專利名稱：微結(jié)構(gòu)保角性轉(zhuǎn)移方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明屬于微電子領(lǐng)域，涉及ー種薄膜轉(zhuǎn)移方法，特別是涉及ー種微結(jié)構(gòu)保角性轉(zhuǎn)移方法。
背景技術(shù)：
近年來(lái)，隨著人們對(duì)便攜式電子器件的技術(shù)要求的提高，柔性電子技術(shù)的迅速發(fā)展而受到廣泛關(guān)注，成為研究及應(yīng)用熱點(diǎn)。柔性電子技術(shù)就是將傳統(tǒng)剛性襯底上的薄膜材料以及功能器件轉(zhuǎn)移至柔性襯底，從而到達(dá)可彎曲、可拉伸甚至可折疊的技術(shù)要求。在柔性技術(shù)中，首先將傳統(tǒng)剛性襯底上的圖形化微型結(jié)構(gòu)，尤其是微米帶轉(zhuǎn)移至柔性襯底；其次利用傳統(tǒng)的エ藝技術(shù)條件利用柔性襯底上的圖形化微型結(jié)構(gòu)制作柔性電子 器件。在這ー過(guò)程中，要求剛性襯底上的圖形化的微米帶結(jié)構(gòu)在轉(zhuǎn)移至柔性襯底上后，其排列次序不變，即實(shí)現(xiàn)保角性轉(zhuǎn)移。由此可見(jiàn)，如何將排列整齊的硅微型結(jié)構(gòu)保角性轉(zhuǎn)移至柔性襯底顯得格外重要。最初的柔性技術(shù)中，并沒(méi)有對(duì)保角性轉(zhuǎn)移做出特別要求。傳統(tǒng)的轉(zhuǎn)移方法，在腐蝕掉中間埋氧層的時(shí)候，頂層納米薄膜材料會(huì)落至硅襯底上并與其接觸，兩者之間以范德瓦耳斯カ相連接。在腐蝕完埋氧層、頂層納米薄膜落至硅襯底上的過(guò)程中，會(huì)導(dǎo)致圖形陣列的偏移，同時(shí)，在腐蝕完畢最終從HF酸或BOE溶液中取出的時(shí)候，由于溶液的表面張カ較大，會(huì)導(dǎo)致僅僅依靠較微弱的范德瓦耳斯カ相連接的納米薄膜與硅襯底之間發(fā)生相對(duì)滑移，再一次導(dǎo)致圖形陣列偏移。然而隨著柔性技術(shù)的發(fā)展，保角性轉(zhuǎn)移越來(lái)越受到人們的關(guān)注。目前，實(shí)現(xiàn)微米帶保角性轉(zhuǎn)移的主要方法是通過(guò)多步光刻及刻蝕，利用光刻膠作為圍墻來(lái)固定圖形化微米帯。由于多步光刻甚至套刻的エ藝以及多步刻蝕導(dǎo)致該過(guò)程較為復(fù)雜，在エ業(yè)上造成成本較高。

發(fā)明內(nèi)容
鑒于以上所述現(xiàn)有技術(shù)的缺點(diǎn)，本發(fā)明的目的在于提供一種微結(jié)構(gòu)保角性轉(zhuǎn)移方法，用于解決現(xiàn)有技術(shù)中微結(jié)構(gòu)保角性轉(zhuǎn)移エ藝復(fù)雜、成本較高的問(wèn)題。為實(shí)現(xiàn)上述目的及其他相關(guān)目的，本發(fā)明提供一種保角性轉(zhuǎn)移方法，所述保角性轉(zhuǎn)移方法至少包括以下步驟I)提供XOI襯底，所述XOI襯底自下而上依次為底層硅、埋氧層及頂層X(jué)納米薄膜；2)在所述頂層X(jué)納米薄膜上涂覆預(yù)設(shè)圖形的光刻膠，所述預(yù)設(shè)圖形為啞鈴狀；3)對(duì)所述頂層X(jué)納米薄膜進(jìn)行刻蝕以將所述頂層X(jué)納米薄膜進(jìn)行圖案化，形成預(yù)設(shè)圖形的微結(jié)構(gòu)；所述微結(jié)構(gòu)包括兩端區(qū)域及連接于所述兩端區(qū)域之間的中間圖形；4)采用濕法腐蝕將所述埋氧層進(jìn)行腐蝕，直至所述中間圖形部分完全懸空，且所述兩端區(qū)域以下仍有部分未被完全腐蝕掉的埋氧層；5)提供一基板，將所述基板與所述微結(jié)構(gòu)相接觸，并迅速提起以將所述微結(jié)構(gòu)自所述未被腐蝕掉的埋氧層處撕裂并轉(zhuǎn)移到所述基板上，所述微結(jié)構(gòu)兩端區(qū)域與所述未被完全腐蝕掉的埋氧層相接觸的部分留在所述未被完全腐蝕掉的埋氧層上?？