版圖的dfm方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種版圖的DFM方法，包括步驟：對當前層和前層版圖分別進行局部圖形密度檢查。篩選出局部圖形密度都小于第一圖形密度規(guī)格值的區(qū)域，在該區(qū)域中填充冗余圖形。篩選出前層版圖的局部圖形密度小于第二圖形密度規(guī)格值的區(qū)域，對當前層版圖的相同區(qū)域中的圖形的關(guān)鍵尺寸進行調(diào)整。篩選出前層版圖的局部圖形密度小于第三圖形密度規(guī)格值的區(qū)域，在當前層版圖的相同區(qū)域中篩選出圖形CD小于尺寸最小規(guī)格值、以及和前層版圖的圖形之間的間隔小于距離最小規(guī)格值的第二圖形，對該關(guān)鍵尺寸和間隔進行調(diào)整。對修正后的當前層版圖進行OPC修正。本發(fā)明能消除前層圖形的影響，降低光刻工藝難度，使設計版圖更容易被制造。
【專利說明】版圖的DFM方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種半導體集成電路制造工藝方法，特別是涉及一種版圖的適合工業(yè)生產(chǎn)的設計(Design for Manufacturing, DFM)方法。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著超大規(guī)模半導體集成電路制造工藝的發(fā)展，單位面積的晶體管個數(shù)不斷增力口，相對應的單個晶體管的尺寸在不斷縮小。而主流的圖形化技術(shù)主要通過光刻實現(xiàn)。而隨著設計尺寸的不斷縮小，晶體管尺寸越來越接近于光學分辨的極限。此時很多微小的工藝參數(shù)變化都會對光刻圖形產(chǎn)生影響。其中曝光能量、焦距、曝光波長、數(shù)值孔徑等等工藝參數(shù)是為人所知的，但有很多其他參數(shù)則是被忽略的。其中500埃以下的臺階高度差和局部區(qū)域的圖形密度，是其中最被人所忽視的，但在45nm以下制造工藝中，或kl < 0.3的光刻工藝中，這種差別的影響是非常大的。近來已經(jīng)有很多文獻報道了類似的現(xiàn)象。
[0003]適合工業(yè)生產(chǎn)的設計也即可制造性設計方法DFM (Design For Manufacturing)是針對該問題提出的一種新的設計方法。通過對電路設計版圖進行修正，規(guī)避一些比較難以制造的設計圖形，使電路設計更容易被制造。在所有的DFM方法中，冗余圖形填充(dummy inserting)是一種比較常見的方法,它可以解決CMP和刻蝕工藝中的圖形負載效應(Pattern Loading Effect),在該領(lǐng)域也已經(jīng)提出了很多具體的操作方法。但常見的dummy填充方法存在以下問題:更重視填充后滿足全局圖形密度的要求，而忽略局部區(qū)域圖形的密度判定。其原因是傳統(tǒng)光刻工藝中通常認為局部圖形密度的變化只要在合理的范圍內(nèi)是不會影響光刻工藝的，但實際上在kl〈0.3的工藝中是會產(chǎn)生影響的。
[0004]同時現(xiàn)有的DFM方法包括冗余圖形填充都基本不考慮前層圖形，而只考慮本層圖形，其原因是通常認為只有刻蝕、CMP等工藝才會有圖形負載效應，且該效應只和當前層圖形相關(guān)。而在光刻工藝中，對小尺寸圖形會使用底部抗反射層(BARC)工藝來消除襯底臺階和反射率的差異，傳統(tǒng)觀念認為對于有BARC的光刻工藝，下層圖形是不影響光刻工藝的表現(xiàn)的。
[0005]但通過實驗發(fā)現(xiàn)實際上即使使用了 BARC工藝，對于kl〈0.3的當前層光刻圖形，下層圖形的下列因素依然會產(chǎn)生影響，線條密度越大，關(guān)鍵尺寸越小時，該影響越明顯:
[0006]1.下層圖形密度
[0007]2.下層圖形和當前層圖形的距離
[0008]3.當前層圖形的尺寸大小
