Amoled金屬掩膜板的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了在一種用于蒸鍍的掩膜板，其特征在于，所述掩膜板包括第一區(qū)和第二區(qū)，其中第一區(qū)對應(yīng)顯示區(qū)域，第二區(qū)對應(yīng)過渡區(qū)域，并且所述第二區(qū)設(shè)置在第一區(qū)左右兩側(cè)；在所述第一區(qū)，設(shè)置有多條沿左右方向平行的狹縫；在所述第二區(qū)，設(shè)置有至少一列小孔，所述每列小孔中相鄰的小孔之間設(shè)置有肋支撐部件。本發(fā)明提供的用于蒸鍍的掩膜板，其張力的過渡和平衡的效果更加好，可降低顯示區(qū)域蒸鍍時發(fā)生邊緣混色的風(fēng)險；再者，可以比現(xiàn)有技術(shù)占用較少的區(qū)域，在空間上實現(xiàn)邊框變窄；此設(shè)計還可以降低掩膜板制造難度，降低掩膜板費用。
【專利說明】AMOLED金屬掩膜板
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及有機發(fā)光顯示領(lǐng)域，更具體地，涉及一種制造有機發(fā)光顯示器用的金屬掩膜板。
【背景技術(shù)】
[0002]AMOLED (Active Matrix Organic Light Emitting Display,有源矩陣有機發(fā)光顯示裝置)具有自發(fā)光功耗低、反應(yīng)速度較快、對比度更高、視角較廣等特點。
[0003]在制造AMOLED的過程中，需要對像素R (red紅)G (green綠)B (blue藍)分別進行蒸鍍，而蒸鍍過程中需要用掩膜板對非蒸鍍區(qū)進行遮擋。現(xiàn)有技術(shù)中，如圖1，掩膜板一般會在基板100上設(shè)置有對應(yīng)AMOLED顯示區(qū)域的第一區(qū)101和對應(yīng)AMOLED過渡區(qū)域的第二區(qū)102，在第一區(qū)101設(shè)置有狹縫，第一區(qū)101的狹縫是用于蒸鍍的。但是在靠近第一區(qū)101的第二區(qū)102也會設(shè)置一些狹縫。
[0004]因為，如果只在第一區(qū)101設(shè)置狹縫，而不在第二區(qū)102設(shè)置狹縫的話，第一區(qū)101和第二區(qū)102的張緊力不同，兩個不同的狀態(tài)特性差異大，掩膜板的張緊力在兩個區(qū)域的相鄰處實現(xiàn)連續(xù)過渡比較困難，容易在兩個區(qū)域的相鄰處造成一些張緊不良，致使第一區(qū)101的狹縫變形，將導(dǎo)致AMOLED顯示區(qū)邊緣處發(fā)生混色。所以，需要在靠近第一區(qū)101的第二區(qū)102部分也設(shè)置一些狹縫，用來平衡兩個區(qū)域的相鄰處的張力，實現(xiàn)連續(xù)過渡。并且，在第二區(qū)102設(shè)置越 多的狹縫，這種連續(xù)過渡性越好，第一區(qū)101邊緣的狹縫的變形風(fēng)險也會越低。
[0005]另一方面，如圖2，在AMOLED的面板設(shè)計上會在顯示區(qū)域以外的最近的可能區(qū)域設(shè)計陰極過孔104，OLED器件陰極會通過過孔104完成陰極部分的電氣連接。一般是在第二區(qū)102設(shè)置有狹縫以外的區(qū)域設(shè)計陰極過孔。但第二區(qū)102設(shè)計的狹縫會占據(jù)一定面積，陰極過孔區(qū)需要制作在狹縫的外側(cè)，陰極需要跨過狹縫區(qū)域完成連接可能導(dǎo)致一定的電壓損耗。并且隨著第二區(qū)102的狹縫的數(shù)量的增加，也會帶來AMOLED的邊框增寬的問題。
[0006]綜上，現(xiàn)有技術(shù)中，要既保證AMOLED的蒸鍍掩膜板在第二區(qū)域和第一區(qū)相鄰處的張力的連續(xù)過渡，又要降低陰極過孔的電壓損耗，同時減小AMOLED的邊框，是現(xiàn)有技術(shù)中有待解決的問題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0007]本發(fā)明提出一種掩膜板結(jié)構(gòu)可以解決以上技術(shù)問題，并且可解決窄邊寬的問題。
