專利名稱：一種傳感器及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及影像檢測(cè)技術(shù)，特別是涉及一種傳感器及其制造方法。
背景技術(shù)：
隨著人們自我保健意識(shí)的逐漸增強(qiáng)，各種無損傷醫(yī)療檢測(cè)方法受到人們的青睞。在諸多的無損傷檢測(cè)方法中，計(jì)算機(jī)斷層掃描技術(shù)已經(jīng)被廣泛的應(yīng)用到我們的現(xiàn)實(shí)生活中。在計(jì)算機(jī)斷層掃描設(shè)備的組成中，必不可缺的一個(gè)部分就是傳感器。傳感器的基本結(jié)構(gòu)如圖I所示，該傳感器12的每個(gè)感測(cè)單元包括一個(gè)光電二極管13和一個(gè)場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Field Effect Transistor, FET) 14，場(chǎng)效應(yīng)晶體管14的柵極與傳感器12的掃描線(Gate Line) 15連接，場(chǎng)效應(yīng)晶體管14的漏極與傳感器12的數(shù)據(jù)線·(Data Line) 16連接，光電二極管13與場(chǎng)效應(yīng)晶體管14的源極連接；數(shù)據(jù)線16的一端通過連接引腳17連接數(shù)據(jù)讀出電路18。傳感器的工作原理為傳感器12通過掃描線15施加驅(qū)動(dòng)掃描信號(hào)來控制場(chǎng)效應(yīng)晶體管14的開關(guān)狀態(tài)。當(dāng)場(chǎng)效應(yīng)晶體管14被打開時(shí)，光電二極管13產(chǎn)生的光電流信號(hào)依次通過與場(chǎng)效應(yīng)晶體管14連接的數(shù)據(jù)線16、數(shù)據(jù)讀出電路18而輸出，通過控制掃描線15與數(shù)據(jù)線16上的信號(hào)時(shí)序來實(shí)現(xiàn)光電流信號(hào)的采集功能，即通過控制場(chǎng)效應(yīng)管14的開關(guān)狀態(tài)來實(shí)現(xiàn)對(duì)光電二極管13產(chǎn)生的光電流信號(hào)采集的控制作用。目前，傳感器通常采用薄膜晶體管(Thin Film Transistor, TFT)平板結(jié)構(gòu),這種傳感器在斷面上分為多層，例如在一個(gè)感測(cè)單元內(nèi)包括基板、柵極層、柵極絕緣層、有源層、源極與漏極層、鈍化層、PIN光電傳感器的PI結(jié)和透明電極窗口層，以及偏壓線層和擋光條層等。當(dāng)然，不同傳感器由于具體結(jié)構(gòu)的差異，在斷面上的具體圖層也不盡相同。通常，傳感器的各個(gè)圖層都是通過構(gòu)圖(MASK)工藝形成的，而每一次MASK工藝通常包括掩模、曝光、顯影、刻蝕和剝離等工序?，F(xiàn)有傳感器在制造時(shí)通常需要采用9至11次構(gòu)圖工藝，這樣就對(duì)應(yīng)的需要9至11張光罩掩模板，傳感器的制造成本較高，且制造工藝較為復(fù)雜，產(chǎn)能較難提升。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種傳感器及其制造方法，用以解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的傳感器的制造成本較高，且制造工藝較為復(fù)雜，產(chǎn)能較難提升的技術(shù)問題。本發(fā)明傳感器，包括基板、呈交叉排列的一組柵線和一組數(shù)據(jù)線，以及由所述一組柵線和一組數(shù)據(jù)線所界定的多個(gè)呈陣列狀排布的感測(cè)單元，每個(gè)感測(cè)單元包括至少一個(gè)由薄膜晶體管器件和光電二極管傳感器件組成的感測(cè)子單元，其中，所述薄膜晶體管器件包括位于基板之上并相對(duì)而置形成溝道的源極和漏極，所述漏極與相鄰的數(shù)據(jù)線連接，以及位于源極和漏極之上的歐姆層、位于歐姆層之上并覆蓋溝道的有源層、位于有源層之上的柵極絕緣層和位于柵極絕緣層之上并與相鄰的柵線連接的柵極；
