專利名稱：一種晶體硅太陽能電池減反射膜的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種太陽能電池的減反射膜結(jié)構(gòu)，尤其是疊層減反射膜結(jié)構(gòu)，具體是一種晶體硅太陽能電池減反射膜。
背景技術(shù)：
太陽能電池是把太陽能轉(zhuǎn)化成電能的裝置，太陽能電池片的轉(zhuǎn)換效率一般定義為電池片的輸出功率與入射到電池片表面的太陽光總功率之比。太陽光照射到電池片表面是會發(fā)生反射和折射，為提高電池片的轉(zhuǎn)換效率，則要盡量減少反射損失。減反射膜的制作直接影響著太陽能電池對入射光的反射率，對太陽能電池效率的提高起著非常重要的作用。
目前在晶體硅太陽能電池的大規(guī)模生產(chǎn)中主要使用PEV⑶方法鍍單層或雙層氮化硅膜、二氧化硅膜、二氧化鈦膜或者其中兩種膜的組合來降低太陽能電池表面的反射損失，增加太陽能電池的鈍化效果，從而提高晶體硅太陽能電池的光電轉(zhuǎn)換效率。但現(xiàn)有的單層或雙層膜，雖然已經(jīng)能夠起到較好的鈍化和減反射效果，但其反射率依然很高，單層膜的反射率在6. 5%-7%，雙層膜的反射率在5. 8%-6. 1%，仍然存在較多的反射損失，晶體硅太陽能電池的光電轉(zhuǎn)換效率依然很低。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于針對現(xiàn)有技術(shù)中存在的上述問題，通過一種降低電池表面對光的反射，提高太陽能電池的光電轉(zhuǎn)換效率的晶體硅太陽能電池四層減反射膜。本發(fā)明的目的可以通過以下技術(shù)方案實現(xiàn)
一種晶體硅太陽能電池減反射膜，其特征在于包括在硅片表面依次沉積氮氧化硅膜層、二氧化鈦膜層、氮化硅膜層和二氧化硅膜層。所述的氮氧化硅膜層的厚度為5-12nm，折射率為2. 16-2. 35。所述的氮氧化硅膜層的厚度為8nm。所述的二氧化鈦膜層的厚度為15-20nm，折射率為1. 96-2. 08。所述的二氧化鈦膜層的厚度為18nm。所述的氮化硅膜層的厚度為25-35nm，折射率為1. 78-1. 92nm。所述的氮化硅膜層的厚度為30nm。所述的二氧化硅膜層的厚度為40-50nm，折射率為1. 44-1. 55。所述的二氧化硅膜層的厚度為45nm。所述四個膜層的折射率從氮氧化硅膜層到二氧化硅膜層依次減小，所述四個膜層的厚度從氮氧化硅膜層到二氧化硅膜層依次增大。本發(fā)明的有益效果本發(fā)明提供的減反射膜，包括依次沉積在硅片上的氮氧化硅膜層、二氧化鈦膜層、氮化硅膜層和二氧化硅膜層，其中二氧化鈦膜層對電池片生產(chǎn)過程中的大多數(shù)化學(xué)物質(zhì)都有很好的化學(xué)穩(wěn)定性，其折射率高和吸收率低，氮化硅膜層對硅片具有良好的鈍化效果，二氧化硅膜層具有高損傷閾值和優(yōu)良的光學(xué)性能，氮氧化硅具有氮化硅和氧化硅的優(yōu)良特性，因此，能夠很好地提高光學(xué)轉(zhuǎn)換效率。


圖1為本發(fā)明結(jié)構(gòu)示意圖。圖中1、硅片，2、氮氧化硅膜層，3、二氧化鈦膜層，4、氮化硅膜層，5、二氧化硅膜層。
具體實施例方式下面結(jié)合附圖和具體實施例對本發(fā)明作進一步描述。
·
如圖1所示。一種晶體硅太陽能電池減反射膜，在太陽能電池硅片I表面依次沉積氮氧化硅膜層2、二氧化鈦膜層3、氮化硅膜層4和二氧化硅膜層5。本發(fā)明使用的氮氧化硅膜層2的厚度為8nm，折射率為2. 16 ;二氧化鈦膜層3的厚度為18nm，折射率為2. 02 ;氮化硅膜層4的厚度為30nm，折射率為1. 85 ;二氧化硅膜層5的厚度為45nm，折射率為1. 48。
權(quán)利要求
1.一種晶體硅太陽能電池減反射膜，其特征在于包括在硅片表面依次沉積氮氧化硅膜層、二氧化鈦膜層、氮化硅膜層和二氧化硅膜層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶體硅太陽能電池減反射膜，其特征在于所述的氮氧化硅膜層的厚度為5-12nm，折射率為2. 16-2. 35。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的晶體硅太陽能電池減反射膜，其特征在于所述的氮氧化硅膜層的厚度為8nm。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶體硅太陽能電池減反射膜，其特征在于所述的二氧化鈦膜層的厚度為15-20nm，折射率為1. 96-2. 08。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的晶體硅太陽能電池減反射膜，其特征在于所述的二氧化鈦膜層的厚度為18nm。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶體硅太陽能電池減反射膜，其特征在于所述的氮化硅膜層的厚度為25-35nm，折射率為1. 78-1. 92nm。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的晶體硅太陽能電池減反射膜，其特征在于所述的氮化硅膜層的厚度為30nm。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶體硅太陽能電池減反射膜，其特征在于所述的二氧化硅膜層的厚度為40-50nm，折射率為1. 44-1. 55。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶體硅太陽能電池減反射膜，其特征在于所述的二氧化硅膜層的厚度為45nm。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶體硅太陽能電池減反射膜，其特征在于所述四個膜層的折射率從氮氧化硅膜層到二氧化硅膜層依次減小，所述四個膜層的厚度從氮氧化硅膜層到二氧化硅膜層依次增大。
全文摘要
本發(fā)明公開一種晶體硅太陽能電池減反射膜，其特征在于包括在硅片表面依次沉積氮氧化硅膜層、二氧化鈦膜層、氮化硅膜層和二氧化硅膜層。四個膜層的折射率從氮氧化硅膜層到二氧化硅膜層依次減小，所述四個膜層的厚度從氮氧化硅膜層到二氧化硅膜層依次增大。其中二氧化鈦膜層對電池片生產(chǎn)過程中的大多數(shù)化學(xué)物質(zhì)都有很好的化學(xué)穩(wěn)定性，其折射率高和吸收率低，氮化硅膜層對硅片具有良好的鈍化效果，二氧化硅膜層具有高損傷閾值和優(yōu)良的光學(xué)性能，氮氧化硅具有氮化硅和氧化硅的優(yōu)良特性，因此，本發(fā)明的減反射膜能夠很好地提高光學(xué)轉(zhuǎn)換效率。
文檔編號H01L31/0216GK103000705SQ20121040169
公開日2013年3月27日 申請日期2012年10月22日 優(yōu)先權(quán)日2012年10月22日
發(fā)明者張晨, 張森林 申請人:江蘇晨電太陽能光電科技有限公司