一種襯底處理系統(tǒng)的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開一種襯底處理系統(tǒng)，包括去氣腔、輸氣單元和氣體處理裝置，其中去氣腔包括承載半導(dǎo)體襯底且位于腔內(nèi)的支撐件；輸氣單元包括用于接收氣體的輸入口以及與所述去氣腔封閉相連的一個或多個輸出口；氣體處理裝置包括加熱單元，所述氣體處理裝置與所述輸氣單元的輸出口連接并位于所述支撐件上方；氣體處理裝置對接收到的氣體進(jìn)行加熱，并將加熱后的氣體引入所述去氣腔，通過氣體作為傳熱介質(zhì)對所述去氣腔內(nèi)的半導(dǎo)體襯底加熱。本發(fā)明能夠有效改善半導(dǎo)體襯底表面熱輻射系數(shù)對加熱溫度的影響，實(shí)現(xiàn)不同類型半導(dǎo)體襯底的加熱兼容性。
【專利說明】一種襯底處理系統(tǒng)
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及集成電路制造【技術(shù)領(lǐng)域】，尤其涉及一種襯底處理系統(tǒng)。
【背景技術(shù)】
[0002]請參閱圖I,在半導(dǎo)體銅互連的物理氣相沉積（Physical Vapor Deposition,簡稱PVD)工藝中，主要包括四個主要工藝過程：去氣、預(yù)清洗、氮化鉭Ta(N)沉積和金屬銅Cu沉積。在去氣工藝中，需在密閉去氣腔中將半導(dǎo)體襯底加熱至一定溫度，以去除襯底上吸附的水蒸氣及其它易揮發(fā)雜質(zhì)。在實(shí)際去氣工藝過程中，對半導(dǎo)體襯底加熱的均勻性要求較高，如果加熱不均勻，可能會導(dǎo)致半導(dǎo)體襯底上的部分區(qū)域易揮發(fā)雜質(zhì)去除不干凈，影響后續(xù)工藝的進(jìn)行，尤其是，如果出現(xiàn)嚴(yán)重的半導(dǎo)體襯底上局部溫度不均勻，極可能會造成半導(dǎo)體襯底的碎片。
[0003]請參閱圖2，圖2為現(xiàn)有技術(shù)在半導(dǎo)體襯底去氣工藝中去氣腔的剖面圖。該去氣腔包括用于傳輸半導(dǎo)體襯底I且位于腔壁上的入口 2，以及承載所述半導(dǎo)體襯底且位于腔內(nèi)的支撐件3。半導(dǎo)體襯底I裝設(shè)在去氣腔內(nèi)且位于襯底支撐件3之上；加熱單元為一排固定于支撐件3上方的燈泡4。其中，燈泡4是固定于燈泡安裝座上，燈泡安裝座安裝于燈泡安裝板5上；安裝板5下方具有反射板6，與其緊貼在一起。此外燈泡安裝板5具有冷卻水管路，從而可實(shí)現(xiàn)反射板6的冷卻，防止其溫度過高。安裝板5和反射板6具有通孔，燈泡4從通孔中穿過。反射板6通常是由鋁制成，其下表面經(jīng)光滑處理以進(jìn)行光反射，從而能夠更有效地利用燈泡4所產(chǎn)生的光能量。去氣腔還具有屏蔽件7，其中有冷卻水路，用以防止燈泡4使用時腔室壁過熱。燈泡4的供電由外部直接供給燈泡安裝座，燈泡4下方設(shè)有一較厚的石英窗8，用以將腔室與外界隔離。此外，保護(hù)罩9設(shè)于燈泡安裝座上方以保障電氣安全。由以上可知，設(shè)于大氣環(huán)境中的燈泡4透過石英窗8進(jìn)行照射，燈泡4產(chǎn)生的熱量通過石英窗8輻射進(jìn)入腔室中，從而加熱半導(dǎo)體襯底I。
[0004]然而，由于半導(dǎo)體襯底的加熱溫度因表面熱輻射系數(shù)不同而有所不同，因此通過熱輻射這種方式加熱半導(dǎo)體襯底，在相同工藝條件下無法滿足不同類型的襯底需求。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明的主要目的在于克服現(xiàn)有技術(shù)的缺陷，提供一種襯底處理系統(tǒng)以實(shí)現(xiàn)不同類型襯底加熱的兼容性。
