專利名稱：在離子注入器中調(diào)節(jié)離子束平行的方法和設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體晶片或其他工件的離子注入的方法和系統(tǒng)，更具體地，本發(fā)明涉及在離子注入器中調(diào)節(jié)離子束平行的方法和設(shè)備。
背景技術(shù)：
離子注入是將改變傳導(dǎo)性的摻合物引入到半導(dǎo)體晶片中規(guī)范技術(shù)。將所需的摻合物在離子源離子化，加速離子形成指定能量的離子束，將離子束指向晶片表面。離子束中帶有能量的離子穿透進(jìn)入半導(dǎo)體物質(zhì)的疏松部分，并嵌入半導(dǎo)體物質(zhì)的晶格中形成所需傳導(dǎo)性的區(qū)域。 離子注入系統(tǒng)通常包括用來將氣體或固體物質(zhì)轉(zhuǎn)換成界限分明的離子束的離子源。對離子束進(jìn)行質(zhì)譜分析以除去不需要的離子種類，然后將離子束加速到所需能量并指在目標(biāo)平面上。通過離子束掃描，目標(biāo)移動或通過離子束掃描和目標(biāo)移動的結(jié)合，使離子束在目標(biāo)區(qū)域分布。使用離子束掃描和目標(biāo)移動相結(jié)合的離子注入器在1990年5月I日授予Berrian等人的美國專利No. 4, 922, 106中公開。在許多應(yīng)用中將平行的離子束向半導(dǎo)體晶片的輸送都是非常重要的必要條件。平行離子束是在半導(dǎo)體晶片表面上具有平行離子軌跡的離子束。在離子束掃描的情況中，要求掃描的離子束在晶片表面上保持平行。平行離子束可預(yù)防入射離子在半導(dǎo)體晶片的晶體結(jié)構(gòu)中溝流，或者在需要溝流的情況中使得溝流均勻。通常，當(dāng)需要離子束高度平行時使用連續(xù)離子注入器。在一個方法中，離子束在一維掃描，這樣離子束呈現(xiàn)從點分散，稱為掃描源。然后將掃描離子束穿過實施聚焦的離子光學(xué)元件。離子光學(xué)元件將離子軌跡轉(zhuǎn)換成平行離子軌跡以輸送到半導(dǎo)體晶片上。聚焦可用角度校正器磁鐵或用靜電透鏡來實施。角度校正磁鐵可以產(chǎn)生彎曲和聚焦的掃描離子束。使用靜電透鏡可以獲得平行離子束，但能量污染可能是一個缺點。從角度校正器磁鐵或其他聚焦元件輸出的離子束可以是平行的，或可以是集中在一點的或分散的，這取決于離子束的參數(shù)和聚焦元件的參數(shù)。當(dāng)使用角度校正器磁鐵時，離子束的平行可通過改變角度校正器磁鐵的磁場來調(diào)節(jié)。角度校正器磁鐵一般具有單一的磁場調(diào)節(jié)作用，其改變平行或彎曲角度，或離子束方向?？梢岳斫庹J(rèn)為，離子注入器常常需要用來操作多種不同的離子種類和離子能量。當(dāng)離子束參數(shù)改變時，需要重新調(diào)節(jié)角度校正器磁鐵以恢復(fù)離子束的平行。在先有技術(shù)的離子注入器中，通常調(diào)節(jié)角度校正器磁鐵以使離子束在離子注入器末端位置的晶片平面上可具有垂直入射。然而，可在晶片平面上獲得垂直入射的角度校正器的調(diào)節(jié)作用可能會產(chǎn)生不是最優(yōu)化的平行。具體地講，調(diào)節(jié)離子束以在晶片平面上垂直入射的離子束會有些程度的分散或集中。如在圖8中所示，調(diào)節(jié)角度校正器磁鐵，以使離子束200的中心射線垂直與晶片平面202。然而，當(dāng)離子束200調(diào)節(jié)垂直與晶片平面202時，離子束200的平行會降級，這樣離子束會集中在一點或分散。在一些很重要的應(yīng)用中平行的缺陷是不可接受的。在另一種方法，在通常情況下，角度校正器磁鐵一般設(shè)計成最佳的平行狀態(tài)，離子注入器末端位置定位成離子束垂直入射在晶片上。但是，離子束的平行和垂直入射在離子束參數(shù)的很寬范圍不能保持，并且改變末端位置的定位非常困難。因此，存在對調(diào)節(jié)離子注入器的離子束平行的改進(jìn)的方法和設(shè)備的需要。

