專利名稱：半導(dǎo)體激光元件及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本申請發(fā)明涉及半導(dǎo)體激光元件及其制造方法，尤其是涉及由在襯底上具有半導(dǎo)體構(gòu)造的晶片分割成半導(dǎo)體激光元件的分割方法。
背景技術(shù)：
通常，半導(dǎo)體激光元件利用結(jié)晶的劈開面制作用于進(jìn)行激光振蕩的共振器面。在AIGaInN系的III族氮化物半導(dǎo)體中，其晶體構(gòu)造為六方晶，因此，將半導(dǎo)體晶片(以下稱作“晶片”)通過劈開進(jìn)行分割，在形成共振器面的工序(以下稱作“得到激光棒的工序”)中，進(jìn)行分割的方向容易向與所希望的方向不同的方向偏離。為了抑制該分割方向的偏離，如圖6所示，例如，公開了如下技術(shù)，即，沿著垂直于層積在GaN襯底110上的LD構(gòu)造111中的波導(dǎo)路112的分割方向，虛線狀地設(shè)置劈開導(dǎo)入槽113 (例如，參照專利文獻(xiàn)1:日本特開2009 - 105466)。但是,若如專利文獻(xiàn)I那樣地利用RIE (Reactive 1n Etching)形成劈開導(dǎo)入槽時，則需要花費時間，故而生產(chǎn)性降低。因此，提出了在層積半導(dǎo)體層I且在其表面形成有隆起(脊部)4的晶片的下面，如圖7 (a)的剖面圖所示，形成劈開導(dǎo)入槽5而進(jìn)行分割的方法，作為在短時間內(nèi)形成該劈開導(dǎo)入槽5的方法之一，具有利用激光照射的加工方法。但是，作為利用激光照射的加工方法的課題，由于要用高能量且在短時間內(nèi)形成，因此，成為劈開導(dǎo)入槽5的表面具有微小的凹凸的形狀。而且，沿著該劈開導(dǎo)入槽5而分割晶片I時，由于劈開導(dǎo)入槽5的微小的凹凸，劈開面的高度相對于劈開面2的垂直方向偏離而產(chǎn)生的臺階3形成條紋狀(將該條紋狀臺階簡稱為“條紋”或“臺階”)。即，從晶片的上面(圖7 (a)的箭頭A的方向)觀察，如圖7(b)所不，另外從晶片的側(cè)面(圖7 (a)的箭頭B的方向)觀察時,如圖7 (C)所不,形成臺階3。在該劈開面中，若臺階發(fā)展到光波導(dǎo)，則在激光驅(qū)動時，使光波導(dǎo)共振的光就會碰上臺階而產(chǎn)生散射，從而，光輸出降低，或在射出時因向未打算的方向射出而對FFP (Far FieldPattern)產(chǎn)生不利影響。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是為了解決上述課題而設(shè)立的，其目的在于提供一種光輸出及FFP優(yōu)異的半導(dǎo)體激光元件及其制造方法。本發(fā)明第一方面的半導(dǎo)體激光元件的制造方法，具有:準(zhǔn)備晶片的工序，所述晶片包括多個半導(dǎo)體激光元件，該半導(dǎo)體激光元件從下面?zhèn)绕鹨来尉邆湟r底和具有光波導(dǎo)的半導(dǎo)體構(gòu)造；在晶片的上面?zhèn)然蛳旅鎮(zhèn)鹊闹辽僖环叫纬傻谝徊鄣墓ば?，俯視觀察，第一槽向離開光波導(dǎo)且與光波導(dǎo)交叉的方向延伸；在形成有第一槽的晶片的上面?zhèn)然蛳旅鎮(zhèn)鹊闹辽僖环叫纬傻诙鄣墓ば?，第二槽以與使第一槽延長的直線交叉的方式延伸且具有比第一槽平滑的面；通過沿著第一槽分割晶片而得到激光棒的工序；在與第一槽延伸的方向交叉的方向分割激光棒而得到各個半導(dǎo)體激光元件的工序。
