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異物除去裝置、異物除去方法

文檔序號:7146623閱讀:331來源:國知局
專利名稱:異物除去裝置、異物除去方法
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及將附著于半導(dǎo)體芯片的異物除去的異物除去裝置、異物除去方法。
背景技術(shù)
在專利文獻(xiàn)I中公開了將附著于物品的異物除去的技術(shù)。該物品放置在傳送器(conveyor)上通過呈隧道(tunnel)狀形成的帶電物。而且,附著于該物品的異物吸附于帶電物。在專利文獻(xiàn)2中公開了如下內(nèi)容:對搬送臂施加與異物相反極性的電壓,使帶電的異物吸附到板狀構(gòu)件。在專利文獻(xiàn)3中公開了如下內(nèi)容:對電極施加正或負(fù)的電壓,使帶電的異物附著到絕緣體層。現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn) 專利文獻(xiàn)
專利文獻(xiàn)1:日本特開昭58-51522號公報(bào);
專利文獻(xiàn)2:日本特開平11-87457號公報(bào);
專利文獻(xiàn)3:日本特開2011-99156號公報(bào)。在考慮將半導(dǎo)體芯片作為物品的情況下,在半導(dǎo)體芯片的側(cè)面和背面附著在制造工藝或切割(dicing)工序中產(chǎn)生的異物。為了提高成品率,需要除去這些異物。但是,在專利文獻(xiàn)I所公開的技術(shù)中,由 于半導(dǎo)體芯片的背面整個面與傳送器相接觸,所以,不能除去半導(dǎo)體芯片的側(cè)面和背面的異物。此外,在專利文獻(xiàn)2所公開的技術(shù)中,不能除去半導(dǎo)體芯片的側(cè)面的異物。在專利文獻(xiàn)3所公開的技術(shù)中,有除去了的異物重新附著到半導(dǎo)體芯片上的危險。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是為了解決上述那樣的課題而完成的,其目的在于提供一種能除去半導(dǎo)體芯片的側(cè)面和背面的異物的異物除去裝置、異物除去方法。本申請發(fā)明提供一種異物除去裝置,具備:夾具,具有形成有貫通孔的板和以能個別地收容多個半導(dǎo)體芯片的方式形成在該板上的框;異物吸附構(gòu)件,具有第一帶電部和第二帶電部,該第一帶電部具有第一平坦面,該第二帶電部與該第一帶電部絕緣并且具有與該第一平坦面構(gòu)成一個平面的第二平坦面;帶電單元,使該第一平坦面帶電為正,使該第二平坦面帶電為負(fù);滑動單元,使該夾具的該貫通孔和該第一平坦面以及該第二平坦面空開一定間隔并且對置,使該夾具和該異物吸附構(gòu)件的一方相對于另一方滑動,該貫通孔形成在該框隔開的每一個區(qū)域。本申請發(fā)明提供一種異物除去方法,具備:在具有形成有貫通孔的板和以能個別地收容多個半導(dǎo)體芯片的方式形成在該板上的框的夾具的該板上,以半導(dǎo)體芯片的背面從該貫通孔露出的方式放置該半導(dǎo)體芯片的工序;由帶電單元使第一帶電部的第一平坦面帶電為正,使與該第一帶電部絕緣的第二帶電部的第二平坦面帶電為負(fù)的帶電工序;在該帶電工序之后,由滑動單元使該半導(dǎo)體芯片的背面和該第一平坦面以及該第二平坦面空開一定間隔并且對置,使該夾具和該第一平坦面以及該第二平坦面的一方相對于另一方滑動的滑動工序。根據(jù)本發(fā)明,能除去半導(dǎo)體芯片的側(cè)面和背面的異物。


