專利名稱：一種分裂式整流變壓器的繞組的制作方法
技術領域：
本實用新型屬于變壓器領域，尤其涉及一種分裂式整流變壓器的高、低壓繞組。
背景技術：
傳統(tǒng)的分裂式變壓器的繞組結構主要有兩種，軸向分裂式結構及幅向分裂式結構，具體結構形式分別如圖I和圖2。其二次繞組一般為低電壓400V或690V，根據(jù)變壓器容量的大小，其電流值相對較大，線圈大多采用箔式繞組。在傳統(tǒng)的軸向分裂式結構或幅向分裂式結構結構基礎上進行改造，改造為如圖3所示的結構，即低壓的兩個繞組材料一起
繞制，同時中間用絕緣材料隔開，保證電氣方面獨立運行。采用軸向分裂式結構時(如圖1)，由于受到高度的限制，繞組的銅箔較厚，受其端部場強影響較大，銅箔內(nèi)部的渦流損耗也隨之增加，造成部分材料浪費。且此結構須設計為上、下出線，為保證安匝平衡，一次繞組也需設計為上、下兩部分，引線結構也較為復雜。采用幅向分裂式結構時(如圖2)，銅箔的高度較高，厚度可為軸向分裂式結構的1/2，銅箔的渦流損耗明顯減小，引線結構較前者相對簡化。但為了使得兩繞組間的阻抗值盡可能接近，勢必要調節(jié)各繞組之間的主空道距離，造成線圈的繞制半徑增加，材料浪費較為嚴重。采用并繞幅向分裂式結構時(如圖3)，由于兩線圈的絕緣半徑非常接近，能夠很好的耦合，有效控制了線材的渦流損耗。但是此結構只能用于低壓的兩繞組的匝數(shù)完全相等，即兩個低壓繞組須同時為“Y”接或” d”接方式，所以使用范圍受到了限制。

實用新型內(nèi)容本實用新型的目的在于克服上述問題，提供一種較好的保證變壓器參數(shù)、節(jié)約繞組材料、低壓接線方式更為靈活的分裂式整流變壓器的繞組。為了實現(xiàn)上述目的，本實用新型所采用的技術方案為一種分裂式整流變壓器的繞組，包括二次繞組和初次繞組，其特征在于所述的初次繞組為整體式結構，所述的二次繞組設有內(nèi)、外兩層，每層繞組均設有上、下兩個分部，內(nèi)層二次繞組的上分部線圈與外層二次繞組的下分部線圈串聯(lián)連接構成一個二次線圈，外層二次繞組的上分部線圈與內(nèi)層二次繞組的下分部線圈串聯(lián)連接構成一個二次線圈。前述的一種分裂式整流變壓器的繞組，所述的二次繞組為低壓繞組。前述的一種分裂式整流變壓器的繞組，所述的兩個二次線圈具有獨立運行的電氣部分。前述的一種分裂式整流變壓器的繞組，所述的兩個二次線圈具有相等的電抗高度。前述的一種分裂式整流變壓器的繞組，當二次繞組的兩線圈接線方式分別為d接和Y接時，二次繞組匝數(shù)符合如下等式ml+m2~V5(nl+n2)，其中ml為內(nèi)層二次繞組的上分部的線圈匝數(shù)，m2為外層二次繞組的下分部的線圈匝數(shù)，nl為外層二次繞組的上分部的線圈匝數(shù)，n2為內(nèi)層二次繞組的下分部的線圈匝數(shù)。本實用新型綜合了軸向及幅向分裂式繞組結構的優(yōu)點，兩個二次線圈采用上、下及內(nèi)、外串聯(lián)的結構，既保證了線圈的安匝平衡，上、下分裂的繞組阻抗也很接近，既改善了繞組內(nèi)部的渦流損耗又避免了材料的浪費。在一組二次線圈“Y”接，另一組為“d”接的情況下，低壓線圈匝數(shù)ml+m2&士(nl+n2)，低壓線圈不受接線方式的限制，接線方式更為靈活。此實用新型結構可應用在高壓35kV或10kV、低壓為400V或690V的12脈波整流變壓器上。

圖I為傳統(tǒng)軸向分裂式繞組的結構圖；圖2為傳統(tǒng)幅向分裂式繞組的結構圖；圖3為并繞幅向分裂式繞組的結構圖；圖4為本實用新型的分裂式整流變壓器的繞組結構圖；其中，I 二次繞組外層，2 二次繞組內(nèi)層，3初次繞組，Ia外層二次繞組上分部，Ib外層二次繞組下分部，2a內(nèi)層二次繞組上分部，2b內(nèi)層二次繞組下分部，y 二次繞組，D初次繞組，Y接線方式，d接線方式，ml內(nèi)層二次繞組的上分部的線圈匝數(shù)，m2外層二次繞組的下分部的線圈匝數(shù)，nl外層二次繞組的上分部的線圈匝數(shù)，n2內(nèi)層二次繞組的下分部的線圈匝數(shù)。
具體實施方式