發(fā)明內(nèi)容
依據(jù)本發(fā)明的第一個方面，提供了一種在工件中注入離子的方法。方法包括產(chǎn)生離子束的步驟，將離子束調(diào)節(jié)到平面中的所需的平行度的步驟，測定所述平面中的所調(diào)節(jié)的離子束的方向的步驟，繞垂直于所述平面的軸線將工件傾斜到相對于所測定的離子束方 向的注入角度的步驟，以及對傾斜到注入角度的工件實施注入的步驟。調(diào)節(jié)離子束的步驟可以包括將離子束調(diào)節(jié)到離子軌跡基本上是平行的。一般，離子束方向與離子注入器的離子束軸線方向不同。注入角度可以是零度，其中將工件的方向定為與所測定的離子束方向垂直。工件可以包括半導(dǎo)體晶片，確定工件方向的步驟可以包括將半導(dǎo)體晶片傾斜到相對于所測定的離子束的方向的注入角度。方法可進(jìn)一步包括測定離子束的不平行角度的步驟。調(diào)節(jié)離子束的步驟可以離子束的測定不平行角度為基礎(chǔ)。離子束的方向和離子束的不平行角度可使用移動離子束成型器和一個或多個離子束檢測器來測定。依據(jù)本發(fā)明的另一個方面，提供了一種在工件中注入離子的方法，包括步驟產(chǎn)生離子束；測定平面中的離子束的平行；根據(jù)測定的平行度調(diào)節(jié)所述平面中的離子束到所需的平行度；測定所述平面中的所調(diào)節(jié)的離子束的離子束方向；繞垂直于所述平面的軸線將工件傾斜到相對于所測定的離子束方向的注入角度；對傾斜到相對于所測定的離子束方向的注入角度的工件實施注入。依據(jù)本發(fā)明的另一個方面，提供了在工件中注入離子的設(shè)備。設(shè)備包括產(chǎn)生離子束的裝置，測定平面中的離子束的平行度的裝置，根據(jù)所測定的平行度將所述平面中的離子束調(diào)節(jié)到所需的平行度的裝置，測定所述平面中的所調(diào)節(jié)的離子束方向的裝置，繞垂直于所述平面的軸線將工件傾斜到相對于所測定的離子束的方向的注入角度的裝置，以及對傾斜到相對于所測定的離子束方向的注入角度的工件實施注入的裝置。依據(jù)本發(fā)明的另一個方面，提供了在工件中注入離子的設(shè)備。設(shè)備包括離子束發(fā)生器，用來將離子束調(diào)節(jié)到平面中的所需的平行度的離子光學(xué)元件，用來測定所述平面中的所調(diào)節(jié)的離子束方向的測定系統(tǒng)，以及用來繞垂直于所述平面的軸線將工件傾斜到相對于所測定的離子束方向的注入角度的傾斜機(jī)構(gòu)。對傾斜到相對于所測定的離子束方向的注入角度的工件實施注入。離子光學(xué)元件可以包括用來將離子束的離子軌跡調(diào)節(jié)成基本上平行的角度校正器磁鐵。測定系統(tǒng)可以包括移動離子束成型器和一個或多個離子束檢測器。其中注入角度是零度，將工件傾斜為與所測定的離子束方向垂直。依據(jù)本發(fā)明的另一個方面，提供了一種在工件中注入離子的方法，包括產(chǎn)生離子束；測定平面中的所述離子束的離子束方向；繞垂直于所述平面的軸線將工件傾斜到相對于測定的離子束方向的注入角度；對傾斜到注入角度的工件實施注入。依據(jù)本發(fā)明的另一個方面，提供了一種用來在工件中注入離子的設(shè)備，包括產(chǎn)生離子束的裝置；測定平面中的離子束的方向的裝置；用于繞垂直于所述平面的軸線將工件傾斜到相對于測定的離子束方向的注入角度的裝置，所述注入是對傾斜到注入角度的工件實施。依據(jù)本發(fā)明的另一個方面，提供了一種用來在工件中注入離子的設(shè)備，包括離子束發(fā)生器；用于測定平面中的離子束的離子束方向的測定系 統(tǒng)；傾斜機(jī)構(gòu)，用于繞垂直于所述平面的軸線將工件傾斜到相對于測定的離子束方向的注入角度，所述注入對傾斜到注入角度的工件實施。


