功率模塊封裝的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明的功率模塊封裝包括：基板，該基板具有一面和另一面；電路層，該電路層包括形成在所述基板的一面上的第1圖案、形成在所述基板的另一面上的第2圖案以及將所述第1圖案和所述第2圖案電連接的通孔；第1半導(dǎo)體芯片和第2半導(dǎo)體芯片，所述第1半導(dǎo)體芯片和所述第2半導(dǎo)體芯片分別具有第1面和第2面，并分別以所述第1面相接于所述第1圖案上的方式安裝在所述基板上；以及引線框，該引線框包括第1引線和第2引線，所述第1引線具有一側(cè)和另一側(cè)，所述一側(cè)與所述第1半導(dǎo)體芯片和第2半導(dǎo)體芯片的第2面相接，所述另一側(cè)向外部凸出，所述第2引線具有一側(cè)和另一側(cè)，所述一側(cè)與所述第2圖案相接，所述另一側(cè)向外部凸出。
【專利說明】功率模塊封裝
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種功率模塊封裝。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著用于制造功率半導(dǎo)體器件的材料、設(shè)計以及工序的迅猛發(fā)展，在高電流、高電壓下進行驅(qū)動的功率模塊封裝(Power module package)也在迅速發(fā)展。
[0003]過去，功率模塊封裝利用金屬材質(zhì)的電線(wire)將半導(dǎo)體芯片和引線框進行電連接。
[0004]另一方面，美國注冊專利第6432750號公開了根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的功率模塊封裝。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明的一個方面是，提供無需電線(wire)地將半導(dǎo)體芯片和起到外部連接端子作用的引線框進行電連接的功率模塊封裝。
[0006]此外，本發(fā)明的另一個方面是，提供結(jié)構(gòu)簡化的同時電性能以及熱性能提高的功率模塊封裝。
[0007]根據(jù)本發(fā)明的功率模塊封裝包括:基板，該基板具有一面和另一面；電路層，該電路層包括形成在所述基板的一面上的第I圖案、形成在所述基板的另一面上的第2圖案以及將所述第I圖案和第2圖案電連接的通孔；第I半導(dǎo)體芯片和第2半導(dǎo)體芯片，所述第I半導(dǎo)體芯片和所述第2半導(dǎo)體芯片分別具有第I面和第2面，并分別以所述第I面相接于所述第I圖案上的方式安裝在所述基板上；引線框，該引線框包括第I引線和第2引線，所述第I引線具有一側(cè)以及另一側(cè)，所述第I引線的一側(cè)與所述第I半導(dǎo)體芯片的第2面和所述第2半導(dǎo)體芯片的第2面相接，所述第I引線的另一側(cè)向外部凸出，所述第2引線具有一側(cè)以及另一側(cè)，所述第2引線的一側(cè)與所述第2圖案相接，所述第2引線的另一側(cè)向外部凸出。
[0008]其中，所述第I半導(dǎo)體芯片包括形成在所述第I面上的第I 一 I電極以及形成在所述第2面上的彼此分隔的第I 一 2電極和第I 一 3電極，所述第2半導(dǎo)體芯片包括形成在所述第I面上的第2 -1電極以及形成在所述第2面上的第2 - 2電極，所述第I引線包括第I 一 I引線和第I 一 2引線，所述第I 一 I引線具有一側(cè)以及另一側(cè)，所述第I 一 I引線的一側(cè)與所述第I半導(dǎo)體芯片的所述第I 一 2電極和所述第2半導(dǎo)體芯片的第2 - 2電極相接，所述第I 一 I引線的另一側(cè)向外部凸出，所述第I 一 2引線具有一側(cè)以及另一偵U，所述第I 一 2引線的一側(cè)與所述第I半導(dǎo)體芯片的所述第I 一 3電極相接，所述第I 一2引線的另一側(cè)向外部凸出。
[0009]此外，所述第I引線的一側(cè)是向第I方向形成臺階的形狀，所述第2引線的一側(cè)是向與所述第I方向方向相反的第2方向形成臺階的形狀，所述第I 一 I引線的一側(cè)和所述第I一 2引線的一側(cè)可以以互不相同的高度形成臺階。