[0009]如圖1所示，是一個根據(jù)現(xiàn)有DFM方法不考慮前層圖形，僅對當前層圖形進行修正后，當前層版圖中不同位置處的圖形的實際關(guān)鍵尺寸和焦深曲線；圖1表示了前層圖形對當前層圖形的影響。
[0010]其中橫坐標Pl?P5為當前層圖形距離前層圖形的距離，前層圖形為200微米X 200微米的方塊，且在1000微米X 1000微米區(qū)域中不存在其他圖形，該前層圖形和硅片之間形成一個高度為200埃的臺階，該工藝滿足p=kl X λ/NA，其中kl=0.29。其中:[0011]曲線101為有BARC時Pl?P5不同位置的相同關(guān)鍵尺寸(⑶)的當前層版圖圖形所對應的制作于硅片上的實際圖形的CD尺寸曲線。
[0012]曲線102為沒有BARC時Pl?P5不同位置的相同關(guān)鍵尺寸(⑶)的當前層版圖圖形所對應的制作于硅片上的實際圖形的CD尺寸曲線。
[0013]柱狀圖103為有BARC時Pl?P5不同位置的相同關(guān)鍵尺寸(⑶)的當前層版圖圖形所對應的制作于硅片上的實際圖形的焦深(DOF)柱狀圖。
[0014]柱狀圖104為沒有BARC時Pl?P5不同位置的相同關(guān)鍵尺寸(⑶)的當前層版圖圖形所對應的制作于硅片上的實際圖形的焦深柱狀圖。
[0015]可以明顯看到，Pl?P5位置的⑶尺寸和DOF均有不同，如果要想使Pl位置的當前層圖形得到和P5位置的相同表現(xiàn)，必須考慮到前層圖形對當前層圖形進行修正。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0016]本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是提供一種版圖的DFM方法，能消除前層圖形對當前層圖形的影響，降低光刻工藝的難度，使設計版圖更容易被制造。
[0017]為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供的版圖的DFM方法用于對設計版圖進行DFM修正，所述設計版圖包括多層版圖，每一次DMF修正針對其中一層版圖進行，該層版圖為當前層版圖，所述當前層版圖的前一層版圖為前層版圖，且所述前層版圖的第一圖形會在硅片上形成臺階，所述DFM方法采用如下步驟對所述當前層版圖進行DFM修正:
[0018]步驟一、對所述當前層版圖和所述前層版圖分別進行局部圖形密度檢查，得到所述當前層版圖的局部圖形密度分布和所述前層版圖的局部圖形密度分布。
[0019]步驟二、設定第一圖形密度規(guī)格值，篩選出所述當前層版圖和所述前層版圖的局部圖形密度都小于所述第一圖形密度規(guī)格值的第一位置區(qū)域，在所述當前層版圖的所述第一位置區(qū)域中填充冗余圖形，該冗余圖形由多個冗余圖形塊排列而成，所述冗余圖形和所述前層版圖的第一圖形不重疊且相隔一段距離，所述冗余圖形和所述當前層版圖的第二圖形不重疊且相隔一段距離。
[0020]步驟三、設定第二圖形密度規(guī)格值，篩選出所述前層版圖的局部圖形密度小于所述第二圖形密度規(guī)格值的第二位置區(qū)域，在所述當前層版圖中選擇出和所述前層版圖的第二位置區(qū)域位置相同的第三位置區(qū)域，對所述當前層版圖的位于所述第三位置區(qū)域中、且和所述前層版圖的所述第一圖形有交疊的的第二圖形的關(guān)鍵尺寸進行調(diào)整。
[0021]步驟四、設定第三圖形密度規(guī)格值、所述當前層版圖的第二圖形尺寸的尺寸最小規(guī)格值、所述當前層版圖的第二圖形和所述前層版圖的第一圖形之間的距離的距離最小規(guī)格值，篩選出所述前層版圖的局部圖形密度小于所述第三圖形密度規(guī)格值的第四位置區(qū)域，在所述當前層版圖中選擇出和所述前層版圖的第四位置區(qū)域位置相同的第五位置區(qū)域；在所述當前層版圖的第五位置區(qū)域中篩選出圖形關(guān)鍵尺寸小于所述尺寸最小規(guī)格值、且和所述第一圖形之間沒有交疊、且和所述第一圖形之間的間隔小于所述距離最小規(guī)格值的第二圖形，對所述第二圖形的關(guān)鍵尺寸進行調(diào)整，對所述第二圖形和所對應的所述前層版圖的第一圖形之間的間隔進行調(diào)整。
