專利名稱：半導(dǎo)體器件及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明的各個(gè)實(shí)施例總體而言涉及一種半導(dǎo)體器件及其制造方法，更具體而言涉及一種具有低電容電容器的半導(dǎo)體器件及其制造方法。
背景技術(shù)：
半導(dǎo)體器件包括用于儲(chǔ)存數(shù)據(jù)的單元區(qū)和用于傳送驅(qū)動(dòng)電壓的外圍電路區(qū)。在單元區(qū)和外圍電路區(qū)中設(shè)置有存儲(chǔ)器單元、開關(guān)晶體管和電容器。電容器用于累積電荷，并且在彼此串聯(lián)或并聯(lián)耦接的同時(shí)被分配給半導(dǎo)體器件的預(yù)定區(qū)域以實(shí)現(xiàn)所需的電容。由于不管器件的電容如何，現(xiàn)存的存儲(chǔ)器件都使用具有預(yù)定面積的電容器，因此使用了被配置用于高電容器件的電容器而不是被配置用于低電容器件的電容器。然而，由于被配置用于高電容器件的電容器占用大量的空間以保證高電容，因此這種電容器占用比所需更多的空間。結(jié)果，在需要高集成度的半導(dǎo)體器件中占用了不需要的空間，由此降低了面積效率。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的各個(gè)實(shí)施例涉及通過與單元區(qū)中的接觸插塞和金屬線同時(shí)地在外圍電路區(qū)中形成具有垂直結(jié)構(gòu)的電容器來減小電容器的面積。根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的半導(dǎo)體器件包括半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底中限定有單元區(qū)和外圍電路區(qū)；半導(dǎo)體存儲(chǔ)器元件，所述半導(dǎo)體存儲(chǔ)器元件被形成在所述單元區(qū)中的半導(dǎo)體襯底之上；層間絕緣層，所述層間絕緣層被形成在所述外圍電路區(qū)中的半導(dǎo)體襯底之上；第一導(dǎo)電層，所述第一導(dǎo)電層大體上垂直穿通所述層間絕緣層，并且被布置成矩陣；以及第二導(dǎo)電層，所述第二導(dǎo)電層將所述第一導(dǎo)電層成行或成列地耦接，每對第二導(dǎo)電層和分別與所述每對第二導(dǎo)電層耦接的第一導(dǎo)電層形成電容器的電極。根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的半導(dǎo)體器件包括半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底具有大體沿第一方向限定的單元區(qū)和外圍電路區(qū)；柵極線，所述柵極線被形成在所述單元區(qū)中的半導(dǎo)體襯底之上、大體上沿與所述第一方向大體垂直的第二方向彼此間隔開，并且包括漏極選擇晶體管、存儲(chǔ)器單元和源極選擇晶體管；層間絕緣層，所述層間絕緣層被形成在所述單元區(qū)和所述外圍電路區(qū)中的半導(dǎo)體襯底之上，以大體覆蓋所述柵極線的整體；漏極接觸插塞，所述漏極接觸插塞被設(shè)置在所述單元區(qū)中的層間絕緣層內(nèi)、具有與所述層間絕緣層大體相同的高度、大體垂直于所述半導(dǎo)體襯底而延伸、并且被布置成分別與所述漏極選擇晶體管相鄰；位線，所述位線大體沿所述第二方向在所述單元區(qū)中的層間絕緣層上彼此間隔開，并且分別與所述漏極選擇晶體管接觸；第一導(dǎo)電層，所述第一導(dǎo)電層大體具有柱體形狀，并且以矩陣形式布置在所述外圍電路區(qū)中的層間絕緣層之內(nèi)；以及第二導(dǎo)電層，所述第二導(dǎo)電層大體沿所述第二方向彼此間隔開，并且在所述外圍電路區(qū)中的層間絕緣層上與大體沿所述第一方向布置的第一導(dǎo)電層共同耦接，每對第二導(dǎo)電層和分別與所述每對第二導(dǎo)電層耦接的第一導(dǎo)電層形成電容器的電極。