專利名稱：半導(dǎo)體裝置的制造方法、基板處理方法及基板處理裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及包括在基板上形成薄膜的工序的半導(dǎo)體裝置的制造方法、基板處理方法及基板處理裝置。
背景技術(shù)：
在半導(dǎo)體裝置(器件)的制造工序中，包括在硅晶圓等基板上形成氧化硅膜(SiO2膜、以下也簡稱SiO膜)、氮化硅膜(Si3N4膜、以下也簡稱為SiN膜)等硅類絕緣膜，即包含作為規(guī)定元素的硅的絕緣膜的工序。氧化硅膜其絕緣性、低介電性等出色，廣泛用作絕緣膜、層間膜。另外，氮化硅膜其絕緣性、耐腐蝕性、介電性、膜應(yīng)力控制性等出色，廣泛用作絕緣膜、掩模、蓄電膜、應(yīng)力控制膜。此外，公知當(dāng)這些絕緣膜中含有碳(C)時(shí)，能提高絕緣膜的抗蝕刻性。作為用于形成使氮化硅膜含有碳的碳氮化硅膜(SiCN膜)，即用于形成含有作為規(guī)定元素的硅、碳及氮的膜(以下也簡稱碳氮膜)的手法，公知有向基板交替供給含有硅
(Si)的氣體、含有碳(C)的氣體、含有氮(N)的氣體這三種氣體的手法。但是，三種氣體的控制較為復(fù)雜，在采用上述手法的情況下，會降低成膜時(shí)的生產(chǎn)率。另外，在采用上述手法的情況下，不容易使碳氮化硅膜中的碳濃度成為例如25at%以上的高濃度。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明的目的在于，提供一種能提高形成碳氮膜時(shí)的生產(chǎn)率，并提高碳氮膜中的碳濃度的半導(dǎo)體裝置的制造方法、基板處理方法及基板處理裝置。根據(jù)本發(fā)明的一技術(shù)方案，提供一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，其具有通過交替進(jìn)行規(guī)定次數(shù)的如下工序而在基板上形成含有規(guī)定元素、氮及碳的膜的工序:向上述基板供給含有上述規(guī)定元素和鹵素的原料氣體的工序；向上述基板供給由碳、氮及氫三種元素構(gòu)成且組成式中碳原子數(shù)多于氮原子數(shù)的反應(yīng)氣體的工序。根據(jù)本發(fā)明的另一技術(shù)方案，提供一種基板處理方法，其具有通過交替進(jìn)行規(guī)定次數(shù)的如下工序而在基板上形成含有規(guī)定元素、氮及碳的膜的工序:向上述基板供給含有上述規(guī)定元素和鹵素的原料氣體的工序；向上述基板供給由碳、氮及氫三種元素構(gòu)成且組成式中碳原子數(shù)多于氮原子數(shù)的反應(yīng)氣體的工序。根據(jù)本發(fā)明的又一技術(shù)方案，提供一種基板處理裝置，其包括:處理室，用于收容基板；原料氣體供給系統(tǒng)，用于向上述處理室內(nèi)供給含有規(guī)定元素和鹵素的原料氣體；反應(yīng)氣體供給系統(tǒng)，用于向上述處理室內(nèi)供給由碳、氮及氫三種元素構(gòu)成且組成式中碳原子數(shù)多于氮原子數(shù)的反應(yīng)氣體；控制部，用于控制上述原料氣體供給系統(tǒng)和上述反應(yīng)氣體供給系統(tǒng)，以通過交替進(jìn)行規(guī)定次數(shù)的向上述處理室內(nèi)的基板供給上述原料氣體的處理和向上述處理室內(nèi)的上述基板供給上述反應(yīng)氣體的處理而進(jìn)行在上述基板上形成含有上述規(guī)定元素、氮及碳的膜的處理。根據(jù)本發(fā)明的再一技術(shù)方案，提供一種程序，其用于使計(jì)算機(jī)執(zhí)行通過交替進(jìn)行規(guī)定次數(shù)的如下兩道流程而在基板上形成含有規(guī)定元素、氮及碳的膜的流程:向上述基板供給含有上述規(guī)定元素和鹵素的原料氣體的流程；向上述基板供給由碳、氮及氫三種元素構(gòu)成且組成式中碳原子數(shù)多于氮原子數(shù)的反應(yīng)氣體的流程。根據(jù)本發(fā)明，能夠提供能提高形成碳氮膜時(shí)的生產(chǎn)率，并提高碳氮膜中的碳濃度的半導(dǎo)體裝置的制造方法、基板處理方法及基板處理裝置。


圖1是本實(shí)施方式中適用的基板處理裝置的立式處理爐的概略結(jié)構(gòu)圖，是以縱剖視圖表示處理爐部分的圖。圖2是本實(shí)施方式中適用的基板處理裝置的立式處理爐的概略結(jié)構(gòu)圖，是以圖1的A-A剖視圖表示處理爐部分的圖。圖3是本實(shí)施方式中適用的基板處理裝置的控制器的概略結(jié)構(gòu)圖。圖4是表示本實(shí)施方式中的成膜流程的圖。圖5是表示本實(shí)施方式的成膜時(shí)序中氣體供給時(shí)機(jī)的圖。圖6是表不另一實(shí)施方式的成膜時(shí)序中氣體供給時(shí)機(jī)的圖。圖7是表示本發(fā)明的實(shí)施例中的SiCN膜的各種測定結(jié)果的圖。
具體實(shí)施例方式〈本發(fā)明的一實(shí)施方式〉下面基于

本發(fā)明的實(shí)施方式。(I)基板處理裝置的結(jié)構(gòu)圖1是本實(shí)施方式中適用的基板處理裝置的立式處理爐的概略結(jié)構(gòu)圖，以縱剖視圖的形式表示處理爐202。圖2是本實(shí)施方式中適用的立式處理爐的概略結(jié)構(gòu)圖，以圖1的A-A剖視圖的形式表示處理爐202部分。如圖1所示，處理爐202具有作為加熱部件(加熱機(jī)構(gòu))的加熱器207。加熱器207呈圓筒形狀，通過被支承于作為保持板的加熱器基座(未圖示)上而垂直安設(shè)。另外，如后所述，加熱器207也作為通過熱量使氣體活化(激發(fā))的活化機(jī)構(gòu)(激發(fā)部)發(fā)揮功倉泛。在加熱器207的內(nèi)側(cè)配設(shè)有反應(yīng)管203，反應(yīng)管203與加熱器207呈同心圓狀地構(gòu)成反應(yīng)容器(處理容器)。反應(yīng)管203例如由石英(SiO2)或碳化硅(SiC)等耐熱性材料構(gòu)成，形成為上端封閉下端開口的圓筒形狀。在反應(yīng)管203的筒中空部中形成有處理室201，處理室201能夠利用后述的舟皿(boat) 217以呈水平姿勢沿垂直方向多層排列的狀態(tài)收容作為基板的晶圓200。在處理室201內(nèi)以貫穿反應(yīng)管203的下部的方式設(shè)有第I噴嘴249a和第2噴嘴249b。在第I噴嘴249a和第2噴嘴249b上分別連接有第I氣體供給管232a和第2氣體供給管232b。這樣，在反應(yīng)管203中設(shè)有兩支噴嘴249a、249b以及兩條氣體供給管232a、232b，從而能向處理室201內(nèi)供給多種氣體，在此為兩種氣體。另外，在反應(yīng)管203的下方設(shè)有支承反應(yīng)管203的金屬制的總管(manifold)，可以使各噴嘴貫穿該金屬制的總管的側(cè)壁。在該情況下，在該金屬制的總管上還可以設(shè)置后述的排氣管231。另外，即使在該情況下，也可以將排氣管231設(shè)置于反應(yīng)管203的下部，而非設(shè)于金屬制的總管上。這樣，可以使處理爐的爐口部為金屬制，在該金屬制的爐口部安裝噴嘴等。在第I氣體供給管232a上，自上游方向起依次設(shè)有作為流量控制器(流量控制部)的質(zhì)量流量控制器(MFC) 241a以及作為開閉閥的閥門243a。另外，在第I氣體供給管232a的閥門243a的下游側(cè)連接有第I非活性氣體供給管232c。在該第I非活性氣體供給管232c上，自上游方向起依次設(shè)有作為流量控制器(流量控制部)的質(zhì)量流量控制器241c以及作為開閉閥的閥門243c。另外，在第I氣體供給管232a的頂端部連接有上述的第I噴嘴249a。第I噴嘴249a在反應(yīng)管203的內(nèi)壁與晶圓200之間的圓弧狀的空間中，沿著從反應(yīng)管203的內(nèi)壁的下部到上部，朝晶圓200的堆疊方向上方立起地設(shè)置。即，第I噴嘴249a在位于排列晶圓200的晶圓排列區(qū)域的側(cè)方的、水平環(huán)繞晶圓排列區(qū)域的區(qū)域中，沿著晶圓排列區(qū)域設(shè)置。第I噴嘴249a構(gòu)成為L字型的長噴嘴，其水平部以貫穿反應(yīng)管203的下部側(cè)壁的方式設(shè)置，其垂直部以至少從晶圓排列區(qū)域的一端側(cè)朝另一端側(cè)立起的方式設(shè)置。在第I噴嘴249a的側(cè)面設(shè)有用于供給氣體的氣體供給孔250a。氣體供給孔250a朝向反應(yīng)管203的中心開口，從而能夠朝向晶圓200供給氣體。該氣體供給孔250a從反應(yīng)管203的下部直到上部設(shè)有多個(gè)，這些氣體供給孔250a具有相同的開口面積，并且以相同的開口間距設(shè)置。第I氣體供給系統(tǒng)主要由第I氣體供給管232a、質(zhì)量流量控制器241a、閥門243a構(gòu)成。另外，也可以將第I噴嘴249a算在第I氣體供給系統(tǒng)中。此外，第I非活性氣體供給系統(tǒng)主要由第I非活性氣體供給管232c、質(zhì)量流量控制器241c、閥門243c構(gòu)成。第I非活性氣體供給系統(tǒng)也作為凈化(purge)氣體供給系統(tǒng)發(fā)揮功能。在第2氣體供給管232b上，自上游方向起依次設(shè)有作為流量控制器(流量控制部)的質(zhì)量流量控制器(MFC) 241b以及作為開閉閥的閥門243b。另外，在第2氣體供給管232b的閥門243b的下游側(cè)連接有第2非活性氣體供給管232d。在該第2非活性氣體供給管232d上，自上游方向起依次設(shè)有作為流量控制器(流量控制部)的質(zhì)量流量控制器241d以及作為開閉閥的閥門243d。此外，在第2氣體供給管232b的頂端部連接有上述的第2噴嘴249b。第2噴嘴249b在反應(yīng)管203的內(nèi)壁與晶圓200之間的圓弧狀的空間中，自反應(yīng)管203的內(nèi)壁的下部沿著上部，朝晶圓200的堆疊方向上方立起地設(shè)置。即，第2噴嘴249b在位于排列晶圓200的晶圓排列區(qū)域的側(cè)方的、水平環(huán)繞晶圓排列區(qū)域的區(qū)域中，沿著晶圓排列區(qū)域設(shè)置。第2噴嘴24%構(gòu)成為L字型的長噴嘴，其水平部以貫穿反應(yīng)管203的下部側(cè)壁的方式設(shè)置，其垂直部以至少從晶圓排列區(qū)域的一端側(cè)朝向另一端側(cè)立起的方式設(shè)置。在第2噴嘴249b的側(cè)面設(shè)有用于供給氣體的氣體供給孔250b。氣體供給孔250b朝向反應(yīng)管203的中心開口，從而能夠朝向晶圓200供給氣體。該氣體供給孔250b自反應(yīng)管203的下部直到上部設(shè)有多個(gè)，這些氣體供給孔250b具有相同的開口面積，并且以相同的開口間距設(shè)置。第2氣體供給系統(tǒng)主要由第2氣體供給管232b、質(zhì)量流量控制器241b、閥門243b構(gòu)成。另外，也可以將第2噴嘴24%算在第2氣體供給系統(tǒng)中。此外，第2非活性氣體供給系統(tǒng)主要由第2非活性氣體供給管232d、質(zhì)量流量控制器241d、閥門243d構(gòu)成。第2非活性氣體供給系統(tǒng)也作為凈化氣體供給系統(tǒng)發(fā)揮功能。
