專利名稱：基板處理裝置及具有其的基板處理系統(tǒng)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種基板處理裝置，更詳細(xì)地說是將離子束照射到基板上來執(zhí)行基板處理的基板處理裝置及具有其的基板處理系統(tǒng)。
背景技術(shù)：
形成半導(dǎo)體區(qū)域的方法大體分為熱擴(kuò)散法與離子注入法。還有，形成半導(dǎo)體區(qū)域適用于半導(dǎo)體基板、IXD面板用基板、OLED面板用基板或太陽能電池基板等的制造。具體地說，形成半導(dǎo)體區(qū)域適用于半導(dǎo)體基板中形成半導(dǎo)體層，LCD面板用基板及OLED面板用基板中形成TFT層、形成LTPS (low temperaturepoly-silicone)等多種工序中。 另一方面，通過熱擴(kuò)散法對(duì)在P型硅基板中形成η型半導(dǎo)體層進(jìn)行說明是，對(duì)基板進(jìn)行加熱使磷(P)元素從P型硅基板的表面滲入，將表面η型化來形成ρη接合構(gòu)造。但是，通過熱擴(kuò)散法注入不純物時(shí)，為了注入不純物進(jìn)行POCl3蒸鍍時(shí)，會(huì)形成不均勻地?fù)诫s，因此工序的均勻度會(huì)低下，使用POCl3時(shí)，因?yàn)槿コ翦兒笤诨灞砻嫘纬勺鳛楦碑a(chǎn)物PSG膜、去除側(cè)面半導(dǎo)體構(gòu)造(Edge isolation)等工序的復(fù)雜導(dǎo)致工序時(shí)間變長，因此存在生產(chǎn)性低下的問題。與其相比，離子注入法是將離子束直接照射到基板上并注入，因此與熱擴(kuò)散法相t匕，其控制變得容易并且可以精密地注入不純物，因此，近期被廣泛使用著。作為離子注入法的一例，是將磷元素在真空中離子化后，通過電場(chǎng)進(jìn)行加速，以離子束的形態(tài)注入到P型硅基板的表面上，將表面層η型化來形成ρη接合構(gòu)造的方法。如上所述的為了對(duì)基板的表面照射離子的基板處理裝置一般會(huì)將基板安置在與外部密閉的規(guī)定反應(yīng)室內(nèi)，將離子束源中發(fā)生的離子束照射到基板上，由此來形成基板的接合層。另一方面，如上所述的為了對(duì)基板表面照射離子的基板處理裝置一般為，離子束源、與離子束源中發(fā)生的離子束對(duì)安置在密閉的處理空間內(nèi)的臺(tái)上的基板進(jìn)行離子照射的構(gòu)成。但是，如上所述的以往的基板處理裝置，因?yàn)閮H通過單一的離子數(shù)源執(zhí)行離子照射工序，會(huì)在離子照射格局上受到限制，因此存在很難大量處理離子照射的問題。此外，為了執(zhí)行多種格局的離子照射工序，需要通過多個(gè)基板處理裝置執(zhí)行，因此會(huì)存在其處理復(fù)雜、裝置昂貴且裝置占有的空間變大的問題。特別是為了制造太陽能電池基板，在基板表面形成選擇性發(fā)射極(SelectiveEmitter)時(shí)，需要在設(shè)置有掩模的基板處理裝置中執(zhí)行一次離子照射工序后，去掉基板處理裝置的掩模后，或在沒有設(shè)置掩模的其他基板處理裝置中執(zhí)行二次離子照射工序，因此存在其處理復(fù)雜、裝置昂貴且裝置占有的空間變大的問題。此外，以往的基板處理裝置是在固定住基板的狀態(tài)下，移動(dòng)離子束來形成離子注入，因此離子注入后更換基板、為了移動(dòng)離子束的裝置等裝置復(fù)雜、消耗大量的工序時(shí)間，因此存在生產(chǎn)性低下的問題。

發(fā)明內(nèi)容
(要解決的技術(shù)問題)為了解決如上所述的問題，本發(fā)明的目的在于提供一種基板處理裝置及具有其的基板處理系統(tǒng)，通過移送安置至少一個(gè)以上基板的托盤來對(duì)基板照射離子束，由此可以執(zhí)大量地行對(duì)基板的離子照射。本發(fā)明的另一目的在于提供一種基板處理裝置及具有其的基板處理系統(tǒng)，在一個(gè)工序室中設(shè)置2個(gè)以上的對(duì)基板照射離子束的離子束照射部，由此可以執(zhí)行多種離子照射工序。
本發(fā)明的另一目的在于提供一種基板處理裝置及具有其的基板處理系統(tǒng)，通過移送安置至少一個(gè)以上基板的托盤來對(duì)基板照射離子束，將在離子束照射的離子束照射區(qū)域中托盤的移送速度設(shè)置成與將托盤導(dǎo)入或排出時(shí)的移送速度不同的速度，由此可以通過效率性的托盤移送來加快工序速度。(解決問題的手段)本發(fā)明是為了達(dá)成如上所述的目的而創(chuàng)作的，本發(fā)明公開基板處理裝置，包括工序室，設(shè)置有移送安置一個(gè)以上基板的托盤的移送路徑；一個(gè)以上的離子束照射部，根據(jù)所述移送路徑，對(duì)移送的基板照射離子束。所述離子照射部包括根據(jù)所述移送路徑依次安置的第一離子束照射部及第二離子束照射部，所述第二離子束照射部為了在基板表面的部分區(qū)域照射離子，可以設(shè)置有一個(gè)以上的具有開放部的掩模。所述第一離子束照射部及所述第二離子束照射部可以照射同種的離子束。所述第一離子束照射部及所述第二離子束照射部可以照射相互不同種的離子束。所述第一離子束照射部上追加設(shè)置有不重疊或部分重疊于，設(shè)置于所述第二離子束照射部的掩模開放部的形成一個(gè)以上開放部的掩模，所述第一離子束照射部及所述第二離子束照射部可以照射相互不同種的離子束。所述移送路徑上，以托盤的移送方向?yàn)榛鶞?zhǔn)，安置基板的托盤長度設(shè)為L時(shí)，所述第一離子束照射部的離子束照射區(qū)域會(huì)與所述第二離子束照射部的離子束照射區(qū)域可以相隔大于L的距離進(jìn)行定位。所述工序室中，會(huì)在所述移送路徑的一端形成導(dǎo)入托盤的第一閘門，在所述移送路徑的另一端形成排出托盤的第二閘門，所述第一離子束照射部及所述第二離子束照射部中的任意一個(gè)的離子束照射區(qū)域會(huì)與所述第一閘門、剩下一個(gè)的離子束照射區(qū)域會(huì)與所述第二閘門具有大于L的距離。所述工序室中，會(huì)在所述移送路徑的一端形成導(dǎo)入托盤的第一閘門，在所述移送路徑的另一端形成排出托盤的第二閘門，所述第一離子束照射部及所述第二離子束照射部中，分別與所述第一閘門及所述第二閘門最近的各離子束照射區(qū)域可以分別位于鄰接于所述第一閘門及所述第二閘門的位置。所述通過離子束照射區(qū)域的托盤的移送速度可以由，與所述導(dǎo)入到工序室或所述從工序室排出的托盤的移送速度不同的速度構(gòu)成。
