專利名稱：：發(fā)光器件封裝件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及發(fā)光器件封裝件。
背景技術(shù)：
：發(fā)光二極管(LED)是一種在對其施加電流時能夠根據(jù)P型和η型半導(dǎo)體結(jié)中發(fā)生的電子空穴復(fù)合來產(chǎn)生各種顏色的光的半導(dǎo)體器件，發(fā)光二極管是環(huán)保的、具有幾納秒范圍內(nèi)的快速響應(yīng)時間從而在顯示視頻信號流方面十分高效、并且可脈沖驅(qū)動。并且，為了提高器件響應(yīng)能力和發(fā)光強度分布，并且提供高水平的可靠性，可以通過將LED安裝在封裝件主體中的封裝形式來構(gòu)造LED。一些LED封裝件被制造成在發(fā)光表面?zhèn)忍峁┯型哥R，并且這樣的透鏡用于聚集或發(fā)散從LED發(fā)射的光。在相關(guān)技術(shù)中，由于易于制造，已經(jīng)普遍使用具有平坦底平面和凸出上部的穹頂型透鏡。然而，穹頂型透鏡具有這樣的問題，其中將LED與引線框電連接的電線會由于透鏡的膨脹和收縮而被切斷。同時，最近，順應(yīng)封裝件尺寸縮小的趨勢，已經(jīng)廣泛使用了其反射器向封裝件內(nèi)部突起的平坦型透鏡，其結(jié)構(gòu)允許在表面安裝技術(shù)(SMT)工藝期間容易地拾取透鏡。拾取是指在將透鏡耦接到封裝件主體的工藝期間通過使用拾取裝置來將透鏡安裝在封裝件主體上，并且在這時，發(fā)生了由于對器件施加一定幅度壓力而造成的透鏡被向下按壓的現(xiàn)象。這是因為透鏡通常由諸如硅等不具有高硬度的樹脂制成，所以它們?nèi)菀鬃冃尾⑶沂且浊?，并且在封裝件主體與透鏡之間的接觸面積不大。因此，當(dāng)在拾取工藝期間透鏡被向下按壓時，將封裝件的LED電連接到引線框的電線會被透鏡反射器的下部按壓并且被損壞或切斷，從而導(dǎo)致諸如短路之類的缺陷。
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的一個方面提供一種發(fā)光器件封裝件以及制造該發(fā)光器件封裝件的方法，其能夠避免由于在將透鏡安裝在封裝件主體中的工藝中對透鏡按壓而造成的對電線的潛在損害。本發(fā)明的另一個方面提供一種發(fā)光器件封裝件，其能夠通過使得以下現(xiàn)象發(fā)生最小化來避免對電線的損害，即，電線受到通過模塑形成的透鏡或密封單元的收縮和膨脹影響。根據(jù)本發(fā)明的一個方面，提供了一種發(fā)光器件封裝件，包括:封裝件主體，其具有由側(cè)壁圍繞的芯片安裝區(qū)域；彼此間隔開的引線框，其至少一部分被定位在所述芯片安裝區(qū)域中；發(fā)光器件，其被安裝在所述芯片安裝區(qū)域上；電線，其連接所述引線框和所述發(fā)光器件；透鏡，其被布置在所述發(fā)光器件上；以及透鏡支撐單元，其被形成為高于所述芯片安裝區(qū)域中的電線并且支撐所述透鏡以使得所述透鏡不會與所述電線接觸。在所述發(fā)光器件被安裝在所述芯片安裝區(qū)域上之后，所述透鏡支撐單元可以被形成在剩余部分當(dāng)中的至少一個部分上。所述透鏡支撐單元可以具有使得所述透鏡的下端部分能夠被扣住的止動凸體。所述止動凸體可以具有半球形。所述止動凸體可以具有方柱形。所述透鏡支撐單元可以具有這樣的結(jié)構(gòu):其中所述透鏡支撐單元的至少一部分從所述側(cè)壁朝所述發(fā)光器件延伸。所述透鏡支撐單元可以具有開孔，所述開孔在所述透鏡支撐單元的一個部分中穿透所述透鏡支撐單元，所述一個部分從所述側(cè)壁延伸并且被布置在所述芯片安裝區(qū)域的上部空間中。多個透鏡支撐單元中的至少一個透鏡支撐單元可以從一個側(cè)壁延伸并且跨越所述芯片安裝區(qū)域以連接到另一側(cè)壁。多個透鏡支撐單元可以在所述芯片安裝區(qū)域中相互交叉。所述透鏡支撐單元的下表面可以被定位成高于所述電線。所述側(cè)壁可以具有至少一個支撐凸體，并且所述透鏡可以具有形成在其外周上的并且由所述支撐凸體支撐的至少一個水平突起。所述側(cè)壁可以具有形成在其上邊緣中的至少一個凹口，并且所述透鏡可以具有形成在其上邊緣上的至少一個插入突出物，使得所述插入突出物對應(yīng)于所述側(cè)壁中的所述凹□。所述封裝件主體可以包括形成在所述側(cè)壁的內(nèi)側(cè)上的支撐凸體并且在所述支撐凸體的內(nèi)側(cè)處具有所述芯片安裝區(qū)域的凹陷部分，其中所述凹陷部分可以被形成為具有所述電線不會從該凹陷部分向上突出的深度，并且所述支撐凸體的上表面可以被定位成高于所述電線。所述透鏡支撐單元的一部分可以被固定地放置在所述支撐凸體上，并且其他剩余部分可以被放置在所述凹陷部分之上并且布置在所述芯片安裝區(qū)域上方。所述透鏡支撐單元的下表面可以與所述支撐凸體的上表面共面。所述發(fā)光器件封裝件還可以包括密封單元，所述密封單元填充所述凹陷部分以密封所述發(fā)光器件和所述電線。所述密封單元可以包含至少一種類型的熒光劑。所述透鏡可以被形成為使其上表面平坦并且使其下部凸出。所述透鏡可以被形成為使其下表面平坦。所述透鏡可以被形成為使其下表面具有菲涅耳(Fresnel)透鏡形狀。根據(jù)本發(fā)明另一方面，提供了一種制造發(fā)光器件封裝件的方法，包括:通過形成側(cè)壁以在其中具有芯片安裝區(qū)域來制備封裝件主體、形成與所述芯片安裝區(qū)域相鄰的透鏡支撐單元、并且安裝第一引線框和第二引線框以使得它們彼此分隔開，所述第一引線框和第二引線框的至少一部分被定位在所述芯片安裝區(qū)域中；在所述第一引線框的暴露于所述芯片安裝區(qū)域的區(qū)域上安裝發(fā)光器件；通過電線連接所述第二引線框和所述發(fā)光器件；在所述透鏡支撐單元上安裝透鏡以使得所述透鏡不會與所述電線接觸，其中所述透鏡支撐單元被形成為高于所述電線。所述透鏡支撐單元可以具有使得所述透鏡的下端部分能夠被扣住的止動凸體?？梢酝ㄟ^使用所述透鏡支撐單元作為頂出針(ejectpin)支撐單元來將封裝件主體從模具分離從而被制造出來。可以通過調(diào)節(jié)所述透鏡支撐單元的高度來調(diào)節(jié)所述發(fā)光器件與所述透鏡的下表面之間的空間。所述透鏡可以被形成為使其上表面平坦并且使其下部凸出。所述透鏡可以被形成為使其下表面平坦。所述透鏡可以被形成為使其下表面具有菲涅耳透鏡形狀。根據(jù)本發(fā)明另一方面，提供了一種制造發(fā)光器件封裝件的方法，包括:通過形成凹陷部分以在其中提供芯片安裝區(qū)域來制備封裝件主體、形成支撐凸體以在其內(nèi)側(cè)處具有所述凹陷部分、形成側(cè)壁以在其內(nèi)側(cè)處具有所述支撐凸體、并且安裝第一引線框和第二引線框以使得它們彼此分隔開，所述第一引線框和第二引線框的至少一部分暴露于所述芯片安裝區(qū)域；在所述第一引線框的暴露于所述芯片安裝區(qū)域的區(qū)域上安裝發(fā)光二極管(LED);通過電線連接所述第二引線框和所述發(fā)光器件；提供透鏡支撐單元以使得其一部分被放置在所述支撐凸體上以被支撐，并且其他剩余部分被放置在所述凹陷部分之上并且布置在所述芯片安裝區(qū)域上方；以及在所述支撐凸體和所述透鏡支撐單元上提供透鏡，其中所述透鏡支撐單元被形成為高于所述電線。該方法還可以包括:在提供所述透鏡支撐單元之前，通過將模塑樹脂注入所述凹陷部分中來形成密封單元以便密封所述LED器件和所述電線。所述透鏡支撐單元的下表面可以與所述支撐凸體的上表面共面。通過以下結(jié)合附圖的詳細(xì)描述，將會更清楚地理解本發(fā)明的上述和其他方面、特征以及其他優(yōu)點，其中:圖1是示意性示出了根據(jù)本發(fā)明一個實施例的發(fā)光器件封裝件的橫截面圖；圖2是圖1的平面圖；圖3是示意性示出了根據(jù)本發(fā)明另一實施例的發(fā)光器件封裝件的橫截面圖；圖4是圖3的透鏡支撐單元的放大透視圖；圖5是示意性示出了其中根據(jù)本發(fā)明另一實施例的發(fā)光器件封裝件的封裝件主體與透鏡分離的狀態(tài)的分解透視圖；圖6是圖5的側(cè)截面圖；圖7是示意性示出了根據(jù)本發(fā)明另一實施例的發(fā)光器件封裝件的透視圖；圖8是圖7的截面圖；圖9A和圖9B是圖7中的透鏡支撐單元的放大透視圖和放大橫截面圖；圖10是示意性示出了在圖7的發(fā)光器件封裝件中的透鏡支撐單元的另一示例的透視圖；圖11至圖14是示意性示出了制造圖7的發(fā)光器件封裝件的順序工藝的示圖；圖15是示意性示出了根據(jù)本發(fā)明一個實施例的發(fā)光二極管(LED)的橫截面圖；圖16是示意性示出了能夠用在圖15的LED器件中的LED芯片的一個示例的橫截面圖；圖17是示意性示出了根據(jù)本發(fā)明另一實施例的LED器件的橫截面圖；圖18是示意性示出了能夠用在圖17的LED器件中的LED芯片的一個示例的橫截面圖；圖19是示出了采用圖18的LED芯片的LED器件的橫截面圖；圖20是示意性示出了根據(jù)本發(fā)明另一實施例的LED器件的橫截面圖；圖21是示意性示出了其中圖19的LED器件安裝在引線框上的結(jié)構(gòu)的橫截面圖；圖22和圖23是用于說明形成本發(fā)明一個實施例中可以采用的波長轉(zhuǎn)換膜的方法的透視圖；圖24和圖25是示意性示出了制造根據(jù)本發(fā)明另一實施例的LED器件的方法的順序工藝的不圖；圖26A和圖26B是示意性示出了根據(jù)圖24和圖25的方法制造的LED器件的示圖；圖27A至圖27F是示意性示出了制造根據(jù)本發(fā)明另一實施例的LED器件的順序工藝的示圖；圖28A至圖28F是示意性示出了制造根據(jù)本發(fā)明另一實施例的LED器件的順序工藝的示圖；圖29A和圖29B是示意性示出了其中根據(jù)圖27和圖28的工藝制造的LED器件被安裝在引線框上的狀態(tài)的示圖；圖30A至圖30E是示意性示出了制造根據(jù)本發(fā)明另一實施例的LED器件的順序工藝的示圖；以及圖31是示意性示出了其中根據(jù)圖30的工藝制造的LED器件被安裝在引線框上的狀態(tài)的示圖。具體實施例方式現(xiàn)在將參照附圖詳細(xì)描述本發(fā)明的實施例。然而，本發(fā)明可以按照許多不同形式具體實現(xiàn)，并且不應(yīng)當(dāng)理解為限制于本文所述的實施例。相反，提供這些實施例是為了使得本公開是透徹和完整的，并且將向本領(lǐng)域技術(shù)人員完整傳達(dá)本發(fā)明的范圍。在附圖中，為了清楚起見會夸大元件的形狀和尺寸，并且將會使用相同附圖標(biāo)記來始終表示相同或相似的部件。將參照圖1和圖2描述根據(jù)本發(fā)明一個實施例的發(fā)光器件封裝件。圖1是示意性示出了根據(jù)本發(fā)明一個實施例的發(fā)光器件封裝件的橫截面圖，圖2是圖1的平面圖。