專利名稱：芯片模塊和用于制造芯片模塊的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種芯片模塊和一種用于制造芯片模塊的方法。
背景技術(shù)：
在芯片模塊中，半導(dǎo)體芯片被布置于載體上并且半導(dǎo)體芯片的接觸元件能夠被布置在其兩個(gè)主表面上。半導(dǎo)體芯片的接觸元件必須被與該模塊的外部電接觸區(qū)域連接從而該模塊能夠被布置于電子板諸如例如印刷電路板(PCB)上。


附圖被包括用于提供對(duì)實(shí)施例的進(jìn)ー步的理解并且結(jié)合在本說明書中且構(gòu)成它的ー個(gè)部分。附圖示意實(shí)施例并且與說明書一起用于解釋實(shí)施例的原理。將易于理解其它實(shí)施例和實(shí)施例的很多預(yù)期優(yōu)點(diǎn)，因?yàn)橥ㄟ^參考以下詳細(xì)說明，它們變得更好理解。附圖的元件不必相對(duì)于彼此按比例。類似的引用數(shù)字標(biāo)注相應(yīng)的類似的部分。圖1示出根據(jù)ー個(gè)實(shí)施例的芯片模塊的概略截面?zhèn)纫晥D表示；
圖2示出根據(jù)ー個(gè)實(shí)施例的芯片模塊的概略截面?zhèn)纫晥D表示；
圖3示出根據(jù)ー個(gè)實(shí)施例的芯片模塊的概略截面?zhèn)纫晥D表示；
圖4a_4c不出根據(jù)ー個(gè)實(shí)施例的半導(dǎo)體芯片的概略頂視圖表不(圖4a)、根據(jù)ー個(gè)實(shí)施 例的芯片模塊的概略截面?zhèn)纫晥D表示(圖4b)和芯片模塊的透視圖(圖4c)；
圖5示出用于示意根據(jù)ー個(gè)實(shí)施例的用于制造芯片模塊的方法的流程 圖6示出用于示意根據(jù)ー個(gè)實(shí)施例的用于制造芯片模塊的方法的流程圖；并且圖7a和7b示出用于示意根據(jù)ー個(gè)實(shí)施例的用于制造芯片模塊的方法的中間產(chǎn)物的透視圖。
具體實(shí)施例方式現(xiàn)在參考附圖描述方面和實(shí)施例，其中貫穿始終一般地利用類似的引用數(shù)字來指代類似的元件。在以下說明中，為了解釋的意圖，闡述了多個(gè)具體細(xì)節(jié)以便提供對(duì)實(shí)施例的ー個(gè)或者多個(gè)方面的徹底理解。然而，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以清楚，可以利用較少程度的具體細(xì)節(jié)實(shí)踐實(shí)施例的ー個(gè)或者多個(gè)方面。在其它情形中，已知的結(jié)構(gòu)和元件被以概略的形式示出以便促進(jìn)描述實(shí)施例的ー個(gè)或者多個(gè)方面。要理解，在不偏離本發(fā)明的范圍的情況下可以利用其它的實(shí)施例并且可以作出結(jié)構(gòu)或者邏輯變化。應(yīng)該進(jìn)一歩指出，附圖未按比例或者不必按比例。另外，雖然可能關(guān)于幾種實(shí)現(xiàn)中的僅僅ー種公開了實(shí)施例的具體特征或者方面，但是這種特征或者方面可以如可能對(duì)于任何給定的或者具體的應(yīng)用所期望的并且有利的那樣被與其它實(shí)現(xiàn)的一個(gè)或者多個(gè)其它特征或者方面組合。此外，在詳細(xì)說明或者權(quán)利要求中使用術(shù)語“包括”、“具有”、“帶有”或者其其它變型的程度上，這種術(shù)語g在以類似于術(shù)語“包含”的方式是包括性的?？梢允褂眯g(shù)語“耦合”和“連接”以及派生詞。應(yīng)該理解這些術(shù)語可以被用于指示兩個(gè)元件彼此配合或者交互，而不管它們是直接物理接觸或者電接觸還是它們并非彼此直接接觸。