所述導(dǎo)入到工序室或所述從工序室排出的托盤的移送速度可以由，比所述通過離子束照射區(qū)域的托盤的移送速度更快的速度構(gòu)成。所述基板處理裝置包括驅(qū)動(dòng)所述移送部的一個(gè)驅(qū)動(dòng)部，所述驅(qū)動(dòng)部可以將所述通過離子束照射區(qū)域的托盤的移送速度與所述導(dǎo)入到工序室或所述從工序室排出的托盤的移送速度控制成不同的速度。所述基板處理裝置可以包括移送托盤通過所述離子束照射區(qū)域的第一驅(qū)動(dòng)部；與移送導(dǎo)入到所述工序室或從所述工序室排出的托盤的一個(gè)以上的第二驅(qū)動(dòng)部。所述基板處理裝置可以為，基板上照射得到離子束的區(qū)間上的所述托盤的移送速度比至少在部分照射不到離子束區(qū)間上的所述托盤的移送速度慢的構(gòu)成。此外，本發(fā)明公開基板處理系統(tǒng)，包括工序模塊，包括具有如上所述構(gòu)成的基板 處理裝置；裝載裝載鎖定模塊，結(jié)合于所述工序模塊的一側(cè)，內(nèi)部壓力以大氣壓及真空壓交替轉(zhuǎn)換來從外部接收安置一個(gè)以上基板的托盤，并將托盤傳達(dá)到所述工序模塊中；卸載鎖定模塊，結(jié)合于所述工序模塊的另一側(cè)，內(nèi)部壓力以大氣壓及真空壓交替轉(zhuǎn)換來從所述工序模塊接收托盤并向外部排出。所述基板處理系統(tǒng)可以追加設(shè)置熱處理模塊，結(jié)合于所述卸載鎖定模塊，對(duì)從所述卸載鎖定模塊傳達(dá)過來的托盤上的基板進(jìn)行熱處理。所述基板處理系統(tǒng)可以追加設(shè)置第一緩沖模塊及第二緩沖模塊，分別在所述裝載鎖定模塊與所述工序模塊間、所述工序模塊與所述卸載鎖定模塊間，臨時(shí)儲(chǔ)存移送過來的托盤并使內(nèi)部壓力維持在大氣壓與所述工序模塊的工序壓之間的壓力。(發(fā)明的效果)根據(jù)本發(fā)明的基板處理裝置及具有其的基板處理系統(tǒng)，通過移送安置一個(gè)以上基板的托盤，對(duì)安置在托盤上的基板照射離子束，由此通過對(duì)基板進(jìn)行離子照射，具有可以大量執(zhí)行離子注入工序的優(yōu)點(diǎn)。特別是，在設(shè)置有照射離子束的離子束照射部的工序模塊內(nèi)，移送安置有一個(gè)以上基板的托盤，照射離子束來注入離子束，由此基板移送變得便利，且離子束照射部為固定設(shè)置，因此具有裝置簡單的優(yōu)點(diǎn)。此外，通過對(duì)基板照射離子束來注入離子，其與以往的熱擴(kuò)散法相比，可以由均勻的深度注入離子，不會(huì)發(fā)生如PSG的副產(chǎn)物而不需要去除副產(chǎn)物的追加工序，可以對(duì)基板的上表面整體或部分注入離子，因此具有工序處理簡單且可以進(jìn)行多種工序處理的優(yōu)點(diǎn)。根據(jù)本發(fā)明的基板處理裝置及具有其的基板處理系統(tǒng)，在工序室內(nèi)根據(jù)基板的移送路徑依次設(shè)置兩個(gè)以上的離子束照射部的離子束照射區(qū)域，因此具有可以對(duì)基板執(zhí)行迅速、多樣的離子照射工序的優(yōu)點(diǎn)。例如，將一對(duì)離子束照射部設(shè)置在工序室中，使安置基板的托盤依次通過各離子束照射部的離子束照射區(qū)域，由此具有可以執(zhí)行迅速、多樣的離子照射工序的優(yōu)點(diǎn)。此外，根據(jù)本發(fā)明的基板處理裝置及具有其的基板處理系統(tǒng)，在一個(gè)工序室內(nèi)設(shè)置兩個(gè)以上的離子束照射部，即，設(shè)置第一離子束照射部及第二離子束照射部，在第一離子束照射部及第二離子束照射部中，至少在部分選擇性的設(shè)置掩模，由此具有可以通過一個(gè)工序室來對(duì)基板表面進(jìn)行更加多種格局的離子照射的優(yōu)點(diǎn)。S卩，根據(jù)本發(fā)明的基板處理裝置及具有其的基板處理系統(tǒng)，通過設(shè)置有掩模的離子束照射部執(zhí)行一次離子照射工序后，通過沒有設(shè)置掩模的離子束照射部執(zhí)行二次離子照射工序(順序可以被替換)，由此簡單、迅速地執(zhí)行，使基板表面上具有低濃度的離子照射區(qū)域(執(zhí)行退火后形成半導(dǎo)體層)及高濃度的離子照射區(qū)域(執(zhí)行退火后形成半導(dǎo)體層)的格局的離子照射工序。此外，根據(jù)本發(fā)明的基板處理裝置及具有其的基板處理系統(tǒng)，一對(duì)離子束照射部具備了具有不同格局的發(fā)放部的掩模，由此來依次執(zhí)行第一格局的離子照射工序及第二格局的離子照射工序，由此具有可以通過一個(gè)工序室來執(zhí)行為了形成選擇性發(fā)射極結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體層的離子照射、為了形成IBC型太陽能電池基板的相互不同特性的半導(dǎo)體層的離子照射的優(yōu)點(diǎn)。此外，根據(jù)本發(fā)明的基板處理裝置及具有其的基板處理系統(tǒng)，通過將工序室內(nèi)的導(dǎo)入托盤及排出托盤時(shí)的移送速度相對(duì)的最大化來縮減托盤移送時(shí)間，來縮短整體工序時(shí)間，因此具有可以顯著提高生產(chǎn)性的優(yōu)點(diǎn)。 此外，根據(jù)本發(fā)明的基板處理裝置及具有其的基板處理系統(tǒng)，根據(jù)本發(fā)明的基板處理裝置及基板處理方法，單獨(dú)控制各個(gè)位置上的托盤移送速度來最優(yōu)化工序處理，由此具有在各個(gè)位置上最大限度地節(jié)省移送時(shí)間的損失，來增大基板處理工序效率的優(yōu)點(diǎn)。


