粘晶方法及其裝置制造方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種粘晶方法，其步驟包含有：將一基板加熱至一預(yù)定溫度；吸取至少一晶粒，該至少一晶粒具有一基礎(chǔ)溫度，該基礎(chǔ)溫度小于該預(yù)定溫度；將該至少一晶粒固晶于該基板；冷卻該已固晶的基板；以及將該已固晶的基板移至一上下料位置，加熱另一基板至該預(yù)定溫度，并重復(fù)上述的步驟。
【專利說明】粘晶方法及其裝置
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種粘晶方法及其裝置，尤其是一種預(yù)熱晶粒與粘合晶粒的粘晶方法
與裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]光電元件，廣為應(yīng)用于目前的日常生活中，舉例而言，光電元件中以發(fā)光二極管(Light-Emitting Diode, LED)最具有代表性，因發(fā)光二極管已被視為下一代照明光源，以取代傳統(tǒng)的日光燈與齒素?zé)簟?br> [0003]現(xiàn)有的光電元件的制作工藝，是將一晶粒置放于基板，以使二者相粘合，然而在置放過程中，是使用一取放裝置，將晶粒由晶粒供應(yīng)單元取出，放置于晶粒暫放平臺(tái)，再由另一取放裝置，從晶粒暫放平臺(tái)取出晶粒，貼合于基板上，晶粒粘合基板前，晶粒需要?dú)v經(jīng)多次取放，并且前述的制作工藝是依靠單一固晶機(jī)構(gòu)與單一制作平臺(tái)，所以現(xiàn)有的光電元件需要較長的制作時(shí)間，并且具有較為繁復(fù)的生產(chǎn)流程。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]在本發(fā)明的一實(shí)施例中，本發(fā)明的目的在于提供一種粘晶方法，其步驟包含有:
[0005]將一基板加熱至一預(yù)定溫度；
[0006]吸取至少一晶粒；
[0007]將該至少一晶粒固晶于該基板；
[0008]冷卻已固晶的基板；以及
[0009]將該已固晶的基板移至一上下料位置，加熱另一基板至該預(yù)定溫度，并重復(fù)上述的步驟。
[0010]在本發(fā)明的另一實(shí)施例中，本發(fā)明的目的在于提供一種粘晶裝置，其包含有:
[0011]一基臺(tái)；
[0012]一晶粒供應(yīng)單元，其設(shè)于該基臺(tái)的一端；
[0013]一基板加熱及冷卻單元，其設(shè)于該基臺(tái)的另一端；以及
[0014]一固晶單元，其設(shè)于該基臺(tái)的頂端，并且能夠于該晶粒供應(yīng)單元與該基板加熱及冷卻單元之間移動(dòng)。
[0015]本發(fā)明僅需將晶粒從晶圓盤取出直接固晶于基板上；另一方面，本發(fā)明有多組晶粒取放固晶機(jī)構(gòu)，可一次從晶圓盤取出多顆晶粒，縮短取放時(shí)間；最后，本發(fā)明擁有雙固晶平臺(tái)，在其中一平臺(tái)進(jìn)行固晶制作時(shí)，另一平臺(tái)可進(jìn)行冷卻與上下料基板，可有效降低制程時(shí)間。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0016]圖1是本發(fā)明的一種粘晶裝置的立體示意圖。
[0017]圖2是一晶粒供應(yīng)單元的立體示意圖。[0018]圖3是一控溫模塊的立體示意圖。
[0019]圖4是一取放固晶模塊的立體示意圖。
[0020]圖5是一晶粒供應(yīng)單元與一取放固晶模塊的局部動(dòng)作示意圖。
[0021]圖6是晶粒供應(yīng)單元、取放固晶模塊與一基板加熱及冷卻單元的動(dòng)作示意圖。
[0022]圖7是取放固晶模塊與基板加熱及冷卻單元的局部動(dòng)作示意圖。
