專利名稱：一種含氧化物薄膜晶體管的oled裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明屬于電子器件領(lǐng)域，特別涉及一種含有氧化鋅錫薄膜作為導(dǎo)電層TFT的OLED裝置。
背景技術(shù)：
有機發(fā)光器件(英文全稱為organic lighting emitting display,簡稱 OLED)具有主動發(fā)光、色域?qū)?、響?yīng)快、視角廣、對比度高、平面化等優(yōu)點，是下一代顯示與照明技術(shù)的發(fā)展趨勢。OLED顯示器件按照驅(qū)動方式可以分為無源矩陣OLED (PMOLED)與有源矩陣OLED (AMOLED ) ； PMOLED采用掃描的方式，具有瞬間產(chǎn)生高亮度、消耗的電力多、壽命短、顯示組件較易劣化、不適合大畫面高分辨率發(fā)光等缺點，但是由于PMOLED的面板設(shè)計時程較短、制程簡單，小尺寸或低分辨率的OLED產(chǎn)品多采用被動技術(shù)；然而，當(dāng)PMOLED應(yīng)用于大尺寸或高分辨率的OLED產(chǎn)品時，會因為高功耗、低壽命等問題受到限制，此時就需要AMOLED。AMOLED采用獨立的薄膜晶體管(英文全稱為thin film transistor,簡稱為TFT)去控制每個像素，每個像素皆可以連續(xù)且獨立的驅(qū)動發(fā)光，優(yōu)點是驅(qū)動電壓低，面板尺寸可做大，發(fā)光元件壽命長。目前普遍薄膜晶體管(TFT)非晶硅和多晶硅的居多，但考慮到OLED是電流驅(qū)動元件，需要TFT能保證恒定電流特性從而穩(wěn)定控制0LED。非晶硅TFT不能滿足恒定電流偏置條件，而多晶硅TFT工藝控制較難得到一致的特性，氧化物半導(dǎo)體薄膜制作的晶體管能滿足電流特性要求，其工藝制作方案也在開發(fā)中，其在OLED的驅(qū)動應(yīng)用上得到了重視和廣泛關(guān)注。相比于傳統(tǒng)的非晶硅材料以及有機半導(dǎo)體材料，氧化物半導(dǎo)體材料，因其較高的載流子遷移率、透明性、熱穩(wěn)定性、環(huán)境穩(wěn)定性、原料易得、制備成本低等優(yōu)點而備受關(guān)注。近10年來，基于氧化物半導(dǎo)體材料的薄膜晶體管相關(guān)研究取得了非常大的技術(shù)進步，部分性質(zhì)優(yōu)異的氧化物半導(dǎo)體材料，如氧化銦鎵鋅(IGZ0)，已經(jīng)在實際生產(chǎn)中得到廣泛的應(yīng)用。因其較高的載流子遷移率和穩(wěn)定性，采用IGZO等氧化物半導(dǎo)體制備的薄膜晶體管作為驅(qū)動裝置已經(jīng)實現(xiàn)了對有源顯示設(shè)備(如有源矩陣有機發(fā)光二極管面板，AMOLED)的驅(qū)動，部分替代了基于硅半導(dǎo)體材料的晶體管驅(qū)動。在AMOLED中，采用透明氧化物半導(dǎo)體薄膜晶體管作為像素開關(guān)，將大大提高有源矩陣的開口率，從而提高亮度，降低功耗和減小工藝復(fù)雜性。同時，可以應(yīng)用于未來AMOLED的柔性顯示。因而，氧化物薄膜晶體管得到了重視和廣泛關(guān)注?；谌毡局麑W(xué)者H. Hosono的理論，氧化物半導(dǎo)體中金屬離子的ns軌道成球狀對稱結(jié)構(gòu)，不受限于空間排列，可以實現(xiàn)較大程度上的原子軌道交疊，為載流子的有效傳輸提供了通道。這種電子結(jié)構(gòu)，十分有利于η型載流子的傳輸。