專利名稱：母座、功率半導體模塊以及具有多個功率半導體模塊的半導體模塊組裝件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及具有支腳的第一母座，由此提供支腳基底以接觸功率半導體器件的接觸元件，特別是在包含基板和至少一個功率半導體器件的功率半導體模塊中，該功率半導體器件設(shè)置在基板上并由至少一個第二母座接觸。本發(fā)明進一步涉及功率半導體模塊，其中包含基板、設(shè)置在 基板上的至少一個功率半導體器件、以及用于接觸至少一個功率半導體器件的至少一個接觸元件的至少一個第一母座。本發(fā)明還涉及包含多個功率半導體模塊的功率半導體模塊組裝件。
背景技術(shù)：
上述種類的第一母座(為了簡化描述也稱作母座)是本領(lǐng)域眾所周知的并且用于接觸功率半導體器件領(lǐng)域，特別是大功率半導體器件。在這個領(lǐng)域，正常操作模式下至少30A以及故障情況下2000A范圍內(nèi)的高電流經(jīng)過母座，優(yōu)選不影響其完整性。每個母座包含支腳和首部，它們可沿母座縱軸互相相對移動并且通過例如電流旁路電互連。在支腳和首部之間設(shè)置彈簧元件，它對支腳和首部施加向外的力以使它們推壓功率半導體器件的接觸元件和相對觸點，例如殼體的蓋子，從而保持它們之間的電連接。彈簧元件可以是彈簧墊圈組，但也可以使用其它彈簧元件。支腳與相應接觸元件之間的接觸經(jīng)由支腳基底提供。此類母座通常用于接觸柵極或控制觸點、集電極觸點和/或發(fā)射極觸點。如上所述的接觸元件可以是例如功率半導體器件的頂面或底面，取決于其布置，或基板上提供的分離的接觸元件，專門用于接觸功率半導體器件的控制電極?？刂齐姌O通常是柵極電極，它通過電線等電連接到此分離的接觸元件。功率半導體器件的控制電極通常位于其頂面上。僅為舉例說明之目的，半導體芯片的底面或集電極側(cè)可通過錫焊、燒結(jié)等方式連接到導電的基板，由此形成表面接觸。半導體器件的頂面或發(fā)射極側(cè)可通過母座接觸。連接到柵極電極的分離的接觸元件設(shè)置在基板上并與基板電隔離，并且也通過母座接觸。這些功率半導體器件可處理約I. 7 kV或更高的電壓。半導體器件與基板之間的表面接觸還使熱量從半導體傳送出去，即半導體器件熱耦合和電耦合到基板。用于此領(lǐng)域的典型功率半導體器件為像絕緣柵雙極晶體管(IGBT)、反向?qū)щ娊^緣柵雙極晶體管(反向?qū)щ奍GBT)、雙模絕緣柵晶體管(BIGT)或(功率)二極管的功率晶體管。為了形成可處理高達100 A或更高的電流的功率半導體模塊，經(jīng)常組合功率半導體器件。功率半導體器件在基板上并聯(lián)設(shè)置，基板通常形成功率半導體模塊的導電基底。功率半導體模塊通常由導電蓋覆蓋，它為功率半導體器件提供另一個觸點。功率半導體器件通常通過母座連接到導電蓋。對于功率晶體管，控制觸點也連接到蓋子，由此蓋子與控制觸點絕緣。多個功率半導體模塊可進一步組合以形成功率半導體模塊組裝件。功率半導體模塊在公共殼體中機械和電學地互相并聯(lián)設(shè)置。半導體模塊的基板形成模塊組裝件的導電基底。此外，功率半導體模塊組裝件的殼體也由導電蓋覆蓋，導電蓋與在其中設(shè)置的功率半導體模塊的蓋子接觸。功率半導體模塊組裝件可包含相同的功率半導體模塊，例如包含功率晶體管的功率半導體模塊，或不同的功率半導體模塊，例如一組包含功率晶體管的功率半導體模塊以及包含二極管的至少一個功率半導體模塊。這類功率半導體模塊組裝件被本申請人稱作“Stakpak”，并可用于形成處理高達數(shù)百kV的堆疊布置，例如在HVDC應用中使用。相應地，功率半導體模塊組裝件的機械設(shè)計經(jīng)過優(yōu)化以便于在長堆疊中鉗位。在這些堆疊布置中，單個功率半導體模塊組裝件的機械和電穩(wěn)定性對防止整個堆疊布置出現(xiàn)故障至關(guān)重要。