具有底切結(jié)構(gòu)的發(fā)光二極管及其制造方法
【專利摘要】本發(fā)明揭露一種具有底切結(jié)構(gòu)的發(fā)光二極管及其制造方法。具有底切結(jié)構(gòu)的發(fā)光二極管包含一第一半導(dǎo)體層、一發(fā)光層、一第二半導(dǎo)體層、一第一電極以及一第二電極。第一半導(dǎo)體層具有一第一區(qū)域及一第二區(qū)域，其中第一區(qū)域具有一第一傾斜壁及一第一頂面，而第一傾斜壁與第一頂面相夾一第一銳角。發(fā)光層是形成于第二區(qū)域上。第二半導(dǎo)體層是形成于發(fā)光層上。第一電極和第二電極分別形成于第一頂面和第二半導(dǎo)體上。第二區(qū)域的部分第一半導(dǎo)體層以及上方的發(fā)光層和第二半導(dǎo)體層構(gòu)成一平臺(tái)結(jié)構(gòu)，且平臺(tái)結(jié)構(gòu)在鄰近第一區(qū)域的一側(cè)具有一第二傾斜壁，且第二傾斜壁與第一區(qū)域表面間相夾一第二銳角。
【專利說明】具有底切結(jié)構(gòu)的發(fā)光二極管及其制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明是有關(guān)于一種發(fā)光二極管，且特別是有關(guān)于一種具有底切結(jié)構(gòu)的發(fā)光二極管。
【背景技術(shù)】
[0002]由于發(fā)光二極管具有壽命長、體積小以及耗電量低等優(yōu)點(diǎn)，發(fā)光二極管已被廣泛地應(yīng)用為電子產(chǎn)品的指示燈或各種不同光源。
[0003]現(xiàn)有的發(fā)光二極管是在一基板上設(shè)置一磊晶堆疊結(jié)構(gòu)，此磊晶堆疊結(jié)構(gòu)通常是由一 N型半導(dǎo)體層、多量子井層(Multiple Quantum Wells, MQff)及一 P型半導(dǎo)體層依序?qū)盈B而成。當(dāng)N型半導(dǎo)體層及P型半導(dǎo)體層被施予電壓時(shí)，可驅(qū)使電子空穴對于多量子井層中結(jié)合，以放射光線。一般而言，P型半導(dǎo)體層上會(huì)設(shè)有一 P型電極，而部分P型半導(dǎo)體層及部分多量子井層會(huì)被蝕刻而暴露出部分的N型半導(dǎo)體層，以便設(shè)置一 N型電極。
[0004]一般而言，高被暴露的N型半導(dǎo)體層的多量子井層及P型半導(dǎo)體層被稱為平臺(tái)結(jié)構(gòu)(MESA structure)。傳統(tǒng)平臺(tái)結(jié)構(gòu)的側(cè)壁是垂直地立于N型半導(dǎo)體層的頂面上，容易導(dǎo)致光線局限于多量子井層中，而降低發(fā)光效率。
[0005]為了提升發(fā)光效率，遂有部分廠商在平臺(tái)結(jié)構(gòu)頂部形成多個(gè)光學(xué)微結(jié)構(gòu)，但是這樣的方式卻會(huì)破壞原本P型半導(dǎo)體層的平坦度。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0006]有鑒于此，本發(fā)明的一目的是在提供一種具有底切結(jié)構(gòu)的發(fā)光二極管及其制造方法，其可在無須破壞半導(dǎo)體層的表面平坦度的情況下，仍達(dá)到高發(fā)光效率的功效。
