利用可切換功率發(fā)生器的高深寬比微結(jié)構(gòu)刻蝕方法
【專利摘要】本發(fā)明公開一種利用可切換功率發(fā)生器的高深寬比微結(jié)構(gòu)刻蝕方法，高深寬比微結(jié)構(gòu)刻蝕方法包含以下步驟：1、輸入低功率低頻信號激發(fā)等離子體，對晶圓上硬掩膜層，以及不定型碳層或有機(jī)掩膜層進(jìn)行高深寬比微結(jié)構(gòu)刻蝕；2、將低功率低頻信號輸入切換為高功率低頻信號輸入；3、高功率低頻信號激發(fā)等離子體，對晶圓的二氧化硅層進(jìn)行高深寬比微結(jié)構(gòu)刻蝕。本發(fā)明根據(jù)工藝需要切換高頻功率輸出或低頻功率輸出，避免了采用高平功率發(fā)生器輸出低頻功率輸出時造成的誤差較大、重復(fù)性差的問題；實(shí)現(xiàn)功率輸出的精確調(diào)節(jié)，提高產(chǎn)品合格率，降低成本。
【專利說明】利用可切換功率發(fā)生器的高深寬比微結(jié)構(gòu)刻蝕方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體制備工藝的反應(yīng)離子刻蝕工藝，具體涉及一種利用可切換功率發(fā)生器的高深寬比微結(jié)構(gòu)刻蝕方法。
【背景技術(shù)】
[0002]高深寬比(HAR)結(jié)構(gòu)在半導(dǎo)體制造，特別在電極反應(yīng)中是非常常見的。經(jīng)常在類似于小于50納米(nm)的極小特征尺寸(⑶，critical dimension)的情況下具有深寬比大于10:1的結(jié)構(gòu)。特征尺寸(CD)的縮小對光刻來說造成了巨大的困難。
[0003]如圖1所示，進(jìn)行高深寬比(HAR)結(jié)構(gòu)刻蝕工藝時，半導(dǎo)體器件的結(jié)構(gòu)包含設(shè)置在頂層的光刻膠層和底部抗反射層I’ (photoresist layer and Arc layer)制造在光刻膠和底部抗反射層I’下的硬掩膜層2’ (hard mask layer),制造在硬掩膜2’下的不定型碳層或有機(jī)掩膜層3’(Carbon layer or organic mask layer),以及位于底層的二氧化娃層4， (SiO2 layer)。
[0004]為了光刻的精密度考慮，通常光刻膠層I’設(shè)置得很薄，然而這樣就導(dǎo)致光刻膠層I’不足以在進(jìn)行深娃氧化刻蝕(deep silicon oxide etch)工藝中起到保護(hù)作用。所以就會在光刻膠層I’下沉積硬掩膜層2’(hard mask layer)和一個有機(jī)掩膜層3’ (organiclayer)，作為在硅氧化刻蝕工藝中實(shí)際起作用的掩膜，通常硬掩膜層2’采用底部抗反射層(Bare layer) /介質(zhì)抗反射層(Dare layer),而有機(jī)掩膜層3’采用富不定型碳層(C_richlayer)。不定型碳層的厚度通常超過150納米，有助于改善上述深硅氧化刻蝕的刻蝕側(cè)壁形貌。