所述光電二極管傳感器件包括位于基板之上并與源極連接的接收電極、位于接收電極之上的光電二極管、位于光電二極管之上的透明電極，以及位于透明電極之上的偏壓電極。本發(fā)明傳感器的制造方法，包括在基板上通過一次構(gòu)圖工藝形成數(shù)據(jù)線的圖形、與數(shù)據(jù)線連接的漏極的圖形、與漏極相對(duì)而置形成溝道的源極的圖形、與源極連接的接收電極的圖形，以及位于源極和漏極之上的歐姆層的圖形；通過一次構(gòu)圖工藝形成位于接收電極之上的光電二極管的圖形，以及位于光電二極管之上的透明電極的圖形；通過一次構(gòu)圖工藝形成位于歐姆層之上并覆蓋溝道的有源層的圖形；
·
通過一次構(gòu)圖工藝形成位于有源層之上的柵極絕緣層的圖形；通過一次構(gòu)圖工藝形成位于柵極絕緣層之上的柵線的圖形、與柵線連接的柵極的圖形和位于透明電極之上的偏壓電極的圖形。在本發(fā)明技術(shù)方案中，由于薄膜晶體管器件采用頂柵型結(jié)構(gòu)，具有該結(jié)構(gòu)的傳感器可共采用六次構(gòu)圖工藝制作，對(duì)比于現(xiàn)有技術(shù)，減少了掩模板的使用數(shù)量，降低了制造成本，簡(jiǎn)化了生產(chǎn)工藝，大大提升了設(shè)備產(chǎn)能及產(chǎn)品的良品率。


圖I為現(xiàn)有傳感器的立體結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為本發(fā)明傳感器的一個(gè)感測(cè)單元的俯視結(jié)構(gòu)示意圖；圖3為本發(fā)明傳感器的多個(gè)呈陣列狀排布的感測(cè)單元的俯視結(jié)構(gòu)示意圖；圖4為本發(fā)明傳感器的制造方法流程示意圖；圖5為圖2的A-A處在第一次構(gòu)圖工藝后的截面視圖；圖6為圖2的B-B處在第一次構(gòu)圖工藝后的截面視圖；圖7為圖2的A-A處在第二次構(gòu)圖工藝后的截面視圖；圖8為圖2的B-B處在第二次構(gòu)圖工藝后的截面視圖；圖9為圖2的A-A處在第三次構(gòu)圖工藝后的截面視圖；圖10為圖2的B-B處在第三次構(gòu)圖工藝后的截面視圖；圖11為圖2的A-A處在第四次構(gòu)圖工藝后的截面視圖；圖12為圖2的B-B處在第四次構(gòu)圖工藝后的截面視圖；圖13為圖2的A-A處在第五次構(gòu)圖工藝后的截面視圖；圖14為圖2的B-B處在第五次構(gòu)圖工藝后的截面視圖；圖15為圖2的A-A處在第六次構(gòu)圖工藝后的截面視圖；圖16為圖2的B-B處在第六次構(gòu)圖工藝后的截面視圖。附圖標(biāo)記12-傳感器13-光電二極管(現(xiàn)有技術(shù))14-場(chǎng)效應(yīng)晶體管15-掃描線16-數(shù)據(jù)線(現(xiàn)有技術(shù)) 17-連接引腳18-數(shù)據(jù)讀出電路 30-柵線31-數(shù)據(jù)線32-基板33-源極34-漏極
35-歐姆層36-有源層37-柵極絕緣層38-柵極39-接收電極40-光電二極管41-透明電極42-偏壓電極40a_N型半導(dǎo)體40b-I型半導(dǎo)體40c-P型半導(dǎo)體43-鈍化層30a-單柵線30b_雙柵線50-薄膜晶體管器件51-光電二極管器件