而且，術(shù)語“示例性”僅僅意味著作為ー個(gè)實(shí)例而非最好或者最佳。因此，不要在限制性的意義上考慮以下詳細(xì)說明，并且本發(fā)明的范圍由所附權(quán)利要求限定。芯片模塊和用于制造芯片模塊的方法的實(shí)施例可以使用各種類型的半導(dǎo)體芯片或者在半導(dǎo)體芯片中結(jié)合的電路，在它們之中有邏輯集成電路、模擬集成電路、混合信號(hào)集成電路、傳感器電路、MEMS(微機(jī)電系統(tǒng))、功率集成電路、帶有集成無源器件的芯片等。實(shí)施例還可以使用包括MOS晶體管結(jié)構(gòu)或者垂直晶體管結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體芯片，諸如例如IGBT (絕緣柵雙極晶體管)結(jié)構(gòu)或者通常是其中至少ー個(gè)電接觸墊被布置在半導(dǎo)體芯片的第一主面上并且至少ー個(gè)另外的電接觸墊被布置在與半導(dǎo)體芯片的第一主面相對(duì)的該半導(dǎo)體芯片的第二主面上的晶體管結(jié)構(gòu)。在幾個(gè)實(shí)施例中，層或者疊層被施加到彼此或者材料被施加或者沉積到層上。應(yīng)該理解，任何這樣的術(shù)語如“施加”或者“沉積”意味著照字面地覆蓋把層施加到彼此上的 所有種類和技木。特別地，它們意味著覆蓋其中層整體上被同時(shí)施加的技術(shù)諸如例如層疊技術(shù)以及其中層被以順序方式沉積的技術(shù)諸如例如濺射、電鍍、模制、CVD等。半導(dǎo)體芯片可以在它們的外表面中的一個(gè)或者多個(gè)上包括接觸元件或者接觸墊，其中接觸元件用于電接觸半導(dǎo)體芯片。接觸元件可以具有任何所期形式或者形狀。它們能夠例如具有平臺(tái)(land)的形式，即在半導(dǎo)體封裝的外表面上的平坦接觸層。接觸元件或者接觸墊可以由任何導(dǎo)電材料制成，例如由金屬如鋁、金或者銅，例如或者金屬合金，或者導(dǎo)電有機(jī)材料，或者導(dǎo)電半導(dǎo)體材料制成。在權(quán)利要求中和在以下說明中，特別地在流程圖中作為具體順序的過程或者措施描述了用于制造半導(dǎo)體芯片或者電子器件的方法的不同實(shí)施例。要指出，實(shí)施例不應(yīng)該限于所描述的具體順序。還能夠同時(shí)地或者按照任何其它有用的和適當(dāng)?shù)捻樞驁?zhí)行具體某些或者所有的不同過程或者措施。如在該申請(qǐng)中描述的芯片模塊包括載體。載體可以包括或者由任何種類的導(dǎo)電材料如例如銅或者銅合金或者鐵/鎳合金組成。載體能夠被與半導(dǎo)體芯片的ー個(gè)接觸元件機(jī)械和電連接。能夠通過回流焊接、真空焊接、擴(kuò)散焊接或者利用傳導(dǎo)粘結(jié)劑的附著中的ー種或者多種而將半導(dǎo)體芯片連接到載體。如果作為在半導(dǎo)體芯片和載體之間的連接技術(shù)使用擴(kuò)散焊接，則能夠使用由于在焊接過程之后的界面擴(kuò)散過程而在半導(dǎo)體和載體之間的界面處產(chǎn)生金屬間相的焊接材料。在銅或者鐵/鎳載體的情形中，因此期望使用包括或者由AuSn、AgSn、CuSn、Agin、AuIn或者CuIn組成的焊接材料。可替代地，如果半導(dǎo)體芯片將被附著到載體，則能夠使用傳導(dǎo)粘結(jié)劑。粘結(jié)劑能夠例如是基于環(huán)氧樹脂，該環(huán)氧樹脂能夠富含金、銀、鎳或者銅的顆粒以增強(qiáng)它們的導(dǎo)電性。半導(dǎo)體芯片的接觸元件可以包括擴(kuò)散阻擋層。擴(kuò)散阻擋層在擴(kuò)散焊接的情形中防止焊接材料在半導(dǎo)體芯片中從載體擴(kuò)散。在接觸元件上的薄的鈦層可以例如影響這種擴(kuò)散阻擋層。參考圖1，示出根據(jù)ー個(gè)實(shí)施例的芯片模塊的概略截面?zhèn)纫晥D表示。