[0005]由于頂部的掩膜層較薄，通常采用低功率進(jìn)行刻蝕，用小于1500W的高頻信號功率和小于500W的低頻信號功率進(jìn)行刻蝕。而二氧化硅層刻蝕深度較深且材質(zhì)較硬，通常采用高功率進(jìn)行刻蝕，用1000-3000W的高頻信號功率和2500-6000W的低頻信號功率進(jìn)行刻蝕。在多數(shù)的反應(yīng)離子刻蝕(RIE，Reactive 1n Etching)系統(tǒng)中，都需要供應(yīng)高頻功率輸出和低頻功率輸出。高頻信號功率也稱為源功率，利用于分子的解離，高頻信號功率的輸出頻率范圍為30兆赫茲到120兆赫茲。低頻信號功率也稱為偏置功率，用于控制離子轟擊，有助于各向異性刻蝕，低頻信號功率的輸出頻率范圍為0.2兆赫茲到15兆赫茲。高深寬比結(jié)構(gòu)刻蝕工藝中通常對低頻信號功率輸出具有更高的要求。功率非常低的偏置功率(功率低于200W)適合應(yīng)用于硬掩膜和不定型碳層穿孔刻蝕的步驟。而在硬掩膜和不定型碳層穿孔刻蝕中，若采用功率較高的偏置功率，則會造成刻蝕形貌損傷或特征尺寸偏移(CD shift)的問題。高偏置功率(有時會大于5000W)適用于深氧化硅刻蝕工藝，因?yàn)樵诟呱顚挶冗B線孔的刻蝕(HAR contact etching)中離子轟擊是非常有幫助的。因此,大額定功率的低頻信號發(fā)生器，例如額定輸出功率為5000W或者7000W的低頻信號發(fā)生器，經(jīng)常安裝在用于刻蝕高深寬比結(jié)構(gòu)的刻蝕反應(yīng)腔上。
[0006]若單獨(dú)使用大額定輸出功率的低頻信號發(fā)生器，雖然該發(fā)生器的功率輸出范圍涵蓋了低功率輸出和高功率輸出，但當(dāng)大額定輸出功率的低頻信號發(fā)生器輸出低功率時，該發(fā)生器通常無法精確地控制微小功率輸出，從而影響刻蝕效果和設(shè)備穩(wěn)定?，F(xiàn)有技術(shù)中常采用一個額定輸出功率大于5000W的低頻功率發(fā)生器，但當(dāng)該低頻功率發(fā)生器輸出約200W的低功率的低頻信號時會產(chǎn)生誤差較大、重復(fù)性差的問題。
[0007]例如，當(dāng)一個7000W的低頻功率發(fā)生器輸出200W的功率時，可能會產(chǎn)生正負(fù)35W的誤差(tolerance)。如果該7000W的低頻功率發(fā)生器用在硬掩膜刻蝕步驟中，一個35W的偏差可能會導(dǎo)致特征尺寸偏移，以及工藝的不穩(wěn)定。上述因素導(dǎo)致了現(xiàn)有高深寬比結(jié)構(gòu)刻蝕工藝生成中較高的不穩(wěn)定性。同時對于設(shè)備制造商提供更精確的功率輸出提出了更高的要求，提高了工藝難度。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0008]本發(fā)明提供一種利用可切換功率發(fā)生器的高深寬比微結(jié)構(gòu)刻蝕方法，便于在高深寬比微結(jié)構(gòu)刻蝕過程中，高頻功率和低頻功率輸出都實(shí)現(xiàn)精確控制提高刻蝕工藝的穩(wěn)定性。
[0009]為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供一種利用可切換功率發(fā)生器的高深寬比微結(jié)構(gòu)刻蝕方法，該微結(jié)構(gòu)刻蝕方法所適用的等離子體刻蝕腔室包含:
腔室，該腔室內(nèi)分布有等離子體；
上電極，其設(shè)置于腔室內(nèi)的頂部；
下電極，其設(shè)置于腔室內(nèi)的底部；該下電極上放置被刻蝕的晶圓；
高頻信號源，其輸出高頻信號至下電極；
高功率低頻信號源與低功率低頻信號源，該高功率低頻信號源與該低功率低頻信號源可切換地輸出高功率低頻信號或低功率低頻信號至下電極；
上述晶圓包含有光刻膠層、設(shè)置在光刻膠層下的硬掩膜層、設(shè)置在硬掩膜層下的不定型碳層或有機(jī)掩膜層，和設(shè)置在不定型碳層或有機(jī)掩膜層下的二氧化硅層；