具體實(shí)施例方式為了解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的傳感器的制造成本較高，且制造工藝較為復(fù)雜的技術(shù)·問題，本發(fā)明提供了一種傳感器及其制造方法。在本發(fā)明以下實(shí)施例中，所述傳感器包含多種類型，例如X射線傳感器等。如圖2、圖15和圖16所示，本發(fā)明傳感器，包括基板32、呈交叉排列的一組柵線30和一組數(shù)據(jù)線31，以及由所述一組柵線30和一組數(shù)據(jù)線31所界定的多個(gè)呈陣列狀排布的感測(cè)單元，每個(gè)感測(cè)單元包括至少一個(gè)由薄膜晶體管器件和光電二極管傳感器件組成的感測(cè)子單元，其中，所述薄膜晶體管器件包括位于基板32之上并相對(duì)而置形成溝道的源極33和漏極34，所述漏極34與相鄰的數(shù)據(jù)線31連接，以及位于源極33和漏極34之上的歐姆層35、位于歐姆層35之上并覆蓋溝道的有源層36、位于有源層36之上的柵極絕緣層37和位于柵極絕緣層37之上并與相鄰的柵線30連接的柵極38 ；所述光電二極管傳感器件包括位于基板32之上并與源極33連接的接收電極39、位于接收電極39之上的光電二極管40、位于光電二極管40之上的透明電極41，以及位于透明電極41之上的偏壓電極42。本發(fā)明中，所述基板32可以為玻璃基板、塑料基板或其他材料的基板；所述數(shù)據(jù)線31、源極33、漏極34和接收電極39可以采用相同的材質(zhì)，例如為鋁釹合金(AINd)、鋁(Al)、銅(Cu)、鑰(Mo)、鑰鎢合金(MoW)或鉻(Cr)的單層膜，也可以為這些金屬材料任意組合所構(gòu)成的復(fù)合膜，厚度通常在150納米至450納米之間；歐姆層35的材質(zhì)可以為摻雜質(zhì)半導(dǎo)體(n+a-Si),也就是N型半導(dǎo)體；有源層36的材質(zhì)可以為非晶娃(a_Si),厚度在30納米至250納米之間；柵極絕緣層37的材質(zhì)可以為氮化硅，厚度在300納米至500納米之間；柵線30、柵極38和偏壓電極42可以采用相同的材質(zhì)，優(yōu)選為重金屬或重金屬合金，例如銅鉛合金；透明電極41的材質(zhì)可以為氧化銦錫等。在圖16所示的實(shí)施例中，所述光電二極管為PIN (positive, intrinsic,negative，簡(jiǎn)稱PIN)型光電二極管，包括位于接收電極39之上的N型半導(dǎo)體(n+a_Si)40a，位于N型半導(dǎo)體40a之上的I型半導(dǎo)體(a_Si ) 40b，以及位于I型半導(dǎo)體40b之上的P型半導(dǎo)體(P+a_Si)40c。PIN型光電二極管利用光生伏特原理工作，具有結(jié)電容小、渡越時(shí)間短、靈敏度高等優(yōu)點(diǎn)，其結(jié)構(gòu)相當(dāng)于在PN結(jié)中間插入較厚的本征非晶硅層，P型材料由本征材料摻入提供空穴的雜質(zhì)形成，N型材料由本征材料摻入提供電子的雜質(zhì)形成。在本發(fā)明的其它實(shí)施例中，光電二極管還可以采用MIS (metal, insulative, semiconductor,金屬-絕緣體-半導(dǎo)體，簡(jiǎn)稱MIS)型光電二極管等。請(qǐng)繼續(xù)參照?qǐng)D15和圖16所示，所述傳感器，還包括位于一組柵線30，及每個(gè)感測(cè)單元的柵極38和偏壓電極42之上并覆蓋基板的鈍化層43，所述鈍化層43具有信號(hào)引導(dǎo)區(qū)過孔(圖15和圖16為一個(gè)感測(cè)單元的截面結(jié)構(gòu)，因此位于基板周邊的信號(hào)引導(dǎo)區(qū)過孔未在圖中示出)。鈍化層43可以采用無機(jī)絕緣膜，例如氮化硅等，或有機(jī)絕緣膜，例如感光樹脂材料或者非感光樹脂材料等，厚度通常在150納米至1500納米之間。如圖3所示，所述一組柵線30，包括兩根單柵線30a，以及位于兩根單柵線30a之間的多組雙柵線30b，則所述每個(gè)感測(cè)單元包括兩個(gè)感測(cè)子單元，兩個(gè)感測(cè)子單元的薄膜晶體管器件50呈對(duì)角分布，且薄膜晶體管器件50的柵極與相鄰的單柵線30a或者相鄰的雙柵線30b中距離較近的一根連接。