專(zhuān)利名稱(chēng)：能夠運(yùn)載處理對(duì)象進(jìn)入并離開(kāi)真空室的真空處理系統(tǒng)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種真空處理系統(tǒng)，尤其是一種用于運(yùn)載處理對(duì)象進(jìn)入并離開(kāi)真空室且具有至少兩個(gè)加載鎖定機(jī)構(gòu)的真空處理系統(tǒng)。
背景技術(shù)：
以離子注入器為例說(shuō)明傳統(tǒng)的晶片運(yùn)送方法。JPA HEI 3-29258(JPBHEI 7-54668)公開(kāi)了一種具有一個(gè)裝有兩個(gè)加載鎖定室的真空室離子注入器。晶片借助所述的加載鎖定室送入或運(yùn)出。
為了運(yùn)送晶片，首先一個(gè)機(jī)械臂從所述加載鎖定室撿起一塊處理過(guò)的晶片，并將其運(yùn)送到晶片供應(yīng)區(qū)。然后，從晶片供應(yīng)區(qū)撿起一塊仍未處理的新晶片，并將其放在一個(gè)校準(zhǔn)器上，以調(diào)節(jié)晶片的姿勢(shì)(以凹口或定向平面為基礎(chǔ)的位置校準(zhǔn))。然后，所述機(jī)械臂從所述校準(zhǔn)器將所述晶片運(yùn)送到所述加載鎖定室。
由于使用了兩個(gè)加載鎖定室，因此晶片運(yùn)送過(guò)程可以被加速。
在傳統(tǒng)的離子注入器中，將晶片送入或運(yùn)出加載鎖定室以及將晶片送往另一個(gè)位置所花的時(shí)間比將離子注入晶片實(shí)際所花的時(shí)間要長(zhǎng)。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的一個(gè)目的是為了縮短將一個(gè)處理對(duì)象送入或運(yùn)出加載鎖定室以及將其送往另一個(gè)位置所花的時(shí)間，并改進(jìn)真空處理系統(tǒng)的工藝性能。
根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，提供了一種真空處理系統(tǒng)，包括一個(gè)真空室，用于限定一個(gè)能夠被抽成真空的內(nèi)室；一個(gè)第一加載鎖定機(jī)構(gòu)，能夠?qū)⒁粋€(gè)處理對(duì)象送入或運(yùn)出保持真空狀態(tài)的所述真空室；一個(gè)第二加載鎖定機(jī)構(gòu)，能夠?qū)⒁粋€(gè)處理對(duì)象送入或運(yùn)出保持真空狀態(tài)的所述真空室；一個(gè)外臂，安置在所述真空室的外面，且能夠保持所述待處理的對(duì)象，并將所保持的處理對(duì)象要么送入第一加載鎖定機(jī)構(gòu)要么送入第二加載鎖定機(jī)構(gòu)；一個(gè)第一機(jī)械臂，安置在所述真空室的外面，且能夠在真空室外面的供應(yīng)位置和第一加載鎖定機(jī)構(gòu)之間以及在所述供應(yīng)位置和所述外臂之間傳遞所述處理對(duì)象；以及一個(gè)第二機(jī)械臂，安置在所述真空室的外面，且能夠在所述供應(yīng)位置和第二加載鎖定機(jī)構(gòu)之間以及在所述供應(yīng)位置和所述外臂之間傳遞所述處理對(duì)象。