為了更好地理解本發(fā)明，參考所附示圖，這些示圖參考收入本篇，其中圖I是適于實施本發(fā)明的離子注入器的示意圖。圖2是演示在相對大的彎曲角度和集中離子軌跡情況中角度校正器磁鐵的操作示意圖。圖3是演示在相對小的彎曲角度和集中離子軌跡情況中角度校正器磁鐵的操作示意圖。圖4是依據(jù)本發(fā)明的實施方案調(diào)節(jié)離子注入器的過程的流程圖。圖5是依據(jù)本發(fā)明的實施方案入射在傾斜的晶片上的平行離子束的示意圖。圖6A-6C是演示測定離子束平行和離子束方向的操作的示意圖。圖7A-7C是分別在圖6A-6C的離子束情況中離子束成型器的位置和離子束檢測器輸出的關(guān)系圖。圖8是演示調(diào)節(jié)離子束平行的先有技術(shù)的示意圖。
具體實施例方式適于具體表現(xiàn)本發(fā)明的離子注入器的實例的簡單方框圖在圖I中顯示。離子束發(fā)生器10產(chǎn)生所需種類的離子束，將離子束中的離子加速到所需能量，對離子束實施質(zhì)量/能量分析以除去能量和質(zhì)量污染物，提供具有低含量的能量和質(zhì)量污染物的帶有能量的離子束12。掃描系統(tǒng)16，其包括掃描器20和角度校正器24，將離子束12偏轉(zhuǎn)產(chǎn)生具有平行或接近平行離子軌跡的掃描離子束30。末端位置32包括在掃描離子束30的射程中支撐半導(dǎo)體晶片34或其他工件以使所需種類的離子注入半導(dǎo)體晶片34中的臺板36。離子注入器可以包括此領(lǐng)域中技術(shù)人員眾所周知的其他組件。例如，末端位置32 —般還包括將晶片引入離子注入器以及在注入后將晶片移出的自動晶片處理裝置，劑量測定系統(tǒng)，電子噴射槍等等?？梢岳斫庹J(rèn)為，離子束穿過的全部射程在離子注入期間是抽真空的。離子束發(fā)生器10的主要組件包括離子束源40，源濾過器42，加速/減速柱44和質(zhì)譜儀50。源濾過器42優(yōu)選地接近離子束源40定位。加速/減速柱44定位于源濾過器42和質(zhì)譜儀50之間。質(zhì)譜儀50包括偶極分析磁鐵52和帶有分辯孔56的掩板54。掃描器20可以是靜電掃描器,其將離子束12偏轉(zhuǎn)產(chǎn)生離子軌跡從掃描源60分散的掃描離子束。掃描器20可以包括與掃描發(fā)生器連接的間隔的掃描板。依據(jù)掃描板之間的電場，掃描發(fā)生器使用掃描電壓波形，如鋸齒波形來掃描離子束。角度校正器24設(shè)計用來偏轉(zhuǎn)掃描離子束中的離子，產(chǎn)生具有平行離子軌跡的掃描離子束30，這樣來聚焦掃描離子束。具體地，角度校正器24可以包括隔開界定間隙的磁極片26和與電源28耦合的磁線圈(未顯示)。掃描離子束穿過磁極片26之間的間隙，并依據(jù)間隙中的磁場偏轉(zhuǎn)?？梢酝ㄟ^磁線圈改變電流來調(diào)節(jié)磁場。在選取的平面中實施離子束掃描和離子束聚焦，如在水平平面中。在圖I的實施方案中，末端位置32包括離子束平行及方向測定系統(tǒng)80。系統(tǒng)80如下描述測定離子束的平行和方向。此外，末端位置32還包括傾斜機(jī)械裝置84，用來根據(jù)掃描離子束30來傾斜晶片支撐臺板36。在一個實施方案中，傾斜機(jī)械裝置84可以根據(jù)兩 個直交軸來傾斜晶片支撐臺板36。操作角度校正器24的實例在圖2和圖3中演示。如圖所示，角度校正器24的磁極片26楔形或類似地定形，這樣不同的離子軌跡通過磁極片之間的間隙時有不同的射程長度。在圖2中，使用了相對高強(qiáng)度的磁場。