反應(yīng)腔室及具有其的等離子體設(shè)備的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種反應(yīng)腔室，包括：腔室本體；基座，所述基座沿豎向在第一位置和位于所述第一位置之下的第二位置之間可移動地設(shè)在所述腔室本體內(nèi)且所述基座的頂部適于承載晶片，所述基座內(nèi)形成有沿著所述豎直方向貫穿所述基座的氣體給送通路，以將工藝氣體供給至所述基座的表面；壓緊件，所述壓緊件形成有內(nèi)孔，且所述壓緊件設(shè)置成在所述基座移動到所述第一位置時所述壓緊件的內(nèi)周邊壓緊所述晶片的外邊緣。根據(jù)本發(fā)明實施例的反應(yīng)腔室，可簡單、快捷、準(zhǔn)確地控制晶片的溫度，提高晶片的工藝效果，且該反應(yīng)腔室結(jié)構(gòu)簡單，使用方便。本發(fā)明還公開了一種具有上述反應(yīng)腔室的等離子體設(shè)備。
【專利說明】反應(yīng)腔室及具有其的等離子體設(shè)備
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及等離子體領(lǐng)域，尤其是涉及一種反應(yīng)腔室及具有其的等離子體設(shè)備?！颈尘凹夹g(shù)】
[0002]在真空環(huán)境中要實現(xiàn)熱傳導(dǎo)，必須有能夠?qū)岬慕橘|(zhì)存在于熱傳導(dǎo)的兩個物體之間，例如，在真空反應(yīng)腔中硅片放在基座上面，在真空環(huán)境下，當(dāng)需要通過基座加熱或者冷卻硅片時，若兩者之間沒有足夠的熱導(dǎo)體存在，則達(dá)不到控制硅片溫度的目的。
[0003]現(xiàn)有技術(shù)中的一種用于等離子工藝的硅片卡盤裝置，該硅片卡盤裝置包括下盤以及上盤，上盤由金屬、合金或陶瓷制成，并具有0.02mm至5mm之間的厚度,下盤由招合金或陶瓷制成，硅片被上盤壓緊在下盤上，且硅片與下盤之間的接觸面設(shè)置有等溫涂層，等溫涂層選自基于丙烯酸(acryl)的樹脂、基于特氟綸(teflon)的樹脂和基于聚醢亞胺的樹脂中的一種，其中基于特氟綸的樹脂包括玄子聚三氟氯乙烯(PCTFE)、聚四氟乙烯(PTFE)和全氟烷氧基(PFA)中的一種。硅片由上盤壓緊后，通過螺釘將上盤和下盤固定在一起。下盤中形成有氣體給送孔，在等離子工藝過程中通過氣體給送孔在硅片與等溫涂層之間送給惰性氣體(氬氣或氦氣)，以實現(xiàn)溫度傳遞。
[0004]但樹脂材料存在在真空環(huán)境中會很大程度影響到反應(yīng)腔的真空度，并且隨著工藝的進行，樹脂材料可能會揮發(fā)出有害顆粒，直接影響硅片的工藝結(jié)果。該硅片卡盤裝置采用螺釘緊固方式，需要人為來拆裝硅片，拆裝硅片的工作可以將硅片卡盤裝置取出在腔室外進行。也可以直接在腔室內(nèi)進行。不能實現(xiàn)自動工藝、自動傳片。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明旨在至少解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的技術(shù)問題之一。
[0006]為此，本發(fā)明的一個目的在于提出一種可簡單、快捷地控制晶片溫度的反應(yīng)腔室。
[0007]本發(fā)明的另一個目的在于提出一種具有上述反應(yīng)腔室的等離子體設(shè)備。
[0008]根據(jù)本發(fā)明第一方面實施例的反應(yīng)腔室，包括:腔室本體；基座，所述基座沿豎向在第一位置和位于所述第一位置之下的第二位置之間可移動地設(shè)在所述腔室本體內(nèi)且所述基座的頂部適于承載晶片，所述基座內(nèi)形成有沿著所述豎直方向貫穿所述基座的氣體給送通路，以將工藝氣體供給至所述基座的表面；壓緊件，所述壓緊件形成有內(nèi)孔，且所述壓緊件設(shè)置成在所述基座移動到所述第一位置時所述壓緊件的內(nèi)周邊壓緊所述晶片的外邊緣。