根據(jù)本發(fā)明的發(fā)光器件封裝件I可以包括具有凹陷部分14(其中包括芯片安裝區(qū)域16)的封裝件主體10、具有暴露于芯片安裝區(qū)域16的部分的引線框30、作為被安裝在引線框30的暴露于芯片安裝區(qū)域16的區(qū)域上的發(fā)光二極管(LED)的LED器件100、將引線框30和LED器件100電連接的電線50、以及在LED器件100上方布置在凹陷部分14中的透鏡20。在封裝件主體10中，透鏡支撐單元11被提供在將LED器件100安裝在凹陷部分14的芯片安裝區(qū)域16中之后的剩余部分處，使得透鏡支撐單元11被形成為高于電線50以便支撐透鏡20的下端部分。在本實施例中，透鏡支撐單元11示出為從封裝件主體10的壁體延伸(稍后將對其進(jìn)行描述)，但是，如果必要的話，可以將透鏡支撐單元11形成為與壁體分離。S卩，透鏡支撐單元11形成為高于電線50以支撐從透鏡20的下部突出的反射區(qū)域的下端，從而即使在拾取裝置按壓透鏡20的情況下也能防止電線50被透鏡的下端部分按壓。封裝件主體10可以由諸如塑料、硅、陶瓷樹脂等絕緣材料制成，其具有優(yōu)良散熱性能和光反射性以及防止電短路的絕緣特性。優(yōu)選地，封裝件主體10可以具有包括透明樹脂和散布于透明樹脂中的光反射粒子(例如，TiO2)的結(jié)構(gòu)。然而，用來制造封裝件主體10的材料并不特別限制于此。并且，封裝件主體10可以具有形成在其周圍的垂直側(cè)壁15，從而形成凹陷部分14。側(cè)壁15可以具有反射層(未示出)，該反射層將從LED器件100輸出的光向布置在其上部的透鏡20反射，以便使得光損失最小化?？梢酝ㄟ^以下方式來形成反射層，即，在側(cè)壁15的內(nèi)表面上涂敷諸如Ag、N1、Al、Rh、Pd、Ir、Ru、Mg、Zn、Pt、Au中的至少一種高反射性材料或者它們的混合物，或者在側(cè)壁15的內(nèi)表面上附著由上述材料中的一種或者上述材料中的兩種或更多種的混合物制造的反射片。引線框30可以包括多個引線框:第一引線框31和第二引線框32。第一引線框31和第二引線框32可以由例如金(Au)、銀(Ag)、銅(Cu)等具有優(yōu)良電導(dǎo)率和導(dǎo)熱屬性的材料制成，并且可以布置到封裝件主體10的左邊和右邊，使得第一引線框31和第二引線框32彼此分隔開。第一引線框31和第二引線框32各自的一端可以成為電連接到LED器件100的引線，并且它們與襯底(未示出)的例如電路圖案等接觸的另一端可以電連接到電路圖案以便成為作為接合區(qū)域的底部單元，接合區(qū)域被提供為施加外部電信號的表面安裝區(qū)域。在該情況下，第一引線框31和第二引線框32的下表面的一部分可以從封裝件主體10的下部暴露以便被提供為表面安裝區(qū)域的接合區(qū)域。LED器件100是二極管，其包括諸如p-n、n-p_n等結(jié)結(jié)構(gòu)，并且當(dāng)注入的電子或空穴復(fù)合時發(fā)光。在本實施例中，LED器件范圍內(nèi)的一種LED器件，諸如紅色LED器件、綠色LED器件、藍(lán)色LED器件、白色LED器件、黃色LED器件或者UVLED器件，都可以用作LED器件100。在本實施例中，示出了LED器件100安裝在第一引線框31上，但是，如果必要的話，可以將兩個或更多LED器件100安裝在單個芯片安裝區(qū)域16上以便增強亮度。并且，在本實施例中，LED器件100在被安裝到第一引線框31上時是直接電連接到第一引線框31上的，并且通過電線50連接到第二引線框32，但是用于連接LED器件100和引線框30的連接方法不限于此，并且可以進(jìn)行各種修改。例如，根據(jù)一個實施例，LED器件100可以通過電線電連接到第一引線框31。下面將詳細(xì)描述LED器件100。本實施例中采用的透鏡20可以由透明或半透明材料制成，優(yōu)選地由諸如硅、環(huán)氧樹脂等樹脂制成，以便使得來自LED器件100的光能夠向上發(fā)射。對于透鏡20的形狀，透鏡20可以被構(gòu)成為所謂平頂透鏡，其具有帶有平坦上表面的反射部分和凸出下部。這里，透鏡20可以包括對從LED器件100的上方表面輸出的光進(jìn)行控制的折射表面24和對從LED器件100的側(cè)面輸出的光進(jìn)行控制的全反射表面25。折射表面24可以具有平坦或凸出的下表面，用來控制來自LED器件100的光以一定角度折射從而反射到輸出表面。在該情況下，折射表面24的下表面可以具有允許光進(jìn)一步會聚在輸出表面上的菲涅耳透鏡形狀。全反射表面25可以形成為曲面的或者非曲面的。當(dāng)全反射表面25優(yōu)選地形成為曲面的時，其形成為具有錐形表面或非球形表面。全反射表面25可以控制從LED器件100的側(cè)面輸出的光，使其被全反射從而將輸出的光會聚到向前的方向上。透鏡20包括至少一個形成在其外周表面上的并且具有至少一個平坦表面的水平突起22。水平突起22被安裝在形成于封裝件主體10的側(cè)壁的內(nèi)側(cè)上的每個支撐凸體12上，并且通過使用粘合劑等被耦接到封裝件主體10。然而，用于耦接透鏡20和封裝件主體10的耦接方法并不限于這種接合方法，并且可以根據(jù)封裝件主體10和透鏡20的形狀和尺寸進(jìn)行各種修改。同時，確定包括透鏡20在內(nèi)的發(fā)光器件封裝件I的光學(xué)特性的關(guān)鍵因素之一是發(fā)光的LED器件100與產(chǎn)生光折射的透鏡20之間的間隔，即氣隙。對于氣隙而言，通過實驗方式來確定最佳間隔，以便以一定發(fā)射角度發(fā)射照射到外部的光，從而對發(fā)光效率進(jìn)行優(yōu)化。因此，為了使得從LED器件100輸出的前方和側(cè)方的光的效率最大化，在LED器件100與透鏡10的折射表面24的空間高度之間要求適當(dāng)?shù)臍庀堕g隔。原因在于，如果氣隙太小，則使得從LED器件100的側(cè)面輸出的光入射到折射表面，從而入射到輸出表面的外部，增大了光損失，因此在設(shè)計發(fā)光器件封裝件I時氣隙的數(shù)值應(yīng)當(dāng)保持為或者不應(yīng)減小到小于至少適當(dāng)?shù)卣宫F(xiàn)產(chǎn)品的光學(xué)特性。然而，在這方面，當(dāng)將透鏡20和封裝件主體10耦接的工藝期間拾取裝置按壓透鏡20時，確定的氣隙數(shù)值被按壓數(shù)值改變，從而導(dǎo)致發(fā)光器件封裝件I的光學(xué)特性變得與設(shè)計時的發(fā)光器件封裝件I的光學(xué)特性不同。然而，在本實施例中，由于將透鏡支撐單元11形成為高于電線50以支撐從透鏡20的下部突出的反射器的下端，因此，即使在拾取裝置按壓透鏡20的情況下，透鏡20的折射表面24與LED器件100之間的氣隙也可以始終保持。S卩，在本實施例中，透鏡支撐單元11防止透鏡20被拾取裝置按壓，從而防止了LED器件100與透鏡20之間的氣隙改變，因此保持了在設(shè)計發(fā)光器件封裝件I時所確定的光學(xué)特性。同時，在本實施例中，可以在封裝件主體10的存在透鏡支撐單元11的凹陷部分14中提供芯片安裝區(qū)域16作為下凹進(jìn)部分，并且可以在芯片安裝區(qū)域16上形成覆蓋LED器件100的密封單元(未示出)以保護LED器件100并且實現(xiàn)LED器件100的材料與外部之間的折射率匹配，從而增強外部光提取效率?？梢酝ㄟ^施加諸如硅或環(huán)氧樹脂之類的半透明樹脂來形成密封單元。并且，密封單元可以包括熒光劑來將從LED器件100發(fā)射的光的顏色轉(zhuǎn)換為各種顏色。并且，密封單元可以包括量子點。參照圖3和圖4，在透鏡支撐單元11的一種改型中，止動凸體IIa可以形成為向上突出，以使得透鏡20的下端部分被透鏡支撐單元11的端部扣住以固定透鏡20的位置(SP，垂直方向上的位置)。這里，止動凸體Ila可以具有半球形、方柱形等，并且可以形成為沿著透鏡20的下端部分的外周表面延伸。這里，止動凸體Ila可以修改為具有任意形狀，只要其能夠支撐透鏡20的下端部分以固定透鏡20的位置即可。參考圖5和圖6，在封裝件主體10和透鏡20的一種改型中，封裝件主體10可以具有形成在側(cè)壁15的上部中的至少一個凹口(即，下陷處)13，并且透鏡20可以包括形成為從其上端平坦地突出的插入突出物，使得插入突出物對應(yīng)于凹口13。因此，在使用拾取裝置(未示出)將透鏡20耦接到封裝件主體10時，插入突出物23被插入凹口13中以精確地設(shè)定透鏡20的前、后、左和右位置，從而限制其活動。S卩，可以根據(jù)耦接的透鏡20和封裝件主體10的位置來改變光學(xué)特性，并且在該情況下，由于透鏡20和封裝件主體10在X、y、和z軸上的位置是固定的，并且通過插入突出物23和凹口13的耦接結(jié)構(gòu)來進(jìn)行制造，因此在制造發(fā)光器件封裝件I之后透鏡20能夠保持設(shè)計發(fā)光器件封裝件I時所體現(xiàn)的特性。下面將描述制造根據(jù)如上所述構(gòu)造的本發(fā)明的一個實施例的發(fā)光器件封裝件I的方法。首先，通過使用模具來制備封裝件主體10。將封裝件主體10制備成使得側(cè)壁15形成為允許在封裝件主體10的內(nèi)側(cè)形成其中包括芯片安裝區(qū)域16的凹陷部分14，并且將透鏡支撐單元11形成為高于電線50并且與凹陷部分14的芯片安裝區(qū)域16相鄰。這里，在使用平坦型透鏡的發(fā)光器件封裝件I情況下，其大多用作照相機閃光燈的照明源等，并且用于該目的的LED器件僅從其上表面發(fā)光，因此，透鏡支撐單元11的形成不會損害發(fā)光效率。并且，在制備封裝件主體10的工藝中，將第一引線框31和第二引線框32安裝在一起，使得它們彼此分隔開并且它們的至少部分暴露于芯片安裝區(qū)域16。將LED器件100安裝在第一引線框31的暴露于芯片安裝區(qū)域16的區(qū)域上，并且通過電線50將第二引線框32與LED器件100電連接。此后，通過使用拾取裝置(未示出)將透鏡20安裝在LED器件100的上方。此時，透鏡20的水平突起22由側(cè)壁15的支撐凸體12的外周表面來支撐，并且透鏡20的下端部分由透鏡支撐單元11支撐，從而防止了電線50受到由拾取裝置的壓力造成的透鏡20的下端部分的按壓。同時，在制備封裝件的操作中，通過使用模具中的多個空腔來制造封裝件主體10，并且在該情況下，可以使用用于推動封裝件主體10的引線框30的頂出針，以便使得封裝件主體10能夠容易地從模具分離。S卩，頂出針的使用有助于封裝件主體10從模具分離，并且隨著頂出針的尺寸增大，封裝件主體10能夠更容易地從模具分離。因此，為此，封裝件主體10中需要用于頂出針的空間，但是近來隨著封裝件尺寸已經(jīng)減小，用于這樣的頂出針的可靠空間成為問題，使得難以施加頂出針。然而，在本實施例中，透鏡支撐單元11可以用作用于頂出針的空間，從而實現(xiàn)了即使在封裝件尺寸減小的情況下封裝件主體10也能夠穩(wěn)定地從模具分離的效果。