圖I是表示根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施例的基板處理系統(tǒng)的概念圖。圖2是表示圖I的基板處理系統(tǒng)的運(yùn)行狀態(tài)的概念圖。圖3是表示從圖I的基板處理系統(tǒng)的工序室內(nèi)設(shè)置的離子束照射部查看的部分平面圖。圖4a及圖4b分別表示通過根據(jù)圖I的基板處理系統(tǒng)的離子照射工序形成半導(dǎo)體層的基板示例的部分剖視圖。圖5是表不圖I的基板處理系統(tǒng)的工序室的變形例的概念圖。圖6是根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施例的基板處理系統(tǒng)的概念圖。圖7是表不圖6的基板處理系統(tǒng)的工序室的概念圖。圖8是表不圖6的基板處理系統(tǒng)的工序室的變形例的概念圖。圖9是表示根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施例的基板處理系統(tǒng)中依次圖示基板處理方法的概念圖。(附圖標(biāo)記說明)I :基板處理裝置(工序模塊)2:裝載裝載鎖定模塊3 :卸載鎖定模塊100 :工序室300 :離子束照射部
具體實(shí)施例方式下面參照附圖對(duì)根據(jù)本發(fā)明的基板處理裝置及具有其的基板處理系統(tǒng)，進(jìn)行詳細(xì)地說明。根據(jù)本發(fā)明的基板處理系統(tǒng)，如圖I、圖2及圖5所示，包括工序模塊I ;裝載裝載鎖定模塊2，結(jié)合于工序模塊I的一側(cè)；卸載鎖定模塊3，結(jié)合于工序模塊I的另一側(cè)。
所述裝載裝載鎖定模塊2、工序模塊I及卸載鎖定模塊3是串聯(lián)排列的，分別還可以具備為了移送托盤20的移送部31，移送部31移送排列有基板或多個(gè)基板的托盤，并使其在工序室100內(nèi)部經(jīng)過離子處理工序。所述工序模塊I為包括后述的基板處理裝置的構(gòu)成，作為在近似真空狀態(tài)，即真空壓狀態(tài)下對(duì)基板執(zhí)行離子照射工序的構(gòu)成，可以為多樣的構(gòu)成。所述裝載裝載鎖定模塊2為，結(jié)合于工序模塊I的一側(cè)，內(nèi)部壓力以大氣壓及真空壓交替轉(zhuǎn)換來從外部接收安置一個(gè)以上基板10的托盤20，并將托盤20傳達(dá)到工序模塊I中的構(gòu)成，可以為多樣的構(gòu)成。所述卸載鎖定模塊3為，結(jié)合于工序模塊I的另一側(cè)，內(nèi)部壓力以大氣壓及真空壓交替轉(zhuǎn)換來從工序模塊I接收托盤20并向外部排出構(gòu)成，可以為多樣的構(gòu)成。所述卸載鎖定模塊3為，為了將結(jié)束工序的托盤20排出到外部而轉(zhuǎn)換壓力以外， 還可以追加設(shè)置冷卻裝置，在工序模塊I中，冷卻從工序模塊I傳達(dá)過來的托盤20上安置的基板10。另一方面，所述工序模塊I中注入離子的基板，為了完成不純物注入工序需要進(jìn)行熱處理，可以追加設(shè)置熱處理模塊(未圖示)結(jié)合于卸載鎖定模塊3，對(duì)從卸載鎖定模塊3傳達(dá)過來的托盤20上的基板10進(jìn)行熱處理。所述熱處理模塊作為對(duì)從卸載模塊3傳達(dá)過來的托盤20上的，在工序模塊I中完成離子注入的基板10進(jìn)行熱處理的構(gòu)成，可以為多樣的構(gòu)成。通過所述熱處理模塊執(zhí)行的熱處理是根據(jù)注入離子后基板10所要求的條件，決定溫度、壓力、熱處理時(shí)間等。另一方面，可以追加設(shè)置緩沖模塊(第一緩沖模塊及第二緩沖模塊)，分別在所述裝載鎖定模塊2與所述工序模塊I間、所述工序模塊I與所述卸載鎖定模塊3間，臨時(shí)儲(chǔ)存移送過來的托盤20并使內(nèi)部壓力維持在大氣壓與所述工序模塊I的工序壓之間的壓力。所述第一緩沖模塊為，將內(nèi)部壓力維持在大氣壓與工序模塊I工序壓之間，例如，以維持工序模塊I的工序壓的狀態(tài)，接收從裝載鎖定模塊2傳導(dǎo)過來的托盤20并臨時(shí)儲(chǔ)存的構(gòu)成；第二緩沖模塊為，將內(nèi)部壓力維持在大氣壓與工序模塊I工序壓之間，例如，以維持工序模塊I的工序壓的狀態(tài)，向卸載鎖定模塊3傳達(dá)托盤的構(gòu)成，可以為多樣的構(gòu)成。特別是，所述第一緩沖模塊及第二緩沖模塊可以防止，在裝載鎖定模塊2及卸載鎖定模塊3中的壓力轉(zhuǎn)換及托盤交換變慢時(shí)，導(dǎo)致的工序模塊不執(zhí)行工序并待機(jī)等延緩整體工序的問題另一方面，所述裝載鎖定模塊2及卸載鎖定模塊，在設(shè)置第一緩沖模塊及第二緩沖模塊時(shí)，裝載鎖定模塊2、卸載鎖定模塊、第一緩沖模塊及第二緩沖模塊(熱處理模塊同樣為)上可以設(shè)置移送托盤20的移送部31。所述移送部31作為移送托盤20的構(gòu)成，可以包括多個(gè)滾筒，支持托盤20的部分底表面并通過旋轉(zhuǎn)來使托盤20移動(dòng)。此處，所述移送部，即滾筒中至少有一部分是通過驅(qū)動(dòng)部(未圖示)驅(qū)動(dòng)的，即旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)的。另一方面，未在圖I中說明的圖面符號(hào)510、520、530及540分別是指開關(guān)各個(gè)閘門的閘閥。以下，對(duì)根據(jù)本發(fā)明的基板處理裝置進(jìn)行詳細(xì)地說明。
如圖I至圖5所示，根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施例的基板處理裝置，包括工序室100，設(shè)置有移送安置一個(gè)以上基板10的托盤20的移送路徑30 ;—個(gè)以上的離子束照射部300，根據(jù)所述移送路徑30，對(duì)移送的基板照射離子束。此處，作為處理對(duì)象的基板10可以為半導(dǎo)體基板、IXD面板用基板、OLED面板用基板也可以為太陽能電池用基板。特別是，所述基板處理裝置的基板處理對(duì)象優(yōu)選為太陽能電池用硅基板，此時(shí)，通過離子束照射部300照射的離子束可以使用為在基板10的表面注入離子，形成一個(gè)以上的半導(dǎo)體區(qū)域。此外，所述基板處理對(duì)象為太陽能電池用硅基板時(shí)，在基板10表面形成 的半導(dǎo)體區(qū)域可以為選擇性發(fā)射極(Selective Emitter ;圖4a中圖示)或形成IBC的p型基板上的η型半導(dǎo)體區(qū)域及P+型半導(dǎo)體區(qū)域(圖4b中所示)等。所述托盤20作為裝載一個(gè)以上的基板10并移送的構(gòu)成，可以為多樣的構(gòu)成。