所述處理對(duì)象可以從所述第一機(jī)械臂傳遞到所述外臂，然后從所述外臂運(yùn)送回所述第一或第二加載鎖定機(jī)構(gòu)。在所述外臂運(yùn)送所述處理對(duì)象期間，第一機(jī)械臂可以將一個(gè)處理過(guò)的對(duì)象運(yùn)出所述第一加載鎖定機(jī)構(gòu)。
因此本發(fā)明可以改進(jìn)將一個(gè)處理對(duì)象送入所述真空室的運(yùn)送性能以及真空處理效率。


圖1是如一個(gè)實(shí)施例所述的離子注入器的平面剖視圖。
圖2是如那個(gè)實(shí)施例所述的離子注入器的加載鎖定機(jī)構(gòu)的橫截面視圖。
圖3是將一個(gè)晶片送入如那個(gè)實(shí)施例所述的離子注入器內(nèi)的方法的示意圖。
具體實(shí)施例方式
圖1是如本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例所述的離子注入器的平面剖視圖。第一加載鎖定機(jī)構(gòu)1和第二加載鎖定機(jī)構(gòu)2安裝在真空室50的底部上，真空室50的內(nèi)部可以被抽成真空。第一和第二加載鎖定機(jī)構(gòu)1和2的詳細(xì)結(jié)構(gòu)后面將參照?qǐng)D2加以說(shuō)明。通過(guò)第一加載鎖定機(jī)構(gòu)1和第二加載鎖定機(jī)構(gòu)2運(yùn)載一塊晶片進(jìn)入并離開(kāi)真空室50。
掃描臂9安置在真空室50內(nèi)。安裝在掃描臂9末端的臺(tái)板10保持晶片并將其放在離子束30的傳播路徑上。離子束30的傳播路徑一般是水平的，且晶片相對(duì)于離子束30的傳播方向保持垂直或傾斜。掃描電機(jī)20支承掃描臂9，使其在某一角度范圍內(nèi)旋轉(zhuǎn)。由臺(tái)板10保持的晶片因此可以在離子束30的傳播路徑的橫向上往復(fù)運(yùn)動(dòng)。用于測(cè)量離子流的法拉第圓筒31相對(duì)于離子束30安置在下游。
支承掃描電機(jī)20的支承軸穿過(guò)真空室50的室壁延伸到真空室之外。俯仰電機(jī)21使該支承軸旋轉(zhuǎn)。通過(guò)運(yùn)轉(zhuǎn)俯仰電機(jī)21，可使臺(tái)板10傾斜，并使其位于加載位置10A上。當(dāng)臺(tái)板10位于加載位置10A上時(shí)，晶片一般保持水平狀態(tài)。
內(nèi)臂7和8安置在真空室50內(nèi)。內(nèi)臂7和8繞與第一和第二加載鎖定機(jī)構(gòu)1和2等距安置的旋轉(zhuǎn)軸12旋轉(zhuǎn)。加載位置10A和旋轉(zhuǎn)軸12之間的距離等于第一加載鎖定機(jī)構(gòu)1和旋轉(zhuǎn)軸12之間的距離。
內(nèi)臂7和8可以保持晶片并將其從第一加載鎖定機(jī)構(gòu)1、第二加載鎖定機(jī)構(gòu)2和位于加載位置10A的臺(tái)板10的任何位置運(yùn)送到另一個(gè)位置。兩個(gè)內(nèi)臂7和8安置在不同的高度位置，因此它們可以彼此交叉旋轉(zhuǎn)。因此，例如，由第一加載鎖定機(jī)構(gòu)1保持的晶片可以與由處于加載位置10A的臺(tái)板10保持的晶片互換。類(lèi)似地，由第二加載鎖定機(jī)構(gòu)2保持的晶片可以與由處于加載位置10A的臺(tái)板10保持的晶片互換。