本發(fā)明第二方面的半導(dǎo)體激光元件，從下面?zhèn)绕鹨来尉邆湟r底和具有與共振器端面交叉的光波導(dǎo)的半導(dǎo)體構(gòu)造，在下面?zhèn)然蛏厦鎮(zhèn)鹊闹辽僖环?，在共振器端面設(shè)有第一槽，第一槽離開光波導(dǎo)且沿著共振器端面延伸，在設(shè)有第一槽的下面?zhèn)然蛏厦鎮(zhèn)鹊闹辽僖环皆O(shè)有第二槽，第二槽以與使第一槽延長的直線交叉的方式延伸且具有比所述第一槽平滑的面。根據(jù)本發(fā)明，可以構(gòu)成光輸出及FFP優(yōu)異的半導(dǎo)體激光元件。


圖1A是從下面?zhèn)扔^察到的本發(fā)明一實施方式的晶片的俯視圖；圖1B是從下面?zhèn)扔^察到的本發(fā)明另一實施方式的晶片的俯視圖；圖2是圖1A的晶片的A —B剖面圖；圖3是本發(fā)明一實施方式的半導(dǎo)體激光元件的剖面圖；圖4是表示設(shè)有第二槽時的激光棒的劈開面的照片；圖5是未設(shè)置第二槽時的激光棒的剖面照片；圖6是表示現(xiàn)有技術(shù)的晶片的構(gòu)成的俯視圖；圖7 (a)是表示其它現(xiàn)有技術(shù)的晶片的構(gòu)成的剖面圖，(b)是從圖7 (a)的箭頭A的方向觀察到的俯視圖，(C)是從圖7 Ca)的箭頭B的方向觀察到的側(cè)面圖。標(biāo)記說明100:晶片100a:晶片的上面?zhèn)?00b:晶片的下面?zhèn)?0:襯底30:半導(dǎo)體構(gòu)造31:n型半導(dǎo)體層32:活性層33:p型半導(dǎo)體層35:光波導(dǎo)40:第一槽50:第二槽50a:第四槽60:槽 X70:電介質(zhì)膜80:p 電極90:隆起(脊部)200:半導(dǎo)體激光元件
具體實施例方式以下，參照附圖對本發(fā)明的一實施方式進(jìn)行說明。其中，以下所示的方式是用于將本發(fā)明的技術(shù)思想具體化的方式，不將本發(fā)明特定為以下的方式。各附圖所示的部件的尺寸及位置關(guān)系等有時會為了使說明更加明確而被夸大。另外，在以下的說明中，相同的名稱、標(biāo)記，原則上表示相同或同質(zhì)的部件，適當(dāng)省略其詳細(xì)說明。圖1A表示從下面?zhèn)扔^察在本實施方式中使用的晶片100的俯視圖。圖2是圖1A的A — B剖面圖，圖3是在本實施方式中得到的半導(dǎo)體激光元件200的剖面圖。另外，為了說明本發(fā)明的效果，圖4中表示設(shè)有第二槽時的激光棒的剖面照片(對應(yīng)圖4)，圖5中表示未設(shè)置第二槽時的激光棒的剖面照片。另外，在圖1A及圖2中，省略了 p電極、n電極及電介質(zhì)膜，在圖3中省略了 n電極。半導(dǎo)體激光元件200的制造方法具有:準(zhǔn)備晶片100的工序，該晶片100包括多個半導(dǎo)體激光元件，該半導(dǎo)體激光元件從下面?zhèn)菼OOb起依次具備襯底20和具有光波導(dǎo)35的半導(dǎo)體構(gòu)造30 ;在晶片100的上面?zhèn)菼OOa或下面?zhèn)菼OOb的至少一方形成第一槽40的工序，第一槽40向遠(yuǎn)離光波導(dǎo)35且與光波導(dǎo)35交叉的方向延伸:在形成有第一槽40的晶片的上面?zhèn)然蛳旅鎮(zhèn)鹊闹辽僖环叫纬傻诙?0的工序，第二槽50以與使第一槽40延長的直線交叉的方式延伸且具有比第一槽40平滑的面；通過沿著第一槽40分割晶片100而得到激光棒的工序；在與第一槽40延伸的方向交叉的方向分割激光棒而得到各半導(dǎo)體激光元件200的工序。