這樣，在本實(shí)施方式的氣體供給方法中，通過配置在由反應(yīng)管203的內(nèi)壁和堆疊的多枚晶圓200的端部定義的圓弧狀的縱長空間內(nèi)的噴嘴249a，249b輸送氣體，從分別開口于噴嘴249a、249b的氣體供給孔250a、250b在晶圓200的附近首先向反應(yīng)管203內(nèi)噴出氣體，使反應(yīng)管203內(nèi)的氣體的主流朝向平行于晶圓200的表面的方向，即水平方向。通過采用這樣的結(jié)構(gòu)，能夠均勻地向各晶圓200供給氣體，具有能夠使形成于各晶圓200的薄膜的膜厚均勻的效果。另外，在晶圓200的表面上流動(dòng)的氣體，即反應(yīng)后的殘余氣體朝向排氣口即后述的排氣管231的方向流動(dòng)，該殘余氣體的流動(dòng)的方向根據(jù)排氣口的位置適當(dāng)確定，不限定于垂直方向。從第I氣體供給管232a通過質(zhì)量流量控制器241a、閥門243a、第I噴嘴249a向處理室201內(nèi)供給含有規(guī)定元素和鹵素的原料氣體，例如作為至少含有硅(Si)和氯(Cl)的原料氣體的氯娃燒(Chlorosilane)類原料氣體。在此，氯娃燒類原料氣體是指氣態(tài)的氯娃烷類原料，例如使常溫常壓下呈液態(tài)的氯硅烷類原料氣化所得的氣體、在常溫常壓下呈氣態(tài)的氯硅烷類原料等。此外，氯硅烷類原料是指具有作為鹵基的氯基的硅烷類原料，是至少含有硅(Si)和氯(Cl)的原料。即，這里所說的氯硅烷類原料可以說是鹵化物的一種。另夕卜，在本說明書中使用“原料” 一詞的情況包括指代“液態(tài)的液體原料”的情況、指代“氣態(tài)的原料氣體”的情況以及指代它們雙方的情況。因此，在本說明書中使用“氯硅烷類原料”一詞的情況包括指代“液態(tài)的氯硅烷類原料”的情況、指代“氣態(tài)的氯硅烷類原料氣體”的情況以及指代它們雙方的情況。作為氯硅烷類原料氣體，例如可以使用其組成式中(一個(gè)分子中)含有鹵基的配體(Cl)的數(shù)量為6的六氯乙硅烷(Si2Cl6、縮寫:HCDS)氣體。另外，在使用像HCDS這樣在常溫常壓下呈液態(tài)的液體原料時(shí)，要利用氣化器、起泡器(bubbler)等氣化系統(tǒng)使液體原料氣化，作為原料氣體(HCDS氣體)進(jìn)行供給。從第2氣體供給管232b通過質(zhì)量流量控制器241b、閥門243b、第2噴嘴249b向處理室201內(nèi)供給含有碳(C)和氮(N)的反應(yīng)氣體，例如含有胺的氣體，即胺類氣體。在此，胺類氣體是指氣態(tài)的胺，例如使常溫常壓下呈液態(tài)的胺氣化所得的氣體、常溫常壓下呈氣態(tài)的胺等含有胺基的氣體。胺類氣體包括乙胺、甲胺、丙胺、異丙胺、丁胺、異丁胺等胺。在此，胺是指以烷基等烴基取代氨(NH3)的氫原子的形態(tài)的化合物的統(tǒng)稱。即，胺具有烷基等烴基作為含有碳原子的配體。胺類氣體含有碳(C)、氮(N)及氫(H)三種元素，由于不含硅(Si)，因此也稱不含硅氣體，并且，由于不含硅及金屬，因此也稱不含硅及金屬的氣體。此夕卜，胺類氣體是含氮?dú)怏w，也是含碳?xì)怏w，還是含氫氣體。胺類氣體也可以稱為僅由碳(C)、氮(N)及氫(H)三種元素構(gòu)成的物質(zhì)。另外，在本說明書中使用“胺”的情況包括指代“液態(tài)的胺”的情況、指代“氣態(tài)的胺類氣體”的情況以及指代它們雙方的情況。作為胺類氣體，例如可以使用其組成式中(一個(gè)分子中)含有碳原子的配體(乙基)的數(shù)量為3，且其組成式中碳原子數(shù)多于氮原子數(shù)的三乙胺((C2H5)3N、縮寫:TEA)氣體。另外，在使用像TEA那樣在常溫常壓下呈液態(tài)的胺時(shí)，要利用氣化器、起泡器等氣化系統(tǒng)使液態(tài)的胺氣化，作為反應(yīng)氣體(TEA氣體)進(jìn)行供給。從非活性氣體供給管232c，232d分別通過質(zhì)量流量控制器241c、241d、閥門243c、243d、氣體供給管232a、232b、噴嘴249a、249b向處理室201內(nèi)供給作為非活性氣體的例如氮(N2)氣。另外，在例如從各氣體供給管分別流入上述那樣的氣體的情況下，由第I氣體供給系統(tǒng)構(gòu)成供給含有規(guī)定元素及鹵基的原料氣體的原料氣體供給系統(tǒng)，即氯硅烷類原料氣體供給系統(tǒng)。另外，氯硅烷類原料氣體供給系統(tǒng)也簡稱氯硅烷類原料供給系統(tǒng)。此外，由第2氣體供給系統(tǒng)構(gòu)成反應(yīng)氣體供給系統(tǒng)，即胺類氣體供給系統(tǒng)。另外，胺類氣體供給系統(tǒng)也簡稱胺供給系統(tǒng)。在反應(yīng)管203上設(shè)有用于排出處理室201內(nèi)的氣氛氣體的排氣管231。如圖2所示，在橫剖視圖中，排氣管231設(shè)于與設(shè)有反應(yīng)管203的第I噴嘴249a的氣體供給孔250a以及第2噴嘴249b的氣體供給孔250b的一側(cè)相對的一側(cè)，即設(shè)于夾著晶圓200與氣體供給孔250a、250b相反的一側(cè)。另外，如圖1所示，在縱剖視圖中，排氣管231設(shè)于設(shè)有氣體供給孔250a、250b的部位的下方。采用該結(jié)構(gòu)，從氣體供給孔250a、250b供給到處理室201內(nèi)的晶圓200附近的氣體朝向水平方向，即平行于晶圓200的表面的方向流動(dòng)之后，朝向下方流動(dòng)，從排氣管231被排出。處理室201內(nèi)的氣體的主流如上所述朝向水平方向流動(dòng)。在排氣管231上通過作為檢測處理室201內(nèi)的壓力的壓力檢測器(壓力檢測部)的壓力傳感器245以及作為壓力調(diào)節(jié)器(壓力調(diào)節(jié)部)的APC(自動(dòng)壓力控制器，AutoPressure Controller)閥門244連接有作為真空排氣裝置的真空泵246。另外，APC閥門244通過在使真空泵246動(dòng)作的狀態(tài)下開閉閥，能夠進(jìn)行處理室201內(nèi)的真空排氣及停止處理室201內(nèi)的真空排氣，并且，通過在使真空泵246動(dòng)作的狀態(tài)下調(diào)節(jié)閥開度，能夠調(diào)節(jié)處理室201內(nèi)的壓力。排氣系統(tǒng)主要由排氣管231、APC閥門244、壓力傳感器245構(gòu)成。另夕卜，也可以將真空泵246算在排氣系統(tǒng)內(nèi)。排氣系統(tǒng)通過一邊使真空泵246動(dòng)作，一邊基于由壓力傳感器245檢測到的壓力信息調(diào)節(jié)APC閥門244的閥開度，能夠進(jìn)行真空排氣使處理室201內(nèi)的壓力達(dá)到規(guī)定的壓力(真空度)。在反應(yīng)管203的下方設(shè)有作為能夠氣密性地封閉反應(yīng)管203的下端開口的爐口蓋體的密封蓋219。密封蓋219從垂直方向下側(cè)與反應(yīng)管203的下端抵接。密封蓋219例如由不銹鋼等金屬構(gòu)成，形成為圓盤狀。在密封蓋219的上表面設(shè)有作為與反應(yīng)管203的下端抵接的密封構(gòu)件的O型密封圈220。在密封蓋219的與處理室201相反的一側(cè)設(shè)置有使后述的作為基板保持具的舟皿217旋轉(zhuǎn)的旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)267。旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)267的旋轉(zhuǎn)軸255貫穿密封蓋219與舟皿217相連接。旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)267通過使舟皿217旋轉(zhuǎn)而使晶圓200旋轉(zhuǎn)。密封蓋219能通過作為垂直設(shè)置于反應(yīng)管203外部的升降機(jī)構(gòu)的舟皿升降機(jī)115而沿垂直方向升降。舟皿升降機(jī)115通過使密封蓋219升降，能夠?qū)⒅勖?17搬入處理室201內(nèi)及搬出到處理室201外。即，舟皿升降機(jī)115構(gòu)成為用于將舟皿217即晶圓200搬入處理室201內(nèi)及搬出到處理室201外的搬運(yùn)裝置(搬運(yùn)機(jī)構(gòu))。作為基板支承件的舟皿217例如由石英、碳化硅等耐熱性材料構(gòu)成，以使多枚晶圓200以水平姿勢且彼此中心對齊的狀態(tài)多層排列的方式支承多枚晶圓200。另外，在舟皿217的下部設(shè)有例如由石英、碳化硅等耐熱性材料構(gòu)成的絕熱構(gòu)件218，以使來自加熱器207的熱量不易傳到密封蓋219側(cè)。另外，絕熱構(gòu)件218也可以由以石英、碳化硅等耐熱性材料構(gòu)成的多張絕熱板，和以使這些絕熱板以水平姿勢多層排列的方式支承這些絕熱板的絕熱板架構(gòu)成。在反應(yīng)管203內(nèi)設(shè)有作為溫度檢測器的溫度傳感器263，通過基于由溫度傳感器263檢測到的溫度信息調(diào)節(jié)向加熱器207通電的情況，能使處理室201內(nèi)的溫度成為期望的溫度分布。溫度傳感器263與噴嘴249a、249b —樣構(gòu)成為L字型，沿著反應(yīng)管203的內(nèi)壁設(shè)置。如圖3所示，作為控制部(控制部件)的控制器121構(gòu)成為包括CPU(CentralProcessing Unit) 121a、RAM (Random Access Memory) 121b、存儲裝置 121c、I/O 接口 121d的計(jì)算機(jī)。RAM121b、存儲裝置121c、I/O接口 121d能通過內(nèi)部總線121e與CPU121a交換數(shù)據(jù)。在控制器121上連接有例如以觸摸面板等形式構(gòu)成的輸入輸出裝置122。存儲裝置121c例如由閃存、HDD (Hard Disk Drive)等構(gòu)成。存儲裝置121c內(nèi)以能讀取的方式存儲有記載著控制基板處理裝置的動(dòng)作的控制程序、后述的基板處理的流程、條件等的程序配方(Process Recipe)等。另外，程序配方是為了能使控制器121執(zhí)行后述的基板處理工序中的各流程以獲得規(guī)定的結(jié)果而組合而成的，作為程序發(fā)揮功能。以下，也將該程序配方、控制程序等統(tǒng)一簡稱為程序。另外，在本說明書中使用“程序”一詞的情況包括僅指程序配方本身的情況、僅指控制程序本身的情況以及指代它們雙方的情況。此夕卜，RAM121b構(gòu)成為臨時(shí)保存由CPU121a讀取出的程序、數(shù)據(jù)等的內(nèi)存區(qū)域(工作區(qū)域)。1/0 接口 121d 與上述的質(zhì)量流量控制器 241a、241b、241c、241d、閥門 243a、243b、243c、243d、壓力傳感器245、APC閥門244、真空泵246、加熱器207、溫度傳感器263、旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)267、舟皿升降機(jī)115等相連接。CPU121a從存儲裝置121c讀取控制程序并執(zhí)行控制程序，且根據(jù)來自輸入輸出裝置122的操作指令的輸入等從存儲裝置121c讀取程序配方。