取代將功率半導體模塊設(shè)置到功率半導體模塊組裝件和功率半導體模塊組裝件堆疊中，還可直接堆疊功率半導體模塊。在這種情況下，各個功率半導體器件的短路故障模式(SCFM)的支持是重要特征。在功率半導體器件之一出現(xiàn)故障的情況下，它無法提供短路以實現(xiàn)從基板到蓋子的傳導。這歸因于功率半導體模塊以及功率半導體模塊組裝件，它們在SCFM中禁用。在多個功率半導體模塊或功率半導體模塊組裝件串聯(lián)連接時，例如形成上述堆疊布置，單個功率半導體 器件的故障不會導致串聯(lián)功率半導體模塊或功率半導體模塊組裝件的故障。特別是在這種短路故障模式中，高達2000A的極高電流可流經(jīng)單個半導體器件和與故障功率半導體器件接觸的相應母座，因為短路橋接所有并聯(lián)功率半導體器件。為了實現(xiàn)這些功率半導體器件的長壽命并相應地實現(xiàn)功率半導體模塊和功率半導體模塊組裝件的長壽命，期望短路故障模式可維持一年或更長時間。由于SCFM中的高電流，接觸元件與母座支腳之間的電連接質(zhì)量會隨時間下降。與SCFM中的功率半導體器件接觸的母座與另外的母座之間可能出現(xiàn)電弧。相應地，母座的接觸元件和支腳會磨損和氧化，由此增大其間的電連接電阻，從而降低SCFM中的短路能力。電弧甚至可導致與SCFM中的功率半導體器件接觸的整個母座的損耗。電弧還可傳播到其它母座，直到它們完全消耗，即損壞。這會導致包含SCFM中的功率半導體器件的功率半導體模塊以及相應的功率半導體模塊組裝件的故障。在母座損耗時，其彈簧墊圈組無法維持功率半導體模塊操作所需的接觸元件與蓋子之間的電連接。電弧和引腳損耗的問題還涉及母座，它不攜帶負載電流，并因此被認為適合維持功率半導體模塊和功率半導體模塊組裝件的機械穩(wěn)定性。這特別涉及功率半導體器件的柵極觸點，它在SCFM期間不攜帶負載電流并因此在功率半導體模塊中用于維持其機械穩(wěn)定性。相應地，接觸柵極的母座應永不損耗。因此，防止這些母座上出現(xiàn)電弧非常重要，特別是在短路故障模式中。在本領(lǐng)域中，傾向于通過功率半導體模塊的合適設(shè)計來解決電弧傳播問題。然而，即使將各個母座互相隔開很遠的距離放置，仍無法可靠地防止母座的電弧和損耗。甚至接觸控制觸點的母座也會受到電弧的影響。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的一個目的是提供一種功率半導體模塊，它包含提供良好電學和機械穩(wěn)定性并具有長壽命(即使在有電弧的情況下)的第一母座。本發(fā)明的又一個目的是提供一種功率半導體模塊布置，它具有延長的壽命，特別是在短路故障模式中操作時。
這個目的通過獨立權(quán)利要求來實現(xiàn)。從屬權(quán)利要求中提供了有利實施例。具體來說，本發(fā)明提供包含具有支腳的第一母座的功率半導體模塊，由此提供支腳基底用于接觸功率半導體器件的接觸元件，特別是在包含基板和設(shè)置在基板上的至少一個功率半導體器件的功率半導體模塊中，由此提供絕緣部件與支腳的外表面電隔離。功率半導體器件可由至少另一個母座接觸。本發(fā)明還提供功率半導體模塊組裝件，包含如上文指定的多個功率半導體模塊，由此功率半導體模塊互相并排設(shè)置且相鄰功率半導體模塊之間有電連接。本發(fā)明的基本思路是使用絕緣部件電隔離并保護母座支腳的外表面。一方面，絕緣部件防止在第一母座上出現(xiàn)可攜帶高負載電流的電弧，例如在短路故障模式(SCFM)中。另一方面，絕緣部件防止不攜帶高負載電流的第一母座因源自另一母座的電弧而損耗。另一母座可以是另一個第一母座或第二母座，它是本領(lǐng)域中已知的常規(guī)母座。絕緣部件需要良好的電隔離能力，這樣它們才能有效地減少電弧的出現(xiàn)和第一母座因電弧受到的損耗。