本發(fā)明的半導(dǎo)體激光元件的制造方法，在得到激光棒的工序中，能夠用第二槽50阻斷從第一槽40向光波導(dǎo)35發(fā)展的條紋狀的臺階，所以在激光驅(qū)動時能夠抑制光輸出的降低及FFP的特性變差。S卩，如圖5所示，劈開時產(chǎn)生的臺階從第一槽40開始發(fā)展到水平方向(晶片100的平面方向且朝向光波導(dǎo)35 (交叉的方式)的方向。在圖5中為左方向)后，發(fā)展到晶片的上面?zhèn)?00a(與晶片的平面方向呈垂直的方向。圖5中為上方向)。在沒有第二槽的情況(參照圖5)下，在從第一槽40開始產(chǎn)生的條紋中，有時存在到達(dá)位于隆起90的正下方的光波導(dǎo)35的條紋。這樣在光波導(dǎo)35中形成了條紋時，會引起光輸出的降低或FFP的特性變差，因此成為得不到充分的特性的半導(dǎo)體激光元件。對此，如圖4所示，在設(shè)有第二槽的情況下，能夠阻斷在從第一槽40開始產(chǎn)生的多個條紋中，沿朝向水平方向光波導(dǎo)35 (交叉的方式)的方向發(fā)展的條紋，從而使條紋不會向光波導(dǎo)35發(fā)展。此外，通過將第二槽形成比第一槽更平滑的面，能夠抑制從第二槽產(chǎn)生新的條紋。由此，光波導(dǎo)35中不會形成條紋，因此能夠構(gòu)成光輸出及FFP特性優(yōu)異的半導(dǎo)體激光元件。 另外，在此，為了容易地進(jìn)行劈開，也可以設(shè)置比第一槽40深且和第一槽40向同一方向延伸的槽X60 (參照圖1A及圖2)。在此，優(yōu)選槽X60在比光波導(dǎo)35與第一槽的距離更遠(yuǎn)離光波導(dǎo)35的位置形成。將刀片以與第一槽40及槽X60相對的方式配置于晶片的上面?zhèn)?00a，通過從槽X60側(cè)(S卩，在圖4及圖5中為右側(cè))進(jìn)行按壓，以槽X60為起點進(jìn)行沿著第一槽40的劈開。因此，劈開時產(chǎn)生的條紋向劈開進(jìn)入的一側(cè)方向(即，在圖4及圖5中為第一槽40的左側(cè)方向)發(fā)展。在該情況下，至少在第一槽40的一側(cè)設(shè)置第二槽50即可。另外，不管有無形成槽X60，都可以從晶片上面同時按壓劈開線整體而進(jìn)行分割。在該情況下，劈開時產(chǎn)生的條紋向劈開進(jìn)入的第一槽40的兩側(cè)方向發(fā)展。因此，如圖1B所示，也可以追加與第二槽50對應(yīng)的第四槽50a，將第二槽50和第四槽50a設(shè)于第一槽40的兩側(cè)。以下，對半導(dǎo)體激光元件的制造方法的各工序進(jìn)行說明。(準(zhǔn)備晶片的工序)首先，在由GaN構(gòu)成的襯底20上，作為半導(dǎo)體構(gòu)造30，依次形成n型半導(dǎo)體層31、活性層32和p型半導(dǎo)體層33。在此，作為各層，使用InxAlyGai_x_yN(0彡x彡1、0彡y彡1、0彡X + y彡I)。另外，襯底20不限于GaN襯底，只要可劈開即可，例如，具有結(jié)晶面的襯底，具體地說，可舉出:藍(lán)寶石、尖晶石(MgAl2O4)那樣的絕緣性襯底、碳化硅、硅、ZnS, ZnO,GaAs、金剛石及與氮化物半導(dǎo)體進(jìn)行晶格接合的鈮酸鋰、鎵酸釹等氧化物襯底、氮化物半導(dǎo)體襯底(GaN、AIN等)等。