[0023]圖8是本發(fā)明的一種粘晶方法的流程示意圖。
[0024]【主要元件符號(hào)說明】
[0025]I 基臺(tái)
[0026]2 晶粒供應(yīng)單元
[0027]20 晶圓工作臺(tái)
[0028]200晶圓盤載臺(tái)
[0029]201旋轉(zhuǎn)模塊
[0030]202工作臺(tái)X軸向移動(dòng)單元
[0031]203工作臺(tái)Y軸 向移動(dòng)單元
[0032]21 晶粒頂出模塊
[0033]3 基板加熱及冷卻單元
[0034]30Y軸向移動(dòng)模塊
[0035]31控溫模塊
[0036]311冷卻液流入管
[0037]312冷卻液流出管
[0038]313恒溫液入管
[0039]314溫度傳感器
[0040]315隔熱板
[0041]316支撐座
[0042]317恒溫板
[0043]318附加電路板
[0044]319恒溫液出管
[0045]4固晶單元
[0046]40固晶單元Y軸向移動(dòng)模塊
[0047]41取放固晶模塊
[0048]410第一視覺模塊
[0049]411可調(diào)整加壓模塊
[0050]412真空吸放轉(zhuǎn)接器
[0051]414晶粒吸嘴
[0052]415角度對(duì)位模塊
[0053]42取放固晶模塊Z軸向?qū)ξ荒K
[0054]43取放固晶模塊X軸向移動(dòng)模塊
[0055]5第二視覺模塊
[0056]SI ~S8 步驟【具體實(shí)施方式】
[0057]為使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚明白，以下結(jié)合具體實(shí)施例，并參照附圖，對(duì)本發(fā)明進(jìn)一步詳細(xì)說明。
[0058]參考圖1所示，本發(fā)明提供一種粘晶裝置，其具有一基臺(tái)1、一晶粒供應(yīng)單元2、一基板加熱及冷卻單兀3、一固晶單兀4、一第一視覺模塊410與一第二視覺模塊5。
[0059]晶粒供應(yīng)單元2設(shè)于基臺(tái)I的一端,參考圖2與圖1所示，晶粒供應(yīng)單元2具有一晶圓工作臺(tái)20與一晶粒頂出模塊21。
[0060]晶圓工作臺(tái)20具有一晶圓盤載臺(tái)200、一旋轉(zhuǎn)模塊201、一工作臺(tái)X軸向移動(dòng)單元202與一工作臺(tái)Y軸向移動(dòng)單元203，晶圓盤載臺(tái)200設(shè)于旋轉(zhuǎn)模塊201的頂端，旋轉(zhuǎn)模塊201使晶圓盤載臺(tái)200得以轉(zhuǎn)動(dòng)一角度，該角度能夠?yàn)镺至360度，舉例而言，該角度能夠?yàn)镺至360度中的任一度數(shù)，但不限制，工作臺(tái)X軸向移動(dòng)單元202與工作臺(tái)Y軸向移動(dòng)單元203設(shè)于晶圓盤載臺(tái)200的底端，工作臺(tái)X軸向移動(dòng)單元202使晶圓盤載臺(tái)200能夠沿著一X軸向移動(dòng)，工作臺(tái)Y軸向移動(dòng)單元203使晶圓盤載臺(tái)200能夠沿著一 Y軸向移動(dòng)，如圖所示，該X軸向垂直于該Y軸向。
[0061]晶粒頂出模塊21設(shè)于晶圓盤載臺(tái)200的底端。
[0062]基板加熱及冷卻單元3設(shè)于基臺(tái)I的另一端，請(qǐng)配合參考圖3與圖1所示，基板加熱及冷卻單元3具有至少一控溫模塊31與至少一 Y軸向移動(dòng)模塊30。
[0063]控溫模塊31設(shè)于Y軸向移動(dòng)模塊30，Y軸向移動(dòng)模塊30使控溫模塊31能夠沿著Y軸向移動(dòng)，本實(shí)施例中，控溫模塊31與Y軸向移動(dòng)模塊30的數(shù)量分別為兩個(gè)，控溫模塊31具有一附加電路板318、一恒溫板317、至少一支撐座316與一溫度傳感器314。
