專(zhuān)利名稱(chēng)：部件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及在表面形成有鍍層的金屬制的部件。
背景技術(shù)：
針對(duì)由金屬材料形成的部件，為了抑制腐蝕，通常是在表面形成鍍層來(lái)實(shí)現(xiàn)。尤其是從腐蝕角度考慮能夠在苛刻的使用環(huán)境下使用的部件，往往在露出于外部的表面上形成有鍍層，該鍍層由諸如金、銀、金合金、銀合金等耐蝕性良好的貴金屬構(gòu)成。上述的貴金屬的價(jià)格昂貴，因此要求由該金屬構(gòu)成的部件的表層的鍍層實(shí)現(xiàn)薄膜化，而且將鍍層的厚度設(shè)定為非常薄。但是，如果由貴金屬構(gòu)成的表層的鍍層的厚度變薄，則容易產(chǎn)生被稱(chēng)為針孔的較小的細(xì)孔。在產(chǎn)生針孔時(shí)存在如下問(wèn)題:從該針孔露出的基底的鍍層或者母材的金屬由于電解腐蝕(電蝕)而容易很快腐蝕。作為抑制從產(chǎn)生于表面的鍍層的針孔露出的基底的鍍層或者母材的金屬的腐蝕的方法，已經(jīng)公知有如日本特開(kāi)平8 - 260194號(hào)公報(bào)公開(kāi)的、對(duì)露出于外部的表層的鍍層涂敷封孔處理劑的方法。通過(guò)對(duì)表層的鍍層涂敷封孔處理劑，針孔被封孔處理劑堵塞，從而抑制基底的鍍層或者母材的金屬的腐蝕。如日本特開(kāi)平8 — 260194號(hào)公報(bào)公開(kāi)的那樣，利用對(duì)露出于外部的表層的鍍層涂敷封孔處理劑的結(jié)構(gòu)，抑制基底的鍍層或者母材的金屬的腐蝕。但是，在部件被長(zhǎng)期使用的環(huán)境中，封孔處理劑有可能緩慢地散失。因此，存在很難以穩(wěn)定的狀態(tài)長(zhǎng)期抑制腐蝕的問(wèn)題。

發(fā)明內(nèi)容
鑒于上述情況，本發(fā)明的目的在于提供一種部件，該部件能夠?qū)⒙冻鲇谕獠康谋韺拥腻儗拥暮穸仍O(shè)定得較薄，并能夠以穩(wěn)定的狀態(tài)長(zhǎng)期抑制底鍍層及母材的金屬的腐蝕。為了達(dá)到上述目的，本發(fā)明第I方面的部件在表面形成有鍍層，其特征在于，該部件具有:主體部，其由金屬材料形成；底鍍層，其包括由Ni或Ni合金形成的Ni鍍層，并且以被覆所述主體部的表面的方式形成；多孔鍍層，其以被覆所述底鍍層的表面的方式形成，并且構(gòu)成為多孔質(zhì)體，所述多孔質(zhì)體中分散形成有多孔構(gòu)造，該多孔構(gòu)造設(shè)置為孔和空隙中的至少任意一方；以及表層鍍層，其形成于所述多孔鍍層的表面，并且露出于外部，所述表層鍍層被設(shè)置為，其能夠使在所述多孔鍍層的表面上分散形成的所述多孔構(gòu)造露出于外部，形成所述表層鍍層的金屬的離子化傾向小于形成所述多孔鍍層的金屬的離子化傾向。根據(jù)這種結(jié)構(gòu)，構(gòu)成部件的主體部的母材的金屬被底鍍層被覆。并且，底鍍層被作為多孔質(zhì)體的多孔鍍層被覆，在多孔鍍層的表面形成有表層鍍層。形成表層鍍層的金屬構(gòu)成為離子化傾向小于形成多孔鍍層的金屬的貴金屬。并且，表層鍍層形成為使在多孔鍍層的表面上分散形成的多孔構(gòu)造露出于外部的程度的薄層。因此，能夠?qū)⒙冻鲇谕獠康谋韺拥腻儗拥暮穸仍O(shè)定為較薄。因此，在構(gòu)成表層鍍層的金屬是諸如金、銀、金合金、銀合金等價(jià)格昂貴的金屬的情況下，也能夠容易降低其使用量。
并且，根據(jù)上述的結(jié)構(gòu)，表層鍍層被設(shè)置成為使在多孔鍍層的表面上分散形成的多孔構(gòu)造露出于外部。因此，上述結(jié)構(gòu)的部件在表層鍍層的內(nèi)側(cè)的區(qū)域中處于多孔鍍層更多地分散露出于外部的狀態(tài)。由此，底鍍層的外側(cè)的區(qū)域、即形成有表層鍍層及多孔鍍層的區(qū)域的表面構(gòu)造，與前述的諸如產(chǎn)生針孔的表層的鍍層的狀態(tài)不同，是由賤金屬構(gòu)成的多孔鍍層的面積在與由貴金屬構(gòu)成的表層鍍層的面積的關(guān)系上足夠大的表面構(gòu)造。因此，能夠?qū)l(fā)生氧化反應(yīng)(陽(yáng)極反應(yīng))的賤多孔鍍層的面積與發(fā)生還原反應(yīng)(陰極反應(yīng))的貴表層鍍層的面積的比率設(shè)定得更大。由此，與貴表層鍍層接觸的賤多孔鍍層的腐蝕速度大幅降低，能抑制電解腐蝕(電蝕)，提高部件的表面的耐蝕性。另外，該部件在表層鍍層的內(nèi)側(cè)的區(qū)域中，使多孔鍍層更多地分散露出于外部，因而發(fā)生陽(yáng)極反應(yīng)的部位分散較廣。由此，腐蝕電流被分散，腐蝕的進(jìn)行機(jī)理不是局部集中地快速進(jìn)行的部分腐蝕的機(jī)理，而是廣且薄地分散并緩慢進(jìn)行的面腐蝕的機(jī)理。因此，整體上腐蝕進(jìn)行得非常緩慢，提高部件的表面的耐蝕性。并且，在上述結(jié)構(gòu)的部件中，母材的金屬至少被底鍍層被覆，因而也防止母材的金屬露出于外部而腐蝕。并且，根據(jù)上述的結(jié)構(gòu)，即使將露出于外部的表層的鍍層的厚度設(shè)定得較薄，也能夠抑制底鍍層及母材的金屬的腐蝕，因而不需要在表面上涂敷用于提高耐蝕性的封孔處理劑。并且，因此也不會(huì)由于封孔處理劑的散失而產(chǎn)生耐蝕性下降的問(wèn)題。因此，根據(jù)上述的結(jié)構(gòu)能夠提供這樣的部件:該部件能夠?qū)⒙冻鲇谕獠康谋韺拥腻儗拥暮穸仍O(shè)定得較薄，并且能夠以穩(wěn)定的狀態(tài)長(zhǎng)期地抑制底鍍層及母材的金屬的腐蝕。本發(fā)明第2方面的部件是根據(jù)第I方面所述的部件，其特征在于，該部件是作為電子部件而設(shè)置的，其具有與其它部件電連接的電觸點(diǎn)部，而且在表面形成有鍍層。諸如連接器、端子、開(kāi)關(guān)或者繼電器等那樣具有與其它部件電連接的電觸點(diǎn)部的電子部件，從腐蝕的角度考慮容易處于苛刻的使用環(huán)境中。因此，尤其是這種電子部件往往在露出于外部的表面形成有鍍層，該鍍層由諸如金、銀、金合金、銀合金等耐蝕性及導(dǎo)電性良好的貴金屬構(gòu)成。但是，如前面所述，上述的貴金屬價(jià)格昂貴，因而鍍層的厚度形成得較薄，存在產(chǎn)生針孔、并且從針孔露出的底鍍層或者母材的金屬容易很快腐蝕的問(wèn)題。另外，在底鍍層或者母材的金屬的腐蝕發(fā)展時(shí)，腐蝕生成物容易生長(zhǎng)。并且，存在該腐蝕生成物導(dǎo)致電觸點(diǎn)部的導(dǎo)電性降低而容易引發(fā)導(dǎo)通不良的問(wèn)題。另外，過(guò)去如日本特開(kāi)平8 — 260194號(hào)公報(bào)公開(kāi)的那樣，基于抑制底鍍層或者母材的金屬的腐蝕的考慮，對(duì)露出于外部的表層的鍍層涂敷封孔處理劑。但是，封孔處理劑本身由添加了防銹添加物的有機(jī)溶劑或者界面活性劑那樣的導(dǎo)電性能差的物質(zhì)構(gòu)成。因此，封孔處理劑有可能引發(fā)電觸點(diǎn)部的導(dǎo)通不良。