[0006]為了達(dá)成上述目的，本發(fā)明提供一種襯底處理系統(tǒng)，其包括去氣腔、輸氣單元和氣體處理裝置，其中：所述去氣腔，包括位于腔內(nèi)的支撐件，所述支撐件用于承載半導(dǎo)體襯底；所述輸氣單元，包括用于接收氣體的輸入口以及與所述去氣腔封閉相連的一個或多個輸出口 ；所述氣體處理裝置，包括加熱單元；所述氣體處理裝置與所述輸氣單元的輸出口連接并位于所述支撐件上方；所述氣體處理裝置對接收到的氣體進(jìn)行加熱，并將加熱后的氣體引入所述去氣腔，通過氣體作為傳熱介質(zhì)對所述去氣腔內(nèi)的半導(dǎo)體襯底加熱。
[0007]優(yōu)選的，所述加熱單元，包括導(dǎo)流元件，所述導(dǎo)流元件形成引導(dǎo)所述氣體流動的導(dǎo)流路徑，使所述氣體沿所述導(dǎo)流路徑流動以增加所述加熱單元與所述氣體的接觸面積。
[0008]優(yōu)選的,所述氣體處理裝置,還包括勻氣單元,所述勻氣單元包括一個或多個勻氣板，所述勻氣板具有多個通孔；所述加熱單元位于所述勻氣板的上方、下方或所述勻氣板內(nèi)，用于對通過所述通孔的氣體加熱。
[0009]優(yōu)選的，所述多個勻氣板相互間隔一定的間距且與所述支撐件承載所述半導(dǎo)體襯底的表面平行排列，每個所述勻氣板上的通孔呈均勻分布，且靠近所述支撐件的勻氣板上通孔的數(shù)量大于靠近所述輸氣單元輸出口的勻氣板上通孔的數(shù)量。
[0010]優(yōu)選的，所述加熱單元緊密貼合于所述勻氣板的上表面或下表面。
[0011]優(yōu)選的，所述加熱單元包括電阻絲。
[0012]優(yōu)選的，所述襯底處理系統(tǒng)還包括底部加熱單元，設(shè)置于所述去氣腔底部，用于對所述半導(dǎo)體襯底加熱。
[0013]優(yōu)選的，所述襯底處理系統(tǒng)，還包括真空泵抽氣單元，其抽氣接口與所述去氣腔連接，用于將所述去氣腔內(nèi)的氣體抽出。
[0014]優(yōu)選的，所述襯底處理系統(tǒng)，還包括冷卻單元，連接于所述去氣腔和所述真空泵抽氣單元的抽氣接口之間，用于將所述去氣腔內(nèi)排出的氣體冷卻。
[0015]優(yōu)選的，所述冷卻單元，包括冷卻元件及導(dǎo)氣管，其中所述導(dǎo)氣管的一端連接所述去氣腔，另一端連接所述抽氣單元的抽氣接口，所述導(dǎo)氣管纏繞連接于所述冷卻元件外側(cè)。
[0016]本發(fā)明的有益效果在于:通過氣體處理裝置對氣體進(jìn)行加熱和勻化處理，并將氣體作為傳輸熱量的介質(zhì)，以達(dá)到加熱半導(dǎo)體襯底的目的，從而可以有效改善現(xiàn)有技術(shù)中半導(dǎo)體襯底表面熱輻射系數(shù)對加熱溫度的影響，實(shí)現(xiàn)不同類型半導(dǎo)體襯底的加熱兼容性，并滿足實(shí)際去氣工藝中對半導(dǎo)體襯底加熱的均勻性要求。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0017]圖1為現(xiàn)有技術(shù)中銅互連PVD工藝過程的示意圖；
[0018]圖2為現(xiàn)有技術(shù)的襯底加熱設(shè)備的不意圖；
[0019]圖3為本發(fā)明襯底處理系統(tǒng)一具體實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0020]圖4為本發(fā)明一實(shí)施例襯底處理系統(tǒng)的第一勻氣板的俯視圖；
[0021]圖5為本發(fā)明一實(shí)施例襯底處理系統(tǒng)的第二勻氣板的俯視圖。
【具體實(shí)施方式】