作為一例，所述托盤20只要是可以穩(wěn)定地支持基板10的材質(zhì)，可以為任何的構(gòu)成。作為一例，所述托盤20只要是可以穩(wěn)定地支持基板10的材質(zhì)，可以為任何的構(gòu)成，平面形象可以為直四角形形象，此時(shí)基板10可以由直四角形的nXm排列安置。所述工序室100作為，為了形成可以通過離子束照射部300向基板10注入離子的環(huán)境及形成托盤20的移送路徑30的構(gòu)成，可以為多樣的構(gòu)成。所述工序室100作為一例，其構(gòu)成可以包括相互可拆卸地結(jié)合并形成密閉的處理空間S的處理室本體110及上部蓋120。在所述處理室本體110上可以形成有為了使托盤20出入一個(gè)以上的閘門111、112，為了控制處理空間S內(nèi)的排氣及壓力，可以與排氣系統(tǒng)相接。此處，所述第一閘門111為了可以導(dǎo)入托盤20，形成在移送路徑30的一端；第二閘門112為了排出托盤20，形成在
移送路徑30的另一端。另一方面，所述處理室本體110中設(shè)置的移送路徑30作為托盤20在工序室100內(nèi)移送的路徑的概念性構(gòu)成，只要是可以在工序室100內(nèi)移送托盤20的構(gòu)成，可以為任何構(gòu)成。如圖I所示，所述移送路徑30，可以為形成在處理室本體110中，根據(jù)第一閘門111及第二閘門112移送托盤20的構(gòu)成，其構(gòu)成可以包括多個(gè)滾筒31，安置在第一閘門111及第二閘門112之間，支持托盤20的部分底表面并通過旋轉(zhuǎn)來移送托盤20 ;旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)部(未圖示)，在滾筒31中至少對(duì)一部分進(jìn)行旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)。此處，所述移送路徑30是指，在工序室100內(nèi)的托盤20的移送路徑，其中不需要所有都為物理構(gòu)成，滾筒等部分構(gòu)成為物理構(gòu)成即可。此外，所述移送路徑30中設(shè)置離子束照射區(qū)域，在托盤20移送到特定位置時(shí)，對(duì)安置的基板10照射離子束。所述離子束源作為將可離子化的氣體進(jìn)行離子化來形成離子束的構(gòu)成，可以為多樣的構(gòu)成。此處，所述離子束源可以與氣體供給裝置連接，由此來持續(xù)性地提供可離子化的氣體。所述離子束照射部300作為，與離子束源連接并設(shè)置于移送路徑30的上側(cè)，將離子束源中發(fā)生的離子束向通過移送路徑30移送到的基板10表面照射的構(gòu)成，可以為多樣的構(gòu)成。所述離子束照射部300，將離子束源發(fā)生的離子束誘導(dǎo)到移送路徑30上的離子束照射區(qū)域上的同時(shí)控制離子束的強(qiáng)度及濃度，由此在工序室100的移送路徑30上形成適合向基板10進(jìn)行離子照射的離子束照射區(qū)域。此處，所述離子束照射部300為，比起對(duì)移送路徑30整體照射離子束而是對(duì)部分區(qū)域，g卩，在離子束照射區(qū)域內(nèi)照射離子束的構(gòu)成。另一方面，如圖5所示，所述離子束照射部300可以包括按照移送路徑30依次安置的第一離子束照射部301及第二離子束照射部302。特別是，在所述工序室100內(nèi)固定設(shè)置第一離子束照射部301及第二離子束照射部302，使托盤20通過固定在工序室100內(nèi)的第一離子束照射部301及第二離子束照射部 302形成的離子束照射區(qū)域，由此可以對(duì)安置于托盤20上的基板10執(zhí)行多種形態(tài)的離子注入。此外，如上所述，在一個(gè)工序室100內(nèi)設(shè)置有第一離子束照射部301及第二離子束照射部302時(shí)，可以向基板10表面照射異種的離子、可以對(duì)基板10的部分表面進(jìn)行高濃度的離子照射、格局化的離子照射等多種形態(tài)的離子照射。另一方面，如圖I及圖3所示，所述離子束照射部300，特別是第二離子束照射部302，可以追加設(shè)置掩模310，設(shè)置在離子束的照射路徑，即，離子束照射部300及托盤20的移送路徑30之間，使離子束的一部分照射到基板表面上。所述掩模310作為，設(shè)置在可以照射離子束的照射路徑上，阻斷離子束照射在基板表面上的部分區(qū)域，使基板表面上至少只在部分區(qū)域中注入離子的構(gòu)成，可以為多樣的構(gòu)成。作為一例，所述掩模310可以包括一個(gè)以上的開放部311，只開放與基板10表面上會(huì)照射離子的部分區(qū)域相應(yīng)的部分。此外，所述掩模310的材質(zhì)，考慮到離子束的持續(xù)性照射，優(yōu)選使用穩(wěn)定且具有耐熱性的如石墨的材質(zhì)。此外，所述掩模310可以通過設(shè)置于工序室100中的支持框架340進(jìn)行支持并設(shè)置。此外，所述掩模310，為了對(duì)離子束的持續(xù)擊打引起的加熱進(jìn)行冷卻，可以通過追加設(shè)置于工序室100內(nèi)的冷卻部(未圖示)進(jìn)行冷卻。另一方面，所述第一離子束照射部301，為了可以使基板10表面上進(jìn)行更多種格局的離子照射，可以追加設(shè)置與第二離子束照射部302中設(shè)置的掩膜310具有不同發(fā)放部311的掩模310。如上所述，通過使設(shè)置于所述第一離子束照射部301及第二離子束照射部302的掩模310具有不同格局的開放部311，可以具有在基板10表面上進(jìn)行多種格局的離子照射的優(yōu)點(diǎn)。另一方面，根據(jù)設(shè)置所述第一離子束照射部301及第二離子束照射部302及有無掩模，可以執(zhí)行多種格局的離子注入，作為一例，第一離子束照射部301及第二離子束照射部302具有照射同種離子束的構(gòu)成。此外，第一離子束照射部301及第二離子束照射部302可以照射相互不同濃度或強(qiáng)度的離子束。具有如上所述構(gòu)成的基板處理裝置，具有如圖4a所示的可以通過一個(gè)基板處理裝置執(zhí)行選擇性發(fā)射極的形成工序的優(yōu)點(diǎn)。