一個(gè)第一機(jī)械臂3、一個(gè)第二機(jī)械臂4、一個(gè)外臂5、一個(gè)校準(zhǔn)器6、一個(gè)緩沖器11和多個(gè)環(huán)51安置在真空室50的外面。校準(zhǔn)器6保持晶片并調(diào)節(jié)晶片的姿勢(shì)，安裝在一個(gè)定向平面或一個(gè)凹口(位置校準(zhǔn))內(nèi)。緩沖區(qū)11暫時(shí)保持晶片。校準(zhǔn)器6和緩沖器11安置在垂直重疊的位置。環(huán)51儲(chǔ)存有多塊晶片。儲(chǔ)存在一個(gè)環(huán)51內(nèi)的晶片起初都未被處理，然后一個(gè)接一個(gè)地被處理，并由仍未處理的晶片代替。所有晶片最后都被已處理過(guò)的晶片代替。
第一機(jī)械臂3可以將一塊晶片從四個(gè)環(huán)51中安置在第一機(jī)械臂3附近的兩個(gè)環(huán)51A、第一加載鎖定機(jī)構(gòu)1、校準(zhǔn)器6和緩沖器11的任何位置運(yùn)送到另一個(gè)任意位置。外臂5可以接收由校準(zhǔn)器6保持的晶片，并且可以將其運(yùn)送到第一加載鎖定機(jī)構(gòu)1或第二加載鎖定機(jī)構(gòu)2。第二機(jī)械臂4可以將一塊晶片從四個(gè)環(huán)51中安置在第二機(jī)械臂4附近的兩個(gè)環(huán)51B、第二加載鎖定機(jī)構(gòu)2、校準(zhǔn)器6和緩沖器11的任何位置運(yùn)送到另一個(gè)任意位置。第一機(jī)械臂3和第二機(jī)械臂4可以通過(guò)緩沖器11傳遞并接收晶片。
第一機(jī)械臂3、第二機(jī)械臂4、外臂5、內(nèi)臂7和8等部件都由控制器15控制。
圖2是表現(xiàn)真空室50及其第一加載鎖定機(jī)構(gòu)1和旋轉(zhuǎn)軸12的安裝區(qū)域的內(nèi)部結(jié)構(gòu)的橫截面視圖。第二加載鎖定機(jī)構(gòu)2的結(jié)構(gòu)與第一加載鎖定機(jī)構(gòu)1的結(jié)構(gòu)相同。
比晶片大的開(kāi)口55形成在真空室50的底壁上并貫穿底壁。氣缸64用于提升或降低大氣側(cè)分隔蓋(閘閥)61。當(dāng)大氣側(cè)分隔蓋61提升到最高位置時(shí)，開(kāi)口55從真空室50的外面關(guān)閉。圖2給出了大氣側(cè)分隔蓋61關(guān)閉開(kāi)口55的狀態(tài)。真空室50和大氣側(cè)分隔蓋之間的接觸區(qū)域由O型環(huán)保持密封。
支承軸62穿過(guò)大氣側(cè)分隔蓋61的中心區(qū)域。支承軸62沿其穿過(guò)的區(qū)域由O型環(huán)保持密封。晶片提升臺(tái)63安裝在支承軸62的頂端、真空室50的內(nèi)側(cè)。氣缸升降機(jī)65安裝在支承軸62的另一端。通過(guò)操縱氣缸升降機(jī)65，可以提起或降下晶片提升臺(tái)63。待處理的晶片52放在晶片提升臺(tái)63上。
支承軸73沿支承軸62的延長(zhǎng)線安置在較高的位置上，并且穿過(guò)真空室50的底壁。支承軸73沿其穿過(guò)的區(qū)域由O型環(huán)保持密封。真空側(cè)分隔蓋71安裝在支承軸73的底端、真空室50的內(nèi)側(cè)。用于提升或降低真空側(cè)分隔蓋71的氣缸72安裝在支承軸73的另一端。