其特點(diǎn)是，上述微結(jié)構(gòu)刻蝕方法包含以下步驟:
步驟1、輸入低功率低頻信號激發(fā)等離子體，對晶圓上硬掩膜層，以及不定型碳層或有機(jī)掩膜層進(jìn)行高深寬比微結(jié)構(gòu)刻蝕；
步驟1.1、低功率低頻信號源輸出低功率低頻信號至下電極激發(fā)等離子體；
步驟1.2、對晶圓的硬掩膜層進(jìn)行高深寬比微結(jié)構(gòu)刻蝕；
步驟1.3、對晶圓的不定型碳層或有機(jī)掩膜層進(jìn)行高深寬比微結(jié)構(gòu)刻蝕；
步驟2、將低功率低頻信號輸入切換為高功率低頻信號輸入；
步驟3、高功率低頻信號激發(fā)等離子體，對晶圓的二氧化硅層進(jìn)行高深寬比微結(jié)構(gòu)刻蝕。
[0010]上述的步驟I中，低功率低頻信號的功率輸出小于1000瓦。
[0011]上述步驟I中，對硬掩膜層，以及不定型碳層或有機(jī)掩膜層進(jìn)行刻蝕時，刻蝕氣體采用 CF4、CHF3、CH2F2、02、N2 氣體。
[0012]上述步驟I中刻蝕氣體的壓強(qiáng)為30至100mT。
[0013]上述的步驟3中，高功率低頻信號的功率輸出大于3000瓦。
[0014]上述步驟3中，二氧化硅層刻蝕時，刻蝕氣體采用CF4、C4F8、F4F6、CH2F2、Ar、02氣體。[0015]上述步驟3中刻蝕氣體的壓強(qiáng)為10至50mT。
[0016]上述的步驟3之后還包含以下步驟:
對晶圓進(jìn)行后續(xù)工藝處理，完成后續(xù)工藝處理后關(guān)閉高功率低頻信號源。
[0017]上述的晶圓中，光刻膠層處還可以設(shè)有底部抗反射層或介質(zhì)抗反射層。
[0018]本發(fā)明利用可切換功率發(fā)生器的高深寬比微結(jié)構(gòu)刻蝕方法和現(xiàn)有技術(shù)的高深寬比微結(jié)構(gòu)刻蝕技術(shù)相比，其優(yōu)點(diǎn)在于，本發(fā)明采用可切換的高頻功率輸出和低頻功率輸出，在需要高頻功率時采用高頻功率輸出對晶圓進(jìn)行刻蝕，在需要低頻功率時采用低頻功率輸出對晶圓進(jìn)行刻蝕，避免了采用高平功率發(fā)生器輸出低頻功率輸出時造成的誤差較大、重復(fù)性差的問題；實(shí)現(xiàn)功率輸出的精確調(diào)節(jié)，提高產(chǎn)品合格率，降低成本。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0019]圖1為現(xiàn)有技術(shù)在準(zhǔn)備進(jìn)行高深寬比微結(jié)構(gòu)刻蝕工藝時晶圓的結(jié)構(gòu)示意圖；
圖2為本發(fā)明利用可切換功率發(fā)生器的高深寬比微結(jié)構(gòu)刻蝕方法所適用的等離子體刻蝕腔室的實(shí)施例一的結(jié)構(gòu)示意圖；
圖3為本發(fā)明利用可切換功率發(fā)生器的高深寬比微結(jié)構(gòu)刻蝕方法的方法流程圖；
圖4為本發(fā)明利用可切換功率發(fā)生器的高深寬比微結(jié)構(gòu)刻蝕方法過程中進(jìn)行掩膜刻蝕工藝時的晶圓結(jié)構(gòu)不意圖；
圖5為本發(fā)明利用可切換功率發(fā)生器的高深寬比微結(jié)構(gòu)刻蝕方法過程中進(jìn)行二氧化娃刻蝕工藝時的晶圓結(jié)構(gòu)不意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0020]以下結(jié)合附圖，進(jìn)一步說明本發(fā)明的具體實(shí)施例。