根據(jù)圖1的芯片模塊10包括具有在第一主面IB上的第一接觸元件IA和在第二主面ID上的第二接觸元件IC的半導(dǎo)體芯片I，在其上以使得半導(dǎo)體芯片I的第一主面IB面對(duì)載體2的這種方式布置半導(dǎo)體芯片I的載體2，和被連接到載體2并且包括位于在半導(dǎo)體芯片I的第二主面ID的平面上方的平面中的端面的一個(gè)或者多個(gè)電連接器2A。根據(jù)圖1的芯片模塊10的一個(gè)實(shí)施例,該ー個(gè)或者多個(gè)電連接器2A與載體2鄰接。特別地，它們能夠通過向上彎曲載體2的對(duì)應(yīng)端部而得以形成。根據(jù)ー個(gè)實(shí)施例，該ー個(gè)或者多個(gè)電連接器2A能夠由與載體2相同的材料制成。根據(jù)圖1的芯片模塊10的一個(gè)實(shí)施例，該ー個(gè)或者多個(gè)電連接器2A每ー個(gè)均包括處于與半導(dǎo)體芯片I的第一和第二主面IB和ID平行的平面中的端面。將在以后闡述稍稍更加詳細(xì)的實(shí)施例。根據(jù)圖1的芯片模塊10的一個(gè)實(shí)施例，該模塊包括被以對(duì)稱的方式連接到載體2 的兩個(gè)相對(duì)側(cè)面的偶數(shù)個(gè)電導(dǎo)體。特別地，模塊10可以在載體2的對(duì)應(yīng)兩個(gè)相對(duì)側(cè)面上包括兩個(gè)電連接器。根據(jù)圖1的芯片模塊10的一個(gè)實(shí)施例，該模塊進(jìn)ー步包括覆蓋半導(dǎo)體芯片I的第ニ主面ID的絕緣層(未示出)。根據(jù)其ー個(gè)實(shí)施例，在絕緣層中形成通過絕緣層延伸并且被機(jī)械和電連接到半導(dǎo)體芯片I的第二接觸元件IC的直通電連接器。直通電連接器可以被以這樣的方式形成，使得它包括在絕緣層的上表面上方或者與之共面的暴露的上表面，其中該暴露的上表面能夠與載體2的該ー個(gè)或者多個(gè)電連接器2A的上端面共面。根據(jù)芯片模塊10的一個(gè)實(shí)施例，該絕緣層還覆蓋載體2。特別地，該絕緣層覆蓋半導(dǎo)體芯片I的第二主面1D、半導(dǎo)體芯片I的至少兩個(gè)相對(duì)側(cè)面和載體2的鄰近于半導(dǎo)體芯片I的相對(duì)側(cè)面的部分。參考圖2，示出根據(jù)ー個(gè)實(shí)施例的芯片模塊的概略截面?zhèn)纫晥D表示。圖2的芯片模塊20包括具有在第一主面21B上的第一接觸元件21A和在第二主面21D上的第二接觸元件21C的半導(dǎo)體芯片21，在其上以使得半導(dǎo)體芯片21的第一主面21B面對(duì)載體22的這種方式布置半導(dǎo)體芯片21的載體22，以及覆蓋半導(dǎo)體芯片21的第二主面21D和載體22的絕緣層23。根據(jù)圖2的芯片模塊20的一個(gè)實(shí)施例，絕緣層23覆蓋載體22的、鄰近于半導(dǎo)體芯片21的兩個(gè)相對(duì)側(cè)面的部分。更加具體地，絕緣層23覆蓋半導(dǎo)體芯片21的第二主面21D、半導(dǎo)體芯片21的兩個(gè)相對(duì)側(cè)面和載體22的上表面的鄰近于半導(dǎo)體芯片21的兩個(gè)相對(duì)側(cè)面的部分。根據(jù)圖2的芯片模塊20的一個(gè)實(shí)施例，絕緣層23覆蓋半導(dǎo)體芯片21的第二主面21D和所有四個(gè)側(cè)面以及載體的上表面的鄰近于半導(dǎo)體芯片21的所有四個(gè)側(cè)面的部分。根據(jù)圖2的芯片模塊20的一個(gè)實(shí)施例，該模塊進(jìn)ー步包括直通電連接器(未示出)，該直通電連接器被以這樣的方式在絕緣層23中形成，使得它被機(jī)械和電連接到半導(dǎo)體芯片21的第二接觸元件21C并且通過絕緣層23延伸到絕緣層23的上表面。