[0008]本發(fā)明提供的用于蒸鍍的掩膜板，其特征在于，所述掩膜板包括第一區(qū)和第二區(qū)，其中第一區(qū)對應(yīng)顯示區(qū)域，第二區(qū)對應(yīng)過渡區(qū)域，并且所述第二區(qū)設(shè)置在第一區(qū)左右兩側(cè)；
在所述第一區(qū)，設(shè)置有多條沿左右方向平行的狹縫；
在所述第二區(qū)，設(shè)置有至少一列小孔，所述每列小孔中相鄰的小孔之間設(shè)置有肋支撐部件。[0009]優(yōu)選地，所述小孔的列數(shù)為f 10列。
[0010]優(yōu)選地，所述小孔的形狀為正方形、長方形或者圓形。
[0011]優(yōu)選地，其中所述處于第一區(qū)的狹縫的寬度約為20到40Mffl。
[0012]優(yōu)選地，所述小孔在左右方向的尺寸等于處于第一區(qū)的狹縫的寬度。
[0013]優(yōu)選地，所述小孔在上下方向的尺寸范圍為40到150Mm。
[0014]優(yōu)選地，所述掩膜板由金屬材料形成。
[0015]優(yōu)選地，所述掩膜板的厚度約為20到40Mm。
[0016]優(yōu)選地，所述多列小孔呈行列排列，所述行列對齊；所述小孔間的肋支撐部件也呈行列排列，所述行列對齊。
[0017]優(yōu)選地，所述肋支撐部件的長度是20到30Mm。
[0018]優(yōu)選地，所述處于第一區(qū)的一個狹縫的長度等于第二區(qū)一列小孔及位于小孔之間的肋支撐部件的長度總和。
[0019]優(yōu)選地，所述與第一區(qū)相鄰的一列小孔到第一區(qū)的距離為90到lOOMm。
[0020]優(yōu)選地，所述第 一區(qū)相鄰兩個狹縫的距離為90到lOOMm。
[0021]優(yōu)選地，相鄰兩列小孔之間的距離為90到lOOMm。
[0022]優(yōu)選地，在面板上，設(shè)置陰極過孔的區(qū)域至少部分與第二區(qū)對應(yīng)的區(qū)域重合。
[0023]本發(fā)明提供的用于蒸鍍的掩膜板，其優(yōu)點在于:
1、本發(fā)明運用在第二區(qū)設(shè)置小孔的方式，從無狹縫或者小孔的區(qū)域過渡到第二區(qū)的小孔區(qū)，再從第二區(qū)的小孔區(qū)過渡到第一區(qū)的狹縫，張力的過渡和平衡的效果更加好，可降低顯示區(qū)域蒸鍍時發(fā)生邊緣混色的風(fēng)險；
2、與現(xiàn)有技術(shù)相比，占用較少的區(qū)域，在空間上實現(xiàn)邊框變窄；此設(shè)計還可以降低掩膜板制造難度，降低掩膜板費用；
3、將設(shè)置陰極過孔的區(qū)域設(shè)置在相鄰的兩個小孔之間，更進一步的在空間上實現(xiàn)邊框變窄；
4、縮短了陰極跨越過渡區(qū)域的距離，從而降低電壓的損耗值。
[0024]
【專利附圖】

【附圖說明】
[0025]圖1為現(xiàn)有技術(shù)中掩膜板結(jié)構(gòu)的示意圖；
圖2為現(xiàn)有技術(shù)中掩膜板外設(shè)置陰極過孔位置的結(jié)構(gòu)示意圖；
圖3為本發(fā)明第一實施例提供的掩膜板結(jié)構(gòu)的示意圖；
圖4為本發(fā)明第二實施例提供的掩膜板結(jié)構(gòu)的示意圖；
【具體實施方式】
[0026]盡管下面將參照附圖對本發(fā)明進行更詳細的描述，其中表示了本發(fā)明的優(yōu)選實施例，應(yīng)當(dāng)理解為本領(lǐng)域技術(shù)人員可以在此描述的基礎(chǔ)上進行修改，而仍然可以實現(xiàn)本發(fā)明的有利效果。因此，下列的描述應(yīng)當(dāng)被理解為對本領(lǐng)域技術(shù)人員的思路的擴展，而并不作為對本發(fā)明的限制。