對(duì)比于傳統(tǒng)的傳感器(傳統(tǒng)的傳感器的柵線與數(shù)據(jù)線均為單線排布，每個(gè)感測(cè)單元包含一個(gè)薄膜晶體管器件和一個(gè)光電二極管傳感器件，即只包含一個(gè)感測(cè)子單元)，雙柵線的排布方式使得柵線總數(shù)量增加一倍，但數(shù)據(jù)線數(shù)量卻降低至一半，而柵線驅(qū)動(dòng)設(shè)備的成本要低于數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)設(shè)備的成本，因此，采用該結(jié)構(gòu)可進(jìn)一步降低傳感器的成本。在本發(fā)明技術(shù)方案中，由于薄膜晶體管器件采用頂柵型結(jié)構(gòu)，具有該結(jié)構(gòu)的傳感·器可共采用六次構(gòu)圖工藝制作，對(duì)比于現(xiàn)有技術(shù)，減少了掩模板的使用數(shù)量，降低了制造成本，簡(jiǎn)化了生產(chǎn)工藝，大大提升了設(shè)備產(chǎn)能及產(chǎn)品的良品率。如圖4所示，本發(fā)明傳感器的制造方法，包括步驟101、在基板32上通過一次構(gòu)圖工藝形成數(shù)據(jù)線31的圖形、與數(shù)據(jù)線31連接的漏極34的圖形、與漏極34相對(duì)而置形成溝道的源極33的圖形、與源極33連接的接收電極39的圖形，以及位于源極33和漏極34之上的歐姆層35的圖形，第一次構(gòu)圖工藝后的截面結(jié)構(gòu)請(qǐng)參照?qǐng)D5和圖6所示；一次構(gòu)圖工藝通常包括基板清洗、成膜、光刻膠涂覆、曝光、顯影、刻蝕、光刻膠剝離等工序；對(duì)于金屬層通常采用物理氣相沉積方式(例如磁控濺射法)成膜，通過濕法刻蝕形成圖形，而對(duì)于非金屬層通常采用化學(xué)氣相沉積方式成膜，通過干法刻蝕形成圖形，以下步驟道理相同，不再贅述。在該步驟中，所述數(shù)據(jù)線31、源極33、漏極34和接收電極39可以采用相同的材質(zhì)，經(jīng)一次構(gòu)圖工藝實(shí)現(xiàn)圖形化。步驟102、通過一次構(gòu)圖工藝形成位于接收電極39之上的光電二極管40的圖形，以及位于光電二極管40之上的透明電極41的圖形，第二次構(gòu)圖工藝后的截面結(jié)構(gòu)請(qǐng)參照?qǐng)D7和圖8所示；當(dāng)光電二極管40為PIN型光電二極管時(shí)，步驟102具體包括依次沉積N型半導(dǎo)體層、I型半導(dǎo)體層、P型半導(dǎo)體層和透明電極層，通過一次構(gòu)圖工藝形成光電二極管40的圖形和透明電極41的圖形。在圖2所示的實(shí)施例中，光電二極管40為PIN型光電二極管，薄膜晶體管器件50的歐姆層35 (n+a-Si)和PIN型光電二極管的N型半導(dǎo)體40a的材質(zhì)相同，制造該實(shí)施例所示結(jié)構(gòu)的傳感器時(shí)，位于接收電極39之上的N型半導(dǎo)體40a的圖形可首先在步驟101中形成；此時(shí)步驟102具體包括依次沉積I型半導(dǎo)體層、P型半導(dǎo)體層和透明電極層，通過一次構(gòu)圖工藝形成光電二極管40的圖形和透明電極41的圖形，在該次構(gòu)圖工藝中，透明電極41圖形可以單獨(dú)采用濕法刻蝕形成，也可以與I型半導(dǎo)體40b和P型半導(dǎo)體40c同時(shí)采用干法刻蝕形成。