[0007]依據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施方式，一種具有底切結(jié)構(gòu)的發(fā)光二極管包含一第一半導(dǎo)體層、一發(fā)光層、一第二半導(dǎo)體層、一第一電極以及一第二電極。第一半導(dǎo)體層具有一第一區(qū)域及一第二區(qū)域，其中第一區(qū)域側(cè)邊具有一第一傾斜壁，且第一區(qū)域表面具有一第一頂面，而第一傾斜壁與第一頂面相夾一第一銳角。發(fā)光層是形成于第一半導(dǎo)體層的第二區(qū)域上。第二半導(dǎo)體層是形成于發(fā)光層上。第一電極和第二電極分別形成于第一頂面和第二半導(dǎo)體上。其中，位于第二區(qū)域的部分第一半導(dǎo)體層以及位于其上的發(fā)光層和第二半導(dǎo)體層構(gòu)成一平臺(tái)結(jié)構(gòu)，且平臺(tái)結(jié)構(gòu)在鄰近第一區(qū)域的一側(cè)具有一第二傾斜壁，且第二傾斜壁與第一區(qū)域表面間相夾一第二銳角。
[0008]本發(fā)明的另一方面是在提供一種具有底切結(jié)構(gòu)的發(fā)光二極管的制造方法，此方法包含至少下列步驟。提供一基板。于基板上形成一半導(dǎo)體磊晶結(jié)構(gòu)，其中半導(dǎo)體磊晶結(jié)構(gòu)包含依序堆疊的一緩沖層、一第一半導(dǎo)體層、一發(fā)光層以及一第二半導(dǎo)體層。形成一第一光罩于半導(dǎo)體磊晶結(jié)構(gòu)的部分區(qū)域上。施以一第一蝕刻步驟，蝕刻半導(dǎo)體磊晶結(jié)構(gòu)未被第一光罩所覆蓋的區(qū)域至第一半導(dǎo)體層，以形成一暴露出部分第一半導(dǎo)體層的一第一區(qū)域，并以于第一半導(dǎo)體層中未被暴露的一第二區(qū)域形成一由發(fā)光層、第二半導(dǎo)體層以及位于第二區(qū)域上的部分第一半導(dǎo)體層所形成的一平臺(tái)結(jié)構(gòu)，其中平臺(tái)結(jié)構(gòu)具有一第二傾斜壁，且第二傾斜壁與第一區(qū)域的一第一頂面相夾一第二銳角。形成一第二光罩覆蓋平臺(tái)結(jié)構(gòu)與部分第一區(qū)域的表面。施以一第二蝕刻步驟，蝕刻未被第二光罩所覆蓋的區(qū)域，并分別在第一半導(dǎo)體層、緩沖層及基板側(cè)邊形成一第一傾斜壁、一第三傾斜壁以及一第四傾斜壁，其中第一傾斜壁與第一頂面相夾一第一銳角，且第一傾斜壁、第三傾斜壁及第四傾斜壁共平面。
[0009]通過以上實(shí)施方式，本發(fā)明可提供第一傾斜壁及第二傾斜壁，由于這兩個(gè)傾斜壁并非直立而成，可有效幫助光線反射出至發(fā)光二極管外，而增加發(fā)光效率。
[0010]以上所述僅是用以闡述本發(fā)明所欲解決的問題、解決問題的技術(shù)手段、及其產(chǎn)生的功效等等，本發(fā)明的具體細(xì)節(jié)將在下文的實(shí)施方式及相關(guān)附圖中詳細(xì)介紹。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0011]為讓本發(fā)明的上述和其他目的、特征、優(yōu)點(diǎn)與實(shí)施例能更明顯易懂，所附附圖的說明如下:
[0012]圖1繪示依據(jù)本發(fā)明一實(shí)施方式的具有底切結(jié)構(gòu)的發(fā)光二極管的剖面圖；
[0013]圖2繪示依據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施方式的具有底切結(jié)構(gòu)的發(fā)光二極管的剖面圖；
[0014]圖3繪示依據(jù)本發(fā)明又一實(shí)施方式的具有底切結(jié)構(gòu)的發(fā)光二極管的剖面圖；
[0015]圖4繪示依據(jù)本發(fā)明再一實(shí)施方式的具有底切結(jié)構(gòu)的發(fā)光二極管的剖面圖；以及
[0016]圖5A至圖5F繪示依據(jù)本發(fā)明一實(shí)施方式的具有底切結(jié)構(gòu)的發(fā)光二極管的制造流程的剖面圖?！?br>
[0017]【主要元件符號(hào)說明】
[0018]100:第一半導(dǎo)體層
[0019]110:第一區(qū)域
[0020]112:第一頂面
[0021]114:第一傾斜壁
