采用無損傷無機(jī)械分離且簡單可行的化學(xué)剝離技術(shù)，大大降低激光剝離對外延片的損傷而造成的漏電流和良率低的問題，同時(shí)采用化學(xué)剝離技術(shù)可以對LED外延片進(jìn)行批量處理，并且圖形層的納米凸起圖形之間具有空隙間隔，空隙間隔增加了化學(xué)反應(yīng)的表面積，有助于加快化學(xué)反應(yīng)的速度。

圖I為本實(shí)用新型第一實(shí)施例的LED外延片的結(jié)構(gòu)的截面示意圖；圖2為本實(shí)用新型第一實(shí)施例的LED外延片的圖形層納米凸起圖形的橫截面形狀示意圖；圖3為本實(shí)用新型第一實(shí)施例的LED外延片的襯底與外延層分離過程示意圖；圖4為本實(shí)用新型第一實(shí)施例的LED外延片的制作方法的流程圖；圖5a-圖5c為本實(shí)用新型第二實(shí)施例的LED外延片的圖形層納米凸起圖形的橫 截面形狀示意圖。其中，101、襯底；102、圖形層；103、外延層；121、納米凸起圖形；122、空隙間隔；131、緩沖層；132、第一限制層；133、發(fā)光層；134、第二限制層。
具體實(shí)施方式
下面將結(jié)合示意圖對本實(shí)用新型的LED外延片進(jìn)行更詳細(xì)的描述，其中表示了本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施例，應(yīng)該理解本領(lǐng)域技術(shù)人員可以修改在此描述的本實(shí)用新型，而仍然實(shí)現(xiàn)本實(shí)用新型的有利效果。因此，下列描述應(yīng)當(dāng)被理解為對于本領(lǐng)域技術(shù)人員的廣泛知道，而并不作為對本實(shí)用新型的限制。在下列段落中參照附圖以舉例方式更具體地描述本實(shí)用新型。根據(jù)下面說明和權(quán)利要求書，本實(shí)用新型的優(yōu)點(diǎn)和特征將更清楚。需說明的是，附圖均采用非常簡化的形式且均使用非精準(zhǔn)的比例，僅用以方便、明晰地輔助說明本實(shí)用新型實(shí)施例的目的。本實(shí)用新型的核心思想在于，提供一種LED外延片，該LED外延片的襯底與外延層之間設(shè)置有一層具有納米凸起圖形的圖形層，具有納米凸起圖形的圖形層可以能夠提高外延層晶格質(zhì)量，改善出光效率，同時(shí)在對襯底與外延層進(jìn)行剝離時(shí)，避免了使用價(jià)格昂貴的激光剝離設(shè)備，并且保證了剝離面的質(zhì)量。結(jié)合上述核心思想，本實(shí)用新型提供一種LED外延片，LED外延片包括襯底；圖形層，所述圖形層具有納米凸起圖形，所述納米凸起圖形之間具有空隙間隔，所述圖形層設(shè)置于所述襯底上；外延層，所述外延層設(shè)置在所述圖形層上。進(jìn)一步，結(jié)合上述LED外延片，本實(shí)用新型還提供了一種制造方法，包括以下步驟步驟Sll，提供襯底；步驟S12，在所述襯底上制備圖形層；步驟S13，在所述圖形層上制備外延層。以下結(jié)合核心思想，詳細(xì)說明本實(shí)用新型所述LED外延片。以下列舉所述LED外延片的幾個(gè)實(shí)施例，以清楚說明本實(shí)用新型的內(nèi)容，應(yīng)當(dāng)明確的是，本實(shí)用新型的內(nèi)容并不限制于以下實(shí)施例，其他通過本領(lǐng)域普通技術(shù)人員的常規(guī)技術(shù)手段的改進(jìn)亦在本實(shí)用新型的思想范圍之內(nèi)。第一實(shí)施例以下請參考圖1，其為本實(shí)用新型第一實(shí)施例的LED外延片的結(jié)構(gòu)的截面圖。[0041 ] 本實(shí)用新型所述LED外延片中，所述圖形層通過沉積工藝直接形成。