S卩，根據(jù)本發(fā)明的基板處理裝置通過具備第一離子束照射部301及第二離子束照射部302，第二離子束照射部302具備掩模310，來向基板10的部分表面照射離子束，由此具有通過一個(gè)基板處理裝置可以執(zhí)行，為了在基板10的上表面整體形成η型半導(dǎo)體區(qū)域，對(duì)上表面整體的離子照射；為了在基板10的部分區(qū)域形成η+型半導(dǎo)體區(qū)域，對(duì)部分區(qū)域的離子照射的優(yōu)點(diǎn)。此處，為了在IBC型的太陽能電池構(gòu)造中形成半導(dǎo)體層，在第一離子束照射部301及第二離子束照射部302中的任意一個(gè)上設(shè)置掩模310形成離子照射時(shí)，第一離子束照射部301及第二離子束照射部302會(huì)以不同的注入到基板上的摻雜濃度，照射離子束。另一方面，作為另一例，所述第一離子束照射部301及第二離子束照射部302如圖 5所示，第一離子束照射部301及第二離子束照射部302可以分別設(shè)置具有相互不同格局的開放部311的掩模310，使基板10表面的部分區(qū)域上照射到離子。具有如上所述構(gòu)成的基板處理裝置，具有如圖4b所示的可以通過一個(gè)基板處理裝置執(zhí)行IBC型的具有相互不同特性的半導(dǎo)體層的形成工序的優(yōu)點(diǎn)。即，根據(jù)本發(fā)明的基板處理裝置通過具備第一離子束照射部301及第二離子束照射部302通過具備，具有相互不同格局的開放部311的掩模310，由此具有通過一個(gè)基板處理裝置可以執(zhí)行，為了在具有P型半導(dǎo)體特性的基板10表面的部分區(qū)域上形成η型半導(dǎo)體區(qū)域，對(duì)基板10表面部分區(qū)域的離子照射；為了在基板10表面形成P+型半導(dǎo)體區(qū)域，對(duì)部分區(qū)域的離子照射的優(yōu)點(diǎn)。另一方面，所述第一離子束照射部301及第二離子束照射部302，考慮到離子照射時(shí)的相互干涉，需要適當(dāng)?shù)匕仓?。因此，所述移送路?0上，以托盤20的移送方向?yàn)榛鶞?zhǔn)，將托盤20長度設(shè)為L時(shí)，如圖I所示，第一離子束照射部301的離子束照射區(qū)域與相鄰的第二離子束照射部302的離子束照射區(qū)域優(yōu)選為以相隔大于L的距離進(jìn)行定位。如上所述，第一離子束照射部301及第二離子束照射部302以離子束照射區(qū)域相隔大于L的距離定位時(shí)，可以使第一離子束照射部301及第二離子束照射部302在不會(huì)相互影響下執(zhí)行離子照射工序。此時(shí)，優(yōu)選在所述工序室100的閘門111、112關(guān)閉的狀態(tài)下形成離子照射，第一離子束照射部301及第二離子束照射部302中任意一個(gè)的離子束照射區(qū)域與第一閘門111，剩下一個(gè)的離子束照射區(qū)域與第二閘門112更優(yōu)選為具有大于L的距離。另一方面，如上所述，第一離子束照射部301及第二離子束照射部302的的離子束照射區(qū)域分別具有與第一閘門111及第二閘門112大于L的距離時(shí)，會(huì)存在工序室100的大小變大的問題，為了解決此，如圖5所示，第一離子束照射部301及第二離子束照射部302中，分別與第一閘門111及第二閘門112最近的各離子束照射區(qū)域可以分別位于鄰接于第一閘門111及第二閘門112的位置。此時(shí)，所述托盤20進(jìn)入到或排出出工序室100的移送路徑30時(shí)，以設(shè)置有與工序室100實(shí)質(zhì)上形成同一真空壓的裝載鎖定模塊2及卸載鎖定模塊3為前提。
S卩，在所述第一閘門111開放后，托盤20在進(jìn)入工序室100的移送路徑30的同時(shí)會(huì)通過移送路徑30進(jìn)行移動(dòng)，并通過鄰接設(shè)置于第一閘門111的第一離子束照射部301的離子束照射區(qū)域來執(zhí)行離子照射。此處，托盤20向工序室100內(nèi)部的進(jìn)入完成，第一閘門111關(guān)閉后，裝在鎖定模塊2為了從外部接收托盤20，會(huì)用大氣壓形成壓力轉(zhuǎn)換。另一方面，通過鄰接設(shè)置于所述第一閘門111的第一離子束照射部301的離子束照射區(qū)域的托盤20，會(huì)通過其移送通過下一個(gè)的第二離子束照射部302的離子束照射區(qū)域來進(jìn)行離子照射。此外，所述托盤20最終達(dá)到鄰接于第二閘門112的第二離子束照射部302的離子束照射區(qū)域時(shí)，第二閘門112的開放，與此同時(shí)通過其移送，鄰接于第二閘門112的第二離子束照射部302的進(jìn)行離子照射并移送到卸載鎖定模塊3中。最后，托盤20到卸載鎖定模塊3的移送完成時(shí)，卸載鎖定模塊3會(huì)通過第二閘門112阻斷工序室110，與此同時(shí)為了排出托盤20，會(huì)用大氣壓形成壓力轉(zhuǎn)換 另一方面，根據(jù)本發(fā)明的基板處理裝置，其內(nèi)部具備移送部31，由此使托盤20依次移送于裝載鎖定模塊2、工序模塊I及卸載鎖定模塊3中，使為了離子處理工序的壓力調(diào)整，照射離子束的工序持續(xù)進(jìn)行著。具備所述移送部31的基板處理裝置，為了對(duì)通過離子束照射區(qū)域的托盤20上安置的基板的離子注入，會(huì)最大速度會(huì)受到制約，因此整體的移送部31的速度受到限定，由此會(huì)出現(xiàn)半導(dǎo)體生產(chǎn)工序的速度整體低下的問題。為此，如圖6至圖9所示，根據(jù)本發(fā)明的基板處理裝置，包括移送部31，使安置有基板的托盤20移送通過工序室100、工序室100內(nèi)部形成離子束照射區(qū)域40的離子束照射部300與離子束照射區(qū)域40 ;給托盤20通過離子束照射區(qū)域40的照射區(qū)間Pl中的托盤20的移送速度與位于所述照射區(qū)間前后的導(dǎo)入?yún)^(qū)間P2及排出區(qū)間P3中的托盤的移送速度提供相互不同的概念。如下定義，所述照射區(qū)間Pl是指托盤20裸露在離子束照射區(qū)域40而使基板進(jìn)行離子注入的區(qū)間，導(dǎo)入?yún)^(qū)間P2是指托盤20到達(dá)離子束照射區(qū)域40前的區(qū)間，排出區(qū)間P3是指完成離子注入處理的托盤20離開離子束照射區(qū)域40后的區(qū)間。