發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)及其制造方法
【專利摘要】一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，包括步驟：提供裝設(shè)有多列第一、第二電極的電路板，該第一、第二電極的相反兩端向外延伸形成第一、第二接引電極，該第一、第二電極通過連接條串接；形成覆蓋第一、第二電極且包含反射杯的樹脂層，該第一、第二接引電極暴露于樹脂層的兩側(cè)，該第一、第二電極的底部外露于樹脂層底部；在反射杯的底部設(shè)置發(fā)光二極管芯片并電連接第一、第二電極；在反射杯內(nèi)填充封裝層；橫向切割樹脂層及連接條形成多個發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)。本發(fā)明還涉及一種由該方法制得的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)。本發(fā)明中發(fā)光二極管芯片產(chǎn)生的熱量通過第一、第二電極以及第一、第二接引電極散發(fā)出去，從而有效提升發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的散熱效率。
【專利說明】發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)及其制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種半導體發(fā)光元件，特別涉及一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)及其制造方法。
【背景技術(shù)】
[0002]發(fā)光二極管(light emitting diode, LED)作為一種高效的發(fā)光源,具有環(huán)保、省電、壽命長等諸多特點已經(jīng)被廣泛的運用于各種領(lǐng)域。
[0003]在應用到具體領(lǐng)域中之前，發(fā)光二極管還需要進行封裝形成發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，以保護發(fā)光二極管芯片，從而獲得較高的發(fā)光效率及較長的使用壽命。
[0004]發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)通常需要安裝在具備驅(qū)動電路的印刷電路板上使用。發(fā)光二極管芯片工作時將電能轉(zhuǎn)為光能同時產(chǎn)生大量的熱，發(fā)光二極管芯片產(chǎn)生的熱量直接通過發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的引腳將傳導于印刷電路板上，熱量傳導的路徑單一，使得發(fā)光二極管芯片內(nèi)部熱量不斷積聚，從而加速了發(fā)光二極管芯片的老化，并最終影響到發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的使用壽命。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]有鑒于此，有必要提供一種散熱較佳的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)。
[0006]一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，包括步驟:提供一裝設(shè)有多列第一電極、第二電極的電路板，所述第一電極、第二電極的相反兩端分別向外延伸形成第一接引電極、第二接引電極，每列第一電極通過連接條縱向串接，每列第二電極通過連接條縱向串接；形成覆蓋住所述第一電極、第二電極的樹脂層，所述樹脂層包含反射杯，所述第一接引電極、第二接引電極暴露于樹脂層的兩側(cè)，所述第一電極、第二電極的底部外露于樹脂層底部；在反射杯的底部設(shè)置發(fā)光二極管芯片并電連接所述第一電極、第二電極；在反射杯內(nèi)填充封裝層并覆蓋發(fā)光二極管芯片；以及橫向切割樹脂層及連接條形成多個獨立的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)。
[0007]—種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，包括間隔設(shè)置的第一電極和第二電極、覆蓋住該第一電極和第二電極且包含一反射杯的樹脂層、設(shè)置于反射杯底部并分別與第一電極和第二電極電連接的發(fā)光二極管芯片以及容置于該反射杯內(nèi)并覆蓋發(fā)光二極管芯片的封裝層，所述第一電極、第二電極的相反兩端分別向外延伸形成第一接引電極和第二接引電極，所述第一電極、第二電極的底部外露于樹脂層底部，所述第一接引電極和第二接引電極暴露于所述樹脂層的相對兩側(cè)。
[0008]本發(fā)明中第一電極、第二電極的底部外露于樹脂層底部，第一接引電極、第二接引電極暴露于樹脂層的相對兩側(cè)，發(fā)光二極管芯片工作時產(chǎn)生的熱量通過第一電極、第二電極以及第一接引電極和第二接引電極散發(fā)出去，從而有效提升發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的散熱效率。
[0009]下面參照附圖，結(jié)合具體實施例對本發(fā)明作進一步的描述?！緦＠綀D】

【附圖說明】
[0010]圖1是本發(fā)明一實施例的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。
[0011]圖2是圖1中所示發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的俯視示意圖。
[0012]圖3是圖1中所示發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的仰視示意圖。
[0013]圖4是圖1中所示發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的右視圖。
[0014]圖5是本發(fā)明第一實施例的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制造方法流程圖。