如圖I所示，在本實(shí)施例中，襯底101可以從以下一組材料中選出，該組材料包括藍(lán)寶石襯底、碳化硅襯底、硅襯底、氮化鎵襯底及氧化鋅襯底，在較佳的實(shí)施例中，襯底101選取藍(lán)寶石襯底，因?yàn)樗{(lán)寶石的穩(wěn)定性很好，能夠運(yùn)用在高溫生長過程中，并且，藍(lán)寶石的機(jī)械強(qiáng)度高，易于處理和清洗。圖形層102設(shè)置于襯底101上，圖形層102具有納米凸起圖形121，納米凸起圖形121之間具有空隙間隔122。在較佳的實(shí)施例中，納米凸起圖形121的頂部具有平臺(tái)，納米凸起圖形121的頂部的平臺(tái)有利于外延層103在生長時(shí)保留圖形層102的空隙間隔122。在本實(shí)施例中，由于襯底101選取藍(lán)寶石襯底，外延層103為氮化鎵基材料，所以圖形層102的材料較佳的選擇氧化鋅材料。氮化鎵和氧化鋅均為六方晶體，氧化鋅的圖形層102與氮化鎵基外延層103的晶格匹配優(yōu)于藍(lán)寶石材料的襯底101，因此在氧化鋅的圖形層102上形成氮化鎵基外延層103時(shí)外延層103的晶格質(zhì)量更高。而且氮化鎵的外延層生長是通過橫·向外延生長來覆蓋氧化鋅圖形層的，由于晶體生長方向垂直于位錯(cuò)運(yùn)動(dòng)方向，因此大大降低外延層中的擴(kuò)展位錯(cuò)密度，使得在橫向外延生長過程中外延層逐漸合并，從而整個(gè)外延層連成一片，從而再次提高了外延層的晶格質(zhì)量。同時(shí)氧化鋅的納米凸起圖形的制備容易控制，并且氧化鋅是兩性氧化物，能與酸堿反應(yīng)，在實(shí)現(xiàn)對襯底101與外延層103的分離時(shí)容易進(jìn)行化學(xué)濕法腐蝕。但其它材料，如硫化鋅、氧化鎂等可以通過化學(xué)濕法腐蝕去除掉的材料，亦在本實(shí)用新型的思想范圍之內(nèi)。另外，當(dāng)本實(shí)施例的LED外延片用于制備平面結(jié)構(gòu)LED芯片或不需要?jiǎng)冸x的垂直結(jié)構(gòu)LED芯片時(shí)，圖形層102的材料還可以選擇碳化硅、氮化鎵、二氧化鈦、氧化鋁等不易被化學(xué)腐蝕材料。應(yīng)注意，圖形層102的材料和外延層103的材料較佳的選擇同種晶型的材料以保證圖形層102和外延層103之間具有好的晶格匹配。圖形層102通過沉積工藝直接形成，沉積工藝為化學(xué)氣相沉積或者物理氣相沉積工藝沉積，其中，化學(xué)氣相沉積為金屬有機(jī)化合物化學(xué)氣相淀積或等離子增強(qiáng)化學(xué)氣象沉積，物理氣相沉積為分子束外延、激光脈沖沉積或磁控濺射。在本實(shí)施例中，在襯底101上沉積圖形層102的過程中，可通過對化學(xué)氣相沉積或者物理氣相沉積工藝中環(huán)境的控制，使氧化鋅的原子自團(tuán)簇，直接沉積形成納米凸起圖形121，納米凸起圖形121之間具有空隙間隔122，所以圖形層102具有粗糙的表面。然后通過控制縱向和橫向生長速度比，納米凸起圖形121頂部出現(xiàn)平臺(tái)，呈現(xiàn)柱形，由于圖形層102的材料為氧化鋅，氧化鋅屬于六方晶體，因此納米凸起圖形121的橫截面形狀為六邊形，如圖2所示。當(dāng)圖形層102的材料不選擇氧化鋅時(shí)，直接沉積形成的納米凸起圖形121的橫截面形狀可以為其它形狀，如四邊形，具體的形狀由所選材料的晶型決定。納米凸起圖形121的寬度為O. 05-0. 8um，高度為l_10um，空隙間隔122的寬度為O. 5-5um。較佳的，納米凸起圖形121的寬度為O. lum、0. 2um、0. 3um、0. 5um、0. 6um、0. 7um,高度為 2um、3um、5um、6um、8um、9um,空隙間隔 122 的寬度為 lum、l. 5um、2um、2. 