并且，CPU121a按照讀取出的程序配方的內(nèi)容，控制質(zhì)量流量控制器241a、241b、241c、241d對各種氣體的流量調(diào)節(jié)動(dòng)作，控制閥門243a、243b、243c、243d的開閉動(dòng)作，控制APC閥門244的開閉動(dòng)作以及APC閥門244基于壓力傳感器245進(jìn)行的壓力調(diào)節(jié)動(dòng)作，控制加熱器207基于溫度傳感器263進(jìn)行的溫度調(diào)節(jié)動(dòng)作，控制真空泵246的啟動(dòng)及停止，控制由旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)267進(jìn)行的舟皿217的旋轉(zhuǎn)及旋轉(zhuǎn)速度調(diào)節(jié)動(dòng)作，以及控制由舟皿升降機(jī)115進(jìn)行的舟皿217的升降動(dòng)作等。另外，控制器121不限定于構(gòu)成為專用的計(jì)算機(jī)的情況，也可以構(gòu)成為通用的計(jì)算機(jī)。例如，可以通過準(zhǔn)備存儲有上述程序的外部存儲裝置(例如磁帶、軟盤、硬盤等磁盤；CD,DVD等光盤；M0等光磁盤；USB存儲器、存儲卡等半導(dǎo)體存儲器)123，使用該外部存儲裝置123向通用的計(jì)算機(jī)中安裝程序等，來構(gòu)成本實(shí)施方式的控制器121。另外，用于向計(jì)算機(jī)供給程序的方法不限定于通過外部存儲裝置123來供給的情況。例如，也可以不通過外部存儲裝置123，而利用互聯(lián)網(wǎng)、專用線路等通信部件來提供程序。另外，存儲裝置121c、夕卜部存儲裝置123構(gòu)成為能被計(jì)算機(jī)讀取的記錄介質(zhì)。以下將它們統(tǒng)一簡稱為記錄介質(zhì)。另夕卜，在本說明書中使用記錄介質(zhì)一詞的情況包括僅包含存儲裝置121c本身的情況、僅包含外部存儲裝置123本身的情況以及包含它們雙方的情況。(2)基板處理工序接著，對使用上述的基板處理裝置的處理爐進(jìn)行作為半導(dǎo)體裝置(器件)的制造工序的一工序的、在基板上形成碳氮膜的例子進(jìn)行說明。另外，在以下說明中，構(gòu)成基板處理裝置的各部的動(dòng)作由控制器121控制。在本實(shí)施方式中，通過交替進(jìn)行規(guī)定次數(shù)的如下兩道工序而在晶圓200上形成含有規(guī)定元素、氮及碳的薄膜，即含有規(guī)定元素的碳氮膜:向處理室201內(nèi)的晶圓200供給含有規(guī)定元素和鹵素的原料氣體；向處理室201內(nèi)的晶圓200供給由碳、氮及氫三種元素構(gòu)成且組成式中(一個(gè)分子中)碳原子數(shù)多于氮原子數(shù)的反應(yīng)氣體。
另外，在本實(shí)施方式中，以使要形成的薄膜的組成比達(dá)到化學(xué)計(jì)量組成或不同于化學(xué)計(jì)量組成的規(guī)定的組成比為目的，控制含有構(gòu)成要形成的薄膜的多種元素的多種氣體的供給條件。例如，以使構(gòu)成要形成的薄膜的多種元素中的至少一種元素的化學(xué)計(jì)量組成與其他元素相比相對于化學(xué)計(jì)量組成為過量的目的，控制供給條件。以下，對一邊控制構(gòu)成要形成的薄膜的多種元素的比率，即薄膜的組成比，一邊進(jìn)行成膜的例子進(jìn)行說明。以下，使用圖4、圖5具體說明本實(shí)施方式的成膜時(shí)序。圖4是表示本實(shí)施方式的成膜流程的圖。圖5是表示本實(shí)施方式的成膜時(shí)序中氣體供給時(shí)機(jī)的圖。另外，在此，以通過交替進(jìn)行規(guī)定次數(shù)的如下兩道工序而在晶圓200上形成作為硅類絕緣膜的碳氮化硅膜(SiCN膜)的情況為例進(jìn)行說明:作為原料氣體，向處理室201內(nèi)的晶圓200供給作為氯硅烷類原料氣體的HCDS氣體，在晶圓200上形成含有規(guī)定元素(硅)和鹵素(氯)的第I層的工序；作為由碳、氮及氫三種元素構(gòu)成且組成式中(一個(gè)分子中)碳原子數(shù)多于氮原子數(shù)的反應(yīng)氣體，向處理室201內(nèi)的晶圓200供給作為其組成式中具有多個(gè)(三個(gè))含有碳原子的配體(乙基)的胺類氣體的TEA氣體，使TEA氣體和第I層發(fā)生反應(yīng)，形成含有硅、氮及碳的第2層的工序。另外，本說明書中使用“晶圓”一詞的情況包括指代“晶圓自身”的情況，和指代“晶圓與形成于其表面的規(guī)定的層、膜等的層疊體(集合體)”的情況(即，將形成于表面的規(guī)定的層、膜等也算在晶圓內(nèi)的情況)。另外，在本說明書中使用“晶圓的表面”一詞的情況包括指代“晶圓自身的表面(露出面)”的情況，和指代“形成于晶圓上的規(guī)定的層、膜等的表面，即作為層疊體的晶圓的最外表面”的情況。 因此，在本說明書中記載“向晶圓供給規(guī)定的氣體”的情況包括指代“直接向晶圓自身的表面(露出面)供給規(guī)定的氣體”的情況，和指代“向形成于晶圓上的層、膜等，即向作為層疊體的晶圓的最外表面供給規(guī)定的氣體”的情況。另外，在本說明書記載“在晶圓上形成規(guī)定的層(或膜)”的情況包括指代“直接在晶圓自身的表面(露出面)上形成規(guī)定的層(或膜)”的情況，和指代“在形成于晶圓上的層、膜等之上，即在作為層疊體的晶圓的最外表面之上形成規(guī)定的層(或膜)”的情況。另外，在本說明書中使用“基板”一詞的情況也和使用“晶圓”的情況一樣，此時(shí)，將上述說明中的“晶圓”替換為“基板”來考慮即可。(晶圓裝載(charge)及舟皿就位(load))將多枚晶圓200裝填到舟皿217上(晶圓裝載)后，如圖1所示，由舟皿升降機(jī)115將支承著多枚晶圓200的舟皿217抬起而搬入到處理室201內(nèi)(舟皿就位)。在該狀態(tài)下，密封蓋219成為借助O型密封圈220密封反應(yīng)管203的下端的狀態(tài)。(壓力調(diào)節(jié)和溫度調(diào)節(jié))用真空泵246進(jìn)行真空排氣，以使處理室201內(nèi)達(dá)到期望的壓力(真空度)。此時(shí)，處理室201內(nèi)的壓力由壓力傳感器245測定，APC閥門244基于該測定的壓力信息進(jìn)行反饋控制(壓力調(diào)節(jié))。另外，真空泵246至少在對晶圓200的處理結(jié)束之前的期間維持常時(shí)工作狀態(tài)。此外，用加熱器207進(jìn)行加熱，以使處理室201內(nèi)達(dá)到期望的溫度。此時(shí)，為了使處理室201內(nèi)成為期望的溫度分布，基于溫度傳感器263檢測到的溫度信息，反饋控制對加熱器207通電的情況(溫度調(diào)節(jié))。另外，至少在對晶圓200的處理結(jié)束之前的期間，用加熱器207對處理室201內(nèi)持續(xù)進(jìn)行加熱。接著，開始用旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)267使舟皿217和晶圓200旋轉(zhuǎn)。另外，至少在對晶圓200的處理結(jié)束之前的期間，用旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)267使舟皿217和晶圓200持續(xù)旋轉(zhuǎn)。(碳氮化硅膜形成工序)之后，依次執(zhí)行以下的步驟1、2。[步驟I](HCDS氣體供給) 打開第I氣體供給管232a的閥門243a，使HCDS氣體流入到第I氣體供給管232a內(nèi)。在第I氣體供給管232a內(nèi)流動(dòng)的HCDS氣體通過質(zhì)量流量控制器241a來進(jìn)行流量調(diào)節(jié)。流量調(diào)節(jié)后的HCDS氣體從第I噴嘴249a的氣體供給孔250a被供給到處理室201內(nèi)，并從排氣管231排出。此時(shí)，向晶圓200供給了 HCDS氣體。與此同時(shí)，打開閥門243c，使作為非活性氣體的N2氣體流入到第I非活性氣體供給管232c內(nèi)。在第I非活性氣體供給管232c內(nèi)流動(dòng)的N2氣體通過質(zhì)量流量控制器241c進(jìn)行流量調(diào)節(jié)。流量調(diào)節(jié)后的N2氣體與HCDS氣體一起被供給到處理室201內(nèi)，并從排氣管231排出。另外，此時(shí)，為了防止HCDS氣體進(jìn)入第2噴嘴249b內(nèi)，打開閥門243d，使N2氣體流入到第2非活性氣體供給管232d內(nèi)。N2氣體通過第2氣體供給管232b、第2噴嘴249b被供給到處理室201內(nèi)，并從排氣管231排出。此時(shí)，適當(dāng)調(diào)節(jié)APC閥門244，使處理室201內(nèi)的壓力成為例如I 13300Pa、優(yōu)選20 1330Pa的范圍內(nèi)的壓力。用質(zhì)量流量控制器241a控制的HCDS氣體的供給流量例如設(shè)為I lOOOsccm的范圍內(nèi)的流量。用質(zhì)量流量控制器241c、241d控制的N2氣體的供給流量分別設(shè)為例如100 lOOOOsccm的范圍內(nèi)的流量。向晶圓200供給HCDS氣體的時(shí)間，即氣體供給時(shí)間(照射時(shí)間)例如設(shè)為I 120秒、優(yōu)選I 60秒的范圍內(nèi)的時(shí)間。此時(shí)加熱器207的溫度設(shè)定為使晶圓200的溫度達(dá)到例如250 700°C、優(yōu)選300 650°C、更優(yōu)選350 600°C的范圍內(nèi)的溫度那樣的溫度。另外，當(dāng)晶圓200的溫度不足250°C時(shí)，HCDS不易化學(xué)吸附于晶圓200上，有時(shí)無法獲得實(shí)用的成膜速度。通過使晶圓200的溫度為250°C以上，能消除該問題。另外，通過使晶圓200的溫度為300°C以上、甚至350°C以上，能使HCDS更充分地吸附于晶圓200上，獲得更充分的成膜速度。另外，當(dāng)晶圓200的溫度超過700°C時(shí)，CVD反應(yīng)變強(qiáng)(氣相反應(yīng)成為支配性反應(yīng))，因此膜厚均勻性容易變差，膜厚均勻性難以控制。通過使晶圓200的溫度為700°C以下，能抑制膜厚均勻性變差，能夠控制膜厚均勻性。尤其是通過使晶圓200的溫度為650°C以下、甚至600°C以下，能使表面反應(yīng)成為支配性反應(yīng)，容易確保膜厚均勻性，容易控制膜厚均勻性。因此，晶圓200的溫度宜設(shè)為250 700°C、優(yōu)選300 650°C、更優(yōu)選350 600°C的范圍內(nèi)的溫度。通過在上述條件下向晶圓200供給HCDS氣體，在晶圓200 (表面的基底膜)上形成了作為含有規(guī)定元素(硅)和鹵素(氯)的第I層的、例如含有不足一原子層 數(shù)原子層程度的厚度的氯(Cl)的含硅層。含有Cl的含硅層可以是HCDS氣體的吸附層，也可以是含有Cl的硅層(Si層)，還可以包括以上兩種層。在此，含有Cl的硅層是除了由硅(Si)構(gòu)成的含有Cl的連續(xù)層之外，也包括不連續(xù)層、由該連續(xù)層和不連續(xù)層重疊而成的含有Cl的硅薄膜的統(tǒng)稱。另外，有時(shí)也將由Si構(gòu)成的含有Cl的連續(xù)層稱為含有Cl的娃薄膜。另外，構(gòu)成含有Cl的娃層的Si除了未完全切斷與Cl的化學(xué)鍵的Si之外，也包括完全切斷與Cl的化學(xué)鍵的Si。