接著，將半導(dǎo)體構(gòu)造30的一部分蝕刻成條紋狀，形成條紋狀的隆起90。其后，在隆起90上面形成p電極80。在此，作為p電極80，使用Ni / Au / Pt。與條紋狀的隆起相對應(yīng)，在半導(dǎo)體構(gòu)造30的內(nèi)部設(shè)有光波導(dǎo)35。然后，通過研磨或CMP等使襯底20的下面?zhèn)茸儽?，?yōu)選將晶片100的厚度調(diào)節(jié)到例如50 200 iim左右，具體地，調(diào)節(jié)到IOOiim左右。由此，在后述的“分割激光棒的工序”中，可容易地分割晶片100。在襯底20的下面?zhèn)刃纬蒼電極。在本實施方式中，n電極按照Ti / Au / Pt /Au的順序形成。另外，對n電極而言，也可以代替在襯底20的下面?zhèn)冗M(jìn)行電極形成，而使用干式蝕刻等使n型半導(dǎo)體層31從晶片的上面?zhèn)菼OOa露出而進(jìn)行電極形成。這樣，準(zhǔn)備排列有多個半導(dǎo)體激光元件的晶片100。(形成第一槽的工序)第一槽40作為用于將晶片100分割而得到劈開面的劈開導(dǎo)入槽發(fā)揮作用。在此，將第一槽40設(shè)于晶片的下面?zhèn)?00b。并且，俯視觀察時，第一槽40以遠(yuǎn)離光波導(dǎo)35且向與光波導(dǎo)35交叉的方向延伸的方式形成。即,優(yōu)選以俯視觀察時不與光波導(dǎo)35交叉的方式虛線狀延長。更優(yōu)選第一槽40以使從第一槽40的一端到光波導(dǎo)35的距離和從第一槽40的另一端到光波導(dǎo)35的距離不同的方式形成。第一槽40可以通過激光燒蝕加工而形成。如圖4所示，第一槽40的延伸方向上的第一槽40的截面形狀為梯形，但也可以為例如四邊形、圓、橢圓、倒梯形、平行四邊形、V形中的任一形狀。第一槽40的深度優(yōu)選5 iim以上且20 iim以下。另外，第一槽40的延伸方向的長度優(yōu)選30 u rn以上且60 y m以下，優(yōu)選比與第一槽40的延伸方向正交的方向的寬度長。由此，能夠進(jìn)一步提聞劈開性。另外，為了使上述的條紋難以到達(dá)波導(dǎo)路，優(yōu)選盡量遠(yuǎn)離光波導(dǎo)35而形成第一槽。具體地，優(yōu)選從第一槽的一端到光波導(dǎo)35的距離(例如，從第一槽的一端到位于條紋發(fā)展的方向的光波導(dǎo)35的距離)為離開60 iim左右以上。在本實施方式中，第一槽40的深度設(shè)定為lOiim，第一槽40的延伸方向的長度設(shè)定為50iim，與第一槽40的延伸方向正交的方向的寬度設(shè)定為7 iim。(形成第二槽的工序)第二槽50在晶片分割時作為用于阻斷從第一槽40產(chǎn)生的條紋的條紋遮斷槽發(fā)揮作用。第二槽50在形成有第一槽40的晶片的下面?zhèn)?00b，以與使第一槽40延長的直線交叉的方式延伸(即， 第二槽50不與第一槽40交叉，而是與沿第一槽40的延伸方向延伸的直線(未圖示)交叉)，形成為具有比第一槽40更平滑的面。第二槽可以通過干式蝕刻、濕式蝕刻、激光燒蝕加工等而形成。其中，特別優(yōu)選第二槽利用聚光度高的激光形成，尤其是，作為從劈開面觀察到的(或平行于劈開面的方向上的)截面形狀，在第一槽為梯形、四邊形、圓、橢圓、倒梯形、平行四邊形等的情況下，第二槽優(yōu)選V形，在第一槽為V形的情況下，第二槽優(yōu)選為具有比第一槽小的銳角的V形。