與此相對(duì)，上述結(jié)構(gòu)的電子部件如前面所述，將發(fā)生陽(yáng)極反應(yīng)的賤多孔鍍層的面積與發(fā)生陰極反應(yīng)的貴表層鍍層的面積的比率設(shè)定得比較大，賤多孔鍍層的腐蝕速度大幅降低，能抑制電蝕。另外，上述結(jié)構(gòu)的電子部件在表層鍍層的內(nèi)側(cè)的區(qū)域中，使多孔鍍層更多地分散露出于外部，因而腐蝕電流被分散。由此，在該電子部件中，局部集中地快速進(jìn)行的部分腐蝕的發(fā)展被抑制，而是產(chǎn)生廣且薄地分散并緩慢進(jìn)行的面腐蝕。因此，電子部件整體的耐蝕性提高。并且，由于能抑制電蝕，并且也抑制局部且快速集中地產(chǎn)生腐蝕，因而能夠抑制局部的腐蝕生成物容易生長(zhǎng)的情況。并且，根據(jù)上述的結(jié)構(gòu)，由于能夠抑制底鍍層及母材的金屬的腐蝕，因而也能夠抑制由于生成腐蝕生成物而引發(fā)導(dǎo)通不良。并且，根據(jù)上述的結(jié)構(gòu)，即使露出于外部的表層的鍍層的厚度被設(shè)定得較薄，也能抑制底鍍層及母材的金屬的腐蝕，因而不需在表面涂敷導(dǎo)電性能差的封孔處理劑。因此，根據(jù)上述的結(jié)構(gòu)能夠提供這樣的部件:該部件能夠?qū)⒙冻鲇谕獠康谋韺拥腻儗拥暮穸仍O(shè)定得較薄，并且能夠以穩(wěn)定的狀態(tài)長(zhǎng)期抑制底鍍層及母材的金屬的腐蝕，而且也能夠抑制引發(fā)導(dǎo)通不良。本發(fā)明第3方面的部件是根據(jù)第I方面或者第2方面所述的部件，其特征在于，在露出于外部的所述多孔構(gòu)造中填充有具有潤(rùn)滑性的潤(rùn)滑物質(zhì)。根據(jù)這種結(jié)構(gòu)，露出于外部的多孔構(gòu)造的孔或者空隙中被填充了潤(rùn)滑物質(zhì)，因而能夠提高部件的表面的滑動(dòng)磨損特性。并且，由于部件的表面的滑動(dòng)磨損特性提高，因而當(dāng)諸如其它部件在部件的表面上滑動(dòng)的情況下，也能夠抑制表層鍍層及多孔鍍層被磨削。通過(guò)抑制鍍層被磨削，能夠抑制底鍍層及母材的金屬露出，進(jìn)而抑制底鍍層及母材的金屬的腐蝕。并且，潤(rùn)滑物質(zhì)不是涂敷于部件的表層，而是被填充在多孔構(gòu)造的孔或者空隙中。因此，即使是在部件構(gòu)成為具有電觸點(diǎn)部的電子部件的情況下，也能夠抑制潤(rùn)滑物質(zhì)阻礙電子部件的表面的導(dǎo)電性。本發(fā)明第4方面的部件是根據(jù)第3方面所述的部件，其特征在于，所述潤(rùn)滑物質(zhì)以微粒狀的形式被埋入到露出于外部的所述多孔構(gòu)造中，由此來(lái)進(jìn)行填充。根據(jù)這種結(jié)構(gòu)，潤(rùn)滑物質(zhì)以微粒狀的形式被埋入在多孔構(gòu)造中。因此，能夠容易且高效地將潤(rùn)滑物質(zhì)填充在多孔構(gòu)造的孔或者空隙中。另外，關(guān)于微粒狀的潤(rùn)滑物質(zhì)在多孔構(gòu)造中的埋入方法能夠選擇各種方法。例如，也可以按照如下的形式來(lái)實(shí)施，即通過(guò)噴丸處理等，將微粒狀的潤(rùn)滑物質(zhì)通過(guò)噴嘴吹附在部件的表面上，由此微粒狀的潤(rùn)滑物質(zhì)被埋入多孔構(gòu)造中。在這種情況下，在進(jìn)行吹附時(shí)微粒狀的潤(rùn)滑物質(zhì)被賦予了動(dòng)能，因而能夠高效地將很多的潤(rùn)滑物質(zhì)填充在多孔構(gòu)造中。另夕卜，也可以按照如下的形式來(lái)實(shí)施:使形成有底鍍層、多孔鍍層及表層鍍層的部件浸潰在分散了微粒狀的潤(rùn)滑物質(zhì)的水等液體中，然后對(duì)液體及部件施加振動(dòng)，由此微粒狀的潤(rùn)滑物質(zhì)被埋入多孔構(gòu)造中。另外，在潤(rùn)滑物質(zhì)被埋入多孔構(gòu)造中后，通過(guò)蒸發(fā)將液體從部件的表面去除。并且，也可以按照通過(guò)加壓處理將微粒狀的潤(rùn)滑物質(zhì)埋入多孔構(gòu)造中的形式來(lái)實(shí)施。本發(fā)明第5方面的部件是根據(jù)第3方面所述的部件，其特征在于，所述潤(rùn)滑物質(zhì)包括氮化硼、鑰、石墨、硅石、氟樹(shù)脂及金剛石中的至少任意一種。根據(jù)這種結(jié)構(gòu)，能夠選擇容易填充在多孔構(gòu)造的孔或者空隙中而且充分發(fā)揮潤(rùn)滑性能的潤(rùn)滑物質(zhì)。本發(fā)明第6方面的部件是根據(jù)第I方面 第5方面中任意一個(gè)方面所述的部件，其特征在于，形成所述多孔鍍層的金屬是Ni或Ni合金。根據(jù)這種結(jié)構(gòu)，多孔鍍層與底鍍層中包含的Ni鍍層相同地由Ni或Ni合金形成。因此，抑制在底鍍層與多孔鍍層之間形成電池，抑制腐蝕的發(fā)生。發(fā)明效果根據(jù)本發(fā)明，能夠提供這樣的部件:該部件能夠?qū)⒙冻鲇谕獠康谋韺拥腻儗拥暮穸仍O(shè)定得較薄，而且能夠以穩(wěn)定的狀態(tài)長(zhǎng)期抑制底鍍層及母材的金屬的腐蝕。


圖1是示出在連接器上安裝了作為本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的部件的端子的狀態(tài)的截面圖。圖2是示意性放大地示出圖1所示的端子的表面的一部分截面的示意性放大截面圖。圖3是進(jìn)一步放大地示出圖2的一部分的圖。圖4是示意性放大地示出圖1所示的端子的表面的多孔構(gòu)造中沒(méi)有填充潤(rùn)滑物質(zhì)的狀態(tài)的截面的示意性放大截面圖。圖5是示意性放大地示出用于說(shuō)明在圖1所示的端子的表面的多孔構(gòu)造中填充潤(rùn)滑物質(zhì)的工藝的截面狀態(tài)的示意性放大截面圖。圖6是示出SEM照片的圖像的圖，該SEM照片拍攝了在多孔鍍層的多孔構(gòu)造中沒(méi)有填充潤(rùn)滑物質(zhì)的狀態(tài)的端子的表面。圖7是示出SEM照片的圖像的圖，該SEM照片拍攝了在多孔鍍層的多孔構(gòu)造中沒(méi)有填充潤(rùn)滑物質(zhì)的狀態(tài)的端子的表面。圖8是示出SEM照片的圖像的圖，該SEM照片拍攝了在多孔鍍層的多孔構(gòu)造中填充了潤(rùn)滑物質(zhì)的狀態(tài)的端子的表面。圖9是放大地示出圖8的一部分的圖。圖10是示出SEM照片的圖像的圖，該SEM照片拍攝了在多孔鍍層的多孔構(gòu)造中沒(méi)有填充潤(rùn)滑物質(zhì)的狀態(tài)的端子的表面附近的截面。圖11是示出為了驗(yàn)證本發(fā)明的效果而進(jìn)行的驗(yàn)證試驗(yàn)的結(jié)果的圖，是示出導(dǎo)電性確認(rèn)試驗(yàn)的結(jié)果的圖。圖12是示出為了驗(yàn)證本發(fā)明的效果而進(jìn)行的驗(yàn)證試驗(yàn)的結(jié)果的圖，是示出導(dǎo)電性確認(rèn)試驗(yàn)的結(jié)果的圖。圖13是示出為了驗(yàn)證本發(fā)明的效果而進(jìn)行的驗(yàn)證試驗(yàn)的結(jié)果的圖，是示出導(dǎo)電性確認(rèn)試驗(yàn)的結(jié)果的圖。標(biāo)號(hào)說(shuō)明I端子(部件、電子部件);11主體部；12底鍍層；13多孔鍍層；13a多孔構(gòu)造；14表