圖1是本發(fā)明的實(shí)施方式I的夾具的平面圖。圖2是圖1的部分放大圖。圖3是示出在板上放置了半導(dǎo)體芯片的情況的圖。圖4是本發(fā)明的實(shí)施方式I的異物除去裝置具備的異物吸附構(gòu)件的截面圖。圖5是示出本發(fā)明的實(shí)施方式I的異物除去方法的圖。圖6是示出利用滑動單元使夾具通過異物吸附構(gòu)件之上的情況的截面圖。圖7是示出本發(fā)明的實(shí)施方式2的異物除去方法的截面圖。圖8是不出摩擦電序(triboelectric series)的表。圖9是示出本發(fā)明的實(shí)施方式2的異物除去方法的截面圖。圖10是示意性地示出本發(fā)明的實(shí)施方式3的異物除去方法的圖。圖11是示出使用清潔器(cleaner)清潔異物吸附構(gòu)件的情況的截面圖。
具體實(shí)施例方式實(shí)施方式I
本發(fā)明的實(shí)施方式I的異物除去裝置和異物除去方法除去附著于半導(dǎo)體芯片的異物。圖1是本發(fā)明的實(shí)施方式I的夾具的平面圖。夾具10具備板12和固定在其上的框14。板12由例如鋁等導(dǎo)電性的材料形成。框14是為了個別地收容多個半導(dǎo)體芯片而形成的???4由PPS樹脂等絕緣材料形成,使得多個半導(dǎo)體芯片不電導(dǎo)通。板12中的用框14包圍的區(qū)域是設(shè)置半導(dǎo)體芯片的設(shè)置部16。設(shè)置部16通過除去毛刺(burr)或突起的清洗或研磨而平坦地形成,不會對半導(dǎo)體芯片的背面造成損傷。另夕卜,在板12的外周部分,作為板12的定位單元,形成有端面18a和孔18b。圖2是圖1的部分放大圖。在板12上形成有貫通孔12a、12b。貫通孔12a、12b形成在框14隔開的每一個區(qū)域。貫通孔12a在俯視圖中與框14的側(cè)面相接地形成。貫通孔12b形成在設(shè)置部16的中央部,不與框14的側(cè)面相接。在框14的側(cè)面形成有凹部14a。在框14中,通過形成凹部14a,從而由八個側(cè)面包圍被框14隔開的區(qū)域。圖3是示出在板上放置了半導(dǎo)體芯片的情況的圖。在俯視圖中為四邊形的半導(dǎo)體芯片30被放置在設(shè)置部16中的板12上。半導(dǎo)體芯片30以在表面和背面形成有電極的縱型結(jié)構(gòu)形成。由于在板12上形成有貫通孔12a、12b,所以,半導(dǎo)體芯片30的背面從貫通孔12a、12b露出到外部。此外,由于半導(dǎo)體芯片30是四邊形,所以,不與由八個側(cè)面包圍設(shè)置部16的框14的側(cè)面進(jìn)行面接觸。

圖4是本發(fā)明的實(shí)施方式I的異物除去裝置所具備的異物吸附構(gòu)件的截面圖。異物吸附構(gòu)件50在由絕緣材料形成的臺座52之中具有第一帶電部54和第二帶電部60。由于在第一帶電部54和第二帶電部60之間存在臺座52,所以這兩者被絕緣。作為第一帶電部54的表面的第一平坦面54a和作為第二帶電部60的表面的第二平坦面60a露出到外部。第一平坦面54a和第二平坦面60a構(gòu)成一個平面。在臺座52之中形成有作為帶電單元的第一電極56和第二電極62。第一電極56形成在第一帶電部54之下,第二電極62形成在第二帶電部60之下。第一電極56是為了使第一平坦面54a帶電為正而設(shè)置的。第二電極62是為了使第二平坦面60a帶電為負(fù)而設(shè)置的。布線58連接于第一電極56,布線64連接于第二電極62。說明本發(fā)明的實(shí)施方式I的異物除去方法。圖5是示出本發(fā)明的實(shí)施方式I的異物除去方法的圖。首先,在夾具10的板12上以半導(dǎo)體芯片30的背面從貫通孔12a、12b露出的方式放置半導(dǎo)體芯片30。而且,由作為帶電單元的第一電極56使第一帶電部54的第一平坦面54a帶電為正,由第二電極62使第二帶電部60的第二平坦面60a帶電為負(fù)。此工序稱為帶電工序。在帶電工序之后,使夾具10相對于異物吸附構(gòu)件50滑動。此工序稱為滑動工序?;瑒庸ば蛴勺鳛榛瑒訂卧囊苿訆A具70實(shí)施。首先,利用作為定位單元的端面18a、孔18b將夾具10固定在移動夾具70的預(yù)定位置。而且,使夾具10的貫通孔12a、12b和第一平坦面54a以及第二平坦面60a空開一定間隔并且對置,用移動夾具70使夾具10相對于異物吸附構(gòu)件50滑動。