根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的制造半導(dǎo)體器件的方法，包括以下步驟提供半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底中限定有單元區(qū)和外圍電路區(qū)；在所述單元區(qū)中的半導(dǎo)體襯底之上形成彼此間隔開的柵極線；在所述半導(dǎo)體襯底之上形成層間絕緣層，以覆蓋所述柵極線的整體；通過刻蝕所述層間絕緣層的一部分而在所述單元區(qū)中形成彼此間隔開的第一接觸孔以及在所述外圍電路區(qū)中形成以矩陣形式布置的第二接觸孔；通過用導(dǎo)電材料填充所述第一接觸孔和所述第二接觸孔而在所述單元區(qū)中形成接觸插塞以及在所述外圍電路區(qū)中形成具有大體柱體形狀的第一導(dǎo)電層；以及形成具有分別與所述單元區(qū)中的接觸插塞接觸的金屬線的第二導(dǎo)電層并將所述第二導(dǎo)電層與所述外圍電路區(qū)中的第一導(dǎo)電層成行或成列地耦接，并且形成具有電極的電容器，所述電極具有每對第二導(dǎo)電層和分別與所述每對第二導(dǎo)電層耦接的第一導(dǎo)電層。


圖I至圖11是說明根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的制造半導(dǎo)體器件的方法的截面圖；圖12是根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的電容器的三維視圖；圖13是根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的電容器的平面圖；以及圖14是根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的電容器的平面圖。
具體實(shí)施例方式下文中將參照附圖詳細(xì)描述本發(fā)明的各個(gè)實(shí)施例。提供附圖是為了使本領(lǐng)域技術(shù)人員理解本發(fā)明實(shí)施例的范圍。此外，在說明書中，相同的附圖標(biāo)記或相同的參考符號可以表示相同的元件。圖I至圖11是說明根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的制造半導(dǎo)體器件的方法的截面圖。參見圖1，可以在半導(dǎo)體襯底100之上形成第一硬掩模102，所述半導(dǎo)體襯底100具有沿第一方向限定的單元區(qū)和外圍電路區(qū)，所述第一硬掩模102具有將要形成電容器的開口。具體地，可以在外圍電路區(qū)中的將要形成電容器的部分中形成第一硬掩模102的開Π 103。參見圖2，可以利用第一硬掩模102作為刻蝕掩模來執(zhí)行刻蝕工藝，以在外圍電路區(qū)中形成具有預(yù)定深度D的溝槽104。此外，溝槽104可以根據(jù)要形成的電容器的面積而具有預(yù)定的面積。優(yōu)選地，溝槽104可以具有使得填充溝槽104的絕緣材料能夠阻擋電流流經(jīng)半導(dǎo)體襯底100的大的厚度。參見圖3，可以用阻擋層106來填充溝槽104。阻擋層106可以由絕緣材料例如氧化物層形成?？梢岳酶鞣N方法用阻擋層106填充溝槽104。例如，當(dāng)在形成有溝槽104和第一硬掩模102的整個(gè)結(jié)構(gòu)之上形成用于阻擋層106的絕緣材料之后，可以執(zhí)行平坦化工藝直到暴露出半導(dǎo)體襯底100為止。替代地，在去除第一硬掩模102之后，可以在半導(dǎo)體襯底100的上方形成用于阻擋層106的絕緣材料，使得溝槽104可以被絕緣材料填充。隨后，可以執(zhí)行刻蝕工藝直到除了電容器區(qū)域之外的區(qū)域中的半導(dǎo)體襯底被暴露為止。此外，阻擋層106的高度可以根據(jù)電容而改變。而且，阻擋層106的高度可以與隨后要形成的下電極的高度成反比，而下電極的高度可以與電容成比例。即，阻擋層106的高度越高，則隨后要形成的下電極的高度就越高。下電極的高度越小，則電容越大。