層鍍層。
具體實(shí)施例方式下面，參照

用于實(shí)施本發(fā)明的方式。其中，在本實(shí)施方式的說(shuō)明中，以將本發(fā)明應(yīng)用于構(gòu)成為連接器用端子的電子部件的情況為例進(jìn)行說(shuō)明，但是，不限于該示例，在該例以外的其他情況下也能夠應(yīng)用本發(fā)明。本發(fā)明能夠廣泛應(yīng)用于具有由金屬材料形成的主體部、而且在表面形成有鍍層的部件。即，本發(fā)明可以應(yīng)用于端子以外的電子部件，并且，本發(fā)明還可以應(yīng)用于電子部件以外的金屬制的部件。圖1是示出在連接器100上安裝了構(gòu)成為本實(shí)施方式中的部件的連接器用端子I的狀態(tài)的截面圖。連接器100例如構(gòu)成為用于連接扁平電纜101的端部的連接器。另外，圖1示出了與連接器100的寬度方向垂直的截面。此外，在圖1中，用截面示出了連接器100中的外殼部件102和轉(zhuǎn)動(dòng)部件103、以及與端子I電連接的扁平電纜101，且示出了端子I的外形。如圖1所示，連接器100構(gòu)成為具有外殼部件102、轉(zhuǎn)動(dòng)部件103以及本實(shí)施方式的端子(部件)I。此外，在連接器100中具有多個(gè)端子I。外殼部件102和轉(zhuǎn)動(dòng)部件103由構(gòu)成為絕緣性材料的樹(shù)脂材料形成。端子I由金屬材料形成，例如由磷青銅形成。此外,如后所述，在端子I的表面上形成有鍍層。在外殼部件102中，形成有分別插入多個(gè)端子I的多個(gè)插入口 102a,各插入口102a形成為與外殼部件102的內(nèi)側(cè)的空間區(qū)域(后述的開(kāi)放區(qū)域102b)連通。此外，多個(gè)插入口 102a是在連接器100的寬度方向上串聯(lián)地并排配置的。并且，在外殼部件102的與多個(gè)插入口 102a相反的一側(cè)形成了對(duì)外部開(kāi)放的開(kāi)放區(qū)域102b，該開(kāi)放區(qū)域102b構(gòu)成配置扁平電纜101的端部的區(qū)域。此外，配置在開(kāi)放區(qū)域102b中的扁平電纜101的端部的絕緣被覆層被剝離掉從而露出導(dǎo)體，形成為可與端子I電連接的狀態(tài)。此外，扁平電纜101例如被設(shè)為撓性扁平電纜或撓性印制電路基板等，該扁平電纜101是通過(guò)對(duì)平行排列的多個(gè)導(dǎo)體一體地進(jìn)行絕緣被覆而形成的。端子I在一個(gè)端部，形成有呈兩股狀突出的一對(duì)突出片部(la、lb)，在另一個(gè)端部，通過(guò)安裝等方式而裝在未圖示的其他設(shè)備或基板等上。并且，端子I通過(guò)該一對(duì)突出片部(la、Ib)而被插入到外殼部件102的插入孔102a中。此時(shí)，端子I是在被壓入到插入口102a中的狀態(tài)下被插入到外殼部件102中。此外，在端子I的一個(gè)突出片部la，呈突起狀地形成有與扁平電纜101的端部上的各個(gè)導(dǎo)體電連接的電觸點(diǎn)部lc。并且，在端子I的另一個(gè)突出片部lb，形成有以滑動(dòng)自如的方式卡定于后述的轉(zhuǎn)動(dòng)部件103的各個(gè)旋轉(zhuǎn)軸部103a的外周的卡定凹部Id。另外，如上所述，構(gòu)成本實(shí)施方式的部件的端子I也構(gòu)成本實(shí)施方式的電子部件，其具有與作為其它部件的扁平電纜101電連接的電觸點(diǎn)部lc，并且在表面形成有鍍層。轉(zhuǎn)動(dòng)部件103被設(shè)置為以相對(duì)于外殼部件102和多個(gè)端子I轉(zhuǎn)動(dòng)的方式被操作的桿狀部件，并且被設(shè)置為在對(duì)各個(gè)端子I加壓的狀態(tài)下按壓扁平電纜101的端部的各個(gè)導(dǎo)體的部件。并且，該轉(zhuǎn)動(dòng)部件103形成為，沿著外殼部件102的寬度方向延伸并且局部地覆蓋外殼部件102的開(kāi)放區(qū)域102b。此外，轉(zhuǎn)動(dòng)部件103的一個(gè)端部側(cè)形成為轉(zhuǎn)動(dòng)操作用的操作部103b，而在另一個(gè)端部側(cè)形成為沿著寬度方向排列配置有多個(gè)槽部103c。各槽部103c構(gòu)成插入各端子I的另一個(gè)突出片部Ib的末端部分的槽部。并且，在各槽部103c中配置有各個(gè)旋轉(zhuǎn)軸部103a，所述旋轉(zhuǎn)軸部103a形成為架設(shè)在該槽部103c的整體中。如前所述，端子I的另一個(gè)突出片部Ib處的卡定凹部Id滑動(dòng)自如地卡定于所述各個(gè)旋轉(zhuǎn)軸部103a的外周。由此，轉(zhuǎn)動(dòng)部件103以如下方式構(gòu)成:被支撐為在通過(guò)各個(gè)旋轉(zhuǎn)軸部103a卡定于各端子I的卡定凹部Id中的狀態(tài)下，相對(duì)于多個(gè)端子I轉(zhuǎn)動(dòng)自如。在連接器100中，各端子I從各插入口 102a被壓入到外殼部件102中。并且，在多個(gè)端子I被完全壓入到外殼部件102中的狀態(tài)下，安裝轉(zhuǎn)動(dòng)部件103。此時(shí)，轉(zhuǎn)動(dòng)部件103以與外殼部件102大致垂直的姿勢(shì)，通過(guò)各旋轉(zhuǎn)軸部103a而被卡定于各端子I的卡定凹部Id中。通過(guò)將各旋轉(zhuǎn)軸部103a卡定于各卡定凹部Id中，從而將轉(zhuǎn)動(dòng)部件103支撐為相對(duì)于多個(gè)端子I轉(zhuǎn)動(dòng)自如。在如上述那樣組裝了連接器100的狀態(tài)下，將扁平電纜101的端部插入到配置于開(kāi)放區(qū)域102b中的多個(gè)端子I各自的一對(duì)突出片部(la、lb)之間。此時(shí)，在處于轉(zhuǎn)動(dòng)部件103與外殼部件102大致垂直的姿勢(shì)的狀態(tài)的連接器100中，扁平電纜101的端部被插入到各一對(duì)突出片部(la、lb)之間。并且，在插入扁平電纜101的端部后對(duì)操作部103b進(jìn)行操作，由此轉(zhuǎn)動(dòng)部件103能夠通過(guò)各旋轉(zhuǎn)軸部103a在各卡定凹部Id中滑動(dòng)，同時(shí)相對(duì)于多個(gè)端子I轉(zhuǎn)動(dòng)。由此，利用轉(zhuǎn)動(dòng)部件103中被設(shè)置為與扁平電纜101相面對(duì)的面的加壓面103d，使得扁平電纜101的端部的各導(dǎo)體按壓各端子I的電觸點(diǎn)部lc，從而將各導(dǎo)體與各電觸點(diǎn)部Ic電連接。