專利名稱：半導體封裝件的制作方法
技術領域：
本實用新型涉及一種封裝件，特別涉及一種半導體封裝件。
背景技術：
半導體封裝中的引線鍵合，就是用非常細小的線把芯片上焊盤和基板連接起來，但現(xiàn)有的鍵合銅絲易氧化，電子結構和原子尺寸決定著化學性能；鍵合接口結合力不夠強壯，可靠性不穩(wěn)定。同時半導體封裝件散熱效果欠佳，封裝件表面的元件不能得到更好的保護，導電性能有所制約，無法進行更好的封裝，大大影響了使用性能。
發(fā)明內容本實用新型的目的就在于提供一種半導體封裝件，能完全解決上述問題。 為了實現(xiàn)上述目的，本實用新型采用的技術方案是這樣的本實用新型的半導體封裝件，包括半導體基板及與半導體基板連接的基座，半導體基板上分別設有凸塊、鍍鈀鍵合銅絲及金屬導電塞，凸塊側面設有定位穿孔，金屬導電塞內部設有散熱模塊，半導體基板、基座、凸塊、鍍鈀鍵合銅絲及金屬導電塞之間均采用導電粘膠連接，其表面包覆有保護膜。作為優(yōu)選，所述鍍鈀鍵合銅絲為銅芯線或銅合金芯線。作為優(yōu)選，所述鍍鈀鍵合銅絲的直徑范圍在O. 01毫米至O. 08毫米。與現(xiàn)有技術相比，本實用新型的優(yōu)點在于這種半導體封裝件不容易產生氧化，可有效進行鍵合，同時提高了接口強度，便于定位連接，能對元件進行保護，避免受損，且散熱性能良好，導電性能有所增強，封裝嚴密。

圖I為本實用新型的結構示意圖。
具體實施方式
下面將結合附圖對本實用新型作進一步說明。參見圖1，本實用新型的半導體封裝件，包括半導體基板I及與半導體基板I連接的基座2，半導體基板I上分別設有凸塊3、鍍鈀鍵合銅絲5及金屬導電塞6，凸塊3側面設有定位穿孔4，金屬導電塞6內部設有散熱模塊，半導體基板I、基座2、凸塊3、鍍鈀鍵合銅絲5及金屬導電塞6之間均采用導電粘膠連接，其表面包覆有保護膜，所述鍍鈀鍵合銅絲5為銅芯線或銅合金芯線，所述鍍鈀鍵合銅絲5的直徑范圍在O. 01毫米至O. 08毫米。這種半導體封裝件不容易產生氧化，可有效進行鍵合，同時提高了接口強度，便于定位連接，能對元件進行保護，避免受損，且散熱性能良好，導電性能有所增強，封裝嚴密。鍍鈀鍵合銅絲5為銅芯線或銅合金芯線，采用這樣的芯線不易產生氧化，減少了更換次數(shù)；鍍鈀鍵合銅絲5的直徑范圍在O. 01毫米至O. 08毫米，設計合理。
權利要求1.一種半導體封裝件，包括半導體基板及與半導體基板連接的基座，其特征在于半導體基板上分別設有凸塊、鍍鈀鍵合銅絲及金屬導電塞，凸塊側面設有定位穿孔，金屬導電塞內部設有散熱模塊，半導體基板、基座、凸塊、鍍鈀鍵合銅絲及金屬導電塞之間均采用導電粘膠連接，其表面包覆有保護膜。
2.根據(jù)權利要求I所述的半導體封裝件，其特征在于所述鍍鈀鍵合銅絲為銅芯線或銅合金芯線。
3.根據(jù)權利要求I所述的半導體封裝件，其特征在于所述鍍鈀鍵合銅絲的直徑范圍在0. 01毫米至0. 08毫米。
專利摘要本實用新型公開了一種半導體封裝件，包括半導體基板及與半導體基板連接的基座，半導體基板上分別設有凸塊、鍍鈀鍵合銅絲及金屬導電塞，凸塊側面設有定位穿孔，金屬導電塞內部設有散熱模塊，半導體基板、基座、凸塊、鍍鈀鍵合銅絲及金屬導電塞之間均采用導電粘膠連接，其表面包覆有保護膜。本實用新型不容易產生氧化，可有效進行鍵合，同時提高了接口強度，便于定位連接，能對元件進行保護，避免受損，且散熱性能良好，導電性能有所增強，封裝嚴密。
文檔編號H01L23/34GK202651098SQ201220168690
公開日2013年1月2日 申請日期2012年4月20日 優(yōu)先權日2012年4月20日
發(fā)明者車容俊, 林夏, 羅亞芳 申請人:成都措普科技有限公司