[0022]116:第一銳角
[0023]120:第二區(qū)域
[0024]200:發(fā)光層
[0025]300:第二半導(dǎo)體層
[0026]400:平臺(tái)結(jié)構(gòu)
[0027]410:第二傾斜壁
[0028]420:第二銳角
[0029]510:第一電極
[0030]520:第二電極
[0031]600:緩沖層
[0032]610:第三傾斜壁
[0033]620:下表面
[0034]700:基板
[0035]710:第四傾斜壁
[0036]800:半導(dǎo)體磊晶結(jié)構(gòu)
[0037]910:第一光罩[0038]920:第二光罩【具體實(shí)施方式】
[0039]以下將以附圖揭露本發(fā)明的多個(gè)實(shí)施方式，為明確說明起見，許多實(shí)務(wù)上的細(xì)節(jié)將在以下敘述中一并說明。然而，熟悉本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)了解到，在本發(fā)明部分實(shí)施方式中，這些實(shí)務(wù)上的細(xì)節(jié)并非必要的，因此不應(yīng)用以限制本發(fā)明。此外，為簡化附圖起見，一些已知慣用的結(jié)構(gòu)與元件在附圖中將以簡單示意的方式繪示。
[0040]圖1繪示依據(jù)本發(fā)明一實(shí)施方式的具有底切結(jié)構(gòu)的發(fā)光二極管的剖面圖。如圖所示，本實(shí)施方式的具有底切結(jié)構(gòu)的發(fā)光二極管包含一第一半導(dǎo)體層100、一發(fā)光層200、一第二半導(dǎo)體層300、一第一電極510以及一第二電極520。第一半導(dǎo)體層100具有一第一區(qū)域110及一第二區(qū)域120，其中第一區(qū)域110側(cè)邊具有一第一傾斜壁114，且第一區(qū)域110表面具有一第一頂面112，而第一傾斜壁114與第一頂面112相夾一第一銳角116。發(fā)光層200是形成于第一半導(dǎo)體層100的第二區(qū)域120上。第二半導(dǎo)體層300是形成于發(fā)光層200上。第一電極510和第二電極520分別形成于第一頂面112和第二半導(dǎo)體層300上。其中，位于第二區(qū)域120的部分第一半導(dǎo)體層100以及位于其上的發(fā)光層200和第二半導(dǎo)體層300構(gòu)成一平臺(tái)結(jié)構(gòu)400，且平臺(tái)結(jié)構(gòu)400在鄰近第一區(qū)域110的一側(cè)具有一第二傾斜壁410，且第二傾斜壁410與第一區(qū)域110表面間相夾一第二銳角420。
[0041]由于平臺(tái)結(jié)構(gòu)400的第二傾斜壁410是傾斜地立于第一半導(dǎo)體層100上，故當(dāng)發(fā)光層200的光線行進(jìn)至第二傾斜壁410時(shí)，較容易朝第二半導(dǎo)體層300反射前進(jìn)，從而提高發(fā)光效率。此外，第一傾斜壁114亦可幫助其所接收的光線向上反射，而幫助提高發(fā)光效率。
[0042]圖2繪示依據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施方式的具有底切結(jié)構(gòu)的發(fā)光二極管的剖面圖。本實(shí)施方式與圖1相似，主要差異是在于本實(shí)施方式可進(jìn)一步包含一緩沖層600,其是位于第一半導(dǎo)體層100下，且在第一傾斜壁114的相同側(cè)具有一第三傾斜壁610，此第三傾斜壁610是與第一傾斜壁114共平面。
[0043]具體而言，緩沖層600的第三傾斜壁610是鄰接于第一半導(dǎo)體層100的第一傾斜壁114，且兩者是位于同一平面上，亦即，兩者之間的夾角約呈180度。換言之，第三傾斜壁610與第一傾斜壁114的傾斜角度相同。借此，第三傾斜壁610可幫助將接收到的光線反射出光，以提升發(fā)光效率。