當(dāng)真空側(cè)分隔蓋71降低并與真空室50的底面接觸時(shí)，開(kāi)口55就由真空側(cè)分隔蓋71閉合。盡管圖2給出了內(nèi)臂7安置在真空側(cè)分隔蓋71下方的狀態(tài)，但是在內(nèi)臂7旋轉(zhuǎn)到不影響真空側(cè)分隔蓋71下降的位置之后，真空側(cè)分隔蓋71下降。晶片提升臺(tái)63也下降到不影響真空側(cè)分隔蓋71下降的位置。真空側(cè)分隔蓋71和真空室50之間的接觸區(qū)域內(nèi)安置有一個(gè)O型環(huán)，從而使這一接觸區(qū)域保持密封。
雙軸密封單元(旋轉(zhuǎn)軸)12穿過(guò)真空室50上壁。內(nèi)臂7安裝在旋轉(zhuǎn)軸12的一根軸的底端、真空室50的內(nèi)側(cè)，而另一根內(nèi)臂8安裝在另一根旋轉(zhuǎn)軸12的另一根軸的下端。旋轉(zhuǎn)軸12的雙軸中的一根軸靠電機(jī)81旋轉(zhuǎn)，而另一根軸靠電機(jī)82旋轉(zhuǎn)。
當(dāng)真空側(cè)分隔蓋71被提升時(shí)，內(nèi)臂7和8可以旋轉(zhuǎn)，從而使這兩條內(nèi)臂的末端可以插入晶片提升臺(tái)63和真空側(cè)分隔蓋71之間。此時(shí)，內(nèi)臂7和8可以將晶片52傳遞到晶片提升臺(tái)63，或從晶片提升臺(tái)63接收晶片52。
當(dāng)大氣側(cè)分隔蓋61從下側(cè)上升到靠近開(kāi)口55的位置且真空側(cè)分隔蓋71從上側(cè)下降到靠近開(kāi)口55的位置時(shí)，大氣側(cè)分隔蓋61和真空側(cè)分隔蓋71之間就形成了一個(gè)密封空間。這一密封空間在下文中被稱(chēng)為加載鎖定室。安裝在真空室50底壁上的吸氣/排氣管85與加載鎖定室的內(nèi)側(cè)相通。加載鎖定室內(nèi)的空氣通過(guò)連接到吸氣/排氣管85上的真空泵86被排出，從而使這一內(nèi)部空間保持真空狀態(tài)。打開(kāi)連接到吸氣/排氣管85上的氮?dú)馄?7的閥門(mén)，氮?dú)饩瓦M(jìn)入加載鎖定室，從而使其保持在大氣壓狀態(tài)。
這樣，加載鎖定室可以成為真空狀態(tài)或大氣壓狀態(tài)，而與真空室50內(nèi)的空間無(wú)關(guān)。晶片52可以被送入加載鎖定室或從中取出，而仍能保持真空室50內(nèi)的真空狀態(tài)。
旋轉(zhuǎn)軸84安置在真空室50的下方，用于支承處于旋轉(zhuǎn)狀態(tài)的外臂5。旋轉(zhuǎn)軸84安置在旋轉(zhuǎn)軸12向下的延長(zhǎng)線上。電機(jī)83使旋轉(zhuǎn)軸84旋轉(zhuǎn)。
當(dāng)大氣側(cè)分隔蓋61和晶片提升臺(tái)63下降時(shí)，外臂5就旋轉(zhuǎn)，從而使外臂5的末端可以安置在晶片提升臺(tái)63的上方。此時(shí)，晶片可以從外臂5傳遞到晶片提升臺(tái)63。
接下來(lái)，參照?qǐng)D1到3說(shuō)明晶片的運(yùn)送過(guò)程和離子的注入過(guò)程。圖3所示的每一根曲線U1-U5說(shuō)明運(yùn)送每塊晶片的過(guò)程。
首先說(shuō)明晶片U1的運(yùn)送過(guò)程。第一機(jī)械臂3從環(huán)51運(yùn)送晶片U1。然后，第一機(jī)械臂3旋轉(zhuǎn)到校準(zhǔn)器6的位置，并將晶片U1放在校準(zhǔn)器6上。校準(zhǔn)器6檢測(cè)晶片U1的凹口的位置，以調(diào)節(jié)晶片U1的位置。在完成這一位置校準(zhǔn)之后，晶片U1就從校準(zhǔn)器7傳遞到外臂5。