特別地，該直通電連接器包括處于在絕緣層的上表面上方或者與之共面的水平平面中并且平行于半導(dǎo)體芯片21的主面的暴露上表面。根據(jù)圖2的芯片模塊20的一個(gè)實(shí)施例，該模塊進(jìn)ー步包括被連接到載體22并且包括位于在半導(dǎo)體芯片21的第二主面21D的平面上方的平面中的端面的一個(gè)或者多個(gè)電連接器(未示出)。根據(jù)其ー個(gè)實(shí)施例，該ー個(gè)或者多個(gè)電連接器每ー個(gè)均包括與在絕緣層中形成的直通電連接器的暴露上表面共面的水平上端面。
根據(jù)ー個(gè)實(shí)施例，該ー個(gè)或者多個(gè)電連接器被與載體鄰接地形成和/或由與載體相同的材料制成。特別地，能夠通過沿著朝向半導(dǎo)體芯片21的第二主面21D的方向向上彎曲載體的端部而形成該ー個(gè)或者多個(gè)電連接器。根據(jù)圖2的芯片模塊20的一個(gè)實(shí)施例，絕緣層23由焊接掩模層構(gòu)成，即由在與此有關(guān)的技術(shù)領(lǐng)域中通常被用作焊接掩模層的材料制成。絕緣層23能夠由可光結(jié)構(gòu)化材料如例如光刻膠制造。絕緣層23還能夠由任何種類的聚合物材料如聚酰亞胺材料制造。參考圖3，示出根據(jù)ー個(gè)實(shí)施例的芯片模塊的概略截面?zhèn)纫晥D表示。圖3的芯片模塊30包括具有在第一主面31B上的第一接觸元件31A和在第二主面31D上的第二接觸元 件31C的半導(dǎo)體芯片31。半導(dǎo)體芯片31被以這樣的方式布置于載體32上，使得半導(dǎo)體芯片31的第一主面31B面對(duì)載體32。載體32包括一個(gè)或者多個(gè)電連接器32A，該ー個(gè)或者多個(gè)電連接器被連接到載體32并且包括位于在半導(dǎo)體芯片31的第二主面31D的平面上方的平面中的端面。芯片模塊30進(jìn)ー步包括覆蓋半導(dǎo)體芯片31的第二主面31D并且還覆蓋載體32的絕緣層33。絕緣層33包括直通電連接器33A，每ー個(gè)直通電連接器均被機(jī)械和電連接到半導(dǎo)體芯片31的第二接觸元件31C之一。直通電連接器33A通過絕緣層33延伸并且包括處于與載體32的電連接器32A的上端面共面的平面中的暴露上表面。能夠根據(jù)如之前結(jié)合圖1和2所示實(shí)施例描述的特征和實(shí)施例形成圖3的芯片模塊30的進(jìn)ー步的實(shí)施例。參考圖4a_4c,不出根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的半導(dǎo)體芯片的概略頂視圖表不(圖4a)、根據(jù)ー個(gè)實(shí)施例的芯片模塊的概略截面?zhèn)纫晥D表示(圖4b)、和該芯片模塊的透視圖(圖4c)。圖4a的半導(dǎo)體芯片41在它的第二表面41D上的頂視圖中示出。半導(dǎo)體芯片41包括在第一主面(未示出)和第二主面41D這兩者上帯有接觸元件的垂直晶體管結(jié)構(gòu)。在第一主面上半導(dǎo)體芯片41包括漏極接觸元件(未示出)，而第二主面41D包括源極接觸元件41C.1、柵極接觸元件41C. 2和感測(cè)接觸元件41C. 3。除了柵極接觸元件41C. 2和感測(cè)接觸元件41C. 3位于其中的兩個(gè)區(qū)域，源極接觸元件41C.1幾乎覆蓋半導(dǎo)體芯片41的整個(gè)第二主面41D。柵極接觸元件41C. 2和感測(cè)接觸元件41C. 3被包圍柵極接觸元件41C. 2和感測(cè)接觸元件41C. 3中的每ー個(gè)的絕緣環(huán)狀區(qū)域從源極接觸元件41C.1電隔離。圖4b示出包括圖4a的半導(dǎo)體芯片41的芯片模塊40的概略截面?zhèn)纫晥D表示。