[0044]圖3繪示依據(jù)本發(fā)明又一實(shí)施方式的具有底切結(jié)構(gòu)的發(fā)光二極管的剖面圖。本實(shí)施方式與圖2相似，主要差異是在于本實(shí)施方式可進(jìn)一步包含一基板700，其是位于緩沖層600下。換言之，緩沖層600是夾設(shè)于第一半導(dǎo)體層100與基板700之間。
[0045]圖4繪示依據(jù)本發(fā)明再一實(shí)施方式的具有底切結(jié)構(gòu)的發(fā)光二極管的剖面圖。本實(shí)施方式與圖3相似，主要差異是在于本實(shí)施方式的基板700在第三傾斜壁610的相同側(cè)具有一第四傾斜壁710，與第三傾斜壁610共平面。
[0046]具體而言，基板700是設(shè)置于緩沖層600的下表面620下，而基板700的第四傾斜壁710是鄰接于緩沖層600的第三傾斜壁610，且兩者是位于同一平面上，亦即，兩者之間的夾角約呈180度。換言之，第四傾斜壁710與第三傾斜壁610的傾斜角度相同。借此，第四傾斜壁710可幫助將接收到的光線反射出光，以提升發(fā)光效率。[0047]請回頭參閱圖1，于部分實(shí)施方式中，第一傾斜壁114與第二傾斜壁410是分別位于第一區(qū)域Iio的第一頂面112的相對兩側(cè)。具體而言，第一傾斜壁114是鄰接于第一頂面112較遠(yuǎn)離第二區(qū)域120的一側(cè)，而第二傾斜壁410是鄰接于第一區(qū)域110與第二區(qū)域120的交界處。
[0048]于部分實(shí)施方式中，通過第二傾斜壁410的設(shè)計(jì)，平臺(tái)結(jié)構(gòu)400的剖面面積是沿著第一半導(dǎo)體層100朝向第二半導(dǎo)體層300的方向逐漸增加。換言之，發(fā)光層200與第二半導(dǎo)體層300會(huì)投影覆蓋部分的第一區(qū)域110。
[0049]于部分實(shí)施方式中，通過第一傾斜壁114的設(shè)計(jì)，第一半導(dǎo)體層100的剖面面積是沿著第一半導(dǎo)體層100朝向第二半導(dǎo)體層300的方向逐漸增加。
[0050]于部分實(shí)施方式中，第一銳角116的角度約介于30度至89度之間。于部分實(shí)施方式中，第二銳角420的角度約介于于30度至89度之間。
[0051]于部分實(shí)施方式中，第一半導(dǎo)體層100是一 N型半導(dǎo)體層，而第一電極510為一 N極；第二半導(dǎo)體層300是一 P型半導(dǎo)體層，而第二電極520為一 P極。舉例而言，第一半導(dǎo)體層100可由摻雜有N型雜質(zhì)的氮化物半導(dǎo)體所構(gòu)成，例如:N型氮化鎵(n-GaN)，其可在純的氮化鎵晶體中摻雜四族元素雜質(zhì)(如:硅)而形成；第二半導(dǎo)體層300可由摻雜有P型雜質(zhì)的氮化物半導(dǎo)體所構(gòu)成，例如:P型氮化鎵(P-GaN)，其可在純的氮化鎵晶體中摻雜二 A族元素雜質(zhì)(如:鎂)而形成。
[0052]于部分實(shí)施方式中，第一半導(dǎo)體層100是一 P型半導(dǎo)體層，而第一電極510為一 P極；第二半導(dǎo)體層300是一 N型半導(dǎo)體層，而第二電極520為一 N極。舉例而言，第一半導(dǎo)體層100可由摻雜有P型雜質(zhì)的氮化物半導(dǎo)體所構(gòu)成，例如:P型氮化鎵(p-GaN)，其可在純的氮化鎵晶體中摻雜二 A族元素雜質(zhì)(如:鎂)而形成；第二半導(dǎo)體層300可由摻雜有N型雜質(zhì)的氮化物半導(dǎo)體所構(gòu)成，例如:N型氮化鎵(n-GaN)，其可在純的氮化鎵晶體中摻雜四族元素雜質(zhì)(如:硅)而形成。