這同時也提供了氧化物半導(dǎo)體材料可作為有源層應(yīng)用于η型薄膜晶體管的理論依據(jù)。圖1為η型半導(dǎo)體薄膜晶體管的工作原理示意圖。常用于制備氧化物半導(dǎo)體的金屬元素包括Zn、Ga、In、Sn等，其中In和Ga的儲量并不豐富，原料成本較高；單純的氧化鋅薄膜，因為僅含有半徑較小的4s軌道，交疊不夠充分，其載流子遷移率較其他氧化物半導(dǎo)體低，其晶體管性能受到限制。而氧化鋅錫薄膜具有原料豐富易得，透明度高(帶隙為3.1至3. 4eV)，載流子傳輸性能好等優(yōu)點。因此，不含In、Ga的氧化鋅錫薄膜，越來越受到重視，是最有應(yīng)用前景的氧化物半導(dǎo)體之目前在薄膜晶體管中應(yīng)用的氧化鋅錫薄膜大多需要依托真空技術(shù)來制備，最常見的制備方法為射頻磁控濺射法。這種需要大型真空設(shè)備的制備方法大大的增加了氧化物薄膜制備的成本，增加了大尺寸制備電子器件以及顯示設(shè)備的難度和可行性，增加了相關(guān)生產(chǎn)制備的能耗。而近十年中新興起的采用溶液方法制備氧化物薄膜的技術(shù)可以克服以上缺點。目前，較為成熟的溶液法工藝包括旋轉(zhuǎn)涂布，噴墨打印，熱噴涂分解，浸潰提拉等類別。例如，現(xiàn)有技術(shù)中公開了一種氧化鋅錫薄膜的制備方法(Zhao, Y. L.，Duan, L.A. , Qiao, J. A. , Zhang, D. Q. , Dong, G. F. , Wang, L. D. , and Qiu, Y. (2011). Preparationand properties of solution-processed zinc tin oxide films from a neworganicprecursor. Sci China-Chem54, 651-655.)，該方法米用2-乙基己酸亞錫作為錫的前驅(qū)體、醋酸鋅作為鋅的前驅(qū)體，二乙醇胺為助溶劑，乙二醇單甲醚(methoxyethanol)為溶劑，形 成前驅(qū)體溶液，經(jīng)旋涂成膜后，經(jīng)退火程序得到氧化鋅錫薄膜，該退火程序為在450°C下退火2小時或者按照以下退火程序退火從20°C經(jīng)15min線性升溫至150°C，并在150°C保溫lOmin，再從150°C經(jīng)20min線性升溫至450°C，在450°C恒溫處理120min。該現(xiàn)有技術(shù)表明，該前驅(qū)體溶液應(yīng)用于溶液法制備氧化物薄膜，具有溶解性好，成膜工藝簡單，所制備薄膜具有形貌平整等優(yōu)點。但是申請人研究發(fā)現(xiàn)使用該薄膜制備的薄膜晶體管的性能并不理想，器件性能較低，載流子遷移率僅為1. lcm2V-ls-l。這是因為氧化鋅錫的自身性質(zhì)，導(dǎo)致其形成的氧化鋅錫薄膜有較高的羥基缺陷和較低的氧空位，采用該現(xiàn)有技術(shù)的熱處理程序，所得薄膜為均一的無定形氧化鋅錫，高的羥基缺陷和較低的氧空位均勻的存在于形成的氧化鋅錫薄膜中，而較高的羥基缺陷和較低的氧空位導(dǎo)致氧化鋅錫薄膜的載流子濃度較低，從而使得制備出的薄膜晶體管的載流子遷移率低。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明解決的技術(shù)問題是現(xiàn)有技術(shù)中采用2-乙基己酸亞錫為錫的前驅(qū)體材料制備的氧化鋅錫薄膜形成的薄膜晶體管的載流子遷移率較低的問題，進而提供一種含有采用溶液法制備的氧化鋅錫薄膜晶體管的OLED裝置。