移動夾具70在圖5的箭頭方向移動。圖6是示出由滑動單元使夾具通過異物吸附構(gòu)件之上的情況的截面圖。放置在夾具10上的半導(dǎo)體芯片30的背面和第一平坦面54a以及第二平坦面60a空開一定間隔并且對置。附著于半導(dǎo)體芯片30的帶電為正的異物30a經(jīng)由貫通孔12b靜電吸附到帶電為負(fù)的第二平坦面60a。附著于半導(dǎo)體芯片30的帶電為負(fù)的異物30b經(jīng)由貫通孔12a靜電吸附到帶電為正的第一平坦面54a。這樣,附著于半導(dǎo)體芯片30的異物經(jīng)由貫通孔12a、12b靜電吸附到第一平坦面 54a或第二平坦面60a??墒?,半導(dǎo)體芯片是通過切割(小片化)被實(shí)施了多個工序的處理的半導(dǎo)體晶片而制造的。有時在該多個工序中異物附著于半導(dǎo)體晶片或在切割時在半導(dǎo)體芯片的側(cè)面等附著異物。特別是,在切割中產(chǎn)生許多半導(dǎo)體晶片材料的碎片、屑等,它們成為異物附著于半導(dǎo)體芯片。附著于半導(dǎo)體芯片的異物由于摩擦或接觸而容易帶電,因此認(rèn)為帶電。異物會引起各種危害。例如,當(dāng)異物附著于半導(dǎo)體芯片的表面焊盤時,有時成為短路或放電的原因。此外,在表面-背面間流過電流的縱型結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體芯片中,不僅表面,背面?zhèn)纫沧鳛殡姌O使用。因此,當(dāng)在背面附著異物時,半導(dǎo)體芯片和外部電極的接觸電阻增大。此外,也存在如下情況:由于異物的存在,在與半導(dǎo)體芯片接觸的部分和其附近以及半導(dǎo)體芯片產(chǎn)生裂縫(crack)等缺陷,半導(dǎo)體芯片受到損傷。在本發(fā)明的實(shí)施方式I的異物除去裝置、異物除去工序中,半導(dǎo)體芯片30的背面從貫通孔12a、12b露出到外部,所以,能使異物吸附構(gòu)件50吸附半導(dǎo)體芯片30的背面的帶電的異物。此外,四邊形的半導(dǎo)體芯片30的側(cè)面不與由八個側(cè)面包圍設(shè)置部16的框14的側(cè)面進(jìn)行面接觸。由此,能防止異物被夾在半導(dǎo)體芯片30的側(cè)面和框14的側(cè)面之間而使該異物的除去變得困難。而且,由于貫通孔12a在俯視圖中與框14的側(cè)面相接地形成,所以,能將半導(dǎo)體芯片30的側(cè)面以及其附近的異物、欲從框14吸附到半導(dǎo)體芯片30的側(cè)面的異物經(jīng)由貫通孔12a吸附到異物吸附構(gòu)件50。此外,還能防止異物殘留在板12上。
進(jìn)而,在滑動工序中,由于半導(dǎo)體芯片30的背面和貫通孔12a、12b與第一平坦面54a以及第二平坦面60a空開一定間隔,所以,能防止靜電吸附到第一平坦面54a以及第二平坦面60a的異物重新吸附到半導(dǎo)體芯片30。由于由導(dǎo)電性的材料形成夾具10的板12,所以,夾具10也能在測定半導(dǎo)體芯片30的電特性的試驗(yàn)工序中使用。因此,能在實(shí)施了上述的異物除去方法之后,直接將夾具10使用于半導(dǎo)體芯片30的搬送,進(jìn)行半導(dǎo)體芯片30的電特性的測定。另外,在僅在表面具有電極焊盤的橫型結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體芯片的情況下,不需要用導(dǎo)電性的材料形成板。在本發(fā)明的實(shí)施方式I的異物除去方法中,使夾具10相對于異物吸附構(gòu)件50滑動,但是,本發(fā)明不限定于此。即,如果使半導(dǎo)體芯片30的背面和第一平坦面54a以及第二平坦面60a接近,那么能使異物靜電吸附到第一平坦面54a以及第二平坦面60a,所以,也可以使異物吸附構(gòu)件50相對于夾具10滑動。即,只要使夾具10和異物吸附構(gòu)件50的一方相對于另一方滑動即可???4的凹部14a是為了防止框14的側(cè)面和半導(dǎo)體芯片30的側(cè)面進(jìn)行面接觸而形成的。因此,對于框14的側(cè)面來說,不限于由八個側(cè)面包圍被框14隔開的區(qū)域,只要是不與半導(dǎo)體芯片30的側(cè)面進(jìn)行面接觸的形狀即可。