并且，在扁平電纜101端部的各導(dǎo)體對(duì)各端子I的電觸點(diǎn)部Ic進(jìn)行了加壓的狀態(tài)下，將扁平電纜101的端部保持在連接器I中，從而將連接器100與扁平電纜101連接起來(lái)。接著，對(duì)作為本實(shí)施方式的部件及電子部件的端子I的表面的鍍層結(jié)構(gòu)進(jìn)行具體說(shuō)明。圖2是示意性放大地示出端子I的表面的一部分截面的示意性放大截面圖。另外，圖3是進(jìn)一步放大地示出圖2的一部分的圖。其中，在圖2及圖3中，示出了被壓入到外殼部件102中的端子I在電觸點(diǎn)部Ic處與扁平電纜101的導(dǎo)體接觸的部分的示意性放大截面圖。如圖2及圖3所示，端子I構(gòu)成為具有主體部11、底鍍層12、多孔鍍層13以及表層鍛層14。主體部11構(gòu)成由金屬材料(例如磷青銅等銅合金)形成的母材。底鍍層12以被覆主體部11的表面的方式形成。多孔鍍層13以被覆底鍍層12的表面的方式形成。表層鍍層14形成于多孔鍍層13的表面。底鍍層12是通過(guò)利用例如Ni(鎳)或Ni合金被覆主體部11的表面而形成的。即，在本實(shí)施方式中，底鍍層12形成為由Ni或Ni合金形成的Ni鍍層。底鍍層12例如是通過(guò)電鍍工藝而形成的。另外，底鍍層12本身也可以不構(gòu)成為獨(dú)立的Ni鍍層。底鍍層12也可以是包含Ni鍍層而構(gòu)成的。此外，底鍍層12也可以通過(guò)無(wú)電解鍍工藝而形成。多孔鍍層13構(gòu)成為分散形成有多孔構(gòu)造13a的多孔質(zhì)體，該多孔構(gòu)造13a設(shè)置為孔和空隙中的至少任意一方。并且，形成多孔鍍層13的金屬例如構(gòu)成為Ni或Ni合金。多孔鍍層13能夠利用各種公知的方法形成。例如，在通過(guò)電鍍工藝來(lái)形成多孔鍍層13時(shí)，能夠采用在底鍍層12的表面上分散配置樹(shù)脂等疏水性的微粒的方法。由此，能夠采用這樣的方法:使在導(dǎo)電部與絕緣部的邊界部產(chǎn)生過(guò)電壓從而產(chǎn)生許多細(xì)微的氫氣，并以包圍這些氫氣的泡的方式使鍍層析出。另外，也能夠采用這樣的方法:將異種金屬的粉末進(jìn)行混合，使多孔鍍層13的原材料金屬以外的金屬熔出。在這種情況下，能夠采用這樣的方法:首先將多孔鍍層13的原材料金屬的粉末和熔點(diǎn)低于該原材料金屬的其它金屬的粉末混合并固化在底鍍層12的表面上，然后，使低熔點(diǎn)的金屬熔出，從而形成多孔鍍層13。另外，也可以使用濺射法來(lái)形成多孔鍍層13。在這種情況下，將底鍍層12的表面作為靶材，通過(guò)濺射對(duì)多孔鍍層13的原材料金屬與碳的混合體進(jìn)行蒸鍍。由此，在底鍍層12的表面形成多孔鍍層13的原材料金屬與碳的混合膜。并且，也可以通過(guò)在空氣等氧化性氣氛中對(duì)該混合膜進(jìn)行加熱，來(lái)形成作為多孔質(zhì)體的多孔鍍層13。另外，在通過(guò)電鍍工藝來(lái)形成多孔鍍層13時(shí)，能夠采用使碳或樹(shù)脂浮游或者溶解在多孔鍍層13的原材料金屬鹽的水溶液中的方法。在上述的條件下，通過(guò)執(zhí)行電鍍工藝，碳粉末或樹(shù)脂粉末被取入到所形成的鍍層中。并且，通過(guò)加熱處理使被取入到鍍層中的碳粉末或樹(shù)脂粉末分解或者消失，由此形成作為多孔質(zhì)體的多孔鍍層13。表層鍍層14被設(shè)于端子I的表面的最外側(cè)，構(gòu)成為露出于外部的鍍層。并且,表層鍍層14被設(shè)置為能夠使在多孔鍍層13的表面上分散形成的多孔構(gòu)造13a露出于外部。表層鍍層14例如通過(guò)電鍍工藝形成于多孔鍍層13的表面。此時(shí),表層鍍層14的原材料金屬以在多孔鍍層13的表面上劃分多孔構(gòu)造13a的方式，有選擇地析出到突出于外側(cè)的部分上。由此，表層鍍層14形成為能夠使多孔鍍層13的表面的多孔構(gòu)造13a露出于外部的鍍層構(gòu)造。并且，以使形成表層鍍層14的金屬的離子化傾向小于形成多孔鍍層13的金屬的離子化傾向的方式，來(lái)選定各個(gè)鍍層(13、14)的原材料金屬。即，形成表層鍍層14的金屬構(gòu)成為比形成多孔鍍層13的金屬貴的金屬(形成多孔鍍層13的金屬是比形成表層鍍層14的金屬賤的金屬)。例如，相對(duì)于由Ni或Ni合金形成的多孔鍍層13，表層鍍層14構(gòu)成為Au(金)一 Co (鈷)硬質(zhì)金鍍層、Ag (銀)鍍層、Ag— Sn (25%)合金鍍層(Ag組分約為75%、Sn (錫)組分約為25%的合金鍍層)、Sn-Ag (5%)合金鍍層(Sn組分約為95%、Ag組分約為5%的合金鍍層)、Sn鍍層。并且，在端子I的表面中，在通過(guò)表層鍍層14露出于外部的多孔鍍層13的多孔構(gòu)造13a中填充了具有潤(rùn)滑性的潤(rùn)滑物質(zhì)15。作為潤(rùn)滑物質(zhì)15，例如采用六方晶系的常壓相的氮化硼(h - BN)ο另外，也可以在露出于外部的多孔構(gòu)造13a中填充氮化硼(h — BN)以外的潤(rùn)滑物質(zhì)。在這種情況下，作為潤(rùn)滑物質(zhì)，例如采用鑰、石墨、硅石、聚四氟乙烯等氟樹(shù)月旨、金剛石、DLC (diamond-like carbon:類(lèi)金剛石)等。這些潤(rùn)滑物質(zhì)例如以粉末狀或者微粒狀的形式被填充在多孔構(gòu)造13a中。圖4是示意性放大地示出沒(méi)有向在端子I的表面中露出于外部的多孔構(gòu)造13a中填充潤(rùn)滑物質(zhì)15的狀態(tài)的截面的示意性放大截面圖。圖5是示意性放大地示出用于說(shuō)明向在端子I的表面中露出于外部的多孔構(gòu)造13a中填充潤(rùn)滑物質(zhì)15的工藝的截面狀態(tài)的示意性放大截面圖。如圖4所示，在對(duì)多孔鍍層13的表面鍍覆了表層鍍層14的狀態(tài)下，在端子I的表面中露出于外部的多孔構(gòu)造13a沒(méi)有被填充潤(rùn)滑物質(zhì)15。在該狀態(tài)下，如圖5所示，潤(rùn)滑物質(zhì)15以微粒狀的形式被埋入在露出于外部的多孔構(gòu)造13a中。微粒狀的潤(rùn)滑物質(zhì)15例如通過(guò)噴丸處理等，經(jīng)由噴嘴(省略圖示)被吹附到端子I的表面上。另外，在圖5中，用箭頭A示出了微粒狀的潤(rùn)滑物質(zhì)15被吹附到端子I的表面上的方向。并且，在圖5中也圖示了被朝向端子I的表面吹附而移動(dòng)的狀態(tài)的微粒狀的潤(rùn)滑物質(zhì)15。在進(jìn)行吹附時(shí)微粒狀的潤(rùn)滑物質(zhì)15被賦予了動(dòng)能，由此以被埋入在露出于外部的多孔構(gòu)造13a的內(nèi)側(cè)的方式來(lái)填充微粒狀的潤(rùn)滑物質(zhì)15。并且，所吹附的微粒狀的潤(rùn)滑物質(zhì)15借助吹附的動(dòng)能而沖擊多孔構(gòu)造13a的內(nèi)側(cè)的潤(rùn)滑物質(zhì)15。根據(jù)此時(shí)的沖擊能，多孔構(gòu)造13a內(nèi)的微粒狀的潤(rùn)滑物質(zhì)15彼此也變形并且粘連。