為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明所述的含氧化物薄膜晶體管的OLED裝置，包括基板、依次設(shè)置在基板上的TFT、第一電極、有機層以及第二電極；所述TFT包括柵極、柵介質(zhì)層、半導(dǎo)體層、源極、漏極以及絕緣層，所述源極與所述第一電極面接觸連接，所述半導(dǎo)體層是氧化鋅錫薄膜；所述氧化鋅錫薄膜通過如下步驟制備得到的(I)制備前驅(qū)體溶液將含有鋅離子的前驅(qū)體材料、含有錫離子的前驅(qū)體材料以及助溶劑溶解于溶劑中，充分溶解，得到前驅(qū)體溶液；(2)制備氧化鋅錫薄膜將步驟(I)中制備得到的前驅(qū)體溶液在待涂布面上涂布成薄膜；
⑶熱處理將步驟(2)中形成的所述薄膜經(jīng)熱處理程序處理得到所需的氧化鋅錫薄膜。所述步驟(3)中，所述熱處理程序為以20-80°C /min的升溫速率從室溫至200°C的初始溫度上升到400-500°C后，進行恒溫處理。所述恒溫處理的時間為至少20min。所述步驟(I)中，所述含有鋅離子的前驅(qū)體材料選自醋酸鋅、硝酸鋅或氯化鋅中的一種或幾種的混合物；所述含有錫離子的前驅(qū)體材料為2-乙基己酸亞錫。所述步驟(I)中，所述助溶劑選自乙醇胺、二乙醇胺或三乙醇胺中的一種或幾種的混合物。 所述步驟(I)中，所述溶劑選自乙二醇單甲醚、丙二醇單甲醚或丁二醇單甲醚中的一種或幾種的混合物。所述步驟(I)中，所述含有鋅離子的前驅(qū)體材料、所述含有錫離子的前驅(qū)體材料以及所述助溶劑的摩爾比為1:1:3-7。所述含有鋅離子的前驅(qū)體材料和所述含有錫離子的前驅(qū)體材料的總摩爾濃度為O.3-0. 5mol/L。進一步的，所述氧化鋅錫薄膜的厚度為30nm。所述TFT的所述柵介質(zhì)層為氧化鋁薄膜。所述TFT采用頂接觸式晶體管結(jié)構(gòu)或底接觸式晶體管結(jié)構(gòu)。所述有機層包括發(fā)光層與功能層。所述功能層是空穴注入層、空穴傳輸層、電子阻擋層、空穴阻擋層、電子傳輸層、電子注入層中的一種或多種組合。本發(fā)明還公開了一種薄膜晶體管，即用上述的氧化鋅錫薄膜作為半導(dǎo)體層。本發(fā)明還公開了制備上述薄膜晶體管的方法，包括如下步驟(a)對帶有ITO導(dǎo)電玻璃的基板進行清洗、刻蝕、超聲清洗并烘干，備用；(b)在步驟(a)處理后的ITO導(dǎo)電玻璃上制備80nm厚度的氧化鋁柵介質(zhì)層；(c)按照上述制備氧化鋅錫薄膜的方法在步驟(b)所述的氧化鋁柵介質(zhì)層上制備30nm厚度的氧化鋅錫薄膜半導(dǎo)體層；Cd)在所述氧化鋅錫薄膜半導(dǎo)體層上制備源電極與漏電極，即得。本發(fā)明還公開了一種制備上述含氧化物薄膜晶體管的OLED裝置的方法，包括如下步驟(A)按照上述的方法制備薄膜晶體管，并旋涂絕緣層光刻膠，進行顯影處理；所述光刻膠可以選用市售的即可，例如本領(lǐng)域技術(shù)人員熟知的E0C130、透明OC膠或ZE0C0AT，各廠家生產(chǎn)的并無較大區(qū)別；(B)對處理后的晶體管上方蒸鍍Ag,光刻圖形構(gòu)成OLED第一電極；(C)將步驟(B)處理后的基板置于真空腔室中，進行各膜層的蒸鍍，制備第二電極，得到前基板；(D)將OLED制備完成的前基板與阻隔水氧保護器件的后蓋封裝，即得。