離子軌跡具有相對大的彎曲角度，在它們離開角度校正器24時可以集中。在圖3的實例中，使用了相對低強(qiáng)度的磁場。離子軌跡具有相對小的彎曲角度，在它們離開角度校正器24時可以分散。這樣，在圖2的實例中，掃描離子束30以相對于晶片平面70的垂線呈正角度72入射在晶片平面70上，在圖3的實例中，掃描離子束30以相對于晶片平面70的垂線呈負(fù)角度74入射在晶片平面70上。可以理解認(rèn)為，通過適當(dāng)調(diào)節(jié)角度校正器24中磁場來產(chǎn)生平行或接近平行的離子軌跡。然而，通常提供最佳平行的磁場不一定產(chǎn)生在晶片70上掃描離子束30的垂直入射。依據(jù)本發(fā)明的一個實施方案調(diào)節(jié)離子注入器和實施離子注入的過程的流程圖在圖4中顯示。在步驟100中，產(chǎn)生離子束并通過離子注入器的離子束線路傳送。如在圖I中所示，離子束12有離子束發(fā)生器12產(chǎn)生，并通過掃描器20和角度校正器24傳送到末端位置32。在步驟102中，離子束的平行在離子束入射到半導(dǎo)體晶片上或其他工件上的平面上或接近該平面測定。測定離子束平行的技術(shù)的實例結(jié)合示圖6A-6C及7A-7C在下面描述。測定平行一般提供不一平行離子束的角度，具體地，提供離子束集中或分散的半角。測定的不一平行離子束的角度表示離子束軌跡距離子束中心射線的最大偏移。在步驟104中，將離子束調(diào)節(jié)到所需的平行程度，一般地接近零分散或集中。如在圖5中所示，離子束的平行可以通過調(diào)節(jié)電源28施加在磁線圈上的電流來改變。調(diào)節(jié)的電流使角度校正器24的磁場發(fā)生改變，其接著改變了離子束中離子的軌跡。在調(diào)節(jié)電源28時，通過監(jiān)視測定的掃描離子束30的平行程度來實施調(diào)節(jié)作用。當(dāng)獲得最佳平行時，步驟104的調(diào)節(jié)過程終止。通常，離子束可以在O. I度分散或集中半角內(nèi)調(diào)節(jié)。提供最佳平行的磁場通常不同于將掃描離子束30定向垂直于離子注入器末端位置的晶片平面70的磁場。相反，平行離子束30以相對于晶片平面70的垂線的角度120入射在晶片平面70上，如圖5中所示?？梢岳斫獾氖?，為了演示的目的，角度120在圖5中被夸大了。
在步驟106中，測定調(diào)節(jié)的離子束的方向。具體地，測定所調(diào)節(jié)的離子束相對于晶片平面70的垂線的角度120。測定離子束方向的技術(shù)的實例在下面結(jié)合圖6A-6C和圖7A-7C進(jìn)行描述。在離子束的掃描和聚焦的平面中測定離子束的平行和離子束的方向。在步驟108中，相對所調(diào)節(jié)的離子束的方向設(shè)定注入角度，具體地講，參照角度120。使用傾斜機(jī)械裝置84相對于注入器的晶片平面70傾斜晶片支撐臺板36來設(shè)定注入角度。當(dāng)需要在晶片34上垂直入射平 行掃描離子束30時，將晶片支撐臺板36傾斜與角度120相等的角度122。這樣，臺板36的晶片支撐表面與平行掃描離子束30垂直。在需要非一零度注入角度的情況中，將晶片支撐臺板36相對于所測定的離子束方向傾斜。這樣所測定離子束的方向用來作為設(shè)定入射角度的參照。非一零度注入角度可通過以平行于掃描或聚焦平面的方向傾斜晶片來設(shè)定，或通過以直交于掃描或聚焦平面的方向傾斜晶片來設(shè)定。在每種情況中，非一零度注入角度都是以所測定的離子束方向為參照。在步驟110中，使用具有參照所測定的離子束方向確定的所需注入角度的晶片支撐臺板，以及使用調(diào)節(jié)到最佳平行的掃描離子束30來實施注入。因此，在所需注入角度獲得最佳平行。