此外，可以在不將溝槽104形成在外圍電路區(qū)的半導(dǎo)體襯底中的情況下在外圍電路區(qū)的半導(dǎo)體襯底上形成用于阻擋層106的絕緣材料。參見圖4，可以在單元區(qū)中的半導(dǎo)體襯底100上形成沿第一方向彼此間隔開的柵圖案108。此外，柵圖案108可以包括源極選擇晶體管SST、存儲(chǔ)器單元MC和漏極選擇晶體管DST。源極選擇晶體管SST、存儲(chǔ)器單元MC和漏極選擇晶體管DST等可以總體被稱為半 導(dǎo)體存儲(chǔ)器元件。盡管圖4的截面圖中未示出，但柵圖案108形成沿大體垂直于第一方向的第二方向彼此分隔開的柵極線。參見圖5，可以在形成有柵圖案108和阻擋層106的整個(gè)結(jié)構(gòu)之上形成第一層間絕緣層110。優(yōu)選地，第一層間絕緣層Iio可以被形成為完全覆蓋柵圖案108，且可以由氧化物層形成。參見圖6，可以在第一層間絕緣層110之上形成在源極接觸孔CHs區(qū)域中具有開口的第二硬掩模112。例如，可以在與柵圖案108之中的源極選擇晶體管(圖4中的SST)相鄰的區(qū)域中形成第二硬掩模112的開口?？梢岳玫诙惭谀?12作為刻蝕掩模來執(zhí)行刻蝕工藝，以由此形成暴露單元區(qū)中的半導(dǎo)體襯底的一部分的源極接觸孔CHS。參見圖7，在去除第二硬掩模112之后，可以用導(dǎo)電材料114填充源極接觸孔CHs以由此形成源極接觸線PLS。導(dǎo)電材料114可以由鎢、硅化鎢、銅、或鋁等形成。參見圖8，可以在第一層間絕緣層110和源極接觸線PLs之上形成第二層間絕緣層116。優(yōu)選地，第二層間絕緣層116可以由氧化物層形成。參見圖9，可以在第二層間絕緣層116之上形成第三硬掩模118，以形成漏極接觸孔CHd和用于形成電容器的電極的接觸孔CHP。此外，第三硬掩模118在單元區(qū)中具有形成漏極接觸孔CHd的開口，在外圍電路區(qū)中具有形成用于下電極的接觸孔CHp的開口。漏極接觸孔CHd可以被形成為與單元區(qū)中的漏極選擇晶體管(圖4的DST)相鄰，而接觸孔CHp可以在外圍電路區(qū)中沿第一方向彼此間隔開。此外，盡管圖9的截面圖未示出，但接觸孔CHp可以沿與第一方向大體垂直的第二方向彼此間隔開。即，接觸孔CHp可以布置成矩陣。這將在下文結(jié)合圖12的三維視圖進(jìn)一步描述。接觸孔CHp可以被形成為暴露出形成在外圍電路區(qū)中的阻擋層106。參見圖10，分別用第一導(dǎo)電層120a和120b填充漏極接觸孔CHd和接觸孔CHP，使得可以在單元區(qū)中形成漏極接觸插塞PLd以及在外圍電路區(qū)中形成大體上具有柱體形狀的電極PLC。第一導(dǎo)電層120a和120b可以由鎢、硅化鎢、銅或鋁等形成。隨后，可以執(zhí)行平坦化工藝直到暴露出第二層間絕緣層116為止。參見圖11，可以在第二層間絕緣層116、漏極接觸插塞PLd和電極PLc之上形成用于金屬線的第二導(dǎo)電層122a和122b。優(yōu)選地，第二導(dǎo)電層122a和122b可以由低電阻金屬材料形成，例如，銅或鋁。形成在單元區(qū)中的第二導(dǎo)電層122a成為用于位線的金屬線，而形成在外圍電路區(qū)中的第二導(dǎo)電層122b成為電容器的電極。此外，在第二層間絕緣層116、漏極接觸插塞PLd和電極PLc之上形成用于金屬線的第二導(dǎo)電層122a和122b之后所執(zhí)行的圖案化工藝期間，盡管圖11的截面圖未示出，但是在電容器區(qū)域中形成了沿與第一方向大體垂直的第二方向彼此間隔開的多個(gè)電極PLC。這將參照以下三維視圖詳細(xì)描述。圖12是根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的電容器的三維視圖。參見圖12，電容器可以包括多個(gè)電極PL。，所述多個(gè)電極PL。分別形成在外圍電路區(qū)中的第一層間絕緣層110和第二層間絕緣層116內(nèi)，且以矩陣形式彼此間隔開；以及多個(gè)第二導(dǎo)電層122b，所述多個(gè)第二導(dǎo)電層122b被形成在外圍電路區(qū)中的第二層間絕緣層116之上、沿第二方向間隔開、且與沿第一方向間隔開的電極PL。