并且，通過這樣的工藝，能夠進(jìn)一步減小模具分離工藝中的缺陷率。將參照圖7至圖10描述根據(jù)本發(fā)明另一實施例的發(fā)光器件封裝件。圖7是示意性示出了根據(jù)本發(fā)明另一實施例的發(fā)光器件封裝件的透視圖。圖8是圖7的截面圖。圖9A和圖9B是圖7中的透鏡支撐單元的放大透視圖和放大橫截面圖。圖10是示意性示出了在圖7的發(fā)光器件封裝件中的透鏡支撐單元的另一示例的透視圖。參照圖7和圖8，根據(jù)本實施例的發(fā)光器件封裝件I’可以包括具有凹陷部分14’(其中包括芯片安裝區(qū)域16’)的封裝件主體10’、具有暴露于芯片安裝區(qū)域16’的部分的引線框30’、安裝在芯片安裝區(qū)域16’上的發(fā)光二極管(LED)器件100、將引線框30’和LED器件100電連接的電線50’、在LED器件100上方布置在凹陷部分14’中的透鏡20’、以及支撐透鏡20’以使得電線50’和透鏡20’不會彼此接觸的透鏡支撐單元11’。LED器件100是二極管，其包括諸如p-n、n-p-n等結(jié)結(jié)構(gòu)，并且當(dāng)注入的電子或空穴復(fù)合時發(fā)光。在本實施例中，LED器件范圍內(nèi)的一種LED器件，諸如紅色LED器件、綠色LED器件、藍(lán)色LED器件、白色LED器件、黃色LED器件或者UVLED器件，都可以用作LED器件100。后文將詳細(xì)描述LED器件100。封裝件主體10’可以由諸如塑料、硅、陶瓷樹脂等絕緣材料制成，其具有優(yōu)良散熱性能和光反射性以及防止電短路的絕緣特性。優(yōu)選地，封裝件主體10’可以具有包括透明樹脂和散布于透明樹脂中的光反射粒子(例如，TiO2)的結(jié)構(gòu)。然而，用來制造封裝件主體10’的材料并不特別限制于此。并且，封裝件主體10’可以具有提供在其周圍的垂直側(cè)壁15’，以形成支撐透鏡20’的支撐凸體12’。支撐凸體12’可以具有這樣的結(jié)構(gòu):其具有形成為在側(cè)壁15’的內(nèi)側(cè)中從側(cè)壁15’的上表面向下具有一定深度的臺階。支撐凸體12’可以具有凹陷部分14’，該凹陷部分14’形成為在支撐凸體12’的內(nèi)側(cè)從支撐凸體12’的表面下凹以具有一定深度。凹陷部分14’可以具有一個其尺寸足以容納LED器件100的空間，并且可以具有防止將LED器件100連接到引線框30’的電線50’向上突出的深度。因此，可以將具有凹陷部分14’的支撐凸體12’的上表面定位成高于電線50’。凹陷部分14’可以具有這樣的結(jié)構(gòu)，其中凹陷部分14’的內(nèi)部側(cè)表面傾斜以便將從LED器件100輸出的光朝向透鏡20’反射從而使得光損失最小化。還可以在內(nèi)部側(cè)表面上形成具有優(yōu)良光反射率的反射層(未示出)?？梢酝ㄟ^以下方式來形成反射層，S卩，在凹陷部分14’的內(nèi)表面上涂敷諸如Ag、N1、Al、Rh、Pd、Ir、Ru、Mg、Zn、Pt和Au中的至少一種高反射性材料或者它們的混合物，或者在凹陷14’的內(nèi)表面上附著由上述材料中的一種或者上述材料中的兩種或更多種的混合物制造的反射片。凹陷部分14’可以在其中心具有在其上安裝LED器件100的芯片安裝區(qū)域16’。引線框30’可以包括多個引線框:第一引線框31’和第二引線框32’。第一引線框31’和第二引線框32’可以布置在封裝件主體10’的左邊和右邊使得第一引線框31’和第二引線框32’彼此分隔開。引線框30’可以由例如金(Au)、銀(Ag)、銅(Cu)等具有優(yōu)良電導(dǎo)率和導(dǎo)熱屬性的材料制成，但引線框30’的材料不限于此。第一引線框31’和第二引線框32’的部分可以暴露于芯片安裝區(qū)域16’以成為電連接到LED器件100的引線，并且第一引線框31’和第二引線框32’的相對側(cè)部分突出到封裝件主體10’的外部，以便與例如安裝襯底(未示出)的電路圖案(未示出)等接觸并與之電連接，從而成為施加外部電信號的接合區(qū)域中的底部單元。在該情況下，第一引線框31’和第二引線框32’可以從封裝件主體10’的下部暴露，以便被提供為表面安裝區(qū)域的接合區(qū)域。在本實施例中，示出了將第一引線框31’和第二引線框32’布置為相互分隔開的一對并且彼此不相互接觸，但是本發(fā)明不限于此。即，與圖1的實施例類似，可以提供單個第一引線框31’和單個第二引線框32’，并且將它們以一定間隔布置在封裝件主體10’上的左邊和右邊。在該情況下，第一引線框31’的兩個端部以及第二引線框32’的兩個端部均突出到封裝件主體10’的外部，并且第一引線框31’和第二引線框32’的中心區(qū)域的部分暴露于芯片安裝區(qū)域16’。如圖7和圖8所示，可以在凹陷部分14’內(nèi)的芯片安裝區(qū)域16’上安裝至少一個LED器件100。具體而言，多個LED器件100被彼此間隔開地布置在第一引線框31’與第二引線框32’之間，并且可以固定地安裝在暴露于芯片安裝區(qū)域16’的散熱單元60上。散熱單元60由具有良好導(dǎo)熱性的材料制成并且包括散熱片。與引線框30’相似，散熱單元60可以暴露于封裝件主體10’的下部，從而能夠增強散熱效率?？梢酝ㄟ^作為介質(zhì)的導(dǎo)電線50’將LED器件100電連接到第一引線框31’和第二引線框32’。在本實施例中，示出了在芯片安裝區(qū)域16’上安裝和布置多個LED器件100，但是本發(fā)明不限于此，并且可以根據(jù)需要僅安裝單個LED器件100。并且，在本實施例中，散熱單元60和引線框30’彼此分隔開并且不相互接觸。然而，可以將散熱單元60整體連接到第一引線框31’和第二引線框32’中的任一個。例如，當(dāng)散熱單元60與第一引線框31’整體地形成時，LED器件100可以通過作為介質(zhì)的導(dǎo)電粘合層被物理地結(jié)合并且電連接到散熱單元60，并且可以通過電線50’被連接到第二引線框32，。至少一個透鏡支撐單元11’從側(cè)壁15’向LED器件100延伸。透鏡支撐單元11’被形成為高于芯片安裝區(qū)域16’處的電線50’。透鏡支撐單元11’支撐透鏡20’以使得透鏡20’不會在被耦接到封裝件主體10’時與電線50’接觸。如圖9A和圖9B所示，透鏡支撐單元11’的部分固定地安裝在支撐凸體12’上，并且透鏡支撐單元11’剩余的其他部分位于凹陷部分14’上并布置在芯片安裝區(qū)域16’的上部空間中。即，將透鏡支撐單元11’置于支撐凸體12’上并被支撐凸體12’支撐，因此透鏡支撐單元11’的下表面被定位成高于電線50’，從而防止由透鏡支撐單元11’支撐的透鏡20’與電線50’接觸。在該情況下，透鏡支撐單元11’的下表面可以與支撐凸體12’的上表面共面。將透鏡支撐單元11’布置在從LED器件100產(chǎn)生的光在其中進(jìn)行發(fā)射的凹陷部分14’之上，從而以便防止發(fā)光效率降低，優(yōu)選地，透鏡支撐單元11’由諸如透明塑料(透明PC)等材料制成。具體地，透鏡支撐單元11’可以具有在其位于凹陷部分14’之上的部分穿透透鏡支撐單元11’的開孔(h)。因此，盡管透鏡支撐單元11’的部分從支撐凸體12’突出到芯片安裝區(qū)域16’的上部空間，然而仍能夠通過開孔(h)暴露凹陷部分14’，從而可以使得透鏡支撐單元11’覆蓋的區(qū)域最小化，因此可以防止光提取效率降低。同時，如圖10所示，透鏡支撐單元11’可以具有這樣的結(jié)構(gòu):其中至少一個透鏡支撐單元11’從任意側(cè)壁15’的一側(cè)延伸，橫跨芯片安裝區(qū)域16’，并且連接到另一側(cè)。具體而言，透鏡支撐單元11’的兩端均固定布置在跨越凹陷部分14’的兩個相對的支撐凸體12’上，具有將透鏡支撐單元11’布置為跨越芯片安裝區(qū)域16’的上部空間的結(jié)構(gòu)?？梢詫⒍鄠€透鏡支撐單元11’布置為在芯片安裝區(qū)域16’之上相互交叉。因此，由透鏡支撐單元11’支撐的透鏡20’不會與電線50’接觸。在本實施例中，示出了將一對透鏡支撐單元11’布置為彼此面對或者布置為相互交叉，但是本發(fā)明不限于此，而是可以提供各種數(shù)量的透鏡支撐單元11’并且可以將透鏡支撐單元11’布置為具有各種結(jié)構(gòu)。將凹陷部分14’填充有透明環(huán)氧樹脂區(qū)域等，以形成密封LED器件100和電線50’的密封單元70。填充凹陷部分14’的密封單元70可以形成為使得其上表面與支撐凸體12’的上表面平行。密封單元70可以包含至少一種類型的熒光劑。在該情況下，密封單元70中包含的熒光劑可以與LED器件100中形成的波長轉(zhuǎn)換單元(下文將描述)中包含的熒光劑的類型不同。密封單元70中包含的熒光劑(例如，綠色熒光劑或藍(lán)色熒光劑)可以是發(fā)射具有較短波長的光的熒光劑。即，包含發(fā)射具有相對較長波長的光的熒光劑的波長轉(zhuǎn)換單元被定位成與LED器件100最接近，而發(fā)射具有相對較短波長的光的熒光劑被形成在波長轉(zhuǎn)換單元上以便相對遠(yuǎn)離LED器件100，從而改進(jìn)了LED器件100的整體波長轉(zhuǎn)換效率。本實施例中采用的透鏡20’可以由透明或半透明材料制成，優(yōu)選地由諸如硅、環(huán)氧樹脂等樹脂制成，從而使得從LED器件100發(fā)射的光能夠向上釋放，并且可以將透鏡20’構(gòu)成為具有凸起的上表面的穹頂透鏡。透鏡20’可以安裝在對形成于封裝件主體10’的側(cè)壁15’的內(nèi)側(cè)的凹陷部分14’和支撐凸體12’進(jìn)行填充的密封單元70的上表面上，并且通過粘合劑等進(jìn)行固定。然而，耦接透鏡20’與封裝件主體10’的方法不限于這種接合方法，并且可以通過使用模具(未示出)的注塑成型來在封裝件主體10’上直接形成透鏡20’。同時，在透鏡20’與封裝件主體10’之間的耦接界面處，由具有透鏡20’的封裝件主體10’中的外部溫度變化而引起的收縮和膨脹的影響是最大的。即，根據(jù)透鏡20’與封裝件主體10’之間的張力的差異，耦接界面中產(chǎn)生的應(yīng)力將透鏡20’從封裝件主體10’分離，并且甚至影響密封單元70內(nèi)的電線50’，從而導(dǎo)致電線50’由于累積的塑性張力而從LED器件100分尚。然而，在本實施例中，由于透鏡支撐單元11’被形成為高于電線50’來在透鏡20’與封裝件主體10’之間的耦接界面中支撐透鏡20’，因此使得由張力差異導(dǎo)致的影響最小化以防止透鏡20’的分離，并且使得作用在電線50’上的累積塑性張力最小化以防止電線50’的分離。并且，在接合透鏡20’時，由于依靠透鏡支撐單元11’而防止了透鏡20’按壓電線50’，因此即使在透鏡20’被拾取裝置按壓的情況下，也能增強產(chǎn)品可靠性。圖11至圖14是示意性示出了制造圖7的發(fā)光器件封裝件的順序工藝的示圖。