[0064]附加電路板318具有至少一冷卻液流入管311、至少一冷卻液流出管310、至少一加熱管312與一隔熱板315，冷卻液流入管311能夠?qū)⒗鋮s液導(dǎo)入附加電路板318的內(nèi)部，以冷卻附加電路板318，冷卻液流出管312能夠?qū)⒗鋮s液由附加電路板318的內(nèi)部導(dǎo)出至附加電路板318的外部，加熱管312能夠?yàn)橐浑姎饧訜峁?，加熱?12能夠加熱附加電路板318，以使附加電路板318的溫度提升至一預(yù)定溫度，隔熱板315設(shè)于附加電路板318的底部，以預(yù)防被加熱的附加電路板318的熱能影響位于附加電路板318底端的構(gòu)件。
[0065]支撐座316設(shè)于附加電路板318與恒溫板317之間，以使附加電路板318與恒溫板317之間形成有可供溫度傳感器314設(shè)置的空間。
[0066]恒溫板317具有至少一恒溫液入管313與一恒溫液出管319，恒溫液入管313可將一恒溫液導(dǎo)入恒溫板317的內(nèi)部，以使控溫模塊31維持于一特定溫度，恒溫液出管319可將恒溫液由恒溫板317的內(nèi)部導(dǎo)出至恒溫板317的外部。
[0067]固晶單元4設(shè)于基臺(tái)I的頂端，并且能夠在晶粒供應(yīng)單元2與基板加熱及冷卻單元3之間移動(dòng)，請(qǐng)配合參考圖4與圖1所示，固晶單元4具有一固晶單元Y軸向移動(dòng)模塊40、一取放固晶模塊41、一取放固晶模塊Z軸向?qū)ξ荒K42與一取放固晶模塊X軸向移動(dòng)模塊43。
[0068]固晶單元Y軸向移動(dòng)模塊40設(shè)于基臺(tái)I的兩側(cè)，固晶單元Y軸向移動(dòng)模塊40使取放固晶模塊41能夠沿著于Y軸向移動(dòng)。
[0069]取放固晶模塊41具有多個(gè)晶粒吸嘴414、多個(gè)角度對(duì)位模塊415、多個(gè)真空吸放轉(zhuǎn)接器412與多個(gè)可調(diào)整加壓模塊411。
[0070]各晶粒吸嘴414耦接各角度對(duì)位模塊415，各角度對(duì)位模塊415可使各晶粒吸嘴414轉(zhuǎn)動(dòng)一角度，舉例而言，該角度能夠?yàn)镺至360度的任一度數(shù)，但不限制。
[0071]各晶粒吸嘴414進(jìn)一步耦接各真空吸放轉(zhuǎn)接器412，及耦接各可調(diào)整加壓模塊411，各真空吸放轉(zhuǎn)接器412可使各晶粒吸嘴414具有真空吸力及下壓推力。
[0072]各可調(diào)整加壓模塊411耦接各真空吸放轉(zhuǎn)接器412，各可調(diào)整加壓模塊411能夠調(diào)整各真空吸放轉(zhuǎn)接器412提供給各晶粒吸嘴414的下壓推力，各可調(diào)整加壓模塊411能夠進(jìn)一步調(diào)整一固晶時(shí)間。
[0073]取放固晶模塊Z軸向?qū)ξ荒K42耦接取放固晶模塊41，取放固晶模塊Z軸向?qū)ξ荒K42可改變?nèi)》殴叹K41于一 Z軸向的位置，該Z軸向垂直于前述的X軸向與Y軸向。
[0074]取放固晶模塊X軸向移動(dòng)模塊43耦接取放固晶模塊41與固晶單元Y軸向移動(dòng)模塊40，取放固晶模塊X軸向移動(dòng)模塊43使取放固晶模塊41得以沿著X軸向移動(dòng)。
[0075]第一視覺模塊410設(shè)于取放固晶模塊41，并且與取放固晶模塊41聯(lián)動(dòng)。
[0076]第二視覺模塊5設(shè)于基臺(tái)I的頂端，并且位于晶粒供應(yīng)單元2與基板加熱及冷卻單元3之間。
[0077]請(qǐng)配合參考圖5及圖1所示，取放固晶模塊41經(jīng)由取放固晶模塊X軸向移動(dòng)模塊43、取放固晶模塊Z軸向?qū)ξ荒K42與固晶單元Y軸向移動(dòng)模塊40的移動(dòng)，而使取放固晶模塊41移動(dòng)至晶圓工作臺(tái)20的上方。