[0022]為使本發(fā)明的內(nèi)容更加清楚易懂，以下結(jié)合說明書附圖3-5，對本發(fā)明襯底處理系統(tǒng)的內(nèi)容作進(jìn)一步說明。當(dāng)然本發(fā)明并不局限于該具體實(shí)施例，本領(lǐng)域內(nèi)的技術(shù)人員所熟知的一般替換也涵蓋在本發(fā)明的保護(hù)范圍內(nèi)。此外，本發(fā)明利用示意圖進(jìn)行了詳細(xì)的表述，在詳述本發(fā)明實(shí)施例時，為了便于說明，示意圖不依照一般比例局部放大，不應(yīng)以此作為對本發(fā)明的限定。
[0023]由于本發(fā)明的襯底處理系統(tǒng)所使用的加熱原理與現(xiàn)有的襯底處理系統(tǒng)的原理不同，因此其結(jié)構(gòu)與現(xiàn)有的襯底處理系統(tǒng)結(jié)構(gòu)完全不同。
[0024]請參閱圖3,圖3為本發(fā)明襯底處理系統(tǒng)一具體實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖所示，本發(fā)明的襯底處理系統(tǒng)包括去氣腔、輸氣單元10和氣體處理裝置。去氣腔包括位于腔內(nèi)承載半導(dǎo)體襯底I的支撐件31。
[0025]輸氣單元10包括用于接收氣體的輸入口以及與去氣腔封閉相連的一個或多個輸出口。輸氣單元10可位于去氣腔上方或側(cè)面，用于將氣體引入去氣腔內(nèi)。
[0026]氣體處理裝置用于對輸氣單元10引入的氣體進(jìn)行加熱，并將加熱后的氣體引入去氣腔，通過氣體作為傳熱介質(zhì)對去氣腔內(nèi)的半導(dǎo)體襯底I加熱。氣體處理裝置設(shè)置于去氣腔內(nèi)，其與輸氣單元10的輸出口連接并位于支撐件31上方，其包括加熱單元20和勻氣單元21。
[0027]勻氣單元21包括一個或多個勻氣板，較佳的，可通過多個勻氣板達(dá)到充分勻氣的目的。在一些較佳實(shí)施例中，勻氣板的數(shù)量可以為2、3或4個。多個勻氣板相互間隔一定的間距且與所述支撐件10承載半導(dǎo)體襯底I的表面平行排列，且與去氣腔的腔室側(cè)壁固定連接。
[0028]每個勻氣板具有多個通孔，通過使氣體穿過該通孔達(dá)到均勻氣體的目的。通常情況下，每個勻氣板上的通孔呈密集均勻分布，且靠近支撐件31的勻氣板上通孔的數(shù)量大于靠近輸氣單元10輸出口的勻氣板上通孔的數(shù)量。也就是說，靠近輸氣單元10輸出口的勻氣板上通孔的孔徑較大，通孔數(shù)較少，通孔分布的密度也較?。欢拷渭?1的勻氣板上通孔的孔徑較小，通孔數(shù)較多，通孔分布的密度也較大。勻氣板的材料理論上可以為耐高溫的任何材料，較佳的，可以為不銹鋼材料。
[0029]加熱單元20可以位于勻氣板的上方、下方或勻氣板內(nèi)，具體來說，加熱單元20可以以一定間距位于勻氣板的上方或下方；也可緊密貼合于勻氣板的上表面或下表面；也可位于勻氣板內(nèi)與其相結(jié)合。加熱單元20的作用在于對需經(jīng)過通孔勻氣的氣體加熱。在一些實(shí)施例中，加熱單元20根據(jù)勻氣板的數(shù)量，可以為一個或多個。例如，可以每一個勻氣板均相應(yīng)配置一個加熱單元20，也可以多個勻氣板配置一個加熱單元20，或一個勻氣板配置多個加熱單元20。
[0030]其中，加熱單元20包括電阻絲，其外接交流電源，可通過電源功率來調(diào)節(jié)加熱溫度。進(jìn)一步的，由于在進(jìn)行不同工藝時，對去氣腔的加熱溫度要求也不同，例如，在集成電路制造工藝時，需將半導(dǎo)體襯底加熱至25(T30(TC，而在進(jìn)行封裝工藝時，需將半導(dǎo)體襯底加熱至15(T180°C，因此，加熱單元20還可包括溫度傳感器和壓力傳感器，如熱偶測溫裝置和硅壓力傳感器，用以實(shí)時監(jiān)控加熱氣體的溫度和壓力變化，從而可以達(dá)到實(shí)時控制的目的。
[0031]其中，加熱單元20對接收到的氣體加熱，加熱元件20可包括導(dǎo)流元件，導(dǎo)流元件形成引導(dǎo)氣體流動路徑的導(dǎo)流路徑，使氣體能夠沿著導(dǎo)流路徑流動，以增加加熱單元與氣體的接觸面積。