[0022]步驟五、對經(jīng)過上述DFM修正后的所述當前層版圖進行光學臨近效應修正(Optical ProximityCorrection, OPC)0[0023]進一步改進是，步驟一中對版圖進行的所述局部圖形密度檢查包括如下分步驟:
[0024]第11步、設定第一步進單元尺寸、第一單次步進值、圖形密度最大規(guī)格值、相鄰單元的圖形密度差的圖形密度差最大規(guī)格值。
[0025]第12步、沿X方向或Y方向?qū)Π鎴D進行掃描，掃描單元的尺寸為所述第一步進單元尺寸，掃描單元之間的步進值為所述第一單次步進值，計算出版圖的每個掃描單元的圖形密度。
[0026]第13步、計算出版圖的各兩個相鄰掃描單元的圖形密度差。
[0027]第14步、篩選出圖形密度大于所述圖形密度最大規(guī)格值的掃描單元，以及篩選出圖形密度差大于所述圖形密度差最大規(guī)格值的各相鄰掃描單元。
[0028]進一步改進是，步驟二中填充所述冗余圖形的方法包括如下分步驟:
[0029]第21步、設定所述冗余圖形塊的最小尺寸和最小間距。
[0030]第22步、篩選出所述當前層版圖和所述前層版圖的局部圖形密度都小于所述第一圖形密度規(guī)格值的所述第一位置區(qū)域。
[0031]第23步、將所述當前層版圖的所述第一位置區(qū)域劃分為能填充所述冗余圖形塊的第一子區(qū)域和不能填充所述冗余圖形塊的第二子區(qū)域；所述第二子區(qū)域的判斷標準為:所述第二子區(qū)域由位于所述前層版圖的第一圖形邊界向外延伸所述最小尺寸加所述最小間距的值所圍成的區(qū)域一以及位于所述當前層版圖的第二圖形邊界向外延伸所述最小尺寸加所述最小間距的值所圍成的區(qū)域二的或運算得到。
[0032]第24步、以所述第二子區(qū)域的外部邊界為起始，在所述第一子區(qū)域中沿著所述前層版圖的第一圖形或所述當前層版圖的第二圖形進行環(huán)狀填充。
[0033]進一步改進是，步驟三包括如下分步驟:
[0034]第31步、選定所述前層版圖的第一圖形在硅片上形成大于100埃的臺階高度差、以及所述前層版圖的第一圖形的反射率和第一圖形外的反射率的差值大于2%的區(qū)域。
[0035]第32步、設定第二步進單元尺寸、第二單次步進值和所述第二圖形密度規(guī)格值。
[0036]第33步、沿X方向或Y方向?qū)λ銮皩影鎴D進行掃描，掃描單元的尺寸為所述第二步進單元尺寸，掃描單元之間的步進值為所述第二單次步進值，計算出所述前層版圖的每個掃描單元的圖形密度，篩選出局部圖形密度小于所述第二圖形密度規(guī)格值的所述第二位置區(qū)域。
[0037]第34步、在所述當前層版圖中選擇出和所述前層版圖的第二位置區(qū)域位置相同的第三位置區(qū)域。
[0038]第35步、對所述當前層版圖的位于所述第三位置區(qū)域中、且和所述前層版圖的所述第一圖形有交疊的的第二圖形的關(guān)鍵尺寸進行調(diào)整。
[0039]進一步改進是，第32步中所述第二步進單元尺寸為50微妙?200微妙、第二單次步進值為50微妙?200微妙。
[0040]進一步改進是，步驟四包括如下分步驟:
[0041]第41步、選定所述前層版圖的第一圖形在硅片上形成大于100埃的臺階高度差、以及所述前層版圖的第一圖形的反射率和第一圖形外的反射率的差值大于2%的區(qū)域。
[0042]第42步、設定第三步進單元尺寸、第三單次步進值、所述第三圖形密度規(guī)格值、所述尺寸最小規(guī)格值和所述距離最小規(guī)格值。[0043]第43步、沿X方向或Y方向?qū)λ銮皩影鎴D進行掃描，掃描單元的尺寸為所述第三步進單元尺寸，掃描單元之間的步進值為所述第三單次步進值，計算出所述前層版圖的每個掃描單元的圖形密度，篩選出局部圖形密度小于所述第三圖形密度規(guī)格值的所述第四位置區(qū)域。
[0044]第44步、在所述當前層版圖中選擇出和所述前層版圖的第四位置區(qū)域位置相同的第五位置區(qū)域。
