專(zhuān)利名稱(chēng):扁平狀型熱敏電阻器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域:
本實(shí)用新型涉及電阻器制備技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種扁平狀型熱敏電阻器。
背景技術(shù):
目前,有封裝層的熱敏電阻器的外形結(jié)構(gòu)多為圓形,引線材質(zhì)多為鐵鎳合金的杜美絲。在生產(chǎn)加工過(guò)程中,用作引線的杜美絲在高溫下易出現(xiàn)變色、氧化、斷裂的現(xiàn)象。在安裝使用過(guò)程中,由于現(xiàn)有的熱敏電阻器的外形結(jié)構(gòu)為圓形,與器件的貼合度不夠,其靈敏度也不高,引線在使用過(guò)程中還可能出現(xiàn)應(yīng)力腐蝕的現(xiàn)象。
發(fā)明內(nèi)容針對(duì)上述現(xiàn)有技術(shù)存在的問(wèn)題,本實(shí)用新型目的在于提供一種扁平狀型熱敏電阻 器,解決了在使用過(guò)程中與器件的貼合度不夠,靈敏度不高,引線應(yīng)力腐蝕的問(wèn)題;同時(shí)采用鉬絲作為引線,解決了生產(chǎn)加工過(guò)程中引線在高溫下易變色、氧化、斷裂。本實(shí)用新型的技術(shù)方案是一種扁平狀型熱敏電阻器,包括電阻器本體,所述電阻器本體由引線、熱敏電阻體和封裝層組成,所述熱敏電阻體和引線通過(guò)封裝層封裝成扁平狀結(jié)構(gòu),所述引線采用鉬絲。作為優(yōu)選,所述封裝層為玻璃管、金屬管、環(huán)氧樹(shù)脂層或玻璃釉層。本實(shí)用新型的有益效果是產(chǎn)品引線選用鉬絲替代杜美絲,鉬絲具有耐高溫、抗氧化性、抗腐蝕性,在生產(chǎn)加工過(guò)程解決了引線在高溫下易變色、氧化、斷裂的問(wèn)題,而且鉬絲屬于純金屬,表面沒(méi)有覆蓋層,免去了鍍鎳工序,避免了引線與酸接觸,避免了杜美絲可能存在應(yīng)力腐蝕的現(xiàn)象;由于產(chǎn)品外形結(jié)構(gòu)由圓形改進(jìn)為扁平狀結(jié)構(gòu),減少了產(chǎn)品體積和熱容差,這樣也提高熱敏電阻器的靈敏度,同時(shí)方便用戶(hù)安裝使用,與器件完全貼裝。
圖I為本實(shí)用新型的主視圖;圖2為本實(shí)用新型的俯視圖。圖中1、引線;2、熱敏電阻體;3、封裝層。
具體實(shí)施方式
作為本實(shí)用新型的一種實(shí)施方式,如圖I和圖2所示,一種扁平狀型熱敏電阻器,包括電阻器本體,所述電阻器本體由引線I、熱敏電阻體2和封裝層3組成,所述封裝層3為玻璃管、金屬管、環(huán)氧樹(shù)脂層或玻璃釉層,所述熱敏電阻體2和引線I通過(guò)封裝層3封裝成扁平狀結(jié)構(gòu),由于產(chǎn)品外形結(jié)構(gòu)由圓形改進(jìn)為扁平狀結(jié)構(gòu),減少了產(chǎn)品體積和熱容差,這樣也提高熱敏電阻器的靈敏度,同時(shí)方便用戶(hù)安裝使用,與器件完全貼裝;所述引線I采用鉬絲,鉬絲具有耐高溫、抗氧化性、抗腐蝕性,在生產(chǎn)加工過(guò)程解決了引線I在高溫下易變色、氧化、斷裂的問(wèn)題,而且鉬絲屬于純金屬,表面沒(méi)有覆蓋層,免去了鍍鎳工序,避免了引線I與酸接觸,避免了杜美絲可能存在應(yīng)力腐蝕的現(xiàn)象 。
權(quán)利要求1.一種扁平狀型熱敏電阻器,包括電阻器本體,所述電阻器本體由引線、熱敏電阻體和封裝層組成,其特征在于所述熱敏電阻體和引線通過(guò)封裝層封裝成扁平狀結(jié)構(gòu),所述引線采用鉬絲。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述扁平狀型熱敏電阻器,其特征在于所述封裝層為玻璃管、金屬管、環(huán)氧樹(shù)脂層或玻璃釉層。
專(zhuān)利摘要本實(shí)用新型公開(kāi)了一種扁平狀型熱敏電阻器,包括電阻器本體,所述電阻器本體由引線、熱敏電阻體和封裝層組成,所述熱敏電阻體和引線通過(guò)封裝層封裝成扁平狀結(jié)構(gòu),所述引線采用鉑絲。本實(shí)用新型的引線選用鉑絲替代杜美絲,鉑絲具有耐高溫、抗氧化性、抗腐蝕性,在生產(chǎn)加工過(guò)程解決了引線在高溫下易變色、氧化、斷裂的問(wèn)題,而且鉑絲屬于純金屬,表面沒(méi)有覆蓋層,免去了鍍鎳工序,避免了引線與酸接觸,避免了杜美絲可能存在應(yīng)力腐蝕的現(xiàn)象;由于產(chǎn)品外形結(jié)構(gòu)由圓形改進(jìn)為扁平狀結(jié)構(gòu),減少了產(chǎn)品體積和熱容差,這樣也提高熱敏電阻器的靈敏度,同時(shí)方便用戶(hù)安裝使用,與器件完全貼裝。
文檔編號(hào)H01C7/04GK202584968SQ20122014084
公開(kāi)日2012年12月5日 申請(qǐng)日期2012年4月6日 優(yōu)先權(quán)日2012年4月6日
發(fā)明者張嘉紅 申請(qǐng)人:成都宏明電子股份有限公司