[0010]此外，可以在所述第I引線和第2引線上分別形成有與所述基板連接的連接部，在所述基板上形成有與所述連接部對應(yīng)的連接槽。
[0011]其中，所述連接部也可以形成在所述第I引線一側(cè)的端部和第2引線的一側(cè)的端部。
[0012]此外,所述第I半導(dǎo)體芯片可以是絕緣柵雙極型晶體管(Insulated GateBipolarTransistor:1GBT),所述第2半導(dǎo)體芯片可以是二極管(diode)。
[0013]此外，所述功率模塊封裝還可以包括成型構(gòu)件，該成型構(gòu)件以包裹所述基板、所述電路層、所述第I半導(dǎo)體芯片、所述第2半導(dǎo)體芯片以及所述引線框的一部分的方式形成。
[0014]此外，根據(jù)本發(fā)明的功率模塊封裝包括:基板，該基板具有一面和另一面；電路層，該電路層包括形成在所述基板的一面上的第I圖案、形成在所述基板的另一面上的第2圖案以及將所述第I圖案和所述第2圖案電連接的通孔；第I半導(dǎo)體芯片和第2半導(dǎo)體芯片，所述第I半導(dǎo)體芯片和所述第2半導(dǎo)體芯片分別具有第I面和第2面，并分別以所述第I面相接于所述第I圖案上的方式安裝在所述基板上；以及引線框，該引線框包括第I引線和第2引線，所述第I引線具有一側(cè)以及另一側(cè)，所述第I引線的一側(cè)與所述第I半導(dǎo)體芯片的第2面和所述第2半導(dǎo)體芯片的第2面相接，所述第I引線的另一側(cè)向外部凸出，所述第2引線具有一側(cè)以及另一側(cè)，所述第2引線的一側(cè)與所述第2圖案相接，所述第2引線的另一側(cè)向外部凸出，在所述第I引線和所述第2引線上分別形成有與所述基板連接的連接部，在所述基板上形成有與所述連接部對應(yīng)的連接槽。
[0015]其中，所述第I半導(dǎo)體芯片包括形成在所述第I面上的第I 一 I電極以及形成在所述第2面上彼此分隔的第I 一 2電極和第I 一 3電極，所述第2半導(dǎo)體芯片包括形成在所述第I面上的第2 -1電極以及形成在所述第2面上的第2 - 2電極，所述第I引線包括第I 一 I引線和第I 一 2引線，所述第I 一 I引線具有一側(cè)以及另一側(cè)，所述第I 一 I引線的一側(cè)與所述第I半導(dǎo)體芯片的所述第I一 2電極和所述第2半導(dǎo)體芯片的第2 — 2電極相接，所述第I 一 I引線的另一側(cè)向外部凸出，所述第I 一 2引線具有一側(cè)以及另一側(cè)，所述第I 一 2引線的一側(cè)與所述第I半導(dǎo)體芯片的所述第I 一 3電極相接，所述第I 一 2引線的另一側(cè)向外部凸出。
[0016]所述第I引線的一側(cè)是向第I方向形成臺階的形狀，所述第2引線的一側(cè)是向與所述第I方向方向相反的第2方向形成臺階的形狀，所述第I 一 I引線的一側(cè)和所述第1-2引線的一側(cè)可以以互不相同的高度形成臺階。
[0017]此外，所述連接部也可以形成在所述第I引線的一側(cè)的端部和第2引線的一側(cè)的端部。
[0018]此外，所述第I半導(dǎo)體芯片可以是絕緣柵雙極型晶體管(Insulated GateBipolarTransistor:1GBT),所述第2半導(dǎo)體芯片可以是二極管(diode)。
[0019]此外，所述功率模塊封裝還可以包括成型構(gòu)件，該成型構(gòu)件以包裹所述基板、所述電路層、所述第I半導(dǎo)體芯片、所述第2半導(dǎo)體芯片以及所述引線框的一部分的方式形成。
[0020]通過以下結(jié)合附圖進行的詳細說明，本發(fā)明的特征和優(yōu)點將更加明顯。
[0021]在本說明書和權(quán)利要求書中使用的術(shù)語或者詞語不應(yīng)被解釋為局限于典型的含義或詞典的定義，而應(yīng)立足于發(fā)明人能夠適當?shù)囟x術(shù)語的概念從而以最優(yōu)的方式描述他/她的發(fā)明的原則被解釋為具有符合本發(fā)明的技術(shù)思想的含義和概念。
[0022]本發(fā)明使起到外部連接端子作用的引線框直接與半導(dǎo)體芯片相接，無需另外使用電線(wire)，具有簡化封裝的結(jié)構(gòu)，并且節(jié)約制造費用的效果。