接觸。為了利用電極PL。和第二導(dǎo)電層122b作為電容器，需要將彼此相鄰的一對第二導(dǎo)電層122b與不同的電極耦接。即，第一電極可以與偶數(shù)編號的第二導(dǎo)電層122b耦接，第二電極可以與奇數(shù)編號的第二導(dǎo)電層122b耦接，由此形成具有三維結(jié)構(gòu)的電容器，所述三維結(jié)構(gòu)由與第一電極耦接的偶數(shù)編號的第二導(dǎo)電層122b和與所述偶數(shù)編號的第二導(dǎo)電層122b耦接的電極PL。、以及與第二電極耦接的奇數(shù)編號的第二導(dǎo)電層122b和與所述奇數(shù)編號的第二導(dǎo)電層122b耦接的電極PLc形成，因此，電容器的電容可以由第二導(dǎo)電層122b的寬度W、間距S、長度I和高度h、以 及電極PL。的寬度W和深度t來確定。此外，電容可以根據(jù)電極PL。的位置而改變。下面將參照附圖描述根據(jù)電極PLc的位置而具有不同電容的電容器。圖13是根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的電容器的平面圖。參見圖12和圖13，在電容器具有沿第二方向排列且彼此間隔開的電極PLc的情況下，在沿第二方向排列且與不同電極耦接的相鄰電極PLc之間產(chǎn)生電容C。電容C根據(jù)如下的式I來計(jì)算。式I
^II , = f-
S參見式1，C為電容，ε為介電常數(shù)，A為表面積，s為電極之間的間距。在圖13所示的電容器中，A滿足(lXh) + (nXtXc)，其中，η為電極PLc的數(shù)目，c為單個(gè)電極PLdA面積。因此，圖13所示的電容器的電容C可以根據(jù)如下的式2來計(jì)算式2C=€{￡Xh^ + ifiXtX^
Q參見式2，電容C與(lXh) + (nXtXc)成比例。因此，即使在通過減小面積(LXh)而減小電容器的面積時(shí)，由下電極的高度和數(shù)目所確定的值(nXtXc)也會(huì)增大，以由此保證足夠大小的電容C。也就是，可以在保證足夠大小的電容的同時(shí)通過減小布置在半導(dǎo)體器件中的電容器的面積來減小半導(dǎo)體器件的總面積。圖14是根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的電容的平面圖。參見圖14和圖12，在電極PLe未沿第二方向排列地布置而是以大體鋸齒(zigzag)形式在第二導(dǎo)電層122b上間隔開的這樣的電容器的情況下,在稱接到第一電極的一個(gè)電極PLc與耦接到第二電極的兩個(gè)電極PLc之間產(chǎn)生電容C。由于電容器的電容滿足如上所述的式1，因此圖14所示的電容器的電容C可以根據(jù)以下的式3來計(jì)算。式3C=e X {(!Xh) + (22XnXtXc)}
參見式3，電容C與(LXh) + (22XnXtXc)成比例。因此，即使在通過減小面積(IXh)而減小電容器的面積時(shí)，由下電極的高度和數(shù)目所確定的值(22XnXtXc)也會(huì)增大，以由此保證足夠大小的電容C。S卩，可以在保證足夠大小的電容的同時(shí)通過減小布置在半導(dǎo)體器件中的電容器的面積來減小半導(dǎo)體器件的總面積。除了具有圖13和圖14所示的結(jié)構(gòu)的電容器之外，可以通過改變電極PLc和第二 導(dǎo)電層122b的位置來實(shí)現(xiàn)具有不同大小的電容C的電容器。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，可以與在單元區(qū)中形成接觸插塞和金屬線同時(shí)地在外圍電路區(qū)中形成電容器，由此在不執(zhí)行額外工藝的情況下形成具有小面積的電容器并且保證足夠大小的電容。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體器件,包括 半導(dǎo)體襯底，在所述半導(dǎo)體襯底中限定有單元區(qū)和外圍電路區(qū)； 半導(dǎo)體存儲(chǔ)器元件，所述半導(dǎo)體存儲(chǔ)器元件被形成在所述單元區(qū)中的半導(dǎo)體襯底之上； 層間絕緣層，所述層間絕緣層被形成在所述外圍電路區(qū)中的半導(dǎo)體襯底之上； 第一導(dǎo)電層，所述第一導(dǎo)電層大體上垂直穿通所述層間絕緣層，并且被布置成矩陣；以及 第二導(dǎo)電層，所述第二導(dǎo)電層將所述第一導(dǎo)電層成行或成列地耦接，每對第二導(dǎo)電層和分別與所述每對第二導(dǎo)電層耦接的第一導(dǎo)電層形成電容器的電極。