參考圖6A-6C和圖7A-7C對測定離子束平行和方向的技術(shù)實例進(jìn)行描述。圖6A-6C是演示使用離子束成型器和兩個離子束檢測器對不同離子束進(jìn)行測定的示意圖。圖7A-7C是演示離子束檢測器的輸出與成型器的位置之間的關(guān)系的示圖。如在圖6A-6C中所示，使用移動離子束成型器150和間隔離子束檢測器152和154測定離子束平行和方向，其對應(yīng)離子束平行和方向測定系統(tǒng)80 (圖I)。離子束成型器150可以是部分阻擋離子束的并相對與離子束可橫向移動的任何元件。例如，檢測器152和154可以是Faraday杯，其可產(chǎn)生相應(yīng)于入射離子束的電輸出信號。當(dāng)成型器150在橫過離子束移動時，其阻擋了部分離子束并產(chǎn)生離子束陰影。離子束陰影橫過檢測器152和154移動并產(chǎn)生負(fù)向輸出電流脈沖形式的輸出信號。如在圖6A中所示，平行掃描離子束160垂直入射在晶片平面70上。如圖7A中所示，當(dāng)成型器150的位置與每個檢測器對準(zhǔn)時，檢測器152和154產(chǎn)生輸出脈沖。檢測器輸出脈沖產(chǎn)生時成型器的位置可以用來確定，離子束160具有平行離子軌跡并與晶片平面70垂直。參看圖6B，分散離子束162垂直入射在晶片平面70上。在這種情況中，如圖7B所示，當(dāng)成型器150的位置在檢測器152的右邊時，檢測器152產(chǎn)生輸出脈沖，當(dāng)成型器150的位置在檢測器154的左邊時，檢測器154產(chǎn)生輸出脈沖。在檢測器輸出脈沖產(chǎn)生時成型器的位置可用來確定離子束162的分散角度。相應(yīng)于集中離子束(未顯示)，當(dāng)成型器150的位置在檢測器152的左邊時，檢測器152產(chǎn)生輸出脈沖，當(dāng)成型器150的位置在檢測器154的右邊時，檢測器154產(chǎn)生輸出脈沖。在檢測器輸出脈沖產(chǎn)生時成型器的位置可用來確定離子束的集中角度。如在圖6C中所示，平行離子束164以角度166入射到晶片平面70上。在這種情況中，如圖7C中所示，當(dāng)成型器150的位置分別在檢測器152和154的左邊時，檢測器152和154產(chǎn)生輸出脈沖。在檢測器輸出脈沖產(chǎn)生時成型器的位置可用來確定離子束的方向和平行。通常，離子束可以是分散的或是集中的，可以具有相對于晶片平面為零度的離子束角度。當(dāng)檢測器輸出脈沖產(chǎn)生時，可以分析成型器以確定離子束的平行和方向。平行可以表示為分散或集中的半角，離子束方向可以相對于晶片平面70的垂線來表示。可以理解認(rèn)為，在本發(fā)明的范圍內(nèi)測定離子束的平行和方向可以使用不同技術(shù)。此外，本發(fā)明不受到使用掃描離子束的限制。例如本發(fā)明可以使用帶狀離子束，如在1994 年9月27日頒給White等人的美國專利No. 5，350, 926中所公開的。雖然本文已演示及描述了什么是目前考慮認(rèn)為的本發(fā)明優(yōu)選實施方案，但對此領(lǐng)域中的技術(shù)人員顯而易見的是，在不背離所附權(quán)利要求書所限定的本發(fā)明的范圍的情況下，可以對實施方案作出多種改變和修正。
權(quán)利要求
1.一種在工件中注入離子的方法，包括以下步驟 廣生尚子束； 將離子束調(diào)節(jié)到平面中的所需的平行度； 測定所述平面中的所調(diào)節(jié)的離子束的離子束方向； 繞垂直于所述平面的軸線將工件傾斜到相對于所測定的離子束方向的注入角度；以及 對傾斜到注入角度的工件實施注入。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的方法，其中，調(diào)節(jié)離子束的步驟包括將離子束的離子軌跡調(diào)節(jié)到基本上是平行的。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中，離子束方向與工件傾斜前工件的法線方向相差一離子束角度。