因此，端子I的表面狀態(tài)成為圖1所示的狀態(tài)。另外，進(jìn)入到多孔構(gòu)造13a的內(nèi)側(cè)的潤(rùn)滑物質(zhì)15處于直接被多孔構(gòu)造13a捕捉并填充于其中的狀態(tài)。另一方面，與在多孔鍍層13的表面中的多孔構(gòu)造13a的突出部形成的表層鍍層14的表面沖擊的潤(rùn)滑物質(zhì)15，沒(méi)有被多孔構(gòu)造13a捕捉到，因而向外部脫落。另外，在端子I中，底鍍層12的平均厚度尺寸的目標(biāo)值例如被設(shè)定為約Iym 4 μ m。多孔鍍層13的平均厚度尺寸的目標(biāo)值例如被設(shè)定為約0.5 μ m 4 μ m。另外，多孔鍍層13的多孔構(gòu)造13a的空間區(qū)域中的最大尺寸的平均值例如被設(shè)定為與多孔鍍層13的厚度尺寸同等的尺寸標(biāo)準(zhǔn)。另外，對(duì)于構(gòu)成為氮化硼(h-BN)的微粒狀的狀態(tài)的潤(rùn)滑物質(zhì)15，其微粒直徑尺寸的平均值的目標(biāo)值例如被設(shè)定為約0.1 μ m 0.5 μ m。另外，關(guān)于表層鍍層14的平均厚度尺寸，如果是Au - Co硬質(zhì)金鍍層，其目標(biāo)值例如被設(shè)定為約0.01 μ m I μ m。另外，如果是Ag鍍層，表層鍍層14的平均厚度尺寸的目標(biāo)值例如被設(shè)定為約0.5μπι 4μπι。另外，如果是Ag— Sn (25% )合金鍍層，表層鍍層14的平均厚度尺寸的目標(biāo)值例如被設(shè)定為約0.5 μ m 4 μ m。另外,如果是Sn — Ag (5% )合金鍍層，表層鍍層14的平均厚度尺寸的目標(biāo)值例如被設(shè)定為約0.5 μ m 4μπι。另外，如果是Sn鍍層，表層鍍層14的平均厚度尺寸的目標(biāo)值例如被設(shè)定為約0.5 μ m 4 μ m。下面，對(duì)實(shí)施例進(jìn)行說(shuō)明。圖6是不出SEM (Scanning Electron Microscope:掃描型電子顯微鏡)照片的圖像的圖，該SEM照片拍攝了在多孔鍍層13的多孔構(gòu)造13a中沒(méi)有填充潤(rùn)滑物質(zhì)15的狀態(tài)的端子I的表面。此外，圖7是示出SEM照片的圖像的圖，該SEM照片拍攝了在多孔鍍層13的多孔構(gòu)造13a中沒(méi)有填充潤(rùn)滑物質(zhì)15的狀態(tài)的端子I的表面。其中，圖7示出了以比圖6進(jìn)一步放大了的倍率拍攝到的圖像。另外，圖8是示出SEM照片的圖像的圖，該SEM照片拍攝了在多孔鍍層13的多孔構(gòu)造13a中填充了潤(rùn)滑物質(zhì)15的狀態(tài)的端子I的表面。圖9是放大地示出圖8的一部分的圖。并且，圖10是示出SEM照片的圖像的圖，該SEM照片拍攝了在多孔鍍層13的多孔構(gòu)造13a中沒(méi)有填充潤(rùn)滑物質(zhì)15的狀態(tài)的端子I的表面附近的截面。另外，在圖6 圖10中，省略表示鍍層或者潤(rùn)滑物質(zhì)的標(biāo)號(hào)的圖示。并且，在圖6 圖10中，表示圖像中的尺寸的尺度以線(xiàn)段方式示出。另外，在圖7 圖9中，表示圖像中的尺寸的尺度以刻度方式示出。在圖7 圖9中，多個(gè)刻度中位于兩端的刻度之間的長(zhǎng)度對(duì)應(yīng)于所表示的尺度尺寸值。如圖6 圖10所示，在端子I的表面中形成有底鍍層12、多孔鍍層13、表層鍍層
14。并且，在多孔鍍層13中分散形成有多孔構(gòu)造13a。并且，多孔鍍層13的表面中的多孔構(gòu)造13a被設(shè)置為能夠通過(guò)表層鍍層14露出于外部。另外，以微粒狀被吹附到端子I的表面上并且被填充到多孔構(gòu)造13a中的潤(rùn)滑物質(zhì)15，如圖8及圖9所示，在多孔構(gòu)造13a內(nèi)處于從微粒狀的狀態(tài)變形并粘連成一體的狀態(tài)。下面，對(duì)為了驗(yàn)證本發(fā)明的效果而進(jìn)行的驗(yàn)證試驗(yàn)的結(jié)果進(jìn)行說(shuō)明。在驗(yàn)證試驗(yàn)中，作為對(duì)應(yīng)于本實(shí)施方式的實(shí)施例，制作了第I 第4實(shí)施例的端子。作為第I實(shí)施例的端子(下面稱(chēng)為“端子la”)，制作了表層鍍層14形成為Ag鍍層的端子la。作為第2實(shí)施例的端子(下面稱(chēng)為“端子lb”)，制作了表層鍍層14形成為Ag —Sn (25%)合金鍍層的端子lb。作為第3實(shí)施例的端子(下面稱(chēng)為“端子lc”)，制作了表層鍍層14形成為Sn - Ag (5%)合金鍍層的端子lc。作為第4實(shí)施例的端子(下面稱(chēng)為“端子ld”)，制作了表層鍍層14形成為Au - Co硬質(zhì)金鍍層的端子Id。第I 第4實(shí)施例的端子(la、lb、lc、Id)均是多孔鍍層13形成為Ni鍍層。并且，第I 第4實(shí)施例的端子(la、lb、lc、Id)均在露出于外部的多孔鍍層13的多孔構(gòu)造13a中填充了作為潤(rùn)滑物質(zhì)15的氮化硼(h - BN) 0另外，第I 第3實(shí)施例的端子(la、lb、Ic)均將表層鍍層14的平均厚度尺寸的目標(biāo)值設(shè)定為0.5μπι。另一方面，第4實(shí)施例的端子Id的表層鍍層14是通過(guò)薄鍍而形成的，而且形成為比第I 第3實(shí)施例的端子(la、lb、Ic)的表層鍍層14薄。作為驗(yàn)證試驗(yàn),對(duì)第I 第3實(shí)施例的端子(la、lb、Ic)進(jìn)行了導(dǎo)電性確認(rèn)試驗(yàn)。另外，對(duì)第2 第4實(shí)施例的端子(lb、lc、ld)進(jìn)行了耐蝕性確認(rèn)試驗(yàn)。并且，也制作了用于與第I 第4實(shí)施例的端子(la、lb、lc、Id)進(jìn)行比較的第I比較例的端子(下面稱(chēng)為“端子Cl”)，該端子Cl沒(méi)有設(shè)置多孔鍍層13，但在底鍍層12的表面形成有Ag鍍層。另外，第I比較例的端子Cl的表層的Ag鍍層的平均厚度尺寸的目標(biāo)值被設(shè)定為0.5 μ m。并且，第I比較例的端子Cl的形狀被設(shè)定為與第I 第4實(shí)施例的端子(la、lb、lc、ld)相同的形狀。圖11及圖12是示出對(duì)第I 第3實(shí)施例的端子(la、lb、lc)以及第I比較例的端子Cl實(shí)施了導(dǎo)電性確認(rèn)試驗(yàn)的結(jié)果的圖。在圖11及圖12示出結(jié)果的導(dǎo)電性確認(rèn)試驗(yàn)中，將第I 第3實(shí)施例的端子(la、lb、Ic)以及第I比較例的端子Cl安裝在基板上，然后分別實(shí)施如后面所述的預(yù)定的試驗(yàn)，測(cè)定了在實(shí)施預(yù)定的試驗(yàn)之前以及實(shí)施預(yù)定的試驗(yàn)之后的阻力(電阻、πιΩ)。