[0021]本發(fā)明公開一種利用可切換功率發(fā)生器的高深寬比微結(jié)構(gòu)刻蝕方法，適用于口徑為28納米或40納米、深度為300納米到1000納米的高深寬比微結(jié)構(gòu)刻蝕工藝。
[0022]如圖2所示，本發(fā)明利用可切換功率發(fā)生器的高深寬比微結(jié)構(gòu)刻蝕方法所適用的一種等離子體刻蝕腔室的實(shí)施例一，該刻蝕腔室可進(jìn)行反應(yīng)離子刻蝕(RIE)，用于對晶圓4進(jìn)行高深寬比微結(jié)構(gòu)刻蝕處理，該刻蝕腔室包含:腔室1、上電極2、下電極3、低額定功率的低頻信號發(fā)生器6、高額定功率的低頻信號發(fā)生器7、高頻信號發(fā)生器(圖中未標(biāo)示)和切換裝置8。
[0023]腔室I包含有反應(yīng)腔的外壁，形成一個密閉的反應(yīng)腔室。
[0024]等離子體5密封分布于腔室I內(nèi)，作為晶圓4的刻蝕氣體。
[0025]上電極2設(shè)置于腔室I內(nèi)的頂部，該上電極2接地。
[0026]下電極3設(shè)置于腔室I內(nèi)的底部，該下電極3連接功率輸入，需要被刻蝕的晶圓4可通過靜電卡盤(圖中未標(biāo)示)固定在下電極3上方，下電極3通過功率輸入激發(fā)等離子體5對晶圓4進(jìn)行刻蝕。
[0027]高頻信號發(fā)生器連接至下電極3，用于向腔室I輸出高頻功率信號，對腔室I內(nèi)的等離子體5進(jìn)行激發(fā)和分子解離。高頻信號發(fā)生器輸出功率通常采用1000W-5000W。
[0028]低額定功率的低頻信號發(fā)生器6可輸出功率小于1000瓦的低頻功率信號,優(yōu)選的可以為200瓦。該低額定功率的低頻信號發(fā)生器6用于輸出低功率的低頻信號至下電極3，當(dāng)?shù)皖~定功率的低頻信號發(fā)生器6與下電極3連接時，等離子體刻蝕腔室即采用低功率的低頻信號控制等離子體5轟擊并刻蝕晶圓4。
[0029]高額定功率的低頻信號發(fā)生器7可輸出大于3000瓦的高頻功率信號，優(yōu)選的可以取5000瓦、7000瓦。該高額定功率的低頻信號發(fā)生器7用于輸出高功率的低頻信號至下電極3，當(dāng)高額定功率的低頻信號發(fā)生器7與下電極3連接時，等離子體刻蝕腔室即采用高功率的低頻信號控制等離子體5轟擊并刻蝕晶圓4。
[0030]切換裝置8 一端與下電極3電路連接，另一端與低額定功率的低頻信號發(fā)生器6、高額定功率的低頻信號發(fā)生器7切換連接，用于控制輸入下電極3的功率信號在低功率的低頻信號與高功率的低頻信號之間切換。該切換裝置8可以通過外接的控制模塊接收切換控制指令，或者直接采用手動控制，在低額定功率的低頻信號發(fā)生器6與高額定功率的低頻信號發(fā)生器7之間切換連接，實(shí)現(xiàn)下電極3在與低額定功率的低頻信號發(fā)生器6連接或與高額定功率的低頻信號發(fā)生器7連接之間切換。當(dāng)下電極3通過切換裝置8與低額定功率的低頻信號發(fā)生器6建立連接時，則下電極3接收由低額定功率的低頻信號發(fā)生器6輸出的低功率低頻信號，并采用低功率低頻信號激發(fā)等離子體5刻蝕晶圓4。當(dāng)下電極3通過切換裝置8與高額定功率的低頻信號發(fā)生器7建立連接時，則下電極3接收高額定功率的低頻信號發(fā)生器7輸出的高功率低頻信號，并采用高功率低頻信號激發(fā)等離子體5刻蝕晶圓4。