首先，使用模具制備封裝件主體10’。封裝件主體10’被制備成將側(cè)壁15’形成為在其內(nèi)側(cè)具有支撐凸體12’，并且將凹陷部分14’形成為在支撐凸體12’的內(nèi)側(cè)具有芯片安裝區(qū)域16’。并且，在封裝件主體10’中，將第一引線框31’和第二引線框32’形成為彼此分隔開以便暴露其至少一個部分，并且還將散熱單元60安裝為布置在第一引線框31’和第二引線框32’之間。用作下文所述的支撐透鏡20’的部分的支撐凸體12’被形成為具有如下結(jié)構(gòu):使得臺階在側(cè)壁15’的內(nèi)側(cè)上從側(cè)壁15’的上表面向下具有一定深度。形成了具有一定尺寸并在其中容納LED器件100的空間的凹陷部分14’被形成在支撐凸體12’的內(nèi)側(cè)中。凹陷部分14’可以被形成為具有足夠的深度以防止將LED器件100連接到引線框31’和32’的電線50’如下文所述的那樣向上突出。因此，具有凹陷部分14’的支撐凸體12’的上表面可以被定位成高于電線50’。凹陷部分14’可以具有這樣的結(jié)構(gòu)，其中內(nèi)部側(cè)表面是傾斜的，用以將從LED器件100輸出的光反射到在其上方定位的透鏡20’，從而使得光損失最小化?？梢栽趦?nèi)部側(cè)表面上形成具有優(yōu)良光反射率的反射層(未示出)。此后，將LED器件100安裝在暴露于芯片安裝區(qū)域16’的散熱單元60上，并且通過電線50’將LED器件100電連接到第一引線框31’和第二引線框32’。在該情況下，電線50’不會從支撐凸體12’的上側(cè)從凹陷14’突出。可以安裝單個或多個LED器件100。隨后，如圖12所示，為了密封LED器件100和電線50’，將模塑樹脂注入凹陷部分14’中以形成密封單元70。作為模塑樹脂，可以使用透明環(huán)氧樹脂、硅樹脂等，并且模塑樹脂可以包含熒光劑。形成在凹陷部分14’內(nèi)的密封單元70可以具有與支撐凸體12’的上表面平行的上表面。此后，如圖13所示，將透鏡支撐單元11’安裝在封裝件主體10’上。將透鏡支撐單元11’的部分置于支撐凸體12’上以便被其支撐，并且將其他剩余部分置于凹陷部分14’之上并安裝在芯片安裝區(qū)域16’的上方。具體而言，將透鏡支撐單元11’安裝在支撐凸體12’和填充凹陷部分14’的密封單元70上，并進(jìn)行固定。由于透鏡支撐單元11’由支撐凸體12’安裝并支撐，所以透鏡支撐單元11’被布置成高于電線50’。之后，如圖14所示，通過使用拾取裝置(未示出)將透鏡20’安裝在支撐凸體12’和透鏡支撐單元11’上?？梢詫⑼哥R20’安裝在形成于側(cè)壁15’的內(nèi)側(cè)處的支撐凸體12’上以及填充凹陷部分14’的密封單元70的上表面上，并且通過粘合劑等進(jìn)行固定。然而，用于將透鏡20’接合到封裝件主體10’的方法不限于此，并且可以通過使用模具(未示出)的注塑成型來在封裝件主體10’上直接形成透鏡20’。下面，將參照圖15至圖31描述在根據(jù)本發(fā)明的發(fā)光器件封裝件中可以使用的根據(jù)各種實施例的LED器件。圖15是示意性示出了根據(jù)本發(fā)明一個實施例的發(fā)光二極管(LED)的橫截面圖。參照圖15，根據(jù)本實施例的LED器件100可以包括LED芯片101和形成在該器件的上表面上的波長轉(zhuǎn)換單元102。這里，器件的上表面指的是當(dāng)從上方觀看LED芯片101時由LED芯片101形成的表面。具體地說，可以將器件的上表面定義為，當(dāng)從上方觀看LED芯片101中提供的發(fā)光結(jié)構(gòu)(即，包括第一和第二導(dǎo)電類型的半導(dǎo)體層以及有源層的結(jié)構(gòu)，例如圖16中的“S”)時由LED芯片101形成的表面，并且將在如下文所述的實施例中對其詳細(xì)描述。在當(dāng)從上方觀看時形成器件的上表面這一方面上，器件的上表面可以是由具有不同高度或者由不同材料制成的區(qū)域所形成的表面。例如，在圖16所示的情況中，可以通過發(fā)光結(jié)構(gòu)S、P型接觸層208、P型電極203等形成器件的一個上表面。這里，諸如“上表面”、“下表面”、“側(cè)表面”等術(shù)語是基于附圖確定的，并且可以根據(jù)實際布置器件的方向來改變。波長轉(zhuǎn)換單元102用來將從LED芯片101發(fā)射的光的波長進(jìn)行轉(zhuǎn)換，并且為此，可以使用其中在透明樹脂中散布了熒光劑的結(jié)構(gòu)?？梢詫⒈徊ㄩL轉(zhuǎn)換單元102轉(zhuǎn)換的光和從LED芯片101發(fā)射的光進(jìn)行混合以使得能夠從LED器件100發(fā)射白光。例如，當(dāng)從LED芯片101發(fā)射藍(lán)光時，可以使用黃色熒光劑，并且當(dāng)從LED芯片101發(fā)射紫外光時，可以使用混合的紅色、綠色和藍(lán)色熒光劑。除此之外，可以按照各種方式混合熒光劑和LED芯片101的色光來發(fā)射白光。并且，可以施加諸如綠色、紅色和其他顏色的波長轉(zhuǎn)換材料來實現(xiàn)用于發(fā)射相應(yīng)色光(而不必是白光)的光源。具體而言，當(dāng)從LED芯片101發(fā)射藍(lán)光時，與之使用的紅色熒光劑可以包括MAlSiNxiRe(I彡x彡5)氮化物熒光劑、MD:Re硫化物熒光劑等。這里，M是從Ba、Sr、Ca和Mg當(dāng)中選出的至少一種，并且D是從S、Se和Te當(dāng)中選出的至少一種，而Re是從Eu、Y、La、Ce、Nd、Pm、Sm、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu、F、Cl、Br和I當(dāng)中選出的至少一種。并且，與之使用的綠色熒光劑可以包括M2SiO4=Re硅酸鹽熒光劑、MA2D4=Re硫化物熒光劑、β-SiAlON=Re熒光劑和ΜΑ’204:Re’氧化物基熒光劑等。這里，M可以是從Ba、Sr、Ca和Mg當(dāng)中選出的至少一種，A可以是從Ga、Al和In當(dāng)中選出的至少一種,D可以是從S、Se和Te當(dāng)中選出的至少一種，A’可以是從Sc、Y、Gd、La、Lu、Al和In當(dāng)中選出的至少一種，Re可以是從Eu、Y、La、Ce、Nd、Pm、Sm、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu、F、Cl、Br和I當(dāng)中選出的至少一種，并且Re’可以是從Ce、Nd、Pm、Sm、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、F、CUr和I當(dāng)中選出的至少一種。波長轉(zhuǎn)換層102可以包括替代熒光劑的或者與熒光劑一同提供的量子點。量子點是包括核和殼的納米晶體粒子，并且其核尺寸范圍從2nm至lOOnm。量子點可以用作發(fā)射諸如藍(lán)色(B)、黃色(Y)、綠色(G)和紅色(R)的各種顏色的熒光劑，并且可以將I1-VI族化合物半導(dǎo)體(ZnS、ZnSe,ZnTe,CdS、CdSe,CdTe,HgS,HgSe,HgTe,MgTe等)、II1-V組化合物半導(dǎo)體(GaN、GaP、GaAs,GaSb,InN、InP、InAs,InSb、AlAs、A1P、AlSb、AlS等)、或者IV組半導(dǎo)體(Ge、S1、Pb等)當(dāng)中的至少兩種半導(dǎo)體進(jìn)行異質(zhì)結(jié)化(hetero-junctioned)以形成構(gòu)成量子點的核和殼結(jié)構(gòu)。在該情況下，為了終止量子點的殼的表面上的在殼外邊緣處的分子鍵聯(lián)，抑制量子點的分子結(jié)合力以及改善諸如硅樹脂、環(huán)氧樹脂等樹脂的色散特性(dispersioncharacteristics)或者改善突光劑功能,可以使用諸如油酸之類的材料來形成有機配位基。量子點易受濕氣或空氣的影響，并且尤其當(dāng)其與襯底的電鍍圖案或者封裝件的引線框接觸時，會發(fā)生化學(xué)反應(yīng)。因此，可以將波長轉(zhuǎn)換層140僅施加到LED芯片101的上表面上，消除與電鍍圖案或引線框的接觸的可能性，從而提高其可靠性。因此，盡管將熒光劑作為波長轉(zhuǎn)換材料的一個示例，但是可以采用量子點來代替熒光劑或者可以將量子點添加到熒光劑。在本實施例中，波長轉(zhuǎn)換單元102以薄膜形式涂敷在LED芯片101的器件上表面上，并且與其中將熒光劑等注入封裝件主體的杯狀部分中的相關(guān)技術(shù)方法相比，波長轉(zhuǎn)換單元102能夠獲得整體均勻的光。并且，波長轉(zhuǎn)換單元102是直接施加到LED芯片101的表面的，并且當(dāng)不提供封裝件主體時，可以減小器件的尺寸。當(dāng)從上方觀看LED芯片101時，波長轉(zhuǎn)換單元102被形成在不超出器件上表面的范圍內(nèi)，并且如圖3所示，與器件上表面的角相鄰的區(qū)域被形成為彎曲的。在該情況下，除形成為曲面的區(qū)域以外的其他區(qū)域(即與器件上表面上的中心相鄰的區(qū)域)具有與器件上表面基本上平行的平坦表面。因此，波長轉(zhuǎn)換單元102具有其中平坦表面通過曲面連接到器件上表面的角的結(jié)構(gòu)。這里，平坦表面可以具有甚至包括在工藝方面不可避免發(fā)生的高度偏差的存在的概念，而不僅僅簡單地指上表面的整體高度為物理地一致的狀態(tài)。例如，平坦表面的高度可以在基于平均值的大約-10%至+10%的范圍內(nèi)變化。并且，與形成平坦表面的中心相鄰的區(qū)域可以被定義為相當(dāng)于從器件上表面上的中心開始朝向角落大約70%的區(qū)域。在該情況下，可以通過使用連續(xù)分配工藝(下文將描述)將波長轉(zhuǎn)換單元102形成為具有從大約25μm至150μm的范圍內(nèi)的厚度。在本實施例中，由于波長轉(zhuǎn)換單元102僅被有限地形成在器件的上表面上，因此光源的實質(zhì)面積幾乎等于器件的上表面的面積，并因此增大了光源每單位面積的光量。因此，由于增大的光源每單位面積的光量，本實施例中提供的LED器件100可以適當(dāng)?shù)赜迷谛枰哂械驼彰鞣秶?6tendue)的光源的照明系統(tǒng)中，例如照相機閃光燈、汽車頭燈、放映機光源等。同時，如上所述，波長轉(zhuǎn)換單元102具有其中混合了樹脂和熒光劑的結(jié)構(gòu)，并且具體地含有基于重量比的比例為樹脂兩倍或以上的熒光劑。這對應(yīng)于如下比例:其中與相關(guān)技術(shù)的反射杯狀結(jié)構(gòu)中的樹脂和熒光劑的一般混合比例(即，10:1至1:1)相比，熒光劑的量明顯更大。