此外，HCDS氣體的吸附層除了 HCDS氣體的氣體分子的連續(xù)的化學(xué)吸附層之外，也包括不連續(xù)的化學(xué)吸附層。即，HCDS氣體的吸附層包括由HCDS分子構(gòu)成的一分子層或不足一分子層厚度的化學(xué)吸附層。另外，構(gòu)成HCDS氣體的吸附層的HCDS (Si2Cl6)分子也包括切斷了一部分Si和Cl的化學(xué)鍵的分子(SixCly分子)。即，HCDS的吸附層包括Si2Cl6子及/或SixCly分子的連續(xù)的化學(xué)吸附層和不連續(xù)的化學(xué)吸附層。另外，所謂不足一原子層的厚度的層是指不連續(xù)地形成的原子層，一原子層的厚度的層是指連續(xù)地形成的原子層。此外，所謂不足一分子層的厚度的層是指不連續(xù)地形成的分子層，一分子層的厚度的層是指連續(xù)地形成的分子層。在HCDS氣體自分解(熱分解)的條件下，即，在發(fā)生HCDS的熱分解反應(yīng)的條件下，通過在晶圓200上堆積Si而形成含有Cl的硅層。在HCDS氣體不自分解(熱分解)的條件下，即在未發(fā)生HCDS的熱分解反應(yīng)的條件下，通過HCDS氣體吸附于晶圓200上而形成HCDS氣體的吸附層。另外，與在晶圓200上形成HCDS氣體的吸附層的情況相比，在晶圓200上形成含有Cl的硅層的情況能提高成膜速率，較為優(yōu)選。當(dāng)形成于晶圓200上的含有Cl的含硅層的厚度超過數(shù)原子層時(shí)，后述的步驟2中的改性作用無法作用于整個(gè)含有Cl的含硅層。另外，能形成于晶圓200上的含有Cl的含硅層的厚度的最小值不足一原子層。因此，優(yōu)選使含有Cl的含硅層的厚度為不足一原子層 數(shù)原子層的程度。另外，通過使含有Cl的含硅層的厚度為一原子層以下，即一原子層或不足一原子層，能夠相對提高后述的步驟2中的改性反應(yīng)的作用，能縮短步驟2的改性反應(yīng)所需的時(shí)間。也能縮短步驟I的形成含有Cl的含硅層所需的時(shí)間。結(jié)果，能縮短每一循環(huán)的處理時(shí)間，也能縮短總的處理時(shí)間。即，也能提高成膜速率。此外，通過使含有Cl的含硅層的厚度為一原子層以下，還能提高膜厚均勻性的控制性。(殘留氣體去除)在形成作為第I層的含有Cl的含硅層之后，關(guān)閉第I氣體供給管232a的閥門243a，停止供給HCDS氣體。此時(shí)，排氣管231的APC閥門244保持打開狀態(tài)，由真空泵246對處理室201內(nèi)進(jìn)行真空排氣，將殘留于處理室201內(nèi)的未反應(yīng)的或?yàn)樾纬傻贗層做出貢獻(xiàn)后的HCDS氣體從處理室201內(nèi)排除。另外，此時(shí)，閥門243c、243d保持打開狀態(tài)，維持向處理室201內(nèi)供給作為非活性氣體的N2氣體。N2氣體用作凈化氣體，由此，能提高將殘留于處理室201內(nèi)的未反應(yīng)的或?yàn)樾纬傻贗層做出貢獻(xiàn)后的HCDS氣體從處理室201內(nèi)排除的效果。另外，此時(shí)，可以不將殘留于處理室201內(nèi)的氣體完全排除，也可以不完全凈化處理室201內(nèi)。若殘留于處理室201內(nèi)的氣體是微量的，則不會在其后進(jìn)行的步驟2中產(chǎn)生不良影響。此時(shí)供給到處理室201內(nèi)的N2氣體的流量也無需是大流量，例如通過供給與反應(yīng)管203(處理室201)的容積同等程度的量，可以進(jìn)行在步驟2中不產(chǎn)生不良影響的程度的凈化。這樣，通過不完全凈化處理室201內(nèi)，能夠縮短凈化時(shí)間，提高生產(chǎn)率。此外，還能將N2氣體的消耗抑制到所需最小限度。作為氯硅烷類原料氣體，除了六氯乙硅烷(Si2Cl6、縮寫:HCDS)氣體之外，也可以使用四氯硅烷即四氯化硅(SiCl4、縮寫:STC)氣體、三氯硅烷(SiHCl3、縮寫:TCS)氣體、二氯硅烷(SiH2Cl2、縮寫:DCS)氣體、一氯硅烷(SiH3Cl、縮寫:MCS)氣體等無機(jī)原料氣體。作為非活性氣體，除了 N2氣體之外，也可以使用Ar氣體、He氣體、Ne氣體、Xe氣體等惰性氣體。[步驟2](TEA氣體供給)在步驟I結(jié)束，將處理室201內(nèi)的殘留氣體去除之后，打開第2氣體供給管232b的閥門243b，使TEA氣體流入到第2氣體供給管232b內(nèi)。在第2氣體供給管232b內(nèi)流動(dòng)的TEA氣體通過質(zhì)量流量控制器241b進(jìn)行流量調(diào)節(jié)。流量調(diào)節(jié)后的TEA氣體從第2噴嘴249b的氣體供給孔250b向處理室201內(nèi)供給。供給到處理室201內(nèi)的TEA氣體受熱而活化(激發(fā))，并從排氣管231排出。此時(shí)，向晶圓200供給了受熱而活化的TEA氣體。與此同時(shí)，打開閥門243d，使作為非活性氣體的N2氣體流入到第2非活性氣體供給管232d內(nèi)。在第2非活性氣體供給管232d內(nèi)流動(dòng)的N2氣體通過質(zhì)量流量控制器241d進(jìn)行流量調(diào)節(jié)。流量調(diào)節(jié)后的M2氣體與TEA氣體一起向處理室201內(nèi)供給，并從排氣管231排出。另外，此時(shí)，為了防止TEA氣體進(jìn)入到第I噴嘴249a內(nèi)，打開閥門243c，使N2氣體流入到第I非活性氣體供給管232c內(nèi)。N2氣體通過第I氣體供給管232a、第I噴嘴249a供給到處理室201內(nèi)，并從排氣管231排出。此時(shí)適當(dāng)調(diào)節(jié)APC閥門244，使處理室201內(nèi)的壓力為例如I 13300Pa、優(yōu)選399 3990Pa的范圍內(nèi)的壓力。通過使處理室201內(nèi)的壓力為這樣的比較高的壓力帶，能夠使TEA氣體不產(chǎn)生等離子體而受熱活化。另外，通過使TEA氣體受熱活化后再進(jìn)行供給，能發(fā)生溫和的反應(yīng)，能溫和地進(jìn)行后述的改性。用質(zhì)量流量控制器241b控制的TEA氣體的供給流量例如設(shè)為100 2000SCCm的范圍內(nèi)的流量。用質(zhì)量流量控制器241d、241c控制的N2氣體的供給流量例如分別設(shè)為100 lOOOOsccm的范圍內(nèi)的流量。此時(shí)處理室201內(nèi)的TEA氣體的分壓設(shè)為0.01 12667Pa的范圍內(nèi)的壓力。向晶圓200供給受熱活化的TEA氣體的時(shí)間，即氣體供給時(shí)間(照射時(shí)間)例如設(shè)為I 120秒、優(yōu)選I 60秒的范圍內(nèi)的時(shí)間。此時(shí)加熱器207的溫度與步驟I同樣，設(shè)定為使晶圓200的溫度達(dá)到例如250 700°C、優(yōu)選300 650°C、更優(yōu)選350 600°C的范圍內(nèi)的溫度的溫度。通過在上述條件下向晶圓200供給TEA氣體，能夠使通過步驟I在晶圓200上形成的作為第I層的含有Cl的含硅層和TEA氣體發(fā)生反應(yīng)。即，能夠使作為第I層的含有Cl的含硅層所含的鹵素(Cl)和TEA氣體所含的配體(乙基)發(fā)生反應(yīng)。由此，能夠使第I層所含的Cl中的至少一部分Cl從第I層釋放(分離)，并使TEA氣體所含的多個(gè)乙基中的至少一部分乙基從TEA氣體分離。并且，能夠使分離出了至少一部分乙基后的TEA氣體的N和第I層所含的Si鍵合。即，能夠使構(gòu)成TEA氣體的N中的失去了至少一部分乙基而具有了懸空鍵(dangling bond)的N，和第I層所含的具有了懸空鍵的Si或本來具有懸空鍵的Si鍵合，形成S1-N鍵。另外，此時(shí)也能使作為TEA氣體的配體的乙基所含的C、乙基所含的C，和第I層所含的Si鍵合，形成S1-C鍵。其結(jié)果，Cl從第I層中脫離，并且在第I層中新吸收了 N成分。另外，此時(shí)在第I層中也新吸收了 C成分。通過在上述條件下供給TEA氣體，能夠使作為第I層的含有Cl的含硅層和TEA氣體適當(dāng)反應(yīng)，發(fā)生上述一系列反應(yīng)。通過該一系列反應(yīng)，Cl從第I層中脫離，并且第I層中新吸收了 N成分和C成分，作為第I層的含有Cl的含娃層向含有娃(Si)、氮(N)及碳(C)的第2層即碳氮化娃層(SiCN層)轉(zhuǎn)變(改性)。第2層成為包括不足一原子層 數(shù)原子層程度的厚度的S1、N及C的層。另外，第2層成為Si成分的比例和C成分的比例較多的層，即，富Si且富C的層。另外，形成作為第2層的含有S1、N及C的層時(shí)，第I層所含的氯(Cl)、TEA氣體所含的氫(H)在利用TEA氣體進(jìn)行的第I層的改性反應(yīng)的過程中，構(gòu)成例如氯(Cl2)氣、氫(H2)氣、氯化氫(HCl)氣體等氣體狀物質(zhì)，通過排氣管231從處理室201內(nèi)排出。S卩，第I層中的Cl等雜質(zhì)從第I層中釋放、脫離，從而從第I層分離。由此，第2層成為Cl等雜質(zhì)比第I層少的層。(殘留氣體去除)在形成第2層之后，關(guān)閉第2氣體供給管232b的閥門243b，停止供給TEA氣體。此時(shí)，排氣管231的APC閥門244保持打開狀態(tài)，利用真空泵246對處理室201內(nèi)進(jìn)行真空排氣，將殘留于處理室201內(nèi)的未反應(yīng)的或?yàn)樾纬傻?層做出貢獻(xiàn)后的TEA氣體、反應(yīng)副產(chǎn)物從處理室201內(nèi)排除。另外，此時(shí)閥門243d、243c保持打開狀態(tài)，維持向處理室201內(nèi)供給作為非活性氣體的N2氣體。N2氣體用作凈化氣體，由此，能提高將殘留于處理室201內(nèi)的未反應(yīng)的或?yàn)樾纬傻?層做出貢獻(xiàn)后的TEA氣體、反應(yīng)副產(chǎn)物從處理室201內(nèi)排除的效果O另外，此時(shí)，也可以不完全排除殘留于處理室201內(nèi)的氣體，不完全凈化處理室201內(nèi)。若殘留于處理室201內(nèi)的氣體是微量的，則不會在其后進(jìn)行的步驟I中產(chǎn)生不良影響。此時(shí)，供給到處理室201內(nèi)的N2氣體的流量也無需是大流量，例如通過供給與反應(yīng)管203(處理室201)的容積同等程度的量，能夠進(jìn)行不在步驟I中產(chǎn)生不良影響的程度的凈化。這樣，通過不完全凈化處理室201內(nèi)，能夠縮短凈化時(shí)間，提高生產(chǎn)率。此外，還能將N2氣體的消耗抑制到所需的最小限度。