專利名稱：多層巴倫的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及微波領(lǐng)域，特別涉及一種多層巴倫。
背景技術(shù)：
在射頻領(lǐng)域，巴倫用途十分廣泛，任何需要進(jìn)行平衡到不平衡變換的場所都需要用到，如相位檢波器、單邊帶調(diào)制器、平衡混頻器以及天線等。微帶線結(jié)構(gòu)的巴倫，尤其是 Marchand巴倫，因其模型分析簡單，便于與同軸線耦合等優(yōu)點而得到了廣泛應(yīng)用。
Marchand巴倫由兩段相同的耦合線組成，每段耦合線的長度均為中心頻率處的四分之一波長。由于Marchand巴倫的耦合線長度和中心波長處于同一量級，因此，其長度很長。若將Marchand巴倫制作在一平面上,則其體積較大。發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提出一種多層巴倫，解決了現(xiàn)有技術(shù)中巴倫體積過大，不利于于其它電路元件集成的問題。
本發(fā)明的技術(shù)方案是這樣實現(xiàn)的
一種多層巴倫，包括頂層金屬地和底層金屬地；金屬屏蔽層，所述金屬屏蔽層上開有窗口 ；上層耦合線，所述上層耦合線位于所述頂層金屬地與所述金屬屏蔽層之間，且所述上層耦合線的一端通過上接地通孔連接至所述頂層金屬地；導(dǎo)線連接通孔，所述導(dǎo)線連接通孔的一端連接至所述上層耦合線的另一端，且所述導(dǎo)線連接通孔穿過所述窗口 ；以及下層耦合線，所述下層耦合線位于所述底層金屬地與所述金屬屏蔽層之間，所述下層耦合線的一端通過下接地通孔連接至所述底層金屬地，且所述下層耦合線的另一端連接至所述導(dǎo)線連接通孔的另一端。
可選地，所述上層耦合線和所述下層耦合線關(guān)于所述金屬屏蔽層呈對稱分布。
可選地，所述上層耦合線包括第一分段和第二分段，所述第一分段和所述第二分段分布在不同介質(zhì)層上，且垂直排列。
可選地，所述下層耦合線包括第一分段和第二分段，所述第一分段和所述第二分段分布在不同介質(zhì)層上，且垂直排列。
可選地，所述上層耦合線和所述下層耦合線為寬邊帶狀線。
可選地，所述上層耦合線和所述下層耦合線采用曲折線結(jié)構(gòu)。
本發(fā)明的有益效果是可有效減小巴倫的體積，便于巴倫與其它電路元件集成。


為了更清楚地說明本發(fā)明實施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動性的前提下，還可以 根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
圖1為本發(fā)明一種多層巴倫一個實施例的立體結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實施方式
下面將結(jié)合本發(fā)明實施例中的附圖，對本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發(fā)明一部分實施例，而不是全部的實施例?；诒景l(fā)明中的實施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。
圖1為本發(fā)明一種多層巴倫一個實施例的立體結(jié)構(gòu)不意圖。如圖1所不,多層巴倫I包括頂層金屬地21、底層金屬地22以及金屬屏蔽層3。金屬屏蔽層3上開有窗口 32, 窗口 32中穿過導(dǎo)線連接通孔31。多層巴倫I還包括上層耦合線4和下層耦合線5，上層耦合線4位于頂層金屬地21與金屬屏蔽層3之間，下層耦合線5位于底層金屬地21與金屬屏蔽層3之間。上層耦合線4和下層耦合線5的一端通過導(dǎo)線連接通孔31連接起來，且上層耦合線4的另一端通過通孔43連接至頂層金屬地21，下層耦合線5的另一端通過通孔 53連接至底層金屬地22。在圖1所示實施例中，上層耦合線4包括第一分段41和第二分段42，所述第一分段41和第二分段42分布在不同介質(zhì)層上，且垂直排列。同樣，下層耦合線5包括第一分段51和第二分段52，所述第一分段51和第二分段52分布在不同介質(zhì)層上，且垂直排列。
在一個實施例中，耦合線采用寬邊帶狀線制作。
在另一個實施例中，耦合線為曲折線形式。
在多層巴倫I中，耦合線4和5關(guān)于金屬屏蔽層3呈完全對稱，這樣可使得輸出具有良好的幅值、相位性能。并且，金屬屏蔽層3還起到隔離上下耦合線的作用，以防止信號的竄擾。
利用本發(fā)明提出的多層巴倫，可有效減小巴倫的體積，便于巴倫與其它電路元件集成。
以上所述僅為本發(fā)明的較佳實施例而已，并不用以限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保 護(hù)范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種多層巴倫，其特征在于，包括頂層金屬地和底層金屬地；金屬屏蔽層，所述金屬屏蔽層上開有窗口 ；上層耦合線，所述上層耦合線位于所述頂層金屬地與所述金屬屏蔽層之間，且所述上層耦合線的一端通過上接地通孔連接至所述頂層金屬地；導(dǎo)線連接通孔，所述導(dǎo)線連接通孔的一端連接至所述上層耦合線的另一端，且所述導(dǎo)線連接通孔穿過所述窗口；以及下層耦合線，所述下層耦合線位于所述底層金屬地與所述金屬屏蔽層之間，所述下層耦合線的一端通過下接地通孔連接至所述底層金屬地，且所述下層耦合線的另一端連接至所述導(dǎo)線連接通孔的另一端。
2.如權(quán)利要求1所述的多層巴倫，其特征在于，所述上層耦合線和所述下層耦合線關(guān)于所述金屬屏蔽層呈對稱分布。
3.如權(quán)利要求1所述的多層巴倫，其特征在于，所述上層耦合線包括第一分段和第二分段，所述第一分段和所述第二分段分布在不同介質(zhì)層上，且垂直排列。
4.如權(quán)利要求1所述的多層巴倫，其特征在于，所述下層耦合線包括第一分段和第二分段，所述第一分段和所述第二分段分布在不同介質(zhì)層上，且垂直排列。
5.如權(quán)利要求1所述的多層巴倫，其特征在于，所述上層耦合線和所述下層耦合線為寬邊帶狀線。
6.如權(quán)利要求1所述的多層巴倫，其特征在于，所述上層耦合線和所述下層耦合線采用曲折線結(jié)構(gòu)。
全文摘要
本發(fā)明提出了一種多層巴倫，包括頂層金屬地和底層金屬地；金屬屏蔽層，所述金屬屏蔽層上開有窗口；上層耦合線，所述上層耦合線位于所述頂層金屬地與所述金屬屏蔽層之間，且所述上層耦合線的一端通過上接地通孔連接至所述頂層金屬地；導(dǎo)線連接通孔，所述導(dǎo)線連接通孔的一端連接至所述上層耦合線的另一端，且所述導(dǎo)線連接通孔穿過所述窗口；以及下層耦合線，所述下層耦合線位于所述底層金屬地與所述金屬屏蔽層之間，所述下層耦合線的一端通過下接地通孔連接至所述底層金屬地，且所述下層耦合線的另一端連接至所述導(dǎo)線連接通孔的另一端。利用本發(fā)明提出的多層巴倫，可有效減小巴倫的體積，便于巴倫與其它電路元件集成。
文檔編號H01P5/10GK103050753SQ201210568330
公開日2013年4月17日 申請日期2012年12月12日 優(yōu)先權(quán)日2012年12月12日
發(fā)明者王玲 申請人:青島聯(lián)盟電子儀器有限公司