這樣的波長轉(zhuǎn)換單元102的形狀以及樹脂與熒光劑的混合比例被認(rèn)為是通過波長轉(zhuǎn)換膜形成工藝(后文將描述)而得到的獨特結(jié)構(gòu)。此外，波長轉(zhuǎn)換單元102還可以包括透明微粒。透明微粒與熒光劑和樹脂混合，并且可以包括諸如Si02、TiO2,Al2O3等材料。通過適當(dāng)調(diào)節(jié)波長轉(zhuǎn)換單元102中提供的透明微粒與熒光劑的比例，釋放到外部的光的色溫可以被設(shè)置為具有期望水平，并且例如，可以將熒光劑混合成基于重量比以透明微粒的量的雙倍(兩倍)或以上的量而存在。同時,LED芯片101是一種根據(jù)施加到其上的外部電源發(fā)光的半導(dǎo)體發(fā)光器件,并且可以根據(jù)需要具有各種結(jié)構(gòu)。將參照圖16描述一種示例結(jié)構(gòu)。圖16是示意性示出了能夠用在圖15的LED器件中的LED芯片的一個示例的橫截面圖。具體而言，圖16示出的LED芯片具有在器件的上表面的一部分上形成接合焊盤的結(jié)構(gòu)。參照圖16，LED器件200包括LED芯片201和形成在LED芯片201的發(fā)光表面上的波長轉(zhuǎn)換單元202。與前面的實施例相似，波長轉(zhuǎn)換單元202形成為覆蓋器件的上表面，使得波長轉(zhuǎn)換單元202在上表面上的中心區(qū)域具有平坦表面并且其角區(qū)域具有曲面。LED芯片201包括包含了η型半導(dǎo)體層204、有源層205、和ρ型半導(dǎo)體層206在內(nèi)的發(fā)光結(jié)構(gòu)(S)，并且除了發(fā)光結(jié)構(gòu)(S)以外，LED芯片201還包括與ρ型半導(dǎo)體層206連接的ρ型接觸層208。并且，ρ型電極203形成為連接到ρ型接觸層208。在該情況下，可以將波長轉(zhuǎn)換單元202形成為覆蓋發(fā)光結(jié)構(gòu)(S)的側(cè)表面，但是可以不覆蓋襯底207或ρ型接觸層208。即使在該情況下，如圖4所示，波長轉(zhuǎn)換單元202也可以滿足這樣的條件:其中將波長轉(zhuǎn)換單元202形成為局限于器件的上表面并且具有平坦表面和曲面。襯底207通過導(dǎo)電通孔(V)連接到η型半導(dǎo)體層204，并且可以通過絕緣體209與有源層205、ρ型半導(dǎo)體層206和ρ型接觸層208電隔離。在本實施例中，η型半導(dǎo)體層204可以通過襯底207接收電信號，并且為此，襯底207由導(dǎo)電材料制成。利用該結(jié)構(gòu)，不在提供為發(fā)光表面的η型半導(dǎo)體層204的上表面上形成電極，從而實現(xiàn)了優(yōu)良的發(fā)光效率，并且由于多個導(dǎo)電通孔(V)和η型半導(dǎo)體層204接觸，所以能夠增強電流分散效應(yīng)。同時，導(dǎo)電線50可以形成為連接到ρ型電極203。在圖16中，夸張地描繪了η型半導(dǎo)體層204的上表面與P型接觸層208的暴露表面之間的臺階，實際上，該臺階與導(dǎo)電襯底207的厚度相比會很小。圖17是示意性示出了根據(jù)本發(fā)明另一實施例的LED器件的橫截面圖。參照圖17，根據(jù)本實施例的LED器件300包括LED芯片301和形成在LED芯片301的一個表面上的接合焊盤303。波長轉(zhuǎn)換單元302形成在LED芯片的形成了接合焊盤303的表面上。接合焊盤303連接到導(dǎo)電線50，并且波長轉(zhuǎn)換單元302形成為至少覆蓋LED芯片301的表面和接合焊盤303。即，類似于前述實施例，波長轉(zhuǎn)換單元302形成為覆蓋LED芯片301的器件上表面。波長轉(zhuǎn)換單元302形成為甚至覆蓋連接到接合焊盤303的導(dǎo)電線50的接合區(qū)域的至少一部分，并且覆蓋接合焊盤303。這里，接合區(qū)域是指導(dǎo)電線50直接與接合焊盤303接觸的區(qū)域，并且具有比導(dǎo)電線50的其他剩余部分的直徑更大的寬度。在該情況下，在圖17中示出了波長轉(zhuǎn)換單元302覆蓋導(dǎo)電線50的整個接合區(qū)域，但是，如果將波長轉(zhuǎn)換單元302提供為覆蓋接合焊盤303的狀態(tài)，則波長轉(zhuǎn)換單元302還有可能僅與導(dǎo)電線50的極端局部的部分接觸?？梢栽谛纬蓪?dǎo)電線50之后通過涂敷(或形成)波長轉(zhuǎn)換膜來得到覆蓋接合焊盤303的波長轉(zhuǎn)換單元302與導(dǎo)電線50接觸的結(jié)構(gòu)，后面將對此進(jìn)行描述。除了這樣的差異以外，波長轉(zhuǎn)換單元302可以具有與前述實施例的波長轉(zhuǎn)換單元相同的形狀、相同的構(gòu)成材料等。在本實施例中，可以按照各種形式來應(yīng)用具有這種結(jié)構(gòu)的LED芯片301:其中，接合焊盤303形成于LED芯片301的一個表面上，并且波長轉(zhuǎn)換單元302覆蓋接合焊盤303。圖18是示意性示出了能夠用在圖17的LED器件中的LED芯片的一個示例的橫截面圖。并且，圖19是示出了采用圖18的LED芯片的LED器件的橫截面圖。參照圖18和圖19，LED芯片301具有如下結(jié)構(gòu)，其中發(fā)光結(jié)構(gòu)(S)布置在導(dǎo)電襯底307上，并且在發(fā)光結(jié)構(gòu)(S)中可以順序地布置P型半導(dǎo)體層306、有源層305、和η型半導(dǎo)體層304。導(dǎo)電襯底307用作ρ型電極以及用來支撐發(fā)光結(jié)構(gòu)(S)，并且可以由包括Au、N1、Al、Cu、W、S1、Se、和GaAs中任一種的材料制成。例如，導(dǎo)電襯底307可以由通過在硅(Si)中摻雜鋁(Al)之類的方式得到的材料制成。在本實施例中，可以將器件的上表面形成為包括發(fā)光結(jié)構(gòu)(S)的上表面和襯底307的一部分上表面(即，沒有被發(fā)光結(jié)構(gòu)(S)占據(jù)的區(qū)域)。波長轉(zhuǎn)換單元302形成為覆蓋器件的上表面，并且與前述實施例類似，波長轉(zhuǎn)換單元302在器件的上表面上在其中心區(qū)域處具有平坦表面并且在角區(qū)域處具有曲面。并且，發(fā)光結(jié)構(gòu)(S)可以形成為僅占據(jù)導(dǎo)電襯底307的一部分上表面。具體而言，發(fā)光結(jié)構(gòu)(S)可以形成在除了至少一部分邊緣區(qū)域之外的區(qū)域上。這可以通過用于以器件為單位對發(fā)光結(jié)構(gòu)(S)進(jìn)行分割的蝕刻工藝來實現(xiàn)。在該情況下，在光甚至從發(fā)光結(jié)構(gòu)(S)側(cè)表面發(fā)射的方面，波長轉(zhuǎn)換單元302可以形成為甚至覆蓋發(fā)光結(jié)構(gòu)(S)的側(cè)表面。同時，上面參照圖17描述的LED芯片301具有垂直結(jié)構(gòu)，并且甚至可以按照類似的方式將波長轉(zhuǎn)換單元302應(yīng)用于水平結(jié)構(gòu)。如圖21所示，LED器件300安裝在引線框31和32中的一個上，例如安裝在第一引線框31上，并且導(dǎo)電襯底307可以通過作為介質(zhì)的導(dǎo)電粘合層40來物理地結(jié)合并電連接到第一引線框31。導(dǎo)電線50可以被連接到第二引線框32，導(dǎo)電線50連接到接合焊盤303并且有一個部分(例如接合區(qū)域)埋入波長轉(zhuǎn)換單元302中。圖20是示意性示出了根據(jù)本發(fā)明另一實施例的LED器件的橫截面圖。參照圖20，根據(jù)本實施例的LED器件400包括襯底407、η型半導(dǎo)體層404、有源層405、和ρ型半導(dǎo)體層406。η型電極403a和ρ型電極403b分別形成在η型半導(dǎo)體層404的暴露表面和ρ型半導(dǎo)體層406的一個表面上。LED芯片401具有水平結(jié)構(gòu)。波長轉(zhuǎn)換單元402形成在η型半導(dǎo)體層404和ρ型半導(dǎo)體層406的表面上。因此，波長轉(zhuǎn)換單元402覆蓋了與接合焊盤對應(yīng)并且被形成為與導(dǎo)電線50的一部分接觸的η型電極403a和ρ型電極403b。LED器件400被布置在襯底407上，并且可以通過導(dǎo)電線50對其施加外部電源。在本實施例中，當(dāng)從上方觀看時，η型半導(dǎo)體層404的上表面和ρ型半導(dǎo)體層406的上表面構(gòu)成了器件的上表面，并且波形轉(zhuǎn)換單元402可以形成在器件的上表面上。在該情況下，在圖20中，夸張地描繪了η型半導(dǎo)體層404的上表面與ρ型半導(dǎo)體層406的上表面之間的臺階，而實際上，該臺階與襯底407的厚度相比會很小。圖22和圖23是用于說明形成本發(fā)明一個實施例中可以采用的波長轉(zhuǎn)換膜的方法的透視圖。具體地說，圖22示出了通過使用分配器(dispenser)施加熒光劑混合物的工藝，并且圖23示出了其中在施加一定量的熒光劑混合物之后蒸發(fā)溶劑的狀態(tài)。圖22和圖23示出了在結(jié)構(gòu)上涂敷波長轉(zhuǎn)換膜的工藝，在該結(jié)構(gòu)中已經(jīng)在其一個表面上形成了接合焊盤303,即LED芯片301的發(fā)光表面(其對應(yīng)于前述實施例中的器件的上表面),但是這樣的熒光劑施加工藝還可以應(yīng)用于如圖15所示的不具有接合焊盤的發(fā)光表面。首先，如圖22所示，制備了LED芯片301(—種類型的發(fā)光器件)，并且將熒光劑混合物施加到LED芯片301的發(fā)光表面。在該情況下，LED芯片301可以具有如上文參照圖17描述的結(jié)構(gòu)。在施加熒光劑混合物之前，LED芯片301可以已經(jīng)以器件單位被分開，并且在此之后為了用作發(fā)光器件的光源，可以將LED芯片301晶片接合到諸如引線框之類的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)。在本實施例中提出的波長轉(zhuǎn)換膜形成工藝的情況下，在分配工藝之前在發(fā)光表面上形成接合焊盤303，并且將導(dǎo)電線50形成為連接到接合焊盤303。在該情況下，導(dǎo)電線50可以連接到不同的電源端子，例如引線框。隨后，在導(dǎo)電線50連接到LED芯片301的狀態(tài)下，將用于施加(或分配)熒光劑混合物的分配器定位在LED芯片301上方。熒光劑混合物除了樹脂和熒光劑以外還包括溶劑。通常，作為用于形成波長轉(zhuǎn)換膜的方法，可以執(zhí)行施加樹脂和熒光劑的混合物并隨后將樹脂固化(或硬化)的工藝。當(dāng)使用該方法時，波長轉(zhuǎn)換膜由于在樹脂固化之前樹脂的表面張力而被形成為整體上具有曲面，形成具有均勻厚度的波長轉(zhuǎn)換膜存在困難。