作為胺類氣體，除了三乙胺((C2H5) 3N、縮寫:TEA)之外，可優(yōu)選使用使二乙胺((C2H5)2NH、縮寫:DEA)、一乙胺(C2H5NH2、縮寫:MEA)等氣化而成的乙胺類氣體；使三甲胺((CH3)3N、縮寫:TMA)、二甲胺((CH3)2NH、縮寫:DMA)、一甲胺(CH3NH2、縮寫:MMA)等氣化而成的甲胺類氣體；使三丙胺((C3H7)3N、縮寫:TPA)、二丙胺((C3H7)2NH、縮寫:DPA)、一丙胺(C3H7NH2、縮寫:MPA)等氣化而成的丙胺類氣體；使三異丙胺([(CH3)2OQ3N、縮寫:TIPA)、二異丙胺([(CH3) 2CH]2NH、縮寫:DIPA)、一異丙胺((CH3)2CHNH2、縮寫=MIPA)等氣化而成的異丙胺類氣體；使三丁胺((C4H9)3N、縮寫:TBA)、二丁胺((C4H9)2順、縮寫:DBA)、一丁胺(C4H9NH2、縮寫:MBA)等氣化而成的丁胺類氣體，或者使三異丁胺([(CH3)2CHCH2]3N、縮寫:TIBA)、二異丁胺([(CH3) 2CHCH2]2NH、縮寫:DIBA)、一異丁胺((CH3) 2CHCH2NH2、縮寫:MIBA)等氣化而成的異丁胺類氣體。即，作為胺類氣體，可優(yōu)選使用例如(C2H5)xNH3_x、(CH3)xNH3_x、(C3H7) xNH3_x、[ (CH3) 2CH]xNH3_x、(C4H9) xNH3_x、[ (CH3) 2CHCH2]XNH3_X (式中、x 是 I 3 的整數(shù))中的至少一種氣體。另外，作為胺類氣體優(yōu)選使用由碳、氮及氫三種元素構(gòu)成且其組成式中(一個(gè)分子中)碳原子數(shù)多于氮原子數(shù)的氣體。即，作為胺類氣體，優(yōu)選使用包含選自TEA、DEA、MEA、TMA, DMA、TPA, DPA, MPA、ΤΙΡΑ、DIPA、ΜΙΡΑ、TBA, DBA、MBA、TIBA、DIBA 及 MIBA 中的至少一種胺的氣體。在使用HCDS氣體等那樣含有規(guī)定元素(硅)和鹵素(氯)的氯硅烷類原料氣體作為原料氣體的情況下，通過使用TEA氣體、DEA氣體等那樣由碳、氮及氫三種元素構(gòu)成且其組成式中(一個(gè)分子中)碳原子數(shù)多于氮原子數(shù)的胺類氣體作為反應(yīng)氣體，能夠提高在步驟2中形成的第2層中的碳濃度，即在后述的實(shí)施規(guī)定次數(shù)工序中形成的SiCN膜中的碳濃度。例如，按照本實(shí)施方式的成膜時(shí)序，能夠使形成的SiCN膜中的碳濃度為25at%以上、例如40at%&上的高濃度。與此相對，在使用HCDS氣體等那樣含有規(guī)定元素(硅)和鹵素(氯)的氯硅烷類原料氣體作為原料氣體的情況下，若使用MMA氣體等胺類氣體、后述的MMH氣體、DMH氣體等有機(jī)肼類氣體等那樣由碳、氮及氫三種元素構(gòu)成但其組成式中(一個(gè)分子中)碳原子數(shù)不多于氮原子數(shù)的氣體作為反應(yīng)氣體，則不能使第2層中的碳濃度，即SiCN膜中的碳濃度像使用TEA氣體、DEA氣體等那樣由碳、氮及氫三種元素構(gòu)成且其組成式中(一個(gè)分子中)碳原子數(shù)多于氮原子數(shù)的胺類氣體作為反應(yīng)氣體的情況那么高，難以實(shí)現(xiàn)理想的碳濃度。另外，作為胺類氣體，優(yōu)選使用其組成式中(一個(gè)分子中)具有多個(gè)含有碳(C)原子的配體的氣體，即，其組成式中(一個(gè)分子中)具有多個(gè)烷基等烴基的氣體。具體而言，作為胺類氣體，優(yōu)選使用其組成式中(一個(gè)分子中)具有三個(gè)或兩個(gè)含有碳(C)原子的配體(烷基等烴基)的氣體，例如優(yōu)選使用包含選自TEA、DEA、TMA, DMA、TPA, DPA, ΤΙΡΑ、DIPA、TBA, DBA、TIBA及DIBA中的至少一種胺的氣體。在使用HCDS氣體那樣的含有規(guī)定元素(硅)和鹵素(氯)的氯硅烷類原料氣體作為原料氣體的情況下，通過使用TEA氣體、DEA氣體等那樣的由碳、氮及氫三種元素構(gòu)成且其組成式中(一個(gè)分子中)具有多個(gè)含有碳原子的配體的胺類氣體，即使用其組成式中(一個(gè)分子中)具有多個(gè)烷基等烴基的胺類氣體作為反應(yīng)氣體，能進(jìn)一步提高第2層中的碳濃度，即SiCN膜中的碳濃度。與此相對，在使用HCDS氣體那樣的含有規(guī)定元素(硅)和鹵素(氯)的氯硅烷類原料氣體作為原料氣體的情況下，若使用MMA氣體等胺類氣體、后述的MMH氣體等有機(jī)肼類氣體等那樣的其組成式中(一個(gè)分子中)不具有多個(gè)含有碳原子的配體的氣體作為反應(yīng)氣體，則不能使第2層中的碳濃度，即SiCN膜中的碳濃度像使用其組成式中(一個(gè)分子中)具有多個(gè)含有碳原子的配體的胺類氣體作為反應(yīng)氣體的情況那么高，難以實(shí)現(xiàn)理想的碳濃度。另外，通過使用DEA氣體等那樣的其組成式中(一個(gè)分子中)具有兩個(gè)含有碳原子的配體(烷基等烴基)的胺類氣體作為反應(yīng)氣體，與使用TEA氣體等那樣的其組成式中(一個(gè)分子中)具有三個(gè)含有碳原子的配體(烷基等烴基)的胺類氣體作為反應(yīng)氣體的情況相比，能提高循環(huán)率(每單位循環(huán)所形成的SiCN層的厚度)，此外，能夠提高第2層中的氮濃度與碳濃度之比(氮濃度/碳濃度比)，即SiCN膜中的氮濃度與碳濃度之比(氮濃度/碳濃度比)。反之，通過使用TEA氣體等那樣的其組成式中(一個(gè)分子中)具有三個(gè)含有碳原子的配體(烷基等烴基)的胺類氣體作為反應(yīng)氣體，與使用DEA氣體等那樣的其組成式中(一個(gè)分子中)具有兩個(gè)含有碳原子的配體(烷基等烴基)的胺類氣體作為反應(yīng)氣體的情況相比，能提高第2層中的碳濃度與氮濃度之比(碳濃度/氮濃度比)，即SiCN膜中的碳濃度與氮濃度之比(碳濃度/氮濃度比)。即，根據(jù)反應(yīng)氣體所具有的含有碳原子的配體的數(shù)量(烷基等烴基的數(shù)量)，也就是通過適當(dāng)改變反應(yīng)氣體的氣體種類，能對循環(huán)率、形成的SiCN膜中的氮濃度、碳濃度進(jìn)行微調(diào)。
另外，如上所述，通過適當(dāng)選擇作為反應(yīng)氣體的胺類氣體的氣體種類(組成)，能提高SiCN膜中的碳濃度，但為了進(jìn)一步提高該碳濃度，優(yōu)選例如使向晶圓200供給胺類氣體(TEA氣體)時(shí)處理室201內(nèi)的壓力大于在步驟I中向晶圓200供給氯硅烷類原料氣體(HCDS氣體)時(shí)處理室201內(nèi)的壓力。即，設(shè)向晶圓200供給HCDS氣體時(shí)處理室201內(nèi)的壓力為P1 (Pa)，設(shè)向晶圓200供給TEA氣體時(shí)處理室201內(nèi)的壓力為P2(Pa)時(shí)，優(yōu)選以滿足己> P1的關(guān)系的方式分別設(shè)定壓力Pp P2。反之，為了適當(dāng)抑制SiCN膜中的碳濃度的增加量，優(yōu)選將向晶圓200供給胺類氣體(TEA氣體)時(shí)處理室201內(nèi)的壓力設(shè)定為小于等于在步驟I中向晶圓200供給氯硅烷類原料氣體(HCDS氣體)時(shí)處理室201內(nèi)的壓力的壓力。即，優(yōu)選以滿足P1 SP2的關(guān)系的方式設(shè)定上述的壓力ΡρΡ2。S卩，通過適當(dāng)控制供給胺類氣體時(shí)處理室201內(nèi)的壓力，能夠?qū)π纬傻腟iCN膜中的碳濃度進(jìn)行微調(diào)。作為非活性氣體,除了 N2氣體之外，也可以使用Ar氣體、He氣體、Ne氣體、Xe氣體等惰性氣體。(實(shí)施規(guī)定次數(shù))將上述步驟1、2視為一個(gè)循環(huán)，通過進(jìn)行一次以上(規(guī)定次數(shù))的該循環(huán)，能夠在晶圓200上形成規(guī)定組成和規(guī)定膜厚的含有硅(Si)、氮(N)及碳(C)的膜，即碳氮化硅膜(SiCN膜)。另外，上述循環(huán)優(yōu)選反復(fù)進(jìn)行多次。即，優(yōu)選使每一循環(huán)所形成的SiCN層的厚度小于期望的膜厚，反復(fù)進(jìn)行多次上述循環(huán)直到達(dá)到期望的膜厚。另外，進(jìn)行多次循環(huán)時(shí)，至少在第二個(gè)循環(huán)以后的各步驟中記載為“向晶圓200供給規(guī)定的氣體”的部分是指“向形成于晶圓200上的層，即作為層疊體的晶圓200的最外表面供給規(guī)定的氣體”，記載為“在晶圓200上形成規(guī)定的層”的部分是指“在形成于晶圓200上的層上，即作為層疊體的晶圓200的最外表面上形成規(guī)定的層”。這一點(diǎn)在前面已經(jīng)說明過了。另外，這一點(diǎn)在后述的其他實(shí)施方式中也是同樣的。(凈化及恢復(fù)大氣壓)形成具有規(guī)定組成的規(guī)定膜厚的SiCN膜的成膜處理完成后，打開閥門243c、243d，分別通過第I非活性氣體供給管232c、第2非活性氣體供給管232d向處理室201內(nèi)供給作為非活性氣體的N2氣體，并將其從排氣管231排出。N2氣體用作凈化氣體，由此，用非活性氣體凈化處理室201內(nèi)，將殘留于處理室201內(nèi)的氣體、反應(yīng)副產(chǎn)物從處理室201內(nèi)去除(凈化)。然后，處理室201內(nèi)的氣氛氣體被置換成非活性氣體(非活性置換)，處理室201內(nèi)的壓力恢復(fù)至常壓(恢復(fù)大氣壓)。(舟皿退出(unload)及晶圓卸載(discharge))之后，利用舟皿升降機(jī)115使密封蓋219下降，使反應(yīng)管203的下端開口，并將處理完畢的晶圓200以支承于舟皿217上的狀態(tài)從反應(yīng)管203的下端搬出到反應(yīng)管203的外部(舟皿退出)。然后，自舟皿217取出處理完畢的晶圓200 (晶圓卸載)。(3)本實(shí)施方式的效果根據(jù)本實(shí)施方式，能發(fā)揮以下所示的一種或多種效果。(a)根據(jù)本實(shí)施方式，可通過交替進(jìn)行規(guī)定次數(shù)的向處理室201內(nèi)的晶圓200供給HCDS氣體的工序和向處理室201內(nèi)的晶圓200供給TEA氣體的工序而在晶圓200上形成SiCN膜。由此，能夠提高形成SiCN膜時(shí)的生產(chǎn)率。即，在以往的成膜時(shí)序中，在形成SiCN膜時(shí)，至少要向晶圓200交替供給含有硅(Si)的氣體、含有碳(C)的氣體、含有氮(N)的氣體三種氣體。與此相對，在本實(shí)施方式的成膜時(shí)序中，能通過向晶圓200交替供給HCDS氣體、TEA氣體兩種氣體形成SiCN膜。因此，能簡化氣體的供給控制，減少每一循環(huán)的氣體供給的工序數(shù)，從而能提高成膜時(shí)的生產(chǎn)率。(b)根據(jù)本實(shí)施方式，由于交替進(jìn)行規(guī)定次數(shù)的向處理室201內(nèi)的晶圓200供給HCDS氣體的工序和向處理室201內(nèi)的晶圓200供給TEA氣體的工序，因此能夠在晶圓200上形成富Si且富C的SiCN膜。即，在本實(shí)施方式的成膜時(shí)序中，與向晶圓200交替供給含有硅的氣體、含有碳的氣體、含有氮的氣體三種氣體的成膜時(shí)序相比，在形成SiCN膜的過程中，能充分進(jìn)行硅和碳向晶圓200上的固定，此外，能充分抑制這些元素從晶圓200上脫離，結(jié)果，能夠形成碳濃度高的SiCN膜。(C)根據(jù)本實(shí)施方式，通過使用由碳、氮及氫三種元素構(gòu)成且其組成式中(一個(gè)分子中)碳原子數(shù)多于氮原子數(shù)的胺類氣體作為反應(yīng)氣體，能夠提高SiCN膜中的碳濃度。特別是，通過使用其組成式中(一個(gè)分子中)具有多個(gè)含有碳(C)原子的配體的胺類氣體，即其組成式中(一個(gè)分子中)具有多個(gè)烷基等烴基的胺類氣體作為反應(yīng)氣體，能夠提高SiCN膜中的碳濃度。