本發(fā)明所述的上述技術(shù)方案相比現(xiàn)有技術(shù)具有以下優(yōu)點1、使用溶液旋涂法制備的氧化鋅錫薄膜的方法，采用2-乙基己酸亞錫作為錫的前驅(qū)體材料，制備出發(fā)生分層現(xiàn)象的氧化鋅錫薄膜，這是無定形基底對薄膜形成無定形狀態(tài)的誘導(dǎo)作用與在一定的熱處理速率下薄膜本征的易于形成結(jié)晶形態(tài)的傾向共同作用的結(jié)果，這種分層會導(dǎo)致底層無定形結(jié)構(gòu)中的Sn含量增加，而Sn的增加會增加薄膜底層的氧空位含量，僅伴隨有較少的羥基缺陷產(chǎn)生，而高含量的氧空位、較少的羥基缺陷能夠使得氧化鋅錫薄膜的底層具有較高的載流子濃度，由于薄膜晶體管的載流子遷移率主要取決于半導(dǎo)體層底層的載流子濃度，因此，本發(fā)明制備出的底層具有較高載流子濃度的氧化鋅錫薄膜用作薄膜晶體管的半導(dǎo)體層，可以使薄膜晶體管獲得較大的載流子遷移率；2、采用本發(fā)明所述具有分層結(jié)構(gòu)的氧化鋅錫薄膜制備的薄膜晶體管的載流子遷移率可以達到79. gcmW1，相比現(xiàn)有技術(shù)中的1.1cmVs—1，提高了 70多倍；3、本發(fā)明所述OLED裝置中含有的氧化物薄膜晶體管具有較高的載流子遷移率，有很好的恒定電流特性，與OLED發(fā)光器件結(jié)合，可以穩(wěn)定控制驅(qū)動OLED各像素，同時采用透明氧化物半導(dǎo)體薄膜晶體管作為像素開關(guān)，將大大提高有源矩陣的開口率，從而提高亮度，降低功耗和減小工藝復(fù)雜性，并且可以應(yīng)用于未來AMOLED的柔性顯示。


為了使本發(fā)明的內(nèi)容更容易被清楚的理解，下面根據(jù)本發(fā)明的具體實施例并結(jié)合附圖，對本發(fā)明作進一步詳細的說明，其中圖1為本發(fā)明所示OLED裝置的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為實施例1-1中所述薄膜晶體管的轉(zhuǎn)移特性；圖3為實施例1-1中所述薄膜晶體管的輸出特性；圖4為本發(fā)明適用的各種TFT結(jié)構(gòu)示意圖；圖5為本發(fā)明所述OLED裝置的其中一種驅(qū)動方式；圖中附圖標記表示為1-基板，2-柵極，3-柵介質(zhì)層，4-半導(dǎo)體層，5-源極，6_漏極，7-絕緣層，8-第一電極，9-有機層，10-第二電極，11-TFT。
具體實施例方式實施例1-1本實施例所述氧化鋅錫薄膜的制備方法，包括如下步驟(I)制備前驅(qū)體溶液將含有鋅離子的前驅(qū)體材料-醋酸鋅、含有錫離子的前驅(qū)體材料-2-乙基己酸亞錫以及助溶劑-二乙醇胺溶解于乙二醇單甲醚中，充分溶解，得到前驅(qū)體溶液，靜置備用，所述醋酸鋅和2-乙基己酸亞錫以及乙醇胺加入的摩爾比為1: 1: 3，其中醋酸鋅和2-乙基己酸亞錫的總摩爾濃度為O. 3mol/L ；(2)制備氧化鋅錫薄膜在無塵氣氛下，將步驟(I)中制備得到的前驅(qū)體溶液在待涂布面上涂布成薄膜，本發(fā)明所述的待涂布面為半導(dǎo)體層，旋涂完成后，置于加熱臺上烘干，并開始旋涂下一層，直至達到薄膜要求的厚度，所述旋涂的轉(zhuǎn)速及旋轉(zhuǎn)時間本領(lǐng)域技術(shù)人員可以根據(jù)待涂膜的厚度進行合理的選擇設(shè)定；(3)熱處理