蛇x地，所述刻蝕采用反應(yīng)離子刻蝕?？蛇x地，所述頂層X(jué)納米薄膜的X為硅、鍺或II1-V族化合物。可選地，所述頂層X(jué)納米薄膜的厚度范圍為10nnT200nm?？蛇x地，所述基板為柔性襯底。可選地，所述柔性襯底的材料為聚ニ甲基硅氧烷、聚甲基丙烯酸甲酷、聚酰亞胺或蠶絲蛋白。
可選地，所述中間圖形為微米帶或亞微米帯。可選地，所述中間圖形的寬度范圍為liinT500iim?？蛇x地，所述濕法腐蝕采用氫氟酸或BOE溶液。如上所述，本發(fā)明的微結(jié)構(gòu)保角性轉(zhuǎn)移方法，具有以下有益效果將待轉(zhuǎn)移的微結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)為啞鈴狀，由于微結(jié)構(gòu)兩端區(qū)域尺寸相較于中間圖形尺寸較大，而氫氟酸腐蝕埋氧層時(shí)腐蝕速度是各向同性的，所以在氫氟酸側(cè)向腐蝕納米薄膜底下的埋氧層時(shí)，較小尺寸的中間圖形下面的埋氧層會(huì)優(yōu)先腐蝕完畢，而較大尺寸的兩端區(qū)域下面依然會(huì)有部分埋氧層存在，形成固定結(jié)來(lái)固定微結(jié)構(gòu)，避免了腐蝕完畢后所引起的圖形滑移以及從腐蝕液中取出時(shí)由于溶液的表面張カ所引起的排列次序混亂，從而實(shí)現(xiàn)保角性轉(zhuǎn)移。本發(fā)明的微結(jié)構(gòu)保角性轉(zhuǎn)移方法利用簡(jiǎn)易的端點(diǎn)固定圖形化設(shè)計(jì)，對(duì)微結(jié)構(gòu)納米薄膜進(jìn)行固定，實(shí)現(xiàn)完全保角性轉(zhuǎn)移，大大的降低了保角性轉(zhuǎn)移エ藝的復(fù)雜度，降低了エ藝成本。


圖1顯示為本發(fā)明的微結(jié)構(gòu)保角性轉(zhuǎn)移方法中XOI襯底的結(jié)構(gòu)示意圖。圖2顯示為本發(fā)明的微結(jié)構(gòu)保角性轉(zhuǎn)移方法中涂覆預(yù)設(shè)圖形光刻膠的示意圖。圖3顯示為本發(fā)明的微結(jié)構(gòu)保角性轉(zhuǎn)移方法中對(duì)頂層X(jué)納米薄膜進(jìn)行刻蝕形成預(yù)設(shè)圖形微結(jié)構(gòu)的示意圖。圖4顯示為本發(fā)明的微結(jié)構(gòu)保角性轉(zhuǎn)移方法中將埋氧層進(jìn)行腐蝕之后得到的結(jié)構(gòu)的示意圖。圖5顯示為本發(fā)明的微結(jié)構(gòu)保角性轉(zhuǎn)移方法中將基板與微結(jié)構(gòu)相接觸的示意圖。圖6顯示為本發(fā)明的微結(jié)構(gòu)保角性轉(zhuǎn)移方法中將微結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)移到基板上的示意圖。圖7顯示為本發(fā)明的微結(jié)構(gòu)保角性轉(zhuǎn)移方法中將微結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)移到基板上之后微結(jié)構(gòu)兩端區(qū)域有部分殘留在未被完全腐蝕掉的埋氧層上的示意圖。元件標(biāo)號(hào)說(shuō)明I底層硅2埋氧層3頂層X(jué)納米薄膜4光刻膠5微結(jié)構(gòu)6未被完全腐蝕掉的埋氧層7基板