另外，第一槽及第二槽的與各槽的延長方向正交的方向上的截面形狀，通常都為V形或與之近似的形狀。在此，所謂平滑的面是指具有表面無凹凸的面，但嚴(yán)格地說，是指具有比構(gòu)成第一槽的表面凹凸小的表面凹凸。第二槽50通過與第一槽40在晶片100的同一面?zhèn)刃纬汕遗c第一槽40分開，可阻斷從第一槽40開始朝向水平方向發(fā)展的條紋狀臺階。進(jìn)而，通過用平滑的面構(gòu)成第二槽50，也可抑制分割時來自第二槽50自身的臺階的產(chǎn)生。另外，第二槽50是否具有比第一槽40更平滑的面，例如，可以通過在第一槽40的延伸方向上的截面SEM像進(jìn)行確認(rèn)。優(yōu)選第一槽40及第二槽50不是在與光波導(dǎo)35接近的晶片上面?zhèn)菼OOa形成，而是在遠(yuǎn)離光波導(dǎo)35的晶片下面?zhèn)菼OOb形成。由此，能夠?qū)廨敵黾癋FP的不利影響抑制在最小限度。即，第一槽40處于晶片的下面?zhèn)菼OOb的情況下，從第一槽40開始發(fā)展的條紋沿水平方向且朝向光波導(dǎo)的方向發(fā)展后，向設(shè)有光波導(dǎo)35的半導(dǎo)體構(gòu)造30側(cè)(晶片上面?zhèn)?00a)發(fā)展。從而，在第二槽50和第一槽40同樣地形成于晶片下面?zhèn)菼OOb的情況下，即使不能阻止所有的條紋向水平方向且朝向光波導(dǎo)35的方向的發(fā)展，不能阻止其發(fā)展的條紋的大部分也不會朝向光波導(dǎo)35，而是向晶片上面?zhèn)雀淖儼l(fā)展路徑，S卩，變?yōu)橄蚩v向(圖4的上方向(晶片的厚度方向))發(fā)展。另外，在晶片的上面?zhèn)菼OOa形成第一槽40及第二槽50的情況下，條紋從第一槽40開始向橫向且朝向光波導(dǎo)35的方向(圖4的橫向(晶片的水平方向))發(fā)展而橫切光波導(dǎo)35，因此，若利用第二槽50不能阻止全部的條紋的發(fā)展，則條紋會在光波導(dǎo)35中沿橫向發(fā)展。在此，通常，通過使光波導(dǎo)35在橫向(水平方向且朝向光波導(dǎo)35的方向)比縱向長，條紋不會在光波導(dǎo)35中沿橫向發(fā)展(即，條紋不會長距離橫切光波導(dǎo)35)，能夠?qū)l紋對光輸出及FFP造成的影響抑制在最小限度。第二槽50只要向與第一槽40延伸的方向交叉的方向延伸即可，S卩，只要以可阻斷條紋的方式延長即可。第二槽的延伸方向在俯視觀察中，例如，相對于第一槽的延長方向可以正交，也可以傾斜。具體地，俯視觀察中的第一槽的延伸方向與第二槽的延伸方向的角度可舉出大于0° (=第一槽和第二槽重合)且小于90° (第一槽和第二槽正交)。但是，考慮薄片化(與共振器方向平行分割的情況)或第二槽形成的容易度時，優(yōu)選使第二槽形成為與第一槽正交。另外，如圖1A所示，第二槽50直線狀不中斷地延伸，但例如也可以形成虛線狀。另外，除第二槽50以外，如圖1B所示，也可以與第一槽40鄰接形成第四槽50a。在該情況下，優(yōu)選第四槽50a與第二槽50平行配置，優(yōu)選將從第一槽的一端到第二槽50的距離和從第一槽40的另一端到第四槽50a的距離設(shè)定為相同程度。另外，第一槽40在晶片的上面?zhèn)菼OOa形成時，第二槽50和第一槽40同樣地在晶片的上面?zhèn)菼OOa形成。