4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的方法，其中，傾斜工件的步驟包括將半導(dǎo)體晶片傾斜到相對于所測定的離子束方向的注入角度。
5.根據(jù)權(quán)利要求I所述的方法，其中，注入角度為零度，工件被傾斜為垂直于所測定的離子束方向。
6.根據(jù)權(quán)利要求I所述的方法，進(jìn)一步包括測定離子束不平行角度的步驟，其中調(diào)節(jié)離子束的步驟是以離子束的不平行角度的測定為基礎(chǔ)的。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其中，離子束的離子束方向和不平行角度是通過可移動的離子束成型器和一個或多個離子束檢測器來測定的。
8.—種在工件中注入離子的方法，包括步驟 產(chǎn)生離子束； 測定平面中的離子束的平行度； 根據(jù)測定的平行度調(diào)節(jié)所述平面中的離子束到所需的平行度； 測定所述平面中的所調(diào)節(jié)的離子束的離子束方向； 繞垂直于所述平面的軸線將工件傾斜到相對于所測定的離子束方向的注入角度；以及 對傾斜到相對于所測定的離子束方向的注入角度的工件實施注入。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中，調(diào)節(jié)離子束的步驟包括將離子束的離子軌跡調(diào)節(jié)到基本上是平行的。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中，注入角度為零度，且工件垂直于所測定的離子束方向。
11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中，離子束方向和不平行角度是通過可移動的離子束成型器和一個或多個離子束檢測器來測定的。
12.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中，傾斜工件的步驟包括傾斜半導(dǎo)體晶片。
13.—種在工件中注入離子的設(shè)備，包括 產(chǎn)生離子束的裝置； 測定平面中的離子束的平行度的裝置； 根據(jù)測定的平行度調(diào)節(jié)所述平面中的離子束到所需的平行度的裝置； 測定所述平面中的所調(diào)節(jié)的離子束的離子束方向的裝置； 繞垂直于所述平面的軸線將工件傾斜到相對于所測定的離子束方向的注入角度的裝置；以及對傾斜到相對于所測定的離子束方向的注入角度的工件實施注入的裝置。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的設(shè)備，其中，所述的調(diào)節(jié)離子束的裝置包括將離子束的離子軌跡調(diào)節(jié)到基本上平行的裝置。
15.根據(jù)權(quán)利要求13所述的設(shè)備，其中，測定離子束平行度的裝置和測定離子束方向的裝置包括可移動離子束成型器和一個或多個離子束檢測器。
16.根據(jù)權(quán)利要求13所述的設(shè)備，其中，傾斜工件的裝置包括相對于離子束傾斜半導(dǎo)體晶片的傾斜機(jī)構(gòu)。