[0015]圖6是圖5中所示發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制造方法步驟SlOl所得的電路板的俯視不意圖。
[0016]圖7是圖5中所示發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制造方法步驟SlOl所得的電路板的剖面示意圖。
[0017]圖8是圖5中所示發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制造方法步驟S102所得的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)俯視示意圖。
[0018]圖9是圖5中所示發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制造方法步驟S102所得的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)剖面示意圖。
[0019]圖10是圖5中所示發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制造方法步驟S103所得的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)剖面示意圖。
[0020]圖11是圖5中所示發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制造方法步驟S104所得的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)剖面示意圖。
``[0021]圖12是圖5中所示發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制造方法步驟S105所得的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)俯視示意圖。
[0022]主要元件符號說明
【權(quán)利要求】
1.一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，包括間隔設(shè)置的第一電極和第二電極、覆蓋住該第一電極和第二電極且包含一反射杯的樹脂層、設(shè)置于反射杯底部并分別與第一電極和第二電極電連接的發(fā)光二極管芯片以及容置于該反射杯內(nèi)并覆蓋發(fā)光二極管芯片的封裝層，所述第一電極、第二電極的相反兩端分別向外延伸形成第一接引電極和第二接引電極，其特征在于:所述第一電極、第二電極的底部外露于樹脂層底部，所述第一接引電極和第二接引電極暴露于所述樹脂層的相對兩側(cè)。
2.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于:該第一接引電極、第二接引電極的側(cè)面與該樹脂層靠近并平行于該第一接引電極及第二接引電極的該側(cè)面的側(cè)壁間隔一定的距離。
3.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述第一電極、第二電極包括相對設(shè)置的頂面和底面，所述反射杯形成于所述第一電極和第二電極的頂部。
4.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述第一電極、第二電極均包括本體部及由所述本體部一側(cè)一體延伸而出的凸出部，所述凸出部的底部外露于樹脂層底部。
5.如權(quán)利要求4所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述第一接引電極、第二接引電極分別由所述第一電極的本體部、第二電極的本體部的相反兩端彎折延伸形成，所述第一接引電極、第二接弓I電極分別與第一電極的凸出部、第二電極的凸出部圍設(shè)出溝槽。
6.如權(quán)利要求4所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述第一電極、第二電極的凸出部的截面形狀為梯形，所述第一電極、第二電極的凸出部的尺寸朝向遠離該發(fā)光二極管芯片的方向逐漸縮小。
7.如權(quán)利要求6所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述第一電極和第二電極之間形成一通槽用以絕緣性阻斷該第一電極、第二電極，所述通槽的截面形狀為倒置的漏斗狀。
8.一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，包括步驟:提供一裝設(shè)有多列第一電極、第二電極的電路板，所述第一電極、第二電極的相反兩端分別向外延伸形成第一接引電極、第二接引電極，每列第一電極通過連接條縱向串接，每列第二電極通過連接條縱向串接； 形成覆蓋住所述第一電極、第二電極的樹脂層，所述樹脂層包含反射杯，所述第一接引電極、第二接引電極暴露于樹脂層的兩側(cè)，所述第一電極、第二電極的底部外露于樹脂層底部; 在反射杯的底部設(shè)置發(fā)光二極管芯片并電連接所述第一電極、第二電極； 在反射杯內(nèi)填充封裝層并覆蓋發(fā)光二極管芯片；以及 橫向切割樹脂層及連接條形成多個獨立的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)。
9.如權(quán)利要求8所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于:所述樹脂層及其包含的反射杯是通過注塑的方式一體成型。
10.如權(quán)利要求9所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于:該第一接引電極、第二接引電極的側(cè)面與該樹脂層靠近并平行于該第一接引電極及第二接引電極的該側(cè)面的側(cè)壁保持一定距離。
【文檔編號】H01L33/62GK103682028SQ201210314790
【公開日】2014年3月26日 申請日期:2012年8月30日 優(yōu)先權(quán)日:2012年8月30日
【發(fā)明者】林厚德, 張超雄, 陳濱全, 陳隆欣, 曾文良 申請人:展晶科技(深圳)有限公司, 榮創(chuàng)能源科技股份有限公司