一種高頻水平雙擴(kuò)散結(jié)構(gòu)半導(dǎo)體器件的制造方法
【專利摘要】一種高頻水平雙擴(kuò)散結(jié)構(gòu)半導(dǎo)體器件的制造方法，包括：在完成刻蝕柵氧化層之后的第一區(qū)域溝道和第三區(qū)域溝道內(nèi)生長(zhǎng)熱氧化層，其中，所述第一區(qū)域溝道和所述第三區(qū)域溝道形成于外延層上；通過(guò)對(duì)所述第一區(qū)域和所述第三區(qū)域注入符合第一劑量的第一離子，以形成源區(qū)和漏區(qū)；往置放有所述半導(dǎo)體器件的加工爐中通入符合第一預(yù)設(shè)條件的混合氣體，以對(duì)所述半導(dǎo)體器件進(jìn)行第一退火處理，使得在形成所述源區(qū)和漏區(qū)過(guò)程中對(duì)所述熱氧化層造成的損傷得到修復(fù)。
【專利說(shuō)明】一種高頻水平雙擴(kuò)散結(jié)構(gòu)半導(dǎo)體器件的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本申請(qǐng)屬于半導(dǎo)體器件制造領(lǐng)域，具體涉及一種高頻水平雙擴(kuò)散結(jié)構(gòu)半導(dǎo)體器件的制造方法。
【背景技術(shù)】
[0002]RFLDM0S,即高頻水平雙擴(kuò)散結(jié)構(gòu)半導(dǎo)體，其不但具有良好的電學(xué)特性，而且可以與現(xiàn)有CMOS集成電路工藝完全兼容，易于實(shí)現(xiàn)大規(guī)模射頻集成電路。目前，RFLDM0S被廣泛應(yīng)用于手機(jī)基站、廣播電視和雷達(dá)等領(lǐng)域。
[0003]在制造RFLDM0S的過(guò)程中，傳統(tǒng)工藝?yán)玫蛪夯瘜W(xué)氣相沉積方法來(lái)制作溝道區(qū)域內(nèi)外延層表面的第一氧化層，使得所述第一氧化層厚度較厚，通常為1500A左右，進(jìn)而使場(chǎng)板和多晶硅層之間的橫向距離以及場(chǎng)板與有源區(qū)的縱向距離較大，導(dǎo)致半導(dǎo)體器件耐壓性和頻率特性較差?，F(xiàn)有技術(shù)，可以通過(guò)熱氧化工藝形成所述第一氧化層，即生成熱氧化層代替?zhèn)鹘y(tǒng)工藝的第一氧化層，從而使氧化層的厚度降到150A左右。
[0004]本申請(qǐng)發(fā)明人在實(shí)現(xiàn)本申請(qǐng)實(shí)施例技術(shù)方案的過(guò)程中，至少發(fā)現(xiàn)現(xiàn)有技術(shù)中存在如下技術(shù)問(wèn)題:
[0005]現(xiàn)有技術(shù)中，由于源區(qū)和漏區(qū)的注入，使得半導(dǎo)體器件存在注入損傷的技術(shù)問(wèn)題；
[0006]進(jìn)而，由于存在注入損傷，氧化層上原子分布雜亂、質(zhì)地疏松，甚至?xí)霈F(xiàn)空洞，使得在接下來(lái)沉積金屬的過(guò)程中，所述氧化層不能阻止金屬和多晶硅發(fā)生反應(yīng)，這樣，源區(qū)或者多晶硅層內(nèi)壁會(huì)留有金屬硅化物，使得半導(dǎo)體器件在工作中存在短路的技術(shù)問(wèn)題，從而導(dǎo)致器件失效。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0007]本發(fā)明實(shí)施例提供一種高頻水平雙擴(kuò)散結(jié)構(gòu)半導(dǎo)體器件的制造方法，用于解決現(xiàn)有技術(shù)中由于源區(qū)和漏區(qū)的注入，半導(dǎo)體器件會(huì)存在注入損傷的技術(shù)問(wèn)題，實(shí)現(xiàn)了修復(fù)注入損傷，使半導(dǎo)體器件能夠正常工作的技術(shù)效果。