另外，第一槽40及第二槽50也可以設(shè)于晶片的上面?zhèn)菼OOa及下面?zhèn)菼OOb這兩側(cè)。第二槽50優(yōu)選通過RIE那樣的干式蝕刻或濕式蝕刻那樣的蝕刻加工來形成。由此，可以比較容易地形成具有平滑面的第二槽50。另外，第二槽50也可以通過激光加工而形成。由此，可以將第二槽50形成平滑的面，并且通過更加簡單的步驟形成。平滑的判斷可以通過在形成第一槽和第二槽后，例如，對SEM照片進(jìn)行比較來確認(rèn)。在本實施方式中，通過激光加工形成第一槽40，通過干式蝕刻形成第二槽50。由此，能夠迅速地形成第一槽40，并且，能夠更容易地形成具有平滑面的第二槽50。但是，第二槽50也可以利用比為了形成第一槽40而使用的激光的加工精度更高的激光來形成。在此，所謂加工精度高的激光是指，利用進(jìn)一步賦予了平滑面的激光，通過調(diào)節(jié)激光的波長、能量、焦點等，能夠進(jìn)行進(jìn)一步賦予了平滑面的激光加工。另外，在后述的激光棒分割工序中，優(yōu)選沿著第二槽50分割激光棒。由此,在分割激光棒時無需形成新的槽，可縮短工序。此時，第一槽40的延伸方向上的第二槽50的截面形狀優(yōu)選為第二槽50的前端部為銳角的形狀。由此，能夠高精度地進(jìn)行分割。另外，如果是V形，則除了可以高精度地進(jìn)行分割以外，可以通過短時間的蝕刻來形成，提高了生產(chǎn)性。在此，所謂V形是指寬度隨著從晶片的表面朝向內(nèi)部而變窄的形狀。另外，在通過干式蝕刻及濕式蝕刻形成第二槽的情況下，在晶片整個面上形成SiO2膜后，對SiO2進(jìn)行光刻及蝕刻，形成所希望的掩模圖形，將該掩模圖形作為掩模，使用RIE并利用添加了少量Cl2氣體的SiCl4氣體或利用KOH等堿溶液等蝕刻劑進(jìn)行蝕刻，由此，能夠形成所希望的形狀，例如，形成為V形或與之近似的形狀。在本實施方式中，將第二槽50的深度設(shè)定為與第一槽40相同，為IOii m。臺階狀條紋從第一槽40開始首先在橫向發(fā)展，所以第二槽50的深度實質(zhì)上可以和第一槽40相同，或優(yōu)選比第一槽40深。由此，能夠利用第二槽50更可靠地阻斷從第一槽40開始產(chǎn)生的條紋。另外，為了利用第二槽50更可靠地阻斷條紋，第一槽40與第二槽50的距離最好盡可能地近。第一槽40和第二槽50也可以相接，但優(yōu)選相互分開。另外，在本實施方式中，在每一光波導(dǎo)35之間形成有第一槽40及第二槽50，但其位置不作限定。(得到激光棒的工序)在形成有第一槽40及第二槽50的晶片100中，沿著第一槽40的延伸方向?qū)⒕?00劈開。由此得到以劈開面為共振器端面的激光棒。劈開的方法可以利用例如使刀片與上面或背面?zhèn)鹊纸硬磯憾M(jìn)行劈開的方法(切斷)、輥斷或沖裁等公知的方法。另外，在前面的工序中，以從第一槽40的一端到光波導(dǎo)35的距離和從第一槽40的另一端到光波導(dǎo)35的距離不同的方式形成，且朝向規(guī)定的方式進(jìn)行利用第一槽40的劈開的情況下，上述的條紋狀臺階容易沿著劈開的前進(jìn)方向發(fā)生。因此，優(yōu)選以在劈開的前進(jìn)方向的前方，從第一槽40的一端到光波導(dǎo)35的距離長，在前進(jìn)方向的后方，從第一槽40的另一端到光波導(dǎo)35的距離變短的方式，選擇劈開方向。(分割激光棒的工序)接著，通過在與第一槽40延伸的方向交叉的方向分割激光棒，得到各半導(dǎo)體激光元件200。分割激光棒的方法可以利用切斷、輥斷或沖裁等公知的方法。進(jìn)行分割時，優(yōu)選