[0045]第45步、在所述當前層版圖的第五位置區(qū)域中篩選出圖形關(guān)鍵尺寸小于所述尺寸最小規(guī)格值、且和所述第一圖形之間沒有交疊、且和所述第一圖形之間的間隔小于所述距離最小規(guī)格值的第二圖形，對所述第二圖形的關(guān)鍵尺寸進行調(diào)整，對所述第二圖形和所對應的所述前層版圖的第一圖形之間的間隔進行調(diào)整。
[0046]進一步改進是，步驟三和步驟四中對所述第二圖形的關(guān)鍵尺寸進行調(diào)整不改變設計圖形的空間周期和形狀，僅對所述第二圖形的關(guān)鍵尺寸進行放大或縮小。
[0047]進一步改進是，步驟四中對所述第二圖形和所對應的所述前層版圖的第一圖形之間的間隔進行調(diào)整不改變設計圖形的空間周期和形狀，僅對所述第二圖形和所對應的所述前層版圖的第一圖形之間的間隔進行放大或縮小。
[0048]本發(fā)明方法在對當前層版圖進行修正時，考慮到了前層版圖的圖形密度和臺階高度的影響，并根據(jù)前層版圖的圖形密度或臺階高度，對當前層版圖的圖形關(guān)鍵尺寸以及當前層版圖和前層版圖的圖形之間的距離進行調(diào)整，使得采用修正后的當前層版圖形成的實際圖形不再受前層圖形的影響，所以本發(fā)明能消除前層圖形對當前層圖形的影響，降低光刻工藝的難度，使設計版圖更容易被制造。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0049]下面結(jié)合附圖 和【具體實施方式】對本發(fā)明作進一步詳細的說明:
[0050]圖1是現(xiàn)有DFM方法不同位置處的圖形的實際關(guān)鍵尺寸和焦深曲線；
[0051]圖2是本發(fā)明實施例版圖的DFM方法的流程圖；
[0052]圖3A-圖3G是本發(fā)明實施例方法的各步驟中的版圖示意圖。
【具體實施方式】
[0053]如圖2所示，是本發(fā)明實施例版圖的DFM方法的流程圖；如圖3A至圖3G所示，是本發(fā)明實施例方法的各步驟中的版圖示意圖。本發(fā)明實施例版圖的DFM方法用于對設計版圖進行DFM修正，所述設計版圖包括多層版圖，每一次DMF修正針對其中一層版圖進行，該層版圖為當前層版圖，所述當前層版圖的前一層版圖為前層版圖，且所述前層版圖的第一圖形會在硅片上形成臺階，該臺階高度>100A,典型值為200 A~--ΟΟΑ,所述第一圖形可以為有源區(qū)(Active Layer)或柵極(Poly Layer)的形成圖形等,所述DFM方法采用如下步驟對所述當前層版圖進行DFM修正:
[0054]步驟一、對所述當前層版圖和所述前層版圖分別進行局部圖形密度檢查，得到所述當前層版圖的局部圖形密度分布和所述前層版圖的局部圖形密度分布，對所述當前層版圖或所述前層版圖的局部圖形密度檢查包括如下分步驟:
[0055]第11步、如圖3A所示，在版圖1上設定第一步進單元尺寸、第一單次步進值、圖形密度最大規(guī)格值、相鄰單元的圖形密度差的圖形密度差最大規(guī)格值，所述版圖1為所述當前層版圖或所述前層版圖。本發(fā)明實施例中所述第一步進單元尺寸的取值范圍為50微米?10000微米,較佳為200微米?2000微米。所述第一單次步進值和所述第一步進單元尺寸相同，或者所述第一單次步進值為所述第一步進單元尺寸的1/2。所述第一步進單元尺寸取更小值并不能使單個步進單元的檢查精度增大，但在后續(xù)的第12步中能進一步篩選出更小范圍內(nèi)的不規(guī)則區(qū)域的圖形密度。
[0056]所述圖形密度最大規(guī)格值的范圍為20%?70%，所述圖形密度差最大規(guī)格值為20%?35% ;當所述當前層版圖所定義的第二圖形的層次不同時，所述圖形密度最大規(guī)格值具體的范圍能夠調(diào)整，如所述第二圖形對應于有源區(qū)圖形寸所述圖形密度最大規(guī)格值為28?62%，所述第二圖形對應于多晶硅圖形時所述圖形密度最大規(guī)格值為20?70%，所述第二圖形對應于金屬圖形時所述圖形密度最大規(guī)格值為25?60%。相鄰單元的所述圖形密度差為圖形密度的差值的絕對值。