以下結合附圖和具體實施例對本實用新型作進一步說明。圖I為傳統(tǒng)軸向分裂式繞組的結構圖，二次繞組y和初次繞組D均為上、下兩部分設計。圖2為傳統(tǒng)幅向分裂式繞組的結構圖，二次繞組y為兩層，分別為二次繞組外層I和二次繞組內(nèi)層2，初次繞組D為整體式結構。圖3為并繞幅向分裂式繞組的結構圖，二次繞組y設有絕緣半徑非常接近的二次繞組外層I和二次繞組內(nèi)層2，初次繞組D為整體式結構。二次繞組外層I和二次繞組內(nèi)層2必須同時為“Y”接或” d”接，使用范圍受到了限制。圖4為本實用新型的分裂式整流變壓器的繞組結構圖，包括二次繞組I和初次繞組D，其特征在于所述的初次繞組D為整體式結構，所述的二次繞組I設有內(nèi)、外兩層，每層繞組均設有上、下兩個分部，內(nèi)層二次繞組上分部2a與外層二次繞組的下分部Ib線圈串聯(lián)連接構成一個二次線圈，該二次線圈接線方式為d接(即角接)，外層二次繞組上分部Ia線圈與內(nèi)層二次繞組下分部2b線圈串聯(lián)連接構成另一個二次線圈，該二次線圈接線方式為Y接(即星接)。二次繞組y為低壓繞組，初次繞組D為低壓繞組。上述的兩個二次線圈具有獨立運行的電氣部分。兩個二次線圈具有相等的電抗高度，絕緣半徑非常接近。當二次繞組I的兩線圈接線方式分別為d接和Y接時，圖4圖示了 d接和Y接的方式，二次繞組匝數(shù)符合如下等式:ml+m2~VJ(nl+n2)，其中ml為內(nèi)層二次繞組的上分部的線圈匝數(shù)，m2為外層二次繞組的下分部的線圈匝數(shù)，nl為外層二次繞組的上分部的線圈匝數(shù)，n2為內(nèi)層二次繞組的下分部的線圈匝數(shù)。[0023]本實用新型綜合了軸向及幅向分裂式繞組結構的優(yōu)點，改善了繞組內(nèi)部的渦流損耗又避免了材料的浪費，高壓線圈為整體結構，低壓線圈不受接線方式的限制。上述實施例不以任何形式限制本實用新型，凡采用等同替換或等效變換的方式所
獲得的技術方案，均落在本實用新型的保護范圍。
權利要求1.一種分裂式整流變壓器的繞組，包括二次繞組和初次繞組，其特征在于所述的初次繞組為整體式結構，所述的二次繞組設有內(nèi)、外兩層，每層繞組均設有上、下兩個分部，內(nèi)層二次繞組的上分部線圈與外層二次繞組的下分部線圈串聯(lián)連接構成一個二次線圈，外層二次繞組的上分部線圈與內(nèi)層二次繞組的下分部線圈串聯(lián)連接構成一個二次線圈。
2.根據(jù)權利要求I所述的一種分裂式整流變壓器的繞組，其特征在于所述的二次繞組為低壓繞組。
3.根據(jù)權利要求I所述的一種分裂式整流變壓器的繞組，其特征在于所述的兩個二次線圈具有獨立運行的電氣部分。
4.根據(jù)權利要求I所述的一種分裂式整流變壓器的繞組，其特征在于所述的兩個二次線圈具有相等的電抗聞度。
5.根據(jù)權利要求I所述的一種分裂式整流變壓器的繞組，其特征在于，當二次繞組的兩線圈接線方式分別為d接和Y接時，二次繞組匝數(shù)符合如下等式ml+m2^S (nl+n2)，其中ml為內(nèi)層二次繞組的上分部的線圈匝數(shù)，m2為外層二次繞組的下分部的線圈匝數(shù)，m為外層二次繞組的上分部的線圈匝數(shù)，n2為內(nèi)層二次繞組的下分部的線圈匝數(shù)。
專利摘要本實用新型屬于變壓器領域，尤其涉及一種分裂式整流變壓器的繞組，包括二次繞組和初次繞組，其特征在于所述的初次繞組為整體式結構，所述的二次繞組設有內(nèi)、外兩層，每層繞組均設有上、下兩個分部，內(nèi)層二次繞組的上分部線圈與外層二次繞組的下分部線圈串聯(lián)連接，外層二次繞組的上分部線圈與內(nèi)層二次繞組的下分部線圈串聯(lián)連接。本實用新型綜合了軸向及幅向分裂式繞組結構的優(yōu)點，改善了繞組內(nèi)部的渦流損耗又避免了材料的浪費，高壓線圈為整體結構，低壓線圈不受接線方式的限制。
文檔編號H01F27/28GK202585047SQ20122025133
公開日2012年12月5日 申請日期2012年5月30日 優(yōu)先權日2012年5月30日
發(fā)明者鄭建銀, 蔣忠金 申請人:鄭建銀, 蔣忠金