圖4b的截面視圖在與柵極接觸元件41C. 2交叉的平面中示出半導(dǎo)體芯片41。芯片模塊40包括包含電連接器42A的載體42和覆蓋半導(dǎo)體芯片41的第二表面41D和載體42的上表面的鄰近于半導(dǎo)體芯片41的側(cè)面的部分的絕緣層43。絕緣層43包括直通電連接器43A，直通電連接器之一被連接到柵極接觸元件41C. 2并且直通電連接器之另ー個(gè)被連接到源極接觸元件41C.1。直通電連接器43A由任何種類的焊接材料構(gòu)成并且包括與載體42的電連接器42A的上端面共面的暴露的電學(xué)上表面。圖4c的透視表示示出了載體42包括四個(gè)電連接器42A，其中它們中的兩個(gè)被布置于引線框架的兩個(gè)相対的短側(cè)中的任ー個(gè)上。通過沿著朝向絕緣層的上表面的方向向上彎曲弓I線框架材料的短桿(smal I bar )制造電連接器42A，結(jié)果是電連接器42A的上端面被置放成與直通電連接器43A的上端面共面。結(jié)果，該芯片模塊能夠被容易地安裝在PCB板上，其中電連接器42A的端面和直通電連接器43A面向PCB板。參考圖5，示出根據(jù)ー個(gè)實(shí)施例的用于制造芯片模塊的方法的流程圖。方法500包括提供具有在第一主面上的第一接觸元件和在第二主面上的第二接觸元件的半導(dǎo)體芯片(501);提供包括一個(gè)或者多個(gè)端部的載體(502);以這樣的方式將半導(dǎo)體芯片施加到載體，使得半導(dǎo)體芯片的第一主面面對(duì)載體(503);和，彎曲載體的一個(gè)或者多個(gè)端部從而端部的端面變得位于在半導(dǎo)體芯片的平面上方的平面中(504)。根據(jù)圖5的方法的一個(gè)實(shí)施例，該方法進(jìn)ー步包括將絕緣層施加到半導(dǎo)體芯片的第二主面。根據(jù)其進(jìn)一步的實(shí)施例，該絕緣層還被施加到載體，特別地被施加到該載體的上表面的鄰近于半導(dǎo)體芯片的側(cè)面(特別地是半導(dǎo)體芯片的相對(duì)側(cè)面)的部分。根據(jù)進(jìn)ー步的實(shí)施例，該方法進(jìn)ー步包括在絕緣層中形成直通電連接器，該直通電連接器被連接到半導(dǎo)體芯片的第二接觸元件并且通過絕緣層延伸。根據(jù)其進(jìn)一步的實(shí)施例，絕緣層和直通電連接器被以這樣的方式形成，使得直通電連接器的暴露的上表面與載體的端部的上表面共面。根據(jù)進(jìn)ー步的實(shí)施例，通過印刷或者旋涂中的ー個(gè)或多個(gè)形成絕緣層。根據(jù)進(jìn)ー步的實(shí)施例，絕緣層的材料能夠是任何種類的聚合物材料，特別地是聚酰亞胺材料或者光 敏或者可光結(jié)構(gòu)化材料如能夠通過傳統(tǒng)的光刻結(jié)構(gòu)化的光刻膠材料。然而，值得指出的是，彎曲一個(gè)或者多個(gè)端部的步驟504不必必須在該方法結(jié)束時(shí)進(jìn)行。在將半導(dǎo)體芯片施加到載體或者施加絕緣層的步驟503之前執(zhí)行彎曲步驟504也是可能的。根據(jù)圖5的方法的一個(gè)實(shí)施例，以用于制造如上面結(jié)合圖1所描述的模塊并且特別地是根據(jù)結(jié)合圖1描述的ー個(gè)或者多個(gè)實(shí)施例的模塊的這種方式執(zhí)行該方法。參考圖6，示出根據(jù)ー個(gè)實(shí)施例的用于制造芯片模塊的方法的流程圖。圖6的方法600包括提供具有在第一主面上的第一接觸元件和在第二主面上的第二接觸元件的半導(dǎo)體芯片(601);提供載體(602);以這樣的方式將半導(dǎo)體芯片施加到載體，使得半導(dǎo)體芯片的第一主面面對(duì)載體(603);和，將絕緣層施加到半導(dǎo)體芯片的第二主面和載體(604)。