沿著第二槽50分割激光棒。另外，也可以在得到激光棒的工序之后或分割激光棒的工序之后追加酸洗工序。由此，能夠除掉晶片引起的碎渣」L (例如，鎵系氧化物)。參照圖3，對從本實施方式的晶片100分割所得到的半導(dǎo)體激光元件200進(jìn)行說明。半導(dǎo)體激光元件200從下面?zhèn)绕鹨来尉邆湟r底20和半導(dǎo)體構(gòu)造30，半導(dǎo)體構(gòu)造30通過劈開設(shè)置共振器端面，在與共振器端面交叉的方向具有光波導(dǎo)。另外，在共振器端面的襯底20的下面?zhèn)仍O(shè)有第一槽40及第二槽50。第一槽40遠(yuǎn)離光波導(dǎo)且沿著共振器面延伸。另外，第二槽50以與使第一槽40延長的直線交叉的方式延伸，基于SEM照片觀察，具有比第一槽40平滑的面。在半導(dǎo)體構(gòu)造30的上面?zhèn)?，以使隆?0上面開口的方式設(shè)有電介質(zhì)膜70。并且在隆起90上面設(shè)有p電極80。在本實施方式中，n電極設(shè)于襯底20的下面?zhèn)龋趫D3中省略。由此，能夠利用第二槽50阻斷劈開時在第一槽40中產(chǎn)生的條紋，所以能夠形成光輸出及FFP優(yōu)異的半導(dǎo)體激光元件。半導(dǎo)體激光元件200可以在襯底20的下面?zhèn)染哂械谝徊?0及第二槽50。由此，能夠?qū)l紋對FFP的影響抑制在最小限度。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體激光元件的制造方法，其特征在于，具有: 準(zhǔn)備晶片的工序，所述晶片包括多個半導(dǎo)體激光元件，該半導(dǎo)體激光元件從下面?zhèn)绕鹨来尉邆湟r底和具有光波導(dǎo)的半導(dǎo)體構(gòu)造； 在所述晶片的上面?zhèn)然蛳旅鎮(zhèn)鹊闹辽僖环叫纬傻谝徊鄣墓ば?，俯視觀察，所述第一槽向離開所述光波導(dǎo)且與所述光波導(dǎo)交叉的方向延伸； 在形成有所述第一槽的所述晶片的上面?zhèn)然蛳旅鎮(zhèn)鹊闹辽僖环叫纬傻诙鄣墓ば颍龅诙垡耘c使所述第一槽延長的直線交叉的方式延伸且具有比所述第一槽平滑的面； 通過沿著所述第一槽分割所述晶片而得到激光棒的工序； 在與所述第一槽 延伸的方向交叉的方向分割所述激光棒而得到各個半導(dǎo)體激光元件的工序。
2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體激光元件的制造方法，其中，在所述晶片的下面?zhèn)刃纬伤龅谝徊奂八龅诙邸?br> 3.如權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體激光元件的制造方法，其中， 在所述形成第一槽的工序中，通過激光加工形成所述第一槽， 在所述形成第二槽的工序中，通過蝕刻加工形成所述第二槽。
4.如權(quán)利要求1 3中任一項所述的半導(dǎo)體激光元件的制造方法，其中，在形成激光棒的工序中，從晶片的形成有第一槽及第二槽的面的相反側(cè)的面，與第一槽相對地按壓刀片，對晶片進(jìn)行分割。
5.如權(quán)利要求1 4中任一項所述的半導(dǎo)體激光元件的制造方法，其中， 在所述得到激光棒的工序中，還具有在晶片端部形成槽的工序，所述槽比第一槽深，且向與第一槽相同的方向延伸， 通過從所述槽側(cè)按壓刀片，以所述槽為起點沿著第一槽分割所述晶片。