[0027]為了清楚的描述實際實施例的全部特征。在下列描述中，不詳細描述公知的功能和結(jié)構(gòu)，因為它們會使本發(fā)明由于不必要的細節(jié)而混亂。應(yīng)當(dāng)認為在任何實際實施例的開發(fā)中，必須做出大量實施細節(jié)以實現(xiàn)開發(fā)者的特定目標，例如按照有關(guān)系統(tǒng)或有關(guān)商業(yè)的限制，由一個實施例改變?yōu)榱硪粋€實施例。另外，應(yīng)當(dāng)認為這種開發(fā)工作可能是復(fù)雜和耗費時間的，但是對本領(lǐng)域技術(shù)人員來說僅僅是常規(guī)工作。
[0028]在下列段落中參照附圖以舉例方式更具體地描述本發(fā)明。根據(jù)下列說明使本發(fā)明的要點和特征將更清楚。需說明的是，附圖均采用非常簡化的形式且均使用非精準的比率，僅用以方便、清晰地輔助說明本發(fā)明實施例的目的。
[0029]第一實施例:
本實施例提供一種用于AMOLED蒸鍍的掩膜板，請參考圖3，圖3為本發(fā)明第一實施例的掩膜板的示意圖，所述掩膜板包括:
底構(gòu)件200，以及位于底構(gòu)件200上的第一區(qū)和第二區(qū)，所述第一區(qū)對應(yīng)AMOLED的顯示區(qū)域，所述第二區(qū)對應(yīng)AMOLED的過渡區(qū)域，并且所述第二區(qū)設(shè)置在第一區(qū)左右兩側(cè)；設(shè)置于底構(gòu)件200上的穿透所述底構(gòu)件200的多個左右平行狹縫201，設(shè)置于第一區(qū)內(nèi)，其中所述多個狹縫201具有預(yù)定長度并沿豎直方向延伸，所述狹縫201用于蒸鍍AMOLED顯示區(qū)域的彩色像素；
設(shè)置于第二區(qū)的四列長方形小孔202，所述小孔202中相鄰的小孔之間設(shè)置有肋支撐部件203，小孔202及肋支撐部件203，用于平衡第一區(qū)和第二區(qū)之間的張力，防止狹縫201受力不均發(fā)生形變導(dǎo)致蒸鍍AMOLED顯示區(qū)域的時候發(fā)生邊緣混色。
[0030]其中，所述底構(gòu)件200由金屬材料形成，厚度約為35Mm，狹縫201與左右各四列長方形小孔202為均勻分布，小孔202呈行列排列，所述行列對齊，且小孔202間的肋支撐部件203也呈行列排列，所述行列對齊。
[0031]狹縫201間距離、小孔202左右之間的距離、小孔202與狹縫201之間距離相等，約為95Mm，小孔202在左右方向的尺寸等于狹縫201的寬度，約為35Mm ;小孔202在上下方向的尺寸范圍為95Mm，且狹縫201的長度等于一列小孔202以及位于小孔202之間的肋支撐部件203的長度的總和；其中所述肋支撐部件的長度是25ΜΠ1。這樣設(shè)置，可以使得小孔202與狹縫201在尺寸上較為均衡，產(chǎn)生的張力不會有很大的差異。
[0032]和現(xiàn)有技術(shù)中在第二區(qū)設(shè)置狹縫相比，從無狹縫區(qū)域過渡到第二區(qū)的狹縫，再從第二區(qū)的狹縫過渡到第一區(qū)的狹縫區(qū)的技術(shù)方案相比，本發(fā)明運用在第二區(qū)設(shè)置小孔的方式，從無狹縫或者小孔的區(qū)域過渡到第二區(qū)的小孔區(qū)，再從第二區(qū)的小孔區(qū)過渡到第一區(qū)的狹縫，張力的過渡和平衡的效果更加好，可降低顯示區(qū)域蒸鍍時發(fā)生邊緣混色的風(fēng)險；
再者，可以比現(xiàn)有技術(shù)占用較少的區(qū)域，在空間上實現(xiàn)邊框變窄；此設(shè)計還可以降低掩膜板制造難度，降低掩膜板費用。
[0033]應(yīng)當(dāng)指出的是，第一實施例所示的掩膜板結(jié)構(gòu)僅是一種舉例而非限定?？蛇x的，在本實施例中，所述小孔202的形狀可替換為圓形，橢圓形，正方形等形狀；小孔202在左右方向的尺寸可選范圍在20到40Mm，上下方向的尺寸可選范圍在40到150Mm ；
可選的，在本實施例中，掩膜板的厚度可選范圍在20到40Mm之間；
可選的，在本實施例中，所述小孔202的列數(shù)可為I到10個，可根據(jù)掩膜板大小，重量等具體因素實施不同方案；