根據(jù)圖6的方法的一個(gè)實(shí)施例，該方法進(jìn)ー步包括提供帶有ー個(gè)或者多個(gè)端部的載體，并且彎曲載體的該ー個(gè)或者多個(gè)端部從而端部的端面變得位于在半導(dǎo)體芯片的第ニ主面的平面上方的平面中。根據(jù)圖6的方法的一個(gè)實(shí)施例，該方法進(jìn)ー步包括在絕緣層中形成直通電連接器，該直通電連接器被連接到半導(dǎo)體芯片的第二接觸元件并且通過絕緣層延伸。特別地，直通電連接器可以被形成為使得它包括與載體的電連接器的端面共面的暴露上端面。根據(jù)圖6的方法的一個(gè)實(shí)施例，以用于制造如上面結(jié)合圖2所描述的模塊并且特別地是根據(jù)結(jié)合圖2描述的ー個(gè)或者多個(gè)實(shí)施例的模塊的這種方式執(zhí)行該方法。能夠根據(jù)如上面結(jié)合圖5所描述的特征和實(shí)施例形成圖6的方法的進(jìn)ー步的實(shí)施例。參考圖7a和7b，示出用于示意根據(jù)ー個(gè)實(shí)施例的用于制造芯片模塊的方法的中間產(chǎn)物的透視圖。該方法包括提供包含多個(gè)單ー引線框架72的基礎(chǔ)引線框架70，每ー個(gè)單ー引線框架對(duì)應(yīng)于圖4所示芯片模塊40的引線框架42。在圖7a中，示出了只是由于繪圖清楚的原因而包含僅僅四個(gè)單ー引線框架72的這個(gè)基礎(chǔ)引線框架70的片段。每ー個(gè)単一引線框架72均包含被連接到基礎(chǔ)引線框架70的相對(duì)長(zhǎng)桿的主體。該主體包括兩個(gè)相対的短側(cè)邊緣，每ー個(gè)短側(cè)邊緣均被兩個(gè)短桿連接到長(zhǎng)桿之一。這兩個(gè)短桿g在成為在圖4中以參考符號(hào)42A示出和標(biāo)注的電連接器。在圖7a中，在將半導(dǎo)體芯片71聯(lián)結(jié)到単一引線框架72的每ー個(gè)主體的上表面上之后的狀態(tài)中示出基礎(chǔ)引線框架70。根據(jù)圖7a和7b所示實(shí)施例，半導(dǎo)體芯片71具有諸如與圖4a所示相同的形式和結(jié)構(gòu)。在圖7b中，在每ー個(gè)半導(dǎo)體芯片71和對(duì)應(yīng)單一引線框架之上施加絕緣層73之后示出基礎(chǔ)引線框架70。能夠如上所述通過印刷或者旋涂來施加絕緣層73。特別地，在印刷的情形中，例如能夠利用印刷頭給付絕緣層73的材料并且橫向地移動(dòng)基礎(chǔ)引線框架70，從而在相繼的步驟中，具有被聯(lián)結(jié)于此的半導(dǎo)體芯片71的每ー個(gè)単一引線框架72被移動(dòng)到在印刷頭下面的位置從而絕緣層材料能夠被施加到半導(dǎo)體芯片71和単一引線框架72。然后，首先通過在絕緣層中形成通孔并且然后通過利 用導(dǎo)電材料如錫或者任何其它焊接材料填充通孔而在絕緣層中形成直通電連接器。在已經(jīng)處理了單一引線框架72之后，通過切割在它們之間的界面處的短桿和基礎(chǔ)引線框架70的長(zhǎng)桿，它們將被從基礎(chǔ)引線框架70分離。在最后的步驟中，每ー個(gè)単一引線框架72的短桿將被向上彎曲成諸如圖4所示的形式以成為電連接器42A。雖然已經(jīng)關(guān)于一種或者多種實(shí)現(xiàn)示意并且描述了本發(fā)明，但是在不偏離所附權(quán)利要求的精神和范圍的情況下可以對(duì)所示意的實(shí)例作出更改和/或修改。特別地關(guān)于由上述構(gòu)件或者結(jié)構(gòu)(組件、器件、電路、系統(tǒng)等)執(zhí)行的各種功能，用于描述這種構(gòu)件的術(shù)語(包括對(duì)“裝置”的引用)，除非另有指示，g在對(duì)應(yīng)于即使在結(jié)構(gòu)上并不等價(jià)于執(zhí)行在這里示意的本發(fā)明的示例性實(shí)現(xiàn)中的功能的所公開的結(jié)構(gòu)也執(zhí)行所描述的構(gòu)件的規(guī)定功能的任何構(gòu)件或者結(jié)構(gòu)(例如，在功能上等價(jià))。