所述區(qū)間作為，指可以準(zhǔn)確地安置托盤20的兩側(cè)的限界區(qū)域，例如圖6所示，托盤20向兩側(cè)形成規(guī)定的長度并從左側(cè)向右側(cè)前進(jìn)時(shí)，托盤20的右側(cè)端部開始從離子束照射區(qū)域40的左側(cè)導(dǎo)入時(shí)，離子束開始向基板10照射，托盤20向右側(cè)移送并在托盤20的左側(cè)端部開始從離子照射區(qū)域40的右側(cè)離開時(shí)，可視為一個(gè)托盤20的離子束的照射完成。如圖6所示，工序室100的水平方向的長度大約與三個(gè)托盤20的長度對(duì)應(yīng)，但工序室100的長度可以根據(jù)選擇，構(gòu)成比此長度長或短的長度。此外，所述導(dǎo)入?yún)^(qū)間P2可視為從裝載鎖定模塊2、工序室100的外部或工序室100內(nèi)部，到托盤20移送到其右側(cè)端部導(dǎo)入到離子束照射區(qū)域40的左側(cè)之前為止的區(qū)間，排出空間P3可視為，完成離子注入工序的托盤20的左側(cè)端部離開離子束照射區(qū)域40的右側(cè)后，到在工序室100內(nèi)部移動(dòng)的區(qū)間、卸載裝載模塊3或到工序室100外部為止的區(qū)間。如圖所示，托盤20通過第一閘閥111完畢后隨即開始離子的注入，離子的注入完畢后，托盤20為了通過第二閘閥112，隨即處于待機(jī)狀態(tài)。只是，所述工序室100的水平方向長度長于圖6的例子時(shí)，通過第一閘閥111的托盤20在照射區(qū)間Pl的移送開始前，還會(huì)再發(fā)生移送區(qū)域，完成照射區(qū)間Pl移送的托盤20在隨即導(dǎo)入第二閘閥112前，還可以再移送一定距離。因此，根據(jù)所述工序室100的長度，導(dǎo)入?yún)^(qū)間Pl與排出區(qū)間P2的距離可以為多樣的構(gòu)成。圖6所示的事項(xiàng)中，所述區(qū)間存在著部分交叉的區(qū)域。只是，遵循如上所述定義時(shí)，導(dǎo)入?yún)^(qū)間P2的結(jié)束點(diǎn)可視為托盤20的右側(cè)端部所安置的部位，照射區(qū)間Pl的開始點(diǎn)可視為托盤20的左側(cè)端部所安置的部位，因此需要留意托盤20的特定部分實(shí)際上是在導(dǎo)入?yún)^(qū)間P2、照射區(qū)間Pl及派出去見P3上依次移動(dòng)的。本發(fā)明的概念中，照射區(qū)間Pl中的托盤20的移送速度與導(dǎo)入?yún)^(qū)間P2及排出區(qū)間 P3中的托盤20的移送速度是以不同的速度構(gòu)成的，因此具有可以適當(dāng)?shù)剡x擇適合各個(gè)區(qū)間的盡可能快的速度，由此來整體性地加快基板處理工序的速度的優(yōu)點(diǎn)。所述導(dǎo)入?yún)^(qū)間P2及排出區(qū)間P3中的托盤20的移送速度優(yōu)選為快于照射區(qū)間中的托盤20的移送速度。此外，所述導(dǎo)入?yún)^(qū)間P2與排出區(qū)間P3中的托盤20的移送速度可以由相同的速度構(gòu)成，但是追加實(shí)行離子注入工序的前處理工序或后處理工序時(shí)，導(dǎo)入?yún)^(qū)間P2與排出區(qū)間P3的托盤20的移送速度固然可以使不同的。根據(jù)本發(fā)明的基板處理裝置包括驅(qū)動(dòng)部50，來驅(qū)動(dòng)移送部31。圖7與圖8是圖示安置這種驅(qū)動(dòng)部的基板處理裝置的實(shí)施例，圖7中圖示安置一個(gè)驅(qū)動(dòng)部50的例子。所述移送部31可以為通過驅(qū)動(dòng)部50，移送托盤20通過導(dǎo)入?yún)^(qū)間P2、照射區(qū)間Pl及排出區(qū)間P3的裝置。所述移送部31可以為相互聯(lián)動(dòng)的多個(gè)滾動(dòng)，也可以為輸送帶形象構(gòu)成，只要是可以依次輸送托盤20的裝置，固然可以選擇性地構(gòu)成。此外，可以再安置連接部件60，來傳達(dá)驅(qū)動(dòng)部50與移送部31之間的驅(qū)動(dòng)動(dòng)力，所述連接部件60可以選擇性地使用皮帶輪、鏈條、出論等多種動(dòng)力傳達(dá)裝置。此外，所述驅(qū)動(dòng)部50可以選擇性地使用引擎或點(diǎn)擊等多種動(dòng)力提供裝置。本發(fā)明中，因?yàn)樵诟鱾€(gè)區(qū)間的托盤20的移送速度不同，以單獨(dú)的移送部31進(jìn)行聯(lián)動(dòng)或移送部31作為一個(gè)裝置構(gòu)成時(shí)，所述驅(qū)動(dòng)部50可以根據(jù)托盤20的位置變化驅(qū)動(dòng)速度。具體地說，所述托盤20位于照射區(qū)間Pl時(shí)，驅(qū)動(dòng)部50可以，相比于托盤20位于導(dǎo)入?yún)^(qū)間P2或排出區(qū)間P3時(shí)相對(duì)要慢的速度來驅(qū)動(dòng)移送部31。另一方面，對(duì)根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例的基板處理裝置進(jìn)行說明，如圖8所示，可以包括，只驅(qū)動(dòng)照射區(qū)間Pl的移送部的第一驅(qū)動(dòng)部51與驅(qū)動(dòng)所述導(dǎo)入?yún)^(qū)間P2與排出區(qū)間P3的一個(gè)以上的第二驅(qū)動(dòng)部52、53。根據(jù)上述的概念，在照射區(qū)間Pl移送托盤20的第一移送部31可以為，與驅(qū)動(dòng)導(dǎo)入?yún)^(qū)間P2與排出區(qū)間P3的第二移送部31獨(dú)立的構(gòu)成。因此，為了使所述第一移送部31以更慢的速度移送托盤20，可以獨(dú)立控制第一驅(qū)動(dòng)部51。此外，所述移送部在所述導(dǎo)入?yún)^(qū)間P2與排出區(qū)間P3中可以分別獨(dú)立構(gòu)成，為了移送托盤20到導(dǎo)入?yún)^(qū)間P2中，可以由第二移送部32與第三移送部33構(gòu)成。所述第二移送部32與第三移送部33分別由獨(dú)立控制的第二驅(qū)動(dòng)部52與第三驅(qū)動(dòng)部驅(qū)53進(jìn)行驅(qū)動(dòng)，因此，所述第二移送部32與第三移送部33可以由相互不同的速度移送托盤20。