[0032]由此，經(jīng)氣體處理裝置加熱勻化后的氣體即可作為傳熱介質(zhì)通過熱傳導(dǎo)的方式將熱量傳遞給半導(dǎo)體襯底1，從而使得半導(dǎo)體襯底I達(dá)到所需的工藝溫度。
[0033]此外，為了達(dá)到更好的半導(dǎo)體襯底去氣加熱的效果，襯底處理系統(tǒng)還可包括設(shè)置于去氣腔底部的底部加熱單元，可與加熱單元20配合使用，共同對半導(dǎo)體襯底加熱。
[0034]去氣腔也可包括位于腔體上方的保護(hù)外殼及位于保護(hù)外殼下方腔壁內(nèi)的腔壁屏蔽件。保護(hù)外殼和腔壁屏蔽件均具有冷卻水路，用以防止保護(hù)外殼及去氣腔壁過熱。
[0035]此外，在本發(fā)明的襯底處理系統(tǒng)中，還可包括真空泵抽氣單元40。真空泵抽氣單元40的抽氣接口與去氣腔的下部密封連接，用于將去氣腔內(nèi)加熱及勻化后的氣體抽出。由于去氣腔內(nèi)的氣體在大于Horr的情況下,去氣腔中的熱傳率較為穩(wěn)定,能夠很快地完成熱量傳遞，因此通過真空泵抽氣單元40進(jìn)行真空排氣或停止真空排氣就可以調(diào)節(jié)去氣腔內(nèi)的壓力，使其中壓力保持在7Torr以上。
[0036]然而，若真空泵抽氣單元40直接連接于去氣腔，則從去氣腔排出的高溫氣體會直接進(jìn)入到真空泵抽氣單元40，對真空泵抽氣單元40容易造成損害。因此，在本發(fā)明的另一實(shí)施例中，襯底處理系統(tǒng)還可包括連接在去氣腔和真空泵抽氣單元40的之間的冷卻單元，冷卻單元的兩端可分別通過轉(zhuǎn)接頭密閉連接于去氣腔以及真空泵抽氣單元40的抽氣接口。通過冷卻單元先對去氣腔內(nèi)排出的高溫氣體進(jìn)行冷卻,再由真空泵抽氣單元40抽出，如此一來，能夠減少加熱氣體對真空泵抽氣單元40的損害,延長真空泵抽氣單元40的使用壽命。
[0037]較佳的，冷卻單元包括冷卻元件及導(dǎo)氣管，導(dǎo)氣管的一端與去氣腔的下部密閉連接，另一端連接抽氣單元40，導(dǎo)氣管在冷卻元件外側(cè)緊密纏繞至少一圈。冷卻元件的材料可為導(dǎo)熱性較好的金屬，例如銅，且其內(nèi)部通有冷卻水；導(dǎo)氣管的材料可為具有較高導(dǎo)熱系數(shù)的材料，例如不銹鋼，從而可將氣體的熱量傳至冷卻元件。當(dāng)較熱的氣體在導(dǎo)氣管中流動時，其通過導(dǎo)氣管與冷卻元件充分進(jìn)行熱量交換以被冷卻。
[0038]接下來將進(jìn)一步結(jié)合圖3至圖5對本發(fā)明的襯底處理系統(tǒng)，其氣體處理裝置的勻氣單元具有2個勻氣板的情形加以描述。
[0039]如前所述，襯底處理系統(tǒng)包括去氣腔、輸氣單元10和氣體處理裝置。去氣腔包括位于腔內(nèi)的用于承載所述半導(dǎo)體襯底I的支撐件31。去氣腔還可包括具有冷卻水路的保護(hù)外殼及腔壁屏蔽件。
[0040]輸氣單元10包括用以接收氣體的輸入口以及與去氣腔封閉相連的輸出口。
[0041]氣體處理裝置設(shè)置于去氣腔內(nèi)，其與輸氣單元10的輸出口連接并位于支撐件31上方。氣體處理裝置包括加熱單元20和勻氣單元21。勻氣單元21包括兩個勻氣板210，211，勻氣板210，211間隔一定的間距且與支撐件31承載半導(dǎo)體襯底I的表面平行排列，且通過固定件22與去氣腔的腔室側(cè)壁固定連接，勻氣板的材料均為不銹鋼材料。其中，靠近輸氣單兀10輸出口的第一勻氣板210均勻分布有直徑為2mm,間距為50mm的通孔,而靠近支撐件10的第二勻氣板211均勻分布有直徑為0.5mm,間距為12mm的通孔。第二勻氣板211通孔的孔徑要小于第一勻氣板210，通孔數(shù)量則要大于第一勻氣板210，也即是第二勻氣板211的通孔分布的密度要大于第一勻氣板210。當(dāng)需勻化處理的氣體經(jīng)過第一勻氣板210勻化之后，再經(jīng)過第二勻氣板211進(jìn)行二次勻化，能夠使氣體分布更為均勻。