在本實施例中，熒光劑的量相對于固化之前的樹脂有相對增長，從而減小了施加到LED芯片301的混合物的粘性。具體而言，優(yōu)選地使用這樣的混合物:其中混合的熒光劑的基于重量比的量是樹脂的雙倍或以上，并且在該混合比例條件下能夠保證所需的粘性水平。此外，如上所述，混合物還可以包括由諸如Si02、TiO2和Al2O3等材料制成的微粒，以便調(diào)節(jié)色溫，并且在混合比例的情況下，優(yōu)選地提供其基于重量比的量為透明微粒的量的雙倍(兩倍)或以上的熒光劑。然而，這里根據(jù)熒光劑的量的增加來增加粘性會導(dǎo)致分配工藝?yán)щy以及混合物在發(fā)光表面的表面上擴散從而難以形成膜的困難。因此，為了解決該問題，可以向熒光劑混合物添加一定量的溶劑。該溶劑與樹脂和熒光劑混合，或者與樹脂、熒光劑和透明微?；旌?，并且對熒光劑混合物提供粘性以使得能夠平穩(wěn)地執(zhí)行分配工藝。并且，具有由溶劑提供的粘性的熒光劑混合物可以容易地從分配器施加該混合物的位置擴散，從而能夠容易地形成具有期望的薄膜結(jié)構(gòu)的波長轉(zhuǎn)換單元。以此方式，溶劑僅執(zhí)行添加粘性的功能，因此無需大量溶劑，并且溶劑可以以大約為熒光劑的基于重量的量的十分之一的量來與熒光劑混合。如上所述，通過分配器將熒光劑混合物施加到LED芯片301的表面，并且在該情況下，如圖22所示，可以通過例如螺旋或Z字形方式移動分配器來施加熒光劑混合物，使得熒光劑混合物能夠均勻地施加到LED芯片301的表面。在該情況下，分配一直執(zhí)行到接合焊盤303以及LED芯片301的表面被覆蓋，通過該工藝，即使是導(dǎo)電線50的一部分也被波長轉(zhuǎn)換膜(或波長轉(zhuǎn)換單元)所覆蓋。同時，在本實施例中，分配指的是通過泵施加壓力由針來持續(xù)施加熒光劑混合物(即，在大多數(shù)情況下，維持將熒光劑混合物持續(xù)地從分配器提供到芯片上表面的狀態(tài))，這與諸如混合物為顆粒狀或噴霧狀的噴涂之類的工藝不同。將參照圖23描述分配操作之后的形成波長轉(zhuǎn)換膜的工藝。處于已經(jīng)從分配器施加的狀態(tài)下的熒光劑混合物的溶劑被蒸發(fā)，從而減小了熒光劑混合物的粘性，并且根據(jù)粘性的減小，樹脂和熒光劑被固定到LED芯片301的表面，因此以薄膜形式完成了波長轉(zhuǎn)換單元。為了在分配工藝期間使得溶劑能夠蒸發(fā)，可以使用具有揮發(fā)性的材料作為溶劑，例如具有相對較低分子質(zhì)量的諸如聚合體、單體、乙醇、甲醇、丙酮等有機溶劑材料。同時，如果在分配工藝期間延遲了溶劑的蒸發(fā)，則有可能由于過度的粘性而導(dǎo)致不能得到具有期望形狀的波長轉(zhuǎn)換單元。因此，為了加速溶劑的蒸發(fā)，可以操作加熱單元600來在分配工藝期間對熒光劑混合物施加熱量。通過采用加熱單元600，能夠在將熒光劑混合物施加到LED芯片301的表面上之后立即減小熒光劑混合物的粘性，能夠進(jìn)一步減小熒光劑混合物的變形并且能夠形成具有平坦形狀的波長轉(zhuǎn)換膜。在該情況下，優(yōu)選地將LED芯片301加熱到大約50°C至170°C的適于減小粘性的溫度。然而，當(dāng)采用根據(jù)本實施例的方法時，在對應(yīng)于LED芯片301的角的區(qū)域處也難以獲得平坦表面，并且波長轉(zhuǎn)換膜的厚度在角區(qū)域處逐漸減小以形成曲面，從而得到具有前述結(jié)構(gòu)的LED器件。以該方式，當(dāng)使用了在本實施例中提出的用于形成波長轉(zhuǎn)換膜的方法時，熒光劑含量增加并且使用具有揮發(fā)性的溶劑來對粘性進(jìn)行補充，從而在LED芯片的期望的特定表面上僅形成波長轉(zhuǎn)換膜，并且這里通過使得分配工藝期間熒光劑混合物的變形最小化從而能夠獲得具有期望厚度和形狀的波長轉(zhuǎn)換膜。并且，由于熒光劑混合物的粘性低，所以能夠使得表面張力引起的波長轉(zhuǎn)換膜的形狀變形最小化。此外，在以器件為單位將LED芯片分離之后，獨立地施加波長轉(zhuǎn)換膜。因此，在該意義上，能夠在事先了解器件特性的狀態(tài)下適當(dāng)?shù)卣{(diào)節(jié)波長轉(zhuǎn)換膜的厚度或含量。在使用了由此獲得的波長轉(zhuǎn)換膜的LED芯片或發(fā)光器件中，可以精確控制波長轉(zhuǎn)換膜的厚度，優(yōu)點是產(chǎn)品之間的色溫偏差很小。即，在晶圓級波長轉(zhuǎn)換膜的轉(zhuǎn)換方法中，具體地，在以器件為單位分離之前整體地形成波長轉(zhuǎn)換膜的情況下，由于在不考慮或反映各個器件的發(fā)光特性的情況下不加區(qū)別地施加具有相同厚度的波長轉(zhuǎn)換膜，所以與本發(fā)明相比其色溫的偏差將會增加。將參照圖24至圖26描述根據(jù)本發(fā)明另一實施例的LED器件。圖24A、圖24B、圖25A和圖25B示出了制造根據(jù)本發(fā)明另一實施例的LED器件的方法。下文所述的制造方法可以在排列了多個LED芯片的塊襯底上執(zhí)行，但是為了說明，在圖24A、圖24B、圖25A和圖25B中僅示出了單個芯片。首先，參照圖24A和圖24B，在襯底510上定位LED芯片501結(jié)構(gòu)，即發(fā)光結(jié)構(gòu)(S)。襯底510可以是硅襯底或者可以由氧化鋁(Al2O3)制成。在襯底510上形成η型半導(dǎo)體層504，并且在其上順序地形成有源層505和ρ型半導(dǎo)體層506。這里，η型半導(dǎo)體層504和ρ型半導(dǎo)體層506的層疊次序是可以交換的，但是有源層505應(yīng)當(dāng)必須布置在η型半導(dǎo)體層504和ρ型半導(dǎo)體層506之間?？梢栽讦切桶雽?dǎo)體層506的表面上形成透明電極層508。η型或P型多層膜507可以布置在有源層505的下方或上方，并且可以具有各種結(jié)構(gòu)，比如不規(guī)則結(jié)構(gòu)(下凹或突起結(jié)構(gòu))、具有粒子形狀的散射層等，以便增大發(fā)光效率。發(fā)光結(jié)構(gòu)(S)是發(fā)射紫外光或藍(lán)光的結(jié)構(gòu)。本發(fā)明的實施例不僅應(yīng)用于具有附圖中示出的結(jié)構(gòu)的LED芯片501。示出的LED芯片501僅是一個示例。即，只要可應(yīng)用于本發(fā)明的LED芯片501包括具有一定結(jié)構(gòu)以及用于將發(fā)光結(jié)構(gòu)(S)連接到外部的接合焊盤503a和503b的發(fā)光結(jié)構(gòu)就足夠了。為了制造通過使用LED芯片501而發(fā)射具有多種波長的光的LED器件，首先，在LED芯片501的一個表面上形成掩膜圖案(M)。掩膜圖案(M)用于遮蓋特定的部分，例如不應(yīng)當(dāng)在其上沉積熒光劑膜的接合焊盤503a和503b。優(yōu)選地，可以使用光致抗蝕劑(PR)來形成掩膜圖案(M)，但是掩膜圖案(M)也可以形成為氧化物膜或者氮化物膜。通過使用光致抗蝕劑形成掩膜圖案(M)是方便的，這是因為可以使用用于半導(dǎo)體制造工藝的一般光刻工藝。接下來，參照圖25A和圖25B，執(zhí)行在LED芯片501上形成熒光劑膜502(即波長轉(zhuǎn)換單元)的工藝。即，在LED芯片501的除了被掩膜圖案(M)遮蓋的接合焊盤503a和503b以外的部分的表面上將熒光劑膜502形成為具有一定厚度。當(dāng)在LED芯片501的表面上形成熒光劑膜502時，熒光劑可以被均勻地散布以沉積在LED芯片501的表面上并且可以適當(dāng)?shù)乜刂瞥练e的熒光劑的量。因此，使用該工藝，可以制造這樣的LED器件500，從LED器件500發(fā)射的光具有期望獲得的波長(即期望的顏色)以及一致的發(fā)光特性。通過使用濺射法或脈沖激光沉積(PLD)法可以形成熒光劑膜502。S卩，在本實施例中，通過對LED芯片501的表面施加一定量的物理或化學(xué)能量來將熒光劑膜502直接形成在LED芯片501的表面上，而不是通過使用粘合劑等將熒光劑或包括熒光劑的材料附接到LED芯片501的表面上。因此，消除了由于粘合劑等造成的從LED芯片501發(fā)射的光的效率降低的問題。并且，通過對在制造濺射靶時包括的熒光劑的量或類型進(jìn)行調(diào)節(jié)能夠調(diào)節(jié)期望發(fā)出的光的特性，從而能夠容易地制造具有優(yōu)良品質(zhì)和多種波長的LED器件500。當(dāng)使用濺射法時，可以使用脈沖DC電源或RF電源來對該工藝供電。例如，當(dāng)通過使用濺射法形成熒光劑膜502時，可以使用通過在熒光劑中混合如下材料中的至少一種而得到的材料來產(chǎn)生濺射工藝的靶:包括Si02、Si0、C10、IT0、10、Al2O3或ZnO在內(nèi)的氧化物、包括SiN、AlN、GaN或InN在內(nèi)的氮化物、環(huán)氧樹脂、以及硅樹脂。隨后，可以通過使用該靶來執(zhí)行濺射工藝在LED芯片501的表面上直接形成熒光劑膜502?？梢酝ㄟ^燒結(jié)并形成靶材料以得到具有例如大約2英寸大小的片劑(tablet)來制造濺射工藝的靶。對于靶中包括的熒光劑，可以使用任何材料，諸如YAG基材料、非YAG基材料等。非YAG基材料包括石榴石基材料、硅酸鹽基材料或者包括TAG的硫化物基材料。TAG是石榴石基材料當(dāng)中典型的非YAG基材料，并且YAG中的Y和TAG中的Tb可以由Lu、Sc、La、Gd、Sm、Ca或Si代替。硅酸鹽基材料包括(Sr，Ba,Ca,Mg,Zn,Cd,Y,Sc,La)xSiy0z:(Eu,F，Mn,Ce,Pb)，并且這里括號中的成分可以按照各種方式組合或者可以單獨使用(OSx，y，z<16)。作為氮化物基或硅鋁氧氮基的熒光劑，可以使用由Cax(Si,Al)12(O,N)16構(gòu)成的熒光劑材料。這里，Cax可以由不同的金屬元素替代,并且可以包括Eu、Pr、Tb、Yb、Er和Dy中的一種或多種作為催化劑。硫化物基熒光劑可以包括以下材料中的至少一種:其中包括(Ca，Sr)S、SrGa2S4,(Ca,Sr,Ba)(Al，Ca)2S4、(Sr,Mg,Ca,Ba)(Ga,Al,In)S4、Y2O2，并且Eu、Ce等可以用作催化劑?？梢愿鶕?jù)波長區(qū)域來改變前述化學(xué)式的括號中的元素成分。可以根據(jù)使用中的LED芯片501的類型以及期望得到的光波長來使用適當(dāng)類型的熒光劑。例如，在使用發(fā)射紫外光的LED芯片501的情況下，可以選擇性地使用熒光劑來產(chǎn)生能夠通過使用藍(lán)光、綠光、黃光和紅光中的一種光或者能夠通過組合其中的兩種或更多種光而得到的色光。并且，在使用發(fā)射藍(lán)光的LED芯片501的情況下，可以選擇性地使用熒光劑來產(chǎn)生能夠通過使用綠光、黃光和紅光中的一種光或者能夠通過組合其中的兩種或更多種光而得到的色光。