[0008]一種高頻水平雙擴(kuò)散結(jié)構(gòu)半導(dǎo)體器件的制造方法，包括:
[0009]在完成刻蝕柵氧化層之后的第一區(qū)域溝道和第三區(qū)域溝道內(nèi)生長(zhǎng)熱氧化層，其中，所述第一區(qū)域溝道和所述第三區(qū)域溝道形成于外延層上；
[0010]通過(guò)對(duì)所述第一區(qū)域和所述第三區(qū)域注入符合第一劑量的第一離子，以形成源區(qū)和漏區(qū)；
[0011]往置放有所述半導(dǎo)體器件的加工爐中通入符合第一預(yù)設(shè)條件的混合氣體，以對(duì)所述半導(dǎo)體器件進(jìn)行第一退火處理，使得在形成所述源區(qū)和漏區(qū)過(guò)程中對(duì)所述熱氧化層造成的損傷得到修復(fù)。
[0012]進(jìn)一步的，在所述在第一區(qū)域溝道和第三區(qū)域溝道內(nèi)生長(zhǎng)熱氧化層之前，所述方法還包括:[0013]在多晶硅層表面生成第一阻擋層，其中，所述多晶硅層覆蓋于由所述第一區(qū)域、第二區(qū)域和所述第三區(qū)域構(gòu)成的所述外延層上；
[0014]對(duì)所述第一區(qū)域和所述第三區(qū)域中的所述多晶硅層和所述第一阻擋層進(jìn)行刻蝕，形成對(duì)應(yīng)所述第一區(qū)域中的所述第一區(qū)域溝道和對(duì)應(yīng)所述第三區(qū)域中的所述第三區(qū)域溝道，使得所述第二區(qū)域?qū)?yīng)的所述多晶硅層和所述第一阻擋層得以保留；
[0015]對(duì)所述第一區(qū)域溝道和所述第三區(qū)域溝道內(nèi)的所述柵氧化層進(jìn)行刻蝕。
[0016]進(jìn)一步的，在所述往置放有所述半導(dǎo)體器件的加工爐中通入符合第一預(yù)設(shè)條件的混合氣體之后，所述方法還包括:
[0017]對(duì)所述第二區(qū)域中的所述第一阻擋層進(jìn)行刻蝕；
[0018]在所述第二區(qū)域中的所述多晶硅層表面沉積第一金屬；
[0019]對(duì)置放于所述加工爐中的所述半導(dǎo)體器件進(jìn)行符合第二預(yù)設(shè)條件的第二退火處理，以形成金屬娃化物；
[0020]清除所述多晶硅層表面未反應(yīng)的所述第一金屬。
[0021]進(jìn)一步的，在所述清除所述多晶硅層表面未反應(yīng)的所述第一金屬之后，所述方法還包括:
[0022]對(duì)置放于所述加工爐中的所述半導(dǎo)體器件進(jìn)行符合第三預(yù)設(shè)條件的第三退火處理；
[0023]在所述第一區(qū)域溝道和所述第三區(qū)域溝道內(nèi)的熱氧化層表面以及所述第二區(qū)域中的所述金屬硅化物表面生成第二阻擋層；
[0024]在所述第二阻擋層表面沉積第二金屬，以形成場(chǎng)板層。
[0025]進(jìn)一步的，在所述在多晶硅層表面生成第一阻擋層之前，所述方法還包括:
[0026]在所述外延層表面生長(zhǎng)所述柵氧化層；
[0027]在所述柵氧化層表面沉積所述多晶硅層。
[0028]進(jìn)一步的，在所述對(duì)所述第一區(qū)域和所述第三區(qū)域中的所述多晶硅層和所述第一阻擋層進(jìn)行刻蝕之后，所述方法還包括:
[0029]通過(guò)對(duì)所述第一區(qū)域注入符合第二劑量的第二離子，以形成阱；
[0030]對(duì)所述半導(dǎo)體器件進(jìn)行推阱處理，以使所述阱達(dá)到預(yù)設(shè)結(jié)深。
[0031]進(jìn)一步的，所述第一預(yù)設(shè)條件具體為:1個(gè)大氣壓下，通入速度為2~10升/分鐘，通入時(shí)間為30-60分鐘。