由于電弧永遠無法完全消除，還要求絕緣部件具有高熔化溫度，以便長時間維持絕緣能力。由于電弧周圍的溫度可達到數(shù)百攝氏度，絕緣部件的熔化溫度優(yōu)化高于電弧造成的溫度?！ぞ哂兄辽僖粋€第一母座的功率半導體模塊將具有延長的壽命，因為絕緣部件減少了第一母座的損耗并且功率半導體模塊可在短路故障模式中操作更長的時間。另外，功率半導體模塊的機械穩(wěn)定性將維持更長時間，因為第一母座的損耗減少。通過減少攜帶高負載電流的第一母座處的電弧，例如在SCFM中，功率半導體模塊中的其它第一和第二母座的壽命也得以延長。相應地，功率半導體模塊和功率半導體模塊組裝件可操作更長時間才會出現(xiàn)故障并需要進行更換。這也延長了功率半導體模塊和功率半導體模塊組裝件的堆疊布置的壽命并減少其維護間隔時間。根據(jù)本發(fā)明的一個優(yōu)選實施例，提供具有管狀主體的絕緣部件，它設(shè)置在支腳周圍。管狀主體的截面形狀優(yōu)選地適合支腳的截面形狀。優(yōu)選圓形的截面形狀。管狀主體可輕松固定于第一母座的支腳，以在其整個圓周提供絕緣。根據(jù)本發(fā)明的一個優(yōu)選實施例，管狀主體具有0. 5 mm到2. 0 mm的厚度。這個厚度最適合當今的公共第一母座。取決于第一母座特定設(shè)計和涉及的電流，厚度也可以更大或更小。 根據(jù)本發(fā)明的一個優(yōu)選實施例，絕緣部件延伸于支腳的整個高度。這樣，整個支腳絕緣并且最好地防止電弧。按照本發(fā)明的一個優(yōu)選實施例，絕緣部件包含陶瓷基底材料。優(yōu)選地，絕緣部件完全由陶瓷基底材料制成。陶瓷基底材料提供良好的絕緣能力并具有高熔化溫度。在本發(fā)明的一個優(yōu)選實施例中，陶瓷基底材料為Al2O3,也稱作氧化鋁。氧化鋁是眾所周知的陶瓷材料，由于其良好的絕緣能力及其高熔化溫度而受優(yōu)選。在本發(fā)明的功率半導體模塊的一個優(yōu)選實施例中，提供至少一個第二母座以接觸一個或多個功率半導體器件的至少一個接觸元件。相應地，第一和第二母座可在功率半導體模塊中結(jié)合以使其簡單和便宜。要維持功率半導體模塊的機械穩(wěn)定性，只需要保持一些母座，即第一母座。根據(jù)本發(fā)明的功率半導體模塊的一個修改實施例，至少一個功率半導體器件是絕緣柵雙極晶體管、反向?qū)щ娊^緣柵雙極晶體管、雙模絕緣柵晶體管或二極管。這些功率半導體器件適合在高功率條件下操作并且可處理高電壓和電流。優(yōu)選地，多個相同的功率半導體器件可結(jié)合到單個功率半導體模塊中。備選地，來自所列功率半導體器件的任意組功率半導體器件可結(jié)合到單個功率半導體模塊中。根據(jù)本發(fā)明的功率半導體模塊的一個修改實施例,功率半導體模塊包含至少提供接觸元件作為多個功率半導體器件的公共控制觸點的多個功率半導體器件，并且第一母座與提供作為公共控制觸點的至少一個接觸元件接觸?？刂朴|點僅需處理較小的電流，因此它們可輕易結(jié)合。這允許提供表面足夠大供標準第一或第二母座接觸而無需在基板上占據(jù)太多空間的接觸元件。這允許功率半導體模塊的高效設(shè)計。另外，可使用具有獨特尺寸的第一或第二母座以接觸功率半導體器件的所有接觸元件。公共控制觸點置于基板上，但不與基板電接觸。優(yōu)選地，在公共控制觸點與基板之間提供絕緣層。根據(jù)本發(fā)明的功率半導體模塊的一個修改實施例,功率半導體模塊包含殼體，由 此導電蓋子形成殼體的頂面并提供功率半導體模塊的第一觸點，基板形成殼體的基底并提供功率半導體模塊的第二觸點，至少一個功率半導體器件的第一觸點經(jīng)由第一或第二母座與蓋子電接觸，并且至少一個功率半導體器件的控制觸點經(jīng)由第一母座與蓋子接觸。優(yōu)選地，在半導體器件與蓋子之間提供第一或第二母座以提供電接觸。