所述裝在鎖定模塊2及/或卸載鎖定模塊3在其內(nèi)部可以具備獨(dú)立的移送部(未圖示參照號(hào))，第二驅(qū)動(dòng)部52、53可以與驅(qū)動(dòng)裝載鎖定模塊2或卸載鎖定模塊3內(nèi)的移送部的第三驅(qū)動(dòng)部同步進(jìn)行驅(qū)動(dòng)。固然，所述第三驅(qū)動(dòng)部可以被省略掉，并由第二驅(qū)動(dòng)部52、53—同驅(qū)動(dòng)裝載鎖定模塊2或卸載鎖定模塊3內(nèi)的移送部。此外，根據(jù)本發(fā)明的基板處理裝置，作為安置有基板10的托盤20向內(nèi)部移送并進(jìn) 行離子束照射的基板處理裝置可以為，在離子束可以照射到基本10的區(qū)間中的托盤20的移送速度至少比在部分離子束照射不到的區(qū)間中的托盤20移送速度慢的構(gòu)成。作為另一種說明，本發(fā)明提供一種基板處理裝置，包括工序室100 ;離子束照射部300，在工序室100內(nèi)部形成離子束照射區(qū)域40 ;移送部31，移送安置有一個(gè)以上基板的托盤20通過離子束照射區(qū)域，使離子束照射到基板上，移送部31，在托盤20鄰接到離子束照射區(qū)域40時(shí)，為了進(jìn)行工序處理將托盤的移送速度減速到設(shè)定好的移送速度；在托盤20離開離子束照射區(qū)域40時(shí)，加速托盤的移送速度。將所述托盤20的先排出的位置定義為一側(cè)時(shí)，托盤20的一端副側(cè)鄰接到離子束照射區(qū)域40的另一側(cè)時(shí)，可視為托盤鄰接于離子束照射區(qū)域40 ;托盤20的另一端副側(cè)從離子束照射區(qū)域40的一側(cè)離開時(shí)，可視為脫離。所述托盤20鄰接或脫離離子束照射區(qū)域40可以為，托盤20的一端部或另一端部相接、接近于離子束照射區(qū)域40或，或位于離子束照射區(qū)域內(nèi)部的情況之一。為了所述工序處理而設(shè)定的移送速度是指離子束效率性地照射到基板上進(jìn)行工序處理的速度，所述速度優(yōu)選設(shè)定為可進(jìn)行工序處理的最大速度。只是，所述速度可以設(shè)定為多樣的速度。所述移送部31為了使托盤向內(nèi)部移送的整體速度最大化，在離子束照射區(qū)域40中除了工序處理以外其他的區(qū)間中以最大限度的移送速度來驅(qū)動(dòng)，在工序處理開始的點(diǎn)上開始減速為所述設(shè)定的速度，在工序處理結(jié)束的點(diǎn)上加速到最大限度的移送速度。以下，參照?qǐng)D9對(duì)包括如上所述基板處理裝置的基盤處理方法進(jìn)行更加具體地說明。根據(jù)本發(fā)明的基板處理方法，基本包括如下所述步驟托盤20以第一速度，從裝載鎖定模塊2移送到工序室100內(nèi)的導(dǎo)入步驟；托盤20以第二速度，在工序室100內(nèi)部通過離子束照射區(qū)域40的照射步驟；托盤20以第三速度，從工序室100移送到卸載鎖定模塊3內(nèi)的排出步驟。如上所述，第二速度是指在托盤20上安置的基板10上執(zhí)行離子束照射的區(qū)間中的托盤20的速度，所述第二速度優(yōu)選快于第一速度及第三速度。此外，如上所述，還包括第一緩沖模塊，位于所述裝載鎖定模塊2與工序室100之間，臨時(shí)儲(chǔ)存托盤20并將內(nèi)部壓力維持在大氣壓與工序鑲100的工序壓之間的壓力；與第二緩沖模塊，位于工序室100與所述卸載鎖定模塊3之間，臨時(shí)儲(chǔ)存托盤20并將內(nèi)部壓力維持在大氣壓與工序鑲100的工序壓之間的壓力時(shí)，導(dǎo)入步驟中，托盤20以第一速度，從裝載鎖定模塊2通過第一緩沖模塊移送到所述工序室100內(nèi)；所述排出步驟中托盤20以第三速度，從所述工序室100通過第二緩沖模塊移送到卸載模塊3內(nèi)。托盤20在所述第一緩沖模塊內(nèi)部與第二緩沖模塊內(nèi)部，在閘門的開閉過程中會(huì)存在停止的情況，但所述第一速度及第三速度是指托盤20的移送進(jìn)行時(shí)候的速度。所述導(dǎo)入步驟與排出步驟中的托盤20的移送速度，可以根據(jù)基板的前處理或后處理工序而進(jìn)行相互不同的設(shè)定。此外，所述基板處理方法中，可以同時(shí)又兩個(gè)以上的基板依次前進(jìn)并進(jìn)行基板處
理工程，所述托盤20位于裝載鎖定模塊2內(nèi)部，其他托盤20完成了照射工序并位于工序室100內(nèi)部(圖9的a)時(shí)，第一閘閥111與第二閘閥112會(huì)一同開放來同時(shí)執(zhí)行托盤20的 導(dǎo)入步驟與其他托盤20的排出步驟(圖9的b)。此外，托盤20會(huì)移動(dòng)通過照射區(qū)間Pl來執(zhí)行照射步驟(圖9的C)。所述托盤20的照射步驟完成后，為了使其他托盤(未圖示)執(zhí)行向裝載鎖定模塊2內(nèi)部的導(dǎo)入步驟，可以通過待機(jī)的工序來執(zhí)行一連的基板工序。因?yàn)榭梢匀我獬潭鹊丶涌煸O(shè)定照射步驟(圖9的c)以外的托盤20的移送速度，通過根據(jù)本發(fā)明的基板處理方法可以最大限度地節(jié)省時(shí)間的損失，因此具有增加基板處理工序的整體工序效率的優(yōu)點(diǎn)。作為另一說明，本發(fā)明提供一種基板處理方法，作為基板10通過離子束照射區(qū)域40并進(jìn)行工序處理的基板處理方法，其步驟包括托盤20鄰接于離子束照射區(qū)域40時(shí)，對(duì)托盤20的移送速度進(jìn)行減速的步驟；將托盤20的移送速度維持在所設(shè)定的移送速度上，來進(jìn)行工序處理；托盤20從離子束照射區(qū)域40脫離時(shí)，對(duì)托盤20的移送速度進(jìn)行加速的步驟。以上僅為根據(jù)本發(fā)明可實(shí)現(xiàn)的優(yōu)選實(shí)施例的一部分進(jìn)行的說明，眾所周知，本發(fā)明的范圍應(yīng)當(dāng)解釋為不限于上述實(shí)施例，本發(fā)明的范圍應(yīng)當(dāng)解釋為包括上述說明的本發(fā)明的技術(shù)性思想及其要旨相關(guān)的技術(shù)性思想。
權(quán)利要求