[0009]根據(jù)本發(fā)明實施例的反應(yīng)腔室，承載有晶片的基座可在第一位置和第二位置之間移動，當(dāng)基座移動到第一位置時，壓緊件的內(nèi)周邊壓緊晶片的外邊緣，從而使得晶片彎曲變形，使得晶片與基座的上表面之間形成有封閉的間隙，工藝氣體通過氣體給送通路進入到間隙內(nèi)，使得晶片與基座之間分布有可傳導(dǎo)溫度的工藝氣體，從而對晶片進行工藝處理，由此可簡單、快捷、準(zhǔn)確地控制晶片的溫度，提高晶片的工藝效果，且該反應(yīng)腔室結(jié)構(gòu)簡單，使用方便。[0010]另外，根據(jù)本發(fā)明的反應(yīng)腔室還具有如下附加技術(shù)特征:
[0011]在本發(fā)明的一些實施例中，所述基座的周向邊緣形成有環(huán)形凸起，用于支撐所述晶片。從而提聞晶片與基座的上表面之間形成的間隙的密封性。
[0012]進一步地，所述基座的上表面形成有氣體流道，所述氣體流道與所述氣體給送通路相連通。可使得通過氣體給送通道進入到晶片與基座之間的間隙中的工藝氣體更均勻的分布在晶片的下表面，從而可達(dá)到更均勻加熱或冷卻晶片的目的，提高工藝效果。
[0013]具體地，所述氣體流道包括:環(huán)形槽，所述環(huán)形槽分布在所述基座的邊緣且位于所述環(huán)形凸起之內(nèi)；多個分支槽，所述多個分支槽中的每一個的第一端與所述氣體給送通路相連通，且每個所述分支槽的第二端與所述環(huán)形槽相連通。從而進一步保證了工藝氣體能均勻的分布在晶片的下表面上，進而能更均勻加熱或冷卻晶片，進一步提高工藝效果。
[0014]優(yōu)選地，所述多個分支槽沿所述環(huán)形槽的周向均勻地分布在所述基座的上表面上。從而進一步保證工藝氣體能更均勻的分布在晶片的下表面上，進一步提高工藝效果。
[0015]進一步地，所述環(huán)形槽包括第一子環(huán)形槽和第二子環(huán)形槽，所述第二子環(huán)形槽的直徑大于所述第一子環(huán)形槽的直徑，且所述第二子環(huán)形槽和所述第一子環(huán)形槽同心設(shè)置，每個所述分支槽的第一端與所述氣體給送通路相連通且第二端與所述第二子環(huán)形槽相連通，每個所述分支槽貫穿所述第一子環(huán)形槽。從而更進一步保證工藝氣體能更均勻的分布在晶片的下表面上，進一步提聞工藝效果。
[0016]根據(jù)本發(fā)明的一些實施例，反應(yīng)腔室進一步包括:支撐裝置，所述支撐裝置設(shè)置成將所述晶片支撐在所述基座的所述第一位置和第二位置之間，且在所述基座上升的過程中，所述基座從所述支撐裝置上接收并支撐所述晶片以將所述晶片上升至所述第一位置。從而可提高反應(yīng)腔室的自動化程度，避免了人工取放晶片，可在整個工藝過程中實現(xiàn)自動傳片，避免了破壞腔室本體的真空環(huán)境，且避免了因為手動取放片而導(dǎo)致的顆粒污染，提高了工藝效率。
[0017]具體地，所述支撐裝置包括:支撐體，所述支撐體沿著所述豎向可升降；多個支撐件，所述多個支撐件設(shè)置在所述支撐體上且頂部適于支撐所述晶片。
[0018]進一步地，所述支撐體為環(huán)形，所述支撐體與所述基座同軸設(shè)置且所述基座沿著所述豎向在所述支撐體內(nèi)可升降。
[0019]在本發(fā)明的一些實施例中，所述多個支撐件的頂部沿著外周邊分別形成有第一凸起部，且所述第一凸起部形成有朝向內(nèi)的第一斜面；以及所述壓緊件構(gòu)造為壓緊環(huán)，且所述壓緊環(huán)的下表面形成有沿著周向形成的第二凸起部，且所述第二凸起部形成朝向外的第二斜面，以與所述第一斜面配合，以軸向定位所述壓緊環(huán)。從而使得支撐件不僅可支撐晶片，還可保證壓緊環(huán)的軸向位置，保證了壓緊環(huán)的內(nèi)周邊能壓緊晶片的外邊緣。
[0020]具體地，通過所述氣體給送通路所輸入的工藝氣體的充入量與所述壓緊件的重量及所述晶片可承受的彎曲變形量相關(guān)聯(lián)。從而可更大范圍的控制晶片的實際工藝溫度，提供晶片的工藝效果。
[0021]具體地，輸入所述氣體給送通路中的所述工藝氣體通過調(diào)壓閥來控制。從而可根據(jù)實際需要調(diào)節(jié)工藝氣體的充入量。