外臂5旋轉(zhuǎn)到第一加載鎖定機(jī)構(gòu)1的位置，并將晶片U1放在第一加載鎖定機(jī)構(gòu)1的晶片提升臺(tái)63(見(jiàn)圖2)上。第一加載鎖定機(jī)構(gòu)1的加載鎖定室被抽成真空，從而使其內(nèi)部保持真空狀態(tài)。在達(dá)到真空之后，真空側(cè)分隔蓋71和晶片提升臺(tái)63被提升。
內(nèi)臂7把晶片U1運(yùn)送到加載位置10A處就位的臺(tái)板10。如果經(jīng)過(guò)離子注入的晶片由臺(tái)板10保持，另一個(gè)內(nèi)臂8就將處理過(guò)的晶片從臺(tái)板10運(yùn)送到第一加載鎖定機(jī)構(gòu)1的晶片提升臺(tái)63。也就是說(shuō)，第一加載鎖定機(jī)構(gòu)1和臺(tái)板10之間交換晶片。
臺(tái)板10移動(dòng)到離子注入位置，以將離子注入晶片U1。在離子注入之后，臺(tái)板10移動(dòng)到加載位置10A。此時(shí)，在晶片U1之后待處理的晶片U2已經(jīng)通過(guò)后面將要說(shuō)明的路徑被運(yùn)送到第二加載鎖定機(jī)構(gòu)2。由臺(tái)板10保持的晶片U1與由第二加載鎖定機(jī)構(gòu)2保持的晶片U2交換。
晶片U1被引入到第二加載鎖定機(jī)構(gòu)2的加載鎖定室。氮?dú)獗灰朐摷虞d鎖定室，并且晶片U1被運(yùn)送到真空室50的外面。第二機(jī)械臂4從第二加載鎖定機(jī)構(gòu)2接收晶片U1，并旋轉(zhuǎn)到緩沖器11的位置，以將晶片U1運(yùn)送到緩沖器11。
第一機(jī)械臂3從緩沖器11接收晶片U1，并旋轉(zhuǎn)到環(huán)51的位置，以將晶片U1運(yùn)輸?shù)江h(huán)51。上述的這些過(guò)程完成了晶片U1的運(yùn)送過(guò)程。
在上述過(guò)程中，第一機(jī)械臂3將晶片U1運(yùn)送到校準(zhǔn)器6，然后旋轉(zhuǎn)到第一加載鎖定機(jī)構(gòu)1的位置。已經(jīng)經(jīng)過(guò)離子注入的晶片由第一加載鎖定機(jī)構(gòu)1保持。第一機(jī)械臂3從第一加載鎖定機(jī)構(gòu)1接收處理過(guò)的晶片，并旋轉(zhuǎn)到環(huán)51的位置，以將處理過(guò)的晶片運(yùn)送到環(huán)51。
在此期間，當(dāng)?shù)谝粰C(jī)械臂3將處理過(guò)的晶片從第一加載鎖定機(jī)構(gòu)1運(yùn)送到環(huán)51時(shí)，外臂5將仍未處理的晶片U1運(yùn)送到第一加載鎖定機(jī)構(gòu)1。如果沒(méi)有提供外臂5，這兩個(gè)運(yùn)送過(guò)程就無(wú)法同時(shí)進(jìn)行。通過(guò)提供外臂5，可以改進(jìn)運(yùn)送性能。
接下來(lái)說(shuō)明第二晶片U2的運(yùn)送過(guò)程。第一機(jī)械臂3在將處理過(guò)的晶片運(yùn)送到環(huán)51之后，就移動(dòng)到環(huán)51的下一道槽，并將仍未處理的晶片U2送出環(huán)51。