[0023]此外，本發(fā)明通過代替電線(wire)使引線框直接與半導(dǎo)體芯片的電極連接，從而具有能提高封裝的電性能以及熱性能的效果。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0024]圖1是顯示根據(jù)本發(fā)明的一種實施方式的功率模塊封裝的結(jié)構(gòu)的側(cè)視圖。
[0025]圖2是圖1中的功率模塊封裝的俯視圖。
[0026]圖3是圖1中的功率模塊封裝的仰視圖。
[0027]附圖標記說明
[0028]100:功率模塊封裝，110:基板，120:電路層，120a --第I圖案，120b --第2圖案，120c:通孔，131 --第I半導(dǎo)體芯片，131a:第I — I電極，131b:第I — 2電極，131c:第I —3電極，133:第2半導(dǎo)體芯片，133a:第2 — I電極，133b:第2 — 2電極，140:引線框，141:第I引線，141a:第I — I引線，141b:第I — 2引線，143:第2引線，150:成型構(gòu)件。
【具體實施方式】
[0029]通過下面結(jié)合附圖對優(yōu)選實施方式的詳細說明，本發(fā)明的上述以及其它的目的、優(yōu)點以及特征將更加明顯。應(yīng)注意的是，在本說明書中，在對各附圖中的組件標注附圖標記時，相同的參考標記指代相同的組件，即使各組件顯示在不同的附圖中。此外，“第1”、“第2”、“一面”、“另一面”等用語用于區(qū)分一個要素與其它要素，這些要素并不限制于所述用語。以下，在說明本發(fā)明時，將省略對與本發(fā)明相關(guān)的公知技術(shù)的詳細說明，以免模糊本發(fā)明的主旨。
[0030]以下，將參照附圖詳細說明本發(fā)明的優(yōu)選實施方式。
[0031]圖1是顯示根據(jù)本發(fā)明的一種實施方式的功率模塊封裝的結(jié)構(gòu)的側(cè)視圖，圖2是圖1中的功率模塊封裝的俯視圖，以及圖3是圖1中的功率模塊封裝的仰視圖。
[0032]參見圖1，根據(jù)本實施方式的功率模塊封裝100包括:基板110，該基板110具有一面和另一面；電路層120，該電路層120包括形成在基板110的一面上的第I圖案120a、形成在另一面上的第2圖案120b以及將第I圖案120a和第2圖案120b電連接的通孔120c ；第I半導(dǎo)體芯片131和第2半導(dǎo)體芯片133，所述第I半導(dǎo)體芯片131和所述第2半導(dǎo)體芯片133分別具有第I面和第2面，并分別以所述第I面相接于第I圖案120a上的方式安裝在基板110上；以及引線框140，該引線框140包括與所述第I半導(dǎo)體芯片131和第2半導(dǎo)體芯片133的第2面相接的第I引線141以及與所述第二圖案相接的第2引線143。
[0033]在本實施方式中，基板110可以使用陶瓷(ceramic)基板、具有陽極氧化層的金屬基板、印刷電路板(Printed Circuit Board:PCB)、絕緣金屬基板(Insulated MetalSubstrate:1MS)、預(yù)成型(pre_molded)基板等,但并不特別限定于此。
[0034]所述陶瓷基板可以由金屬類氮化物或者陶瓷材料構(gòu)成，作為金屬類氮化物，例如可以包括鋁的氮化物(AlN)或者硅的氮化物(SiN)，作為陶瓷材料，可以包括鋁的氧化物(A1203)或者鈹?shù)难趸?BeO)，但并不特別限定于此。
[0035]此外，雖然未在圖1中示出，但是在本實施方式中基板110可以是多層基板。
[0036]在本實施方式中，電路層120如圖1所示，可以包括形成在基板110的一面上的第I圖案120a、形成在基板110的另一面上的第2圖案120b以及將第I圖案120a和第2圖案120b電連接的通孔120c。
[0037]這是為了之后將第I半導(dǎo)體芯片131和第2半導(dǎo)體芯片133與第2圖案120b電連接，第I半導(dǎo)體芯片131和第2半導(dǎo)體芯片133以與形成在基板110的一面上的第I圖案120a相接的方式安裝，第2圖案120b形成在基板110另一面上。
[0038]即，通過第I圖案120a和通孔120c，第I半導(dǎo)體芯片131的第1-1電極131a和第2半導(dǎo)體芯片133的第2 — I電極133a能分別與第2圖案120b電連接。