[0053]于部分實(shí)施方式中，發(fā)光層200內(nèi)包含多個(gè)量子井(quantum well)結(jié)構(gòu)，以幫助第一半導(dǎo)體層100及第二半導(dǎo)體層300所提供的電子及電洞結(jié)合。
[0054]于部分實(shí)施方式中，緩沖層600可為(包含，但不局限于)無摻雜的氮化物半導(dǎo)體，例如:無摻雜雜質(zhì)的氮化鎵(U-GaN)。
[0055]于部分實(shí)施方式中，基板700可為(包含，但不局限于)一藍(lán)寶石基板(Sapphire)。
[0056]圖5A至圖5F繪示依據(jù)本發(fā)明一實(shí)施方式的具有底切結(jié)構(gòu)的發(fā)光二極管的制造流程的剖面圖。
[0057]于圖5A中，首先提供一基板700，此基板700可為(包含，但不局限于)一藍(lán)寶石基板(Sapphire)。
[0058]于圖5B中，可于基板700上形成一半導(dǎo)體磊晶結(jié)構(gòu)800，其中半導(dǎo)體磊晶結(jié)構(gòu)800包含依序堆疊的一緩沖層600、一第一半導(dǎo)體層100、一發(fā)光層200以及一第二半導(dǎo)體層300。舉例而言，可先將緩沖層600成長于基板700上，再將第一半導(dǎo)體層100成長于緩沖層600上,再將發(fā)光層200成長于第一半導(dǎo)體層100上,最后將第二半導(dǎo)體層300成長于發(fā)光層200上，而形成半導(dǎo)體磊晶結(jié)構(gòu)800。
[0059]于圖5C中，可形成一第一光罩(hard mask)910于半導(dǎo)體嘉晶結(jié)構(gòu)800的部分區(qū)域上。舉例而言，可在預(yù)定形成平臺(tái)結(jié)構(gòu)400(請并參閱圖1)的區(qū)域上方覆蓋此第一光罩910。第一光罩910的材料可為(包含,但不局限于)二氧化娃，以使第一光罩910的側(cè)壁垂直地立于半導(dǎo)體磊晶結(jié)構(gòu)800上，而利于后續(xù)第二傾斜壁410 (請并參閱圖1)的形成。應(yīng)了解到，若用光阻(Photo resist, PR)做為第一光罩910，則會(huì)因?yàn)槠淦拭婷娣e較易由上至下漸增，而難以形成第二傾斜壁410，故本實(shí)施方式是采用二氧化硅來制作第一光罩910。
[0060]于圖中，可施以一第一蝕刻步驟,蝕刻半導(dǎo)體嘉晶結(jié)構(gòu)800未被該第一光罩910所覆蓋的區(qū)域(請并參閱圖5C)至第一半導(dǎo)體層100，以形成一暴露出部分第一半導(dǎo)體層100的一第一區(qū)域110，并以于第一半導(dǎo)體層100中未被暴露的一第二區(qū)域120形成一由發(fā)光層200、第二半導(dǎo)體層300以及位于第二區(qū)域120上的部分第一半導(dǎo)體層100所形成的一平臺(tái)結(jié)構(gòu)400，其中平臺(tái)結(jié)構(gòu)400具有一第二傾斜壁410，且第二傾斜壁410與第一區(qū)域110的第一頂面112相夾一第二銳角420。
[0061]具體而言，圖中所進(jìn)行的第一蝕刻步驟可為干蝕刻。舉例而言，可利用感應(yīng)率禹合等離子(Inductively Coupled Plasma, ICP)或反應(yīng)性離子蝕刻(Reactive 1nEtching, RIE)來進(jìn)行干蝕刻。于部分實(shí)施方式中，感應(yīng)稱合等離子(Inductively CoupledPlasma, ICP)的腔室壓力可高于3帕(Pa)，以利用強(qiáng)的等向性蝕刻及化性蝕刻來形成第二傾斜壁410。