對步驟(2)中形成的薄膜進行熱處理將預(yù)熱處理后的薄膜進行從室溫開始以300C /min的升溫速率上升到450°C后進行恒溫處理至少20min，自然冷卻至室溫，即得氧化鋅錫薄膜。實施例1-2本實施例中所述的氧化鋅錫薄膜的制備方法同實施例1-1相同，其區(qū)別僅在于在熱處理步驟中，采用以30°C /min的升溫速率加熱升溫到350°C后進行恒溫處理至少20min，自然冷卻至室溫，即得氧化鋅錫薄膜。實施例1-3本實施例中所述的氧化鋅錫薄膜的制備方法同實施例1-1相同，其區(qū)別僅在于在熱處理步驟中，采用以30°C /min的升溫速率加熱升溫到550°C后進行恒溫處理至少20min，自然冷卻至室溫，即得氧化鋅錫薄膜。
實施例2-1本實施例所述氧化鋅錫薄膜的制備方法，包括如下步驟(I)制備前驅(qū)體溶液將含有鋅離子的前驅(qū)體材料-硝酸鋅、含有錫離子的前驅(qū)體材料-2-乙基己酸亞錫以及助溶劑-乙醇胺溶解于丙二醇單甲醚中，充分溶解，得到前驅(qū)體溶液，靜置備用，所述硝酸鋅和2-乙基己酸亞錫以及二乙醇胺加入的摩爾比為1: 1: 5，其中醋酸鋅和2-乙基己酸亞錫的總摩爾濃度為O. 5mol/L ；(2)制備氧化鋅錫薄膜將步驟(I)中制備得到的前驅(qū)體溶液在待涂布面上涂布成薄膜，本發(fā)明所述的待涂布面為半導(dǎo)體層，旋涂完成后，置于加熱臺上烘干，并開始旋涂下一層，直至達到薄膜要求的厚度；⑶熱處理對步驟(2)中形成的薄膜進行熱處理將預(yù)熱處理后的薄膜進行從100°C開始以600C /min的升溫速率上升到430°C后進行恒溫處理至少20min，自然冷卻至室溫，即得氧化鋅錫薄膜。實施例2-2本實施例中所述的氧化鋅錫薄膜的制備方法同實施例2-1相同，其區(qū)別僅在于在熱處理步驟中，采用以60°C /min的升溫速率加熱升溫到350°C后進行恒溫處理至少20min，自然冷卻至室溫，即得氧化鋅錫薄膜。實施例3本實施例所述氧化鋅錫薄膜的制備方法，包括如下步驟(I)制備前驅(qū)體溶液將含有鋅離子的前驅(qū)體材料-氯化鋅、含有錫離子的前驅(qū)體材料-2-乙基己酸亞錫以及助溶劑-三乙醇胺和乙醇胺的混合物溶解于丁二醇單甲醚中，充分溶解，得到前驅(qū)體溶液，靜置備用，所述氯化鋅和2-乙基己酸亞錫以及三乙醇胺加入的摩爾比為1: 1: 7，其中醋酸鋅和2-乙基己酸亞錫的總摩爾濃度為O. 4mol/L ；(2)制備氧化鋅錫薄膜將步驟⑴中制備得到的前驅(qū)體溶液在待涂布面上涂布成薄膜，本發(fā)明所述的待涂布面為半導(dǎo)體層，旋涂完成后，置于加熱臺上烘干，并開始旋涂下一層，直至達到薄膜要求的厚度；⑶熱處理對步驟(2)中形成的薄膜進行熱處理將預(yù)熱處理后的薄膜進行從200°C開始以200C /min的升溫速率上升到500°C后進行恒溫處理至少20min，自然冷卻至室溫，即得氧化鋅錫薄膜。實施例4本實施例所述氧化鋅錫薄膜的制備方法，包括如下步驟
(I)制備前驅(qū)體溶液將含有鋅離子的前驅(qū)體材料-氯化鋅和硝酸鋅以任意比例的混合物、含有錫離子的前驅(qū)體材料-2-乙基己酸亞錫以及助溶劑-三乙醇胺溶解于乙二醇單醚和丁二醇單甲醚的混合物中，充分溶解，得到前驅(qū)體溶液，靜置備用，所述氯化鋅和硝酸鋅的混合物和2-乙基己酸亞錫以及三乙醇胺加入的摩爾比為1:1:4，其中氯化鋅和硝酸鋅的混合物與2-乙基己酸亞錫的總摩爾濃度為O. 5mol/L ；(2)制備氧化鋅錫薄膜將步驟(I)中制備得到的前驅(qū)體溶液在待涂布面上涂布成薄膜，本發(fā)明所述的待涂布面為半導(dǎo)體層，旋涂完成后，置于加熱臺上烘干，并開始旋涂下一層，直至達到薄膜要求的厚度；(3)熱處理對步驟(2)中形成的薄膜進行熱處理將預(yù)熱處理后的薄膜進行從50°C開始以80°C /min的升溫速率上升到400°C后進行恒溫處理至少20min，自然冷卻至室溫，即得氧化鋅錫薄膜。