[0039]其中，所述電路層120可以由銅(Cu)、鎳(Ni)、銀(Ag)以及金(Au)等構(gòu)成，但并不特別限定與此。
[0040]此外，所述電路層120可以由常見的形成方法，例如化學氣相沉積法(ChemicalVapor Deposition:CVD)、物理氣相沉積法(Physical VaporDeposition:PVD)、電解鍛金工序或者非電解鍍金工序、派射(sputtering)工序形成,但并不特別限定與此,本領(lǐng)域相關(guān)技術(shù)人員應(yīng)認識到可以利用公知的所有電路層形成工序。
[0041]在本實施方式中，第I半導(dǎo)體芯片131和第2半導(dǎo)體芯片133可以是功率元件，但并不特別限定與此。
[0042]一般來說，功率元件可以包括:娃控整流器(Silicon Controlled Rectifier:SCR)、功率晶體管、絕緣柵雙極晶體管(Insulated Gate Bipolar Transistor:1GBT)、金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管(MOSFET)、功率整流器、功率調(diào)整器、逆變器、變換器或者由它們組合而成的高功率半導(dǎo)體芯片或者二極管。
[0043]此外，雖然在圖2和圖3中，圖示了在基板110上安裝有多個第I半導(dǎo)體芯片131和第2半導(dǎo)體芯片133，但是也可以安裝一個第I半導(dǎo)體芯片131和第2半導(dǎo)體芯片133。
[0044]在本實施方式中，雖然作為示例，使用絕緣柵雙極晶體管(InsulatedGateBipolar Transistor:IGBT)作為第I半導(dǎo)體芯片131,使用二極管(diode)作為第2半導(dǎo)體芯片133，但并不特別限定與此。
[0045]其中，如圖1和圖2所示，可以在第I半導(dǎo)體芯片131的第I面上形成有第I — I電極131a，在第I半導(dǎo)體芯片131的第2面上分別形成有第I 一 2電極131b和第I 一 3電極 131c。
[0046]在此，所述第I 一 I電極131a可以是集電極(collector)，所述第I 一 2電極131b可以是發(fā)射極(emitter),所述第I 一 3電極131c可以是柵極(gate)。
[0047]此外，可以在第2半導(dǎo)體芯片133的第I面上形成第2 — I電極133a，在第2面上形成第2 — 2電極133b。
[0048]在此，所述第2 — I電極133a可以是陰極(cathode)電極，所述第2 — 2電極133b可以是陽極(anode)電極。
[0049]應(yīng)注意，這只是一種實施方式，可以根據(jù)所使用的半導(dǎo)體芯片的種類而有所不同。
[0050]其中,第I半導(dǎo)體芯片131的集電極(collector)和發(fā)射極(emitter)可以分別與第2半導(dǎo)體芯片133的陰極(cathode)電極和陽極(anode)電極連接。S卩，第I半導(dǎo)體芯片131的第I 一 I電極131a和第I 一 2電極131b可以分別與第2半導(dǎo)體芯片133的第2 —I電極133a和第2 — 2電極133b連接。
[0051]由此，第I半導(dǎo)體芯片131和第2半導(dǎo)體芯片133能夠以可相互連接的電極朝向相同的面的方式安裝在基板110上，在本實施方式中，第I半導(dǎo)體芯片131和第2半導(dǎo)體芯片133分別如圖1所不，以第I 一 I電極131a和第2 — I電極133a與第I圖案120a相接的方式安裝在基板110上。
[0052]但是，這只是一種實施方式，只要是以能夠相連的電極朝向相同的方向的方式進行安裝，第I半導(dǎo)體芯片131和第2半導(dǎo)體芯片133的安裝方向并不特別限定于此。
[0053]引線框140可以如圖1所示，包括:第I引線141，該第I引線141與第I半導(dǎo)體芯片131的第2面和第2半導(dǎo)體芯片133的第2面相接；和第2引線143，該第2引線143與形成在基板110的另一面的第2圖案120b相接。
[0054]其中，所述第I引線141具有一側(cè)和另一側(cè)，如圖1所示，所述第I引線141的一側(cè)是向第I方向形成有臺階的形狀，所述第2引線143同樣具有一側(cè)和另一側(cè)，所述第2引線143的一側(cè)是向與所述第I方向相反的第2方向形成有臺階的形狀，但并不特別限定于此。