[0057]第12步、如圖3A所示，沿X方向或Y方向?qū)Π鎴D1進行掃描，掃描單元2的尺寸為所述第一步進單元尺寸，掃描單元2之間的步進值d為所述第一單次步進值，計算出版圖1的每個掃描單元2的圖形密度。
[0058]第13步、如圖3A所示，計算出版圖1的各兩個相鄰掃描單元2的圖形密度差。
[0059]如圖3B所示，所述當前層版圖的掃描單元2包括了圖形31和32。
[0060]如圖3C所示，所述當前層版圖的掃描單元2包括了圖形31和32，在所述前層版圖的相同區(qū)域的掃描單元2包括了圖形4。
[0061]第14步、如圖3A所示，篩選出圖形密度大于所述圖形密度最大規(guī)格值的掃描單元，圖形密度大于所述圖形密度最大規(guī)格值的區(qū)域需要設計者重新對版圖進行設計。以及篩選出圖形密度差大于所述圖形密度差最大規(guī)格值的各相鄰掃描單元2。
[0062]步驟二、設定第一圖形密度規(guī)格值，篩選出所述當前層版圖和所述前層版圖的局部圖形密度都小于所述第一圖形密度規(guī)格值的第一位置區(qū)域，在所述當前層版圖的所述第一位置區(qū)域中填充冗余圖形，該冗余圖形由多個冗余圖形塊5排列而成，所述冗余圖形和所述前層版圖的第一圖形不重疊且相隔一段距離，所述冗余圖形和所述當前層版圖的第二圖形不重疊且相隔一段距離。填充所述冗余圖形的方法包括如下分步驟:
[0063]第21步、如圖3D所示，設定所述冗余圖形塊5的最小尺寸和最小間距。
[0064]第22步、如圖3D所示，篩選出所述當前層版圖和所述前層版圖的局部圖形密度都小于所述第一圖形密度規(guī)格值的所述第一位置區(qū)域。
[0065]第23步、如圖3D所示，將所述當前層版圖的所述第一位置區(qū)域劃分為能填充所述冗余圖形塊5的第一子區(qū)域和不能填充所述冗余圖形塊5的第二子區(qū)域；所述第二子區(qū)域的判斷標準為:所述第二子區(qū)域由位于所述前層版圖的第一圖形4邊界向外延伸所述最小尺寸加所述最小間距的值所圍成的區(qū)域一以及位于所述當前層版圖的第二圖形邊界向外延伸所述最小尺寸加所述最小間距的值所圍成的區(qū)域二的或運算得到。
[0066]第24步、如圖3D所示，以所述第二子區(qū)域的外部邊界為起始，在所述第一子區(qū)域中沿著所述前層版圖的第一圖形4或所述當前層版圖的第二圖形31、32進行環(huán)狀填充。
[0067]步驟三、設定第二圖形密度規(guī)格值，篩選出所述前層版圖的局部圖形密度小于所述第二圖形密度規(guī)格值的第二位置區(qū)域，在所述當前層版圖中選擇出和所述前層版圖的第二位置區(qū)域位置相同的第三位置區(qū)域，對所述當前層版圖的位于所述第三位置區(qū)域中、且和所述前層版圖的第一圖形有交疊的的第二圖形的關(guān)鍵尺寸進行調(diào)整。本發(fā)明實施例中所述第二圖形密度規(guī)格值的范圍為18%?68%。本步驟包括如下分步驟:
[0068]第31步、如圖3E所示，選定所述前層版圖的第一圖形4在硅片上形成大于100埃的臺階高度差、以及所述前層版圖的第一圖形4的反射率和第一圖形外的反射率的差值大于2%的區(qū)域。
[0069]第32步、如圖3E所示，設定第二步進單元尺寸、第二單次步進值和所述第二圖形密度規(guī)格值。所述第二步進單元尺寸至少為所述第一步進單元尺寸的1/2以下，所述第二單次步進值至少為所述第一單次步進值的1/2以下，較佳為:所述第二步進單元尺寸為50微妙?200微妙、第二單次步進值為50微妙?200微妙。
[0070]第33步、如圖3A所示，沿X方向或Y方向?qū)λ銮皩影鎴D進行掃描，掃描單元2的尺寸為所述第二步進單元尺寸，掃描單元2之間的步進值為所述第二單次步進值，計算出所述前層版圖的每個掃描單元2的圖形密度，篩選出局部圖形密度小于所述第二圖形密度規(guī)格值的所述第二位置區(qū)域。
[0071]第34步、如圖3E所示，在所述當前層版圖中選擇出和所述前層版圖的第二位置區(qū)域位置相同的第三位置區(qū)域。