實施例5本實施例所述氧化鋅錫薄膜的制備方法，包括如下步驟(I)制備前驅(qū)體溶液將含有鋅離子的前驅(qū)體材料-醋酸鋅和硝酸鋅和氯化鋅以任意比例的混合物、含有錫離子的前驅(qū)體材料-2-乙基己酸亞錫以及助溶劑-二乙醇胺和三乙醇胺的混合物溶解于乙二醇單醚和丙二醇單甲醚的混合物中，充分溶解，得到前驅(qū)體溶液，靜置備用，所述含有鋅離子的前驅(qū)體材料和2-乙基己酸亞錫以及助溶劑加入的摩爾比為1:1:3. 5，其中含有鋅離子的前驅(qū)體材料與2-乙基己酸亞錫的總摩爾濃度為O. 4mol/L ；(2)制備氧化鋅錫薄膜將步驟(I)中制備得到的前驅(qū)體溶液在待涂布面上涂布成薄膜，本發(fā)明所述的待涂布面為半導(dǎo)體層，旋涂完成后，置于加熱臺上烘干，并開始旋涂下一層，直至達到薄膜要求的厚度；(3)熱處理對步驟(2)中形成的薄膜進行熱處理將預(yù)熱處理后的薄膜直接放在加熱至150°C的加熱臺上開始以35°C /min的升溫速率上升到470°C后進行恒溫處理至少20min，自然冷卻至室溫，即得氧化鋅錫薄膜。對比例I
本對比例所述氧化鋅錫薄膜的制備原料及添加量同實施例l-ι相同，其區(qū)別僅在于在將以2-乙基己酸亞錫作為錫的前驅(qū)體、醋酸鋅作為鋅的前驅(qū)體，二乙醇胺為助溶劑，乙二醇單甲醚(methoxyethanol)為溶劑，形成的前驅(qū)體溶液，經(jīng)旋涂成膜后，采用退火程序得到氧化鋅錫薄膜。該退火程序為在450°C下退火2小時，得到所需的氧化鋅錫薄膜。對比例2本對比例所述氧化鋅錫薄膜的制備原料及添加量同對比例I相同，其區(qū)別僅在于在將形成的前驅(qū)體溶液旋涂成膜后，是按照如下退火程序退火從20°C經(jīng)15min線性升溫至150°C，并在150°C保溫lOmin，再從150°C經(jīng)20min線性升溫至450°C，在450°C恒溫處理120min，得到所需的氧化鋅錫薄膜。分別測定實施例1-1、1-2及1-3、實施例2-1、2_2以及實施例3至5、對比例I至 2中得到的氧化鋅錫薄膜的性能，各參數(shù)見表I所示。其中，采用實施例1-1中所述的薄膜制備的晶體管的轉(zhuǎn)移特性曲線和輸出特性曲線如圖2和圖3所示。表I各實施例所述氧化鋅錫薄膜的性能參數(shù)
權(quán)利要求
1.一種含氧化物薄膜晶體管的OLED裝置，包括基板(I )、依次設(shè)置在基板(I)上的TFT(11)、第一電極(8)、有機層(9)以及第二電極(10);所述TFT (11)包括柵極(2)、柵介質(zhì)層(3)、半導(dǎo)體層(4)、源極(5)、漏極(6)以及絕緣層(7)，所述半導(dǎo)體層是氧化鋅錫薄膜； 其特征在于，所述氧化鋅錫薄膜通過如下步驟制備得到的 (1)制備前驅(qū)體溶液 將含有鋅離子的前驅(qū)體材料、含有錫離子的前驅(qū)體材料以及助溶劑溶解于溶劑中，充分溶解，得到前驅(qū)體溶液； (2)制備氧化鋅錫薄膜 將步驟(I)中制備得到的前驅(qū)體溶液在待涂布面上涂布成薄膜； (3)熱處理 將步驟(2)中形成的所述薄膜經(jīng)熱處理程序處理得到所需的氧化鋅錫薄膜。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的含氧化物薄膜晶體管的OLED裝置，其特征在于 所述步驟(3)中，所述熱處理程序為以20-80°C /min的升溫速率從室溫至200°C的初始溫度上升到400-500°C后，進行恒溫處理。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的含氧化物薄膜晶體管的OLED裝置，其特征在于 所述恒溫處理的時間為至少20min。