具體而言，通過使用其組成式中(一個(gè)分子中)具有三個(gè)含有碳(C)原子的配體(烷基等烴基)的TEA氣體、TMA氣體、TPA氣體、TIPA氣體、TBA氣體、TIBA氣體；其組成式中(一個(gè)分子中)具有兩個(gè)含有碳(C)原子的配體(烷基等烴基)的DEA氣體、DMA氣體、DPA氣體、DIPA氣體、DBA氣體、DIBA氣體等作為反應(yīng)氣體，能夠提高SiCN膜中的碳濃度。(d)根據(jù)本實(shí)施方式，根據(jù)反應(yīng)氣體所具有的含有碳原子的配體的數(shù)量(烷基等烴基的數(shù)量)，即通過適當(dāng)改變反應(yīng)氣體的氣體種類，能對循環(huán)率(每單位循環(huán)形成的SiCN層的厚度)、SiCN膜中的氮濃度、碳濃度進(jìn)行微調(diào)。例如，通過使用DEA氣體等那樣的其組成式中(一個(gè)分子中)具有兩個(gè)含有碳原子的配體(烷基等烴基)的胺類氣體作為反應(yīng)氣體，與使用TEA氣體等那樣的其組成式中(一個(gè)分子中)具有三個(gè)含有碳原子的配體(烷基等烴基)的胺類氣體作為反應(yīng)氣體的情況相比，能提高循環(huán)率，此外，能提高SiCN膜中的氮濃度與碳濃度之比(氮濃度/碳濃度比)。再例如，通過使用TEA氣體等那樣的其組成式中(一個(gè)分子中)具有三個(gè)含有碳原子的配體(烷基等烴基)的胺類氣體作為反應(yīng)氣體，與使用DEA氣體等那樣的其組成式中(一個(gè)分子中)具有兩個(gè)含有碳原子的配體(烷基等烴基)的胺類氣體作為反應(yīng)氣體的情況相比，能提高SiCN膜中的碳濃度與氮濃度之比(碳濃度/氮濃度比)。(e)根據(jù)本實(shí)施方式，通過控制供給反應(yīng)氣體時(shí)處理室201內(nèi)的壓力，能對SiCN膜中的碳濃度進(jìn)行微調(diào)。例如，通過使在步驟2中向晶圓200供給TEA氣體時(shí)處理室201內(nèi)的壓力大于在步驟I中向晶圓200供給HCDS氣體時(shí)處理室201內(nèi)的壓力，能夠進(jìn)一步提高SiCN膜中的碳濃度。再例如，通過將在步驟2中向晶圓200供給TEA氣體時(shí)處理室201內(nèi)的壓力設(shè)定為小于等于在步驟I向晶圓200供給HCDS氣體時(shí)處理室201內(nèi)的壓力的壓力，能夠適當(dāng)抑制SiCN膜中的碳濃度的增加量。(f)根據(jù)本實(shí)施方式，通過使用作為由碳、氮及氫三種元素構(gòu)成的不含硅及金屬的胺類氣體的TEA氣體作為反應(yīng)氣體，能夠降低形成的SiCN膜中的雜質(zhì)濃度。S卩，在使用TEA氣體作為反應(yīng)氣體的本實(shí)施方式的成膜時(shí)序中，與使用例如由鉿、碳、氮及氫四種元素構(gòu)成的四(乙基甲基胺基)鉿(Hf [N(C2H5) (CH3)]4、縮寫:TEMAH)氣體等作為反應(yīng)氣體的成膜時(shí)序相比，能降低雜質(zhì)元素向通過反應(yīng)氣體和第I層(含有Cl的含硅層)發(fā)生反應(yīng)所形成的第2層中混入的概率，從而能夠降低形成的SiCN膜中的雜質(zhì)濃度。(g)根據(jù)本實(shí)施方式，通過使用作為由碳、氮及氫三種元素構(gòu)成的不含硅及金屬的胺類氣體的TEA氣體作為反應(yīng)氣體，并且通過采用向晶圓200交替供給HCDS氣體和TEA氣體的成膜時(shí)序，能提高形成SiCN膜時(shí)的反應(yīng)控制性，特別是組成控制性。S卩，在使用TEA氣體作為反應(yīng)氣體的本實(shí)施方式的成膜時(shí)序中，與使用例如由鉿、碳、氮及氫四種元素構(gòu)成的TEMAH氣體等作為反應(yīng)氣體的成膜時(shí)序相比，能夠提高使反應(yīng)氣體和第I層(含有Cl的含硅層)發(fā)生反應(yīng)而形成第2層時(shí)的反應(yīng)控制性，特別是組成控制性。此外，在向晶圓200交替供給HCDS氣體、TEA氣體兩種氣體的本實(shí)施方式的成膜時(shí)序中，與向晶圓200交替供給含有硅的氣體、含有碳的氣體、含有氮的氣體三種氣體的成膜時(shí)序相比，能夠提高形成SiCN膜的過程中的反應(yīng)控制性、特別是組成控制性。由此，能夠容易進(jìn)行SiCN膜的組成控制，例如能夠使SiCN膜中的碳濃度成為25at%以上的高濃度。其結(jié)果，能提高形成的SiCN膜的抗蝕刻性，或調(diào)節(jié)介電常數(shù)。(h)根據(jù)本實(shí)施方式，通過使用作為由碳、氮及氫三種元素構(gòu)成的不含硅及金屬的胺類氣體的TEA氣體作為反應(yīng)氣體，能夠分別提高SiCN膜在晶圓200表面內(nèi)及晶圓200表面之間的膜厚均勻性。即，與例如由鉿、碳、氮及氫四種元素構(gòu)成的TEMAH氣體等相比，由碳、氮及氫三種元素構(gòu)成的TEA氣體對第I層(含有Cl的含硅層)具有高反應(yīng)性，因此，使用TEA氣體作為反應(yīng)氣體的本實(shí)施方式的成膜時(shí)序能夠使反應(yīng)氣體和第I層(含有Cl的含硅層)的反應(yīng)在晶圓200表面內(nèi)及晶圓200表面之間可靠且均勻地進(jìn)行。其結(jié)果，能夠分別提高SiCN膜在晶圓200表面內(nèi)及晶圓200表面之間的膜厚均勻性。<本發(fā)明的其他實(shí)施方式>以上具體說明了本發(fā)明的實(shí)施方式，但本發(fā)明不限定于上述實(shí)施方式，在不脫離其主旨的范圍內(nèi)能進(jìn)行各種變更。例如，在上述實(shí)施方式中，說明了在形成含有S1、N及C的第2層時(shí)，先向處理室201內(nèi)的晶圓200供給氯硅烷類原料氣體，然后再供給胺類氣體的例子，但這些氣體的供給順序可以顛倒。即，也可以先供給胺類氣體，然后再供給氯硅烷類原料氣體。即，只要先供給氯硅烷類原料氣體及胺類氣體二者中的一種氣體，然后再供給它們中的另一種氣體即可。通過像這樣改變氣體的供給順序,也能夠改變形成的薄膜的膜質(zhì)、組成比。再例如，在上述實(shí)施方式中，說明了在步驟I中形成含有規(guī)定元素(硅)和鹵素(氯)的第I層時(shí)，使用氯硅烷類原料氣體作為原料氣體的例子，但也可以替代氯硅烷類原料氣體，使用具有氯基以外的鹵素類配體的硅烷類原料氣體。例如，可以替代氯硅烷類原料氣體，使用氟硅烷類原料氣體。在此，氟硅烷類原料氣體是指使氣態(tài)的氟硅烷類原料，例如常溫常壓下呈液態(tài)的氟硅烷類原料氣化所得的氣體、常溫常壓下呈氣態(tài)的氟硅烷類原料等。此外，氟硅烷類原料是指具有作為鹵基的氟基的硅烷類原料，是至少含有硅(Si)及氟(F)的原料。即，這里所稱的氟硅烷類原料可以說是鹵化物的一種。作為氟硅烷類原料氣體，例如可以使用四氟硅烷即四氟化硅(SiF4)氣體、六氟乙硅烷(Si2F6)氣體等氟化硅氣體。此時(shí)，在形成含有規(guī)定元素和鹵素的第I層時(shí)，向處理室201內(nèi)的晶圓200供給氟硅烷類原料氣體。此時(shí)，第I層成為含有Si及F的層，即含有F的含娃層。再例如，在上述實(shí)施方式中，說明了在使作為第I層的含有Cl的含硅層向含有S1、N及C的第2層轉(zhuǎn)變(改性)時(shí)，使用胺類氣體作為反應(yīng)氣體的例子，但也可以替代胺類氣體，使用例如包含有機(jī)肼化合物的氣體，即有機(jī)肼類氣體作為反應(yīng)氣體。另外，包含有機(jī)肼化合物的氣體也可簡稱為有機(jī)肼化合物氣體，或有機(jī)肼氣體。在此，有機(jī)肼類氣體是指氣態(tài)的有機(jī)肼，例如使常溫常壓下呈液態(tài)的有機(jī)肼氣化所得的氣體、常溫常壓下呈氣態(tài)的有機(jī)肼等含有肼基的氣體。有機(jī)肼類氣體是由碳(C)、氮(N)及氫(H)三種元素構(gòu)成的不含硅的氣體，并且是不含硅及金屬的氣體。作為有機(jī)肼類氣體，例如可優(yōu)選使用使單甲基肼((CH3)HN2H2、縮寫:MMH)、二甲基肼((CH3)2N2H2、縮寫:DMH)、三甲基肼((CH3)2N2(CH3)H、縮寫:TMH)等氣化而成的甲基肼類氣體；使乙基肼((C2H5)HN2H2、縮寫:EH)等氣化而成的乙基肼類氣體。此時(shí)，在使作為第I層的含有Cl的含硅層向含有S1、N及C的第2層轉(zhuǎn)變(改性)時(shí)，向處理室201內(nèi)的晶圓200供給有機(jī)肼類氣體。另外，作為有機(jī)肼類氣體，優(yōu)選使用由碳、氮及氫三種元素構(gòu)成且其組成式中(一個(gè)分子中)碳原子數(shù)多于氮原子數(shù)的氣體。此外，作為有機(jī)肼類氣體，優(yōu)選使用其組成式中(一個(gè)分子中)具有多個(gè)含有碳(C)原子的配體的氣體，即其組成式中(一個(gè)分子中)具有多個(gè)烷基等烴基的氣體。具體而言，作為有機(jī)肼類氣體，優(yōu)選使用其組成式中(一個(gè)分子中)具有三個(gè)或兩個(gè)含有碳(C)原子的配體(烷基等烴基)的氣體。再例如，在上述實(shí)施方式中，說明了在形成含有S1、N及C的第2層時(shí)，先向處理室201內(nèi)的晶圓200供給氯硅烷類原料氣體，然后再供給胺類氣體的例子，但也可以如圖6所示那樣，向處理室201內(nèi)的晶圓200同時(shí)供給氯硅烷類原料氣體和胺類氣體，使之發(fā)生CVD反應(yīng)。圖6是表示同時(shí)供給氯硅烷類原料氣體和胺類氣體的本發(fā)明另一實(shí)施方式的成膜時(shí)序中氣體供給時(shí)機(jī)的圖。在圖6所示的成膜時(shí)序中，通過向處理室201內(nèi)的晶圓200同時(shí)供給氯硅烷類原料氣體(HCDS)和由碳、氮及氫三種元素構(gòu)成且組成式中碳原子數(shù)多于氮原子數(shù)的胺類氣體(TEA)，將在晶圓200上形成含有硅、氮及碳的層的工序和凈化處理室201內(nèi)的工序設(shè)為一個(gè)循環(huán)，通過進(jìn)行規(guī)定次數(shù)(η次)的該循環(huán)，而形成規(guī)定組成和規(guī)定膜厚的碳氮化硅膜(SiCN膜)。另外，該情況下的處理?xiàng)l件和上述實(shí)施方式中的處理?xiàng)l件相同即可。這樣，即使是向處理室201內(nèi)的晶圓200同時(shí)供給氯硅烷類原料氣體和胺類氣體，而不是先后供給，也能獲得與上述的實(shí)施方式相同的作用效果。其中，像上述實(shí)施方式那樣交替供給氯硅烷類原料氣體和胺類氣體，并在供給兩種氣體之間對處理室201內(nèi)進(jìn)行凈化的方法，能使氯硅烷類原料氣體和胺類氣體在表面反應(yīng)成為支配性反應(yīng)的條件下發(fā)生適當(dāng)反應(yīng)，能提高膜厚控制的控制性。通過將由上述各實(shí)施方式、各變形例的手法形成的硅絕緣膜用作側(cè)壁間隔件(side wall spacer),能夠提供泄漏電流少、加工性出色的器件形成技術(shù)。此外，通過將由上述各實(shí)施方式、各變形例的手法形成的硅絕緣膜用作蝕刻阻擋膜(etch stopper),能夠提供加工性出色的器件形成技術(shù)。根據(jù)上述各實(shí)施方式、各變形例，即使在低溫區(qū)域也可以不使用等離子體而形成理想的化學(xué)計(jì)量比的硅絕緣膜。