并且，對(duì)于第I 第3實(shí)施例的端子(la、lb、lc)以及第I比較例的端子Cl，分別制作了多個(gè)(12個(gè))對(duì)應(yīng)于各個(gè)試驗(yàn)條件的試驗(yàn)片(即按照每種試驗(yàn)條件分別制作了 12個(gè)端子)，并進(jìn)行了阻力的測(cè)定。在圖11示出結(jié)果的導(dǎo)電性確認(rèn)試驗(yàn)中，對(duì)第I 第3實(shí)施例的端子(la、lb、lc)以及第I比較例的端子Cl進(jìn)行了濕度試驗(yàn)。并且，在圖12示出結(jié)果的導(dǎo)電性確認(rèn)試驗(yàn)中，對(duì)第I 第3實(shí)施例的端子(la、lb、Ic)以及第I比較例的端子Cl進(jìn)行了熱沖擊試驗(yàn)。另夕卜，測(cè)定了在各個(gè)試驗(yàn)(濕度試驗(yàn)、熱沖擊試驗(yàn))的實(shí)施之前以及實(shí)施之后的阻力。其中，圖11的(a)表示實(shí)施濕度試驗(yàn)前的阻力測(cè)定結(jié)果，圖11的(b)表示實(shí)施濕度試驗(yàn)后的阻力測(cè)定結(jié)果。另一方面，圖12的(a)表示實(shí)施熱沖擊試驗(yàn)前的阻力測(cè)定結(jié)果，圖12的(b)表示實(shí)施熱沖擊試驗(yàn)后的阻力測(cè)定結(jié)果。并且，對(duì)于圖11及圖12所示的阻力測(cè)定結(jié)果記載了12個(gè)試驗(yàn)片的平均值、最大和最小值。在圖11示出結(jié)果的導(dǎo)電性確認(rèn)試驗(yàn)的濕度試驗(yàn)中，將試驗(yàn)片放置在溫度40°C、濕度90% 95%的環(huán)境中達(dá)500小時(shí)。另一方面，在圖12示出結(jié)果的導(dǎo)電性確認(rèn)試驗(yàn)的熱沖擊試驗(yàn)中，將試驗(yàn)片放置在這樣的環(huán)境中，即在250小時(shí)的期間中使溫度在一 55°C到85°C的范圍內(nèi)變化的熱循環(huán)(在一 55°C的溫度設(shè)定30分鐘、在85°C的溫度設(shè)定30分鐘的溫度模式的熱循環(huán))反復(fù)250周期。作為在進(jìn)行了上述的各項(xiàng)試驗(yàn)(濕度試驗(yàn)、熱沖擊試驗(yàn))后能夠確保良好的導(dǎo)電性的水準(zhǔn)，通常是要求電阻為30πιΩ以下。與此相對(duì)，如圖11及圖12的導(dǎo)電性確認(rèn)試驗(yàn)結(jié)果所示，第I 第3實(shí)施例的端子(la、lb、Ic)以及第I比較例的端子Cl在各項(xiàng)試驗(yàn)(濕度試驗(yàn)、熱沖擊試驗(yàn))結(jié)束后，均能確認(rèn)到具有阻力不怎么上升的傾向，能夠確保電阻阻力為30m Ω以下的良好水準(zhǔn)。下面，說(shuō)明對(duì)第2 第4實(shí)施例的端子(lb、lc、Id)以及第I比較例的端子Cl實(shí)施的耐蝕性確認(rèn)試驗(yàn)的結(jié)果。在耐蝕性確認(rèn)試驗(yàn)中，對(duì)第2 第4實(shí)施例的端子(lb、lc、Id)以及第I比較例的端子Cl實(shí)施了硫化氫氣體試驗(yàn)及二氧化硫氣體試驗(yàn)。并且，在各項(xiàng)試驗(yàn)(硫化氫氣體試驗(yàn)、二氧化硫氣體試驗(yàn))中，通過(guò)評(píng)價(jià)外觀(guān)來(lái)確認(rèn)腐蝕的發(fā)生狀況。在硫化氫氣體試驗(yàn)中，將試驗(yàn)片放置在硫化氫濃度3ppm、溫度40°C、濕度80%的環(huán)境中達(dá)96小時(shí)。另一方面，在二氧化硫氣體試驗(yàn)中，將試驗(yàn)片放置在二氧化硫濃度lOppm、溫度40°C、濕度80%的環(huán)境中達(dá)96小時(shí)。硫化氫氣體試驗(yàn)的實(shí)施結(jié)果是，第2 第4實(shí)施例的端子(lb、lc、Id)均未發(fā)生外觀(guān)上的腐蝕，而且也沒(méi)有發(fā)生外觀(guān)上的變色。與此相對(duì)，第I比較例的端子Cl的顏色變得發(fā)黑，確認(rèn)到發(fā)生了硫化變色。另一方面，二氧化硫氣體試驗(yàn)的實(shí)施結(jié)果是，第2 第4實(shí)施例的端子(lb、lc、Id)均未發(fā)生外觀(guān)上的腐蝕，而且也沒(méi)有發(fā)生外觀(guān)上的變色。與此相對(duì)，第I比較例的端子Cl發(fā)生顏色變暗淡，確認(rèn)到發(fā)生了變色。并且，作為與上述的驗(yàn)證試驗(yàn)不同的驗(yàn)證試驗(yàn)，制作了形式與前述實(shí)施方式的端子I不同的端子，并進(jìn)行了導(dǎo)電性確認(rèn)試驗(yàn)。具體地講，制作了銅合金制的主體部的形狀與端子I不同、但同樣形成有鍍層的端子，并進(jìn)行了導(dǎo)電性確認(rèn)試驗(yàn)。并且，作為形狀與前述實(shí)施方式的端子I不同的端子的形式的實(shí)施例，制作了第5實(shí)施例 第7實(shí)施例的端子。另夕卜，作為第5 第7實(shí)施例的端子，制作了在與被安裝在印制電路基板上的連接器連接的連接器所使用的端子。并且，對(duì)于第5 第7實(shí)施例的端子，制作了在具有撓性而且能彈性變形的彈簧部分設(shè)有電觸點(diǎn)部的形式的端子。另外，在驗(yàn)證試驗(yàn)中，這些端子以被應(yīng)用于上述連接器的形式進(jìn)行了試驗(yàn)。并且，作為第5實(shí)施例的端子(下面稱(chēng)為“端子2a”)，制作了與前述端子I的表層鍍層14同樣構(gòu)成的表層鍍層形成為Ag鍍層的端子2a。作為第6實(shí)施例的端子(下面稱(chēng)為“端子2b”)，制作了與表層鍍層14同樣構(gòu)成的表層鍍層形成為Ag - Sn (25%)合金鍍層的端子2b。作為第7實(shí)施例的端子(下面稱(chēng)為“端子2c”)，制作了與表層鍍層14同樣構(gòu)成的表層鍍層形成為Sn — Ag (5% )合金鍍層的端子2c。第5 第7實(shí)施例的端子(2a、2b、2c)均是與前述端子I的多孔鍍層13同樣構(gòu)成的多孔鍍層形成為Ni鍍層的端子。并且，第5 第7實(shí)施例的端子(2a、2b、2c)均在露出于外部的多孔鍍層的多孔構(gòu)造中填充了作為潤(rùn)滑物質(zhì)的氮化硼(h - BN)。另外，第5 第7實(shí)施例的端子(2a、2b、2c)均將表層鍍層的平均厚度尺寸的目標(biāo)值設(shè)定為0.5 μ m。另外，也制作了用于與第5 第7實(shí)施例的端子(2a、2b、2c)進(jìn)行比較的第2比較例的端子(下面稱(chēng)為“端子C2”)，該端子C2沒(méi)有設(shè)置多孔鍍層，但在底鍍層的表面形成有Ag鍍層。另外，第2比較例的端子C2的表層的Ag鍍層的平均厚度尺寸的目標(biāo)值被設(shè)定為0.5ym0并且，第2比較例的端子C2的形狀被設(shè)定為與第5 第7實(shí)施例的端子(2a、2b、2c)相同的形狀。