第一機(jī)械臂3將運(yùn)送來(lái)的晶片U2放在校準(zhǔn)器6上，以調(diào)節(jié)晶片U2的位置。位置調(diào)節(jié)之后，晶片U2被外臂5運(yùn)送道第二加載鎖定機(jī)構(gòu)2。第二加載鎖定機(jī)構(gòu)2的加載鎖定室被抽成真空，并且晶片U2被送入真空室50內(nèi)。
此時(shí)，經(jīng)過(guò)離子注入并且由臺(tái)板10保持的晶片U1位于加載位置10A處。由臺(tái)板10保持的處理過(guò)的晶片U1與由第二加載鎖定機(jī)構(gòu)2保持的晶片U2交換。晶片U2被運(yùn)送到離子注入位置，以往其中注入離子。
處理過(guò)的晶片U2被運(yùn)送到加載位置10A。此時(shí)，在晶片U2之后待處理的晶片U3已經(jīng)被運(yùn)送到第一加載鎖定機(jī)構(gòu)1。位于加載位置10A的晶片U2與由第一加載鎖定機(jī)構(gòu)1保持的晶片U3交換。然后，晶片U2通過(guò)第一加載鎖定機(jī)構(gòu)1被運(yùn)送到真空室50的外面，并且由第一機(jī)械臂3運(yùn)送到環(huán)51。
在晶片U2借助于第一機(jī)械臂3和校準(zhǔn)器6從環(huán)51被運(yùn)送到外臂5期間，第二機(jī)械臂4將處理過(guò)的晶片從第二加載鎖定機(jī)構(gòu)2運(yùn)送到緩沖器11。
在外臂5將晶片U2運(yùn)送到第二加載鎖定機(jī)構(gòu)2期間，第一機(jī)械臂3將處理過(guò)的晶片運(yùn)送出緩沖器11，并旋轉(zhuǎn)到環(huán)51，以將其運(yùn)送到環(huán)51。如上所述，第一機(jī)械臂3的運(yùn)送性能和外臂5的運(yùn)送性能同時(shí)進(jìn)行，因此晶片的運(yùn)送性能可以改進(jìn)。
在晶片U2之后待處理的晶片U3沿與晶片U1的運(yùn)送路徑相似的運(yùn)送路徑移動(dòng)。在晶片U3之后待處理的晶片U4沿與晶片U2的運(yùn)送路徑相似的運(yùn)送路徑移動(dòng)。按奇數(shù)順序待處理的晶片沿相同的運(yùn)送路徑移動(dòng)，而按偶數(shù)順序待處理的晶片也沿相同的運(yùn)送路徑移動(dòng)。
如上所述，由于除了第一機(jī)械臂3和第二機(jī)械臂4之外還提供有外臂5，因此晶片的運(yùn)送性能可以被改進(jìn)。
在上述的實(shí)施例中，盡管離子注入器已經(jīng)通過(guò)例子做了說(shuō)明，但是該實(shí)施例不僅僅局限于離子注入器，該實(shí)施例系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)也可以應(yīng)用于其他的真空處理系統(tǒng)。
已經(jīng)聯(lián)系最佳實(shí)施例對(duì)本發(fā)明做了說(shuō)明，但本發(fā)明不僅僅局限于上述的最佳實(shí)施例，顯然本領(lǐng)域普通技術(shù)人員還可以作出其他各種變動(dòng)、改進(jìn)、結(jié)合、等等。
權(quán)利要求