[0055]例如，以圖1為基準，第I引線141的一側(cè)可以是向上形成臺階的形狀，即，是上升(up-set)的形狀，第2引線143的一側(cè)可以是與上述的第I引線141沿相反方向的向下形成臺階的形狀，即，是下降(down-set)的形狀。
[0056]在此，向上形成臺階的第I引線141的一側(cè)和向下形成臺階的第2引線143的一側(cè)之間的間隔可以與將基板Iio的厚度、第I圖案120a的厚度、第2圖案120b的厚度以及安裝的半導(dǎo)體芯片131、133的厚度加起來的值相對應(yīng)，但并不特別限定于此。
[0057]此外，所述第I引線141的所述一側(cè)可以與所述第I半導(dǎo)體芯片131的第2面和第2半導(dǎo)體芯片133的第2面相接，所述第I引線141的另一側(cè)可以向外部凸出。
[0058]同樣地，所述第2引線143的所述一側(cè)可以與形成在所述基板110的另一面的第2圖案120b相接，所述第2引線143的另一側(cè)可以外部凸出。
[0059]如上所述，向外部凸出的第I引線141以及第2引線143各自的另一側(cè)可以與單獨的外部裝置連接，發(fā)送或者接收電源和電信號。
[0060]此外，在本實施方式中，如圖1和圖2所示，與第I半導(dǎo)體芯片131和第2半導(dǎo)體芯片133的第2面相接的第I引線141可以包括:第I 一 I引線141a，該第I 一 I引線141a與第I半導(dǎo)體芯片131的第I 一 2電極131b和第2半導(dǎo)體芯片133的第2 — 2電極133b相接；和第1 — 2引線141b,該第1 — 2引線141b與第I半導(dǎo)體芯片131的第1 — 3電極131c相接。
[0061]其中，如圖1所示，與第I半導(dǎo)體芯片131和第2半導(dǎo)體芯片133都相接的所述第I — I引線141a的一側(cè)和只與第I半導(dǎo)體芯片131相接的第I — 2引線141b的一側(cè)可以以互不相同的高度形成臺階。
[0062]這是為了使第I 一 2引線141b不與第I半導(dǎo)體芯片131的第I 一 3電極131c以外的其它部分相接。
[0063]雖然在圖1中圖示為第I 一 2引線141b的一側(cè)的位置比第I 一 I引線141a的一側(cè)的位置高，但并不特別限定于此。
[0064]例如，在本實施方式中，第I 一 I引線141a的一側(cè)以具有能直接與第I半導(dǎo)體芯片131的第I 一 2電極131b和第2半導(dǎo)體芯片133的第2 — 2電極133b相接的程度的臺階的方式形成(forming),第1_2引線141b的一側(cè)以具有比所述第I — I引線141a高的臺階的方式形成(forming)。
[0065]由此，因為第1-2引線141b的一側(cè)以不能與第1-3電極131c相接的高度的臺階形成(forming)，所以如圖1和圖2的C部分所示，與第I 一 3電極131c相接的部分以下降(down — set)形狀形成(forming)。
[0066]同樣地，第2引線143的一側(cè)也以具有能直接與形成在基板110的另一面的第2圖案120b相接的程度的臺階的方式成型(forming)。
[0067]像這樣，在本實施方式中，通過使起到外部連接端子作用的引線框的一側(cè)與半導(dǎo)體芯片直接相接，從而不另外使用用于將半導(dǎo)體芯片和引線框進行電連接的電線(wire)，與以往的利用電線(wire)將安裝在基板上的半導(dǎo)體芯片和外部連接端子進行電連接的結(jié)構(gòu)相比，能在簡化結(jié)構(gòu)的同時節(jié)約制造費用。
[0068]此外，通過引線框與半導(dǎo)體芯片的電極直接連接，從而能加寬連接面積，提高電性能、熱性能以及產(chǎn)品可靠性。
[0069]此外，如圖1所示，可以在第I引線141和第2引線143的一側(cè)的端部形成與基板110連接的連接部A，并在基板110上形成與所述連接部A對應(yīng)的連接槽B，但并不特別限定于此。
[0070]像這樣形成連接部A與連接槽B，是為了不另外使用粘接劑固定第I引線141與第I半導(dǎo)體芯片131和第2半導(dǎo)體芯片133的連接狀態(tài)，以及第2引線143和基板110的連接狀態(tài)。