2.如權(quán)利要求I所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述第一導(dǎo)電層大體上具有柱體形狀。
3.如權(quán)利要求I所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述半導(dǎo)體存儲(chǔ)器元件包括源極選擇晶體管、存儲(chǔ)器單元和漏極選擇晶體管。
4.如權(quán)利要求I所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述第二導(dǎo)電層包括位線。
5.如權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述位線和所述第二導(dǎo)電層由銅或鋁形成。
6.如權(quán)利要求I所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述第一導(dǎo)電層由鎢、硅化鎢、銅或鋁形成。
7.—種半導(dǎo)體器件,包括 半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底具有大體沿第一方向限定的單元區(qū)和外圍電路區(qū)；柵極線，所述柵極線被形成在所述單元區(qū)中的半導(dǎo)體襯底之上、大體上沿與所述第一方向大體垂直的第二方向彼此間隔開、并且包括漏極選擇晶體管、存儲(chǔ)器單元和源極選擇晶體管； 層間絕緣層，所述層間絕緣層被形成在所述單元區(qū)和所述外圍電路區(qū)中的半導(dǎo)體襯底之上，以大體覆蓋所述柵極線的整體； 漏極接觸插塞，所述漏極接觸插塞被設(shè)置在所述單元區(qū)中的層間絕緣層內(nèi)、具有與所述層間絕緣層大體相同的高度、大體垂直于所述半導(dǎo)體襯底而延伸、并且被布置成分別與所述漏極選擇晶體管相鄰； 位線，所述位線大體沿所述第二方向在所述單元區(qū)中的層間絕緣層上彼此間隔開，并且分別與所述漏極選擇晶體管接觸； 第一導(dǎo)電層，所述第一導(dǎo)電層大體具有柱體形狀，并且以矩陣形式布置在所述外圍電路區(qū)中的層間絕緣層之內(nèi)；以及 第二導(dǎo)電層，所述第二導(dǎo)電層大體沿所述第二方向彼此間隔開，并且在所述外圍電路區(qū)中的層間絕緣層上與大體沿所述第一方向布置的第一導(dǎo)電層共同耦接，每對第二導(dǎo)電層和分別與所述每對第二導(dǎo)電層耦接的第一導(dǎo)電層形成電容器的電極。
8.如權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述第一導(dǎo)電層由與所述漏極接觸插塞大體相同的材料形成。
9.如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述第一導(dǎo)電層和所述漏極接觸插塞由鎢、娃化鶴、銅或招形成。
10.如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述位線和所述第二導(dǎo)電層由大體相同的導(dǎo)電材料形成。
11.如權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述位線和所述第二導(dǎo)電層由銅或鋁形成。
12.如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體器件，還包括在所述外圍電路區(qū)中設(shè)置在所述第一導(dǎo)電層與所述半導(dǎo)體襯底之間的阻擋層。