具體實(shí)施例方式以下通過(guò)特定的具體實(shí)例說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施方式，本領(lǐng)域技術(shù)人員可由本說(shuō)明書所揭露的內(nèi)容輕易地了解本發(fā)明的其他優(yōu)點(diǎn)與功效。本發(fā)明還可以通過(guò)另外不同的具體實(shí)施方式
加以實(shí)施或應(yīng)用，本說(shuō)明書中的各項(xiàng)細(xì)節(jié)也可以基于不同觀點(diǎn)與應(yīng)用，在沒(méi)有背離本發(fā)明的精神下進(jìn)行各種修飾或改變。請(qǐng)參閱圖1至圖7。需要說(shuō)明的是，本實(shí)施例中所提供的圖示僅以示意方式說(shuō)明本發(fā)明的基本構(gòu)想，遂圖式中僅顯示與本發(fā)明中有關(guān)的組件而非按照實(shí)際實(shí)施時(shí)的組件數(shù)目、形狀及尺寸繪制，其實(shí)際實(shí)施時(shí)各組件的型態(tài)、數(shù)量及比例可為ー種隨意的改變，且其組件布局型態(tài)也可能更為復(fù)雜。本發(fā)明提供一種微結(jié)構(gòu)保角性轉(zhuǎn)移方法，所述方法至少包括以下步驟步驟I)，請(qǐng)參閱圖1，如圖所示，提供一 XOI襯底，所述XOI襯底自下而上依次為底 層硅1、埋氧層2及頂層X(jué)納米薄膜3。具體的，所述頂層X(jué)納米薄膜中的X為硅、鍺、II1-V族化合物等半導(dǎo)體材料。對(duì)于頂層X(jué)納米薄膜中的X為硅的情況，此時(shí)所述XOI襯底即為SOI襯底。所述頂層X(jué)納米薄膜3的厚度范圍為10nnT200nm。步驟2)，請(qǐng)參閱圖2，如圖所示，在所述頂層X(jué)納米薄膜3上涂覆預(yù)設(shè)圖形的光刻膠4作為掩膜，所述預(yù)設(shè)圖形為啞鈴狀。此處需要說(shuō)明的是，所述啞鈴狀是指圖形兩頭尺寸大、中間尺寸小，但兩頭及中間的具體圖形可根據(jù)需要改變。步驟3)，請(qǐng)參閱圖3，如圖所示，利用干法刻蝕技術(shù)對(duì)所述頂層X(jué)納米薄膜3進(jìn)行刻蝕，以將所述頂層X(jué)納米薄膜進(jìn)行圖案化，形成預(yù)設(shè)圖形的微結(jié)構(gòu)5。由于所述光刻膠4的形狀為啞鈴狀，因此刻蝕得到的微結(jié)構(gòu)5也為啞鈴狀，所述微結(jié)構(gòu)5包括兩端區(qū)域及連接于所述兩端區(qū)域之間的中間圖形。如上所述，所述啞鈴狀圖形兩端及中間的具體圖形可根據(jù)需要改變，其中所述中間圖形可為微米帶或亞微米帶等，本實(shí)施例中要轉(zhuǎn)移的微結(jié)構(gòu)以微米帶為例進(jìn)行說(shuō)明，因此所述中間圖形設(shè)計(jì)為微米帶結(jié)構(gòu)，即為矩形，在其它實(shí)施例中，也可根據(jù)需要轉(zhuǎn)移的薄膜形狀將所述中間圖形設(shè)計(jì)為其它形狀。另外，在本實(shí)施例中為了方便起見(jiàn)，所述微結(jié)構(gòu)5的兩端區(qū)域設(shè)計(jì)為方形，在其它實(shí)施例中也可設(shè)計(jì)為其它形狀，只要滿足兩端區(qū)域與中間圖形部分組合起來(lái)為啞鈴狀即可。具體到本實(shí)施例中，需滿足所述微結(jié)構(gòu)5的兩端區(qū)域方形邊長(zhǎng)大于中間圖形矩形的短邊長(zhǎng)。具體的，所述刻蝕采用反應(yīng)離子刻蝕法。步驟4)，請(qǐng)參閱圖4，如圖所示，采用濕法腐蝕將所述埋氧層2進(jìn)行腐蝕，直至所述微結(jié)構(gòu)5的中間圖形部分完全懸空，且所述微結(jié)構(gòu)5的兩端區(qū)域以下仍有部分未被完全腐蝕掉的埋氧層6。具體的，所述濕法腐蝕采用氫氟酸或BOE溶液(氧化物蝕刻緩沖液)。本實(shí)施例中將以氫氟酸為例進(jìn)行說(shuō)明。