步驟103、通過一次構(gòu)圖工藝形成位于歐姆層35之上并覆蓋溝道的有源層36的圖形，第三次構(gòu)圖工藝后的截面結(jié)構(gòu)請(qǐng)參照?qǐng)D9和圖10所示；步驟104、通過一次構(gòu)圖工藝形成位于有源層36之上的柵極絕緣層37的圖形，第四次構(gòu)圖工藝后的截面結(jié)構(gòu)請(qǐng)參照?qǐng)D11和圖12所示，柵極絕緣層37在透明電極41之上的部分區(qū)域需要被刻蝕掉，以使步驟105所形成的偏壓電極42直接與透明電極41接觸連接；步驟105、通過一次構(gòu)圖工藝形成位于柵極絕緣層37之上的柵線30的圖形、與柵線30連接的柵極38的圖形和位于透明電極41之上的偏壓電極42的圖形，在該步驟中，所述柵線30、柵極38和偏壓電極42可以采用相同的材質(zhì)，經(jīng)一次構(gòu)圖工藝實(shí)現(xiàn)圖形化，第五次構(gòu)圖工藝后的截面結(jié)構(gòu)請(qǐng)參照?qǐng)D13和圖14所示。此外，在步驟105之后，還進(jìn)一步包括步驟106、通過一次構(gòu)圖工藝形成位于柵線30、柵極38和偏壓電極42之上并覆蓋·基板的鈍化層43的圖形，所述鈍化層43在基板周邊的信號(hào)引導(dǎo)區(qū)具有過孔(圖中未示出)，第六次構(gòu)圖工藝后的截面結(jié)構(gòu)請(qǐng)參照?qǐng)D15和圖16所示?？梢?，本發(fā)明傳感器的制造方法可共采用六次構(gòu)圖工藝制作，對(duì)比于現(xiàn)有技術(shù)，減少了掩模板的使用數(shù)量，降低了制造成本，簡(jiǎn)化了生產(chǎn)工藝，大大提升了設(shè)備產(chǎn)能及產(chǎn)品的良品率。顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對(duì)本發(fā)明進(jìn)行各種改動(dòng)和變型而不脫離本發(fā)明的精神和范圍。這樣，倘若本發(fā)明的這些修改和變型屬于本發(fā)明權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍之內(nèi)，則本發(fā)明也意圖包含這些改動(dòng)和變型在內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種傳感器，其特征在于，包括基板、呈交叉排列的一組柵線和一組數(shù)據(jù)線，以及由所述一組柵線和一組數(shù)據(jù)線所界定的多個(gè)呈陣列狀排布的感測(cè)單元，每個(gè)感測(cè)單元包括至少一個(gè)由薄膜晶體管器件和光電二極管傳感器件組成的感測(cè)子單元，其中， 所述薄膜晶體管器件包括位于基板之上并相對(duì)而置形成溝道的源極和漏極，所述漏極與相鄰的數(shù)據(jù)線連接，以及位于源極和漏極之上的歐姆層、位于歐姆層之上并覆蓋溝道的有源層、位于有源層之上的柵極絕緣層和位于柵極絕緣層之上并與相鄰的柵線連接的柵極； 所述光電二極管傳感器件包括位于基板之上并與源極連接的接收電極、位于接收電極之上的光電二極管、位于光電二極管之上的透明電極，以及位于透明電極之上的偏壓電極。
2.如權(quán)利要求I所述的傳感器，其特征在于，所述一組柵線，包括兩根單柵線，以及位于兩根單柵線之間的多組雙柵線，則 所述每個(gè)感測(cè)單元包括兩個(gè)感測(cè)子單元，兩個(gè)感測(cè)子單元的薄膜晶體管器件呈對(duì)角分布，且薄膜晶體管器件的柵極與相鄰的單柵線或者相鄰的雙柵線中距離較近的一根連接。
3.如權(quán)利要求I或2所述的傳感器，其特征在于，所述光電二極管為PIN型光電二極管，包括位于接收電極之上的N型半導(dǎo)體，位于N型半導(dǎo)體之上的I型半導(dǎo)體，以及位于I型半導(dǎo)體之上的P型半導(dǎo)體。
4.如權(quán)利要求3所述的傳感器，其特征在于，所述數(shù)據(jù)線、源極、漏極和接收電極的材質(zhì)相同；所述歐姆層和N型半導(dǎo)體的材質(zhì)相同；所述柵線、柵極和偏壓電極的材質(zhì)相同。
5.如權(quán)利要求I所述的傳感器，其特征在于，還包括位于一組柵線，及每個(gè)感測(cè)單元的柵極和偏壓電極之上并覆蓋基板的鈍化層，所述鈍化層具有信號(hào)引導(dǎo)區(qū)過孔。