[0032]進(jìn)一步的，所述混合氣體為氣體體積比為1:1的氫氣和氧氣的混合物。
[0033]進(jìn)一步的，所述第一金屬具體為鈦或鈷或鎳。
[0034]進(jìn)一步的，所述進(jìn)行符合第二預(yù)設(shè)條件的第二退火處理，具體包括:
[0035]將所述加工爐升溫到第一溫度值，并使其在第一預(yù)設(shè)時(shí)間內(nèi)保持所述第一溫度值；
[0036]在第二預(yù)設(shè)時(shí)間內(nèi)將所述加工爐的溫度從所述第一溫度值降到第二溫度值。
[0037]進(jìn)一步的，所述進(jìn)行符合第三預(yù)設(shè)條件的第三退火處理，具體包括:
[0038]將所述加工爐升溫到第三溫度值，并使其在第三預(yù)設(shè)時(shí)間內(nèi)保持所述第三溫度值；
[0039]在第四預(yù)設(shè)時(shí)間內(nèi)將所述加工爐的溫度從所述第三溫度值降到第四溫度值。[0040]進(jìn)一步的，所述在所述第二阻擋層表面沉積第二金屬，以形成場(chǎng)板，具體包括:
[0041]在所述第二阻擋層表面沉積第二金屬；
[0042]對(duì)所述第二金屬進(jìn)行光刻，以形成場(chǎng)板。
[0043]本申請(qǐng)實(shí)施例中提供的一個(gè)或多個(gè)技術(shù)方案，至少具有如下技術(shù)效果或優(yōu)點(diǎn):
[0044]本發(fā)明實(shí)施例中，通過(guò)往置放有所述半導(dǎo)體器件的加工爐中通入符合第一預(yù)設(shè)條件的混合氣體，以對(duì)所述半導(dǎo)體器件進(jìn)行第一退火處理，解決了現(xiàn)有技術(shù)中，由于源區(qū)和漏區(qū)的注入，使得半導(dǎo)體器件存在注入損傷的技術(shù)問(wèn)題，實(shí)現(xiàn)了修復(fù)氧化層上原子分布雜亂、質(zhì)地疏松以及空洞的技術(shù)效果；
[0045]進(jìn)而，由于修復(fù)了注入損傷，所述氧化層能夠阻止金屬和多晶硅發(fā)生反應(yīng)，解決了源區(qū)或者多晶硅層內(nèi)壁會(huì)留有金屬硅化物，使得半導(dǎo)體器件在工作中存在短路的技術(shù)問(wèn)題，從而器件可以正常工作。
【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0046]圖1為本發(fā)明一實(shí)施例中制作RFLDM0S的流程圖；
[0047]圖2為本發(fā)明一實(shí)施例中形成柵氧化層之后的半導(dǎo)體器件半成品的結(jié)構(gòu)圖；
[0048]圖3為本發(fā)明一實(shí)施例中形成多晶硅層之后的半導(dǎo)體器件半成品的結(jié)構(gòu)圖；
[0049]圖4為本發(fā)明一實(shí)施例中形成第一阻擋層之后的半導(dǎo)體器件半成品的結(jié)構(gòu)圖；
[0050]圖5為本發(fā)明一實(shí)施例中形成第一區(qū)域溝道和第三區(qū)域溝道之后的半導(dǎo)體器件半成品的結(jié)構(gòu)圖；
[0051]圖6為本發(fā)明一實(shí)施例中形成阱之后的半導(dǎo)體器件半成品的結(jié)構(gòu)圖；
[0052]圖7為本發(fā)明一實(shí)施例中對(duì)柵氧化層刻蝕之后的半導(dǎo)體器件半成品的結(jié)構(gòu)圖；
[0053]圖8為本發(fā)明一實(shí)施例中形成熱氧化層之后的半導(dǎo)體器件半成品的結(jié)構(gòu)圖；
[0054]圖9為本發(fā)明一實(shí)施例中形成源區(qū)和漏區(qū)之后的半導(dǎo)體器件半成品的結(jié)構(gòu)圖；
[0055]圖10為本發(fā)明一實(shí)施例中對(duì)第一阻擋層刻蝕之后的半導(dǎo)體器件半成品的結(jié)構(gòu)圖；