13.如權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述阻擋層由氧化物層形成。
14.如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體器件，還包括源極接觸線，所述源極接觸線被設(shè)置在所述單元區(qū)中的層間絕緣層內(nèi)、具有與所述層間絕緣層大體相同的高度、大體垂直于所述半導(dǎo)體襯底而延伸、并且被布置成分別與所述源極選擇晶體管相鄰。
15.如權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述源極接觸線由與所述漏極接觸插塞大體相同的材料形成。
16.一種制造半導(dǎo)體器件的方法，所述方法包括以下步驟 提供半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底中限定有單元區(qū)和外圍電路區(qū)； 在所述單元區(qū)中的半導(dǎo)體襯底之上形成彼此間隔開的柵極線； 在所述半導(dǎo)體襯底之上形成層間絕緣層，以覆蓋所述柵極線的整體； 通過刻蝕所述層間絕緣層的一部分而在所述單元區(qū)中形成彼此間隔開的第一接觸孔以及在所述外圍電路區(qū)中形成以矩陣形式布置的第二接觸孔； 通過用導(dǎo)電材料填充所述第一接觸孔和所述第二接觸孔而在所述單元區(qū)中形成接觸插塞以及在所述外圍電路區(qū)中形成大體具有柱體形狀的第一導(dǎo)電層；以及 形成具有分別與所述單元區(qū)中的接觸插塞接觸的金屬線的第二導(dǎo)電層并將所述第二導(dǎo)電層與所述外圍電路區(qū)中的第一導(dǎo)電層成行或成列地耦接，以及形成具有電極的電容器，所述電極具有每對第二導(dǎo)電層和分別與所述每對第二導(dǎo)電層耦接的第一導(dǎo)電層。
17.如權(quán)利要求16所述的方法，在形成所述柵極線之前，還包括以下步驟 通過刻蝕所述外圍電路區(qū)中的半導(dǎo)體襯底的一部分來形成溝槽；以及 通過用絕緣材料填充所述溝槽來形成阻擋層。
18.如權(quán)利要求17所述的方法，其中，所述阻擋層由氧化物層形成。
19.如權(quán)利要求16所述的方法，其中，通過在所述單元區(qū)和所述外圍電路區(qū)中執(zhí)行刻蝕工藝而大體同時(shí)地形成所述第一接觸孔和所述第二接觸孔。
20.如權(quán)利要求16所述的方法，其中，在所述單元區(qū)和所述外圍電路區(qū)中大體同時(shí)地形成所述金屬線和所述第二導(dǎo)電層。
21.如權(quán)利要求16所述的方法，其中，第一電極與所述第二導(dǎo)電層中的偶數(shù)編號的導(dǎo)電層耦接，而不同于所述第一電極的第二電極與奇數(shù)編號的導(dǎo)線層耦接。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種半導(dǎo)體器件及其制造方法。所述半導(dǎo)體器件包括半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底中限定有單元區(qū)和外圍電路區(qū)；半導(dǎo)體存儲(chǔ)器元件，所述半導(dǎo)體存儲(chǔ)器元件被形成在所述單元區(qū)中的半導(dǎo)體襯底之上；層間絕緣層，所述層間絕緣層被形成在所述外圍電路區(qū)中的半導(dǎo)體襯底之上；第一導(dǎo)電層，所述第一導(dǎo)電層大體上垂直穿通所述層間絕緣層，并且被布置成矩陣；以及第二導(dǎo)電層，所述第二導(dǎo)電層將所述第一導(dǎo)電層成行或成列地耦接，每對第二導(dǎo)電層和分別與所述每對第二導(dǎo)電層耦接的第一導(dǎo)電層形成電容器的電極。
文檔編號H01L27/04GK102969313SQ20121031638
公開日2013年3月13日 申請日期2012年8月30日 優(yōu)先權(quán)日2011年8月30日
發(fā)明者安正烈, 金占壽 申請人:愛思開海力士有限公司