帶電單元只要能使第一平坦面54a和第二平坦面60a的表面帶電,就不限于第一電極56和第二電極62。例如,作為帶電單元,也可以使用以接觸帶電、摩擦帶電、或滾動帶電的任一種方法使第一平坦面54a和第二平坦面60a帶電的帶電構(gòu)件。另外,在不失去本發(fā)明的特征的范圍內(nèi)能進(jìn)行各種變形。實(shí)施方式2
在本發(fā)明的實(shí)施方式2的異物除去裝置、異物除去方法中,帶電單元與實(shí)施方式I的帶電單元不同。由于其它方面與本發(fā)明的實(shí)施方式I相同,所以省略說明。作為本發(fā)明的實(shí)施方式2的帶電單元的帶電構(gòu)件安裝在夾具上。圖7是示出本發(fā)明的實(shí)施方式2的異物除去方法的截面圖。在夾具10的前頭安裝有帶電構(gòu)件100。異物吸附構(gòu)件102的第一帶電部104和第二帶電部106由從摩擦電序中選出的不同的材料形成。圖8是示出摩擦電序的表。第一帶電部104由摩擦電序的正側(cè)的材料形成,第二帶電部106由摩擦電序的負(fù)側(cè)的材料形成。帶電構(gòu)件100由在摩擦電序中位于第一帶電部104的材料和第二帶電部106的材料之間的材料形成。如圖7所示,當(dāng)使夾具10相對于異物吸附構(gòu)件102滑動時,安裝在夾具10的前頭的帶電構(gòu)件100與第二平坦面106a接觸,第二平坦面106a帶電為負(fù)。而且,帶電構(gòu)件100與第一平坦面104a相接觸,從而第一平坦面104a帶電為正。圖9是示出本發(fā)明的實(shí)施方式2的異物除去方法的截面圖。與實(shí)施方式I相同地,夾具10相對于異物吸附構(gòu)件102滑動,由此,附著于半導(dǎo)體芯片30的帶電為正的異物30a靜電吸附到第二平坦面106a,帶電為負(fù)的異物30b靜電吸附到第一平坦面104a。在本發(fā)明的實(shí)施方式的異物除去裝置、異物除去方法中,由在摩擦電序中位于第一帶電部104的材料和第二帶電部106的材料之間的材料形成帶電構(gòu)件100。因此,使帶電構(gòu)件100相對于異物吸附構(gòu)件102僅滑動一次,就能使第一平坦面104a和第二平坦面106a帶電。因此,不需要實(shí)施方式I的第一電極、第二電極,能簡化異物除去裝置的結(jié)構(gòu)以及異物除去方法。另外,本發(fā)明的實(shí)施方式2的異物除去裝置、異物除去方法能進(jìn)行至少與實(shí)施方式I相同程度的變形。實(shí)施方式3
本發(fā)明的實(shí)施方式3的異物除去裝置、異物除去方法的特征在于,在半導(dǎo)體芯片的異物除去后,對異物吸附構(gòu)件進(jìn)行清潔。由于其它方面與本發(fā)明的實(shí)施方式I相同,所以省略說明。圖10是示意性地示出本發(fā)明的實(shí)施方式3的異物除去方法的圖。首先,使夾具10相對于異物吸附構(gòu)件50滑動,使異物靜電吸附到異物吸附構(gòu)件50的表面。接著,由清潔器200回收吸附到該異物吸附構(gòu)件50的異物。清潔器200具備電離器(ionizer) 202。電離器202放出負(fù)離子和正離子,對吸附于第一平坦面54a和第二平坦面60a的異物進(jìn)行除電。清潔器200還具備回收單元204。回收單元204吸引并回收用電離器202除電了的異物。圖11是示出使用清潔器對異物吸附構(gòu)件進(jìn)行清潔的情況的截面圖。在前述的滑動工序之后,使清潔器200相對于第一平坦面54a和第二平坦面60a滑動。在該滑動中,使電離器202放出負(fù)離子和正離子,對靜電吸附于第一平坦面54a和第二平坦面60a的異物進(jìn)行除電。