[0056]圖11為本發(fā)明一實(shí)施例中沉積第一金屬之后的半導(dǎo)體器件半成品的結(jié)構(gòu)圖；
[0057]圖12為本發(fā)明一實(shí)施例中形成第二阻擋層之后的半導(dǎo)體器件半成品的結(jié)構(gòu)圖；
[0058]圖13為本發(fā)明一實(shí)施例中高頻水平雙擴(kuò)散結(jié)構(gòu)半導(dǎo)體器件的結(jié)構(gòu)圖。
【具體實(shí)施方式】
[0059]本發(fā)明實(shí)施例提供一種高頻水平雙擴(kuò)散結(jié)構(gòu)半導(dǎo)體器件及其制造方法，用于解決現(xiàn)有技術(shù)中由于由于源區(qū)和漏區(qū)的注入，使得半導(dǎo)體器件存在注入損傷的技術(shù)問(wèn)題，實(shí)現(xiàn)了修復(fù)注入損傷，使半導(dǎo)體器件能夠正常工作的技術(shù)效果。
[0060]本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案為解決上述問(wèn)題，總體思路如下:
[0061 ] 通過(guò)在完成刻蝕柵氧化層之后的第一區(qū)域溝道和第三區(qū)域溝道內(nèi)生長(zhǎng)熱氧化層，其中，所述第一區(qū)域溝道和所述第三區(qū)域溝道形成于外延層上；通過(guò)對(duì)所述第一區(qū)域和所述第三區(qū)域注入符合第一劑量的第一離子，以形成源區(qū)和漏區(qū)；往置放有所述半導(dǎo)體器件的加工爐中通入符合第一預(yù)設(shè)條件的混合氣體，以對(duì)所述半導(dǎo)體器件進(jìn)行第一退火處理，使得在形成所述源區(qū)和漏區(qū)過(guò)程中對(duì)所述熱氧化層造成的損傷得到修復(fù)。為了更好的理解上述技術(shù)方案，下面將結(jié)合說(shuō)明書(shū)附圖以及具體的實(shí)施方式對(duì)上述技術(shù)方案進(jìn)行詳細(xì)的說(shuō)明。
[0062]本發(fā)明一實(shí)施例中提供了一種高頻水平雙擴(kuò)散結(jié)構(gòu)半導(dǎo)體器件的制造方法，所述方法包括如圖1所示的制作流程，具體為:
[0063]SlOl:在外延層表面生長(zhǎng)所述柵氧化層，具體結(jié)構(gòu)如圖2所示。
[0064]S102:在所述柵氧化層表面沉積所述多晶硅層，其中，所述多晶硅層覆蓋于由第一區(qū)域、第二區(qū)域和第三區(qū)域構(gòu)成的外延層上。經(jīng)過(guò)步驟S102得到如圖3所示的半導(dǎo)體器件半成品。
[0065]在完成步驟S102之后，進(jìn)入步驟S103:在多晶硅層表面生成第一阻擋層，得到如圖4所述的半導(dǎo)體器件半成品。
[0066]在具體實(shí)施例中，所述第一阻擋層為氮化硅，其作用是使多晶硅層與其他介質(zhì)層隔離，起到遮蔽作用。[0067]在完成步驟S103之后，進(jìn)入步驟S104:對(duì)所述第一區(qū)域和第三區(qū)域中的所述多晶硅層和所述第一阻擋層進(jìn)行刻蝕，形成對(duì)應(yīng)所述第一區(qū)域中的第一區(qū)域溝道和對(duì)應(yīng)所述第三區(qū)域中的第三區(qū)域溝道，使得所述第二區(qū)域?qū)?yīng)的所述多晶硅層和所述第一阻擋層得以保留。經(jīng)過(guò)步驟S104得到如圖5所示的半導(dǎo)體器件半成品。其中，所述刻蝕范圍依照生產(chǎn)要求進(jìn)行設(shè)定。