[0078]取放固晶模塊41位于欲被吸取的晶粒的上方，晶粒頂出模塊21則將欲被吸取的晶粒頂出，以使各晶粒吸嘴414得以依序吸取晶粒。
[0079]請(qǐng)配合參考圖6所示，已吸取有多個(gè)晶粒的取放固晶模塊41沿著Z軸向、Y軸向與X軸向移動(dòng)至控溫模塊31的上方，溫控模塊31具有一已預(yù)熱的基板，在取放固晶模塊41的移動(dòng)過程中，第二視覺模塊5由下往上拍攝位于各晶粒吸嘴414的晶粒的影像，若晶粒的位置有所偏移，角度對(duì)位模塊415將晶粒吸嘴414轉(zhuǎn)動(dòng)一角度，以調(diào)整晶粒的位置。
[0080]請(qǐng)配合參考圖7所示，當(dāng)取放固晶模塊41位于已預(yù)熱的基板的上方時(shí)，取放固晶模塊41提供一下壓推力，以將晶粒固晶于基板。
[0081]請(qǐng)?jiān)倥浜蠀⒖紙D6所示，當(dāng)基板已完成固晶后，控溫模塊31移動(dòng)至一上下料位置，在退至上下料位置的行程中，控溫模塊31對(duì)已固晶的基板進(jìn)行冷卻，另一具有已預(yù)熱的基板的控溫模塊31移動(dòng)至上述的固晶的位置，以進(jìn)行固晶。
[0082]請(qǐng)配合參考圖8所示，本發(fā)明提供一種粘晶方法，其步驟包含有:
[0083]S1:至少一控溫模塊31將一基板加熱至第一預(yù)定溫度，該第一預(yù)定溫度為一焊料熔點(diǎn)溫度，舉例而言，該焊料熔點(diǎn)溫度為85至200°C的任一溫度，但不限制，承上的圖1與圖3，加熱管312加熱附加電路板318，位于附加電路板318的基板亦同被加熱，直至溫度傳感器314感測控溫模塊31已達(dá)一預(yù)定溫度，一具有預(yù)定溫度的恒溫液導(dǎo)入恒溫板317內(nèi)部，其使控溫模塊31維持于恒溫狀態(tài)，即維持于預(yù)定溫度的狀態(tài)，若溫度傳感器314感測控溫模塊31低于預(yù)定溫度，則加熱管312再度加熱附加電路板318，直至恢復(fù)至預(yù)定溫度。
[0084]S2:第一視覺|旲塊410定位一位于晶圓盤載臺(tái)200的晶圓，晶圓具有多個(gè)晶粒，該晶粒具有一基礎(chǔ)溫度，基礎(chǔ)溫度為一室溫，基礎(chǔ)溫度小于上述的預(yù)定溫度。[0085]S3:承上的圖2與圖1，晶粒供應(yīng)單元2依據(jù)第一視覺模塊410所拍攝的影像，旋轉(zhuǎn)模塊201能夠選擇性將晶圓盤載臺(tái)200轉(zhuǎn)動(dòng)一角度，或者第一軸向移動(dòng)單元202能夠選擇性將晶圓盤載臺(tái)200沿著第一軸向移動(dòng)一距離，或者第二軸向移動(dòng)單元203能夠選擇性將晶圓盤載臺(tái)200沿著第二軸向移動(dòng)一距離。
[0086]請(qǐng)配合參考圖5所示，固晶單元4通過固晶單元Y軸向移動(dòng)模塊40、取放固晶模塊Z軸向?qū)ξ荒K42與取放固晶模塊X軸向移動(dòng)43，以使取放固晶模塊41移動(dòng)至欲被吸取的晶粒的上方，晶粒頂出I吳塊21則將欲被吸取的晶粒頂出，以使各晶粒吸嘴414得以依序吸取晶粒。
[0087]S4:如圖6與圖1所示，待取放固晶模塊41已吸取有晶粒后，取放固晶模塊41則朝向基板加熱及冷卻單元3方向移動(dòng)，即取放固晶模塊41先朝向Z軸向移動(dòng)，即向上移動(dòng)一距離，再朝向Y軸向移動(dòng)，即朝向基板加熱及冷卻單元3方向移動(dòng)，當(dāng)取放固晶模塊41通過第二視覺模塊5的上方時(shí)，由下往上拍攝影像的第二視覺模塊5拍攝位于各晶粒吸嘴414的晶粒的影像，若晶粒的位置有所偏移，角度對(duì)位模塊415將晶粒吸嘴414轉(zhuǎn)動(dòng)一角度，以調(diào)整晶粒的位置；簡而言之，角度對(duì)位模塊415以第二視覺模塊5所攝取的影像，以補(bǔ)償晶粒的位置。