[0022]進一步地，所述工藝氣體用于冷卻或者加熱所述晶片。
[0023]根據(jù)本發(fā)明第二方面實施例的等離子體設(shè)備，包括根據(jù)本發(fā)明第一方面實施例的反應(yīng)腔室。
[0024]根據(jù)本發(fā)明實施例的等離子體設(shè)備，提高了晶片的工藝效果，自動化程度高，且提高了工藝效率。
[0025]本發(fā)明的附加方面和優(yōu)點將在下面的描述中部分給出，部分將從下面的描述中變得明顯，或通過本發(fā)明的實踐了解到。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0026]本發(fā)明的上述和/或附加的方面和優(yōu)點從結(jié)合下面附圖對實施例的描述中將變得明顯和容易理解，其中:
[0027]圖1為根據(jù)本發(fā)明實施例的反應(yīng)腔室的示意圖，其中基座位于第一位置；
[0028]圖2為根據(jù)本發(fā)明實施例的反應(yīng)腔室的局部示意圖，其中支撐裝置位于起始位置且晶片支撐在支撐裝置上；
[0029]圖3為根據(jù)本發(fā)明實施例的反應(yīng)腔室的局部示意圖，其中基座位于第二位置和支撐裝置位于起始位置；
[0030]圖4為圖1中A部分的放大示意圖，其中晶片未被壓緊件壓緊在基座上；
[0031]圖5為圖1中A部分的放大示意圖，其中晶片被壓緊件壓緊在基座上；
[0032]圖6為根據(jù)本發(fā)明一個實施例的基座的俯視圖；和
[0033]圖7為根據(jù)本發(fā)明另一個實施例的基座的俯視圖。
【具體實施方式】
[0034]下面詳細(xì)描述本發(fā)明的實施例，所述實施例的示例在附圖中示出，其中自始至終相同或類似的標(biāo)號表示相同或類似的元件或具有相同或類似功能的元件。下面通過參考附圖描述的實施例是示例性的，僅用于解釋本發(fā)明，而不能理解為對本發(fā)明的限制。
[0035]在本發(fā)明的描述中，需要理解的是，術(shù)語“中心”、“縱向”、“橫向”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“豎直”、“水平”、“頂”、“底” “內(nèi)”、“外”等指示的方位或位置關(guān)系為基于附圖所示的方位或位置關(guān)系，僅是為了便于描述本發(fā)明和簡化描述，而不是指示或暗示所指的裝置或元件必須具有特定的方位、以特定的方位構(gòu)造和操作，因此不能理解為對本發(fā)明的限制。此外，術(shù)語“第一”、“第二”僅用于描述目的，而不能理解為指示或暗示相對重要性。
[0036]在本發(fā)明的描述中，需要說明的是，除非另有明確的規(guī)定和限定，術(shù)語“安裝”、“相連”、“連接”應(yīng)做廣義理解，例如，可以是固定連接，也可以是可拆卸連接，或一體地連接；可以是機械連接；可以是直接相連，也可以通過中間媒介間接相連，可以是兩個元件內(nèi)部的連通。對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員而言，可以具體情況理解上述術(shù)語在本發(fā)明中的具體含義。此外，在本發(fā)明的描述中，除非另有說明，“多個”的含義是兩個或兩個以上。
[0037]下面參考圖1-圖7描述根據(jù)本發(fā)明第一方面實施例的一種反應(yīng)腔室100，該反應(yīng)腔室100用于對放置在其中的晶片5進行工藝處理，例如對晶片5進行加熱或冷卻。
[0038]如圖1-圖3所示，根據(jù)本發(fā)明實施例的反應(yīng)腔室100包括:腔室本體1、基座2和壓緊件3，其中，基座2沿豎向在第一位置和位于第一位置之下的第二位置之間可移動地設(shè)在腔室本體I內(nèi)且基座2的頂部適于承載晶片5，基座2內(nèi)形成有沿著豎直方向貫穿基座2的氣體給送通路20，以將工藝氣體供給至基座2的表面。例如工藝氣體用于冷卻或者加熱晶片5，該工藝氣體可為惰性氣體。壓緊件3形成有內(nèi)孔30，且壓緊件3設(shè)置成在基座2移動到第一位置時壓緊件3的內(nèi)周邊壓緊晶片5的外邊緣。