[0068]在完成步驟S104之后，進(jìn)入步驟S105:通過(guò)對(duì)所述第一區(qū)域注入符合第二劑量的第二離子，以形成阱，并對(duì)所述半導(dǎo)體器件進(jìn)行推阱處理，以使所述阱達(dá)到預(yù)設(shè)結(jié)深。經(jīng)過(guò)步驟S105得到如圖6所示的半導(dǎo)體器件半成品。
[0069]在具體實(shí)施例中，第二離子可以為硼離子，其注入的第一劑量依照實(shí)際情況而定，可以在1E13~1E15之間進(jìn)行選擇。
[0070]在完成步驟S105之后，進(jìn)入步驟S106:對(duì)所述第一區(qū)域溝道和所述第三區(qū)域溝道內(nèi)的柵氧化層進(jìn)行刻蝕，得到如圖7所示的半導(dǎo)體器件半成品。
[0071]在完成步驟S106之后，進(jìn)入步驟S107:在所述第一區(qū)域溝道和所述第三區(qū)域溝道內(nèi)生長(zhǎng)熱氧化層，得到如圖8所示的半導(dǎo)體器件半成品。
[0072]在具體實(shí)施例中，將半導(dǎo)體器件置于高溫下，通過(guò)使多晶硅表面一薄層的硅轉(zhuǎn)變?yōu)槎趸?，以形成熱氧化層，所述熱氧化層的厚度?50-300Α之間。該過(guò)程中的熱氧化工藝有干氧氧化法、水汽氧化法及濕氧氧化法等方法。通常還采用干氧-濕氧-干氧交替氧化法，其工藝條件為在1000°C~1200°C的高溫下，總氧化時(shí)間大于30分鐘。
[0073]在完成步驟S107之后，進(jìn)入步驟S108:通過(guò)對(duì)所述第一區(qū)域和所述第三區(qū)域注入符合第一劑量的第一離子，以形成源區(qū)和漏區(qū)，得到如圖9所示的半導(dǎo)體器件半成品。
[0074]在具體實(shí)施例中，第一離子為砷離子，第一劑量依照具體情況進(jìn)行選擇，通常1E15以上。
[0075]在完成步驟S108之后，進(jìn)入步驟S109:往置放有所述半導(dǎo)體器件的加工爐中通入符合第一預(yù)設(shè)條件的混合氣體，以對(duì)所述半導(dǎo)體器件進(jìn)行第一退火處理，使得在形成所述源區(qū)和漏區(qū)過(guò)程中對(duì)所述熱氧化層造成的損傷得到修復(fù)。
[0076]在具體實(shí)施例中，在I個(gè)大氣壓下，加工爐的溫度可以在800°C~1000°C之間進(jìn)行選擇，通常采用900°C。向加工爐通入的混合氣體為體積為1:1的氧氣和氮?dú)?，通入速度?~10升/分鐘，通入時(shí)間為30-60分鐘。
[0077]通過(guò)上述步驟解決了現(xiàn)有技術(shù)中，由于源區(qū)和漏區(qū)的注入，使得半導(dǎo)體器件存在注入損傷的技術(shù)問(wèn)題，實(shí)現(xiàn)了修復(fù)氧化層上原子分布雜亂、質(zhì)地疏松以及空洞的技術(shù)效果。
[0078]在完成步驟S109之后，進(jìn)入步驟SllO:對(duì)所述第二區(qū)域中的所述第一阻擋層進(jìn)行刻蝕，得到如圖10所示的半導(dǎo)體器件半成品。
[0079]在具體實(shí)施例中，利用磷酸去除所述第一阻擋層，其中，磷酸的濃度85%左右，溫度在170°C左右。
[0080]在完成步驟SllO之后，進(jìn)入步驟Slll:在所述第二區(qū)域中的所述多晶硅層表面沉積第一金屬，得到如圖11所示的半導(dǎo)體器件半成品。
[0081]在具體實(shí)施例中，第一金屬為鈦或鈷或鎳，沉積的厚度在30(T1000A之間。
[0082]在完成步驟Slll之后，進(jìn)入步驟S112:對(duì)置放于所述加工爐中的所述半導(dǎo)體器件進(jìn)行符合第二預(yù)設(shè)條件的第二退火處理，以形成金屬硅化物。