例如，可以選擇性地使用熒光劑來產(chǎn)生色光，其可以通過分別使用如下材料來得到:作為發(fā)射藍(lán)光的熒光劑的BaMgAl10O17:Eu、Sr5(PO4)3C1:Eu和ZnS:Ag中的至少一種，作為發(fā)射綠光的熒光劑的諸如ZnS:Cu、(Ca,Sr)S:Eu之類的硫化物基材料、諸如(Sr,Ba,Ca,Mg,Zn,Cd,Y,Sc,La)xSiy0z:(Eu,F，Mn,Ce,Pb)和BaMgAl10O17:(Eu,Mn)之類的硅酸鹽基材料中的至少一種，作為發(fā)射黃光的熒光劑的包括YAG基材料或TAG基材料的石榴石基材料和硅酸鹽基材料中的至少一種，以及諸如Y2O2SY2O2S及YV04:Eu3+、Y(V,P,B)04:Eu3+、YNbO4IEu3+、YTaO4IEu3+之類的氮化物基材料、硫化物基材料中的至少一種，或者通過結(jié)合它們當(dāng)中的兩種或更多種。隨后，當(dāng)去除被形成在接合焊盤503a和503b等的上部處的掩膜圖案(M)之類時，形成了圖26A和圖26B所示的根據(jù)本發(fā)明另一實施例的LED器件500。如圖所示，除了接合焊盤503a和503b以外，在LED芯片501上分布式地形成熒光劑膜502，并且這種分布具有比包括接合焊盤503a和503b在內(nèi)的電極層的總厚度更小的結(jié)構(gòu)。將參照圖27A至圖29C描述根據(jù)本發(fā)明另一實施例的LED器件。根據(jù)本實施例的LED器件600包括LED芯片601、接合焊盤603、波長轉(zhuǎn)換單元602和次安裝基臺(sub-mount)610，并且對LED芯片601進(jìn)行晶片粘附來安裝在該次安裝基臺610上，當(dāng)對該芯片施加電源時該芯片為產(chǎn)生光的光源。作為對其施加電源時產(chǎn)生近UV光或藍(lán)光的光源，LED芯片601可以是產(chǎn)生高輸出、高亮度藍(lán)光的GaN基的LED芯片。LED芯片601可以具有在其上表面上形成ρ型電極和η型電極的水平結(jié)構(gòu)，或者是在其上表面和下表面上形成P型電極和η型電極的垂直結(jié)構(gòu)。可以在LED芯片601的上表面上形成與導(dǎo)電線50電連接的接合焊盤603，并且可以根據(jù)LED芯片601的水平或垂直結(jié)構(gòu)來提供單個或多個接合焊盤603。S卩，根據(jù)LED芯片601的結(jié)構(gòu)改變所形成的接合焊盤603的數(shù)量。當(dāng)LED芯片601具有ρ型電極和η型電極形成在其上表面和下表面上的垂直結(jié)構(gòu)時，可以提供單個接合焊盤603來電連接到在LED芯片601的上表面上形成的ρ型電極。并且，當(dāng)LED芯片601具有在其上表面上形成ρ型電極和η型電極兩者的水平結(jié)構(gòu)時，可以提供多個接合焊盤603來電連接到在LED芯片601的上表面上形成的P型電極和η型電極。波長轉(zhuǎn)換單元602可以由諸如環(huán)氧樹脂、硅、樹脂等透明樹脂材料制成，以均勻覆蓋LED芯片601的外表面。樹脂可以包括諸如YAG基、TAG基或者硅酸鹽基之類的熒光劑材料作為波長轉(zhuǎn)換裝置，用以將從LED芯片601產(chǎn)生的光轉(zhuǎn)換為白光。圖27A至圖27F是示意性示出了制造根據(jù)前述實施例的LED器件的工藝的示圖?？梢酝ㄟ^操作A至F來制造根據(jù)本實施例的LED器件600。a.提供其上晶片粘附了多個LED芯片的晶圓的操作如圖27A所示，以晶片粘附方式在晶圓(W)上彼此間隔開地安裝根據(jù)半導(dǎo)體制造工藝制造的多個LED芯片601。在LED芯片601的上表面上提供至少一個接合焊盤603，并且在這里根據(jù)具有垂直結(jié)構(gòu)或水平結(jié)構(gòu)的LED芯片601的電極布置構(gòu)造，可以提供單個或多個接合焊盤603。接合焊盤603可以由諸如Au、Al、Cu等具有優(yōu)良導(dǎo)電性的金屬制成。根據(jù)在LED芯片601上提供的ρ型電極和η型電極的布置構(gòu)造，可以由從非導(dǎo)電材料和導(dǎo)電材料當(dāng)中選擇的一種材料來制造晶圓(W)。b.以焊盤保護單元來覆蓋在LED芯片上表面上形成的至少一個接合焊盤的操作如圖27B所示，可以提供焊盤保護單元620來覆蓋在晶片粘附到晶圓(W)的LED芯片601的上表面上形成的至少一個接合焊盤603上以便保護該接合焊盤。焊盤保護單元620可以具有與接合焊盤603相同的尺寸，使得接合焊盤603不會向上方暴露。焊盤保護單元620可以由光致抗蝕劑制成，但是本發(fā)明不限于此。c.通過對LED芯片和晶圓施加樹脂材料來形成具有一定厚度的波長轉(zhuǎn)換單元的操作如圖27C所示，通過印制方法以形成波長轉(zhuǎn)換單元602，在晶圓(W)上印制諸如硅、環(huán)氧樹脂等透明樹脂以便使其具有一定厚度，使得包括了在接合焊盤603上形成的焊盤保護單元620在內(nèi)的多個LED芯片601以及晶圓(W)被樹脂材料覆蓋。通過人工提供的熱量或UV光來對印制在晶圓(W)上用以覆蓋包括接合焊盤603和焊盤保護單元620在內(nèi)的LED芯片601整體的波長轉(zhuǎn)換單元602進(jìn)行固化。這里，用于形成波長轉(zhuǎn)換單元602的樹脂材料可以包括作為光波長轉(zhuǎn)換裝置的熒光劑材料，其用于對每個LED芯片601的光發(fā)射顏色的波長進(jìn)行轉(zhuǎn)換，以便根據(jù)每個LED芯片601的光發(fā)射顏色來將每個LED芯片601的光發(fā)射顏色轉(zhuǎn)換為白光。d.去除波長轉(zhuǎn)換單元的上表面以暴露焊盤保護單元的操作如圖27D所示，當(dāng)將提供來對在晶圓(W)上安裝的LED芯片601進(jìn)行覆蓋的波長轉(zhuǎn)換單元暴露于從上方照射的光時，波長轉(zhuǎn)換單元602的最上表面被蝕刻而去除，暴露了焊盤保護單元620。這里，當(dāng)焊盤保護單元620的上表面暴露時就應(yīng)當(dāng)立即停止對波長轉(zhuǎn)換單兀602的上表面照射光。并且，在部分地去除波長轉(zhuǎn)換單元602以暴露焊盤保護單元620的不同方法中，可以通過使用拋光單元來去除波長轉(zhuǎn)換單元602的上表面的一部分。即，通過使用研磨劑的拋光方法或者通過使用飛刀(flycutter)的切削方法來拋光波長轉(zhuǎn)換單元602以便去除樹脂材料，從而暴露在LED芯片601上提供的焊盤保護單元620。這里，在通過光進(jìn)行蝕刻而去除或者通過拋光單元進(jìn)行拋光而去除以后，波長轉(zhuǎn)換單元602保持為具有均勻?qū)雍穸龋沟闷渖媳砻媾c晶圓(W)平行。e.去除從波長轉(zhuǎn)換單元暴露的焊盤保護單元的操作如圖27E所示，當(dāng)將從波長轉(zhuǎn)換單元602的上表面暴露出來的焊盤保護單元620去除以與接合焊盤603和波長轉(zhuǎn)換單元602分離開時，在LED芯片601的上部形成了與去除的焊盤保護單元620相當(dāng)?shù)目臻g，此時，暴露出接合焊盤603。f.將晶圓分割成多個LED芯片的操作接下來，如圖27F所示，沿著相鄰LED芯片601之間形成的垂直和水平切割線來切割具有暴露于外部的接合焊盤603的LED芯片601，從而將其制造成單獨的LED器件600。LED器件600包括在與晶圓(W)分離之后的晶片粘附到次安裝基臺610的LED芯片601、提供在LED芯片601的上表面上的至少一個接合焊盤603、和均勻地覆蓋LED芯片601的外表面而同時暴露接僉焊盤603的波長轉(zhuǎn)換單元602。圖28A至圖28F是示意性示出了制造根據(jù)本發(fā)明另一實施例的LED器件的順序工藝的示圖?？梢酝ㄟ^操作a’至f’來制造根據(jù)本實施例的LED器件600’。a’.提供具有發(fā)光結(jié)構(gòu)的晶圓的操作，該發(fā)光結(jié)構(gòu)構(gòu)成包括在其上表面上形成的多個接合焊盤在內(nèi)的LED芯片如圖28A所示，通過半導(dǎo)體制造工藝來提供具有發(fā)光結(jié)構(gòu)(S)的晶圓(W’)，發(fā)光結(jié)構(gòu)(S)形成在晶圓(W’)上并且構(gòu)成LED芯片601’，并且可以在發(fā)光結(jié)構(gòu)(S)的上表面上彼此間隔開地提供多個接合焊盤603’。這里，可以提供晶圓(W’)作為半導(dǎo)體單晶生長襯底，并且根據(jù)在LED芯片601’中提供的P型電極和η型電極的布置構(gòu)造，可以由從非導(dǎo)電材料或?qū)щ姴牧袭?dāng)中選擇的任一種材料來制造晶圓(W’)。發(fā)光結(jié)構(gòu)(S)包括η型半導(dǎo)體層604’和P型半導(dǎo)體層606’以及在η型半導(dǎo)體層604’與ρ型半導(dǎo)體層606’之間形成的有源層605’?？梢愿鶕?jù)具有水平結(jié)構(gòu)或垂直結(jié)構(gòu)的LED芯片601’的布置構(gòu)造來提供單個或者多個接合焊盤603’，并且可以由諸如Au、Al、Cu等導(dǎo)電材料來制造接合焊盤603’。b’.以焊盤保護單元覆蓋接合焊盤的操作如圖28B所示，可以提供焊盤保護單元620’來覆蓋在發(fā)光結(jié)構(gòu)(S)上提供的接合焊盤603’以便對其進(jìn)行保護。焊盤保護單元620’可以具有與接合焊盤603’相同的尺寸，使得接合焊盤603’不會向上方暴露。這里，焊盤保護單元620’可以由光致抗蝕劑制成，但本發(fā)明不限于此。C，.通過對發(fā)光結(jié)構(gòu)施加樹脂材料來形成具有一定厚度的波長轉(zhuǎn)換單元的操作如圖28C所示，通過印制方法以形成波長轉(zhuǎn)換單元602’，在發(fā)光結(jié)構(gòu)(S)上印制諸如硅、環(huán)氧樹脂等透明樹脂以便使其具有一定厚度，使得具有在接合焊盤603’上形成的接合焊盤保護單元620’的發(fā)光結(jié)構(gòu)(S)被樹脂材料覆蓋。通過人工提供的熱量或UV光來對印制在發(fā)光結(jié)構(gòu)(S)上以覆蓋包括接合焊盤603’在內(nèi)的發(fā)光結(jié)構(gòu)(S)的整個上表面的波長轉(zhuǎn)換單元602’進(jìn)行固化。這里，用于形成波長轉(zhuǎn)換單元602’的樹脂材料可以包括熒光劑材料來作為用于對每個LED芯片601’的光發(fā)射顏色的波長進(jìn)行轉(zhuǎn)換的光波長轉(zhuǎn)換裝置，以便當(dāng)每個LED芯片601’發(fā)光時根據(jù)由發(fā)光結(jié)構(gòu)(S)構(gòu)成的每個LED芯片601’的光發(fā)射顏色來將光發(fā)射顏色轉(zhuǎn)換成白光。d’.