權(quán)利要求
1.一種芯片模塊，包括 半導(dǎo)體芯片，所述半導(dǎo)體芯片具有在第一主面上的第一接觸元件和在第二主面上的第二接觸元件； 載體，其中所述半導(dǎo)體芯片被以這樣的方式布置于所述載體上，使得所述半導(dǎo)體芯片的所述第一主面面對(duì)所述載體；和 被連接到所述載體的一個(gè)或者多個(gè)電連接器，每一個(gè)電連接器包括位于在所述半導(dǎo)體芯片的所述第二主面的平面上方的平面中的端面。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片模塊，其中所述一個(gè)或者多個(gè)電連接器與所述載體鄰接。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片模塊，其中所述一個(gè)或者多個(gè)電連接器由與所述載體相同的材料制成。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片模塊，其中每一個(gè)電連接器的端面處于與所述半導(dǎo)體芯片的第一和第二主面平行的平面中。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片模塊，其中所述芯片模塊包括被以對(duì)稱的方式連接到所述載體的兩個(gè)相對(duì)側(cè)面的偶數(shù)個(gè)電連接器。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片模塊，進(jìn)一步包括覆蓋所述半導(dǎo)體芯片的所述第二主面的絕緣層。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的芯片模塊，進(jìn)一步包括被連接到所述半導(dǎo)體芯片的所述第二接觸元件并且通過所述絕緣層延伸的直通電連接器。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的芯片模塊，其中所述直通電連接器的表面與所述一個(gè)或者多個(gè)電連接器的表面共面。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的芯片模塊，其中所述絕緣層覆蓋所述載體。
10.一種芯片模塊，包括 半導(dǎo)體芯片，所述半導(dǎo)體芯片具有在第一主面上的第一接觸元件和在第二主面上的第二接觸元件； 載體，其中所述半導(dǎo)體被以這樣的方式布置于所述角部上，使得所述半導(dǎo)體芯片的所述第一主面面對(duì)所述載體；和 覆蓋所述半導(dǎo)體芯片的所述第二主面和所述載體的絕緣層。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的芯片模塊，其中所述絕緣層鄰近于所述半導(dǎo)體芯片的兩個(gè)相對(duì)側(cè)面地覆蓋所述載體。
12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的芯片模塊，其中所述絕緣層鄰近于所述半導(dǎo)體芯片的四個(gè)側(cè)面地覆蓋所述載體。
13.根據(jù)權(quán)利要求10所述的芯片模塊，進(jìn)一步包括被連接到所述半導(dǎo)體芯片的所述第二接觸元件并且通過所述絕緣層延伸的直通電連接器。