6.一種傳感器的制造方法，其特征在于，包括 在基板上通過一次構(gòu)圖工藝形成數(shù)據(jù)線的圖形、與數(shù)據(jù)線連接的漏極的圖形、與漏極相對(duì)而置形成溝道的源極的圖形、與源極連接的接收電極的圖形，以及位于源極和漏極之上的歐姆層的圖形； 通過一次構(gòu)圖工藝形成位于接收電極之上的光電二極管的圖形，以及位于光電二極管之上的透明電極的圖形； 通過一次構(gòu)圖工藝形成位于歐姆層之上并覆蓋溝道的有源層的圖形； 通過一次構(gòu)圖工藝形成位于有源層之上的柵極絕緣層的圖形； 通過一次構(gòu)圖工藝形成位于柵極絕緣層之上的柵線的圖形、與柵線連接的柵極的圖形和位于透明電極之上的偏壓電極的圖形。
7.如權(quán)利要求6所述的制造方法，其特征在于，在形成柵線的圖形、柵極的圖形和偏壓電極的圖形之后，進(jìn)一步包括 通過一次構(gòu)圖工藝形成位于柵線、柵極和偏壓電極之上并覆蓋基板的鈍化層的圖形，所述鈍化層具有信號(hào)引導(dǎo)區(qū)過孔。
8.如權(quán)利要求6或7所述的制造方法，其特征在于，所述光電二極管為PIN型光電二極管，包括N型半導(dǎo)體、I型半導(dǎo)體和P型半導(dǎo)體，則所述通過一次構(gòu)圖工藝形成位于接收電極之上的光電二極管的圖形，以及位于光電二極管之上的透明電極的圖形，具體包括 依次沉積N型半導(dǎo)體層、I型半導(dǎo)體層、P型半導(dǎo)體層和透明電極層，通過一次構(gòu)圖工藝形成光電二極管的圖形和透明電極的圖形。
9.如權(quán)利要求6或7所述的制造方法，其特征在于，所述光電二極管為PIN型光電二極管，包括N型半導(dǎo)體、I型半導(dǎo)體和P型半導(dǎo)體，所述歐姆層和N型半導(dǎo)體的材質(zhì)相同，則 在基板上通過一次構(gòu)圖工藝形成數(shù)據(jù)線的圖形、與數(shù)據(jù)線連接的漏極的圖形、與漏極相對(duì)而置形成溝道的源極的圖形、與源極連接的接收電極的圖形，以及位于源極和漏極之上的歐姆層的圖形的同時(shí)，形成位于接收電極之上的N型半導(dǎo)體的圖形； 所述通過一次構(gòu)圖工藝形成位于接收電極之上的光電二極管的圖形，以及位于光電二極管之上的透明電極的圖形，具體包括依次沉積I型半導(dǎo)體層、P型半導(dǎo)體層和透明電極層，通過一次構(gòu)圖工藝形成光電二極管的圖形和透明電極的圖形。
10.如權(quán)利要求6所述的制造方法，其特征在于，所述數(shù)據(jù)線、源極、漏極和接收電極的材質(zhì)相同；所述柵線、柵極和偏壓電極的材質(zhì)相同。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種傳感器及其制造方法，所述傳感器包括基板、呈交叉排列的一組柵線和一組數(shù)據(jù)線，以及由所述一組柵線和一組數(shù)據(jù)線所界定的多個(gè)呈陣列狀排布的感測(cè)單元，每個(gè)感測(cè)單元包括至少一個(gè)由薄膜晶體管器件和光電二極管傳感器件組成的感測(cè)子單元，其中，所述薄膜晶體管器件采用頂柵型結(jié)構(gòu)。該結(jié)構(gòu)的傳感器可共采用六次構(gòu)圖工藝制作，對(duì)比于現(xiàn)有技術(shù)，減少了掩模板的使用數(shù)量，降低了制造成本，簡(jiǎn)化了生產(chǎn)工藝，大大提升了設(shè)備產(chǎn)能及產(chǎn)品的良品率。
文檔編號(hào)H01L27/146GK102790066SQ20121026296
公開日2012年11月21日 申請(qǐng)日期2012年7月26日 優(yōu)先權(quán)日2012年7月26日
發(fā)明者徐少穎, 謝振宇, 陳旭 申請(qǐng)人:北京京東方光電科技有限公司