[0071]具體地，如圖1所示，所述第I引線141和第2引線143的連接部A可以由一側(cè)的端部彎曲而形成，但其形狀以及部位并不特別限定于此。
[0072]此外，雖然未在附圖中進行圖示，但是還可以在連接槽B的內(nèi)壁形成卡槽(未圖示)，在連接部A的外壁形成與所述卡槽(未圖示)對應(yīng)的卡臺(未圖示)。
[0073]由此，可以不在第I引線141與第I半導(dǎo)體芯片131和第2半導(dǎo)體芯片133之間以及第2引線143與第2圖案120b之間另外使用用于進行固定的粘接劑，所以能簡化工序、節(jié)約工序費用并縮短工序時間。
[0074]此外，如圖1至圖3所示，根據(jù)本實施方式的功率模塊封裝100還可以包括成型構(gòu)件150，所述成型構(gòu)件150以包裹基板110、電路層120、第I半導(dǎo)體芯片131、第2半導(dǎo)體芯片133以及引線框140的一部分的方式形成。
[0075]在此，可以使用環(huán)氧模塑化合物(Epoxy Molded Compound:EMC)等,但并不特別限定于此。
[0076]以上通過具體的實施方式詳細地說明了本發(fā)明，但是這只是為了具體地說明本發(fā)明，本發(fā)明并不限定于此，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解的是，在本發(fā)明的技術(shù)思想內(nèi)，可以做出各種修改和變形。
[0077]本發(fā)明的單純的變形和變更都屬于本發(fā)明的范圍，本發(fā)明的具體范圍在附帶的權(quán)利要求中公開。
【權(quán)利要求】
1.一種功率模塊封裝，其特征在于，該功率模塊封裝包括:基板，該基板具有一面和另一面；電路層，該電路層包括形成在所述基板的一面上的第I圖案、形成在所述基板的另一面上的第2圖案以及將所述第I圖案和所述第2圖案電連接的通孔；第I半導(dǎo)體芯片和第2半導(dǎo)體芯片，所述第I半導(dǎo)體芯片和所述第2半導(dǎo)體芯片分別具有第I面和第2面，并分別以所述第I面相接于所述第I圖案上的方式安裝在所述基板上；以及引線框，該引線框包括第I引線和第2引線，所述第I引線具有一側(cè)和另一側(cè)，所述第I引線的一側(cè)與所述第I半導(dǎo)體芯片的第2面和所述第2半導(dǎo)體芯片的第2面相接，所述第I引線的另一側(cè)向外部凸出，所述第2引線具有一側(cè)以及另一側(cè)，所述第2引線的一側(cè)與所述第2圖案相接，所述第2引線的另一側(cè)向外部凸出。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的功率模塊封裝，其中，所述第I半導(dǎo)體芯片包括形成在所述第I面上的第I一 I電極以及形成在所述第2面上的彼此分隔的第I一 2電極和第I一 3電極，所述第2半導(dǎo)體芯片包括形成在所述第I面上的第2 -1電極以及形成在所述第2面上的第2 - 2電極，所述第I引線包括第I 一 I引線和第I 一 2引線，所述第I 一 I引線具有一側(cè)以及另一側(cè)，所述第I 一 I引線的一側(cè)與所述第I半導(dǎo)體芯片的所述第I 一 2電極和所述第2半導(dǎo)體芯片的第2 — 2電極相接，所述第I 一 I引線的另一側(cè)向外部凸出，所述第I 一 2引線具有一側(cè)以及另一側(cè)，所述第I 一 2引線的一側(cè)與所述第I半導(dǎo)體芯片的所述第I 一 3電極相接，所述第I 一 2引線的另一側(cè)向外部凸出。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的功率模塊封裝，其中，所述第I引線的一側(cè)是向第I方向形成臺階的形狀，所述第2引線的一側(cè)是向與所述第I方向相反的第2方向形成臺階的形狀，所述第I 一 I引線的一側(cè)和所述第I 一 2引線的一側(cè)以互不相同的高度形成臺階。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的功率模塊封裝，其中，在所述第I引線和第2引線上分別形成有與所述基板連接的連接部，在所述基板上形成有與所述連接部對應(yīng)的連接槽。