[0039]值得注意的是，反應(yīng)腔室100的基座2內(nèi)設(shè)置有用于實現(xiàn)基座2對晶片5進行加熱或冷卻的加熱電極、加熱電阻以及冷卻液體流路等結(jié)構(gòu)，已為本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員所熟知，因此這里就不詳細(xì)描述。
[0040]如圖1-圖3所示，基座2可在腔室本體I內(nèi)上下移動，且基座2的頂部適于承載晶片5，其中，晶片5的外邊緣伸出基座2的邊緣，以便于壓緊件3的內(nèi)周邊壓緊晶片5的外邊緣，基座2可在第二位置(如圖3所示)和第一位置(如圖1所示)之間移動，其中基座2位于第二位置時，基座2不承載晶片5。當(dāng)基座2從第二位置移動到第一位置的過程中，基座2上升到預(yù)定位置以開始承載晶片5。壓緊件3的內(nèi)周邊可壓緊晶片5的外邊緣，這樣晶片5即可彎曲變形，從而使得基座2的邊緣與晶片5的下表面接觸，以在晶片5的下表面與基座2的上表面之間形成有封閉的間隙，此時工藝氣體可從氣體給送通路20進入到封閉的間隙內(nèi)，使得作為熱導(dǎo)體的工藝氣體分布在晶片5與基座2之間。當(dāng)基座2對晶片5進行加熱或冷卻時，該熱導(dǎo)體可傳導(dǎo)溫度，從而可對晶片5進行加熱或冷卻。工藝結(jié)束后，承載有晶片5的基座2從第一位置移動回到第二位置。
[0041]根據(jù)本發(fā)明實施例的反應(yīng)腔室100，承載有晶片5的基座2可在第一位置和第二位置之間移動，當(dāng)基座2移動到第一位置時，壓緊件3的內(nèi)周邊壓緊晶片5的外邊緣，從而使得晶片5彎曲變形，使得晶片5與基座2的上表面之間形成有封閉的間隙，工藝氣體通過氣體給送通路20進入到間隙內(nèi)，使得晶片5與基座2之間分布有可傳導(dǎo)溫度的工藝氣體，從而對晶片5進行工藝處理，由此可簡單、快捷、準(zhǔn)確地控制晶片5的溫度，提高晶片5的工藝效果，且該反應(yīng)腔室100結(jié)構(gòu)簡單，使用方便。
[0042]其中，通過氣體給送通路20所輸入的工藝氣體的充入量與壓緊件3的重量及晶片5可承受的彎曲變形量相關(guān)聯(lián)。換言之，在晶片5的可承受能力下，壓緊件3的重量越大，晶片5的彎曲變形量越大，從而晶片5與基座2之間的間隙就越大，使得通過氣體給送通路20輸入到間隙內(nèi)的工藝氣體的充入量就越大，即可傳導(dǎo)溫度的熱導(dǎo)體就越多，進而可更大范圍的控制晶片5的實際工藝溫度，提供晶片5的工藝效果。進一步地，輸入氣體給送通路20中的工藝氣體通過可調(diào)壓閥(圖未示出)來控制，從而可根據(jù)實際需要調(diào)節(jié)工藝氣體的充入量。
[0043]在本發(fā)明的一些實施例中，如圖5所示，基座2的周向邊緣形成有環(huán)形凸起21，用于支撐晶片5。在晶片5被壓緊件3壓緊在基座2上時，該環(huán)形凸起21與彎曲變形的晶片5的下表面接觸，該環(huán)形凸起21可充當(dāng)密封件，從而提高晶片5與基座2的上表面之間形成的間隙的密封性。
[0044]進一步地，如圖6所示，基座2的上表面形成有氣體流道22，氣體流道22與氣體給送通路20相連通。通過設(shè)置有氣體流道22，使得通過氣體給送通路20進入到晶片5與基座2之間的間隙中的工藝氣體可更均勻的分布在晶片5的下表面，從而可實現(xiàn)更均勻地加熱或冷卻晶片5的目的，提高工藝效果。
[0045]具體地，如圖6所示，氣體流道22包括:環(huán)形槽220和多個分支槽221，其中，環(huán)形槽220分布在基座2的邊緣且位于環(huán)形凸起21之內(nèi)。多個分支槽221中的每一個的第一端與氣體給送通路20相連通，且每個分支槽221的第二端與環(huán)形槽220相連通。從而工藝氣體從氣體給送通路20進入到多個分支槽221內(nèi)，然后從多個分支槽221進入到環(huán)形槽220內(nèi)，從而進一步保證了工藝氣體能均勻的分布在晶片5的下表面上，進而能更均勻加熱或冷卻晶片5,進一步提聞工藝效果。