1.一種基板處理裝置，其特征在于，包括 工序室，設(shè)置有移送路徑來移送安置有一個(gè)以上基板的托盤； 一個(gè)以上的離子束照射部，對(duì)根據(jù)所述移送路徑移送過來的基板照射離子束。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的基板處理裝置，其特征在于， 所述離子束照射部包括根據(jù)所述路徑依次安置的第一離子束照射部及第二離子束照射部； 所述第二離子束照射部設(shè)置有具有一個(gè)以上開放部的掩模，來使基板表面的部分區(qū)域照射到離子。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的基板處理裝置，其特征在于， 所述第一離子束照射部及所述第二離子束照射部照射同種的離子束。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的基板處理裝置，其特征在于， 所述第一離子束照射部及所述第二離子束照射部照射相互不同種的離子束。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的基板處理裝置，其特征在于， 所述第一離子束照射部上追加設(shè)置有不重疊或至少一部分不重疊于，設(shè)置于所述第二離子束照射部的掩模開口部的形成一個(gè)以上開口部的掩模， 所述第一離子束照射部及所述第二離子束照射部照射相互不同種的離子束。
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的基板處理裝置，其特征在于， 所述移送路徑上，以托盤的移送方向?yàn)榛鶞?zhǔn)，安置基板的托盤長度設(shè)為L時(shí)， 所述第一離子束照射部的離子束照射區(qū)域會(huì)與所述第二離子束照射部的離子束照射區(qū)域相隔大于L的距離進(jìn)行定位。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的基板處理裝置，其特征在于， 所述工序室中，在所述移送路徑的一端形成導(dǎo)入托盤的第一閘門，在所述移送路徑的另一端形成排出托盤的第二閘門， 所述第一離子束照射部及所述第二離子束照射部中的任意一個(gè)的離子束照射區(qū)域會(huì)與所述第一閘門、剩下一個(gè)的離子束照射區(qū)域會(huì)與所述第二閘門具有大于L的距離。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的基板處理裝置，其特征在于， 所述工序室中，會(huì)在所述移送路徑的一端形成導(dǎo)入托盤的第一閘門，在所述移送路徑的另一端形成排出托盤的第二閘門， 所述第一離子束照射部及所述第二離子束照射部中，分別與所述第一閘門及所述第二閘門最近的各離子束照射區(qū)域，分別位于鄰接于所述第一閘門及所述第二閘門的位置。
9.根據(jù)權(quán)利要求I所述的基板處理裝置，其特征在于， 所述通過離子束照射區(qū)域的托盤的移送速度由，與所述導(dǎo)入到工序室或所述從工序室排出的托盤的移送速度不同的速度構(gòu)成。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的基板處理裝置，其特征在于， 所述導(dǎo)入到工序室或所述從工序室排出的托盤的移送速度由，比所述通過離子束照射區(qū)域的托盤的移送速度更快的速度構(gòu)成。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的基板處理裝置，其特征在于， 所述基板處理裝置包括驅(qū)動(dòng)所述移送部的一個(gè)驅(qū)動(dòng)部， 所述驅(qū)動(dòng)部將所述通過離子束照射區(qū)域的托盤的移送速度與所述導(dǎo)入到工序室或所述從工序室排出的托盤的移送速度控制成不同的速度。
12.根據(jù)權(quán)利要求9所述的基板處理裝置，其特征在于，包括 移送托盤通過所述離子束照射區(qū)域的第一驅(qū)動(dòng)部；與 移送導(dǎo)入到所述工序室或從所述工序室排出的托盤的一個(gè)以上的第二驅(qū)動(dòng)部。
13.根據(jù)權(quán)利要求I所述的基板處理裝置，其特征在于， 基板上照射得到離子束的區(qū)間上的所述托盤的移送速度由比至少在部分照射不到離子束區(qū)間上的所述托盤的移送速度慢的速度構(gòu)成。
14.一種基板處理系統(tǒng),包括 工序模塊，包括根據(jù)權(quán)利要求I之13中的任意一項(xiàng)的基板處理裝置； 裝載裝載鎖定模塊，結(jié)合于所述工序模塊的一側(cè)，內(nèi)部壓力以大氣壓及真空壓交替轉(zhuǎn)換來從外部接收安置一個(gè)以上基板的托盤，并將托盤傳達(dá)到所述工序模塊中； 卸載鎖定模塊，結(jié)合于所述工序模塊的另一側(cè)，內(nèi)部壓力以大氣壓及真空壓交替轉(zhuǎn)換來從所述工序模塊接收托盤并向外部排出。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的基板處理系統(tǒng)，其特征在于， 追加設(shè)置熱處理模塊，結(jié)合于所述卸載鎖定模塊，對(duì)從所述卸載鎖定模塊傳達(dá)過來的托盤上的基板進(jìn)行熱處理。
16.根據(jù)權(quán)利要求14所述的基板處理系統(tǒng)，其特征在于， 追加設(shè)置第一緩沖模塊及第二緩沖模塊，分別在所述裝載鎖定模塊與所述工序模塊間、所述工序模塊與所述卸載鎖定模塊間，臨時(shí)儲(chǔ)存移送過來的托盤并使內(nèi)部壓力維持在大氣壓與所述工序模塊的工序壓之間的壓力。
全文摘要
本發(fā)明是關(guān)于基板處理裝置，更詳細(xì)地說是關(guān)于向基板照射離子束來執(zhí)行基板處理的基板處理裝置，與具有其的基本處理系統(tǒng)。本發(fā)明公開的基板處理裝置，其特征在于包括工序室，設(shè)置有移送路徑來移送安置有一個(gè)以上基板的托盤；一個(gè)以上的離子束照射部，對(duì)根據(jù)所述移送路徑移送過來的基板照射離子束。
文檔編號(hào)H01L21/67GK102969214SQ20121031055
公開日2013年3月13日 申請(qǐng)日期2012年8月28日 優(yōu)先權(quán)日2011年8月31日
發(fā)明者張錫弼, 魏奎镕, 金亨俊, 白春金, 樸海允 申請(qǐng)人:圓益Ips股份有限公司