4.根據(jù)權(quán)利要求1-3任一所述的含氧化物薄膜晶體管的OLED裝置，其特征在于 所述步驟(I)中，所述含有鋅離子的前驅(qū)體材料選自醋酸鋅、硝酸鋅或氯化鋅中的一種或幾種的混合物；所述含有錫離子的前驅(qū)體材料為2-乙基己酸亞錫。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的含氧化物薄膜晶體管的OLED裝置，其特征在于 所述步驟(I)中，所述助溶劑選自乙醇胺、二乙醇胺或三乙醇胺中的一種或幾種的混合物。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的含氧化物薄膜晶體管的OLED裝置，其特征在于 所述步驟(I)中，所述溶劑選自乙二醇單甲醚、丙二醇單甲醚或丁二醇單甲醚中的一種或幾種的混合物。
7.根據(jù)權(quán)利要求1-6任一所述的含氧化物薄膜晶體管的OLED裝置，其特征在于 所述步驟(I)中，所述含有鋅離子的前驅(qū)體材料、所述含有錫離子的前驅(qū)體材料以及所述助溶劑的摩爾比為1:1:3-7。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的含氧化物薄膜晶體管的OLED裝置，其特征在于 所述含有鋅離子的前驅(qū)體材料和所述含有錫離子的前驅(qū)體材料的總摩爾濃度為0.3-0. 5mol/L。
9.根據(jù)權(quán)利要求1-8任一所述的含氧化物薄膜晶體管的OLED裝置，其特征在于 所述氧化鋅錫薄膜的厚度為30nm。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的含氧化物薄膜晶體管的OLED裝置，其特征在于 所述TFT采用頂接觸式晶體管結(jié)構(gòu)或底接觸式晶體管結(jié)構(gòu)。
11.根據(jù)權(quán)利要求1-10任一所述的含氧化物薄膜晶體管的OLED裝置，其特征在于 所述有機層包括發(fā)光層與功能層。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的含氧化物薄膜晶體管的OLED裝置，其特征在于 所述功能層是空穴注入層、空穴傳輸層、電子阻擋層、空穴阻擋層、電子傳輸層、電子注入層中 的一種或多種組合。
全文摘要
本發(fā)明屬于OLED裝置領(lǐng)域，涉及一種控制元件由包含氧化鋅錫的薄膜晶體管組成的OLED裝置。本發(fā)明所述的薄膜晶體管的氧化鋅錫薄膜的制備方法，包括將含有鋅離子的前驅(qū)體材料、含有錫離子的前驅(qū)體材料以及助溶劑溶解于溶劑中，充分溶解，得到前驅(qū)體溶液；并將前驅(qū)體溶液在待涂布面上涂布成薄膜后進行熱處理程序等步驟。本發(fā)明所述的方法制備得到的氧化鋅錫薄膜可以使薄膜晶體管獲得較大的載流子遷移率，含有該氧化物薄膜晶體管的OLED裝置的發(fā)光性能極好。
文檔編號H01L29/786GK103022077SQ201210504990
公開日2013年4月3日 申請日期2012年11月30日 優(yōu)先權(quán)日2012年11月30日
發(fā)明者邱勇, 段煉, 胡永嵐, 張國輝, 董艷波, 王靜 申請人:昆山維信諾顯示技術(shù)有限公司, 清華大學(xué), 北京維信諾科技有限公司