然后,回收單元204吸引并回收進(jìn)行了除電的異物。具體地說,進(jìn)行了除電的異物從安裝有例如旋轉(zhuǎn)風(fēng)扇(fan)等的吸氣口 204a吸引,捕獲(trap)到異物除去過濾器204b ο根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式3的異物除去裝置、異物除去方法,能對第一平坦面54a和第二平坦面60a進(jìn)行清潔,成為沒有異物的狀態(tài)之后,開始半導(dǎo)體芯片30的異物除去。因此,能防止一度靜電吸附到異物吸附構(gòu)件50的異物重新附著到半導(dǎo)體芯片30。另外,在很多的異物被異物除去過濾器204b捕獲而捕獲異物的能力降低時,更換異物除去過濾器204b ο雖然使用電離器202作為異物的除電單元,但是,用加濕單元或加熱單元也能對異物進(jìn)行除電。此外,當(dāng)使用 多個除電單元時,能有效地對異物進(jìn)行除電。清潔器200也可以對本發(fā)明的實(shí)施方式2的異物吸附構(gòu)件102或其它的異物吸附構(gòu)件使用。另外,本發(fā)明的實(shí)施方式3的異物除去裝置、異物除去方法能進(jìn)行至少與實(shí)施方式I相同程度的變形。附圖標(biāo)記的說明:
10夾具、12板、12a,12b貫通孔、14框、14a凹部、16設(shè)置部、18a,18b定位單元、30半導(dǎo)體芯片、30a,30b異物、50異物吸附構(gòu)件、52臺座、54第一帶電部、54a第一平坦面、56第一電極、58布線、60第二帶電部、60a第二平坦面、62第二電極、64布線、70移動夾具、100帶電構(gòu)件、102異物吸附構(gòu)件、104第一帶電部、104a第一平坦面、106第二帶電部、106a第二平坦面、200清潔器、202電離器、204回收單元、204a吸氣口、204b異物除去過濾器。
權(quán)利要求
1.一種異物除去裝置,其特征在于,具備: 夾具,具有形成有貫通孔的板和以能個別地收容多個半導(dǎo)體芯片的方式形成在所述板上的框; 異物吸附構(gòu)件,具有:具有第一平坦面的第一帶電部;與所述第一帶電部絕緣并且具有與所述第一平坦面構(gòu)成一個平面的第二平坦面的第二帶電部; 帶電單元,使所述第一平坦面帶電為正,使所述第二平坦面帶電為負(fù);以及滑動單元,使所述夾具的所述貫通孔和所述第一平坦面以及所述第二平坦面空開一定間隔并且對置,使所述夾具和所述異物吸附構(gòu)件的一方相對于另一方滑動, 所述貫通孔形成在所述框隔開的每一個區(qū)域。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的異物除去裝置,其特征在于, 所述板由導(dǎo)電性的材料形成。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的異物除去裝置,其特征在于, 所述框的側(cè)面以不與在俯視圖中為四邊形的所述半導(dǎo)體芯片的側(cè)面進(jìn)行面接觸的形狀形成。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的異物除去裝置,其特征在于, 所述貫通孔在俯視圖中與所述框的側(cè)面相接地形成。
5.根據(jù)權(quán)利要求1、2、4的任一項(xiàng)所述的異物除去裝置,其特征在于, 所述帶電單元具有在所述第 一帶電部之下形成的第一電極以及在所述第二帶電部之下形成的第二電極。
6.根據(jù)權(quán)利要求1、2、4的任一項(xiàng)所述的異物除去裝置,其特征在于, 所述帶電單元是以接觸帶電、摩擦帶電、或滾動帶電的任一種方法使所述第一平坦面和所述第二平坦面帶電的帶電構(gòu)件。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的異物除去裝置,其特征在于, 所述帶電構(gòu)件安裝于所述夾具。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的異物除去裝置,其特征在于, 所述第一帶電部和所述第二帶電部由從摩擦電序中選出的不同的材料形成, 所述帶電構(gòu)件由在摩擦電序中位于所述第一帶電部的材料和所述第二帶電部的材料之間的材料形成。