[0042]另一方面，加熱單元20的數(shù)量為一個，其位于勻氣板210，211的上方，緊靠并環(huán)繞輸氣單元10的輸出口。當(dāng)輸氣單元10的輸出口將氣體引入后，由于勻氣板210和211上的通孔較小，存在氣體流通阻力，氣體會首先填充并停留在加熱單元20和勻氣板210以及勻氣板210和勻氣板211所構(gòu)成的空間，而不會立即向下分布至半導(dǎo)體襯底I。因此，位于氣體處理裝置內(nèi)的氣體能夠被加熱單元20充分加熱。加熱后的氣體再經(jīng)過勻氣板210和勻氣板211兩次勻氣之后，更為均勻地分布到半導(dǎo)體襯底I。如此一來，加熱勻化后的氣體就能夠作為傳熱介質(zhì)通過熱傳導(dǎo)的方式將熱量傳遞給半導(dǎo)體襯底1，最終達(dá)到半導(dǎo)體襯底I的工藝溫度。加熱單元20包括電阻絲，其外接交流電源，可通過電源功率來調(diào)節(jié)加熱溫度。較佳的，加熱單元20還可包括導(dǎo)流元件，導(dǎo)流元件形成引導(dǎo)氣體流動的導(dǎo)流路徑，使氣體沿導(dǎo)流路徑流動以增加加熱單元20與氣體的接觸面積。此外，加熱單元還可包括溫度傳感器和壓力傳感器，用以實(shí)時監(jiān)控加熱氣體的溫度和壓力變化。
[0043]值得注意的是，在本實(shí)施例中輸氣單元10的輸出口僅為I個，而在其他實(shí)施例中，輸氣單元10可有多個輸出口，氣體能夠從上方分散地進(jìn)入氣體處理裝置。此時，加熱單元20環(huán)繞在輸氣單元10的多個輸出口并與其相連，使氣體能夠更均勻地受熱。
[0044]此外，襯底處理系統(tǒng)還可包括真空泵抽氣單元40。真空泵抽氣單元40的抽氣接口與去氣腔的下部密封連接，用于將去氣腔內(nèi)加熱及勻化的氣體抽出。
[0045]本發(fā)明所述的氣體可以為惰性氣體，例如氦氣、氬氣等；半導(dǎo)體襯底可為待加熱去氣的任何適當(dāng)?shù)陌雽?dǎo)體襯底，例如表面為二氧化硅，氮化硅或金屬的半導(dǎo)體襯底等，本發(fā)明并不限于此。
[0046]綜上所述，本發(fā)明的襯底處理系統(tǒng)，通過氣體處理裝置對氣體進(jìn)行加熱，從而將氣體作為一種傳熱介質(zhì)，通過熱傳導(dǎo)的方式將熱量傳遞給半導(dǎo)體襯底，最終達(dá)到指定的工藝溫度。因此，半導(dǎo)體襯底的加熱溫度與其表面的熱輻射系數(shù)無關(guān)，本發(fā)明的襯底處理系統(tǒng)可適應(yīng)不同類型襯底，實(shí)現(xiàn)不同類型襯底加熱的兼容性。此外，通過氣體處理裝置對氣體的勻化處理，能夠滿足實(shí)際去氣工藝過程中對半導(dǎo)體襯底加熱的均勻性要求。
[0047]以上對本發(fā)明的具體實(shí)施例進(jìn)行了詳細(xì)描述，但其只是作為范例，本發(fā)明并不限制于以上描述的具體實(shí)施例。對于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言，任何對本發(fā)明進(jìn)行的等同修改和替代也都在本發(fā)明的范疇之中。