1.一種真空處理系統(tǒng)包括一個(gè)真空室，用于限定一個(gè)能夠被抽成真空的內(nèi)室；一個(gè)第一加載鎖定機(jī)構(gòu)，能夠?qū)⒁粋€(gè)處理對(duì)象送入或運(yùn)出保持真空狀態(tài)的所述真空室；一個(gè)第二加載鎖定機(jī)構(gòu)，能夠?qū)⒁粋€(gè)處理對(duì)象送入或運(yùn)出保持真空狀態(tài)的所述真空室；一個(gè)外臂，安置在所述真空室的外面，且能夠保持所述待處理的對(duì)象，并將所保持的處理對(duì)象送入第一加載鎖定機(jī)構(gòu)或送入第二加載鎖定機(jī)構(gòu)；一個(gè)第一機(jī)械臂，安置在所述真空室的外面，且能夠在真空室外面的供應(yīng)位置和第一加載鎖定機(jī)構(gòu)之間以及在所述供應(yīng)位置和所述外臂之間傳遞所述處理對(duì)象；以及一個(gè)第二機(jī)械臂，安置在所述真空室的外面，且能夠在所述供應(yīng)位置和第二加載鎖定機(jī)構(gòu)之間以及在所述供應(yīng)位置和所述外臂之間傳遞所述處理對(duì)象。
2.如權(quán)利要求1所述的真空處理系統(tǒng)，還包括一個(gè)緩沖器，安置在所述真空室的外面，用于暫時(shí)保持所述處理對(duì)象，其特征在于所述第一機(jī)械臂和所述第二機(jī)械臂可以通過(guò)所述緩沖器將所述處理對(duì)象從它們中的一個(gè)傳遞到另一個(gè)。
3.如權(quán)利要求1所述的真空處理系統(tǒng)，還包括一個(gè)控制裝置，用于控制所述第一機(jī)械臂和所述外臂，從而使所述第一機(jī)械臂將一個(gè)第一處理對(duì)象從所述供應(yīng)位置運(yùn)送到所述外臂，然后將一個(gè)由第一加載鎖定機(jī)構(gòu)保持的第二處理對(duì)象運(yùn)送到所述供應(yīng)位置，在第一機(jī)械臂運(yùn)送第二處理物對(duì)象時(shí)，所述外臂將所述第一處理對(duì)象送入所述第一加載鎖定機(jī)構(gòu)。
4.如權(quán)利要求3所述的真空處理系統(tǒng)，其特征在于所述控制裝置控制第一機(jī)械臂、第二機(jī)械臂和所述外臂，從而使第二機(jī)械臂將一個(gè)第三處理對(duì)象從所述第二加載鎖定機(jī)構(gòu)運(yùn)送到所述緩沖器，與此同時(shí)，第一機(jī)械臂將一個(gè)第四處理對(duì)象從所述供應(yīng)位置運(yùn)送到所述外臂，然后所述第一機(jī)械臂將所述第三處理對(duì)象從所述緩沖器運(yùn)送到所述供應(yīng)位置，并且與此同時(shí)，所述外臂將所述第四處理對(duì)象送入所述第二加載鎖定機(jī)構(gòu)。
5.如權(quán)利要求1所述的真空處理系統(tǒng)，還包括一個(gè)安置在真空室內(nèi)的保持結(jié)構(gòu)，所述保持機(jī)構(gòu)能夠保持處理對(duì)象，并將所述處理對(duì)象從所述處理對(duì)象接受處理的一個(gè)處理位置移動(dòng)到一個(gè)加載位置，并從所述加載位置移動(dòng)到所述處理位置；以及一個(gè)內(nèi)臂，能夠交換加載位置處的一個(gè)處理對(duì)象和由所述第一或第二加載鎖定機(jī)構(gòu)保持的一個(gè)處理對(duì)象，而所述保持機(jī)構(gòu)將一個(gè)處理對(duì)象保持在所述加載位置處。
6.如權(quán)利要求5所述的真空處理系統(tǒng)，其特征在于所述內(nèi)臂包括一個(gè)第一臂和一個(gè)第二臂，兩者能夠獨(dú)立旋轉(zhuǎn)，所述第一和第二臂沿旋轉(zhuǎn)軸方向支承在不同的位置處，所述第一臂沿第一旋轉(zhuǎn)方向旋轉(zhuǎn)，以將一個(gè)處于所述加載位置處的處理對(duì)象移動(dòng)到所述第一或第二加載鎖定機(jī)構(gòu)，并且與此同時(shí)，所述第二臂沿與第一旋轉(zhuǎn)方向相反的第二旋轉(zhuǎn)方向旋轉(zhuǎn)，以將另一個(gè)處理對(duì)象從所述第一或第二加載鎖定機(jī)構(gòu)移動(dòng)到所述加載位置。