[0083]在具體實(shí)施例中，使置放有所述半導(dǎo)體器件的加工爐升溫到700°C，并在第一預(yù)設(shè)時(shí)間內(nèi)保持所述溫度，其中，第一預(yù)設(shè)時(shí)間可以在10秒飛O秒之間選擇。接著，將加工爐的溫度在第四預(yù)設(shè)時(shí)間內(nèi)從700°c降到200°C，其中，第二預(yù)設(shè)時(shí)間為I分鐘，通過(guò)上述過(guò)程完成第二退火處理，在第二區(qū)域中多晶硅層表面形成了金屬硅化物。
[0084]由于在步驟S109中進(jìn)行第一退火處理以使氧化層的損傷進(jìn)行修復(fù)，所述氧化層能夠阻止金屬和多晶硅發(fā)生反應(yīng)，解決了源區(qū)或者多晶硅層內(nèi)壁會(huì)留有金屬硅化物，使得半導(dǎo)體器件在工作中存在短路的技術(shù)問(wèn)題，從而器件可以正常工作。
`[0085]在完成步驟S112之后，進(jìn)入步驟S113:清除所述多晶硅層表面未反應(yīng)的所述第一金屬。在具體實(shí)施例中，利用濕法刻蝕所述第一金屬。
[0086]在完成步驟S113之后，進(jìn)入步驟S114:對(duì)置放于所述加工爐中的所述半導(dǎo)體器件進(jìn)行符合第三預(yù)設(shè)條件的第三退火處理。
[0087]在具體實(shí)施例中，使置放有所述半導(dǎo)體器件的加工爐升溫到900°C，并在第三預(yù)設(shè)時(shí)間內(nèi)保持所述溫度，其中，第三預(yù)設(shè)時(shí)間可以在10秒飛O秒之間選擇。接著，將加工爐的溫度在第四預(yù)設(shè)時(shí)間內(nèi)從900°c降到200°C，其中，第四預(yù)設(shè)時(shí)間為I分鐘，通過(guò)上述過(guò)程完成第三退火處理，使得金屬硅化物的電阻變得更低，增強(qiáng)了半導(dǎo)體器件的耐壓效果和頻率特性。
[0088]在完成步驟S114之后，進(jìn)入步驟S115:在所述第一區(qū)域溝道和所述第三區(qū)域溝道內(nèi)的熱氧化層表面以及所述第二區(qū)域中的所述金屬硅化物表面生成第二阻擋層，得到如圖12所示的半導(dǎo)體器件半成品。
[0089]在具體實(shí)施例中，利用LPTEOS的低壓化學(xué)氣相沉積方法生成所述第二阻擋層，低壓氣相沉積是在27-270Pa的反應(yīng)壓力下進(jìn)行的化學(xué)氣相淀積，它的特點(diǎn)是:膜的質(zhì)量和均勻性好，產(chǎn)量高，成本低，易于實(shí)現(xiàn)自動(dòng)化，一般工藝流程為:裝片-進(jìn)舟-對(duì)反應(yīng)室抽真空-檢查設(shè)備是否正常-充N2吹掃并升溫-再抽真空-保持壓力穩(wěn)定后開(kāi)始淀積-關(guān)閉所有工藝氣體，重新抽真空-回沖N2到常壓-出爐。在LPTEOS工藝中，溫度為600°C、00°C，使用的氣體為TE0S，也就是Si (OC2H5),氣體流量為10-1000標(biāo)準(zhǔn)立方厘米/分鐘。
[0090]S116:在所述第二阻擋層表面沉積第二金屬，以形成場(chǎng)板層，得到如圖13所示的高頻水平雙擴(kuò)散結(jié)構(gòu)半導(dǎo)體器件。[0091]在具體實(shí)施例中，首先，在所述第二阻擋層表面沉積第二金屬，其中，第二金屬可以為硅化鎢，也可以為氮化鈦，接著，對(duì)所述第二金屬進(jìn)行光刻，通過(guò)對(duì)其表面進(jìn)行清洗烘干、涂底、旋涂光刻膠、軟烘、對(duì)準(zhǔn)曝光、后烘、顯影、硬烘、刻蝕、檢測(cè)等工序，最終獲得場(chǎng)板，如圖13所示。
[0092]本申請(qǐng)實(shí)施例中提供的一個(gè)或多個(gè)技術(shù)方案，至少具有如下技術(shù)效果或優(yōu)點(diǎn):