[0062]于圖5E中，可形成一第二光罩920覆蓋平臺(tái)結(jié)構(gòu)400與部分第一區(qū)域110的表面。第二光罩920的材料可為(包含，但不局限于)二氧化娃，以使第二光罩920的側(cè)壁垂直地立于第一半導(dǎo)體層100上，而利于后續(xù)第一傾斜壁114(請并參閱圖1)的形成。應(yīng)了解到，若用光阻(Photo resist, PR)做為第二光罩920，則會(huì)因?yàn)槠淦拭婷娣e較易由上至下漸增，而難以形成第一傾斜壁114,故本實(shí)施方式米用二氧化娃來制作第二光罩920。
[0063]于圖5F中，可施以一第二蝕刻步驟，蝕刻未被第二光罩920所覆蓋的區(qū)域(請并參閱圖5E)，并分別在第一半導(dǎo)體層100、緩沖層600及基板700側(cè)邊形成一第一傾斜壁114、一第三傾斜壁610以及一第四傾斜壁710，其中第一傾斜壁114與第一頂面112相夾一第一銳角116，且第一傾斜壁114、第三傾斜壁610及第四傾斜壁710共平面具體而言，圖5F中所進(jìn)行的第二蝕刻步驟為濕蝕刻。
[0064]于部分實(shí)施方式中，可進(jìn)一步包含一步驟，其是于第一半導(dǎo)體層100表面及該第二半導(dǎo)體層300表面分別形成第一電極510和第二電極520 (請并參閱圖1)。
[0065]于部分實(shí)施方式中，可進(jìn)一步包含一步驟，其是將基板700所剝離，而形成類似于圖2的實(shí)施方式。
[0066]于部分實(shí)施方式，可進(jìn)一步包含一步驟，其是將緩沖層600及基板700所剝離，而形成類似于圖1的實(shí)施方式。
[0067]雖然本發(fā)明已以實(shí)施方式揭露如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何熟悉此技藝者，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作各種的更動(dòng)與潤飾，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)視所附的權(quán)利要求書所界定的范圍為準(zhǔn)。
【權(quán)利要求】
1.一種具有底切結(jié)構(gòu)的發(fā)光二極管，其特征在于，包含: 一第一半導(dǎo)體層，具有一第一區(qū)域及一第二區(qū)域，其中該第一區(qū)域側(cè)邊具有一第一傾斜壁，且該第一區(qū)域表面具有一第一頂面，而該第一傾斜壁與該第一頂面相夾一第一銳角； 一發(fā)光層，形成于該第一半導(dǎo)體層的該第二區(qū)域上； 一第二半導(dǎo)體層，形成于該發(fā)光層上；以及 一第一電極和一第二電極分別形成于該第一頂面和該第二半導(dǎo)體層上； 其中，位于該第二區(qū)域的部分該第一半導(dǎo)體層以及位于其上的該發(fā)光層和該第二半導(dǎo)體層構(gòu)成一平臺(tái)結(jié)構(gòu)，且該平臺(tái)結(jié)構(gòu)在鄰近該第一區(qū)域的一側(cè)具有一第二傾斜壁，且該第二傾斜壁與該第一區(qū)域表面間相夾一第二銳角。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有底切結(jié)構(gòu)的發(fā)光二極管，其特征在于，還包括一緩沖層位于該第一半導(dǎo)體層下，且在該第一傾斜壁的相同側(cè)具有一第三傾斜壁，與該第一傾斜壁共平面。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的具有底切結(jié)構(gòu)的發(fā)光二極管，其特征在于，還包括一基板位于該緩沖層下，且在該第三傾斜壁的相同側(cè)具有一第四傾斜壁，與該第三傾斜壁共平面。
4.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)權(quán)利要求所述的具有底切結(jié)構(gòu)的發(fā)光二極管，其特征在于，該第一銳角介于30度至89度之間。