此外，由于能夠不使用等離子體而形成硅絕緣膜，因此也能適應(yīng)于例如DPT的SADP膜等的擔(dān)心等離子損傷的工序。此外，在上述實(shí)施方式中，對形成含有半導(dǎo)體元素硅的硅類絕緣膜作為碳氮膜的例子進(jìn)行了說明，但本發(fā)明也可以適用于形成例如含有鈦(Ti)、鋯(Zr)、鉿(Hf)、鉭(Ta)、鋁(Al)、鑰(Mo)等金屬元素的金屬類薄膜的情況。即，本發(fā)明也能很好地適用于形成例如碳氮化鈦膜(TiCN膜)、碳氮化鋯化膜(ZrCN膜)、碳氮化鉿膜(HfCN膜)、碳氮化鉭膜(TaCN膜)、碳氮化鋁膜(A1CN膜)、碳氮化鑰膜(MoCN膜)等金屬碳氮膜的情況。此時(shí)，可以替代上述實(shí)施方式中的氯硅烷類原料氣體，使用含有金屬元素和鹵素的原料氣體，以與上述實(shí)施方式相同的時(shí)序進(jìn)行成膜。即，通過交替進(jìn)行規(guī)定次數(shù)的向處理室201內(nèi)的晶圓200供給含有金屬元素和鹵素的原料氣體的工序和向處理室201內(nèi)的晶圓200供給由碳、氮及氫三種元素構(gòu)成且組成式中碳原子數(shù)多于氮原子數(shù)的反應(yīng)氣體的工序，能夠在晶圓200上形成規(guī)定組成和規(guī)定膜厚的金屬碳氮膜。例如，在形成碳氮化鈦(TiCN膜)作為碳氮膜的情況下，作為原料氣體，可以使用四氯化鈦(TiCl4)等含有Ti及氯基的氣體、四氟化鈦(TiF4)等含有Ti及氟基的氣體。作為反應(yīng)氣體，可以使用與上述實(shí)施方式相同的氣體。另外，此時(shí)的處理?xiàng)l件例如可與上述實(shí)施方式相同。再例如，在形成碳氮化鋯膜(ZrCN膜)作為碳氮膜的情況下，作為原料氣體，可以使用四氯化鋯(ZrCl4)等含有Zr及氯基的氣體、四氟化鋯(ZrF4)等含有Zr及氟基的氣體。作為反應(yīng)氣體，可以使用與上述實(shí)施方式相同的氣體。另外，此時(shí)的處理?xiàng)l件例如可與上述實(shí)施方式相同。再例如，在形成碳氮化鉿膜(HfCN膜)作為碳氮膜的情況下，作為原料氣體，可以使用四氯化鉿(HfCl4)等含有Hf及氯基的氣體、四氟化鉿(HfF4)等含有Hf及氟基的氣體。作為反應(yīng)氣體，可以使用與上述實(shí)施方式相同的氣體。另外，此時(shí)的處理?xiàng)l件例如可與上述實(shí)施方式相同。再例如，在形成碳氮化鉭膜(TaCN膜)作為碳氮膜的情況下，作為原料氣體，可以使用五氯化鉭(TaCl5)等含有Ta及氯基的氣體、五氟化鉭(TAF5)等含有Ta及氟基的氣體。作為反應(yīng)氣體，可以使用與上述實(shí)施方式相同的氣體。另外，此時(shí)的處理?xiàng)l件例如可與上述實(shí)施方式相同。再例如，在形成碳氮化鋁膜(A1CN膜)作為碳氮膜的情況下，作為原料氣體，可以使用三氯化鋁(AlCl3)等含有Al及氯基的氣體、三氟化氯(AlF3)等含有Al及氟基的氣體。作為反應(yīng)氣體，可以使用與上述實(shí)施方式相同的氣體。另外，此時(shí)的處理?xiàng)l件例如可與上述實(shí)施方式相同。再例如，在形成碳氮化鑰膜(MoCN膜)作為碳氮膜的情況下，作為原料氣體，可以使用五氯化鑰(MoCl5)等含有Mo及氯基的氣體、五氟化鑰(MoF5)等含有Mo及氟基的氣體。作為反應(yīng)氣體，可以使用與上述實(shí)施方式相同的氣體。另外，此時(shí)的處理?xiàng)l件例如可與上述實(shí)施方式相同。這樣，本發(fā)明不僅適用于硅類薄膜的成膜，也適用于金屬類薄膜的成膜，即使在這種情況下，也能獲得與上述實(shí)施方式相同的作用效果。即，本發(fā)明能夠很好地適用于形成含有半導(dǎo)體元素、金屬元素等規(guī)定元素的薄膜的情況。此外，在上述實(shí)施方式中，說明了使用一次處理多枚基板的批量式基板處理裝置形成薄膜的例子，但本發(fā)明不限定于此，也能很好地適用于使用一次處理一枚或幾枚基板的單片(枚葉)式基板處理裝置形成薄膜的情況。此外，在上述實(shí)施方式中，說明了使用具有熱壁型處理爐的基板處理裝置形成薄膜的例子，但本發(fā)明不限定于此，也能很好地適用于使用具有冷壁型處理爐的基板處理裝置形成薄膜的情況。此外，上述各實(shí)施方式、各變形例、各應(yīng)用例等可以適當(dāng)組合起來使用。此外，本發(fā)明也可以通過改變例如現(xiàn)有的基板處理裝置的程序配方來實(shí)現(xiàn)。在改變程序配方的情況下，可以將本發(fā)明的程序配方通過電氣通信線路、記錄有該程序配方的記錄介質(zhì)而安裝到現(xiàn)有的基板處理裝置中，此外，也可以操作現(xiàn)有基板處理裝置的輸入輸出裝置，將其原有程序配方變更為本發(fā)明的程序配方。[實(shí)施例]使用上述實(shí)施方式的基板處理裝置，按照上述成膜時(shí)序，在多枚晶圓上形成了SiCN膜。作為原料氣體，使用了 HCDS氣體，作為反應(yīng)氣體，使用了 TEA氣體。成膜時(shí)的晶圓溫度設(shè)為了 600 650°C。其他處理?xiàng)l件設(shè)為了在上述實(shí)施方式中記載的處理?xiàng)l件范圍內(nèi)的規(guī)定的值。然后，分別測定了形成的SiCN膜的晶圓表面內(nèi)的膜厚均勻性(以下也稱WIW)、晶圓表面之間的膜厚均勻性(以下也稱WTW)、折射率(Refractive Index、以下也稱R.1.)、XPS組成比，以及相對于濃度為1.0%的含有氟化氫(HF)的溶液的濕蝕刻率(Wet EtchingRate、以下也稱WER)。其測定結(jié)果示于圖7。如圖7所示，確認(rèn)了在本實(shí)施例中形成的SiCN膜的晶圓表面內(nèi)的膜厚均勻性(WIW)、晶圓表面之間的膜厚均勻性(WTW)分別為2.7%,2.5%0另外，WIW、WTW均是其數(shù)值越小，表示膜厚均勻性越高，即膜厚均勻性越好。即，確認(rèn)了在本實(shí)施例中形成的SiCN膜的晶圓表面內(nèi)的膜厚均勻性以及晶圓表面之間的膜厚均勻性均為良好。此外，確認(rèn)了在本實(shí)施例中形成的膜的折射率(R.1.)為2.2，形成的膜為SiCN膜。此外，由在本實(shí)施例中形成的SiCN膜的XPS測定結(jié)果，確認(rèn)了在本實(shí)施例中形成的SiCN膜中的Si/C/Ν/Ο比為40/42/15/3。即，確認(rèn)了 SiCN膜中的C濃度為42at%的高濃度。此外，確認(rèn)了 SiCN膜中的Si濃度為40at%，N濃度為15at%，O濃度為3at%。另夕卜，檢測到的O成分為雜質(zhì)級別，可認(rèn)為這是由形成于SiCN膜和基底的界面處、SiCN膜表面的自然氧化膜引起的。此外，確認(rèn)了在本實(shí)施例中形成的SiCN膜的濕蝕刻率(WER)為0.5 A/min。即，確認(rèn)了能形成抗蝕刻性高的SiCN膜。 <本發(fā)明的優(yōu)選方式>以下，附記本發(fā)明的優(yōu)選方式。(附記I)根據(jù)本發(fā)明的一技術(shù)方案，提供一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，其包括通過交替進(jìn)行規(guī)定次數(shù)的如下工序而在基板上形成含有規(guī)定元素、氮及碳的膜的工序:向上述基板供給含有上述規(guī)定元素和鹵素的原料氣體的工序；向上述基板供給由碳、氮及氫三種元素構(gòu)成且組成式中碳原子數(shù)多于氮原子數(shù)的反應(yīng)氣體的工序。
在此，將供給原料氣體及反應(yīng)氣體二者中的一種氣體的工序和其后供給原料氣體及反應(yīng)氣體二者中的與上述一種氣體不同的另一種氣體的工序視為一個(gè)循環(huán)時(shí)，“交替進(jìn)行規(guī)定次數(shù)的供給原料氣體的工序和供給反應(yīng)氣體的工序”包括進(jìn)行一次該循環(huán)的情況以及反復(fù)進(jìn)行多次該循環(huán)的情況雙方。即，表示進(jìn)行一次以上(規(guī)定次數(shù))的該循環(huán)。(附記2)在附記I的半導(dǎo)體裝置的制造方法中，優(yōu)選的是，上述反應(yīng)氣體的組成式中具有多個(gè)含有碳原子的配體。(附記3)在附記I或2的半導(dǎo)體裝置的制造方法中，優(yōu)選的是，上述反應(yīng)氣體的組成式中具有三個(gè)含有碳原子的配體。(附記4)在附記I或2的半導(dǎo)體裝置的制造方法中，優(yōu)選的是，上述反應(yīng)氣體的組成式中具有兩個(gè)含有碳原子的配體。(附記5)在附記I 4中任一項(xiàng)的半導(dǎo)體裝置的制造方法中，優(yōu)選的是，上述反應(yīng)氣體包含胺及有機(jī)肼二者中的至少任一種。(附記6)在附記I 4中任一項(xiàng)的半導(dǎo)體裝置的制造方法中，優(yōu)選的是，上述反應(yīng)氣體包含選自乙胺、甲胺、丙胺、異丙胺、丁胺及異丁胺中的至少一種胺。(附記7)在附記I或2的半導(dǎo)體裝置的制造方法中，優(yōu)選的是，上述反應(yīng)氣體包含選自三乙胺、二乙胺、三甲胺、二甲胺、三丙胺、二丙胺、三異丙胺、二異丙胺、三丁胺、二丁胺、三異丁胺及二異丁胺中的至少一種胺。(附記8)在附記I或2的半導(dǎo)體裝置的制造方法中，優(yōu)選的是，上述反應(yīng)氣體包含選自二乙胺、二甲胺、二丙胺、二異丙胺、二丁胺及二異丁胺中的至少一種胺。(附記9)在附記I 8中任一項(xiàng)的半導(dǎo)體裝置的制造方法中，優(yōu)選的是，上述反應(yīng)氣體是不含硅的氣體。(附記10)在附記I 8中任一項(xiàng)的半導(dǎo)體裝置的制造方法中，優(yōu)選的是，上述反應(yīng)氣體是不含硅及金屬的氣體。(附記11)在附記I 10中任一項(xiàng)的半導(dǎo)體裝置的制造方法中，優(yōu)選的是，上述規(guī)定元素包括硅或金屬，上述鹵素包括氯或氟。(附記12)在附記I 11中任一項(xiàng)的半導(dǎo)體裝置的制造方法中，優(yōu)選的是，在交替進(jìn)行規(guī)定次數(shù)的供給上述原料氣體的工序和供給上述反應(yīng)氣體的工序的工序中，一邊使上述原料氣體所含的上述鹵素和上述反應(yīng)氣體所含的氫以氣體的形態(tài)排出，一邊在上述基板上形成含有上述規(guī)定元素、氮及碳的膜。(附記13)在附記I 12中任一項(xiàng)的半導(dǎo)體裝置的制造方法中，優(yōu)選的是，在供給上述原料氣體的工序中，形成含有上述規(guī)定元素和上述鹵素的第I層，在供給上述反應(yīng)氣體的工序中，使上述第I層和上述反應(yīng)氣體發(fā)生反應(yīng)而形成含有上述規(guī)定元素、氮及碳的第2層。(附記14)在附記13的半導(dǎo)體裝置的制造方法中，優(yōu)選的是，在供給上述反應(yīng)氣體的工序中，使上述第I層和上述反應(yīng)氣體發(fā)生反應(yīng)，將上述第I層所含的上述鹵素的至少一部分從上述第I層釋放，并使上述反應(yīng)氣體所含的配體的至少一部分從上述反應(yīng)氣體分離。(附記15)在附記14的半導(dǎo)體裝置的制造方法中，優(yōu)選的是，在供給上述反應(yīng)氣體的工序中，使上述第I層和上述反應(yīng)氣體發(fā)生反應(yīng)，將上述第I層所含的上述鹵素的至少一部分從上述第I層釋放，并使上述反應(yīng)氣體所含的配體的至少一部分從上述反應(yīng)氣體分離，使分離出了上述配體的至少一部分后的上述反應(yīng)氣體的氮與上述第I層所含的上述規(guī)定元素鍵合。