[0093]本發(fā)明實(shí)施例中，通過(guò)往置放有所述半導(dǎo)體器件的加工爐中通入符合第一預(yù)設(shè)條件的混合氣體，以對(duì)所述半導(dǎo)體器件進(jìn)行第一退火處理，解決了現(xiàn)有技術(shù)中，由于源區(qū)和漏區(qū)的注入，使得半導(dǎo)體器件存在注入損傷的技術(shù)問(wèn)題，實(shí)現(xiàn)了修復(fù)氧化層上原子分布雜亂、質(zhì)地疏松以及空洞的技術(shù)效果；
[0094]進(jìn)而，由于修復(fù)了注入損傷，所述氧化層能夠阻止金屬和多晶硅發(fā)生反應(yīng)，解決了源區(qū)或者多晶硅層內(nèi)壁會(huì)留有金屬硅化物，使得半導(dǎo)體器件在工作中存在短路的技術(shù)問(wèn)題，從而器件可以正常工作。
[0095]顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對(duì)本發(fā)明進(jìn)行各種改動(dòng)和變型而不脫離本發(fā)明的精神和范圍。這樣，倘若本發(fā)明的這些修改和變型屬于本發(fā)明權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍之內(nèi)，則本發(fā)明也意圖包含這些改動(dòng)和變型在內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種高頻水平雙擴(kuò)散結(jié)構(gòu)半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，包括: 在完成刻蝕柵氧化層之后的第一區(qū)域溝道和第三區(qū)域溝道內(nèi)生長(zhǎng)熱氧化層，其中，所述第一區(qū)域溝道和所述第三區(qū)域溝道形成于外延層上； 通過(guò)對(duì)所述第一區(qū)域和所述第三區(qū)域注入符合第一劑量的第一離子，以形成源區(qū)和漏區(qū)； 往置放有所述半導(dǎo)體器件的加工爐中通入符合第一預(yù)設(shè)條件的混合氣體，以對(duì)所述半導(dǎo)體器件進(jìn)行第一退火處理，使得在形成所述源區(qū)和漏區(qū)過(guò)程中對(duì)所述熱氧化層造成的損傷得到修復(fù)。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在所述在第一區(qū)域溝道和第三區(qū)域溝道內(nèi)生長(zhǎng)熱氧化層之前，所述方法還包括: 在多晶硅層表面生成第一阻擋層，其中，所述多晶硅層覆蓋于由所述第一區(qū)域、第二區(qū)域和所述第三區(qū)域構(gòu)成的所述外延層上； 對(duì)所述第一區(qū)域和所述第三區(qū)域中的所述多晶硅層和所述第一阻擋層進(jìn)行刻蝕，形成對(duì)應(yīng)所述第一區(qū)域中的所述第一區(qū)域溝道和對(duì)應(yīng)所述第三區(qū)域中的所述第三區(qū)域溝道，使得所述第二區(qū)域?qū)?yīng)的所述多晶硅層和所述第一阻擋層得以保留； 對(duì)所述第一區(qū)域溝道和所述第三區(qū)域溝道內(nèi)的所述柵氧化層進(jìn)行刻蝕。
3.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在所述往置放有所述半導(dǎo)體器件的加工爐中通入符合第一預(yù)設(shè)條件的混合氣體之后，所述方法還包括: 對(duì)所述第二區(qū)域中的所述第一阻擋層進(jìn)行刻蝕；` 在所述第二區(qū)域中的所述多晶硅層表面沉積第一金屬； 對(duì)置放于所述加工爐中的所述半導(dǎo)體器件進(jìn)行符合第二預(yù)設(shè)條件的第二退火處理，以形成金屬硅化物； 清除所述多晶硅層表面未反應(yīng)的所述第一金屬。