6.如權(quán)利要求1 5中任一項所述的半導(dǎo)體激光元件的制造方法，其中， 在所述形成第一槽的工序中，以從第一槽的一端到光波導(dǎo)的距離和從第一槽的另一端到光波導(dǎo)的距離不同的方式形成所述第一槽， 在得到激光棒的工序中，從第一槽的一端到光波導(dǎo)的距離短的一側(cè)朝向從第一槽的另一端到光波導(dǎo)的距離長的一側(cè)進(jìn)行分割。
7.如權(quán)利要求1 6中任一項所述的半導(dǎo)體激光元件的制造方法，其中，在形成第二槽的槽的工序中，將第二槽的深度設(shè)定為與第一槽的深度相同或比第一槽深。
8.如權(quán)利要求1 7中任一項所述的半導(dǎo)體激光元件的制造方法，其中，在所述得到半導(dǎo)體激光元件的工序中，沿著所述第二槽分割所述激光棒。
9.如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體激光元件的制造方法，其中，在所述形成第二槽的工序中，以截面形狀成為V字形狀的方式形成所述第二槽。
10.如權(quán)利要求1 9中任一項所述的半導(dǎo)體激光元件的制造方法，其中，在所述形成第一槽的工序中，利用激光形成所述第一槽，在形成第二槽的工序中，利用加工精度比為了形成第一槽而使用的激光更高的激光形成所述第二槽。
11.一種半導(dǎo)體激光元件，其特征在于，從下面?zhèn)绕鹨来尉邆湟r底和具有與共振器端面交叉的光波導(dǎo)的半導(dǎo)體構(gòu)造， 在下面?zhèn)然蛏厦鎮(zhèn)鹊闹辽僖环剑谒龉舱衿鞫嗣嬖O(shè)有第一槽，所述第一槽離開所述光波導(dǎo)且沿著所述共振器端面延伸， 在設(shè)有所述第一槽的下面?zhèn)然蛏厦鎮(zhèn)鹊闹辽僖环皆O(shè)有第二槽，所述第二槽以與使所述第一槽延長的直線交叉的方式延伸且具有比所述第一槽平滑的面。
12.如權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體激光元件，所述第一槽及所述第二槽設(shè)于所述襯底的下 面?zhèn)取?br> 全文摘要
本發(fā)明的目的在于提供一種光輸出及FFP優(yōu)異的半導(dǎo)體激光元件及其制造方法。本發(fā)明的半導(dǎo)體激光元件的制造方法具有準(zhǔn)備晶片的工序，該晶片包括多個從下面?zhèn)绕鹨来尉邆湟r底和具有光波導(dǎo)的半導(dǎo)體構(gòu)造的半導(dǎo)體激光元件；在晶片的上面?zhèn)然蛳旅鎮(zhèn)鹊闹辽僖环叫纬傻谝徊鄣墓ば?，俯視觀察，該第一槽向遠(yuǎn)離光波導(dǎo)且與光波導(dǎo)交叉的方向延伸；在形成有第一槽的晶片的上面?zhèn)然蛳旅鎮(zhèn)鹊闹辽僖环叫纬傻诙鄣墓ば颍摰诙垡耘c使第一槽延長的直線交叉的方式延伸且具有比第一槽平滑的面；通過沿著第一槽分割所述晶片而得到激光棒的工序；在與第一槽延伸的方向交叉的方向分割激光棒而得到各個半導(dǎo)體激光元件的工序。
文檔編號H01S5/22GK103138155SQ20121050201
公開日2013年6月5日 申請日期2012年11月30日 優(yōu)先權(quán)日2011年12月2日
發(fā)明者谷坂真吾, 小泉大樹 申請人:日亞化學(xué)工業(yè)株式會社