[0031]本發(fā)明還公開了一種適用于利用可切換功率發(fā)生器的高深寬比微結(jié)構(gòu)刻蝕方法的等離子體刻蝕腔室的實(shí)施例二，該刻蝕系統(tǒng)包含:腔室、上電極、下電極、高頻功率發(fā)生器和一種可切換輸出功率的低頻功率發(fā)生器。
[0032]腔室包含有反應(yīng)腔的外壁，形成一個密閉的反應(yīng)腔室。
[0033]等離子體密封分布于腔室內(nèi)，作為晶圓的刻蝕氣體。
[0034]上電極設(shè)置于腔室內(nèi)的頂部，該上電極接地。
[0035]下電極設(shè)置于腔室內(nèi)的底部，該下電極連接功率輸入，需要被刻蝕的晶圓可通過靜電卡盤固定在下電極上方，下電極通過功率輸入激發(fā)等離子體對晶圓進(jìn)行刻蝕。
[0036]高頻信號發(fā)生器連接至下電極，用于向腔室輸出高頻功率信號，對腔室內(nèi)的等離子體進(jìn)行激發(fā)和分子解離。高頻信號發(fā)生器輸出功率通常采用1000W-5000W。
[0037]上述可切換輸出功率的低頻功率發(fā)生器的輸出端與下電極電路連接，用于可切換地向下電極輸出高功率低頻信號或低功率低頻信號。該功率發(fā)生器可切換地輸出功率小于1000瓦的低頻功率或功率大于3000瓦的低頻功率。優(yōu)選的，低功率低頻信號輸出可采用200瓦。優(yōu)選的，高功率低頻信號輸出可采用5000瓦、7000瓦。
[0038]該可切換輸出功率的功率發(fā)生器可以通過外接的控制模塊接收切換控制指令，或者直接采用手動控制，在低功率低頻信號輸出與高功率低頻信號輸出之間切換，實(shí)現(xiàn)可切換地向下電極輸入低功率低頻信號或高功率低頻信號。該功率發(fā)生器根據(jù)等離子體刻蝕腔室進(jìn)行高深寬比微結(jié)構(gòu)刻蝕工藝的具體要求，切換輸出低功率低頻信號輸出或高功率低頻信號輸出，由下電極以低功率低頻信號或高功率低頻信號激發(fā)等離子體刻蝕晶圓。
[0039]如圖3所示，本發(fā)明公開一種利用可切換功率發(fā)生器的高深寬比微結(jié)構(gòu)刻蝕方法，該方法可適用于上述等離子體刻蝕(RIE)腔室的實(shí)施例一和實(shí)施例二中的任意一種。
[0040]該高深寬比微結(jié)構(gòu)刻蝕方法包含以下步驟: 在進(jìn)行刻蝕之前，先將晶圓4放置在腔室I內(nèi)的下電極3處，并通過靜電卡盤將晶圓4固定。
[0041]高頻信號發(fā)生器輸出高頻功率至下電極3，激發(fā)腔室I內(nèi)的等離子體5分子解離。高頻信號發(fā)生器輸出功率不做限制，通常采用1000W-5000W。
[0042]步驟1、如圖4所示，采用低功率低頻信號，對晶圓4上硬掩膜層42，以及不定型碳層或有機(jī)掩膜層43進(jìn)行刻蝕。
[0043]晶圓4的頂層設(shè)有光刻膠層41，該光刻膠層41處還可以設(shè)有底部抗反射層(Barelayer)或介質(zhì)抗反射層(Dare layer),在光刻膠層41下生成有硬掩膜層42,在硬掩膜層42下生成有不定型碳層或有機(jī)掩膜層43，在不定型碳層或有機(jī)掩膜層43下即為二氧化硅層44。在步驟I采用低功率低頻信號刻蝕晶圓掩膜層的工藝步驟中，根據(jù)光刻膠層41的設(shè)定的規(guī)則，在硬掩膜層42、不定型碳層或有機(jī)掩膜層43上進(jìn)行了高深寬比(HAR)微結(jié)構(gòu)刻蝕。在對硬掩膜層42、不定型碳層或有機(jī)掩膜層43進(jìn)行刻蝕時，等離子體5可采用如30-100mT的壓強(qiáng)下，CF4, CHF3, CH2F2, O2, N2等反應(yīng)氣體。