圖13是示出對(duì)第5 第7實(shí)施例的端子(2a、2b、2c)以及第2比較例的端子C2實(shí)施了導(dǎo)電性確認(rèn)試驗(yàn)的結(jié)果的圖。在圖13示出結(jié)果的導(dǎo)電性確認(rèn)試驗(yàn)中，在將第5 第7實(shí)施例的端子(2a、2b、2c)以及第2比較例的端子C2分別安裝在連接器上的狀態(tài)下，實(shí)施了反復(fù)將該連接器相對(duì)于對(duì)方側(cè)連接器進(jìn)行插拔作業(yè)的試驗(yàn)。即，在反復(fù)進(jìn)行該插拔作業(yè)的試驗(yàn)中，針對(duì)被安裝于印制電路基板上的連接器反復(fù)進(jìn)行將安裝有試驗(yàn)對(duì)象的端子的連接器插入并連接的動(dòng)作、和拔出該連接器來(lái)解除連接的動(dòng)作。并且，在圖13示出結(jié)果的導(dǎo)電性確認(rèn)試驗(yàn)中，在實(shí)施反復(fù)的插拔作業(yè)之前以及反復(fù)實(shí)施了 5000次插拔作業(yè)之后，測(cè)定了試驗(yàn)對(duì)象的各個(gè)端子的阻力(電阻、πιΩ)。并且，對(duì)于第5 第7實(shí)施例的端子(2a、2b、2c)以及第2比較例的端子C2，分別制作了多個(gè)(12個(gè))試驗(yàn)片進(jìn)行了阻力的測(cè)定。另外，圖13的(a)表示在實(shí)施反復(fù)的插拔作業(yè)之前的阻力測(cè)定結(jié)果，圖13的(b)表示在實(shí)施了 5000次插拔作業(yè)之后的阻力測(cè)定結(jié)果。并且，對(duì)于阻力測(cè)定結(jié)果記載了 12個(gè)試驗(yàn)片的平均值、最大值、最小值。作為即使反復(fù)進(jìn)行了上述的插拔作業(yè)后也能夠確保良好的導(dǎo)電性的水準(zhǔn)，通常是要求電阻為30mΩ以下。與此相對(duì),如圖13的導(dǎo)電性確認(rèn)試驗(yàn)結(jié)果所不,第5 第7實(shí)施例的端子(2a、2b、2c)在反復(fù)插拔作業(yè)結(jié)束后，均能確認(rèn)到阻力幾乎沒(méi)有上升，能夠確保電阻為30πιΩ以下的良好水準(zhǔn)。另外，第2比較例的端子C2也確認(rèn)到阻力沒(méi)怎么上升。另外，在上述的反復(fù)插拔作業(yè)結(jié)束后，對(duì)第5及第6實(shí)施例的端子(2a、2b)以及第2比較例的端子C2，進(jìn)行了用于確認(rèn)露出于電觸點(diǎn)部的表面的金屬的種類(lèi)的分析。其結(jié)果是，對(duì)于第5及第6實(shí)施例的端子(2a、2b)確認(rèn)到在電觸點(diǎn)部的表面殘存許多表層鍍層，母材的金屬的露出較少。另一方面，對(duì)于第2比較例的端子C2確認(rèn)到在電觸點(diǎn)部的表面中表層鍍層較少，母材的金屬的露出較多。因此，在第5及第6實(shí)施例的端子(2a、2b)中能夠確認(rèn)到抑制了表層鍍層及多孔鍍層被磨削。如以上說(shuō)明的那樣，根據(jù)本實(shí)施方式，構(gòu)成主體部11的母材的金屬被底鍍層12被覆。并且，底鍍層12被作為多孔質(zhì)體的多孔鍍層13被覆，在多孔鍍層13的表面形成有表層鍍層14。形成表層鍍層14的金屬構(gòu)成為離子化傾向小于形成多孔鍍層13的金屬的貴金屬。并且，表層鍍層14形成為使在多孔鍍層13的表面上分散形成的多孔構(gòu)造13a露出于外部的程度的薄層。因此，能夠?qū)⒙冻鲇谕獠康谋韺拥腻儗蛹幢韺渝儗?4的厚度設(shè)定為較薄。因此，在構(gòu)成表層鍍層14的金屬是諸如金、銀、金合金、銀合金等價(jià)格昂貴的金屬的情況下，也能夠容易降低其使用量。并且，根據(jù)本實(shí)施方式，表層鍍層14被設(shè)置成為使在多孔鍍層13的表面上分散形成的多孔構(gòu)造13a露出于外部。因此，本實(shí)施方式的端子在表層鍍層14的內(nèi)側(cè)的區(qū)域中處于多孔鍍層13更多地分散露出于外部的狀態(tài)。由此，底鍍層12的外側(cè)的區(qū)域、即形成有表層鍍層14及多孔鍍層13的區(qū)域的表面構(gòu)造，與現(xiàn)有技術(shù)的諸如產(chǎn)生針孔的表層的鍍層的狀態(tài)不同，是由賤金屬構(gòu)成的多孔鍍層的面積在與由貴金屬構(gòu)成的表層鍍層的面積的關(guān)系上足夠大的表面構(gòu)造。因此，能夠?qū)l(fā)生氧化反應(yīng)(陽(yáng)極反應(yīng))的賤多孔鍍層13的面積與發(fā)生還原反應(yīng)(陰極反應(yīng))的貴表層鍍層14的面積的比率設(shè)定得更大。由此，與貴表層鍍層14接觸的賤多孔鍍層13的腐蝕速度大幅降低，能抑制電解腐蝕(電蝕)，提高本實(shí)施方式的端子的表面的耐蝕性。另外，在進(jìn)行電解腐蝕時(shí)，在與貴金屬接觸的賤金屬的腐蝕速度P、與賤金屬單獨(dú)的腐蝕速度Po、與賤金屬的表面積A、與貴金屬的表面積B之間，通常有P = PtlX (I +B/A)的關(guān)系成立。因此，如前面所述，根據(jù)本實(shí)施方式，與貴表層鍍層14接觸的賤多孔鍍層13的腐蝕速度大幅降低。另外，本實(shí)施方式的端子在表層鍍層14的內(nèi)側(cè)的區(qū)域中，使多孔鍍層13更多地分散露出于外部，因而發(fā)生陽(yáng)極反應(yīng)的部位分散較廣。由此,腐蝕電流被分散,腐蝕的進(jìn)行機(jī)理不是局部集中地快速進(jìn)行的部分腐蝕的機(jī)理，而是廣且薄地分散并緩慢進(jìn)行的面腐蝕的機(jī)理。因此，整體上腐蝕進(jìn)行得非常緩慢，本實(shí)施方式的端子的表面的耐蝕性提高。并且，在本實(shí)施方式的端子中，母材的金屬至少被底鍍層12被覆，因而也防止母材的金屬露出于外部而腐蝕。并且，根據(jù)本實(shí)施方式，即使將露出于外部的表層鍍層14的厚度設(shè)定得較薄，也能夠抑制底鍍層12及母材的金屬的腐蝕，因而不需要在表面上涂敷用于提高耐蝕性的封孔處理劑。并且，因此也不會(huì)由于封孔處理劑的散失而產(chǎn)生耐蝕性下降的問(wèn)題。因此，根據(jù)本實(shí)施方式的端子，能夠?qū)⒙冻鲇谕獠康谋韺拥腻儗?表層鍍層14)的厚度設(shè)定得較薄，并且能夠以穩(wěn)定的狀態(tài)長(zhǎng)期抑制底鍍層12及母材的金屬的腐蝕。并且，本實(shí)施方式的端子如前面所述，賤多孔鍍層13的腐蝕速度大幅降低，抑制電蝕。另外，本實(shí)施方式的端子在表層鍍層14的內(nèi)側(cè)的區(qū)域中，使多孔鍍層13更多地分散露出于外部，因而腐蝕電流被分散。由此，在本實(shí)施方式的端子中，局部集中地快速進(jìn)行的部分腐蝕的發(fā)展被抑制，而是產(chǎn)生廣且薄地分散并緩慢進(jìn)行的面腐蝕。因此，本實(shí)施方式的端子整體的耐蝕性提高。并且，由于抑制電蝕，并且也抑制局部地且快速集中地產(chǎn)生腐蝕，因而能夠抑制局部的腐蝕生成物容易生長(zhǎng)的情況。