(附記16)在附記15的半導(dǎo)體裝置的制造方法中，優(yōu)選的是，在供給上述反應(yīng)氣體的工序，使上述第I層和上述反應(yīng)氣體發(fā)生反應(yīng)，將上述第I層所含的上述鹵素的至少一部分從上述第I層釋放，使上述反應(yīng)氣體所含的配體的至少一部分從上述反應(yīng)氣體分離，使分離出了上述配體的至少一部分后的上述反應(yīng)氣體的氮與上述第I層所含的上述規(guī)定元素鍵合，并且使上述配體所含的碳與上述第I層所含的上述規(guī)定元素鍵合。(附記17)在附記I 16中任一項(xiàng)的半導(dǎo)體裝置的制造方法中，優(yōu)選的是，形成含有上述規(guī)定元素、氮及碳的膜的工序在將上述基板收容于處理室內(nèi)的狀態(tài)下進(jìn)行，使供給上述反應(yīng)氣體的工序中的上述處理室的壓力大于供給上述原料氣體的工序中的上述處理室的壓力。(附記18)根據(jù)本發(fā)明另一技術(shù)方案，提供一種基板處理方法，其具有通過交替進(jìn)行規(guī)定次數(shù)的如下工序而在基板上形成含有規(guī)定元素、氮及碳的膜的工序:向上述基板供給含有上述規(guī)定元素和鹵素的原料氣體的工序；向上述基板供給由碳、氮及氫三種元素構(gòu)成且組成式中碳原子數(shù)多于氮原子數(shù)的反應(yīng)氣體的工序。(附記19)根據(jù)本發(fā)明在又一技術(shù)方案，提供一種基板處理裝置，其包括:處理室，用于收容基板；原料氣體供給系統(tǒng)，用于向上述處理室內(nèi)供給含有規(guī)定元素和鹵素的原料氣體；反應(yīng)氣體供給系統(tǒng)，用于向上述處理室內(nèi)供給由碳、氮及氫三種元素構(gòu)成且組成式中碳原子數(shù)多于氮原子數(shù)的反應(yīng)氣體；控制部，用于控制上述原料氣體供給系統(tǒng)和上述反應(yīng)氣體供給系統(tǒng)，以通過交替進(jìn)行規(guī)定次數(shù)的向上述處理室內(nèi)的基板供給上述原料氣體的處理和向上述處理室內(nèi)的上述基板供給上述反應(yīng)氣體的處理而進(jìn)行在上述基板上形成含有上述規(guī)定元素、氮及碳的膜的處理。(附記20)
根據(jù)本發(fā)明再一技術(shù)方案，提供一種程序，其用于使計(jì)算機(jī)執(zhí)行通過交替進(jìn)行規(guī)定次數(shù)的如下兩道流程，而在基板上形成含有規(guī)定元素、氮及碳的膜的流程:向基板處理裝置的處理室內(nèi)的基板供給含有上述規(guī)定元素和鹵素的原料氣體的流程；向上述處理室內(nèi)的上述基板供給由碳、氮及氫三種元素構(gòu)成且組成式中碳原子數(shù)多于氮原子數(shù)的反應(yīng)氣體的流程。
(附記21)
根據(jù)本發(fā)明的再一技術(shù)方案，提供一種能被計(jì)算機(jī)讀取的記錄介質(zhì)，其記錄有如下程序，該程序用于使計(jì)算機(jī)執(zhí)行通過交替進(jìn)行規(guī)定次數(shù)的如下兩道流程，而在基板上形成含有規(guī)定元素、氮及碳的膜的流程:向基板處理裝置的處理室內(nèi)的基板供給含有上述規(guī)定元素和鹵素的原料氣體的流程；向上述處理室內(nèi)的上述基板供給由碳、氮及氫三種元素構(gòu)成且組成式中碳原子數(shù)多于氮原子數(shù)的反應(yīng)氣體的流程。
附圖標(biāo)記說明
121控制器(控制部)
200晶圓(基板)
201處理室
202處理爐
203反應(yīng)管
207加熱器
231排氣管
232a第I氣體供給管
232b第2氣體供給管
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體裝置的制造方法， 其具有通過交替進(jìn)行規(guī)定次數(shù)的如下工序而在基板上形成含有規(guī)定元素、氮及碳的膜的工序: 向所述基板供給含有所述規(guī)定元素和鹵素的原料氣體的工序； 向所述基板供給由碳、氮及氫三種元素構(gòu)成且組成式中碳原子數(shù)多于氮原子數(shù)的反應(yīng)氣體的工序。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法， 所述反應(yīng)氣體的組成式中具有多個(gè)含有碳原子的配體。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法， 所述反應(yīng)氣體的組成式中具有三個(gè)含有碳原子的配體。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法， 所述反應(yīng)氣體的組成式中具有兩個(gè)含有碳原子的配體。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法， 所述反應(yīng)氣體包含胺及有機(jī)肼二者中的至少任一種。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法， 所述反應(yīng)氣體包含選自乙胺、甲胺、丙胺、異丙胺、丁胺及異丁胺中的至少一種胺。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法， 所述反應(yīng)氣體包含選自三乙胺、二乙胺、三甲胺、二甲胺、三丙胺、二丙胺、三異丙胺、二異丙胺、三丁胺、二丁胺、三異丁胺及二異丁胺中的至少一種胺。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法， 所述反應(yīng)氣體包含選自二乙胺、二甲胺、二丙胺、二異丙胺、二丁胺及二異丁胺中的至少一種胺。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法， 所述反應(yīng)氣體是不含硅的氣體。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法， 所述反應(yīng)氣體是不含硅及金屬的氣體。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法， 所述規(guī)定元素包括硅或金屬，所述鹵素包括氯或氟。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法， 在交替進(jìn)行規(guī)定次數(shù)的供給所述原料氣體的工序和供給所述反應(yīng)氣體的工序的工序中，所述原料氣體所含的所述鹵素和所述反應(yīng)氣體所含的氫以氣體形式排出，并且在所述基板上形成含有所述規(guī)定元素、氮及碳的膜。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法， 在供給所述原料氣體的工序中，形成含有所述規(guī)定元素和所述鹵素的第I層； 在供給所述反應(yīng)氣體的工序中，使所述第I層和所述反應(yīng)氣體發(fā)生反應(yīng)而形成含有所述規(guī)定元素、氮及碳的第2層。
14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法， 在供給所述反應(yīng)氣體的工序中，使所述第I層和所述反應(yīng)氣體發(fā)生反應(yīng)，將所述第I層所含的所述鹵素的至少一部分從所述第I層釋放，并使所述反應(yīng)氣體所含的配體的至少一部分從所述反應(yīng)氣體分離。
15.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法， 在供給所述反應(yīng)氣體的工序中，使所述第I層和所述反應(yīng)氣體發(fā)生反應(yīng)，將所述第I層所含的所述鹵素的至少一部分從所述第I層釋放，并使所述反應(yīng)氣體所含的配體的至少一部分從所述反應(yīng)氣體分離，使分離出了所述配體的至少一部分后的所述反應(yīng)氣體的氮和所述第I層所含的所述規(guī)定元素鍵合。
16.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法， 在供給所述反應(yīng)氣體的工序中，使所述第I層和所述反應(yīng)氣體發(fā)生反應(yīng)，將所述第I層所含的所述鹵素的至少一部分從所述第I層釋放，并使所述反應(yīng)氣體所含的配體的至少一部分從所述反應(yīng)氣體分離，使分離出了所述配體的至少一部分后的所述反應(yīng)氣體的氮和所述第I層所含的所述規(guī)定元素鍵合，并且使所述配體所含的碳和所述第I層所含的所述規(guī)定元素鍵合。
17.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法， 形成含有所述規(guī)定元素、氮及碳的膜的工序在將所述基板收容于處理室內(nèi)的狀態(tài)下進(jìn)行， 使供給所述反應(yīng)氣體的工序中的所述處理室的壓力大于供給所述原料氣體的工序中的所述處理室的壓力。
18.—種基板處理方法， 其具有通過交替進(jìn)行規(guī) 定次數(shù)的如下工序而在基板上形成含有規(guī)定元素、氮及碳的膜的工序: 向所述基板供給含有所述規(guī)定元素和鹵素的原料氣體的工序； 向所述基板供給由碳、氮及氫三種元素構(gòu)成且組成式中碳原子數(shù)多于氮原子數(shù)的反應(yīng)氣體的工序。
19.一種基板處理裝置，其包括: 處理室，用于收容基板； 原料氣體供給系統(tǒng)，用于向所述處理室內(nèi)供給含有規(guī)定元素和鹵素的原料氣體； 反應(yīng)氣體供給系統(tǒng)，用于向所述處理室內(nèi)供給由碳、氮及氫三種元素構(gòu)成且組成式中碳原子數(shù)多于氮原子數(shù)的反應(yīng)氣體； 控制部，用于控制所述原料氣體供給系統(tǒng)和所述反應(yīng)氣體供給系統(tǒng)，以使得通過交替進(jìn)行規(guī)定次數(shù)的向所述處理室內(nèi)的基板供給所述原料氣體的處理和向所述處理室內(nèi)的所述基板供給所述反應(yīng)氣體的處理而進(jìn)行在所述基板上形成含有所述規(guī)定元素、氮及碳的膜的處理。
全文摘要
本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體裝置的制造方法、基板處理方法及基板處理裝置，能提高形成碳氮膜時(shí)的生產(chǎn)率，并提高碳氮膜中的碳濃度。該方法具有通過交替進(jìn)行規(guī)定次數(shù)的如下兩道工序而在基板上形成含有規(guī)定元素、氮及碳的膜的工序向基板供給含有規(guī)定元素和鹵素的原料氣體的工序；向基板供給由碳、氮及氫三種元素構(gòu)成且組成式中碳原子數(shù)多于氮原子數(shù)的反應(yīng)氣體的工序。
文檔編號H01L21/02GK103165410SQ20121052991
公開日2013年6月19日 申請日期2012年12月7日 優(yōu)先權(quán)日2011年12月9日
發(fā)明者廣瀨義朗, 佐野敦, 柳田和孝, 東野桂子 申請人:株式會社日立國際電氣, 喬治洛德方法研究和開發(fā)液化空氣有限公司