9.根據(jù)權(quán)利要求1、2、4的任一項(xiàng)所述的異物除去裝置,其特征在于,具有: 除電單元,對吸附到所述第一平坦面和所述第二平坦面的異物進(jìn)行除電;以及 回收單元,回收由所述除電單元進(jìn)行了除電的異物。
10.一種異物除去方法,其特征在于,具備: 在具有形成有貫通孔的板和以能個別地收容多個半導(dǎo)體芯片的方式形成在所述板上的框的夾具的所述板上,以半導(dǎo)體芯片的背面從所述貫通孔露出的方式放置所述半導(dǎo)體芯片的工序; 由帶電單元使第一帶電部的第一平坦面帶電為正,使與所述第一帶電部絕緣的第二帶電部的第二平坦面帶電為負(fù)的帶電工序;以及 在所述帶電工序之后,由滑動單元使所述半導(dǎo)體芯片的背面和所述第一平坦面以及所述第二平坦面空開一定間隔并且對置,使所述夾具和所述第一平坦面以及所述第二平坦面的一方相對于另一方滑動的滑動工序。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的異物除去方法,其特征在于, 所述半導(dǎo)體芯片在俯視圖中為四邊形, 所述框的側(cè)面以不與所述半導(dǎo)體芯片的側(cè)面進(jìn)行面接觸的形狀形成。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的異物除去方法,其特征在于, 所述貫通孔在俯視圖中與所述框的側(cè)面相接地形成。
13.根據(jù)權(quán)利要求10至12的任一項(xiàng)所述的異物除去方法,其特征在于, 所述帶電單元是如下的帶電構(gòu)件:安裝于所述夾具,通過與所述第一平坦面以及所述第二平坦面相接觸,從而使所述第一平坦面帶電為正,使所述第二平坦面帶電為負(fù)。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的異物除去方法,其特征在于, 所述第一帶電部和所述第二帶電部由從摩擦電序中選出的不同的材料形成, 所述帶電構(gòu)件由在摩擦電序中位于所述第一帶電部的材料和所述第二帶電部的材料之間的材料形成。
15.根據(jù)權(quán)利要求10至12的任一項(xiàng)所述的異物除去方法,其特征在于,具有: 在所述滑動工序之后,使用除電單元對吸附到所述第一平坦面和所述第二平坦面的異物進(jìn)行除電的工序;以及 利用回收單元回收由所述除電單元進(jìn)行了除電的異物的工序。
全文摘要
本發(fā)明的目的在于提供一種能除去半導(dǎo)體芯片的側(cè)面和背面的異物的異物除去裝置、異物除去方法。本申請發(fā)明的異物除去裝置具備夾具,具有形成有貫通孔的板和以能個別地收容多個半導(dǎo)體芯片的方式形成在該板上的框;異物吸附構(gòu)件,具有第一帶電部和第二帶電部,該第一帶電部具有第一平坦面,該第二帶電部與該第一帶電部絕緣并具有與該第一平坦面構(gòu)成一個平面的第二平坦面;帶電單元,使該第一平坦面帶電為正,使該第二平坦面帶電為負(fù);滑動單元,使該夾具的該貫通孔和該第一平坦面以及該第二平坦面空開一定間隔并且對置,使該夾具和該異物吸附構(gòu)件的一方相對于另一方滑動,該貫通孔形成在該框隔開的每一個區(qū)域。
文檔編號H01L21/02GK103227124SQ20121050257
公開日2013年7月31日 申請日期2012年11月30日 優(yōu)先權(quán)日2012年1月27日
發(fā)明者岡田章, 野口貴也, 秋山肇 申請人:三菱電機(jī)株式會社
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