[0088]S5:取放固晶模塊41持續(xù)移動(dòng)至已被加熱至預(yù)定溫度的基板的上方，第一視覺模塊410拍攝基板的影像，以補(bǔ)正晶粒位置與基板位置。
[0089]S6:如圖7所不，當(dāng)取放固晶|旲塊41抵達(dá)基板上方時(shí)，取放固晶|旲塊41再次沿著Z軸向移動(dòng)，即下降一距離，取放固晶模塊41則提供一下壓推力，以將晶粒固晶于基板。
[0090]S7:如圖3所示，控溫模塊31對(duì)基板進(jìn)行冷卻，冷卻液導(dǎo)入附加電路板318內(nèi)部，進(jìn)而冷卻基板，另一控溫模塊31則加熱另一需要固晶的基板。
[0091]S8:請(qǐng)?jiān)倥浜蠀⒖紙D6所示，Y軸向移動(dòng)模塊30將具有已完成固晶的基板的控溫模塊31移動(dòng)至一上下料位置，Y軸向移動(dòng)模塊30將另一具有該加熱的基板的控溫模塊31移動(dòng)至上述的固晶的位置，而且重復(fù)上述的步驟。
[0092]綜合上述，本發(fā)明提供一加熱基板，以使基板具有一預(yù)定溫度，在將具有一基礎(chǔ)溫度的晶粒固晶于基板，再通過視覺模塊，第一視覺模塊與第二視覺模塊，依序?qū)⒍鄠€(gè)晶粒固晶于基板，故本發(fā)明是整合晶粒取放與粘晶制作過程，并能縮短制作時(shí)間，以及簡化繁復(fù)生產(chǎn)流程。
[0093]本發(fā)明僅需將晶粒從晶圓盤取出直接固晶于基板上；另一方面，本發(fā)明有多組晶粒取放固晶機(jī)構(gòu)，可一次從晶圓盤取出多顆晶粒，縮短取放時(shí)間；最后，本發(fā)明擁有雙固晶平臺(tái)，在其中一平臺(tái)進(jìn)行固晶制作時(shí)，另一平臺(tái)可進(jìn)行冷卻與上下料基板，可有效降低制程時(shí)間。
[0094]以上所述的具體實(shí)施例，對(duì)本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和有益效果進(jìn)行了進(jìn)一步詳細(xì)說明，所應(yīng)理解的是，以上所述僅為本發(fā)明的具體實(shí)施例而已，并不用于限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所做的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種粘晶方法，其特征在于，其步驟包含有: 將一基板加熱至一預(yù)定溫度； 吸取至少一晶粒； 將該至少一晶粒固晶于該基板； 冷卻已固晶的基板；以及 將該已固晶的基板移至一上下料位置，加熱另一基板至該預(yù)定溫度，并重復(fù)上述的步驟。
2.如權(quán)利要求1所述的粘晶方法，其中該預(yù)定溫度為85至200°C。
3.如權(quán)利要求1所述的粘晶方法，其中該基板被一基板加熱及冷卻單元加熱至該預(yù)定溫度，并且該基板被該基板加熱及冷卻單元所冷卻。
4.如權(quán)利要求1所述的粘晶方法，其中該至少一晶粒由一晶粒供應(yīng)單元所提供。
5.如權(quán)利要求4所述的粘晶方法，其中該晶粒供應(yīng)單元可供一具有多個(gè)晶粒的晶圓設(shè)置，該晶粒供應(yīng)單元能夠選擇性將該晶圓轉(zhuǎn)動(dòng)一角度，該晶粒供應(yīng)單元能選擇性將該晶圓沿著一 X軸向或一 Y軸向移 動(dòng)一距離。
6.如權(quán)利要求1所述的粘晶方法，其中該至少一晶粒的吸取與固晶由一固晶單元所執(zhí)行。
7.如權(quán)利要求1所述的粘晶方法，其特征在于，其進(jìn)一步具有一第一視覺模塊拍攝該至少一晶粒的影像，以供吸取該至少一晶粒。