并且，根據(jù)本實(shí)施方式的端子，由于能夠抑制底鍍層12及母材的金屬的腐蝕，因而能夠抑制由于生成腐蝕生成物而引發(fā)導(dǎo)通不良。并且，根據(jù)本實(shí)施方式的端子，即使露出于外部的表層鍍層14的厚度被設(shè)定得較薄，也能抑制底鍍層12及母材的金屬的腐蝕，因而不需在表面涂敷導(dǎo)電性能差的封孔處理劑。因此，根據(jù)本實(shí)施方式的端子，能夠?qū)⒙冻鲇谕獠康谋韺拥腻儗?表層鍍層14)的厚度設(shè)定得較薄，并且能夠以穩(wěn)定的狀態(tài)長(zhǎng)期地抑制底鍍層12及母材的金屬的腐蝕，而且也能夠抑制引發(fā)導(dǎo)通不良。并且，根據(jù)本實(shí)施方式的端子，露出于外部的多孔構(gòu)造13a的孔或者空隙中被填充了潤(rùn)滑物質(zhì)15，因而能夠提高本實(shí)施方式的端子的表面的滑動(dòng)磨損特性。并且，由于本實(shí)施方式的端子的表面的滑動(dòng)磨損特性提高，因而當(dāng)諸如其它部件在本實(shí)施方式的端子的表面上滑動(dòng)的情況下，也能夠抑制表層鍍層14及多孔鍍層13被磨削。通過(guò)抑制鍍層(13、14)被磨削，能夠抑制底鍍層12及母材的金屬露出，進(jìn)而抑制底鍍層12及母材的金屬的腐蝕。并且，潤(rùn)滑物質(zhì)15不是涂敷于本實(shí)施方式的端子的表層，而是被填充在多孔構(gòu)造13a的孔或者空隙中。因此，在構(gòu)成為具有電觸點(diǎn)部Ic的電子部件的本實(shí)施方式的端子中，能夠抑制潤(rùn)滑物質(zhì)15阻礙本實(shí)施方式的端子的表面的導(dǎo)電性。并且，根據(jù)本實(shí)施方式，潤(rùn)滑物質(zhì)15以微粒狀的形式被埋入在多孔構(gòu)造13a中。因此，能夠容易且高效地將潤(rùn)滑物質(zhì)15填充在多孔構(gòu)造13a的孔或者空隙中。以上對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方式進(jìn)行了說(shuō)明，但本發(fā)明不限于上述實(shí)施方式，能夠在權(quán)利要求所記載的范圍內(nèi)進(jìn)行各種變更。例如，也可以按如下方式進(jìn)行變更來(lái)實(shí)施。(I)在上述實(shí)施方式中，以將本發(fā)明應(yīng)用于構(gòu)成為端子的電子部件的情況為例進(jìn)行了說(shuō)明，但是不限于端子，在端子以外的其他情況下也能夠應(yīng)用本發(fā)明。即，只要是具有由金屬材料形成的主體部、并且在表面形成有鍍層的部件，即可廣泛應(yīng)用本發(fā)明。例如，也可以將本發(fā)明應(yīng)用于金屬制的連接器、金屬制的開(kāi)關(guān)、金屬制的繼電器等電子部件。并且，也可以將本發(fā)明應(yīng)用于具有電觸點(diǎn)部的電子部件以外的金屬制的部件。例如，本發(fā)明可以應(yīng)用于金屬制的屏蔽部件，該屏蔽部件被安裝于連接器的樹(shù)脂制的外殼，發(fā)揮作為電磁波干擾對(duì)策的屏蔽功能。并且，在將本發(fā)明應(yīng)用于構(gòu)成為端子的電子部件的情況下，也不限于上述實(shí)施方式中例示的端子的形式，可以進(jìn)行各種變更來(lái)實(shí)施。例如，可以將本發(fā)明應(yīng)用于針狀端子、插槽狀端子等各種形式的端子。(2)在上述的實(shí)施方式中，作為表層鍍層，以Au — Co硬質(zhì)金鍍層、Ag鍍層、Ag 一Sn (25%)合金鍍層、Sn— Ag (5% )合金鍍層、Sn鍍層為例進(jìn)行了說(shuō)明，但不限于該示例。例如，表層鍍層也可以構(gòu)成為鈀鍍層等上述以外的鍍層。(3)在上述的實(shí)施方式中，以在多孔鍍層的多孔構(gòu)造中填充了潤(rùn)滑物質(zhì)的形式為例進(jìn)行了說(shuō)明，但不限于該示例。即，也可以以在多孔鍍層的多孔構(gòu)造中沒(méi)有填充潤(rùn)滑物質(zhì)的形式來(lái)實(shí)施。產(chǎn)業(yè)上的可利用性本發(fā)明能夠廣泛應(yīng)用于具有由金屬材料形成的主體部、并且在表面形成有鍍層的部件。
權(quán)利要求
1.一種部件，該部件在表面形成有鍍層，其特征在于，該部件具有: 主體部，其由金屬材料形成； 底鍍層，其包括由Ni或Ni合金形成的Ni鍍層，并且以被覆所述主體部的表面的方式形成； 多孔鍍層，其以被覆所述底鍍層的表面的方式形成，并且構(gòu)成為多孔質(zhì)體，所述多孔質(zhì)體中分散形成有多孔構(gòu)造，該多孔構(gòu)造設(shè)置為孔和空隙中的至少任意一方；以及 表層鍍層，其形成于所述多孔鍍層的表面，并且露出于外部， 所述表層鍍層被設(shè)置為，其能夠使在所述多孔鍍層的表面上分散形成的所述多孔構(gòu)造露出于外部， 形成所述表層鍍層的金屬的離子化傾向小于形成所述多孔鍍層的金屬的離子化傾向。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的部件，其特征在于，該部件是作為電子部件而設(shè)置的，其具有與其它部件電連接的電觸點(diǎn)部，而且在表面形成有鍍層。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的部件，其特征在于，在露出于外部的所述多孔構(gòu)造中填充有具有潤(rùn)滑性的潤(rùn)滑物質(zhì)。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的部件，其特征在于，所述潤(rùn)滑物質(zhì)以微粒狀的形式被埋入到露出于外部的所述多孔構(gòu)造中，由此來(lái)進(jìn)行填充。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的部件，其特征在于，所述潤(rùn)滑物質(zhì)包括氮化硼、鑰、石墨、硅石、氟樹(shù)脂及金剛石中的至少任意一種。
全文摘要
本發(fā)明提供一種部件，該部件能夠?qū)⒙冻鲇谕獠康谋韺拥腻儗拥暮穸仍O(shè)定得較薄，能夠以穩(wěn)定的狀態(tài)長(zhǎng)期抑制底鍍層及母材的金屬的腐蝕。部件(1)具有主體部(11)，其由金屬材料形成；底鍍層(12)，其包括Ni鍍層，并被覆主體部(11)的表面；多孔鍍層(13)，其被覆底鍍層(12)；以及表層鍍層(14)，其形成于多孔鍍層(13)的表面，并且露出于外部。多孔鍍層(13)構(gòu)成為分散形成有多孔構(gòu)造(13a)的多孔質(zhì)體。表層鍍層(14)被設(shè)置為能夠使在多孔鍍層(13)的表面上分散形成的多孔構(gòu)造(13a)露出于外部。形成表層鍍層(14)的金屬的離子化傾向小于形成多孔鍍層(13)的金屬的離子化傾向。
文檔編號(hào)H01R13/03GK103178370SQ201210517898
公開(kāi)日2013年6月26日 申請(qǐng)日期2012年12月5日 優(yōu)先權(quán)日2011年12月22日
發(fā)明者雨宮直人, 赤田智 申請(qǐng)人:日本壓著端子制造株式會(huì)社