一般來說，蓋子提供功率半導體模塊的公共第一觸點以接觸功率半導體器件的第一觸點，而基板提供功率半導體模塊的第二觸點。在堆疊布置的情況下，功率半導體模塊的第一和第二觸點可與其它功率半導體模塊接觸或與功率半導體模塊組裝件的相應觸點接觸。在像IGBT等功率晶體管的情況下，第一觸點指發(fā)射極觸點，第二觸點指集電極觸點，而控制觸點指柵極觸點?？刂朴|點與功率半導體模塊的蓋子無電接觸，并且可通過例如蓋子中的空隙或通過功率半導體模塊的橫向觸點接觸。根據(jù)本發(fā)明的功率半導體模塊組裝件的一個優(yōu)選實施例，功率半導體模塊的基板互相電連接。連接可通過接線或通過提供接觸板完成，以接觸基板和/或半導體模塊的蓋子。功率半導體模塊的第一和/或第二觸點相應地形成功率半導體模塊組裝件的公共第一和/或第二觸點。在功率半導體模塊包含至少一個功率晶體管的情況下，控制觸點可電連接。根據(jù)本發(fā)明的功率半導體模塊組裝件的一個優(yōu)選實施例，功率半導體模塊組裝件包含殼體，由此導電蓋子形成殼體的頂面并提供功率半導體模塊組裝件的第一觸點，它與功率半導體模塊的第一觸點接觸，并且功率半導體模塊的基板貫穿殼體基底。在堆疊布置的情況下，功率半導體模塊組裝件的第一和第二觸點可與其它功率半導體模塊組裝件接觸。一般來說，功率半導體模塊組裝件的蓋子提供第一觸點以接觸功率半導體模塊的第一觸點，并且功率半導體模塊的基板提供功率半導體模塊的公共第二觸點。在功率半導體模塊具有控制觸點的情況下，它們還可在功率半導體模塊組裝件內(nèi)電連接。功率半導體模塊組裝件可具有橫向觸點以接觸功率半導體模塊的已連接控制觸點，或者功率半導體模塊的已連接控制觸點可通過蓋子中的空隙接觸。在堆疊布置的情況下，功率半導體模塊組裝件的第一和第二觸點可與其它功率半導體模塊組裝件接觸。在像IGBT等功率晶體管的情況下，第一觸點指發(fā)射極觸點，第二觸點指集電極觸點，而控制觸點指柵極觸點。


通過參照以下所述實施例進行的說明，本發(fā)明的這些方面及其它方面將會非常明顯。在附圖中
圖I示出功率半導體模塊的局部截面圖，該功率半導體模塊具有功率半導體器件以及接觸功率半導體器件的接觸元件的第一和第二母座。
具體實施例方式圖I示出根據(jù)本發(fā)明的功率半導體模塊I的一部分。功率半導體模塊I包含導電基板2和設(shè)置在基板2上的功率半導體器件3。半導體器件3的頂面4a形成其第一觸點，它是根據(jù)本發(fā)明的第一接觸元件。功率半導體器件3的第二觸點在其底面形成，它與基板2電接觸。功率半導體器件3的控制觸點連接到分離的接觸元件4b，它是根據(jù)本發(fā)明的功·率半導體器件3的另一個接觸元件。分離的接觸元件4b也稱作控制觸點。分離的接觸元件4b在基板2上提供為平面形狀，但通過絕緣層(圖中不可見)與基板2電隔離。在本發(fā)明的這個實施例中的功率半導體器件3是絕緣柵雙極晶體管(IGBT)，第一觸點是發(fā)射極觸點，第二觸點是集電極觸點，而控制觸點是柵極觸點。相應地，連接到柵極觸點的分離接觸元件4b也稱作柵極槽道(runner)。柵極槽道4b與柵極引腳6接觸，根據(jù)本發(fā)明柵極引腳6是第一母座。功率半導體器件3的頂面4a與芯片引腳7接觸，根據(jù)本發(fā)明芯片引腳7是第二母座。柵極引腳6和芯片引腳7各包含例如通過電流旁路10電接觸的支腳8和首部9，以及在支腳8和首部9上施加向外的力的彈簧墊圈組11。也可以使用另一彈簧元件代替彈簧墊圈組。現(xiàn)在參照第一母座6，即柵極引腳6，其支腳8具有如基底12的端面，它與柵極槽道4b電接觸。根據(jù)本發(fā)明，在支腳8的外表面14周圍提供絕緣部件13以提供電隔離。絕緣部件13具有管狀主體，它設(shè)置在支腳8周圍。絕緣部件13的管狀主體延伸于支腳8的整個高度。在本發(fā)明的這個實施例中，管狀主體具有約1.0 mm的厚度，雖然在本發(fā)明的不同實施例中，厚度可優(yōu)選地在0.5 mm與2.0 mm之間變化。