8.如權(quán)利要求7所述的粘晶方法，其中該第一視覺模塊拍攝該基板的影像，以補(bǔ)正該至少一晶粒的位置與該基板的位置。
9.如權(quán)利要求1所述的粘晶方法，其特征在于，其進(jìn)一步具有一第二視覺模塊由下往上拍攝該至少一晶粒的影像，以調(diào)整該至少一晶粒的位置。
10.一種粘晶裝置，其特征在于，其包含有: 一基臺(tái)； 一晶粒供應(yīng)單元，其設(shè)于該基臺(tái)的一端； 一基板加熱及冷卻單元，其設(shè)于該基臺(tái)的另一端；以及 一固晶單元，其設(shè)于該基臺(tái)的頂端，并且能夠于該晶粒供應(yīng)單元與該基板加熱及冷卻單元之間移動(dòng)。
11.如權(quán)利要求10所述的粘晶裝置，其中該基板加熱及冷卻單元具有至少一控溫模塊與至少一 Y軸向移動(dòng)模塊，該控溫模塊設(shè)于該Y軸向移動(dòng)模塊。
12.如權(quán)利要求11所述的粘晶裝置，其中該控溫模塊具有一附加電路板、一恒溫板與一溫度傳感器，該附加電路板具有至少一冷卻液流入管、至少一冷卻液流出管、至少一加熱管，該溫度傳感器設(shè)于該附加電路板與該恒溫板之間，該恒溫板具有至少一恒溫液入管與一;〖亙溫液出管。
13.如權(quán)利要求12所述的粘晶裝置，其中該控溫模塊進(jìn)一步具有至少一支撐座，該至少一支撐座設(shè)于該附加電路板與該恒溫板之間，該附加電路板的底部進(jìn)一步具有一隔熱板。
14.如權(quán)利要求10所述的粘晶裝置，其中該固晶單元具有一固晶單元Y軸向移動(dòng)模塊、一取放固晶模塊、一取放固晶模塊Z軸向?qū)ξ荒K與一取放固晶模塊X軸向移動(dòng)模塊，該固晶單元Y軸向移動(dòng)模塊設(shè)于該基臺(tái)的兩側(cè)，該取放固晶模塊Z軸向?qū)ξ荒K耦接該取放固晶模塊，該取放固晶模塊X軸向移動(dòng)模塊耦接該取放固晶模塊與該固晶單元Y軸向移動(dòng)模塊。
15.如權(quán)利要求14所述的粘晶裝置，其中該取放固晶模塊具有多個(gè)晶粒吸嘴、多個(gè)角度對(duì)位模塊、多個(gè)真空吸放轉(zhuǎn)接器與多個(gè)可調(diào)整加壓模塊，各晶粒吸嘴耦接各角度對(duì)位模塊，各真空吸放轉(zhuǎn)接器耦接各晶粒吸嘴，各可調(diào)整加壓模塊耦接各真空吸放轉(zhuǎn)接器。
16.如權(quán)利要求10所述的粘晶裝置，其特征在于，其進(jìn)一步具有一第一視覺模塊設(shè)于該取放固晶模塊。
17.如權(quán)利要求10所述的粘晶裝置，其特征在于，其進(jìn)一步具有一第二視覺模塊，其設(shè)于該基臺(tái)的頂端，并且位于該晶粒供應(yīng)單元與該基板加熱及冷卻單元之間。
18.如權(quán)利要求10所述的粘晶裝置，其中該晶粒供應(yīng)單元具有一晶圓工作臺(tái)與一晶粒頂出模塊，該晶粒頂出模塊設(shè)于該晶圓工作臺(tái)的底端。
19.如權(quán)利要求18所述的粘晶裝置，其中該晶圓工作臺(tái)具有一晶圓盤載臺(tái)、一旋轉(zhuǎn)模塊、一工作臺(tái)X軸向移動(dòng)單元與一 工作臺(tái)Y軸向移動(dòng)單元，該晶圓盤載臺(tái)設(shè)于該旋轉(zhuǎn)模塊的頂端，該工作臺(tái)X軸向移動(dòng)單元與該工作臺(tái)Y軸向移動(dòng)單元設(shè)于該晶圓盤載臺(tái)的底端。
【文檔編號(hào)】H01L21/50GK103730377SQ201210443956
【公開日】2014年4月16日 申請(qǐng)日期:2012年11月8日 優(yōu)先權(quán)日:2012年10月12日
【發(fā)明者】呂文镕, 吳文獻(xiàn), 蘇濬賢 申請(qǐng)人:財(cái)團(tuán)法人工業(yè)技術(shù)研究院