[0046]優(yōu)選地，多個分支槽221沿環(huán)形槽220的周向均勻地分布在基座2的上表面上。從而進一步保證工藝氣體能更均勻的分布在晶片5的下表面上，進一步提高工藝效果。例如在圖6的實施例中，基座2的上表面上形成有三個分支槽221，三個分支槽221沿環(huán)形槽220的周向均勻地分布在基座2的上表面上。
[0047]進一步地，如圖7所示，環(huán)形槽220包括第一子環(huán)形槽2201和第二子環(huán)形槽2202，第二子環(huán)形槽2202的直徑大于第一子環(huán)形槽2201的直徑，且第二子環(huán)形槽2202和第一子環(huán)形槽2201同心設(shè)置，每個分支槽221的第一端與氣體給送通路20相連通且第二端與第二子環(huán)形槽2202相連通，每個分支槽221貫穿第一子環(huán)形槽2201。從而可更進一步保證了工藝氣體能均勻的分布在晶片5的下表面上，進而能更均勻加熱或冷卻晶片5，進一步提高工藝效果。
[0048]換言之，如圖7所示，環(huán)形槽220包括兩個同心設(shè)置的子環(huán)形槽，分支槽221為六個且沿環(huán)形槽220的周向均勻地分布在基座2的上表面。每個分支槽221沿環(huán)形槽220的徑向向外延伸且包括第一子分支槽2211和第二子分支槽2212，第一子分支槽2211的第一端與氣體給送通路20相連通，第一子分支槽2211的第二端與第一子環(huán)形槽2201相連通，第二子分支槽2212的第一端與第一子環(huán)形槽2201相連通，第二子分支槽2212的第二端與第二子環(huán)形槽2202相連通。
[0049]其中值得理解的是，環(huán)形槽220可包括多個同心設(shè)置的子環(huán)形槽，分支槽221可為多個，且多個分支槽沿環(huán)形槽220的周向均勻地分布在基座2的上表面，每個分支槽221的第一端與氣體給送通路20相連通，每個分支槽221的第二端與多個子環(huán)形槽中的位于最外的子環(huán)形槽相連通，且每個分支槽221貫穿多個子環(huán)形槽中的其余子環(huán)形槽。
[0050]根據(jù)本發(fā)明的一些實施例，如圖1-圖3所示，反應(yīng)腔室100進一步包括支撐裝置4，支撐裝置4設(shè)置成將晶片5支撐在基座2的第一位置和第二位置之間，且在基座2上升的過程中，基座2從支撐裝置4上接收并支撐晶片5以將晶片5上升至第一位置。從而可提高反應(yīng)腔室100的自動化程度，避免了人工取放晶片5，可在整個工藝過程中實現(xiàn)自動傳片，避免了破壞腔室本體I的真空環(huán)境，且避免了因為手動取放片而導(dǎo)致的顆粒污染，提高了工藝效率。
[0051]具體地，如圖1-圖3所示，支撐裝置4包括:支撐體40和多個支撐件41，其中，支撐體40沿著豎向可升降。多個支撐件41設(shè)置在支撐體40上且頂部適于支撐晶片5。
[0052]進一步地，支撐體40為環(huán)形，支撐體40與基座2同軸設(shè)置且基座2沿著豎向在支撐體40內(nèi)可升降。可選地，支撐體40由與第一波紋管6相連的第一電機(圖未示出)驅(qū)動豎向移動，且基座2由與第二波紋管7相連的第二電機(圖未示出)驅(qū)動豎向移動。在本發(fā)明的一些示例中，基座2上形成有與支撐裝置4配合的豁口(圖未示出)，該豁口的尺寸大小根據(jù)支撐裝置4的尺寸而定，當(dāng)晶片5的尺寸較小時，支撐裝置4需要向內(nèi)移動，此時支撐裝置4位于豁口內(nèi)，具體地，該豁口需要保證足夠的余量以保證支撐裝置4可支撐不同尺寸大小的晶片5。[0053]在本發(fā)明的一些實施例中，如圖1和圖4所示，多個支撐件41的頂部沿著外周邊分別形成有第一凸起部410，且第一凸起部410形成有朝向內(nèi)的第一斜面412。壓緊件3構(gòu)造為壓緊環(huán)，且壓緊環(huán)3的下表面形成有沿著周向形成的第二凸起部31，且第二凸起部31形成為朝向外的第二斜面32，第二斜面32可與第一斜面412配合以便軸向定位壓緊環(huán)3。由此使得支撐件41不僅可支撐晶片5，還可保證壓緊環(huán)3的軸向位置，保證了壓緊環(huán)3的內(nèi)周邊能壓緊晶片5的外邊緣。