5um、3um、4um0外延層103設(shè)置于圖形層102上，用于激發(fā)出光，外延層103的材料包括氮化鎵基材料、磷化鎵基材料、鎵氮磷基材料或氧化鋅基材料。在較佳的實(shí)施例中，所述外延層103覆蓋圖形層102的納米凸起圖形121的頂部的平臺(tái)部分，圖形層102的納米凸起圖形121之間保留空隙間隔122，所以空隙間隔122形成空氣泡，該空氣泡會(huì)對外延層向下出射的光有較強(qiáng)的散射和反射作用，從而可以大大提高LED的出光效率和外量子效率，另外，當(dāng)需要利用化學(xué)剝離技術(shù)把襯底101和外延層103分離時(shí)，空隙間隔122增加了化學(xué)反應(yīng)的表面積，有助于加快化學(xué)反應(yīng)的速度。此外，還可對外延層103的發(fā)光面進(jìn)行粗糙化，從而提高出光效率。以下說明本實(shí)施例的LED外延片的制備方法。參考圖4，其為本實(shí)用新型第一實(shí)施例的LED外延片的制作方法的的流程圖。首先進(jìn)行步驟S11，提供襯底101。然后進(jìn)行步驟S12，在襯底101上制備圖形層102，圖形層102通過化學(xué)氣相沉積或者物理氣相沉積工藝沉積，在生長過程中，通過對化學(xué)氣相沉積或者物理氣相沉積工藝中環(huán)境的控制，使圖形層102的氧化鋅原子自團(tuán)簇，直接沉積形成納米凸起圖形121，納米凸起圖形121之間具有空隙間隔122。然后通過控制縱向和橫向生長速度比，納米凸起圖形121頂部出現(xiàn)平臺(tái)，呈現(xiàn)柱形。 最后進(jìn)行步驟S13，采用橫向外延法生長在圖形層102上制備外延層103。本實(shí)施例的LED外延片用于制備平面結(jié)構(gòu)LED芯片或垂直結(jié)構(gòu)LED芯片。在較佳的實(shí)施例中，將本實(shí)施例的LED外延片用于制備平面結(jié)構(gòu)LED芯片或不需要?jiǎng)冸x的垂直結(jié)構(gòu)LED芯片時(shí)，本實(shí)施例的LED外延片用于做平面結(jié)構(gòu)LED芯片或不需要?jiǎng)冸x的垂直結(jié)構(gòu)LED芯的襯底和外延層，其中，與襯底101接觸的圖形層102下部的納米凸起圖形121之間保留空隙間隔122，所以該空隙間隔形成空氣泡，該空氣泡會(huì)對外延層向下出射的光有較強(qiáng)的散射和反射作用，從而可以大大提高LED的出光效率和外量子效率。另外，可以將本實(shí)施例的LED外延片用于制備需要?jiǎng)冸x的垂直結(jié)構(gòu)LED芯片，本實(shí)施例的LED外延片用于做需要?jiǎng)冸x的垂直結(jié)構(gòu)LED芯的外延層，在將襯底101與外延層的分離時(shí)，利用化學(xué)濕法腐蝕圖形層102的方法來實(shí)現(xiàn)，見圖3。由于圖形層102的材料選擇了可以被化學(xué)腐蝕的材料，所以可以采用無損傷無機(jī)械分離且簡單可行的化學(xué)剝離技術(shù)，避免復(fù)雜并且昂貴的紫外激光剝離工藝，同時(shí)可以實(shí)現(xiàn)批量處理，大大降低激光剝離對外延片的損傷而造成的漏電流和良率低的問題。在本實(shí)施例中，該LED外延片中納米凸起圖形是沉積圖形層時(shí)通過直接生長形成，納米凸起圖形的橫截面形狀由圖形層所選材料的晶型決定。第二實(shí)施例本實(shí)施例在第一實(shí)施例的基礎(chǔ)上，區(qū)別在于圖形層102的形成過程包括先通過沉積工藝在形成納米凸起圖形121前先形成膜層，所述沉積工藝為化學(xué)氣相沉積或者物理氣相沉積工藝沉積；以及在所述膜層上制備所述納米凸起圖形121，得到所述圖形層102。