氫氟酸腐蝕的目的是為了讓所述微結(jié)構(gòu)5能夠進(jìn)行轉(zhuǎn)移。氫氟酸腐蝕之前，所述微結(jié)構(gòu)5與所述埋氧層2之間牢固結(jié)合，因此需要破壞這種結(jié)合才能進(jìn)行轉(zhuǎn)移。本實(shí)施例中，所述埋氧層2的材料為ニ氧化硅，能夠被氫氟酸溶解掉。圖形化的微結(jié)構(gòu)5能夠在縱向上阻擋氫氟酸腐蝕其對(duì)應(yīng)頂部位置的埋氧層，但是沒(méi)有微結(jié)構(gòu)阻擋的區(qū)域就會(huì)被氫氟酸腐蝕，隨著該區(qū)域埋氧層的腐蝕，氫氟酸從該區(qū)域向所述微結(jié)構(gòu)以下埋氧層兩側(cè)開(kāi)始腐蝕。由于所述微結(jié)構(gòu)5兩端區(qū)域尺寸相較于中間圖形尺寸較大，而氫氟酸腐蝕埋氧層時(shí)腐蝕速度是各向同性的，所以在氫氟酸側(cè)向腐蝕所述微結(jié)構(gòu)5以下的埋氧層時(shí)，較小尺寸的中間圖形下面的埋氧層會(huì)優(yōu)先腐蝕完畢，而較大尺寸兩端區(qū)域下面依然會(huì)有部分未被完全腐蝕掉的埋氧層6存在，所述未被完全腐蝕掉的埋氧層6形成固定結(jié)來(lái)固定所述微結(jié)構(gòu)5。這樣在氫氟酸溶液中所述微結(jié)構(gòu)5不會(huì)發(fā)生滑移，并且將腐蝕完畢之后的結(jié)構(gòu)從氫氟酸溶液中取出時(shí)所述微結(jié)構(gòu)5也不會(huì)因?yàn)槿芤罕砻娴膹垾l(fā)生移動(dòng)。對(duì)于陣列型的微結(jié)構(gòu)，也能保證陣列中各単元之間的相對(duì)位置不發(fā)生改變。步驟5)，請(qǐng)參閱圖5、圖6及圖7，如圖5所示，提供一基板7，將所述基板7與所述微結(jié)構(gòu)5相接觸。由于范德瓦耳斯力，所述微結(jié)構(gòu)5會(huì)緊貼在所述基板7上，此時(shí)迅速提起所述基板7，所述微結(jié)構(gòu)5將轉(zhuǎn)移到所述基板7上。由于固定結(jié)即部分未被完全腐蝕掉的埋氧層6的存在，所述微結(jié)構(gòu)5的兩端區(qū)域中間部分與部分未被完全腐蝕掉的埋氧層6牢固 接觸，所述基板7與所述微結(jié)構(gòu)5之間的范德瓦耳斯力不足以將其轉(zhuǎn)移到所述基板7上，所以所述微結(jié)構(gòu)5將從所述未被完全腐蝕掉的埋氧層6處撕裂。請(qǐng)參閱圖6，顯示為微結(jié)構(gòu)5轉(zhuǎn)移到所述基板7上的示意圖，所述微結(jié)構(gòu)5兩端區(qū)域中間部分未轉(zhuǎn)移，形成空心結(jié)構(gòu)。再請(qǐng)參閱圖7，顯示為將轉(zhuǎn)移之后所述微結(jié)構(gòu)5兩端區(qū)域有部分殘留在未被完全腐蝕掉的埋氧層6上的示意圖。在上述轉(zhuǎn)移過(guò)程中，由于兩端固定結(jié)(未被完全腐蝕掉的埋氧層6)的作用，所述微結(jié)構(gòu)5能實(shí)現(xiàn)保角性轉(zhuǎn)移。需要指出的是，兩端固定結(jié)(未被完全腐蝕掉的埋氧層6)的實(shí)際形狀不一定如圖7中所示為方形，在腐蝕過(guò)程中，其棱角會(huì)變得圓滑。具體的，所述基板7為柔性襯底，所述柔性襯底具有柔軟、弾性或塑性的特點(diǎn)，所述柔性襯底7的材料可以為聚ニ甲基硅氧烷(PDMS)、聚甲基丙烯酸甲脂(PMMA)、聚酰亞胺(PI)、聚對(duì)苯ニ甲酸こニ酯(PET)或蠶絲蛋白，但并不限于以上幾種。至此，成功將所述微結(jié)構(gòu)5從剛性襯底(底層硅及埋氧層)上轉(zhuǎn)移至柔性襯底，隨后可以利用傳統(tǒng)的低溫エ藝技術(shù)條件再柔性襯底上的微結(jié)構(gòu)上制作柔性電子器件。本實(shí)施例中，即在所述微結(jié)構(gòu)5的中間圖形部分微米帶上制作柔性電子器件。