去除波長轉(zhuǎn)換單元的上表面以暴露焊盤保護單元的操作如圖28D所示，當(dāng)將提供來對在晶圓(W)上形成的發(fā)光結(jié)構(gòu)(S)進(jìn)行覆蓋的波長轉(zhuǎn)換單元暴露于從上方照射的光時，波長轉(zhuǎn)換單元602’的最上表面被蝕刻而去除，暴露了焊盤保護單元620’。這里，當(dāng)焊盤保護單元620’的上表面暴露時就應(yīng)當(dāng)立即停止對波長轉(zhuǎn)換單元602’的上表面照射光。并且，在部分地去除波長轉(zhuǎn)換單元602’以暴露焊盤保護單元620’的不同方法中，可以通過使用拋光單元來去除波長轉(zhuǎn)換單元602’的上表面的一部分。即，通過使用研磨劑的拋光方法或者通過使用飛刀的切削方法來拋光波長轉(zhuǎn)換單元602’以便去除樹脂材料，從而暴露在發(fā)光結(jié)構(gòu)(S)上提供的焊盤保護單元620’。e’.去除從波長轉(zhuǎn)換單元暴露的焊盤保護單元的操作如圖28E所示，當(dāng)將從波長轉(zhuǎn)換單元602’的上表面暴露出來的焊盤保護單元620’去除以與接合焊盤603’和波長轉(zhuǎn)換單元602’分離開時，在發(fā)光結(jié)構(gòu)(S)的上部形成了與去除的焊盤保護單元620’相當(dāng)?shù)目臻g，此時，暴露出接合焊盤603’。f\對其上形成有發(fā)光結(jié)構(gòu)的晶圓進(jìn)行切割的操作接下來，如圖28F所示，沿著在發(fā)光結(jié)構(gòu)(S)上表面上劃定的垂直和水平切割線來與晶圓(W’)一起切割具有暴露于外部的具有接合焊盤603’的發(fā)光結(jié)構(gòu)(S)，從而將其制造成當(dāng)對其施加電源時產(chǎn)生光的LED器件600’。LED器件600’包括包含發(fā)光結(jié)構(gòu)(S)在內(nèi)的LED芯片601’、提供在LED芯片601’的上表面上的至少一個接合焊盤603’、和均勻地覆蓋LED芯片601’的上表面而同時暴露接合焊盤603’的波長轉(zhuǎn)換單元602’。如圖29A和圖29B所示，具有這種構(gòu)造的LED器件600和600’安裝在具有正電極引線和負(fù)電極引線的一個引線框31的上表面上，并且可以通過作為介質(zhì)的電線50電連接到另一引線框32，該電線50的一端接合到通過波長轉(zhuǎn)換單元602和602’暴露的接合焊盤603和603’。在該情況下，電線50可以連接到通過波長轉(zhuǎn)換單元602和602’暴露的接合焊盤603和603’而不是與波長轉(zhuǎn)換單元602和602’接觸。在本實施例中，將包括熒光劑材料的波長轉(zhuǎn)換單元602和602’形成為在LED芯片601和601’的外表面上具有均勻一致的厚度，從而根據(jù)照射角度，從LED芯片601和601’產(chǎn)生的光通過波長轉(zhuǎn)換單元602和602’所沿的路徑是一致的，因此能夠防止根據(jù)照射角度的色溫的差異。并且，基本防止了電線50與波長轉(zhuǎn)換單元602和602’中包括的由具有導(dǎo)電性的重金屬制成的熒光劑材料相接觸，從而防止了漏電流的產(chǎn)生。因此，能夠增大LED器件600和600’的發(fā)光效率，并且防止了降解特性的劣化，從而增大了產(chǎn)品可靠性。將參照圖30A至圖30E和圖31描述根據(jù)本發(fā)明另一實施例的LED器件。圖30A至圖30E是示意性示出了制造根據(jù)本發(fā)明另一實施例的LED器件的順序工藝的示圖。首先，如圖30A所示，以晶片粘附的方式在晶圓(W)上彼此間隔開地安裝通過半導(dǎo)體制造工藝制造的多個LED芯片701。這里，根據(jù)在LED芯片701中提供的ρ型電極和η型電極的布置構(gòu)造，可以由從非導(dǎo)電材料和導(dǎo)電材料當(dāng)中選擇的一種材料來制造晶圓(W)。接下來，如圖30Β所示，在晶片粘附到晶圓(W)的LED芯片701的上表面上形成多個接合焊盤703。這里，可以根據(jù)在LED芯片701中提供的ρ型電極和η型電極的布置形式(垂直類型或水平類型)來提供單個或多個接合焊盤703。隨后，如圖30C所示，通過印制方法以形成波長轉(zhuǎn)換單元702，在晶圓(W)上印制諸如硅、環(huán)氧樹脂等透明樹脂以便使其具有一定厚度，使得包括在其上表面上形成的接合焊盤703的多個LED芯片71被樹脂材料覆蓋。通過人工提供的熱量或UV光來對印制在晶圓(W)上用以覆蓋包括接合焊盤703在內(nèi)的LED芯片701的波長轉(zhuǎn)換單元702進(jìn)行固化。這里，波長轉(zhuǎn)換單元702可以包括作為光波長轉(zhuǎn)換裝置的熒光劑材料，其用于對每個LED芯片701的光發(fā)射顏色的波長進(jìn)行轉(zhuǎn)換，以便根據(jù)每個LED芯片701的光發(fā)射顏色來將每個LED芯片701的光發(fā)射顏色轉(zhuǎn)換為白光。此后，如圖30D所示，通過拋光單元(未示出)來對在晶圓(W)上提供的波長轉(zhuǎn)換單元702的上表面進(jìn)行拋光，以暴露在LED芯片701上提供的接合焊盤703。在該情況下，為了對波長轉(zhuǎn)換單元702的上表面進(jìn)行拋光，可以采用使用研磨劑的拋光方法或者使用飛刀的切削方法等，以獲得波長轉(zhuǎn)換單元702的表面一致性，并且，這里可以考慮精確度和產(chǎn)量來選擇拋光方法。這里，在通過拋光單元拋光之后，優(yōu)選地，波長轉(zhuǎn)換單元702具有一致的層厚度，以使得其上表面與晶圓(W)平行。接下來，如圖30E所示，沿著相鄰LED芯片701之間形成的垂直和水平切割線來對具有波長轉(zhuǎn)換單元702(其已被拋光為將接合焊盤703暴露于外部)的LED芯片701進(jìn)行切割，從而制造出當(dāng)對其施加電源時產(chǎn)生光的LED器件700。LED器件700包括在從晶圓(W)切下之后晶片粘附到次安裝基臺710的LED芯片701、提供在LED芯片701的上表面上的至少一個接合焊盤703、和均勻地覆蓋LED芯片701的外表面而同時暴露接合焊盤703的波長轉(zhuǎn)換單元702。具有前述構(gòu)造的LED器件700安裝在具有正電極弓丨線和負(fù)電極引線的一個引線框31的一個上表面上，并且可以通過作為介質(zhì)的電線50電連接到另一引線框32，該電線50的一端接合到接合焊盤703。如上所述，根據(jù)本發(fā)明的實施例，由于將透鏡支撐單元形成為高于封裝件主體的電線，因此能夠防止電線損壞，從而增大了產(chǎn)品的操作可靠性。盡管已經(jīng)結(jié)合實施例示出和描述了本發(fā)明，然而本領(lǐng)域技術(shù)人員將會認(rèn)識到，在不脫離如所附權(quán)利要求所定義的本發(fā)明精神和范圍的情況下，可以作出多種修改和變形。權(quán)利要求1.一種發(fā)光器件封裝件，包括:封裝件主體，其具有由側(cè)壁圍繞的芯片安裝區(qū)域；彼此間隔開的引線框，其至少一部分被定位在所述芯片安裝區(qū)域中；發(fā)光器件，其被安裝在所述芯片安裝區(qū)域上；電線，其連接所述引線框和所述發(fā)光器件；透鏡，其被布置在所述發(fā)光器件上；以及透鏡支撐單元，其被形成為高于所述芯片安裝區(qū)域中的電線并且支撐所述透鏡以使得所述透鏡不會與所述電線接觸。2.權(quán)利要求1的發(fā)光器件封裝件，其中在所述發(fā)光器件被安裝在所述芯片安裝區(qū)域上之后，所述透鏡支撐單元被形成在剩余部分當(dāng)中的至少一個部分上。3.權(quán)利要求1或2的發(fā)光器件封裝件，其中所述透鏡支撐單元具有使得所述透鏡的下端部分能夠被扣住的止動凸體。4.權(quán)利要求3的發(fā)光器件封裝件，其中所述止動凸體具有半球形或者方柱形。5.權(quán)利要求1的發(fā)光器件封裝件，其中所述透鏡支撐單元具有這樣的結(jié)構(gòu):其中所述透鏡支撐單元的至少一部分從所述側(cè)壁朝所述發(fā)光器件延伸。6.權(quán)利要求5的發(fā)光器件封裝件，其中所述透鏡支撐單元具有開孔，所述開孔在所述透鏡支撐單元的一個部分中穿透所述透鏡支撐單元，所述一個部分從所述側(cè)壁延伸并且被布置在所述芯片安裝區(qū)域的上部空間中。7.權(quán)利要求1的發(fā)光器件封裝件，其中至少一個透鏡支撐單元從所述側(cè)壁的一側(cè)延伸并且跨越所述芯片安裝區(qū)域以連接到另一側(cè)。8.權(quán)利要求7的發(fā)光器件封裝件，其中多個透鏡支撐單元在所述芯片安裝區(qū)域中相互交叉。9.權(quán)利要求5至8中任一項的發(fā)光器件封裝件，其中所述透鏡支撐單元的下表面被定位成高于所述電線。10.權(quán)利要求1的發(fā)光器件封裝件，其中所述側(cè)壁具有至少一個支撐凸體，并且所述透鏡具有形成在其外周上的并且由所述支撐凸體支撐的至少一個水平突起。11.權(quán)利要求1的發(fā)光器件封裝件，其中所述側(cè)壁具有形成在其上邊緣中的至少一個凹口，并且所述透鏡具有形成在其上邊緣上的至少一個插入突出物，使得所述插入突出物對應(yīng)于所述側(cè)壁中的所述凹口。12.權(quán)利要求1的發(fā)光器件封裝件，其中所述封裝件主體包括形成在所述側(cè)壁的內(nèi)側(cè)上的支撐凸體并且在所述支撐凸體的內(nèi)側(cè)處具有所述芯片安裝區(qū)域的凹陷部分，其中所述凹陷部分被形成為具有所述電線不會從該凹陷部分向上突出的深度，并且所述支撐凸體的上表面被定位成高于所述電線。13.權(quán)利要求12的發(fā)光器件封裝件，其中所述透鏡支撐單元的一部分被固定地放置在所述支撐凸體上，并且其他剩余部分被放置在所述凹陷部分之上并且布置在所述芯片安裝區(qū)域上方。14.權(quán)利要求13的發(fā)光器件封裝件，其中所述透鏡支撐單元的下表面與所述支撐凸體的上表面共面。15.權(quán)利要求12的發(fā)光器件封裝件，還包括密封單元，所述密封單元填充所述凹陷部分以密封所述發(fā)光器件和所述電線。全文摘要本發(fā)明公開了一種發(fā)光器件封裝件，包括封裝件主體，其具有由側(cè)壁圍繞的芯片安裝區(qū)域；彼此間隔開的引線框，其至少一部分被定位在所述芯片安裝區(qū)域中；發(fā)光器件，其被安裝在所述芯片安裝區(qū)域上；電線，其連接所述引線框和所述發(fā)光器件；透鏡，其被布置在所述發(fā)光器件上；以及透鏡支撐單元，其被形成為高于所述芯片安裝區(qū)域中的電線并且支撐所述透鏡以使得所述透鏡不會與所述電線接觸。文檔編號H01L33/54GK103078039SQ20121030140公開日2013年5月1日申請日期2012年8月22日優(yōu)先權(quán)日2011年8月22日發(fā)明者崔善申請人:三星電子株式會社