5.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)權(quán)利要求所述的具有底切結(jié)構(gòu)的發(fā)光二極管，其特征在于，該第二銳角介于30度至89度之間。
6.一種具有底切結(jié)構(gòu)的發(fā)光二極管的制造方法，其特征在于，其步驟包含: 提供一基板； 于基板上形成一半導(dǎo)體磊晶結(jié)構(gòu)，其中該半導(dǎo)體磊晶結(jié)構(gòu)包含依序堆疊的一緩沖層、一第一半導(dǎo)體層、一發(fā)光層以及一第二半導(dǎo)體層； 形成一第一光罩于該半導(dǎo)體磊晶結(jié)構(gòu)的部分區(qū)域上； 施以一第一蝕刻步驟，蝕刻該半導(dǎo)體磊晶結(jié)構(gòu)未被該第一光罩所覆蓋的區(qū)域至該第一半導(dǎo)體層，以形成一暴露出部分該第一半導(dǎo)體層的一第一區(qū)域，并以于該第一半導(dǎo)體層中未被暴露的一第二區(qū)域形成一由該發(fā)光層、該第二半導(dǎo)體層以及位于該第二區(qū)域上的部分該第一半導(dǎo)體層所形成的一平臺(tái)結(jié)構(gòu)，其中該平臺(tái)結(jié)構(gòu)具有一第二傾斜壁，且該第二傾斜壁與該第一區(qū)域的一第一頂面相夾一第二銳角； 形成一第二光罩覆蓋該平臺(tái)結(jié)構(gòu)與部分該第一區(qū)域的表面； 施以一第二蝕刻步驟，蝕刻未被該第二光罩所覆蓋的區(qū)域，并分別在該第一半導(dǎo)體層、該緩沖層及該基板側(cè)邊形成一第一傾斜壁、一第三傾斜壁以及一第四傾斜壁，其中該第一傾斜壁與該第一頂面相夾一第一銳角，且該第一傾斜壁、該第三傾斜壁及該第四傾斜壁共平面。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的具有底切結(jié)構(gòu)的發(fā)光二極管的制造方法，其特征在于，該第一蝕刻步驟為干蝕刻。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的具有底切結(jié)構(gòu)的發(fā)光二極管的制造方法，其特征在于，該干蝕刻是利用感應(yīng)耦合等離子或反應(yīng)性離子蝕刻進(jìn)行。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的具有底切結(jié)構(gòu)的發(fā)光二極管的制造方法，其特征在于，該第二蝕刻步驟為濕蝕刻。
10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的具有底切結(jié)構(gòu)的發(fā)光二極管的制造方法，其特征在于，還包含一步驟于該第一半導(dǎo)體層表面及該第二半導(dǎo)體層表面分別形成一第一電極和一第二電極。
11.根據(jù)權(quán)利要求6所述的具有底切結(jié)構(gòu)的發(fā)光二極管的制造方法，其特征在于，還包含一步驟以剝離該基板。
12.根據(jù)權(quán)利要求6所述的具有底切結(jié)構(gòu)的發(fā)光二極管的制造方法，其特征在于，還包含一步驟以剝離該基板及該緩沖層。
13.根據(jù)權(quán)利要求6至12中任一項(xiàng)所述的具有底切結(jié)構(gòu)的發(fā)光二極管的制造方法，其特征在于，該第一銳角的角度介于30度至89度。
14.根據(jù)權(quán)利要求6至12中任一項(xiàng)權(quán)利要求所述的具有底切結(jié)構(gòu)的發(fā)光二極管的制造方法，其特征在于，該第二銳角的角度介于30度至89度。
【文檔編號(hào)】H01L33/20GK103579433SQ201210490755
【公開日】2014年2月12日 申請日期:2012年11月27日 優(yōu)先權(quán)日:2012年7月30日
【發(fā)明者】余長治, 唐修穆, 林孟毅 申請人:隆達(dá)電子股份有限公司