[0054]下面參考圖1-圖7描述根據(jù)本發(fā)明實施例的反應(yīng)腔室100的工作過程，其中反應(yīng)腔室100與其他腔室(圖未示出)例如傳輸室相連以接收晶片和將工藝完成的晶片輸送出。
[0055]工藝前，支撐裝置4的支撐件41位于腔室本體I的起始位置處(如圖3所示)等待傳片，傳輸室中的機械手將晶片5傳輸?shù)角皇冶倔wI中，通過機械手將晶片5放置在支撐件41上后(如圖2所示)，機械手撤回。其中，值得理解的是，支撐裝置4的起始位置位于基座2的第二位置的上方，即支撐裝置4的起始位置位于基座2的第一位置和第二位置之間。
[0056]然后支撐體40向上移動，支撐有晶片5的支撐件41向上移動到臨近壓緊件3的位置處，支撐件41的第二斜面412與壓緊件3的第一斜面32配合，以軸向定位壓緊件3。
[0057]接著基座2從第二位置移動到第一位置，在基座2上升的過程中，基座2從支撐件41上接收到晶片5后繼續(xù)上升到第一位置，此時由于壓緊件3自身的重力，壓緊件3的內(nèi)周邊壓緊晶片5的外邊緣，晶片5彎曲變形，使得晶片5的下表面與基座2的上表面之間形成封閉的間隙。同時，支撐裝置4下降到起始位置處。
[0058]工藝時，工藝氣體從氣體給送通路20進入到多個分支槽221內(nèi)，然后工藝氣體從多個分支槽221進入到環(huán)形槽220內(nèi)，使得工藝氣體均勻的分布在間隙內(nèi)，即均勻的分布在晶片5的下表面上?；?對晶片5進行加熱或冷卻時，間隙內(nèi)的能傳導(dǎo)溫度的工藝氣體傳導(dǎo)溫度，從而達(dá)到均勻加熱或冷卻晶片5的目的。
[0059]工藝后，支撐裝置4上升到臨近壓緊件3的位置處，然后支撐著晶片5的基座2下降，在下降的過程中將晶片5重新放置在支撐件41上，基座2下降到第二位置處，且支撐件41也下降到起始位置處，機械手再次進入到腔室本體I中將晶片5傳輸回傳輸腔中。
[0060]根據(jù)本發(fā)明第二方面實施例的等離子體設(shè)備，包括根據(jù)本發(fā)明第一方面實施例的反應(yīng)腔室100。
[0061]根據(jù)本發(fā)明實施例的等離子體設(shè)備，提高了晶片5的工藝效果，自動化程度高，且提高了工藝效率。
[0062]在本說明書的描述中，參考術(shù)語“一個實施例”、“一些實施例”、“示意性實施例”、“示例”、“具體示例”、或“一些示例”等的描述意指結(jié)合該實施例或示例描述的具體特征、結(jié)構(gòu)、材料或者特點包含于本發(fā)明的至少一個實施例或示例中。在本說明書中，對上述術(shù)語的示意性表述不一定指的是相同的實施例或示例。而且，描述的具體特征、結(jié)構(gòu)、材料或者特點可以在任何的一個或多個實施例或示例中以合適的方式結(jié)合。
[0063]盡管已經(jīng)示出和描述了本發(fā)明的實施例，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員可以理解:在不脫離本發(fā)明的原理和宗旨的情況下可以對這些實施例進行多種變化、修改、替換和變型，本發(fā)明的范圍由權(quán)利要求及其等同物限定。
【權(quán)利要求】
1.一種反應(yīng)腔室，其特征在于，包括: 腔室本體； 基座，所述基座沿豎向在第一位置和位于所述第一位置之下的第二位置之間可移動地設(shè)在所述腔室本體內(nèi)且所述基座的頂部適于承載晶片，所述基座內(nèi)形成有沿著所述豎直方向貫穿所述基座的氣體給送通路，以將工藝氣體供給至所述基座的表面； 壓緊件，所述壓緊件形成有內(nèi)孔，且所述壓緊件設(shè)置成在所述基座移動到所述第一位置時所述壓緊件的內(nèi)周邊壓緊所述晶片的外邊緣。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的反應(yīng)腔室，其特征在于，所述基座的周向邊緣形成有環(huán)形凸起，用于支撐所述晶片。