因此，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍下所作的均等變換和修改，都應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的范圍內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種襯底處理系統(tǒng)，其特征在于，包括:去氣腔、輸氣單元和氣體處理裝置，其中: 所述去氣腔，包括位于腔內(nèi)的支撐件，所述支撐件用于承載半導(dǎo)體襯底； 所述輸氣單元，包括用于接收氣體的輸入口以及與所述去氣腔封閉相連的一個或多個輸出口 ； 所述氣體處理裝置，包括加熱單元；所述氣體處理裝置與所述輸氣單元的輸出口連接并位于所述支撐件上方； 所述氣體處理裝置對接收到的氣體進(jìn)行加熱，并將加熱后的氣體引入所述去氣腔，通過氣體作為傳熱介質(zhì)對所述去氣腔內(nèi)的半導(dǎo)體襯底加熱。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的襯底處理系統(tǒng)，其特征在于，所述加熱單元，包括: 導(dǎo)流元件，所述導(dǎo)流元件形成引導(dǎo)所述氣體流動的導(dǎo)流路徑，使所述氣體沿所述導(dǎo)流路徑流動以增加所述加熱單元與所述氣體的接觸面積。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的襯底處理系統(tǒng)，其特征在于，所述氣體處理裝置，還包括: 勻氣單元，所述勻氣單元包括一個或多個勻氣板，所述勻氣板具有多個通孔；所述加熱單元位于所述勻氣板的上方、下方或所述勻氣板內(nèi)，用于對通過所述通孔的氣體加熱。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的襯底處理系統(tǒng)，其特征在于，所述多個勻氣板相互間隔一定的間距且與所述支撐件承載所述半導(dǎo)體襯底的表面平行排列，每個所述勻氣板上的通孔呈均勻分布，且靠近所述支撐件的勻氣板上通孔的數(shù)量大于靠近所述輸氣單元輸出口的勻氣板上通孔的數(shù)量。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的襯底處理系統(tǒng)，其特征在于，所述加熱單元緊密貼合于所述勻氣板的上表面或下表面。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的襯底處理系統(tǒng)，其特征在于，所述加熱單元包括電阻絲。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的襯底處理系統(tǒng)，其特征在于，所述襯底處理系統(tǒng)，還包括底部加熱單元，設(shè)置于所述去氣腔底部，用于對所述半導(dǎo)體襯底加熱。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的襯底處理系統(tǒng)，其特征在于，所述襯底處理系統(tǒng)，還包括: 真空泵抽氣單元，其抽氣接口與所述去氣腔連接，用于將所述去氣腔內(nèi)的氣體抽出。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的襯底處理系統(tǒng)，其特征在于，所述襯底處理系統(tǒng)，還包括: 冷卻單元，連接于所述去氣腔和所述真空泵抽氣單元的抽氣接口之間，用于將所述去氣腔內(nèi)排出的氣體冷卻。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的襯底處理系統(tǒng)，其特征在于，所述冷卻單元，包括:冷卻元件及導(dǎo)氣管，其中: 所述導(dǎo)氣管的一端連接所述去氣腔，另一端連接所述抽氣單元的抽氣接口，所述導(dǎo)氣管纏繞連接于所述冷卻元件外側(cè)。
【文檔編號】H01L21/768GK103839875SQ201210480416
【公開日】2014年6月4日 申請日期:2012年11月23日 優(yōu)先權(quán)日:2012年11月21日
【發(fā)明者】邊國棟, 丁培軍, 王厚工, 趙夢欣 申請人:北京北方微電子基地設(shè)備工藝研究中心有限責(zé)任公司