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的功率模塊封裝，其中，所述連接部形成在所述第I引線的一側(cè)的端部和所述第2引線的一側(cè)的端部。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的功率模塊封裝，其中，所述第I半導(dǎo)體芯片是絕緣柵雙極型晶體管，所述第2半導(dǎo)體芯片是二極管。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的功率模塊封裝，其中，該功率模塊封裝還包括成型構(gòu)件，該成型構(gòu)件以包裹所述基板、所述電路層、所述第I半導(dǎo)體芯片、所述第2半導(dǎo)體芯片以及所述引線框的一部分的方式形成。
8.—種功率模塊封裝，其特征在于，該功率模塊封裝包括:基板，該基板具有一面和另一面；電路層，該電路層包括形成在所述基板的一面上的第I圖案、形成在所述基板的另一面上的第2圖案以及將所述第I圖案和第2圖案電連接的通孔；第I半導(dǎo)體芯片和第2半導(dǎo)體芯片，所述第I半導(dǎo)體芯片和所述第2半導(dǎo)體芯片分別具有第I面和第2面，并分別以所述第I面相接于所述第I圖案上的方式安裝在所述基板上；以及引線框，該引線框包括第I引線和第2引線，所述第I引線具有一側(cè)以及另一側(cè)，所述第I引線的一側(cè)與所述第I半導(dǎo)體芯片的第2面和所述第2半導(dǎo)體芯片的第2面相接，所述第I引線的另一側(cè)向外部凸出，所述第2引線具有一側(cè)以及另一側(cè)，所述第2引線的一側(cè)與所述第2圖案相接，所述第2引線的另一側(cè)向外部凸出，在所述第I引線和所述第2引線上分別形成有與所述基板連接的連接部，在所述基板上形成有與所述連接部對應(yīng)的連接槽。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的功率模塊封裝，其中，所述第I半導(dǎo)體芯片包括形成在所述第I面上的第I一 I電極以及形成在所述第2面上的彼此分隔的第I一 2電極和第I一 3電極，所述第2半導(dǎo)體芯片包括形成在所述第I面上的第2 -1電極以及形成在所述第2面上的第2 - 2電極，所述第I引線包括第I 一 I引線和第I 一 2引線，所述第I 一 I引線具有一側(cè)以及另一側(cè)，所述第I 一 I引線的一側(cè)與所述第I半導(dǎo)體芯片的所述第I一 2電極和所述第2半導(dǎo)體芯片的第2 - 2電極相接，所述第I 一 I引線的另一側(cè)向外部凸出，所述第I 一 2引線具有一側(cè)以及另一側(cè)，所述第I 一 2引線的一側(cè)與所述第I半導(dǎo)體芯片的所述第I 一 3電極相接，所述第I 一 2引線的另一側(cè)向外部凸出。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的功率模塊封裝，其中，所述第I引線的一側(cè)是向第I方向形成臺階的形狀，所述第2引線的一側(cè)是向與所述第I方向相反的第2方向形成臺階的形狀，所述第I一 I引線的一側(cè)和所述第I 一 2引線的一側(cè)以互不相同的高度形成臺階。
11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的功率模塊封裝，其中，所述連接部形成在所述第I引線的一側(cè)的端部和所述第2引線的一側(cè)的端部。
12.根據(jù)權(quán)利要求8所述的功率模塊封裝，其中，所述第I半導(dǎo)體芯片是絕緣柵雙極型晶體管，所述第2半導(dǎo)體芯片是二極管。
13.根據(jù)權(quán)利要求8所述的功率模塊封裝，其中，該功率模塊封裝還包括成型構(gòu)件，該成型構(gòu)件以包裹所述基板、所述電路層、所述第I半導(dǎo)體芯片、所述第2半導(dǎo)體芯片以及所述引線框的一部分的方式形成。`
【文檔編號】H01L25/16GK103794590SQ201210551627
【公開日】2014年5月14日 申請日期:2012年12月18日 優(yōu)先權(quán)日:2012年10月30日
【發(fā)明者】趙銀貞, 林栽賢, 金泰賢, 孫瑩豪 申請人:三星電機株式會社