17.一種在工件中注入離子的設(shè)備，包括 離子束發(fā)生器； 調(diào)節(jié)離子束到平面中的所需的平行度的離子光學(xué)元件； 測定所述平面中的所調(diào)節(jié)的離子束的離子束方向的測定系統(tǒng)；以及 繞垂直于所述平面的軸線將工件傾斜到相對于所測定的離子束方向的注入角度的傾斜機(jī)構(gòu)，其中 對傾斜到相對于所測定的離子束方向的注入角度的工件實施注入。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的設(shè)備，其中，所述的離子光學(xué)元件包括將離子束的離子軌跡調(diào)節(jié)到基本上平行的角度校正器磁鐵。
19.根據(jù)權(quán)利要求17所述的設(shè)備，其中，所述的測定系統(tǒng)包括可移動離子束成型器和一個或多個離子束檢測器。
20.根據(jù)權(quán)利要求17所述的設(shè)備，其中，所述的傾斜機(jī)構(gòu)被配置用來傾斜半導(dǎo)體晶片。
21.一種在工件中注入離子的方法，包括 廣生尚子束； 測定平面中的所述離子束的離子束方向； 繞垂直于所述平面的軸線將工件傾斜到相對于測定的離子束方向的注入角度；以及 對傾斜到注入角度的工件實施注入。
22.根據(jù)權(quán)利要求21的方法，其中，所述傾斜工件包括傾斜半導(dǎo)體晶片。
23.根據(jù)權(quán)利要求21的方法，其中，所述傾斜工件包括繞大體垂直于測定的離子束方向的軸線來傾斜半導(dǎo)體晶片。
24.根據(jù)權(quán)利要求21的方法，進(jìn)一步包括調(diào)節(jié)所述離子束至所需的平行度。
25.—種在工件中注入離子的設(shè)備，包括 產(chǎn)生離子束的裝置； 測定平面中的離子束的方向的裝置；以及 用于繞垂直于所述平面的軸線將工件傾斜到相對于測定的離子束方向的注入角度的裝置，其中所述注入是對傾斜到注入角度的工件實施的。
26.根據(jù)權(quán)利要求25的設(shè)備，其中，用于傾斜工件的裝置包括用于使半導(dǎo)體晶片相對于離子束傾斜的傾斜機(jī)構(gòu)。
27.根據(jù)權(quán)利要求25的設(shè)備，其中，用于傾斜工件的裝置包括用于使半導(dǎo)體晶片繞大體垂直于測定的離子束方向的軸線傾斜的傾斜機(jī)構(gòu)。
28.根據(jù)權(quán)利要求25的設(shè)備，進(jìn)一步包括用于調(diào)節(jié)離子束達(dá)到需要的平行度的裝置。
29.—種在工件中注入離子的設(shè)備，包括離子束發(fā)生器； 用于測定平面中的離子束的離子束方向的測定系統(tǒng)；以及 傾斜機(jī)構(gòu)，用于繞垂直于所述平面的軸線將工件傾斜到相對于測定的離子束方向的注入角度，所述注入是對傾斜到注入角度的工件實施的。
30.根據(jù)權(quán)利要求29的設(shè)備，其中，所述傾斜機(jī)構(gòu)被配置為傾斜半導(dǎo)體晶片。
31.根據(jù)權(quán)利要求29的設(shè)備，其中，所述傾斜機(jī)構(gòu)被配置為使半導(dǎo)體晶片繞大體垂直于測定的離子束方向的軸線而傾斜。
32.根據(jù)權(quán)利要求29的設(shè)備，進(jìn)一步包括調(diào)節(jié)離子束到所需的平行度的離子光學(xué)元件。
全文摘要
提供了在離子注入器中調(diào)節(jié)離子束平行的方法和設(shè)備。一種在工件中注入離子的方法包括產(chǎn)生離子束；將離子束調(diào)節(jié)到平面中的所需的平行度；測定所述平面中的所調(diào)節(jié)的離子束的離子束方向；繞垂直于所述平面的軸線將工件傾斜到相對于所測定的離子束方向的注入角度；以及對傾斜到注入角度的工件實施注入。
文檔編號H01L21/265GK102915899SQ201210287489
公開日2013年2月6日 申請日期2002年2月28日 優(yōu)先權(quán)日2002年2月28日
發(fā)明者約瑟夫·C·奧利桑, 安東尼·麗奧 申請人:瓦里安半導(dǎo)體設(shè)備聯(lián)合公司