[0072]第35步、如圖3E所示，對所述當前層版圖的位于所述第三位置區(qū)域中、且和所述前層版圖的所述第一圖形4有交疊的第二圖形31的關(guān)鍵尺寸進行調(diào)整，對所述第二圖形31的關(guān)鍵尺寸進行調(diào)整不改變設計圖形的空間周期和形狀，僅對所述第二圖形31的關(guān)鍵尺寸進行放大或縮??；如對于140納米(最小線寬)/140納米(最小溝槽寬)的密集圖形線條，能夠?qū)⑵湔{(diào)整為130納米/150納米或者150納米/130納米，圖3E所示，第二圖形31a為對所述第二圖形31的進行放大調(diào)整后的圖形。
[0073]步驟四、設定第三圖形密度規(guī)格值、所述當前層版圖的第二圖形尺寸的尺寸最小規(guī)格值、所述當前層版圖的第二圖形和所述前層版圖的第一圖形4之間的距離的距離最小規(guī)格值，篩選出所述前層版圖的局部圖形密度小于所述第三圖形密度規(guī)格值的第四位置區(qū)域，在所述當前層版圖中選擇出和所述前層版圖的第四位置區(qū)域位置相同的第五位置區(qū)域；在所述當前層版圖的第五位置區(qū)域中篩選出圖形關(guān)鍵尺寸小于所述尺寸最小規(guī)格值、且和所述前層版圖的第一圖形4之間沒有交疊、且和所述前層版圖的第一圖形4之間的間隔小于所述距離最小規(guī)格值的第二圖形32，對該第二圖形32的關(guān)鍵尺寸進行調(diào)整；對該第二圖形32和所對應的所述前層版圖的第一圖形4之間的間隔進行調(diào)整。本發(fā)明實施例中所述第三圖形密度規(guī)格值的范圍為18%?68%。所述當前層版圖圖形的所述尺寸最小規(guī)格值能夠和最小設計尺寸不相同，比如，如果本實施例中最小設計規(guī)則為120納米，則所述尺寸最小規(guī)格值能設定為140納米。所述當前層版圖圖形和所述前層圖形距離的距離最小規(guī)格值也能和最小設計尺寸不相同，比如，如果本實施例中最小設計規(guī)則為140納米，則所述距離最小規(guī)格值能設定為280納米。本步驟包括如下分步驟:
[0074]第41步、如圖3F所示，選定所述前層版圖的第一圖形4在硅片上形成大于100埃的臺階高度差、以及所述前層版圖的第一圖形4的反射率和第一圖形外的反射率的差值大于2%的區(qū)域。
[0075]第42步、如圖3F所示，設定第三步進單元尺寸、第三單次步進值、所述第三圖形密度規(guī)格值、所述尺寸最小規(guī)格值和所述距離最小規(guī)格值。所述第三步進單元尺寸能和所述第二步進單元尺寸相同，所述第三單次步進值能和所述第二單次步進值相同。
[0076]第43步、如圖3A所示，沿X方向或Y方向?qū)λ銮皩影鎴D進行掃描，掃描單元2的尺寸為所述第三步進單元尺寸，掃描單元2之間的步進值為所述第三單次步進值，計算出所述前層版圖的每個掃描單元的圖形密度，篩選出局部圖形密度小于所述第三圖形密度規(guī)格值的所述第四位置區(qū)域。
[0077]第44步、如圖3F所示，在所述當前層版圖中選擇出和所述前層版圖的第四位置區(qū)域位置相同的第五位置區(qū)域。
[0078]第45步、如圖3F所示，在所述當前層版圖的第五位置區(qū)域中篩選出圖形關(guān)鍵尺寸小于所述尺寸最小規(guī)格值、且和所述前層版圖的第一圖形4之間沒有交疊且和所述前層版圖的第一圖形4之間的間隔小于所述距離最小規(guī)格值的第二圖形32。
[0079]對該第二圖形32的關(guān)鍵尺寸進行調(diào)整；調(diào)整方法為對所述第二圖形32的關(guān)鍵尺寸進行放大或縮小。如對于140納米/1000納米的孤立圖形線條，能夠?qū)⑵湔{(diào)整為180納米/1000納米。
[0080]對所述第二圖形32和所對應的所述前層版圖的第一圖形4之間的間隔進行放大或縮?。蝗鐚⒌诙D形32和所對應的所述前層版圖的第一圖形4之間的間隔從140納米調(diào)整為I微米。
[0081]如圖3F所述，第二圖形32a為對所述第二圖形32的進行關(guān)鍵尺寸和間隔進行放大調(diào)整后的圖形。