7.如權(quán)利要求1所述的真空處理系統(tǒng)，還包括一個(gè)安置在所述真空室的外面的校準(zhǔn)器，用于從所述第一機(jī)械臂接收處理對(duì)象，調(diào)節(jié)所述處理對(duì)象的姿勢(shì)，并將姿勢(shì)調(diào)節(jié)過(guò)的所述處理對(duì)象傳遞到所述外臂，其特征在于所述外臂借助于所述校準(zhǔn)器從所述第一機(jī)械臂接收所述處理對(duì)象。
8.一種真空處理系統(tǒng)包括一個(gè)真空室，用于限定一個(gè)能夠被抽成真空的內(nèi)室；一個(gè)第一加載鎖定機(jī)構(gòu)，能夠?qū)⒁粋€(gè)處理對(duì)象送入或運(yùn)出保持真空狀態(tài)的所述真空室；一個(gè)安置在真空室內(nèi)的保持結(jié)構(gòu)，所述保持機(jī)構(gòu)能夠保持處理對(duì)象，并將所述處理對(duì)象從所述處理對(duì)象接受處理的一個(gè)處理位置移動(dòng)到一個(gè)加載位置，并從所述加載位置移動(dòng)到所述處理位置；以及一個(gè)內(nèi)臂，能夠交換加載位置處的一個(gè)處理對(duì)象和由所述第一或第二加載鎖定機(jī)構(gòu)保持的另一個(gè)處理對(duì)象，而所述保持機(jī)構(gòu)將所述處理對(duì)象保持在所述加載位置處，其特征在于所述內(nèi)臂包括一個(gè)第一臂和一個(gè)第二臂，兩者能夠獨(dú)立旋轉(zhuǎn)，所述第一和第二臂沿旋轉(zhuǎn)軸方向支承在不同的位置處，所述第一臂沿第一旋轉(zhuǎn)方向旋轉(zhuǎn)，以將一個(gè)處于所述加載位置處的處理對(duì)象移動(dòng)到所述第一或第二加載鎖定機(jī)構(gòu)，并且與此同時(shí)，所述第二臂沿與第一旋轉(zhuǎn)方向相反的第二旋轉(zhuǎn)方向旋轉(zhuǎn)，以將另一個(gè)處理對(duì)象從所述第一或第二加載鎖定機(jī)構(gòu)移動(dòng)到所述加載位置。
全文摘要
第一和第二加載鎖定機(jī)構(gòu)安裝在一個(gè)真空室內(nèi)。一個(gè)外臂以及第一和第二機(jī)械臂安置在所述真空室的外面。所述外臂能夠保持處理對(duì)象，并可以將所保持的處理對(duì)象送入第一加載鎖定機(jī)構(gòu)或送入第二加載鎖定機(jī)構(gòu)。所述第一機(jī)械臂可以在真空室外面的供應(yīng)位置和第一加載鎖定機(jī)構(gòu)之間以及在所述供應(yīng)位置和所述外臂之間傳遞所述處理對(duì)象。所述第二機(jī)械臂可以在所述供應(yīng)位置和第二加載鎖定機(jī)構(gòu)之間以及在所述供應(yīng)位置和所述外臂之間傳遞所述處理對(duì)象。
文檔編號(hào)H01L21/265GK1532886SQ20041003048
公開(kāi)日2004年9月29日 申請(qǐng)日期2004年3月25日 優(yōu)先權(quán)日2003年3月25日
發(fā)明者玉井忠素 申請(qǐng)人:玉井忠素