本發(fā)明的微結(jié)構(gòu)保角性轉(zhuǎn)移方法中，所述微結(jié)構(gòu)的中間圖形的寬度范圍為Iu nTSOOym，此處所述中間圖形的寬度指的是垂直于兩端區(qū)域與中間圖形連線方向上中間圖形各處的尺寸，具體到本實(shí)施例中，所述中間圖形的寬度指的是微米帶的短邊長(zhǎng)。需要指出的是，本實(shí)施例中為了方便起見(jiàn)，所述微結(jié)構(gòu)以ー個(gè)微米帶為例進(jìn)行說(shuō)明本發(fā)明的微結(jié)構(gòu)保角性轉(zhuǎn)移方法，但對(duì)于微米帶陣列或其它圖形陣列，同樣在本發(fā)明的微結(jié)構(gòu)保角性轉(zhuǎn)移方法的保護(hù)范圍內(nèi)。綜上所述，本發(fā)明的微結(jié)構(gòu)保角性轉(zhuǎn)移方法將待轉(zhuǎn)移的微結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)為啞鈴狀，由于微結(jié)構(gòu)兩端區(qū)域尺寸相較于中間圖形尺寸較大，而氫氟酸腐蝕埋氧層時(shí)腐蝕速度是各向同性的，所以在氫氟酸側(cè)向腐蝕納米薄膜底下的埋氧層時(shí)，較小尺寸的中間圖形下面的埋氧層會(huì)優(yōu)先腐蝕完畢，而較大尺寸的兩端區(qū)域下面依然會(huì)有部分埋氧層存在，形成固定結(jié)來(lái)固定微結(jié)構(gòu)，避免了腐蝕完畢后所引起的圖形滑移以及從腐蝕液中取出時(shí)由于溶液的表面張カ所引起的排列次序混亂，從而實(shí)現(xiàn)保角性轉(zhuǎn)移。本發(fā)明的微結(jié)構(gòu)保角性轉(zhuǎn)移方法利用簡(jiǎn)易的端點(diǎn)固定圖形化設(shè)計(jì)，對(duì)微結(jié)構(gòu)納米薄膜進(jìn)行固定，實(shí)現(xiàn)完全保角性轉(zhuǎn)移，大大的降低了保角性轉(zhuǎn)移エ藝的復(fù)雜度，降低了エ藝成本。所以，本發(fā)明有效克服了現(xiàn)有技術(shù)中的種種缺點(diǎn)而具高度產(chǎn)業(yè)利用價(jià)值。上述實(shí)施例僅例示性說(shuō)明本發(fā)明的原理及其功效，而非用于限制本發(fā)明。任何熟悉此技術(shù)的人士皆可在不違背本發(fā)明的精神及范疇下，對(duì)上述實(shí)施例進(jìn)行修飾或改變。因 此，舉凡所屬技術(shù)領(lǐng)域中具有通常知識(shí)者在未脫離本發(fā)明所掲示的精神與技術(shù)思想下所完成的一切等效修飾或改變，仍應(yīng)由本發(fā)明的權(quán)利要求所涵蓋。
權(quán)利要求
1.一種微結(jié)構(gòu)保角性轉(zhuǎn)移方法，其特征在于，至少包括以下步驟 1)提供XOI襯底，所述XOI襯底自下而上依次為底層硅、埋氧層及頂層X(jué)納米薄膜； 2)在所述頂層X(jué)納米薄膜上涂覆預(yù)設(shè)圖形的光刻膠，所述預(yù)設(shè)圖形為啞鈴狀； 3)對(duì)所述頂層X(jué)納米薄膜進(jìn)行刻蝕以將所述頂層X(jué)納米薄膜進(jìn)行圖案化，形成預(yù)設(shè)圖形的微結(jié)構(gòu)；所述微結(jié)構(gòu)包括兩端區(qū)域及連接于所述兩端區(qū)域之間的中間圖形； 4)采用濕法腐蝕將所述埋氧層進(jìn)行腐蝕，直至所述中間圖形完全懸空，且所述兩端區(qū)域以下仍有部分未被完全腐蝕掉的埋氧層； 5)提供一基板，將所述基板與所述微結(jié)構(gòu)相接觸，并迅速提起以將所述微結(jié)構(gòu)自所述未被腐蝕掉的埋氧層處撕裂并轉(zhuǎn)移到所述基板上，所述微結(jié)構(gòu)兩端區(qū)域與所述未被完全腐蝕掉的埋氧層相接觸的部分留在所述未被完全腐蝕掉的埋氧層上。