[0082]如圖3G所示，為所述當前層版圖的經(jīng)過上述步驟的DFM修正的版圖的掃描單元2的圖形結(jié)構(gòu)，包括了圖形31a、32a以及填充圖形5。
[0083]以上通過具體實施例對本發(fā)明進行了詳細的說明，但這些并非構(gòu)成對本發(fā)明的限制。在不脫離本發(fā)明原理的情況下，本領(lǐng)域的技術(shù)人員還可做出許多變形和改進，這些也應視為本發(fā)明的保護范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種版圖的DFM方法，其特征在于，DFM方法用于對設計版圖進行DFM修正，所述設計版圖包括多層版圖，每一次DMF修正針對其中一層版圖進行，該層版圖為當前層版圖，所述當前層版圖的前一層版圖為前層版圖，且所述前層版圖的第一圖形會在硅片上形成臺階，所述DFM方法采用如下步驟對所述當前層版圖進行DFM修正: 步驟一、對所述當前層版圖和所述前層版圖分別進行局部圖形密度檢查，得到所述當前層版圖的局部圖形密度分布和所述前層版圖的局部圖形密度分布； 步驟二、設定第一圖形密度規(guī)格值，篩選出所述當前層版圖和所述前層版圖的局部圖形密度都小于所述第一圖形密度規(guī)格值的第一位置區(qū)域，在所述當前層版圖的所述第一位置區(qū)域中填充冗余圖形，該冗余圖形由多個冗余圖形塊排列而成，所述冗余圖形和所述前層版圖的第一圖形不重疊且相隔一段距離，所述冗余圖形和所述當前層版圖的第二圖形不重疊且相隔一段距離； 步驟三、設定第二圖形密度規(guī)格值，篩選出所述前層版圖的局部圖形密度小于所述第二圖形密度規(guī)格值的第二位置區(qū)域，在所述當前層版圖中選擇出和所述前層版圖的第二位置區(qū)域位置相同的第三位置區(qū)域，對所述當前層版圖的位于所述第三位置區(qū)域中、且和所述前層版圖的所述第一圖形有交疊的的第二圖形的關(guān)鍵尺寸進行調(diào)整； 步驟四、設定第三圖形密度規(guī)格值、所述當前層版圖的第二圖形尺寸的尺寸最小規(guī)格值、所述當前層版圖的第二圖形和所述前層版圖的第一圖形之間的距離的距離最小規(guī)格值，篩選出所述前層版圖的局部圖形密度小于所述第三圖形密度規(guī)格值的第四位置區(qū)域，在所述當前層版圖中選擇出和所述前層版圖的第四位置區(qū)域位置相同的第五位置區(qū)域；在所述當前層版圖的第五位置區(qū)域中篩選出圖形關(guān)鍵尺寸小于所述尺寸最小規(guī)格值、且和所述第一圖形之間沒有交疊、且和所述第一圖形之間的間隔小于所述距離最小規(guī)格值的第二圖形，對所述第二圖形的關(guān)鍵尺寸進行調(diào)整，對所述第二圖形和所對應的所述前層版圖的第一圖形之間的間隔進行調(diào)整； 步驟五、對經(jīng)過上述DFM修正后的所述當前層版圖進行OPC修正。`
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于:步驟一中對版圖進行的所述局部圖形密度檢查包括如下分步驟: 第11步、設定第一步進單元尺寸、第一單次步進值、圖形密度最大規(guī)格值、相鄰單元的圖形密度差的圖形密度差最大規(guī)格值； 第12步、沿X方向或Y方向?qū)Π鎴D進行掃描，掃描單元的尺寸為所述第一步進單元尺寸，掃描單元之間的步進值為所述第一單次步進值，計算出版圖的每個掃描單元的圖形密度； 第13步、計算出版圖的各兩個相鄰掃描單元的圖形密度差； 第14步、篩選出圖形密度大于所述圖形密度最大規(guī)格值的掃描單元，以及篩選出圖形密度差大于所述圖形密度差最大規(guī)格值的各相鄰掃描單元。