在第二實(shí)施例中，同樣可以通過化學(xué)氣相沉積或者物理氣相沉積工藝生長膜層，但不需要對化學(xué)氣相沉積或者物理氣相沉積工藝中環(huán)境進(jìn)行控制，直接沉積出膜層，這時(shí)不具有納米凸起圖形121及空隙間隔122。然后通過電子束光刻技術(shù)，在膜層上刻出納米凸起圖形121，納米凸起圖形121之間具有空隙間隔122，從而得到圖形層102。由于在本實(shí)施例中采用電子束光刻技術(shù)制備納米凸起圖形121，所以納米凸起圖形121的橫截面形狀可以按需要進(jìn)行控制，較佳的，橫截面形狀包括三角形、多邊形及圓形，其它圖形如不規(guī)則圖形亦在本實(shí)用新型的思想范圍之內(nèi)。圖5a-圖5c為本實(shí)用新型第二實(shí)施例的LED外延片的圖形層納米凸起圖形的橫截面形狀示意圖。在圖中，相同的參考標(biāo)號表示等同于圖I中標(biāo)號，如圖5a-圖5c所示，納米凸起圖形121的橫截面形狀為三角形、五邊形及圓形。[0053]本實(shí)施例中采用電子束光刻技術(shù)制備亦可得到具有納米凸起圖形121的圖形層102，采用采用電子束光刻技術(shù)制備納米凸起圖形121時(shí)，納米凸起圖形121的橫截面形狀可以按需要進(jìn)行控制，不受圖形層102材料的限制。圖形層102的設(shè)置可以達(dá)到能夠提高外延層晶格質(zhì)量，改善平面結(jié)構(gòu)的LED芯片出光效率，同時(shí)針對垂直結(jié)構(gòu)的LED芯片，避免了使用價(jià)格昂貴的激光剝離設(shè)備，并且剝離面的質(zhì)量得到保證的有益效果。綜上所述，本實(shí)用新型所述LED外延片，在襯底和外延層之間設(shè)置一層圖形層，所述圖形層具有納米凸起圖形，所述納米凸起圖形之間具有空隙間隔。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型提供的LED外延片具有以下優(yōu)點(diǎn)I.在本實(shí)用新型提供的LED外延片在襯底與外延層之間設(shè)置一層具有納米凸起圖形的圖形層，一方面，由于圖形層與外延層的晶格匹配優(yōu)于襯底與外延層的晶格匹配，因
此，在圖形層上生長的外延層的晶格質(zhì)量要高于直接在襯底上生長外延層，使早期在圖形層上生長的外延層種子層的晶格質(zhì)量本身就得到極大的提高；另一方面，隨著外延層的不斷生長和厚度增加，通過生長條件的控制，由于晶體生長方向垂直于位錯(cuò)運(yùn)動(dòng)方向，因此大大降低外延層中的擴(kuò)展位錯(cuò)密度，使得在橫向外延生長過程中外延層逐漸合并，從而整個(gè)外延層連成一片，從而再次提高了外延層的晶格質(zhì)量。2.在本實(shí)用新型提供的LED外延片在襯底與外延層之間具有一層具有納米凸起圖形的圖形層，圖形層具有粗糙的表面，可以對外延層向下射出的光通過散射效應(yīng)反射到上表面，從而提高了光提取效率；另外，外延層覆蓋所述圖形層的納米凸起圖形的頂部，圖形層的納米凸起圖形之間保留空隙間隔的，所以該空隙間隔形成空氣泡，由于空氣與圖形層的材料之間存在較大的折射率差，因此當(dāng)該LED外延片用于平面結(jié)構(gòu)LED芯片時(shí)，該空氣泡會(huì)對外延層向下出射的光有較強(qiáng)的散射和反射作用，從而可以大大提高LED的出光效率和外量子效率。3.在本實(shí)用新型提供的LED外延片在襯底與外延層之間具有一層具有納米凸起圖形的圖形層，當(dāng)將該LED外延片用于垂直結(jié)構(gòu)LED芯片時(shí)，需要把襯底和外延層分離，利用圖形層材料的化學(xué)易腐蝕特性，避免復(fù)雜并且昂貴的紫外激光剝離工藝，采用無損傷無機(jī)械分離且簡單可行的化學(xué)剝離技術(shù)，大大降低激光剝離對外延片的損傷而造成的漏電流和良率低的問題，同時(shí)采用化學(xué)剝離技術(shù)可以對LED外延片進(jìn)行批量處理，并且圖形層的納米凸起圖形之間具有空隙間隔，空隙間隔增加了化學(xué)反應(yīng)的表面積，有助于加快化學(xué)反應(yīng)的速度。顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對本實(shí)用新型進(jìn)行各種改動(dòng)和變型而不脫離本實(shí)用新型的精神和范圍。這樣，倘若本實(shí)用新型的這些修改和變型屬于本實(shí)用新型權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍之內(nèi)，則本實(shí)用新型也意圖包含這些改動(dòng)和變型在內(nèi)。
權(quán)利要求1.一種LED外延片，包括 襯底； 圖形層，所述圖形層具有納米凸起圖形，所述納米凸起圖形之間具有空隙間隔，所述圖形層設(shè)置于所述襯底上； 外延層，所述外延層設(shè)置在所述圖形層上。
2.如權(quán)利要求I所述的LED外延片，其特征在于，所述納米凸起圖形的橫截面形狀為三角形、多邊形或圓形。
3.如權(quán)利要求I所述的LED外延片，其特征在于，所述納米凸起圖形的寬度為O.05um-0. 8um,高度為Ium-IOum,所述納米凸起圖形之間的空隙間隔的寬度為O. 5um_5um。
4.如權(quán)利要求I所述的LED外延片，其特征在于，所述納米凸起圖形的頂部具有平臺(tái)。
5.如權(quán)利要求I所述的LED外延片，其特征在于，所述襯底為藍(lán)寶石襯底、碳化硅襯底、硅襯底、氮化鎵襯底或氧化鋅襯底。
6.如權(quán)利要求I所述的LED外延片，其特征在于，所述外延層的材料包括氮化鎵基材料、磷化鎵基材料、鎵氮磷基材料及氧化鋅基材料中的一種或幾種的組合。
7.如權(quán)利要求I至6中任意一項(xiàng)所述的LED外延片，其特征在于，所述LED外延片設(shè)置于制備平面結(jié)構(gòu)LED芯片、不需要?jiǎng)冸x的垂直結(jié)構(gòu)LED芯片或需要?jiǎng)冸x的垂直結(jié)構(gòu)LED芯片中。
8.如權(quán)利要求7所述的LED外延片，其特征在于，所述LED外延片設(shè)置于制備平面結(jié)構(gòu)LED芯片或不需要?jiǎng)冸x的垂直結(jié)構(gòu)LED芯片中，所述圖形層的材料包含碳化硅、氮化鎵、氧化鋅、硫化鋅、氧化鎂、二氧化鈦及氧化鋁的一種或幾種的組合。
9.如權(quán)利要求7所述的LED外延片，其特征在于，所述LED外延片設(shè)置于制備需要?jiǎng)冸x的垂直結(jié)構(gòu)LED芯片中，所述圖形層的材料包含氧化鋅、硫化鋅及氧化鎂的一種或幾種的組合。
專利摘要本實(shí)用新型揭示了一種LED外延片，該LED外延片包括襯底；圖形層，所述圖形層具有納米凸起圖形，所述納米凸起圖形之間具有空隙間隔，所述圖形層設(shè)置于所述襯底上；外延層，所述外延層設(shè)置在所述圖形層上。本實(shí)用新型提供的LED外延片，可以能夠提高外延層晶格質(zhì)量，改善LED芯片出光效率，同時(shí)針對需要?jiǎng)冸x的垂直結(jié)構(gòu)的LED芯片，避免了使用價(jià)格昂貴的激光剝離設(shè)備，并且剝離面的質(zhì)量得到保證。
文檔編號H01L33/22GK202633369SQ20122032556
公開日2012年12月26日 申請日期2012年7月5日 優(yōu)先權(quán)日2012年7月5日
發(fā)明者高耀輝, 張昊翔, 封飛飛, 金豫浙, 萬遠(yuǎn)濤, 李東昇, 江忠永 申請人:杭州士蘭明芯科技有限公司