絕緣部件13由陶瓷基底材料制成，在本發(fā)明的這個實施例中陶瓷基底材料為氧化鋁，也稱作Al2O3。雖然圖I中未明確示出，功率半導體模塊I包含多個上述功率半導體器件3。每個功率半導體器件3的頂面4a與相應芯片引腳7接觸。功率半導體器件3的控制電極連接到一個或多個公共接觸元件，即上述柵極槽道4b，如上所述它與柵極引腳6接觸。在使用一個以上公共接觸元件的情況下，每個接觸元件與相應柵極引腳6接觸。相應地，功率半導體模塊I使用互相并聯(lián)設(shè)置的多個功率半導體器件3構(gòu)成。在除可控功率半導體器件3之外還使用二極管的情況下，它們逆并聯(lián)設(shè)置。功率半導體模塊I包含殼體15，由此基板2形成殼體15的基底。導電蓋子(圖中未明確示出)形成殼體15的頂面。蓋子提供功率半導體模塊I的第一觸點，而基板2提供功率半導體模塊I的第二觸點。功率半導體器件3通過第一和第二母座6、7與蓋子電接觸，第一和第二母座6、7在功率半導體器件3的接觸元件4a、4b與蓋子之間提供?；?連接到功率半導體器件3的集電極并形成功率半導體模塊I的第二觸點，而功率半導體器件3的發(fā)射極連接到蓋子。功率半導體器件3的柵極可通過蓋子空隙在功率半導體模塊I中公共地接觸。
功率半導體模塊組裝件(圖中未明確示出)包含多個上述功率半導體模塊。功率半導體模塊I在殼體中互相并排設(shè)置，由此功率半導體模塊I的基板2貫穿殼體的基底。導電蓋子形成殼體的頂面并通過相鄰功率半導體模塊I之間的電連接為功率半導體模塊I提供公共觸點。蓋子提供功率半導體模塊組裝件的第一觸點以接觸功率半導體模塊I的第一觸點，而基板2通常提供功率半導體模塊組裝件的第二觸點。功率半導體模塊I的控制觸點在功率半導體模塊組裝件中互相連接并連接到功率半導體模塊組裝件的橫向電觸點。功率半導體模塊組裝件包含不同的半導體模塊，在本發(fā)明的這個示范實施例中為包含功率晶體管的一組功率半導體模塊I和包含二極管的至少一個功率半導體模塊。功率半導體模塊I和功率半導體模塊組裝件可以堆疊。雖然在附圖和以上描述中詳細說明和描述了本發(fā)明，但是這種說明和描述被認為是說明性或示范性而不是限制性的；本發(fā)明并不局限于所公開的實施例。通過研究附圖、 本公開和所附權(quán)利要求，對所公開的實施例的其它變更是本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以理解并且在實施要求保護的本發(fā)明中能夠?qū)崿F(xiàn)。在權(quán)利要求中，詞語“包括”并不排除其它元件或步驟，并且不定冠詞“一”并不排除多個。某些措施在互相不同的從屬權(quán)利要求中描述的事實并不表示不能夠使用這些措施的組合來獲得優(yōu)勢。權(quán)利要求中的任何參考標號不應當被理解為限制范圍。參考標號列表 I功率半導體模塊 2基板
3功率半導體器件
4a接觸元件，功率半導體器件的頂面
4b接觸元件，柵極槽道，公共控制觸點
6第一母座，柵極引腳
7第二母座，芯片引腳
8支腳
9首部
10電流旁路
11彈簧墊圈組
12基底，端面
13絕緣部件
14外表面
15殼體。
權(quán)利要求
1.功率半導體模塊(I)，包括 基板⑵， 至少一個功率半導體器件(3)，其設(shè)置在所述基板(2)上，以及包含支腳和首部的至少一個第一母座出)，所述支腳和所述首部可沿所述母座的縱軸互相相對移動，所述支腳和所述首部電互連并且在所述支腳和所述首部之間設(shè)置彈簧元件以在所述支腳和所述首部上施加向外的力，由此提供所述至少一個第一母座￠)以通過所述支腳(8)的基底(12)接觸至少一個接觸元件(4a、4b)，其中 為所述至少一個第一母座(6)提供具有管狀主體的絕緣部件(13)，用于使所述第一母座(6)的所述支腳⑶的外表面(14)電隔離。