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微結(jié)構(gòu)保角性轉(zhuǎn)移方法，其特征在于所述刻蝕采用反應(yīng)離子刻蝕。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微結(jié)構(gòu)保角性轉(zhuǎn)移方法，其特征在于所述頂層X(jué)納米薄膜的X為硅、鍺或II1-V族化合物。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微結(jié)構(gòu)保角性轉(zhuǎn)移方法，其特征在于所述頂層X(jué)納米薄膜的厚度范圍為10nnT200nm。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微結(jié)構(gòu)保角性轉(zhuǎn)移方法，其特征在于所述基板為柔性襯底。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的微結(jié)構(gòu)保角性轉(zhuǎn)移方法，其特征在于所述柔性襯底的材料為聚二甲基硅氧烷、聚甲基丙烯酸甲酯、聚酰亞胺、聚對(duì)苯二甲酸乙二酯或蠶絲蛋白。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微結(jié)構(gòu)保角性轉(zhuǎn)移方法，其特征在于所述中間圖形為微米帶或亞微米帶。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微結(jié)構(gòu)保角性轉(zhuǎn)移方法，其特征在于所述中間圖形的寬度范圍為 I μ πΓ500 μ m。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微結(jié)構(gòu)保角性轉(zhuǎn)移方法，其特征在于所述濕法腐蝕采用氫氟酸或BOE溶液。
全文摘要
本發(fā)明提供一種微結(jié)構(gòu)保角性轉(zhuǎn)移方法，至少包括以下步驟提供一自下而上依次為底層硅、埋氧層及頂層X(jué)納米薄膜的XOI襯底，在所述頂層X(jué)納米薄膜上涂覆啞鈴狀的光刻膠作為掩膜，進(jìn)行刻蝕得到啞鈴狀的微結(jié)構(gòu)；然后利用氫氟酸溶液或者BOE溶液將所述埋氧層進(jìn)行腐蝕，直至所述微結(jié)構(gòu)中間圖形微米帶部分完全懸空，且所述兩端區(qū)域以下仍有部分未被完全腐蝕掉的埋氧層，形成固定結(jié)，最后提供一基板與所述微結(jié)構(gòu)相接觸，并迅速提起基板以將所述微結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)移到所述基板上。本發(fā)明的微結(jié)構(gòu)保角性轉(zhuǎn)移方法利用簡(jiǎn)易的端點(diǎn)固定圖形化設(shè)計(jì)，對(duì)微結(jié)構(gòu)納米薄膜進(jìn)行固定，實(shí)現(xiàn)完全保角性轉(zhuǎn)移，大大的降低了保角性轉(zhuǎn)移工藝的復(fù)雜度，降低了工藝成本。
文檔編號(hào)H01L21/02GK103021818SQ201210593568
公開(kāi)日2013年4月3日 申請(qǐng)日期2012年12月31日 優(yōu)先權(quán)日2012年12月31日
發(fā)明者狄增峰, 郭慶磊, 張苗, 魏星, 薛忠營(yíng), 母志強(qiáng), 戴佳赟 申請(qǐng)人:中國(guó)科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所