4.如權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，在所述清除所述多晶硅層表面未反應(yīng)的所述第一金屬之后，所述方法還包括: 對(duì)置放于所述加工爐中的所述半導(dǎo)體器件進(jìn)行符合第三預(yù)設(shè)條件的第三退火處理；在所述第一區(qū)域溝道和所述第三區(qū)域溝道內(nèi)的熱氧化層表面以及所述第二區(qū)域中的所述金屬硅化物表面生成第二阻擋層； 在所述第二阻擋層表面沉積第二金屬，以形成場(chǎng)板層。
5.如權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，在所述在多晶硅層表面生成第一阻擋層之前，所述方法還包括: 在所述外延層表面生長(zhǎng)所述柵氧化層； 在所述柵氧化層表面沉積所述多晶硅層。
6.如權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，在所述對(duì)所述第一區(qū)域和所述第三區(qū)域中的所述多晶硅層和所述第一阻擋層進(jìn)行刻蝕之后，所述方法還包括: 通過(guò)對(duì)所述第一區(qū)域注入符合第二劑量的第二離子，以形成阱； 對(duì)所述半導(dǎo)體器件進(jìn)行推阱處理，以使所述阱達(dá)到預(yù)設(shè)結(jié)深。
7.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一預(yù)設(shè)條件具體為:I個(gè)大氣壓下，通入速度為2~10升/分鐘，通入時(shí)間為30~60分鐘。
8.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述混合氣體為氣體體積比為1:1的氫氣和氧氣的混合物。
9.如權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，所述第一金屬具體為鈦或鈷或鎳。
10.如權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，所述進(jìn)行符合第二預(yù)設(shè)條件的第二退火處理，具體包括: 將所述加工爐升溫到第一溫度值，并使其在第一預(yù)設(shè)時(shí)間內(nèi)保持所述第一溫度值； 在第二預(yù)設(shè)時(shí)間內(nèi)將所述加工爐的溫度從所述第一溫度值降到第二溫度值。
11.如權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于，所述進(jìn)行符合第三預(yù)設(shè)條件的第三退火處理，具體包括: 將所述加工爐升溫到第三溫度值，并使其在第三預(yù)設(shè)時(shí)間內(nèi)保持所述第三溫度值； 在第四預(yù)設(shè)時(shí)間內(nèi)將所述加工爐的溫度從所述第三溫度值降到第四溫度值。
12.如權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于，所述在所述第二阻擋層表面沉積第二金屬，以形成場(chǎng)板，具體包括: 在所述第二阻擋層表面沉積第二金屬； 對(duì)所述第二 金屬進(jìn)行光刻，以形成場(chǎng)板。
【文檔編號(hào)】H01L21/336GK103871883SQ201210550141
【公開(kāi)日】2014年6月18日 申請(qǐng)日期:2012年12月17日 優(yōu)先權(quán)日:2012年12月17日
【發(fā)明者】聞?wù)h, 馬萬(wàn)里, 趙文魁 申請(qǐng)人:北大方正集團(tuán)有限公司, 深圳方正微電子有限公司