2.如以上權(quán)利要求I所述的功率半導體模塊， 其中 所述絕緣部件(13)設(shè)置到所述支腳(8)周圍。
3.如以上權(quán)利要求中的任一項所述的功率半導體模塊， 其中 所述管狀主體的厚度為0. 5 mm到2. 0 mm。
4.如以上權(quán)利要求中的任一項所述的功率半導體模塊， 其中 所述絕緣部件(13)延伸于所述支腳(8)的整個高度。
5.如以上權(quán)利要求中的任一項所述的功率半導體模塊， 其中 所述絕緣部件(13)包含陶瓷基底材料。
6.如以上權(quán)利要求5所述的功率半導體模塊， 其特征在于 所述陶瓷基底材料為Al2O3。
7.如以上權(quán)利要求中的任一項所述的功率半導體模塊(1)， 其中 提供至少一個第二母座(7)以接觸所述一個或多個功率半導體器件(3)的至少一個接觸元件(4a、4b)，其中所述第二母座(7)包括支腳和首部，所述支腳和所述首部可沿所述母座的縱軸互相相對移動，所述支腳和所述首部電互連并且在所述支腳和所述首部之間設(shè)置彈簧元件以在所述支腳和所述首部上施加向外的力。
8.如以上權(quán)利要求中的任一項所述的功率半導體模塊(1)， 其中 所述至少一個功率半導體器件(3)是絕緣柵雙極晶體管、反向?qū)щ娊^緣柵雙極晶體管、雙模絕緣柵晶體管或二極管。
9.如以上權(quán)利要求中的任一項所述的功率半導體模塊(1)， 其中 所述功率半導體模塊(I)包含多個功率半導體器件(3)，提供至少一個接觸元件作為所述多個功率半導體器件(3)的公共控制觸點(4b)，以及 所述至少一個第一母座(6)與提供作為所述公共控制觸點(4b)的所述至少一個接觸元件接觸。
10.如權(quán)利要求9所述的功率半導體模塊(I)， 其中 所述公共控制觸點(4b)在所述基板(2)上提供。
11.如以上權(quán)利要求中的任一項所述的功率半導體模塊(1)， 其中 所述功率半導體模塊(I)包含殼體(15)，由此 導電蓋子形成所述殼體(15)的頂面并提供所述功率半導體模塊(I)的第一觸點， 基板(2)形成所述殼體(15)的基底并提供所述功率半導體模塊(I)的第二觸點， 所述至少一個功率半導體器件(3)的第一觸點通過第一或第二母座(6、7)與所述蓋子電接觸，以及 所述至少一個功率半導體器件(3)的控制觸點(4b)通過第一母座(6)與所述蓋子接觸。
12.功率半導體模塊組裝件，包含多個如以上權(quán)利要求I到11中的任一項所述的功率半導體模塊(I)，由此 所述功率半導體模塊(I)互相并排設(shè)置，且相鄰功率半導體模塊(I)之間電連接。
13.如以上權(quán)利要求12所述的功率半導體模塊組裝件， 其特征在于 所述功率半導體模塊(I)的所述基板(2)互相電連接。
14.如以上權(quán)利要求12或13所述的功率半導體模塊組裝件， 其特征在于 所述功率半導體模塊組裝件包含殼體，由此 導電蓋子形成所述殼體的頂面并提供所述功率半導體模塊組裝件的第一觸點，所述第一觸點與所述功率半導體模塊(I)的第一觸點接觸，以及 所述功率半導體模塊(I)的所述基板(2)貫穿所述殼體的基底。
全文摘要
本發(fā)明名稱為“母座、功率半導體模塊以及具有多個功率半導體模塊的半導體模塊組裝件”。本發(fā)明提供具有支腳(8)的第一母座(6)，由此提供支腳(8)的基底(12)以接觸功率半導體器件(3)的接觸元件(4a、4b)，特別是在包含基板(2)和至少一個功率半導體器件(3)的功率半導體模塊(1)中，該功率半導體模塊在基板(2)上設(shè)置并與至少一個另外的母座(6、7)接觸，由此提供絕緣部件(13)以與支腳(8)的外表面(14)電隔離。
文檔編號H01L23/04GK102956570SQ20121029386
公開日2013年3月6日 申請日期2012年8月17日 優(yōu)先權(quán)日2011年8月17日
發(fā)明者F.杜加爾 申請人:Abb 技術(shù)有限公司