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的反應(yīng)腔室，其特征在于，所述基座的上表面形成有氣體流道，所述氣體流道與所述氣體給送通路相連通。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的反應(yīng)腔室，其特征在于，所述氣體流道包括: 環(huán)形槽，所述環(huán)形槽分布在所述基座的邊緣且位于所述環(huán)形凸起之內(nèi)； 多個分支槽，所述多個分支槽中的每一個的第一端與所述氣體給送通路相連通，且每個所述分支槽的第二端與所述環(huán)形槽相連通。
5.根據(jù)權(quán)利要 求4所述的反應(yīng)腔室，其特征在于，所述多個分支槽沿所述環(huán)形槽的周向均勻地分布在所述基座的上表面上。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的反應(yīng)腔室，其特征在于，所述環(huán)形槽包括第一子環(huán)形槽和第二子環(huán)形槽，所述第二子環(huán)形槽的直徑大于所述第一子環(huán)形槽的直徑，且所述第二子環(huán)形槽和所述第一子環(huán)形槽同心設(shè)置，每個所述分支槽的第一端與所述氣體給送通路相連通且第二端與所述第二子環(huán)形槽相連通，每個所述分支槽貫穿所述第一子環(huán)形槽。
7.根據(jù)權(quán)利要求1-6中任一項所述的反應(yīng)腔室，其特征在于，還包括: 支撐裝置，所述支撐裝置設(shè)置成將所述晶片支撐在所述基座的所述第一位置和第二位置之間，且在所述基座上升的過程中，所述基座從所述支撐裝置上接收并支撐所述晶片以將所述晶片上升至所述第一位置。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的反應(yīng)腔室，其特征在于，所述支撐裝置包括: 支撐體，所述支撐體沿著所述豎向可升降； 多個支撐件，所述多個支撐件設(shè)置在所述支撐體上且頂部適于支撐所述晶片。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的反應(yīng)腔室，其特征在于，所述支撐體為環(huán)形，所述支撐體與所述基座同軸設(shè)置且所述基座沿著所述豎向在所述支撐體內(nèi)可升降。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的反應(yīng)腔室，其特征在于，所述多個支撐件的頂部沿著外周邊分別形成有第一凸起部，且所述第一凸起部形成有朝向內(nèi)的第一斜面；以及 所述壓緊件構(gòu)造為壓緊環(huán)，且所述壓緊環(huán)的下表面形成有沿著周向形成的第二凸起部，且所述第二凸起部形成朝向外的第二斜面，以與所述第一斜面配合，以軸向定位所述壓緊環(huán)。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的反應(yīng)腔室，其特征在于，通過所述氣體給送通路所輸入的工藝氣體的充入量與所述壓緊件的重量及所述晶片可承受的彎曲變形量相關(guān)聯(lián)。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的反應(yīng)腔室，其特征在于，輸入所述氣體給送通路中的所述工藝氣體通過調(diào)壓閥來控制。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的反應(yīng)腔室，其特征在于，所述工藝氣體用于冷卻或者加熱所述晶片。
14.一種等離子體設(shè)備，其特征在于，包括根據(jù)權(quán)利要求1-13中任一項所述的反應(yīng)腔室 。
【文檔編號】H01L21/67GK103887137SQ201210563098
【公開日】2014年6月25日 申請日期:2012年12月21日 優(yōu)先權(quán)日:2012年12月21日
【發(fā)明者】鄭金果 申請人:北京北方微電子基地設(shè)備工藝研究中心有限責(zé)任公司