14.根據(jù)權(quán)利要求10所述的芯片模塊，進(jìn)一步包括被連接到所述載體的一個(gè)或者多個(gè)電連接器，每一個(gè)電連接器包括位于在所述半導(dǎo)體芯片的所述第二主面的平面上方的平面中的端面。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的芯片模塊，其中所述一個(gè)或者多個(gè)電連接器與所述載體鄰接。
16.根據(jù)權(quán)利要求14所述的芯片模塊，其中所述一個(gè)或者多個(gè)電連接器由與所述載體相同的材料制成。
17.根據(jù)權(quán)利要求14所述的芯片模塊，其中所述一個(gè)或者多個(gè)電連接器每一個(gè)均包括處于與所述半導(dǎo)體芯片的第一和第二主面平行的平面中的平端面。
18.一種用于制造芯片模塊的方法，所述方法包括 提供半導(dǎo)體芯片，所述半導(dǎo)體芯片具有在第一主面上的第一接觸元件和在第二主面上的第二接觸元件； 提供包括一個(gè)或者多個(gè)端部的載體； 以這樣的方式在所述載體定位所述半導(dǎo)體芯片，使得所述半導(dǎo)體芯片的所述第一主面面對(duì)所述載體；和 彎曲所述載體的所述一個(gè)或者多個(gè)端部從而所述端部的端面變得位于在所述半導(dǎo)體芯片的所述第二主面的平面上方的平面中。
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的方法，進(jìn)一步包括將絕緣層施加到所述半導(dǎo)體芯片的所述第二主面。
20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的方法，進(jìn)一步包括在所述絕緣層中形成直通電連接器，所述直通電連接器被電連接到所述半導(dǎo)體芯片的所述第二接觸元件并且通過所述絕緣層延伸。
21.根據(jù)權(quán)利要求20所述的方法，其中所述直通電連接器被形成為使得它包括與所述一個(gè)或者多個(gè)端部的端面共面的暴露的端面。
22.一種用于制造芯片模塊的方法，所述方法包括 提供半導(dǎo)體芯片，所述半導(dǎo)體芯片具有在第一主面上的第一接觸元件和在第二主面上的第二接觸元件； 提供載體； 以這樣的方式在所述載體上定位所述半導(dǎo)體芯片，使得所述半導(dǎo)體芯片的所述第一主面面對(duì)所述載體；和 在所述半導(dǎo)體芯片的所述第二主面之上并且在所述載體之上形成絕緣層。
23.根據(jù)權(quán)利要求22所述的方法，其中所述載體提供有一個(gè)或者多個(gè)端部，所述方法進(jìn)一步包括彎曲所述載體的一個(gè)或者多個(gè)端部從而所述端部的端面變得位于在所述半導(dǎo)體芯片的所述第二主面的平面上方的平面中。
24.根據(jù)權(quán)利要求22所述的方法，進(jìn)一步包括 在所述絕緣層中形成直通電連接器，所述直通電連接器被電連接到所述半導(dǎo)體芯片的所述第二接觸元件并且通過所述絕緣層延伸。
25.根據(jù)權(quán)利要求24所述的方法，其中形成所述直通電連接器包括 形成所述直通電連接器從而它包括與所述一個(gè)或者多個(gè)端部的端面共面的暴露的端面。
全文摘要
本發(fā)明涉及芯片模塊和用于制造芯片模塊的方法。一種芯片模塊包括具有在第一主面上的第一接觸元件和在第二主面上的第二接觸元件的半導(dǎo)體芯片。該半導(dǎo)體芯片被以這樣的方式布置于角部上，使得半導(dǎo)體芯片的第一主面面對(duì)載體。一個(gè)或者多個(gè)電連接器被連接到載體并且包括位于在半導(dǎo)體芯片的第二主面的平面上方的平面中的端面。
文檔編號(hào)H01L21/60GK103021980SQ20121035388
公開日2013年4月3日 申請(qǐng)日期2012年9月21日 優(yōu)先權(quán)日2011年9月21日
發(fā)明者J.赫格勞爾, R.奧特倫巴, M.施坦丁 申請(qǐng)人:英飛凌科技股份有限公司