[0044]步驟1.1、低額定功率的低頻信號發(fā)生器啟動，輸出低功率低頻信號至下電極3，激發(fā)等離子體5轟擊晶圓4。其中低額定功率的低頻信號發(fā)生器輸出功率為小于1000瓦，其輸出的低功率低頻信號的功率優(yōu)選的可采用小于500瓦，低功率低頻信號輸出更優(yōu)選的可采用200瓦。
[0045]步驟1.2、等離子體刻蝕腔室對晶圓4的硬掩膜層42進(jìn)行高深寬比微結(jié)構(gòu)刻蝕。
[0046]步驟1.3、等離子體刻蝕腔室對晶圓4的不定型碳層或有機(jī)掩膜層43進(jìn)行高深寬比微結(jié)構(gòu)刻蝕。
[0047]步驟2、低頻功率輸出切換，低額定功率的低頻信號發(fā)生器6關(guān)閉，高額定功率的低頻信號發(fā)生器7打開，使下電極3連接的低頻輸入由低額定功率發(fā)生器切換至高額定功率發(fā)生器。
[0048]其中，高額定功率的低頻信號發(fā)生器7的輸出功率為2500-7000瓦，輸出的高功率低頻信號的功率優(yōu)選的可采用大于3000瓦，更優(yōu)選的可采用5000瓦、7000瓦。
[0049]步驟3、如圖5所示，高額定功率的低頻信號輸出至下電極3，激發(fā)等離子體5轟擊晶圓4，根據(jù)光刻膠層41設(shè)定的規(guī)則對晶圓4的二氧化硅層44進(jìn)行高深寬比(HAR)微結(jié)構(gòu)刻蝕。在對二氧化硅層44繼續(xù)擰刻蝕時，等離子體5可采用如10-50mT的壓強(qiáng)下，CF4、C4F8、F4F6、CH2F2、Ar、O2 等反應(yīng)氣體。
[0050]步驟4、完成上述步驟I至步驟3的高深寬比微結(jié)構(gòu)刻蝕后，對晶圓進(jìn)行后續(xù)工藝處理。
[0051]步驟5、完成后續(xù)工藝處理后，關(guān)閉高額定功率的低頻信號發(fā)生器和高頻信號發(fā)生器，停止高頻信號以及高功率低頻信號輸出。
[0052]步驟6、工藝結(jié)束，靜電卡盤松開晶圓4，晶圓4退出等離子體刻蝕腔室。
[0053]盡管本發(fā)明的內(nèi)容已經(jīng)通過上述優(yōu)選實(shí)施例作了詳細(xì)介紹，但應(yīng)當(dāng)認(rèn)識到上述的描述不應(yīng)被認(rèn)為是對本發(fā)明的限制。在本領(lǐng)域技術(shù)人員閱讀了上述內(nèi)容后，對于本發(fā)明的多種修改和替代都將是顯而易見的。因此，本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)由所附的權(quán)利要求來限定。
【權(quán)利要求】
1.一種利用可切換功率發(fā)生器的高深寬比微結(jié)構(gòu)刻蝕方法，該微結(jié)構(gòu)刻蝕方法所適用的等離子體刻蝕腔室包含: 腔室(1)，該腔室(I)內(nèi)分布有等離子體(5)； 上電極(2)，其設(shè)置于所述腔室(I)內(nèi)的頂部； 下電極(3)，其設(shè)置于所述腔室(I)內(nèi)的底部；該下電極(3)上放置被刻蝕的晶圓(4); 高頻信號源，其輸出高頻信號至所述下電極(3)； 高功率低頻信號源與低功率低頻信號源，該高功率低頻信號源與該低功率低頻信號源可切換地輸出高功率低頻信號或低功率低頻信號至所述下電極(3)； 