3.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于:步驟二中填充所述冗余圖形的方法包括如下分步驟: 第21步、設定所述冗余圖形塊的最小尺寸和最小間距； 第22步、篩選出所述當前層版圖和所述前層版圖的局部圖形密度都小于所述第一圖形密度規(guī)格值的所述第一位置區(qū)域；第23步、將所述當前層版圖的所述第一位置區(qū)域劃分為能填充所述冗余圖形塊的第一子區(qū)域和不能填充所述冗余圖形塊的第二子區(qū)域；所述第二子區(qū)域的判斷標準為:所述第二子區(qū)域由位于所述前層版圖的第一圖形邊界向外延伸所述最小尺寸加所述最小間距的值所圍成的區(qū)域一以及位于所述當前層版圖的第二圖形邊界向外延伸所述最小尺寸加所述最小間距的值所圍成的區(qū)域二的或運算得到； 第24步、以所述第二子區(qū)域的外部邊界為起始，在所述第一子區(qū)域中沿著所述前層版圖的第一圖形或所述當前層版圖的第二圖形進行環(huán)狀填充。
4.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，步驟三包括如下分步驟: 第31步、選定所述前層版圖的第一圖形在硅片上形成大于100埃的臺階高度差、以及所述前層版圖的第一圖形的反射率和第一圖形外的反射率的差值大于2%的區(qū)域； 第32步、設定第二步進單元尺寸、第二單次步進值和所述第二圖形密度規(guī)格值； 第33步、沿X方向或Y方向?qū)λ銮皩影鎴D進行掃描，掃描單元的尺寸為所述第二步進單元尺寸，掃描單元之間的步進值為所述第二單次步進值，計算出所述前層版圖的每個掃描單元的圖形密度，篩選出局部圖形密度小于所述第二圖形密度規(guī)格值的所述第二位置區(qū)域； 第34步、在所述當前層版圖中選擇出和所述前層版圖的第二位置區(qū)域位置相同的第三位置區(qū)域； 第35步、對所述當前層版圖的位于所述第三位置區(qū)域中、且和所述前層版圖的所述第一圖形有交疊的的第二圖形的關(guān)鍵尺寸進行調(diào)整。
5.如權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于，第32步中所述第二步進單元尺寸為50微妙~200微妙、第 二單次步進值為50微妙~200微妙。
6.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，步驟四包括如下分步驟: 第41步、選定所述前層版圖的第一圖形在硅片上形成大于100埃的臺階高度差、以及所述前層版圖的第一圖形的反射率和第一圖形外的反射率的差值大于2%的區(qū)域； 第42步、設定第三步進單元尺寸、第三單次步進值、所述第三圖形密度規(guī)格值、所述尺寸最小規(guī)格值和所述距離最小規(guī)格值； 第43步、沿X方向或Y方向?qū)λ銮皩影鎴D進行掃描，掃描單元的尺寸為所述第三步進單元尺寸，掃描單元之間的步進值為所述第三單次步進值，計算出所述前層版圖的每個掃描單元的圖形密度，篩選出局部圖形密度小于所述第三圖形密度規(guī)格值的所述第四位置區(qū)域； 第44步、在所述當前層版圖中選擇出和所述前層版圖的第四位置區(qū)域位置相同的第五位置區(qū)域； 第45步、在所述當前層版圖的第五位置區(qū)域中篩選出圖形關(guān)鍵尺寸小于所述尺寸最小規(guī)格值、且和所述第一圖形之間沒有交疊、且和所述第一圖形之間的間隔小于所述距離最小規(guī)格值的第二圖形，對所述第二圖形的關(guān)鍵尺寸進行調(diào)整，對所述第二圖形和所對應的所述前層版圖的第一圖形之間的間隔進行調(diào)整。
7.如權(quán)利要求1或4或6所述的方法，其特征在于:步驟三和步驟四中對所述第二圖形的關(guān)鍵尺寸進行調(diào)整不改變設計圖形的空間周期和形狀，僅對所述第二圖形的關(guān)鍵尺寸進行放大或縮小。
8.如權(quán)利要求1或6所述的方法，其特征在于:步驟四中對所述第二圖形和所對應的所述前層版圖的第一圖形之間的間隔進行調(diào)整不改變設計圖形的空間周期和形狀，僅對所述第二圖形和所對應的所述前層版`圖的第一圖形之間的間隔進行放大或縮小。
【文檔編號】H01L21/70GK103871949SQ201210552740
【公開日】2014年6月18日 申請日期:2012年12月18日 優(yōu)先權(quán)日:2012年12月18日
【發(fā)明者】王雷 申請人:上海華虹宏力半導體制造有限公司