可選的，在本實施例中，所述顯示區(qū)域的狹縫201寬度范圍可為20到40Mm ；可選的，在本實施例中，所述肋支撐部件203的長度可選范圍在20到30Mm之間；可選的，在本實施例中，狹縫201間距離、小孔202左右之間的距離與小孔202與狹縫201之間距離可選范圍均在90到IOOMm之間。
[0034]第二實施例:
本發(fā)明第二實施例在第一實施例的基礎(chǔ)上做了優(yōu)化設(shè)計，具體請參照圖4，圖4為本發(fā)明第二實施例的掩膜板的示意圖，第二實施例照比第一實施例優(yōu)選之處在于:在第二區(qū)302設(shè)置有陰極過孔的區(qū)域304。
[0035]所述設(shè)置陰極過孔的區(qū)域304至少部分與第二區(qū)302對應(yīng)的區(qū)域重合，具體地，與肋支撐部件303區(qū)域重合，在對應(yīng)肋支撐部件303上下兩個小孔302之間。
[0036]和現(xiàn)有技術(shù)中，陰極過孔的區(qū)域必須設(shè)置于第二區(qū)的狹縫以外的區(qū)域的方案相t匕，本實施例中，將設(shè)置陰極過孔的區(qū)域設(shè)置在相鄰的兩個小孔之間，更進一步的在空間上實現(xiàn)邊框變窄，另一方面，陰極需要跨過第一區(qū)即過渡區(qū)域完成連接可能導(dǎo)致一定的電壓損耗，本實施例提供的掩膜板結(jié)構(gòu)縮短了陰極跨越過渡區(qū)域的距離，從而降低電壓的損耗值。
【權(quán)利要求】
1.一種用于蒸鍍的掩膜板，其特征在于， 所述掩膜板包括第一區(qū)和第二區(qū)，其中第一區(qū)對應(yīng)顯示區(qū)域，第二區(qū)對應(yīng)過渡區(qū)域，并且所述第二區(qū)設(shè)置在第一區(qū)左右兩側(cè)； 在所述第一區(qū)，設(shè)置有多條沿左右方向平行的狹縫； 在所述第二區(qū)，設(shè)置有至少一列小孔，所述每列小孔中相鄰的小孔之間設(shè)置有肋支撐部件。
2.如權(quán)利要求1所述的掩膜板，其特征在于，所述小孔的列數(shù)為f10列。
3.如權(quán)利要求1所述的掩膜板，其特征在于，所述小孔的形狀為正方形、長方形或者圓形。
4.如權(quán)利要求1所述的掩膜板，其特征在于，其中所述處于第一區(qū)的狹縫的寬度約為20 到 40Mm。
5.如權(quán)利要求4所述的掩膜板，其特征在于，所述小孔在左右方向的尺寸等于處于第一區(qū)的狹縫的寬度。
6.如權(quán)利要求1所述的掩膜板，其特征在于，所述小孔在上下方向的尺寸范圍為40到150Mm。
7.如權(quán)利要求1所述的掩膜板，其特征在于，所述掩膜板由金屬材料形成。
8.如權(quán)利要求7所述的掩膜板，其特征在于，所述掩膜板的厚度約為20到40Mm。
9.如權(quán)利要求2所述的掩膜板，其特征在于，所述多列小孔呈行列排列，所述行列對齊；所述小孔間的肋支撐部件也呈行列排列，所述行列對齊。
10.如權(quán)利要求1所述掩膜板，其特征在于，所述肋支撐部件的長度是20到30Mffl。
11.如權(quán)利要求1所述掩膜板，其特征在于，所述處于第一區(qū)的一個狹縫的長度等于第二區(qū)一列小孔及位于小孔之間的肋支撐部件的長度總和。
12.如權(quán)利要求1所述的掩膜板，其特征在于，所述與第一區(qū)相鄰的一列小孔到第一區(qū)的距離為90到lOOMm。
13.如權(quán)利要求1所述的掩膜板，其特征在于，所述第一區(qū)相鄰兩個狹縫的距離為90到lOOMm。
14.如權(quán)利要求1所述的掩膜板，其特征在于，相鄰兩列小孔之間的距離為90到lOOMm。
15.如權(quán)利要求1所述的掩膜板，其特征在于，在面板上，設(shè)置陰極過孔的區(qū)域至少部分與第二區(qū)對應(yīng)的區(qū)域重合。
【文檔編號】H01L51/56GK103911583SQ201210591703
【公開日】2014年7月9日 申請日期:2012年12月29日 優(yōu)先權(quán)日:2012年12月29日
【發(fā)明者】畢德鋒, 葉添昇, 向傳義 申請人:上海天馬微電子有限公司