所述晶圓(4)包含有光刻膠層、設(shè)置在光刻膠層下的硬掩膜層、設(shè)置在硬掩膜層下的不定型碳層或有機(jī)掩膜層，和設(shè)置在所述不定型碳層或有機(jī)掩膜層下的二氧化硅層； 其特征在于，所述微結(jié)構(gòu)刻蝕方法包含以下步驟: 步驟1、輸入低功率低頻信號激發(fā)等離子體(5)，對晶圓(4)上硬掩膜層，以及不定型碳層或有機(jī)掩膜層進(jìn)行高深寬比微結(jié)構(gòu)刻蝕； 步驟2、將低功率低頻信號輸入切換為高功率低頻信號輸入； 步驟3、高功率低頻信號激發(fā)等離子體(5)，對晶圓(4)的二氧化硅層進(jìn)行高深寬比微結(jié)構(gòu)刻蝕。
2.如權(quán)利要求1所述的利用可切換功率發(fā)生器的高深寬比微結(jié)構(gòu)刻蝕方法，其特征在于，所述的步驟I包含以下步驟: 步驟1.1、低功率低頻信號源輸出低功率低頻信號至下電極(3)激發(fā)等離子體(5)； 步驟1.2、對晶圓(4)的硬掩膜層進(jìn)行高深寬比微結(jié)構(gòu)刻蝕； 步驟1.3、對晶圓(4)的不定型碳層或有機(jī)掩膜層進(jìn)行高深寬比微結(jié)構(gòu)刻蝕。
3.如權(quán)利要求1或2所述的利用可切換功率發(fā)生器的高深寬比微結(jié)構(gòu)刻蝕方法，其特征在于，所述的步驟I中，低功率低頻信號的功率輸出小于1000瓦。
4.如權(quán)利要求1或2所述的利用可切換功率發(fā)生器的高深寬比微結(jié)構(gòu)刻蝕方法，其特征在于，所述步驟I中，對硬掩膜層，以及不定型碳層或有機(jī)掩膜層進(jìn)行刻蝕時，刻蝕氣體采用 CF4、CHF3、CH2F2、O2、N2 氣體。
5.如權(quán)利要求4所述的利用可切換功率發(fā)生器的高深寬比微結(jié)構(gòu)刻蝕方法，其特征在于，所述步驟I中刻蝕氣體的壓強(qiáng)為30至100mT。
6.如權(quán)利要求1所述的利用可切換功率發(fā)生器的高深寬比微結(jié)構(gòu)刻蝕方法，其特征在于，所述的步驟3中，高功率低頻信號的功率輸出大于3000瓦。
7.如權(quán)利要求1所述的利用可切換功率發(fā)生器的高深寬比微結(jié)構(gòu)刻蝕方法，其特征在于，所述步驟3中，二氧化硅層刻蝕時，刻蝕氣體采用CF4、C4F8, F4F6, CH2F2, Ar、O2氣體。
8.如權(quán)利要求7所述的利用可切換功率發(fā)生器的高深寬比微結(jié)構(gòu)刻蝕方法，其特征在于，所述步驟3中刻蝕氣體的壓強(qiáng)為10至50mT。
9.如權(quán)利要求1所述的利用可切換功率發(fā)生器的高深寬比微結(jié)構(gòu)刻蝕方法，其特征在于，所述的步驟3之后還包含以下步驟: 對晶圓(4)進(jìn)行后續(xù)工藝處理，完成后續(xù)工藝處理后關(guān)閉高功率低頻信號源。
10.如權(quán)利要求1所述的利用可切換功率發(fā)生器的高深寬比微結(jié)構(gòu)刻蝕方法，其特征在于，所述的晶圓(4)中，光刻膠層處還可以設(shè)有底部抗反射層或介質(zhì)抗反射層。
【文檔編號】H01L21/311GK103887146SQ201210552540
【公開日】2014年6月25日 申請日期:2012年12月19日 優(yōu)先權(quán)日:2012年12月19日
【發(fā)明者】倪圖強(qiáng), 吳紫陽, 文秉述 申請人:中微半導(dǎo)體設(shè)備(上海)有限公司